DE69418804T3 - Kabelisolierstruktur - Google Patents

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Isolierstruktur für Mittel-, Hoch- und Höchstspannungskabel, die Gleich- oder Wechselstrom transportieren.The present invention relates to an insulation structure for Medium, high and extra high voltage cables, that carry direct or alternating current.

Diese Kabel bestehen im allgemeinen aus einer leitfähigen Ader, umgeben von einer Isolierstruktur, die zu dieser koaxial ist. Diese Struktur umfasst wenigstens eine erste, halbleitende Schicht, die in Kontakt mit der Ader des Kabels angeordnet, ihrerseits von einer zweiten, elektrisch isolierenden Schicht umgeben ist, die ihrerseits von einer dritten, halbleitenden Schicht überdeckt ist. Andere äußere Schichten dienen dem Schutz des Kabels.These cables generally exist from a conductive Core surrounded by an insulating structure that is coaxial to this. This structure comprises at least a first semiconducting layer, which are placed in contact with the wire of the cable, in turn from a second, electrically insulating layer is surrounded, the in turn covered by a third semiconducting layer is. Other outer layers serve to protect the cable.

Die isolierende Schicht ist üblicherweise auf Grundlage von Polyethylen hoher Dichte oder niedriger Dichte, vernetztem Polyethylen oder auch Ethylen-Propylen-Dien-Terpolymer mit Methylen-Hauptkette (EPDM).The insulating layer is common based on high density or low density polyethylene, cross-linked polyethylene or ethylene-propylene-diene terpolymer with methylene backbone (EPDM).

Die halbleitenden Schichten bestehen im allgemeinen aus einer polaren Matrix, meist einem Ethylen-Alkylacrylat-Copolymer, das mit Ruß aufgefüllt ist. Die Menge an Füllmaterial variiert je nach Art des verwendeten Rußes. Bei einem Acetylenruß oder einem Ofenruß ist der Anteil an Füllmaterial im allgemeinen zwischen 28% und 40% enthalten.The semiconducting layers exist generally from a polar matrix, usually an ethylene-alkyl acrylate copolymer, with Soot is filled. The amount of fill material varies depending on the type of soot used. With an acetylene black or a Furnace black is the proportion of filler material generally contain between 28% and 40%.

Die dielektrische Festigkeit eines solchen Kabels ist eng verknüpft mit der Qualität der Grenzfläche zwischen der halbleitenden Schicht und der isolierenden Schicht. Die geringste Rauhigkeit an dieser Grenzfläche kann eine Verstärkung des elektrischen Feldes bewirken und zum Durchschlag und zur Durchbrechung der isolierenden Schicht führen.The dielectric strength of a such cable is closely linked with the quality the interface between the semiconducting layer and the insulating layer. The slightest roughness at this interface can reinforce the electric field and to breakdown and breakdown of the insulating layer.

Um beim Extrudieren eine möglichst glatte Grenzfläche zu erhalten, ist die Matrix der halbleitenden Schichten der gegenwärtig vertriebenen Hochspannungskabel im allgemeinen auf Grundlage eines Polymers mit hohem Fluiditätsindex oder "melt Index" in der Größenordnung von 17 (ein hoher "melt Index" ist Anzeichen für das Vorhandensein von niedrigen Molmassen, er wird nach den Normen ASM Referenz D1238 oder NFT51-016 gemessen), das eine sehr breite Molmassenverteilung besitzt. Man hat jedoch in der isolierenden Schicht in der Nähe der halbleitenden Schichten das Auftreten von Raumladungen festgestellt, deren Ansammlung zu einer Beeinträchtigung der dielektrischen Festigkeit der Isolation führt, die bis zum Durchschlag gehen kann.In order to extrude one as possible smooth interface to obtain is the matrix of the semiconducting layers of the currently distributed High-voltage cables generally based on a polymer high fluidity index or "melt index" on the order of magnitude out of 17 (a high melt index indicates the presence of low molecular weights, it is measured according to the standards ASM reference D1238 or NFT51-016), that has a very broad molecular weight distribution. However, one has in the insulating layer near the semiconducting layers noted the occurrence of space charges, their accumulation too an impairment the dielectric strength of the insulation leads to breakdown can go.

