JP3658018B2 - Insulation structure for cable - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、直流電流または交流電流を通す中圧、高圧、及び超高圧ケーブル用の絶縁構造物に関する。
【0002】
【従来の技術】
これらのケーブルは一般に、同軸の絶縁構造物で囲まれた導電性心線から構成される。この構造物は、ケーブル心線に接触して配置された少なくとも1つの半導電体第1層を含み、これ自体は電気絶縁性第2層によって囲まれ、後者は半導電体第3層によって被覆されている。その他の外部層はケーブルの保護に役立つ。
【0003】
絶縁層は通常、高密度または低密度のポリエチレン、網状ポリエチレン、またはメチレン主鎖を持つエチレン・プロピレン・ジエンの三元ポリマーをベースとしている(EPDM)。
【0004】
半導電体層は一般に、極性基質、大抵の場合は、カーボン・ブラックを装荷するエチレンとアルキル・アクリル酸塩の共重合体から成る。装入量は使用されるカーボン・ブラックの性質によって異なる。アセチレン・ブラックまたはファーネス・ブラックでは、装入量の比率は一般に28%から40%の間に含まれる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このようなケーブルの絶縁耐力は、半導電体層と絶縁層との間の界面の品質に大きく左右される。この界面のレベルでざらつきが小さいと、電界の増強をもたらし、絶縁層の破壊と穿穴を生じる可能性がある。
【0006】
押出しの際にできるだけ滑らかな界面を得るために、現在市販の高圧ケーブルの半導電体層の基質は一般に、17程度という高い流動性係数すなわち高い「メルト・インデックス」を有し(高い「メルト・インデックス」は低い分子量の存在を示す標識であり、これはASTM参照D1238またはNFT51−016規格によって測定される)、非常に幅広い分子量分布を有する重合体をベースとする。しかし絶縁層では、半導電体層の近くで空間電荷の発生が確認されており、その蓄積は絶縁体の絶縁耐力を劣化させ、破壊に至ることがある。
【0007】
いくつかの半導電体メーカが、エチレン共重合体(EPR:エチレンプロピレン熱可塑性エラストマ、またはEPDM:メチレン主鎖を持つエチレン・プロピレン・ジエンの三元ポリマー)をベースとする非極性基質を使用しており、これらに、半導電体層の良好な表面状態を容易に得るために油剤または可塑剤が加えられる。これらの油剤または可塑剤は絶縁層中で拡散し、半導電体層と絶縁層との間の電界が最も高い界面レベルに、絶縁耐力が最も低い領域を形成する。
【0008】
本発明は、現在までに既知の絶縁特性より時間的に安定した絶縁特性を示す、直流電流または交流電流を通す中圧、高圧、及び超高圧ケーブル用の絶縁構造物を入手することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、ケーブル心線に隣接しこれと同軸である少なくとも1つの半導電体第1層を含むケーブル用のもので、前記第1層が電気絶縁性第2層によって囲まれ、第2層自体が半導電体第3層によって被覆されている、絶縁構造物である。半導電体層は専ら非極性重合体を含む基質から成り、この非極性重合体の成分は1000以上の分子量と導電性装入物を有する、絶縁構造物である。
【0010】
基質の成分は5000以上の分子量を有することが好ましい。
【0011】
半導電体層が油剤や可塑剤のような分子量の小さい化合物または添加剤を含む場合には、これらの化合物は絶縁層中を移動する。この現象は、空間電荷の形成をもたらして電界の強化を生じ、最終的には破壊をもたらすことがある。電界の強化は形成される電荷の量に関係するが、またその移動度にも関係する。すなわち、均等に配分された電荷は、局在化された電荷ほど大きな電界の強化をもたらさない。この移動は、ケーブル工事中またはケーブルの動作中に発生する可能性がある。
【0012】
分子量の大きい化合物しか含まない本発明による組成の半導電体層を採用すると、絶縁層内における空間の移動が防止され、またこれによって界面近くの空間電荷の蓄積も防止される。
【0013】
第1変形例では、基質は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、及びこれらの共重合体、ポリエチレンとポリプロピレンとポリスチレン及びこれらの共重合体から選ばれた重合体の複合物、及びポリエチレンとポリプロピレンとポリスチレン及びこれらの共重合体及び前記複合物から選ばれた化合物の混合物のうちから選ばれる。
【0014】
第2変形例では、基質は、ポリオレフィン熱可塑性エラストマとこれらの混合物のうちから選ばれる。
【0015】
基質を構成する重合体の選択は、絶縁層との界面の品質と、得られる半導電体層の機械的特性とに依存し、添加剤に頼る必要はない。
【0016】
本発明は、分子量の小さな化合物の移動を抑えて、絶縁構造物の絶縁特性を安定させるという利点を有する。その結果、異なる層間の界面の品質はパラメータとして重大性はより低くなる。
【0017】
装入物は、不純物をできるだけ含まないようにしたカーボン・ブラックである。ファーネス・ブラックまたは“KETJEN”ブラックを利用することはできるが、非常に純粋なアセチレン・ブラックを選ぶことが好ましい。
【0018】
ある場合には、基質はさらに網状化剤を含む。押出しで材料を成形した後、熱力学的特性を改善するという観点から、これを網状にすることができる。これらの特性は交流電流を通すケーブルには特に重要である。
【0019】
本発明のその他の特徴と利点は、添付の図を参照しながら、当然例示的なものであって限定的なものではない下記の実施例を読めば明らかになろう。
