DE69418804T2 - Cable insulation structure - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Isolierstruktur für Mittel-, Hoch- und Höchstspannungskabel, die Gleich- oder Wechselstrom transportieren.The present invention relates to an insulating structure for medium, high and extra-high voltage cables carrying direct or alternating current.
Diese Kabel bestehen im allgemeinen aus einer leitfähigen Ader, umgeben von einer Isolierstruktur, die zu dieser koaxial ist. Diese Struktur umfaßt wenigstens eine erste, halbleitende Schicht, die in Kontakt mit der Ader des Kabels angeordnet, ihrerseits von einer zweiten, elektrisch isolierenden Schicht umgeben ist, die ihrerseits von einer dritten, halbleitenden Schicht überdeckt ist. Andere äußere Schichten dienen dem Schutz des Kabels.These cables generally consist of a conductive core surrounded by an insulating structure coaxial with it. This structure comprises at least a first semiconductive layer placed in contact with the core of the cable, surrounded in turn by a second electrically insulating layer, which in turn is covered by a third semiconductive layer. Other external layers serve to protect the cable.
Die isolierende Schicht ist üblicherweise auf Grundlage von Polyethylen hoher Dichte oder niedriger Dichte, vernetztem Polyethylen oder auch Ethylen-Propylen-Dien-Terpolymer mit Methylen-Hauptkette (EPDM).The insulating layer is usually based on high density or low density polyethylene, cross-linked polyethylene or ethylene-propylene-diene terpolymer with methylene main chain (EPDM).
Die halbleitenden Schichten bestehen im allgemeinen aus einer polaren Matrix, meist einem Ethylen-Alkylacrylat- Copolymer, das mit Ruß aufgefüllt ist. Die Menge an Füllmaterial variiert je nach Art des verwendeten Rußes. Bei einem Acetylenruß oder einem Ofenruß ist der Anteil an Füllmaterial im allgemeinen zwischen 28% und 40% enthalten.The semiconductive layers generally consist of a polar matrix, usually an ethylene-alkyl acrylate copolymer, which is filled with carbon black. The amount of filler varies depending on the type of carbon black used. In the case of acetylene black or furnace black, the proportion of filler is generally between 28% and 40%.
Die dielektrische Festigkeit eines solchen Kabels ist eng verknüpft mit der Qualität der Grenzfläche zwischen der halbleitenden Schicht und der isolierenden Schicht. Die geringste Rauhigkeit an dieser Grenzfläche kann eine Verstärkung des elektrischen Feldes bewirken und zum Durchschlag und zur Durchbrechung der isolierenden Schicht führen.The dielectric strength of such a cable is closely linked to the quality of the interface between the semiconducting layer and the insulating layer. The slightest roughness at this interface can cause an amplification of the electric field and lead to breakdown and rupture of the insulating layer.
Um beim Extrudieren eine möglichst glatte Grenzfläche zu erhalten, ist die Matrix der halbleitenden Schichten der gegenwärtig vertriebenen Hochspannungskabel im allgemeinen auf Grundlage eines Polymers mit hohem Fluiditätsindex oder "melt Index" in der Größenordnung von 17 (ein hoher "melt index" ist Anzeichen für das Vorhandensein von niedrigen Molmassen, er wird nach den Normen ASM Referenz D1238 oder NFT51-016 gemessen), das eine sehr breite Molmassenverteilung besitzt. Man hat jedoch in der isolierenden Schicht in der Nähe der halbleitenden Schichten das Auftreten von Raumladungen festgestellt, deren Ansammlung zu einer Beeinträchtigung der dielektrischen Festigkeit der Isolation führt, die bis zum Durchschlag gehen kann.In order to obtain the smoothest possible interface during extrusion, the matrix of the semiconducting layers of the high-voltage cables currently on the market is generally based on a polymer with a high fluidity index or "melt index" of the order of 17 (a high "melt index" indicates the presence of low molecular weights and is measured according to ASM reference D1238 or NFT51-016 standards) with a very wide molecular weight distribution. However, the appearance of space charges in the insulating layer near the semiconducting layers has been observed, the accumulation of which leads to a deterioration in the dielectric strength of the insulation, which can even lead to breakdown.