Bestimmte Hersteller von Halbleitern verwenden apolare Matrizen auf Grundlage eines Ethylen-Copolymers (EPR: thermoplastisches Ethylen-Propylen-Elastomer, oder EPDM: Ethylen-Propylen-Dien-Terpolymer mit Methylen-Hauptkette), zu denen sie Öle oder Weichmacher zufügen, um den Erhalt eines guten Oberflächenzustandes der halbleitenden Schicht zu erleichtern. Diese Öle oder Weichmacher diffundieren jedoch in die isolierende Schicht und erzeugen an der Grenzfläche zwischen der halbleitenden Schicht und der isolierenden Schicht, wo das elektrische Feld am stärksten ist, einen Bereich verminderter dielektrischer Festigkeit.Certain manufacturers of semiconductors use apolar matrices based on an ethylene copolymer (EPR: thermoplastic ethylene-propylene elastomer, or EPDM: ethylene-propylene-diene terpolymer with methylene backbone) to which they add oils or plasticizers to maintaining a good surface condition to facilitate the semiconducting layer. These oils or plasticizers diffuse however in the insulating layer and produce at the interface between the semiconducting layer and the insulating layer where the electrical Field strongest is a region of reduced dielectric strength.

Ziel der vorliegenden Erfindung ist, eine Isolierstruktur für Mittel-, Hoch- und Höchstspannungskabel anzugeben, die Gleich- oder Wechselstrom transportieren, die zeitlich stabilere dielektrische Eigenschaften aufweist als die bisher bekannten.The aim of the present invention is an insulation structure for Medium, high and extra high voltage cables to specify that transport direct or alternating current, the more stable in time has dielectric properties than those previously known.

Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine Kabelisolierstruktur, die wenigstens eine erste, halbleitende, an die Ader des Kabels angrenzende und zu dieser koaxiale Schicht umfasst, die von einer zweiten, elektrisch isolierenden Schicht umgeben ist, die ihrerseits von einer dritten, halbleitenden Schicht bedeckt ist. Die halbleitenden Schichten bestehen ausschließlich aus einer Matrix, die nur apolare Polymere mit einer molaren Masse von mehr als 1000 umfasst, und einem leitfähigen Füllmaterial.Object of the present invention is a cable insulation structure that has at least a first, semiconducting, adjacent to the wire of the cable and to this coaxial layer comprises that of a second, electrically insulating layer is surrounded, which in turn is covered by a third semiconducting layer is. The semiconducting layers consist exclusively of a matrix containing only apolar polymers with a molar mass of includes more than 1000, and a conductive filler.

Vorzugsweise haben die Komponenten der Matrix eine molare Masse von mehr als 5000.Preferably the components have the matrix has a molar mass of more than 5000.

Wenn die halbleitenden Schichten Verbindungen mit niedrigen molaren Massen oder Zusätze enthalten, wie etwa Öle oder Weichmacher, wandern diese Verbindungen in die isolierende Schicht. Diese Erscheinung hat die Bildung von Raumladungen zur Folge, die Verstärkungen des elektrischen Feldes hervorrufen und letztendlich zu Durchschlägen führen können. Diese Feldverstärkung ist verknüpft mit der Menge an gebildeten Ladungen, aber auch mit ihrer Beweglichkeit: eine Menge von gleichförmig verteilten Ladungen führt nicht zu einer genauso großen Feldverstärkung wie die gleiche Menge an lokalisierten Ladungen. Diese Wanderung kann im Laufe der Anwendung oder im Laufe des Betriebes des Kabels stattfinden.If the semiconducting layers Contain compounds with low molar masses or additives, such as oils or plasticizers, these compounds migrate into the insulating Layer. This phenomenon results in the formation of space charges, the reinforcements of the electrical field and ultimately lead to breakdowns. This field enhancement is linked with the amount of charges formed, but also with their mobility: a lot of uniform distributed charges not as large a field gain as the same amount of localized charges. This hike can take place in the course of application or in the course of operation of the cable.

