JP3666317B2 - 送信回路、受信回路、送受信回路および電気光学装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、電源電圧が異なる受信回路に論理信号を送信する送信回路、受信回路、送受信回路、および、これら回路を用いた電気光学装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に電気光学装置、例えば液晶パネルにおいては、非線形素子や画素電極等が形成された素子基板と当該画素電極に対向する対向電極(または共通電極)が形成された対向基板とが、電極面を対向させて一定の間隙が保って貼付されるとともに、この間隙に電気光学材料としての液晶が挟持された構成となっている。ここで、非線形素子としてTFT(Thin Film Transistor)などの3端子型素子を用いる場合では一方の素子基板において、非線形素子としてTFD(Thin Film Diode)などの2端子型素子を用いる場合では素子基板および対向基板の基板において、それぞれ貼合領域以外の周縁領域に、駆動回路(ドライバIC)がCOG(Chip On Glass)技術により実装されて、液晶パネルにおける接続点数を低減することが行われている。
【0003】
さて、外部制御回路は、一般にCMOS回路で構成されるため、その論理信号の振幅は3〜5V程度である。一方、非線形素子や液晶を駆動するためには、20V程度の比較的高い電圧が要求される。このように両回路の動作電圧範囲は互いに異なるので、外部制御回路における論理信号の電源電圧および駆動回路の電源電圧を、互いに別々とする構成の方が設計的には都合が良い。
【0004】
ただし、この構成では、外部制御回路の論理信号を駆動回路に直接的に供給することができない。そこで、従来では図18に示されるように、外部制御回路の出力段を構成するバッファ410から論理信号が、コンデンサ500を介して出力されて、駆動回路の入力段を構成するバッファ610に間接的に供給される構成となっている。すなわち、図に示される構成において、外部制御回路におけるバッファ410の電源電圧には、電圧V1および接地電位GNDが用いられるが、駆動回路におけるバッファ610の電源電圧には、電圧V2および電圧V3が用いられる。ここで、V1−GND=V2−V3である。なお、D1、D2は、保護ダイオードである。
【0005】
ところで、外部制御回路から液晶パネルの接続点までは、FPC(Flexible Printed Circuit)基板が用いられて配線される一方、液晶パネルの接続点から駆動回路までは、当該基板上に堆積したITO(Indium Tin Oxide)などの透明性導電体をパターニングして配線される。ここで、Rxは、透明性導電体の配線抵抗であり、Cxは、透明性導電体の浮遊容量である。また、説明を一般化するために、外部制御回路を、論理信号を送信する意味で送信回路400とし、駆動回路を、論理信号を受信する意味で受信回路600とする。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ITOなどの透明性導電体の配線抵抗Rxは、FPC基板の銅箔の抵抗よりも遙かに大きい。また、透明性導電体の配線ピッチは非常に狭いので、その浮遊容量Cxも無視できない。したがって、これらの配線抵抗Rxや浮遊容量Cxにより、受信回路600における入力点Bの信号波形(バッファ610の入力信号波形)は、図19に示されるように、送信回路400における出力点Aの信号波形(バッファ410の出力信号波形)と比較して鈍化する結果、出力点Aの信号に対してバッファ610による出力信号の遅延時間ΔTは長くなる。さらに、入力点Bの信号振幅は、電圧「V2−V3」よりも小さくなるため、ピーク値とバッファ610のしきい値とのノイズマージンαが減少する結果、最悪の場合には誤動作も発生する、という問題があった。
【0007】
本発明は、上述した問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、論理信号の相手先たる受信回路側において配線抵抗や浮遊容量などが増加しても、当該回路側の誤動作の防止した論理信号を送信する送信回路、受信回路、送受信回路、および、これら回路を用いた電気光学装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本件第1の発明は、相手先の受信回路へ論理信号を、コンデンサを介して送信する送信回路であって、送信すべき論理信号の振幅電圧を、前記受信回路において当該論理信号を受信する論理素子への電源電圧よりも大きくしたことを特徴としている。これにより、受信回路において受信される論理信号の振幅が拡大されるので、遅延時間が短くなり、ノイズマージンにも余裕が生じる。また、この構成によれば、受信回路側の構成を変更しないで済む。
【0009】
さて、この送信回路において、送信すべき論理信号の振幅電圧を拡大するレベルシフタを備える構成が望ましい。この構成では、比較的簡易な構成で実現可能であるが、受信回路側において単純にレベルシフタを動作させるためには異なる電源電圧が別途必要となる。
【0010】
そこで、所定の電圧を保持する保持素子を備え、前記レベルシフタは、当該所定の電圧に対し、前記保持素子により保持された電圧を加算または減算した電圧を電源電圧とする論理素子である構成が望ましい。この構成によれば、結果として所定の電圧を昇圧し、これを電源とする論理素子によって、送信すべき論理信号の振幅拡大が図られる。なお、所定の電圧としては、レベルシフタの前段に位置する論理回路の電源電圧が適当である。これにより、送信回路における電源電圧は単一で済むこととなる。