Bestimmte Hersteller von Halbleitern verwenden apolare Matrizen auf Grundlage eines Ethylen-Copolymers (EPR: thermoplastisches Ethylen-Propylen-Elastomer, oder EPDM: Ethylen-Propylen-Dien-Terpolymer mit Methylen-Hauptkette), zu denen sie Öle oder Weichmacher zufügen, um den Erhalt eines guten Oberflächenzustandes der halbleitenden Schicht zu erleichtern. Diese Öle oder Weichmacher diffundieren jedoch in die isolierende Schicht und erzeugen an der Grenzfläche zwischen der halbleitenden Schicht und der isolierenden Schicht, wo das elektrische Feld am stärksten ist, einen Bereich verminderter dielektrischer Festigkeit.Certain semiconductor manufacturers use non-polar matrices based on an ethylene copolymer (EPR: ethylene-propylene thermoplastic elastomer, or EPDM: ethylene-propylene-diene terpolymer with a methylene backbone), to which they add oils or plasticizers to facilitate the maintenance of a good surface condition of the semiconducting layer. However, these oils or plasticizers diffuse into the insulating layer and create a region of reduced dielectric strength at the interface between the semiconducting layer and the insulating layer, where the electric field is strongest.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist, eine Isolierstruktur für Mittel-, Hoch- und Höchstspannungskabel anzugeben, die Gleich- oder Wechselstrom transportieren, die zeitlich stabilere dielektrische Eigenschaften aufweist als die bisher bekannten.The aim of the present invention is to provide an insulating structure for medium, high and extra-high voltage cables that transport direct or alternating current, which has more temporally stable dielectric properties than those previously known.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine Kabelisolierstruktur, die wenigstens eine erste, halbleitende, an die Ader des Kabels angrenzende und zu dieser koaxiale Schicht umfaßt, die von einer zweiten, elektrisch isolierenden Schicht umgeben ist, die ihrerseits von einer dritten, halbleitenden Schicht bedeckt ist. Die halbleitenden Schichten bestehen ausschließlich aus einer Matrix, die nur apolare Polymere mit einer molaren Masse von mehr als 1000 umfaßt, und einem leitfähigen Füllmaterial.The subject of the present invention is a cable insulation structure comprising at least a first semiconductive layer adjacent to the cable core and coaxial with it, which is surrounded by a second electrically insulating layer, which in turn is covered by a third semiconductive layer. The semiconductive layers consist exclusively of a matrix comprising only nonpolar polymers with a molar mass of more than 1000 and a conductive filler material.
Vorzugsweise haben die Komponenten der Matrix eine molare Masse von mehr als 5000.Preferably, the components of the matrix have a molar mass of more than 5000.
Wenn die halbleitenden Schichten Verbindungen mit niedrigen molaren Massen oder Zusätze enthalten, wie etwa Öle oder Weichmacher, wandern diese Verbindungen in die isolierende Schicht. Diese Erscheinung hat die Bildung von Raumladungen zur Folge, die Verstärkungen des elektrischen Feldes hervorrufen und letztendlich zu Durchschlägen führen können. Diese Feldverstärkung ist verknüpft mit der Menge an gebildeten Ladungen, aber auch mit ihrer Beweglichkeit: eine Menge von gleichförmig verteilten Ladungen führt nicht zu einer genauso großen Feldverstärkung wie die gleiche Menge an lokalisierten Ladungen. Diese Wanderung kann im Laufe der Anwendung oder im Laufe des Betriebes des Kabels stattfinden.If the semiconducting layers contain compounds with low molar masses or additives such as oils or plasticizers, these compounds migrate into the insulating layer. This phenomenon results in the formation of space charges that can cause an increase in the electric field and ultimately lead to breakdowns. This field amplification is linked to the amount of charges formed, but also to their mobility: a quantity of uniformly distributed charges does not lead to as great a field amplification as the same quantity of localized charges. This migration can take place during the application or during the operation of the cable.
Die Verwendung einer halbleitenden Schicht mit erfindungsgemäßer Zusammensetzung, die nur Verbindungen mit hoher molarer Masse enthält, verhindert die Wanderung von Spezies in der isolierenden Schicht und dadurch die Ansammlung von Raumladungen in der Nähe der Grenzflächen.The use of a semiconducting layer with a composition according to the invention, which only contains compounds with a high molar mass, prevents the migration of species in the insulating layer and thus the accumulation of space charges near the interfaces.