Die Verwendung einer halbleitenden Schicht mit erfindungsgemäßer Zusammensetzung, die nur Verbindungen mit hoher molarer Masse enthält, verhindert die Wanderung von Spezies in der isolierenden Schicht und dadurch die Ansammlung von Raumladungen in der Nähe der Grenzflächen.The use of a semiconducting Layer with composition according to the invention, which only contains compounds with a high molar mass the migration of species in the insulating layer and thereby the accumulation of space charges near the interfaces.

Gemäß einer ersten Ausführungsvariante sind die Polymere ausgewählt unter Polyethylen, Polypropylen, Polystyrol und ihren Copolymeren, Legierungen von unter Polyethylen, Polypropylen, Polystyrol und ihren Copolymeren ausgewählten Polymeren und Gemischen von Verbindungen, ausgewählt unter Polyethylen, Polypropylen, Polystyrol, deren Copolymeren und den vorgenannten Legierungen.According to a first embodiment variant the polymers selected among polyethylene, polypropylene, polystyrene and their copolymers, Alloys of under polyethylene, polypropylene, polystyrene and selected their copolymers Polymers and mixtures of compounds selected from polyethylene, polypropylene, Polystyrene, their copolymers and the aforementioned alloys.

Gemäß einer zweiten Ausführungsvariante sind die Polymere unter den polyolefinischen thermoplastischen Elastomeren und ihren Gemischen ausgewählt.According to a second embodiment variant the polymers among the polyolefinic thermoplastic elastomers and their mixtures selected.

Von der Auswahl der die Matrix bildenden Polymere hängen die Qualität ihrer Grenzfläche zur isolierenden Schicht und die mechanischen Eigenschaften der erhaltenen halbleitenden Schicht ab, ohne dass auf Zusätze zurückgegriffen werden muss.From the choice of the polymers forming the matrix hang the quality their interface to the insulating layer and the mechanical properties of the obtained semiconducting layer without resorting to additives must become.

Die vorliegende Erfindung hat den Vorteil, dass sie die dielektrischen Eigenschaften der Isolierstruktur stabilisiert, indem sie die Wanderung der Verbindungen mit niedriger molarer Masse unterdrückt. Infolgedessen wird die Qualität der Grenzfläche zwischen den verschiedenen Schichten ein weniger kritischer Parameter.The present invention has the advantage that it stabilizes the dielectric properties of the insulating structure by controlling the migration of the Compounds with low molar mass suppressed. As a result, the quality of the interface between the different layers becomes a less critical parameter.

Das Füllmaterial ist ein Ruß, der möglichst wenig Verunreinigungen enthält. Man kann einen Ofenruß oder einen "KETJEN"-Ruß verwenden, vorzugsweise wird aber ein Acetylenruß gewählt, der wesentlich reiner ist.The filling material is a soot that is as little as possible Contains impurities. You can use a furnace black or use a "KETJEN" soot but preferably an acetylene black is chosen which is much purer is.

Andere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der Lektüre der nachfolgenden Beispiele die selbstverständlich nur zur Erläuterung und nicht zur Beschränkung mit Bezug auf die beigefügte Zeichnung gegeben werden. Es zeigen:Other features and advantages of present invention result from reading the following examples which of course for illustration only and not for limitation with reference to the attached Drawing will be given. Show it:

1 das allgemeine Schema der Druckwellen-Versuchsanlage, 1 the general scheme of the pressure wave test facility,

2 eine Draufsicht auf die Probe der Isolierstruktur für den Druckwellenversuch, 2 a plan view of the sample of the insulating structure for the pressure wave test,

3 einen schematischen Schnitt durch die Probe aus 2. 3 a schematic section through the sample 2 ,

Der Druckwellenversuch wird mit Hilfe der in 1 dargestellten Anlage durchgeführt. Dieser Versuch erlaubt es, die Verstärkung des elektrischen Feldes in einer Isolierstruktur zu bewerten.The pressure wave test is carried out using the 1 shown system performed. This experiment makes it possible to evaluate the amplification of the electrical field in an insulating structure.