【0011】
一方、レベルシフタ以外により送信すべき論理信号の振幅を拡大する構成としては、所定の電圧を保持する保持素子を備え、送信すべき論理信号の一方のレベルに、前記保持素子に保持された電圧を加算または減算する構成が考えられる。このような構成によっても、単一の電源電圧により論理信号の振幅を受信回路において拡大することが可能となる。
【0012】
また、本件第2の発明は、送信回路から送信された論理信号を、コンデンサを介して受信する受信回路であって、受信した論理信号を入力する論理素子への電源電圧を、前記送信回路から送信された論理信号の振幅電圧よりも小さくしたことを特徴としている。この構成によれば、送信回路側の構成を変更しないで済む。
【0013】
このような受信回路において、受信した論理信号を入力するバッファと、前記バッファの出力信号を、前記バッファの入力に帰還する帰還回路とをさらに具備する構成が望ましい。この構成によれば、受信した論理信号の変化開始点が固定化されるので、誤動作がより抑えられることができる。なお、受信した論理信号に対し、ヒステリシス特性を持たせてバッファリングするバッファを備える構成でも同様な効果を奏することができる。
【0014】
くわえて、本件第3の発明は、送信回路と受信回路とからなり、前記送信回路から送信された論理信号を、コンデンサを介して前記受信回路により受信する送受信回路であって、前記送信回路から送出される論理信号の振幅電圧を、前記受信回路において当該論理信号を受信する論理素子への電源電圧よりも大きくしたことを特徴としている。このような構成によっても、受信回路側に配線抵抗や浮遊容量などがあっても、受信回路で受信された論理信号は、波形鈍化や振幅減少の影響を受けにくくなる。このため、信号遅延が防止されるとともにノイズマージンが確保されるので、受信回路側の誤動作が抑えられることとなる。
【0015】
このような構成において、電圧差が略等しい2組の電源電圧を、受信した論理信号を入力する論理素子への電源電圧として所定期間毎に交互に供給する構成が望ましい。これにより、受信回路において論理信号を受信する論理素子に要求される耐圧を低く抑えることができる。
【0016】
また、上記目的を達成するために、本件第4の発明にあっては、電気光学材料を挟持した一対の基板と、前記走査線と前記データ線との各交差に対応して配設された画素とを備える電気光学装置の駆動回路であって、請求項5に記載の受信回路を、前記走査線を駆動する走査線駆動回路における入力回路として用いるとともに、前記走査線駆動回路を、前記一対の基板のうち前記走査線が形成された基板に実装したことを特徴としている。
【0017】
同様に、上記目的を達成するために、本件第5の発明にあっては、電気光学材料を挟持した一対の基板と、前記一対の基板のうち、一方の基板に複数の走査線が形成され、他方の基板に複数のデータ線が形成されて、または、一方の基板に複数の走査線および複数のデータ線が形成されて、前記走査線と前記データ線との各交差に対応して配設された画素と、前記走査線を駆動する走査駆動回路であって、前記一対の基板のうち前記走査線が形成された基板に実装された走査線駆動回路と、前記走査線駆動回路に制御信号としての論理信号を供給する制御回路とを備える電気光学装置であって、前記走査線駆動回路は、前記制御回路から供給された論理信号を、コンデンサを介して受信し、受信した論理信号に対応した論理信号を出力する論理回路への電源電圧は、前記制御回路から供給された論理信号の振幅電圧よりも小さいことを特徴としている。
以上をまとめ、本発明は以下の要件を有することを特徴とするものである。
第1に、送信回路から送信された論理信号を、コンデンサを介して受信する受信回路であって、前記論理信号を入力点を介して受信するバッファと、前記入力点と前記バッファの高電位側の第1の電源電位V2との間に介挿され、当該第1の電源電位側を順方向とする第1の保護ダイオードと、前記入力点と前記バッファの低電位側の第2の電源電位V3との間に介挿され、当該入力点側を順方向とする第2の保護ダイオードと、を備え、前記送信回路から送信される前記論理信号の振幅が、前記バッファの電源電圧(V2−V3)より大きいことを特徴とする。
さらに、前記バッファは、当該バッファの出力点と前記入力点との間に介挿され、当該バッファによる出力を帰還する抵抗を有することを特徴とする。
さらに、前記バッファは、当該バッファの出力点と前記入力点との間に介挿され、当該バッファによる出力を帰還するバッファを有することを特徴とする。
さらに、前記バッファをヒステリシスバッファとすることを特徴とする。
また、送受信回路として、送信回路と受信回路からなり、前記送信回路から送信された論理信号を、コンデンサを介して前記受信回路により受信する送受信回路であって、上記に記載の受信回路を、前記受信回路として備えたことを特徴とする。
第2に、相手先の受信回路へ論理信号を、コンデンサを介して送信する送信回路であって、前記論理信号を前記コンデンサに向けて出力するバッファと、電源電圧の供給線と接地電位の間に直列接続され、当該接地電位側を順方向とする第1のダイオード、第2のダイオード及び第1のコンデンサと、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードの接続点に一端が接続された第2のコンデンサと、を備え、前記第2のコンデンサの他端に2レベル間を遷移する制御信号を供給し、前記第2のダイオードと前記第1のコンデンサの接続点に発生する電圧を、前記バッファの電源電圧として供給してなることを特徴とする。