【0020】
【実施例】
図1に示す装置を使用して圧力波の試験を実施した。このテストによって、絶縁構造物の中の電界の強化を評価することができる。
【0021】
圧力波試験用の絶縁構造物のサンプル1を、図2には上面図で示し、図3には断面図で示す。直径Aが20mmの円形表面の上に、
− 厚さBが0.5mmの半導電体第1層2、
− 厚さCが0.8mmの電気的絶縁性第2層3、
− 層2と同じ半導電体第3層4、
が重なって置かれている。
【0022】
図1の装置はレーザ10“YAg”で構成され、そのレーザ光線はサンプル1に相当する標的11に当てられ、標的の各半導電体は電極(+)と(−)を構成する。電極2(−)の表面に吸収されたこのレーザ光線は、その表面を熱分解によって分解し、発生するガスはサンプルを横切る圧力波をひき起こす。この波は電極上の電荷イメージを変調し、サンプル中の体積電荷密度にアクセスできるようにする。
【0023】
フォトダイオード12によって、検出器13はレーザ10に同調することができる。回路は、抵抗15を備えた高圧給電線によって給電される。記録されるデータはコンピュータ16処理のために転送され、グラフィック・レジスタ17上に時間に応じて表示される。レーザ10は波を標的11に送り、空間電荷の出現と電界分配の変更を起こさせ、次いでこの電界分配の変更が検出器13によって測定される。
【0024】
例1
図2に示すサンプルに似た従来技術による絶縁構造物のサンプルを作成する。
このサンプルは、
− エチレンとアルキル・アクリル酸塩の共重合体をベースとする極性基質から成る半導電体第1層であって、この共重合体の「メルト・インデックス」は8の値を有し、そのエステル含有率は20%であり、これにアセチレン・ブラック装入物が基質100重量部に対して66重量部になる比率で加えられた、前記の第1層と、
− オレフィン熱可塑性エラストマから成る電気絶縁性第2層と、
− 第1層と同じ半導電体第3層
を含む。
【0025】
こうして、このサンプルを図1に示す装置を使用して圧力波試験にかける。カソード2に負電荷がかなりの比率で出現することが認められる。そこで電界の強化は20%以上であり、電力を遮断した後も数時間、電荷は材料中に捕獲されたまま残存する。
【0026】
例2
図2に示すサンプルに似た従来技術による絶縁構造物のサンプルを作成する。このサンプルは、
− エチレンとアルキル・アクリル酸塩の共重合体をベースとする極性基質から成る半導電体第1層であって、この共重合体の「メルト・インデックス」は8の値を有し、そのエステル含有率は20%であり、これにアセチレン・ブラック装入物が基質100重量部に対して66重量部の比率で加えられた、前記第1層と、
− 化学的に網状化されたポリエチレン(PRC)から成る電気絶縁性第2層と、
− 第1層と同じ半導電体第3層と
を含む。
【0027】
次に、このサンプルを図1に示す装置を使用して圧力波の試験にかける。カソード2の近くに負電荷がかなりの比率で出現すること、また電力遮断後も電荷は基質中に捕捉されたまま残存することが認められる。電界の強化は20%以上である。
【0028】
例3
図2に示すサンプルに似た本発明による絶縁構造物のサンプルを作成する。このサンプルは、
− 非極性基質から成る半導電体第1層であって、この基質にアセチレン・ブラック装入物が基質100重量部に対して66重量部の比率で加えられ、基質は、「メルト・インデックス」価が2で、分子量が103 〜107 の範囲に含まれ、1.1×106 を中心とするポリエチレン(PE)20%と、(NFT43005規格によって測定された)“MOONEY”粘性が40程度で、分子量が103 〜107 の範囲に含まれ1.2×105 を中心とする、エチレンを約50重量%含むエチレンとプロピレンの共重合体80%を含む、前記の第1層と、
− 化学的に網状化されたポリエチレン(PRC)から成る電気絶縁性第2層と、
− 第1層と同じ半導電体第3層と
を含む。
【0029】
次に、このサンプルを図1に示す装置を使用して圧力波試験にかける。電界の強化は10%以下であり、また電力遮断後は捕捉電荷は絶縁材料中に存続しない。
【0030】
例4
図2に示すサンプルに似た本発明による絶縁構造物のサンプルを作成する。このサンプルは、
− 非極性基質から成る半導電体第1層であって、この基質にアセチレン・ブラック装入物が基質100重量部に対して66重量部の比率で加えられ、基質は、「メルト・インデックス」価が2で、分子量が10 3 〜10 7 の範囲に含まれ分子量が1.1×106を中心とするポリエチレン(PE)20%と、(NFT43005規格によって測定された)“MOONEY”粘性が40程度で分子量が103〜107の範囲に含まれ1.2×105を中心とする、エチレンを約50重量%含むエチレンとプロピレンの共重合体80%を含む、前記の第1層と、
− オレフィン熱可塑性エラストマから成る電気絶縁性第2層と、
− 第1層と同じ半導電体第3層と
を含む。
【0031】
次に、このサンプルを図1に示す装置を使用して圧力波試験にかける。電界の強化は10%以下であり、また電力遮断後は捕捉電荷が絶縁材料中に存続しない。
【0032】
例5 比較
例4に記載のサンプルに類似のサンプルを準備するが、半導電体層の基質に、パラフィン油を基質に対して5重量%の割合で加える。
【0033】
次に、このサンプルを図1に示す装置を使用して圧力波試験にかける。この場合の電界の強化は140%である。
【0034】