Eine Probe 1 der Isolierstruktur für den Druckwellenversuch ist in Draufsicht in 2 und im Schnitt in 3 dargestellt. Auf einer kreisförmigen Oberfläche mit dem Durchmesser A von 20 mm findet man überlagert:A sample 1 The insulation structure for the pressure wave test is in plan view in 2 and on average in 3 shown. On a circular surface with the diameter A of 20 mm can be found overlaid:

  • – eine erste, halbleitende Schicht 2 mit einer Dicke B von 0,5 mm,- a first, semiconducting layer 2 with a thickness B of 0.5 mm,
  • – eine zweite, elektrisch isolierende Schicht 3 mit einer Dicke C von 0,8 mm,- a second, electrically insulating layer 3 with a thickness C of 0.8 mm,
  • – eine dritte, halbleitende Schicht 4, die mit der Schicht 2 identisch ist.- a third, semiconducting layer 4 that with the layer 2 is identical.

Die in 1 dargestellte Anlage besteht aus einem YAG-Laser 10, dessen Strahl auf ein Ziel 11 gelenkt wird, das der Probe 1 entspricht, und von dem jeder Halbleiter eine Plus- bzw. Minuselektrode bildet. Dieser an der Oberfläche der Minuselektrode 2 absorbierte Strahl zerlegt diese Oberfläche durch Pyrolyse, und die abgegebenen Gase bewirken eine Druckwelle, die die Probe durchläuft. Diese Welle moduliert die Bildladungen auf den Elektroden und gibt Zugang zu der Raumladungsdichte in der Probe.In the 1 shown system consists of a YAG laser 10 whose beam is on a target 11 is directed, which corresponds to sample 1, and of which each semiconductor forms a plus or minus electrode. This on the surface of the minus electrode 2 The absorbed beam breaks up this surface by pyrolysis, and the gases emitted create a pressure wave that passes through the sample. This wave modulates the image charges on the electrodes and gives access to the space charge density in the sample.

Eine Photodiode 12 ermöglicht es, einen Detektor 13 mit dem Laser 10 zu synchronisieren. Die Schaltung wird elektrisch durch eine Hochspannungsversorgung 14 versorgt, die mit einem Widerstand 15 versehen ist. Die aufgezeichneten Daten werden übertragen, um von einem Computer 16 verarbeitet und in Funktion der Zeit auf einem graphischen Aufzeichnungsgerät 17 dargestellt zu werden. Der Laser 10 schickt eine Welle auf das Ziel 11, die das Auftreten von Raumladungen und die Veränderung der Verteilung des elektrischen Feldes bewirkt, die dann von dem Detektor 13 gemessen wird.A photodiode 12 allows a detector 13 with the laser 10 to synchronize. The circuit is powered electrically by a high voltage supply 14 supplied that with a resistor 15 is provided. The recorded data is transferred to a computer 16 processed and as a function of time on a graphic recording device 17 to be represented. The laser 10 sends a wave to the target 11 , which causes the occurrence of space charges and the change in the distribution of the electric field, which is then detected by the detector 13 is measured.

