JP3631605B2

JP3631605B2 - Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Info

Publication number: JP3631605B2
Application number: JP03604298A
Authority: JP
Inventors: 嘉昭竹岡; 靖之阪下; 哲浩山本
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-02-18
Filing date: 1998-02-18
Publication date: 2005-03-23
Anticipated expiration: 2018-02-18
Also published as: JPH11233713A

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To mount a MCM(multichip module) without lowering the yield in mounting by supplying a conductive adhesive of such quantity as to correspond to the electrode pitch of a semiconductor element. SOLUTION: This semiconductor device is equipped with a semiconductor carrier 4 which consists of an insulating substrate having a plurality of electrodes at the topside and an external electrode at the bottom, a plurality of semiconductor elements 1... where peripheral electrodes 5 are joined by a conductive adhesive 8 with the plural electrodes 6 at the topside of this semiconductor carrier 4, and sealing resin 9 which fills up and covers the space made between the semiconductor element 1 and the semiconductor carrier 4 and the peripheral end of the semiconductor element 1, and the quantity of the conductive adhesive 8 varies with the electrode pitches of the semiconductor elements 1 mounted. Hereby, the conductive adhesive 8 of enough quantity to eliminate the warp, etc., of the semiconductor carrier 4 can be secured for the semiconductor elements at large pitches, so the yield in mounting can be raised, consequently the yield in mounting of MCM at large can be raised.