さらに、前記バッファに対して前記論理信号を出力する処理回路を備え、前記制御信号として前記処理回路の出力する前記論理信号を用いることを特徴とする。
また、送受信回路として、送信回路と受信回路からなり、前記送信回路から送信された論理信号を、コンデンサを介して前記受信回路により受信する送受信回路であって、請求項6に記載の送信回路を、前記送信回路として備えたことを特徴とする。
また、第3に、送信回路と受信回路からなり、前記送信回路から送信された論理信号を、コンデンサを介して前記受信回路により受信する送受信回路であって、前記送信回路は、前記論理信号を前記コンデンサに向けて出力するバッファと、電源電圧の供給線と接地電位の間に直列接続され、当該接地電位側を順方向とする第1のダイオード、第2のダイオード及び第1のコンデンサと、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードの接続点に一端が接続された第2のコンデンサと、を備え、前記第2のコンデンサの他端に2レベル間を遷移する制御信号を供給し、前記第2のダイオードと前記第1のコンデンサの接続点に発生する電圧を、前記バッファの電源電圧として供給してなり、前記受信回路は、前記論理信号を入力点を介して受信するバッファと、前記入力点と前記バッファの高電位側の第1の電源電位V2との間に介挿され、当該第1の電源電位側を順方向とする第1の保護ダイオードと、前記入力点と前記バッファの低電位側の第2の電源電位V3との間に介挿され、当該入力点側を順方向とする第2の保護ダイオードと、を備え、前記送信回路から送信される前記論理信号の振幅が、前記バッファの電源電圧(V2−V3)より大きいことを特徴とする。
また、電気光学材料を挟持した一対の基板と、走査線とデータ線との各交差に対応して配設された画素と、を備える電気光学装置であって、上記の受信回路を、前記走査線を駆動する走査線駆動回路における入力回路として用いることを特徴とする。
また、電気光学材料を挟持した一対の基板と、走査線とデータ線との各交差に対応して配設された画素と、前記走査線を駆動する走査線駆動回路と、を備える電気光学装置であって、上記の送信回路を、前記走査線駆動回路に前記論理信号である制御信号を供給する制御回路として備え、前記走査線駆動回路を前記一対の基板の一方に実装してなることを特徴とする。
また、電気光学材料を挟持した一対の基板と、走査線とデータ線との各交差に対応して配設された画素と、を備える電気光学装置であって、上記送受信回路の前記受信回路を、前記一対の基板の一方に実装されて前記走査線を駆動する走査線駆動回路における入力回路として用い、上記送受信回路の前記送信回路を、前記走査線駆動回路に前記論理信号である制御信号を供給する制御回路として用いたことを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0019】
<第1実施形態>
まず、本発明の第1の実施形態について説明する。図1は、その構成を示すブロック図である。この図に示されるように、この実施形態では、送信回路400において論理信号を送信するバッファ410の電源電圧がV1からV1’に高められている。これにより、出力点Aにおける論理信号の振幅は、図2に示されるように「V1’−GND」となって、受信回路600において当該論理信号を入力するバッファ610の電源電圧「V2−V3」よりも大きくなる。この際、保護ダイオードD1、D2における順方向電圧降下分をVfとすると、入力点Bにおける論理信号の振幅は、保護ダイオードD1、D2によるクリッピングレベルである「V2+Vf」から「V3−Vf」まで拡大される。
【0020】
このため、配線抵抗や浮遊容量などがあっても、受信回路600において論理信号を受信するバッファ610において、その出力信号の遅延時間はΔT’となって、従来の遅延時間ΔTよりも短くなることが判る。また、入力点Bにおける論理信号の振幅の拡大に伴い、ピーク値とバッファ610のしきい値とのノイズマージンはα’となって、従来のノイズマージンαよりも余裕が生じることも判る。この結果、信号遅延が防止されるとともにノイズマージンが確保されるので、受信回路600の誤動作が抑えられることとなる。さらに、この構成では、受信回路600の構成に変更を加えないで済ませることができる。
【0021】
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図3は、その構成を示すブロック図である。この図において、処理回路420は、送信回路400において論理処理する回路であり、従前の「V1−GND」を電源電圧とするものである。一方、バッファ430は、それよりも高い「V1’−GND」を電源電圧として、処理回路420による論理信号の振幅を拡大するものである。すなわち、バッファ430は、レベルシフタとして機能するものである。
【0022】
ここで、バッファ430の入出力特性は、例えば図4に示される通りである。すなわち、バッファ430は、(V1)/2をしきい値として、入力した論理信号をバッファリングする構成となっている。また、このようなバッファ430は、例えば図5に示されるように、インバータINV1およびINV2を2段接続した構成となっている。ここで、各インバータINV1およびINV2は、それぞれPチャネル型トランジスタおよびNチャネル型トランジスタを、電源電圧V1’および接地電位GNDの間に介挿した構成となっており、このうち、インバータINV1を構成する各トランジスタのしきい値を調整して、図4に示される入出力特性を設定する。