Gemäß einer ersten Ausführungsvariante sind die Polymere ausgewählt unter Polyethylen, Polypropylen, Polystyrol und ihren Copolymeren, Legierungen von unter Polyethylen, Polypropylen, Polystyrol und ihren Copolymeren ausgewählten Polymeren und Gemischen von Verbindungen, ausgewählt unter Polyethylen, Polypropylen, Polystyrol, deren Copolymeren und den vorgenannten Legierungen.According to a first embodiment, the polymers are selected from polyethylene, polypropylene, polystyrene and their copolymers, alloys of polymers selected from polyethylene, polypropylene, polystyrene and their copolymers and mixtures of compounds selected from polyethylene, polypropylene, polystyrene, their copolymers and the aforementioned alloys.
Gemäß einer zweiten Ausführungsvariante sind die Polymere unter den polyolefinischen thermoplastischen Elastomeren und ihren Gemischen ausgewählt.According to a second embodiment, the polymers are selected from polyolefinic thermoplastic elastomers and their mixtures.
Von der Auswahl der die Matrix bildenden Polymere hängen die Qualität ihrer Grenzfläche zur isolierenden Schicht und die mechanischen Eigenschaften der erhaltenen halbleitenden Schicht ab, ohne daß auf Zusätze zurückgegriffen werden muß.The quality of the interface with the insulating layer and the mechanical properties of the resulting semiconducting layer depend on the selection of the polymers forming the matrix, without the need for additives.
Die vorliegende Erfindung hat den Vorteil, daß sie die dielektrischen Eigenschaften der Isolierstruktur stabilisiert, indem sie die Wanderung der Verbindungen mit niedriger molarer Masse unterdrückt. Infolgedessen wird die Qualität der Grenzfläche zwischen den verschiedenen Schichten ein weniger kritischer Parameter.The present invention has the advantage of stabilizing the dielectric properties of the insulating structure by suppressing the migration of the low molar mass compounds. As a result, the quality of the interface between the different layers becomes a less critical parameter.
Das Füllmaterial ist ein Ruß, der möglichst wenig Verunreinigungen enthält. Man kann einen Ofenruß oder einen "KETJEN"-Ruß verwenden, vorzugsweise wird aber ein Acetylenruß gewählt, der wesentlich reiner ist.The filling material is a soot that contains as few impurities as possible. You can use furnace soot or "KETJEN" soot, but it is preferable to choose an acetylene soot, which is much purer.
In bestimmten Fälle enthält die Matrix ferner vor ihrer Ausformung ein Vernetzungsmittel. Nach Ausformung des Materials durch Extrudieren kann man es vernetzen, um seine thermomechanischen Eigenschaften zu verbessern. Diese Eigenschaften sind besonders kritisch für die Kabel, die Wechselstrom transportieren.In certain cases, the matrix also contains a cross-linking agent before it is formed. After the material has been formed by extrusion, it can be cross-linked to improve its thermo-mechanical properties. This Properties are particularly critical for cables that carry alternating current.
Andere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der Lektüre der nachfolgenden Beispiele die selbstverständlich nur zur Erläuterung, und nicht zur Beschränkung mit Bezug auf die beigefügte Zeichnung gegeben werden. Es zeigen:Other features and advantages of the present invention will become apparent from reading the following examples which are of course given only for illustration and not for limitation with reference to the accompanying drawings. They show:
- Fig. 1 das allgemeine Schema der Druckwellen- Versuchsanlage,- Fig. 1 the general scheme of the pressure wave test facility,
- Fig. 2 eine Draufsicht auf die Probe der Isolierstruktur für den Druckwellenversuch,- Fig. 2 a top view of the sample of the insulating structure for the pressure wave test,
- Fig. 3 einen schematischen Schnitt durch die Probe aus Fig. 2.- Fig. 3 shows a schematic section through the sample from Fig. 2.
Der Druckwellenversuch wird mit Hilfe der in Fig. 1 dargestellten Anlage durchgeführt. Dieser Versuch erlaubt es, die Verstärkung des elektrischen Feldes in einer Isolierstruktur zu bewerten.The pressure wave test is carried out using the equipment shown in Fig. 1. This test allows the amplification of the electric field in an insulating structure to be evaluated.