Beispiel 1example 1

Eine Probe der Isolierstruktur nach dem Stand der Technik analog zur in 2 dargestellten Probe wird hergestellt, welche umfasst:A sample of the insulating structure according to the prior art analogous to that in FIG 2 The sample shown is produced, which comprises:

  • – eine erste, halbleitende Schicht, bestehend aus einer polaren Matrix auf Grundlage eines Ethylen-Alkylacrylat-Copolymers, dessen "melt Index" den Wert 8 hat und dessen Gehalt an Ester 20% ist, und zu der Acetylenruß-Füllmaterial in einem Anteil von 66 Gewichtsanteilen zu 100 Anteilen Matrix zugefügt ist,- one first, semiconducting layer, consisting of a polar matrix based on an ethylene-alkyl acrylate copolymer, whose melt index is 8 and whose ester content is 20%, and to the acetylene black filler 66 parts by weight to 100 parts matrix is added,
  • – eine zweite, elektrisch isolierende Schicht, bestehend aus einem olefinischen thermoplastischen Elastomer,- one second, electrically insulating layer consisting of an olefinic thermoplastic elastomer,
  • – eine dritte, halbleitende Schicht, die mit der ersten Schicht identisch ist.- one third, semiconducting layer, identical to the first layer is.

Diese Probe wird dann dem Druckwellenversuch mit Hilfe der in 1 dargestellten Anlage unterzogen. Man stellt das Auftreten von negativen Ladungen an der Kathode 2 in erheblichem Umfang fest. Die Verstärkung des Feldes ist dann größer als 20% und die Ladungen bleiben nach Abschalten der Spannung im Material mehrere Stunden gefangen.This sample is then subjected to the pressure wave test with the help of the 1 shown system subjected. The appearance of negative charges on the cathode is established 2 to a considerable extent. The field gain is then greater than 20% and the charges remain trapped in the material for several hours after the voltage has been switched off.

Beispiel 2Example 2

Eine Probe der Isolierstruktur nach dem Stand der Technik analog zur in 2 dargestellten Probe wird hergestellt, welche umfasst:A sample of the insulating structure according to the prior art analogous to that in FIG 2 The sample shown is produced, which comprises:

  • – eine erste, halbleitende Schicht, bestehend aus einer polaren Matrix auf Grundlage eines Ethylen-Alkylacrylat-Copolymers, dessen "melt Index" den wert 8 hat und dessen Gehalt an Ester 20% ist, zu der Acetylenruß-Füllmaterial in einem Anteil von 66 Gewichtsanteilen zu 100 Teilen Matrix zugefügt ist,- one first, semiconducting layer, consisting of a polar matrix based on an ethylene-alkyl acrylate copolymer, whose "melt index" is 8 and whose ester content is 20%, to the acetylene black filler is added in a proportion of 66 parts by weight to 100 parts of matrix,
  • – eine zweite, elektrisch isolierende Schicht, bestehend aus einem chemisch vernetzten Polyethylen (PRC),- one second, electrically insulating layer consisting of a chemical cross-linked polyethylene (PRC),
  • – eine dritte, halbleitende Schicht, die mit der ersten Schicht identisch ist.- one third, semiconducting layer, identical to the first layer is.

Diese Probe wird dann dem Druckwellenversuch mit Hilfe der in 1 dargestellten Anlage unterzogen. Man stellt das Auftreten von negativen Ladungen in erheblichem Umfang in der Nähe der Kathode 2 fest, die in der Matrix der isolierenden Schicht nach Abschalten der Spannung gefangen bleiben. Die Feldverstärkung ist größer als 20%.This sample is then subjected to the pressure wave test with the help of the 1 shown system subjected. Significant amounts of negative charge are placed near the cathode 2 that remain trapped in the matrix of the insulating layer after the voltage is switched off. The field gain is greater than 20%.

Beispiel 3Example 3

Eine Probe der Isolierstruktur gemäß der Erfindung analog zu der in 2 dargestellten Probe wird hergestellt, welche umfasst:A sample of the insulating structure according to the invention analogous to that in 2 The sample shown is produced, which comprises:

  • – eine erste, halbleitende Schicht, bestehend aus einer apolaren Matrix, zu der Acetylenruß-Füllmaterial in einem Verhältnis von 66 Gewichtsanteilen in Bezug auf 100 Anteile Matrix zugefügt ist; die Matrix enthält einerseits 20% Polyethylen (PE), dessen "melt Index" den Wert 2 hat, und dessen molare Masse zwischen 103 und 107 liegt und um 1,1 × 106 zentriert ist, und andererseits 80% eines Ethylen-Propylen-Copolymers, das ca. 50 Gewichtsprozent Ethylen enthält und dessen "MOONEY"-Viskosität (gemessen nach der Norm NFT43005) in der Größenordnung von 40 liegt und dessen molare Masse zwischen 103 und 107 enthalten und um 1,2 × 105 zentriert ist,- A first, semiconducting layer, consisting of an apolar matrix, to the acetylene black filler material in a ratio of 66 parts by weight added with respect to 100 parts matrix; on the one hand, the matrix contains 20% polyethylene (PE), whose "melt index" has the value 2, and whose molar mass is between 10 3 and 10 7 and is centered around 1.1 × 10 6 , and on the other hand 80% of an ethylene Propylene copolymer which contains approximately 50% by weight of ethylene and whose "MOONEY" viscosity (measured according to the NFT43005 standard) is of the order of 40 and whose molar mass contains between 10 3 and 10 7 and around 1.2 × 10 5 is centered
  • – eine zweite, elektrisch isolierende Schicht, bestehend aus einem chemisch vernetzten Polyethylen (PRC),- one second, electrically insulating layer consisting of a chemical cross-linked polyethylene (PRC),
  • – eine dritte, halbleitende Schicht, die mit der ersten Schicht identisch ist.- one third, semiconducting layer, identical to the first layer is.

Diese Probe wird dann dem Druckwellenversuch mit Hilfe der in 1 dargestellten Anlage unterzogen. Die Verstärkung des elektrischen Feldes ist kleiner als 10%, und nach Abschalten der Spannung bleiben keine gefangenen Ladungen im isolierenden Material zurück.This sample is then subjected to the pressure wave test with the help of the 1 shown system subjected. The electric field gain is less than 10% and no trapped charges remain in the insulating material after the voltage is switched off.

Beispiel 4Example 4

Eine Probe der Isolierstruktur gemäß der Erfindung analog zu der in 2 dargestellten Probe wird hergestellt, welche umfasst:A sample of the insulating structure according to the invention analogous to that in 2 The sample shown is produced, which comprises:

  • – eine erste, halbleitende Schicht, bestehend aus einer apolaren Matrix, der Acetylenruß-Füllmaterial in einem Verhältnis von 66 Gewichtsanteilen in Bezug auf 100 Anteile Matrix zugefügt ist; die Matrix enthält einerseits 20% Polyethylen (PE), dessen "melt Index" den Wert 2 hat und dessen molare Masse um 1,1 × 106 zentriert ist, und andererseits 80% eines Ethylen-Propylen-Copolymers, das ca. 50 Gewichtsprozent Ethylen enthält und dessen "MOONEY"-Viskosität (nach der Norm NFT43005) in der Größenordnung von 40 liegt und dessen molare Masse zwischen 103 und 107 enthalten ist und um 1,2 × 105 zentriert ist,A first semiconducting layer consisting of an apolar matrix to which acetylene black filler material is added in a ratio of 66 parts by weight with respect to 100 parts of the matrix; the matrix contains on the one hand 20% polyethylene (PE), the "melt index" of which has the value 2 and whose molar mass is centered around 1.1 × 10 6 , and on the other hand 80% of an ethylene-propylene copolymer, which is approx. 50% by weight Contains ethylene and whose "MOONEY" viscosity (according to the NFT43005 standard) is of the order of 40 and whose molar mass is between 10 3 and 10 7 and is centered around 1.2 × 10 5 ,
  • – eine zweite, elektrisch isolierende Schicht, bestehend aus einem olefinischen thermoplastischen Elastomer,- one second, electrically insulating layer consisting of an olefinic thermoplastic elastomer,
  • – eine dritte, halbleitende Schicht, die mit der ersten Schicht identisch ist.- one third, semiconducting layer, identical to the first layer is.