【0023】
このような構成によれば、送信回路400では、その最終段たるバッファ430において論理信号の振幅が拡大される一方、その前段たる処理回路420において通常の電源電圧「V1−GND」により論理処理が行われる。このため、処理回路420にあっては従来の構成を引き継ぐことができ、ただ、その最終段にレベルシフタとしてのバッファ430を設けるだけの構成で済む。
【0024】
ただし、単純にバッファ430を追加する構成とすると、従来の処理回路420を用いることができるものの、電源電圧V1’が別途必要となるという欠点がある。そこで以下、この問題を解決した第3および第4実施形態について説明する。
【0025】
<第3実施形態>
まず、本発明の第3実施形態について説明する。図6は、この構成を示すブロック図である。この図に示されるように、バッファ430の電源電圧V1’は、別途生成されるのではなく、次のようにして従前の電源電圧V1より生成される構成となっている。
【0026】
はじめに、F点には、デューティ比が約50%であって、Hレベルが電圧V1であり、Lレベルが接地電位GNDである制御信号CTRが供給されている。ここで、F点は、コンデンサCaを介してG点に接続されている。さらに、このG点は、ダイオードD3を介して電源電圧V1の供給線に接続されている。G点はまた、ダイオードD4を介してH点に接続されて、このH点の電圧がバッファ430の正極側電源電圧として供給されている。なお、H点と接地電位GNDとの間には、電圧保持用のコンデンサCbが介挿されている。
【0027】
このような構成において、制御信号CTRがLレベルである場合、ダイオードD3に順方向電流が流れるので、G点を正極として、コンデンサCaは充電を行う。このため、G点では、電圧「V1−Vf」が保持されることとなる。ここで、Vfは、ダイオードD3の順方向電圧降下分である。次に、制御信号CTRがHレベルになると、ダイオードD3がオフして、順方向電流が遮断される。この際、G点の電位は、制御信号CTRのHレベルに、コンデンサCaによる保持電圧を加算した値となり、これがダイオードD4を介してコンデンサCbに保持されることとなる。そして、制御信号CTRが再びLレベルになっても、コンデンサCbの保持電圧は、ダイオードD4の阻止によりに維持される。したがって、コンデンサCbによって保持されるH点の電圧は2・V1−2・Vfとなり、これがバッファ420の正極側電源電圧として用いられることなる。ここで、ダイオードD3、D4にショットキーダイオードを用いると、電圧降下分のVfが小さくなるので、V1’は近似的に2・V1となる。
【0028】
したがって、このような構成によれば、送信すべき論理信号の振幅がバッファ430によって拡大されるとともに、バッファ430の電源電圧V1’が従前の電源電圧V1より生成されるので、電源電圧V1’を別途生成しないで済ませることができ、構成の簡略化に寄与することができる。
【0029】
なお、図6に示される構成にあっては、F点に制御信号CTRを別途供給する構成としたが、処理回路420により出力される論理信号のデューティ比が約50%であれば、処理回路420の出力点EとF点とを短絡しても良い。このような構成によれば、処理回路420による論理信号が制御信号CTRとして用いられるので、制御信号CTRを別途生成しないで済ませることも可能となり、さらに構成の簡略化に寄与することができる。
【0030】
また、図6に示される構成にあっては、電圧V1を引き上げてバッファ430の正極側電源電圧を生成するものとしたが、接地電位GNDを引き下げて負極側電源電圧を生成する構成としても良い。また、この構成において、コンデンサCa、Cbは電圧を保持するために用いられるので、これらのコンデンサCa、Cbを、これらと同機能を有する素子、例えば二次電池などに置換することができる。
【0031】
<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態について説明する。図7は、この構成を示すブロック図である。まず、処理回路420の出力点Eにおける電圧は、インバータ440の負極側電源電圧として供給される。一方、インバータ440の正極側電圧は、I点の電圧が供給される。ここで、I点は、電源電圧V1の供給線からダイオードD5を介した接続点であり、また、I点と出力点EとにはコンデンサCcが介挿されている。そして、インバータ440の入力には、電源電圧V1が供給されている。
【0032】
このような構成において、処理回路420から出力される論理信号がLレベルである場合、ダイオードD5に順方向電流が流れるので、コンデンサCcは、GIを正極として充電を行う。このため、ダイオードD5の順方向降下電圧をVfとすると、I点では、電圧「V1−Vf」が保持されることとなる。
【0033】
したがって、I点の電圧波形は、図8に示されるように、出力点Eの電圧波形を、常に電圧「V1−Vf」だけ底上げしたものとなる。なお、ダイオードD5にショットキーダイオードを用いると、降下電圧Vfが小さくなるので、底上げ分は近似的にV1となる。
【0034】
ここで、インバータ440において、正極側電源電圧がV1’(近似的には2・V1)であって負極側電源電圧がV1となる場合、入力信号の電圧V1は論理的にLレベルとなるため、インバータ440の出力電圧、すなわち、J点の電圧はV1’となる一方、正極側電源電圧がV1であって負極側電源電圧が接地電位GNDとなる場合、入力信号の電圧V1は論理的にHレベルとなるため、インバータ440の出力電圧は接地電位GNDとなる。