Eine Probe 1 der Isolierstruktur für den Druckwellenversuch ist in Draufsicht in Fig. 2 und im Schnitt in Fig. 3 dargestellt. Auf einer kreisförmigen Oberfläche mit dem Durchmesser A von 20 mm findet man überlagert:A sample 1 of the insulation structure for the pressure wave test is shown in plan view in Fig. 2 and in section in Fig. 3 . On a circular surface with a diameter A of 20 mm, the following is superimposed:
- eine erste, halbleitende Schicht 2 mit einer Dicke B von 0,5 mm,- a first semiconducting layer 2 with a thickness B of 0.5 mm,
- eine zweite, elektrisch isolierende Schicht 3 mit einer Dicke C von 0,8 mm,- a second, electrically insulating layer 3 with a thickness C of 0.8 mm,
- eine dritte, halbleitende Schicht 4, die mit der Schicht 2 identisch ist.- a third, semiconducting layer 4, which is identical to layer 2.
Die in Fig. 1 dargestellte Anlage besteht aus einem YAG- Laser 10, dessen Strahl auf ein Ziel 11 gelenkt wird, das der Probe 1 entspricht, und von dem jeder Halbleiter eine Plus- bzw. Minuselektrode bildet. Dieser an der Oberfläche der Minuselektrode 2 absorbierte Strahl zerlegt diese Oberfläche durch Pyrolyse, und die abgegebenen Gase bewirken eine Druckwelle, die die Probe durchläuft. Diese Welle moduliert die Bildladungen auf den Elektroden und gibt Zugang zu der Raumladungsdichte in der Probe.The installation shown in Fig. 1 consists of a YAG laser 10, the beam of which is directed onto a target 11 corresponding to the sample 1, each semiconductor of which forms a positive and a negative electrode. This beam, absorbed on the surface of the negative electrode 2, breaks down this surface by pyrolysis and the gases emitted cause a pressure wave which passes through the sample. This wave modulates the image charges on the electrodes and gives access to the space charge density in the sample.
Eine Photodiode 12 ermöglicht es, einen Detektor 13 mit dem Laser 10 zu synchronisieren. Die Schaltung wird elektrisch durch eine Hochspannungsversorgung 14 versorgt, die mit einem Widerstand 15 versehen ist. Die aufgezeichneten Daten werden übertragen, um von einem Computer 16 verarbeitet und in Funktion der Zeit auf einem graphischen Aufzeichnungsgerät 17 dargestellt zu werden. Der Laser 10 schickt eine Welle auf das Ziel 11, die das Auftreten von Raumladungen und die Veränderung der Verteilung des elektrischen Feldes bewirkt, die dann von dem Detektor 13 gemessen wird.A photodiode 12 enables a detector 13 to be synchronized with the laser 10. The circuit is electrically supplied by a high voltage power supply 14 provided with a resistor 15. The recorded data are transmitted to be processed by a computer 16 and displayed as a function of time on a graphic recorder 17. The laser 10 sends a wave to the target 11 which causes the appearance of space charges and the change in the distribution of the electric field, which is then measured by the detector 13.
Eine Probe der Isolierstruktur nach dem Stand der Technik analog zur in Fig. 2 dargestellten Probe wird hergestellt, welche umfaßt:A sample of the prior art insulating structure analogous to the sample shown in Fig. 2 is prepared, which comprises:
- eine erste, halbleitende Schicht, bestehend aus einer polaren Matrix auf Grundlage eines Ethylen-Alkylacrylat- Copolymers, dessen "melt index" den Wert 8 hat und dessen Gehalt an Ester 20% ist, und zu der Acetylenruß- Füllmaterial in einem Anteil von 66 Gewichtsanteilen zu 100 Anteilen Matrix zugefügt ist,- a first semiconductive layer consisting of a polar matrix based on an ethylene-alkyl acrylate copolymer, the melt index of which is 8 and the ester content of which is 20%, and to which acetylene black Filling material is added in a proportion of 66 parts by weight to 100 parts matrix,
- eine zweite, elektrisch isolierende Schicht, bestehend aus einem olefinischen thermoplastischen Elastomer,- a second, electrically insulating layer consisting of an olefinic thermoplastic elastomer,
- eine dritte, halbleitende Schicht, die mit der ersten Schicht identisch ist.- a third, semiconducting layer that is identical to the first layer.