Diese Probe wird dann dem Druckwellenversuch mit Hilfe der in 1 dargestellten Anlage unterzogen. Die Verstärkung des elektrischen Feldes ist kleiner als 10%, und nach Abschalten der Spannung bleiben keine gefangenen Ladungen in dem isolierenden Material zurück.This sample is then subjected to the pressure wave test with the help of the 1 shown system subjected. The electric field gain is less than 10% and no trapped charges remain in the insulating material after the voltage is switched off.

Beispiel 5 – VergleichExample 5 - Comparison

Eine Probe analog zu der in Beispiel 4 beschriebenen wird hergestellt, wobei allerdings zur Matrix der halbleitenden Schichten ein Parafinöl in einem Anteil von 5 Gewichtsprozent bezogen auf die Matrix zugefügt wird.A sample analogous to that in example 4 is produced, but with the matrix of semiconducting layers a paraffin oil in a proportion of 5 percent by weight added based on the matrix becomes.

Diese Probe wird dann dem Druckwellenversuch mit Hilfe der in 1 dargestellten Anlage unterzogen. Die Feldverstärkung ist in diesem Fall 140%.This sample is then subjected to the pressure wave test with the help of the 1 shown system subjected. The field gain in this case is 140%.

Selbstverständlich ist die vorliegende Erfindung nicht auf die beschriebenen Ausgestaltungen beschränkt, sondern eignet sich zu zahlreichen Abwandlungen, die im Rahmen des fachmännischen Könnens liegen, ohne den Geist der Erfindung zu verlassen. Insbesondere kann, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen, jedes Mittel durch ein äquivalentes Mittel ersetzt werden.The present is, of course Invention is not limited to the embodiments described, but is suitable for numerous modifications that are within the scope of professional skill, without leaving the spirit of the invention. In particular, without to leave the scope of the invention, any means by an equivalent Funds to be replaced.

Claims (5)

Kabelisolierstruktur, die wenigstens eine erste, halbleitende, an die Ader des Kabels angrenzende und zu dieser koaxiale Schicht umfasst, die von einer zweiten, elektrisch isolierenden Schicht umgeben ist, die ihrerseits von einer dritten, halbleitenden Schicht bedeckt ist, dadurch gekennzeichnet, dass die besagten halbleitenden Schichten ausschließlich aus einer Matrix, die nur apolare Polymere mit einer molaren Masse von mehr als 1000 umfasst, und einem leitfähigen Füllmaterial bestehen.Cable insulation structure comprising at least a first, semiconducting layer adjacent to and coaxial with the wire of the cable, which is surrounded by a second, electrically insulating layer, which in turn is covered by a third, semiconducting layer, characterized in that said semiconducting layers consist exclusively of a matrix, which only comprises apolar polymers with a molar mass of more than 1000, and a conductive filling material. Struktur nach Anspruch 1, bei der die Komponenten der besagten Matrix eine molare Masse von mehr als 5000 haben.The structure of claim 1, wherein the components of the said matrix have a molar mass of more than 5000. Struktur nach einem der Ansprüche 1 und 2, bei der die Matrix unter Polyethylen, Polypropylen, Polystyrol und ihren Copolymeren, Legierungen von Polymeren, die unter Polyethylen, Polypropylen, Polystyrol und ihren Copolymeren ausgewählt sind, und den Gemischen der vorgenannten Verbindungen ausgewählt ist.Structure according to one of Claims 1 and 2, in which the matrix among polyethylene, polypropylene, polystyrene and their copolymers, Alloys of polymers that are found in polyethylene, polypropylene, Polystyrene and its copolymers are selected, and the mixtures of the aforementioned compounds is selected. Struktur nach einem der Ansprüche 1 und 2, bei der die Matrix unter polyolefinischen thermoplastischen Elastomeren und ihren Gemischen ausgewählt ist.Structure according to one of Claims 1 and 2, in which the matrix among polyolefinic thermoplastic elastomers and their mixtures selected is. Struktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der das besagte Füllmaterial Acetylenruß ist.Structure according to one of the preceding claims, the said filler Is acetylene black.
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