【0035】
すなわち、本実施形態は、処理回路420から出力される論理信号を、結果的に、Lレベルの電位についてはGNDのままと出力する一方、Hレベルの電位については本来のV1に「V1−Vf」を加算して、出力する構成となっている。したがって、このような構成によっても、送信すべき論理信号の振幅がインバータ440によって拡大されるとともに、インバータ440の電源電圧V1’が従前の電源電圧V1より生成されるので、電源電圧V1’を別途生成しないで済ませることができる。さらに、図6に示される構成と比較して、ダイオードおよびコンデンサが各々1個で済むとともに、送信回路400の最終段も、インバータの1段で済むので、構成の簡略化に大いに寄与することができる。
【0036】
なお、図7に示される構成にあっては、処理回路420から出力される論理信号のHレベルを拡大する構成としたが、これとは反対に、Lレベルを引き下げる構成としても良い。また、この構成において、コンデンサCcは電圧を保持するために用いられるので、このコンデンサCcをこれと同機能を有する素子、例えば二次電池などに置換することができる。さらに、インバータ440については、処理回路420とともに集積化しても良し、ディスクリート化しても良い。
【0037】
<第5実施形態>
上述した第1〜第4実施形態は、送信回路400において論理振幅の振幅を拡大するものであったが、本件発明では、送信すべき論理信号の振幅電圧が、受信回路において当該論理信号を受信する論理素子への電源電圧よりも相対的に大きくなれば足りる。そこで、本発明の第5実施形態は、図1に示される構成において、送信回路400におけるバッファ410の電源電圧を従前のように「V1−GND」とし、受信回路600におけるバッファ610の電源電圧を「V2−V3」よりも小さく設定した構成とするのである。
【0038】
このような構成によっても、第1実施形態と同様に、信号遅延が防止されるとともにノイズマージンが確保されるので、受信回路の誤動作が抑えられることとなる。また、この構成では、送信回路の構成に変更を加えないで済ませることができる。
【0039】
<第6実施形態>
次に、本発明の第6実施形態について説明する。図9(a)は、その構成を示すブロック図である。この図に示される構成にあっては、上述した第1または第5実施形態に対し、送信回路からの送信された論理信号を入力するバッファ610の出力点Kおよび入力点Bに、抵抗Raを介挿し、バッファ610による出力信号を、抵抗Raを介してその入力端に帰還する構成となっている。
【0040】
このような構成により、入力点Bにおける論理信号の信号波形は、図10に示されるようになる。すなわち、論理信号の振幅は、クリッピングレベルである「V2+Vf」から「V3−Vf」まで拡大される点において第1実施形態と同様であるが、バッファ610の出力電圧が入力点Bに帰還されるので、収束電圧は、Hレベルであれば電圧V2となり、LレベルであればV3となる。このため、電圧変化の開始点は、電源電圧V2またはV3となり、第1実施形態における「V2+Vf」または「V3−Vf」よりも、バッファ610のしきい値に近づく。このため、ノイズマージンを確保した上で、信号遅延がより抑えられることとなる。
【0041】
なお、出力点Kおよび入力点Bにおいて、抵抗Raの替わりに、図9(b)に示されるように、ドライブ能力が小さいバッファ620を介挿する構成としても同様な効果が得られる。
【0042】
<第7実施形態>
ところで、第6実施形態において抵抗Raを適切な抵抗値に設定するのは意外に困難である。すなわち、抵抗Raの抵抗値が大きいと、入力点Bの電圧がV2またはV3に収束するまでの時間が長くなるので、信号遅延を防止する効果が薄れる。一方、抵抗値が小さいと、例えば、LレベルからHレベルに遷移する場合、入力点Bの電圧が、図10におい丸1で示されるように、しきい値を越える前に電圧V3に収束してしまって、誤動作が発生することになる。
【0043】
そこで、この問題の解決を図った第7実施形態について説明する。図11(a)は、その構成を示すブロック図である。この図に示される構成にあっては、上述した第6実施形態における抵抗Raを廃するとともに、バッファ610をヒステリシスバッファ630に置換した構成となっている。ここで、ヒステリシスバッファ630の入出力特性は、図11(b)に示されるようになっている。
【0044】
この構成によれば、入力点Bの電圧が一旦VHまたはVLを通過して、出力端Kの電圧がV2またはV3となってしまえば、仮に入力点Bにノイズが加わったとしても、それがヒステリシス電圧以内である限り、ノイズの影響を受けないで済ませることができる。
【0045】
<第8実施形態>
次に、本発明の第8実施形態について説明する。図12は、その構成を示すブロック図である。この実施形態は、送信回路400において「V1−GND」を電源電圧とする処理回路420で処理された論理信号の振幅が、「V1’−GND」を電源電圧とするバッファ430によって拡大されて、コンデンサ500を介して送信される一方、受信回路600においては「V2−V3」を電源電圧とするバッファ610により受信される構成となっている。ここで、受信回路400のV1、GNDと、送信回路600のV2、V3との電位関係が、図13に示されるように異なっていても、第1または第5実施形態と同様に信号遅延が防止されるとともにノイズマージンが確保されるので、受信回路側の誤動作が抑えられることとなる。