Diese Probe wird dann dem Druckwellenversuch mit Hilfe der in Fig. 1 dargestellten Anlage unterzogen. Man stellt das Auftreten von negativen Ladungen an der Kathode 2 in erheblichem Umfang fest. Die Verstärkung des Feldes ist dann größer als 20% und die Ladungen bleiben nach Abschalten der Spannung im Material mehrere Stunden gefangen.This sample is then subjected to the pressure wave test using the device shown in Fig. 1. The occurrence of negative charges on the cathode 2 is observed to a considerable extent. The field amplification is then greater than 20% and the charges remain trapped in the material for several hours after the voltage is switched off.
Eine Probe der Isolierstruktur nach dem Stand der Technik analog zur in Fig. 2 dargestellten Probe wird hergestellt, welche umfaßt:A sample of the prior art insulating structure analogous to the sample shown in Fig. 2 is prepared, which comprises:
- eine erste, halbleitende Schicht, bestehend aus einer polaren Matrix auf Grundlage eines Ethylen-Alkylacrylat- Copolymers, dessen "melt index" den Wert 8 hat und dessen Gehalt an Ester 20% ist, zu der Acetylenruß-Füllmaterial in einem Anteil von 66 Gewichtsanteilen zu 100 Teilen Matrix zugefügt ist,- a first semiconductive layer consisting of a polar matrix based on an ethylene-alkyl acrylate copolymer, the melt index of which is 8 and the ester content of which is 20%, to which acetylene black filler material is added in a proportion of 66 parts by weight to 100 parts of matrix,
- eine zweite, elektrisch isolierende Schicht, bestehend aus einem chemisch vernetzten Polyethylen (PRC),- a second, electrically insulating layer consisting of a chemically cross-linked polyethylene (PRC),
- eine dritte, halbleitende Schicht, die mit der ersten Schicht identisch ist.- a third, semiconducting layer that is identical to the first layer.
Diese Probe wird dann dem Druckwellenversuch mit Hilfe der in Fig. 1 dargestellten Anlage unterzogen. Man stellt das Auftreten von negativen Ladungen in erheblichem Umfang in der Nähe der Kathode 2 fest, die in der Matrix der isolierenden Schicht nach Abschalten der Spannung gefangen bleiben. Die Feldverstärkung ist größer als 20%.This sample is then subjected to the pressure wave test using the device shown in Fig. 1. It is observed that a significant amount of negative charges are present near the cathode 2, which remain trapped in the matrix of the insulating layer after the voltage is switched off. The field amplification is greater than 20%.
Eine Probe der Isolierstruktur gemäß der Erfindung analog zu der in Fig. 2 dargestellten Probe wird hergestellt, welche umfaßt:A sample of the insulating structure according to the invention analogous to the sample shown in Fig. 2 is prepared, which comprises:
- eine erste, halbleitende Schicht, bestehend aus einer apolaren Matrix, zu der Acetylenruß-Füllmaterial in einem Verhältnis von 66 Gewichtsanteilen in Bezug auf 100 Anteile Matrix zugefügt ist; die Matrix enthält einerseits 20% Polyethylen (PE), dessen "melt index" den Wert 2 hat, und dessen molare Masse zwischen 103 und 10 liegt und um 1,1 · 10&sup6; zentriert ist, und andererseits 80% eines Ethylen- Propylen-Copolymers, das ca. 50 Gewichtsprozent Ethylen enthält und dessen "MOONEY"-Viskosität (gemessen nach der Norm NFT43005) in der Größenordnung von 40 liegt und dessen molare Masse zwischen 10³ und 10&sup7; enthalten und um 1,2 · 10&sup5; zentriert ist,- a first semiconductive layer consisting of an apolar matrix to which acetylene black filler is added in a ratio of 66 parts by weight with respect to 100 parts of matrix; the matrix contains on the one hand 20% polyethylene (PE) whose "melt index" is 2 and whose molar mass is between 103 and 10 and is centred on 1.1 x 106, and on the other hand 80% of an ethylene-propylene copolymer containing approximately 50% by weight of ethylene and whose "MOONEY" viscosity (measured according to the NFT43005 standard) is of the order of 40 and whose molar mass is between 103 and 107 and is centred on 1.2 x 105,
- eine zweite, elektrisch isolierende Schicht, bestehend aus einem chemisch vernetzten Polyethylen (PRC),- a second, electrically insulating layer consisting of a chemically cross-linked polyethylene (PRC),
- eine dritte, halbleitende Schicht, die mit der ersten Schicht identisch ist.- a third, semiconducting layer that is identical to the first layer.