もちろん、本発明は記載された実施態様に限定されるものではなく、本発明の意図からずれることなく、当業者にはアクセス可能な多くの変形を行うことができる。特に、本発明の範囲を逸脱することなく、手段のすべてを等価の手段によって置き換えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】圧力波試験装置の全体概念図である。
【図2】圧力波試験用の絶縁構造物のサンプルの上面図である。
【図3】図2のサンプルの断面概要図である。
【符号の説明】
1 サンプル
2 半導電体第1層、電極(−)
3 電気絶縁性第2層
4 半導電体第3層
10 レーザ
11 標的
12 フォトダイオード
13 検出器
14 高圧電源
15 抵抗
16 コンピュータ
17 グラフィック・レジスタ[0001]
[Industrial application fields]
The present invention relates to an insulating structure for medium-pressure, high-voltage, and ultrahigh-voltage cables that pass direct current or alternating current.
[0002]
[Prior art]
These cables are generally composed of a conductive core surrounded by a coaxial insulating structure. The structure includes at least one semiconductor first layer disposed in contact with the cable core, which is itself surrounded by an electrically insulating second layer, the latter being covered by a semiconductor third layer. Has been. Other outer layers help protect the cable.
[0003]
Insulating layers are usually based on high or low density polyethylene, reticulated polyethylene, or ethylene / propylene / diene terpolymers with a methylene backbone (EPDM).
[0004]
The semiconductive layer is generally composed of a polar substrate, most often a copolymer of ethylene and alkyl acrylate, loaded with carbon black. The charge varies depending on the nature of the carbon black used. For acetylene black or furnace black, the charge ratio is generally comprised between 28% and 40%.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
The dielectric strength of such a cable greatly depends on the quality of the interface between the semiconductive layer and the insulating layer. If the roughness at the interface level is small, the electric field is enhanced, and there is a possibility that the insulating layer is broken and a hole is formed.
[0006]
In order to obtain as smooth an interface as possible during extrusion, the substrate of the semiconductive layer of currently commercially available high voltage cables generally has a high fluidity coefficient of about 17 or a high “melt index” (high “melt melt index”). "Index" is a label indicating the presence of low molecular weight, which is measured by ASTM reference D1238 or NFT 51-016 standard), based on polymers with a very broad molecular weight distribution. However, in the insulating layer, it has been confirmed that space charges are generated near the semiconductive layer, and the accumulation thereof deteriorates the dielectric strength of the insulator and may lead to destruction.