【0046】
このような構成において、バッファ610の後段回路(ここでは図示省略)によっては、バッファ610の電源電圧を例えば図14に示されるように、ある場合にはV2、V3を供給して、他の場合にはV1、GNDを供給する構成としても良い。例えば、バッファ610の電源として、論理信号がHレベルであれば「V2−V3」を、Lレベルであれば「V1−GND」を、それぞれ供給する構成としても良い。この構成では、バッファ610から出力される論理信号のHレベルはV1となり、LレベルがV3となるので、バッファ610の後段回路において必要となる振幅が※3に示されるような場合であっても、バッファ610の耐圧を、※1の「V1−GND」または※2の「V2−V3」で済ませることができる。
【0047】
<第9実施形態>
次に、本発明の第9実施形態について説明する。図15は、この電気光学装置の一例である液晶表示装置の電気的構成を示すブロック図である。この図に示されるように、液晶パネル100では、160本のデータ線212が列(Y)方向に形成され、また、200本の走査線312が行(X)方向に形成されて、これらデータ線212と走査線312との各交差点において画素116が形成されている。そして、各画素116は、液晶表示要素(液晶層)118とTFD(Thin Film Diode)220とが直列に接続された構成となっている。
【0048】
ここで、液晶パネル100の詳細構成について説明する。図16は、この構成を摸式的に示す部分破断斜視図である。この図に示されるように、液晶パネル100は、素子基板200と、これに対向配置される対向基板300とを備えている。このうち、素子基板200の対抗面には、複数の画素電極234がマトリクス状に配列している。ここで、同一列に配列する画素電極234は、列方向に短冊状に延在するデータ線212の1本に、それぞれTFD220を介して接続されている。
【0049】
さて、TFD220は、基板側からみると、第1金属膜222と、この第1金属膜222を陽極酸化した酸化膜224と、第2金属膜226とから構成されて、金属/絶縁体/金属のサンドイッチ構造を採る。このため、TFD220は、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。
【0050】
一方、対向基板300の対抗面には、走査線312が、データ線212とは直交する行方向に延在し、かつ、画素電極234の対向電極となるように配列している。
【0051】
そして、このような素子基板200と対向基板300とは、基板周辺に沿って塗布されるシール剤と、適切に散布されたスペーサとによって、一定のギャップ(間隙)を保っており、この閉空間に例えば、TN(Twisted Nematic)型の液晶105が封入されて、これにより、図15における液晶層118が形成されることとなる。すなわち、液晶層118は、データ線212と走査線312との交差地点において、当該走査線312と、画素電極234と、両者の間に位置する液晶105とで構成されることになる。
【0052】
ほかに、対向基板300には、液晶パネル100の用途に応じて、例えば、ストライプ状や、モザイク状、トライアングル状等に配列されたカラーフィルタが設けられ、それ以外の領域には遮光のためブラックマトリクスが設けられる。くわえて、素子基板200および対向基板300の各対向面には、それぞれ所定の方向にラビング処理された配向膜などが設けられる一方、その各背面には配向方向に応じた偏光子がそれぞれ設けられる(いずれも図示省略)。
【0053】
ただし、液晶パネル100においては、液晶を高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、前述した配向膜や偏光子等が不要となるため、光利用効率が高まり、このため液晶パネルの高輝度化や低消費電力化などの点において有利である。また、液晶パネル100を反射型とする場合、画素電極234をアルミニウムなどの反射率の高い金属膜から構成し、電圧無印加状態で液晶分子がほぼ垂直配向されるSH(スーパーホメオトロピック)型液晶などを用いても良い。
【0054】
なお、TFD220は、2端子型非線形素子の一例であり、他に、ZnO(酸化亜鉛)バリスタや、MSI(Metal Semi-Insulator)などを用いた素子や、これら素子を2つ逆向きに直列接続または並列接続したものなどが適用可能である。
【0055】
説明を再び図15に戻す。Xドライバ250は、一般にはデータ線駆動回路と呼ばれるものであり、表示内容に応じて各データ線212にデータ信号X1〜X160をそれぞれ供給する。なお、このデータ信号の電圧は、V1、GNDのいずれかで規定される。一方、受信回路600としての走査線駆動回路は、論理信号を入力するバッファ610と、このバッファ610による論理信号に基づいて、電圧V4、V1、GNDまたはV3を選択し、走査信号Y1〜Y200として各走査線312に印加するYドライバ650とからなる。また、駆動電圧形成回路300は、Xドライバ300およびYドライバ650により用いられる電圧V4、V1、GNDまたはV3を生成するものである。
【0056】