Diese Probe wird dann dem Druckwellenversuch mit Hilfe der in Fig. 1 dargestellten Anlage unterzogen. Die Verstärkung des elektrischen Feldes ist kleiner als 10%, und nach Abschalten der Spannung bleiben keine gefangenen Ladungen im isolierenden Material zurück.This sample is then subjected to the pressure wave test using the system shown in Fig. 1. The reinforcement of the electric field is less than 10%, and after switching off the voltage no trapped charges remain in the insulating material.
Eine Probe der Isolierstruktur gemäß der Erfindung analog zu der in Fig. 2 dargestellten Probe wird hergestellt, welche umfaßt:A sample of the insulating structure according to the invention analogous to the sample shown in Fig. 2 is prepared, which comprises:
- eine erste, halbleitende Schicht, bestehend aus einer apolaren Matrix, der Acetylenruß-Füllmaterial in einem Verhältnis von 66 Gewichtsanteilen in Bezug auf 100 Anteile Matrix zugefügt ist; die Matrix enthält einerseits 20% Polyethylen (PE), dessen "melt index" den Wert 2 hat und dessen molare Masse um 1,1 · 10&sup6; zentriert ist, und andererseits 80% eines Ethylen-Propylen-Copolymers, das ca. 50 Gewichtsprozent Ethylen enthält und dessen "MOONEY"- Viskosität (nach der Norm NFT43005) in der Größenordnung von 40 liegt und dessen molare Masse zwischen 10³ und 10&sup7; enthalten ist und um 1,2 · 10&sup5; zentriert ist,- a first semiconductive layer consisting of an apolar matrix to which acetylene black filler is added in a ratio of 66 parts by weight with respect to 100 parts of matrix; the matrix contains, on the one hand, 20% polyethylene (PE) whose "melt index" is 2 and whose molar mass is centered around 1.1 x 106; and, on the other hand, 80% of an ethylene-propylene copolymer containing approximately 50% by weight of ethylene and whose "MOONEY" viscosity (according to standard NFT43005) is of the order of 40 and whose molar mass is between 103 and 107 and is centered around 1.2 x 105;
- eine zweite, elektrisch isolierende Schicht, bestehend aus einem olefinischen thermoplastischen Elastomer,- a second, electrically insulating layer consisting of an olefinic thermoplastic elastomer,
- eine dritte, halbleitende Schicht, die mit der ersten Schicht identisch ist.- a third, semiconducting layer that is identical to the first layer.
Diese Probe wird dann dem Druckwellenversuch mit Hilfe der in Fig. 1 dargestellten Anlage unterzogen. Die Verstärkung des elektrischen Feldes ist kleiner als 10%, und nach Abschalten der Spannung bleiben keine gefangenen Ladungen in dem isolierenden Material zurück.This sample is then subjected to the pressure wave test using the device shown in Fig. 1. The amplification of the electric field is less than 10% and after switching off the voltage no trapped charges remain in the insulating material.
Eine Probe analog zu der in Beispiel 4 beschriebenen wird hergestellt, wobei allerdings zur Matrix der halbleitenden Schichten ein Parafinöl in einem Anteil von 5 Gewichtsprozent bezogen auf die Matrix zugefügt wird.A sample analogous to that described in Example 4 is prepared, but with paraffin oil added to the matrix of the semiconducting layers in a proportion of 5 percent by weight based on the matrix.
Diese Probe wird dann dem Druckwellenversuch mit Hilfe der in Fig. 1 dargestellten Anlage unterzogen. Die Feldverstärkung ist in diesem Fall 140%.This sample is then subjected to the pressure wave test using the equipment shown in Fig. 1. The field amplification in this case is 140%.
Selbstverständlich ist die vorliegende Erfindung nicht auf die beschriebenen Ausgestaltungen beschränkt, sondern eignet sich zu zahlreichen Abwandlungen, die im Rahmen des fachmännischen Könnens liegen, ohne den Geist der Erfindung zu verlassen. Insbesondere kann, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen, jedes Mittel durch ein äquivalentes Mittel ersetzt werden.Of course, the present invention is not limited to the embodiments described, but is susceptible to numerous modifications that are within the scope of the skill of the person skilled in the art without departing from the spirit of the invention. In particular, each means can be replaced by an equivalent means without departing from the scope of the invention.
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