[0007]
Some semi-conductor manufacturers use non-polar substrates based on ethylene copolymers (EPR: ethylene propylene thermoplastic elastomer or EPDM: ethylene propylene diene terpolymer with methylene backbone). To these, an oil or a plasticizer is added to easily obtain a good surface state of the semiconductive layer. These oils or plasticizers diffuse in the insulating layer and form regions with the lowest dielectric strength at the interface level where the electric field between the semiconductor layer and the insulating layer is highest.
[0008]
It is an object of the present invention to obtain an insulating structure for medium-, high-voltage, and ultra-high-voltage cables through which a direct current or an alternating current passes, which exhibits an insulation characteristic that is more stable in time than known insulation characteristics to date. To do.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
An object of the present invention is for a cable comprising at least one semiconductor first layer adjacent to and coaxial with a cable core, said first layer being surrounded by an electrically insulating second layer, An insulating structure in which the two layers themselves are covered by a semiconductive third layer. The semiconductive layer is composed exclusively of a substrate containing a nonpolar polymer, and the components of the nonpolar polymer are insulating structures having a molecular weight of 1000 or more and a conductive charge.
[0010]
The component of the substrate preferably has a molecular weight of 5000 or more.
[0011]
When the semiconductive layer includes a compound or additive having a low molecular weight such as an oil agent or a plasticizer, these compounds move in the insulating layer. This phenomenon can result in the formation of space charge resulting in an electric field enhancement and ultimately breakdown. The enhancement of the electric field is related to the amount of charge formed, but is also related to its mobility. That is, evenly distributed charge does not provide as much electric field enhancement as localized charge. This movement can occur during cable construction or cable operation.
[0012]
Employing a semiconductive layer of the present invention composition containing only a high molecular weight compound prevents space movement within the insulating layer and thereby prevents space charge accumulation near the interface.
[0013]
In a first variation, the substrate is polyethylene, polypropylene, polystyrene, and copolymers thereof, a composite of polyethylene, polypropylene, polystyrene, and a polymer selected from these copolymers, and polyethylene, polypropylene, polystyrene, and It is selected from a mixture of compounds selected from these copolymers and the composite.
[0014]
In a second variant, the substrate is selected from polyolefin thermoplastic elastomers and mixtures thereof.
[0015]
The selection of the polymer constituting the substrate depends on the quality of the interface with the insulating layer and the mechanical properties of the resulting semiconductive layer and does not need to rely on additives.
[0016]
The present invention has an advantage of suppressing the movement of a compound having a small molecular weight and stabilizing the insulating characteristics of the insulating structure. As a result, the quality of the interface between different layers is less critical as a parameter.
[0017]
The charge is carbon black that contains as little impurities as possible. Furnace black or “KETJEN” black can be used, but it is preferred to choose very pure acetylene black.
[0018]
In some cases, the substrate further comprises a reticulating agent. After molding the material by extrusion, it can be reticulated from the viewpoint of improving thermodynamic properties. These characteristics are particularly important for cables carrying alternating current.
[0019]
Other features and advantages of the present invention will become apparent upon reading the following examples, which are of course illustrative and non-limiting, with reference to the accompanying drawings.
[0020]
【Example】
A pressure wave test was performed using the apparatus shown in FIG. This test can evaluate the enhancement of the electric field in the insulating structure.
[0021]
A sample 1 of an insulating structure for pressure wave test is shown in a top view in FIG. 2 and a cross-sectional view in FIG. On a circular surface with a diameter A of 20 mm,
A semiconductor
An electrically insulating
The same semiconductor third layer 4 as
Are placed on top of each other.
[0022]
The apparatus of FIG. 1 consists of a
[0023]
The
[0024]
Example 1
A sample of a prior art insulation structure similar to the sample shown in FIG. 2 is created.
This sample
A semiconductive first layer comprising a polar substrate based on a copolymer of ethylene and an alkyl acrylate, wherein the “melt index” of the copolymer has a value of 8 and its ester The first layer, wherein the content is 20%, to which acetylene black charge is added in a ratio of 66 parts by weight to 100 parts by weight of the substrate;
An electrically insulating second layer comprising an olefin thermoplastic elastomer;
-Includes the same semiconductive third layer as the first layer.
[0025]
Thus, this sample is subjected to a pressure wave test using the apparatus shown in FIG. It can be seen that negative charges appear at the
[0026]
Example 2
A sample of a prior art insulation structure similar to the sample shown in FIG. 2 is created. This sample
A semiconductive first layer comprising a polar substrate based on a copolymer of ethylene and an alkyl acrylate, wherein the “melt index” of the copolymer has a value of 8 and its ester The first layer, the content of which is 20%, to which acetylene black charge was added in a ratio of 66 parts by weight to 100 parts by weight of the substrate;
An electrically insulating second layer made of chemically reticulated polyethylene (PRC);
-Including the same semiconductive third layer as the first layer.