さて、Xドライバ250は、COG技術によりに素子基板200の周縁部において実装される一方、受信回路600としてのバッファ610およびYドライバ650は、集積化されて対向基板300の周縁部において実装される。また、外部制御回路としての送信回路400は、「V1−GND」を電源とする処理回路420によって、Xドライバ250に対しては表示すべき内容に応じてデータを供給する一方、Yドライバ650に対しては走査線312の各々に走査信号を印加するためのクロック信号や制御信号などを供給するものである。このうち、Yドライバ650に対して供給するクロック信号や制御信号などの論理信号は、それぞれバッファ430により振幅が拡大された後にコンデンサ500を介して出力される構成となっている。なお、実際には、バッファ430、610およびコンデンサ500は、論理信号の1本毎に設けられる。
【0057】
また、走査信号の波形例としては、例えば、図17に示されるものが挙げられる。この図に示される波形にあっては、ある走査線Ym(Y1≦Ym<Y200)と、この走査線Ymの次位に位置する走査線Ym+1とに供給される走査信号をそれぞれ示すものである。これらの図において、V4は正極側の選択電圧であり、V3は負極側の選択電圧である。また、V1は正極側の非選択電圧であり、GNDは負極側の非選択電圧である。なお、ここでいう極性は、データ線212に印加される電圧の中間値、すなわち(V1−GND)/2を基準として規定されている。
【0058】
ここで、ある走査線312が選択されて、その1水平走査期間の後半(1/2H)において、走査信号として選択電圧V4が印加されると、対応するTFD220が導通状態となる。この導通状態の際に、データ線212を介してデータ信号を印加すると、当該TFD220に接続された液晶層118に所定の電荷が蓄積される。電荷蓄積後、非選択電圧V1が印加されて、当該TFD220が非導通状態となっても、当該TFD220のリーク(オフリーク)が少なく、かつ、液晶層118の抵抗が十分に高ければ、当該液晶層118における電荷の蓄積が維持される。そして1垂直走査期間(1V)経過後、再び、同じ走査線312が選択されて、その1水平走査期間の後半(1/2H)において、走査信号として選択電圧V1が印加されると、同様に、対応するTFD220が導通状態となる。この導通状態の際に、同様に、データ線212を介してデータ信号が印加されると、当該TFD220に接続された液晶層118に所定の電荷が蓄積される。電荷蓄積後、非選択電圧GNDが印加されて、当該TFD220を非導通状態になっても、当該液晶層118における電荷の蓄積が維持される。このように、各TFD220を交流駆動して蓄積させる電荷の量を制御することによって、画素毎に液晶の配向状態が変化して、所定の情報を表示することが可能となっている。
【0059】
さて、バッファ610の後段回路としてYドライバ650を適用すると、このYドライバ650の動作電圧範囲はV4からV3までとなる。ただし、ある選択期間において選択される走査線は通常1本であるため、電圧V3、V4が同時に出力されることはない。このため、Yドライバ650の電源電圧を、正極側電圧V1を出力する選択期間においては、「V4−GND」とする一方、負極側電圧V3を出力する選択期間においては、「V1−V3」とする構成を採用すると、このYドライバ650の耐圧を、「V4−V3」の約半分で済ませることができる。
【0060】
なお、この実施形態にあっては、液晶パネル100として、TFD220を用いたものを例にとって説明したが、これに限られず、一方の基板において走査線、データ線を設けるとともに、それらの各交差点においてゲートが走査線に、ソースがデータ線に、ドレインが画素電極に、それぞれ接続されたTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)を用いてものでも良い。くわえて、これらスイッチング素子を用いずに、STN(Super Twisted Nematic)型液晶を用いたパッシィブ型液晶などにも適用可能である。さらに、液晶に替えて、発光層を配置したエレクトロルミネッセンス表示装置など、各種の電気光学効果を用いて表示を行う電気光学装置に適用可能である。
【0061】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、配線抵抗や浮遊容量が増加しても、受信回路側において信号遅延を抑えることができるとともに、ノイズマージンを確保して誤動作を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態の構成を示すブロック図である。
【図2】 同実施形態の動作を説明するための電圧波形図である。
【図3】 本発明の第2実施形態の構成を示すブロック図である。
【図4】 同実施形態におけるバッファの入出力特性を示す図である。
【図5】 同バッファの等価回路を示す図である。
【図6】 本発明の第3実施形態の構成を示すブロック図である。
【図7】 本発明の第4実施形態の構成を示すブロック図である。
【図8】 同実施形態の動作を説明するための電圧波形図である。
【図9】 (a)は、本発明の第6実施形態の構成を示すブロック図であり、(b)は、その一部置換図である。
【図10】 同実施形態の動作を説明するための電圧波形図である。
【図11】 (a)は、本発明の第7実施形態の構成を示すブロック図であり、(b)は、同実施形態におけるヒステリシスバッファの入出力特性を示す図である。
【図12】 本発明の第8実施形態の構成を示すブロック図である。
【図13】 同実施形態における電圧関係を示す図である。
【図14】 同実施形態の応用動作を説明するための電圧波形図である。
【図15】 同実施形態を適用した液晶表示装置の構成を示すブロック図である。
【図16】 同装置における液晶パネルの要部構成を示す構成を部分破断斜視図である。
【図17】 同装置における走査信号の波形を示す図である。
【図18】 従来構成を示すブロック図である。
【図19】 従来構成における問題点を説明するための電圧波形図である。
【符号の説明】
100……液晶パネル
400……送信回路
410……バッファ
420……処理回路
500……コンデンサ
600……受信回路
610……バッファ
Claims (12)
- 送信回路から送信された論理信号を、コンデンサを介して受信する受信回路であって、
前記論理信号を入力点を介して受信するバッファと、
前記入力点と前記バッファの高電位側の第1の電源電位V2との間に介挿され、当該第1の電源電位側を順方向とする第1の保護ダイオードと、
前記入力点と前記バッファの低電位側の第2の電源電位V3との間に介挿され、当該入力点側を順方向とする第2の保護ダイオードと、を備え、
前記送信回路から送信される前記論理信号の振幅が、前記バッファの電源電圧(V2−V3)より大きい
ことを特徴とする受信回路。 - 前記バッファは、当該バッファの出力点と前記入力点との間に介挿され、当該バッファによる出力を帰還する抵抗を有することを特徴とする請求項1記載の受信回路。
- 前記バッファは、当該バッファの出力点と前記入力点との間に介挿され、当該バッファによる出力を帰還するバッファを有することを特徴とする請求項1記載の受信回路。
- 前記バッファをヒステリシスバッファとすることを特徴とする請求項1記載の受信回路。
- 送信回路と受信回路からなり、前記送信回路から送信された論理信号を、コンデンサを介して前記受信回路により受信する送受信回路であって、請求項1乃至4のいずれかに記載の受信回路を、前記受信回路として備えたことを特徴とする送受信回路。
- 相手先の受信回路へ論理信号を、コンデンサを介して送信する送信回路であって、
前記論理信号を前記コンデンサに向けて出力するバッファと、
電源電圧の供給線と接地電位との間に順次直列接続される、当該接地電位側を順方向とする第1のダイオード、当該接地電位側を順方向とする第2のダイオード、及び第1のコンデンサと、
前記第1のダイオードと前記第2のダイオードの接続点に一端が接続された第2のコンデンサと、を備え、
前記第2のコンデンサの他端に2レベル間を遷移する制御信号を供給し、
前記第2のダイオードと前記第1のコンデンサの接続点に発生する電圧を、前記バッファの電源電圧として供給してなる
ことを特徴とする送信回路。 - 前記バッファに対して前記論理信号を出力する処理回路を備え、前記制御信号として前記処理回路の出力する前記論理信号を用いることを特徴とする請求項6記載の送信回路。
- 送信回路と受信回路からなり、前記送信回路から送信された論理信号を、コンデンサを介して前記受信回路により受信する送受信回路であって、請求項6または7に記載の送信回路を、前記送信回路として備えたことを特徴とする送受信回路。
- 送信回路と受信回路からなり、前記送信回路から送信された論理信号を、コンデンサを介して前記受信回路により受信する送受信回路であって、
前記送信回路は、
前記論理信号を前記コンデンサに向けて出力するバッファと、
電源電圧の供給線と接地電位の間に順次直列接続される、当該接地電位側を順方向とする第1のダイオード、当該接地電位を順方向とする第2のダイオード、及び第1のコンデンサと、
前記第1のダイオードと前記第2のダイオードの接続点に一端が接続された第2のコンデンサと、を備え、
前記第2のコンデンサの他端に2レベル間を遷移する制御信号を供給し、
前記第2のダイオードと前記第1のコンデンサの接続点に発生する電圧を、前記バッファの電源電圧として供給してなり、
前記受信回路は、
前記論理信号を入力点を介して受信するバッファと、
前記入力点と前記バッファの高電位側の第1の電源電位V2との間に介挿され、当該第1の電源電位側を順方向とする第1の保護ダイオードと、
前記入力点と前記バッファの低電位側の第2の電源電位V3との間に介挿され、当該入力点側を順方向とする第2の保護ダイオードと、を備え、
前記送信回路から送信される前記論理信号の振幅が、前記バッファの電源電圧(V2−V3)より大きい
ことを特徴とする送受信回路。 - 電気光学材料を挟持した一対の基板と、
走査線とデータ線との各交差に対応して配設された画素と、を備える電気光学装置であって、
請求項1乃至4のいずれかに記載の受信回路を、前記走査線を駆動する走査線駆動回路における入力回路として用いる
ことを特徴とする電気光学装置。 - 電気光学材料を挟持した一対の基板と、走査線とデータ線との各交差に対応して配設された画素と、前記走査線を駆動する走査線駆動回路と、を備える電気光学装置であって、
請求項6または7に記載の送信回路を、前記走査線駆動回路に前記論理信号である制御信号を供給する制御回路として備え、前記走査線駆動回路を前記一対の基板の一方に実装してなる
ことを特徴とする電気光学装置。 - 電気光学材料を挟持した一対の基板と、
走査線とデータ線との各交差に対応して配設された画素と、を備える電気光学装置であって、
請求項9に記載の受信回路を、前記一対の基板の一方に実装されて前記走査線を駆動する走査線駆動回路における入力回路として用い、
請求項9に記載の送信回路を、前記走査線駆動回路に前記論理信号である制御信号を供給する制御回路として用いた
ことを特徴とする電気光学装置。
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