[0027]
The sample is then subjected to pressure wave testing using the apparatus shown in FIG. It can be seen that a significant amount of negative charge appears near the
[0028]
Example 3
A sample of an insulating structure according to the present invention similar to the sample shown in FIG. 2 is made. This sample
A semi-conductor first layer consisting of a non-polar substrate, to which acetylene black charge is added in a ratio of 66 parts by weight to 100 parts by weight of the substrate, the substrate being a “melt index” With a molecular weight of 10 3 to 10 7 , a polyethylene (PE) 20% centered at 1.1 × 10 6 and a “MOONEY” viscosity of 40 (measured according to the NFT 43005 standard). Said first layer comprising about 80% ethylene and propylene copolymer containing about 50% by weight of ethylene with a molecular weight in the range of 10 3 to 10 7 and centered at 1.2 × 10 5 When,
An electrically insulating second layer made of chemically reticulated polyethylene (PRC);
-Including the same semiconductive third layer as the first layer.
[0029]
The sample is then subjected to a pressure wave test using the apparatus shown in FIG. The electric field enhancement is 10% or less, and trapped charges do not persist in the insulating material after power interruption.
[0030]
Example 4
A sample of an insulating structure according to the present invention similar to the sample shown in FIG. 2 is made. This sample
A semi-conductor first layer consisting of a non-polar substrate, to which acetylene black charge is added in a ratio of 66 parts by weight to 100 parts by weight of the substrate, the substrate being a “melt index” 20% polyethylene (PE) with a valence of 2 and a molecular weight in the range of 10 3 to 10 7 with a molecular weight centered at 1.1 × 10 6 , and a “MOONEY” viscosity (measured according to NFT43005 standard) The first layer comprising about 40% ethylene and propylene copolymer containing about 50% by weight of ethylene and having a molecular weight of about 40 and a molecular weight of 10 3 to 10 7 and centering on 1.2 × 10 5 When,
An electrically insulating second layer comprising an olefin thermoplastic elastomer;
-Including the same semiconductive third layer as the first layer.
[0031]
The sample is then subjected to a pressure wave test using the apparatus shown in FIG. The electric field enhancement is 10% or less, and trapped charges do not persist in the insulating material after power interruption.
[0032]
Example 5 A sample similar to the sample described in Comparative Example 4 is prepared, but paraffin oil is added to the substrate of the semiconductive layer in a proportion of 5% by weight with respect to the substrate.
[0033]
The sample is then subjected to a pressure wave test using the apparatus shown in FIG. The field enhancement in this case is 140%.
[0034]
Of course, the invention is not limited to the described embodiments, and many variations can be made accessible to those skilled in the art without departing from the intent of the invention. In particular, all of the means can be replaced by equivalent means without departing from the scope of the invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an overall conceptual diagram of a pressure wave testing apparatus.
FIG. 2 is a top view of a sample insulating structure for a pressure wave test.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the sample of FIG.
[Explanation of symbols]
1
3 Electrically Insulating Second Layer 4
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004178867A (en) * | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Power cable |
EP1634913B1 (en) | 2004-09-10 | 2008-10-29 | Borealis Technology Oy | Semiconductive polymer composition |
JP4866545B2 (en) * | 2004-12-03 | 2012-02-01 | 株式会社フジクラ | Cable and twisted cable |
CH698074B1 (en) * | 2005-11-11 | 2009-05-15 | Studer Ag Draht & Kabelwerk | Multi-conductor cable for transmitting rectangular extending alternating currents. |
EP2711934B1 (en) * | 2012-09-25 | 2018-07-11 | Nexans | Silicone multilayer insulation for electric cable |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54115798A (en) † | 1978-03-01 | 1979-09-08 | Fujikura Ltd | Semiconductive composition for power cable |
JPS5562610A (en) † | 1978-10-31 | 1980-05-12 | Dainichi Nippon Cables Ltd | Power cable |
JPS57126004A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-05 | Nippon Unicar Co Ltd | Semiconductive polyolefin composition and cable using same |
JPS57199108A (en) † | 1981-06-01 | 1982-12-07 | Showa Electric Wire & Cable Co | Crosslinked polyethylene insulated power cable |
AU615804B2 (en) † | 1988-09-30 | 1991-10-10 | Exxon Chemical Patents Inc. | Linear ethylene interpolymer blends of interpolymers having narrow molecular weight and composition distributions |
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