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体素子の集積回路部を保護し、かつ外部装置と半導体素子の電気的接続を安定に確保し、さらにもっとも高密度な実装を可能とした半導体装置マルチチップモジュール（以降ＭＣＭと称する）の構造及び製造法に関するもので、特に半導体素子とキャリアとの接続にＡｕバンプと導電性接着剤を用いた半導体装置の製造方法及び製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスを高密度に実装する手段の一つとして、複数の半導体素子を一つのキャリアに搭載し、一つのデバイスとする（ＭＣＭ）の検討がなされている。
以下、従来のＡｕバンプと導電性接着剤を用いたＭＣＭの製造方法について図面を参照しながら説明する。図８は従来のＡｕバンプと導電性接着剤を用いたＭＣＭの半導体素子電極とキャリア電極の接続を示す断面図、図９はその平面図である。
【０００３】
図示するように、複数の異なる半導体素子２７，２８，２９を同じキャリア３０に搭載しているが、搭載する半導体素子２７，２８，２９の電極ピッチに因らず同じ量の導電性接着剤３１でＡｕバンプ３２とキャリア電極３３が接続されている。また、半導体素子２７，２８，２９とキャリア３０の隙間及び半導体素子２７，２８，２９の周囲には封止樹脂３４が存在している。この場合、隣接間ショートを防ぐため、搭載されるすべての半導体素子２７，２８，２９の導電性接着剤３１の量が、搭載される半導体素子２７，２８，２９の中で一番電極ピッチの狭い半導体素子によって決まることになる。また、導電性接着剤を用いるフリップチップ工法では、一般的に導電性接着剤の量が少なくなるほどキャリアの反りやうねりを吸収しずらくなるので、搭載歩留まりが低くなる傾向にある。
【０００４】
次に従来のＡｕバンプと導電性接着剤を用いたＭＣＭの製造方法について図面を参照しながら説明する。図１０および図１１は従来のＭＣＭの製造方法を工程別に示した断面図である。
まず図１０に示すように、半導体素子２７の電極上３５にＡｕバンプ３２を形成する（図１０（ａ））。次に平坦かつ平滑な面を有する転写皿３６上に、一定厚さの平滑な面を有する導電性接着剤の膜３７を形成する（図１０（ｂ））。半導体素子２７のＡｕバンプ３２をフェイスダウンで導電性接着剤の膜３７に浸漬させ、導電性接着剤３８をＡｕバンプ３２に転写させる（図１０（ｃ），（ｄ））。次に、Ａｕバンプ３２に導電性接着剤３８を転写させた半導体素子２７を、搭載させるキャリア３０に位置合わせして搭載する（図１０（ｅ））。さらに、図１１に示すように残りの複数の半導体素子２８，２９について図１０（ａ）〜（ｅ）を繰り返し、一つのキャリア３０に対して複数の半導体素子２７，２８，２９を搭載し、オーブン等で導電性接着剤３８を硬化させる（図１１（ｆ））。この時搭載される複数の半導体素子２７，２８，２９すべては、一台の転写部を有する１台の搭載機を用いて実装されるため、転写される導電性接着剤３８の量は全ての半導体素子２７，２８，２９について同じになる。次に、半導体素子２７，２８，２９とキャリア３０との隙間及び半導体素子２７，２８，２９の周辺部に絶縁性樹脂３４を流し込み、熱硬化させる（図１１（ｇ））。
【０００５】
また次に従来の転写を行うための導電性接着剤膜の形成について説明する。図１２は従来の転写ユニットを説明するための簡単な模式図である。（ａ）は平面図で、（ｂ）は（ａ）をＧ−Ｈで切ったときの断面図である。
平坦かつ平滑な面を有する転写皿３９と膜厚を調整するためのブレード４０、一旦膜面の平滑性を破壊する掻き取りブレード４１、及び周囲に追いやられた導電性接着剤を集めるかき寄せブレード４２を有する回転ユニット４３からなり、ブレード４０の高さを制御することにより、必要な厚さの導電性接着剤の膜４４を形成する。この場合、回転毎にブレード４０の高さを変えない限り、異なる厚さの導電性接着剤の膜４４を形成することはできない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来は、搭載する全ての半導体素子に対する導電性接着剤の転写に関して、同じ転写ユニットを用いるものであり、さらに転写ユニットについては高さを固定した１枚のブレードのみで転写膜（導電性接着剤の膜）を形成しているものであるので、搭載するすべての半導体素子に対して同じ膜厚で導電性接着剤の転写を行うことになる。この場合、転写される導電性接着剤の量は搭載する全ての半導体素子について同じになり、その量は最も狭い電極ピッチを有する半導体素子に合わせざるをえない。そして狭ピッチな半導体素子を含む場合には転写させる導電性接着剤を制限する必要があるので、その他のピッチの大きい半導体素子についてもその少ない転写量で生産することになり、前述のように導電性接着剤の量が少なくなるほどキャリアの反りやうねりを吸収しづらくなるので、搭載歩留まりが低下してしまうという課題を有していた。
【０００７】
したがって、この発明の目的は、前記従来の課題を解決するものであって、半導体素子の電極ピッチに対応した導電性接着剤の量を供給し、搭載歩留まりを低下させることなくＭＣＭの実装を行うことができる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
従来の課題を解決するためこの発明の請求項１記載の半導体装置の製造方法は、半導体素子の周辺電極上にバンプを形成する工程と、バンプに導電性接着剤を供給する工程と、バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを位置合わせし搭載する工程と、導電性接着剤を硬化する工程と、封止樹脂を半導体素子と半導体キャリアとの間に形成された隙間とその周辺部に注入する工程と、封止樹脂を硬化する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、バンプに導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な転写皿に導電性接着剤を積層し、転写皿の表面に対し異なる隙間が形成されるように配置された複数枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に形成し、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬して前記バンプに導電性接着剤を転写させることにより、半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給することを特徴とする。
【００１２】
このように、バンプに導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な転写皿に導電性接着剤を積層し、転写皿の表面に対し異なる隙間が形成されるように配置された複数枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に形成し、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬して前記バンプに導電性接着剤を転写させることにより、半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給するので、ブレードの枚数に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写皿上に形成することができることで、同じ転写ユニット内で膜厚を変化させることができる。このため、設備的にもプロセスフロー的にも従来と同じものを利用して、搭載する半導体素子の電極ピッチによって供給する導電性接着剤の量を調整することができ、その結果としてＭＣＭ全体の歩留りを大きく向上させることができる。
【００１４】
請求項２記載の半導体装置の製造方法は、半導体素子の周辺電極上にバンプを形成する工程と、バンプに導電性接着剤を供給する工程と、バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを位置合わせし搭載する工程と、導電性接着剤を硬化する工程と、封止樹脂を半導体素子と半導体キャリアとの間に形成された隙間とその周辺部に注入する工程と、封止樹脂を硬化する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、バンプに導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な複数の段部を有する転写皿に導電性接着剤を積層し、１枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に形成し、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給することを特徴とする。これにより、転写皿の段部の段数に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写皿上に形成することができることで、請求項１と同様の効果が得られる。
【００１５】
請求項３記載の半導体装置の製造方法は、半導体素子の周辺電極上にバンプを形成する工程と、バンプに導電性接着剤を供給する工程と、バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを位置合わせし搭載する工程と、導電性接着剤を硬化する工程と、封止樹脂を半導体素子と半導体キャリアとの間に形成された隙間とその周辺部に注入する工程と、封止樹脂を硬化する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、バンプに導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な複数の段部を有する転写皿に導電性接着剤を積層し、複数枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に形成し、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給することを特徴とする。これにより、転写皿の段部の段数に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写皿上に形成することができるとともに、各々のブレードのレベルを変えることによっても異なる厚さの導電性接着剤の膜を形成することができることで、請求項１と同様の効果が得られる。
【００１６】
請求項４記載の半導体装置の製造装置は、半導体素子の周辺電極上に形成したバンプに転写ユニットにより導電性接着剤を転写して、バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを接続する半導体装置の製造装置であって、転写ユニットが、導電性接着剤を積層する転写皿と、この転写皿の表面に対し異なる隙間が形成されるように配置されて導電性接着剤の膜厚を調整する複数枚のブレードとを備えた。このように、転写ユニットが、導電性接着剤を積層する転写皿と、この転写皿の表面に対し異なる隙間が形成されるように配置されて導電性接着剤の膜厚を調整する複数枚のブレードとを備えているので、複数の異なる厚さの導電性接着剤の膜を形成することができる。このため、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、搭載する半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給することができる。
【００１７】
請求項５記載の半導体装置の製造装置は、半導体素子の周辺電極上に形成したバンプに転写ユニットにより導電性接着剤を転写して、バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを接続する半導体装置の製造装置であって、転写ユニットが、導電性接着剤を積層する複数の段部を有する転写皿と、導電性接着剤の膜厚を調整する一枚のブレードとを備えた。このように、転写ユニットが、導電性接着剤を積層する複数の段部を有する転写皿と、導電性接着剤の膜厚を調整する一枚のブレードとを備えているので、複数の異なる厚さの導電性接着剤の膜を形成することができる。このため、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、搭載する半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
この発明の実施の形態を図１〜図７に基づいて説明する。
図１はこの発明の実施の形態の半導体装置における３素子が搭載されたＭＣＭの構造を示した断面図、図２はその平面図である。同図において、図２をＡ−Ｂで切ったときの接続部（Ａｕバンプ）構成を含む断面図が図１である。
【００１９】
図示するように、キャリア基板（半導体キャリア）４は上面に複数の配線電極６と底面に格子状に配列された外部電極（図示せず）とを有する絶縁性基体からなる。第一の半導体素子１、第二の半導体素子２、及び第三の半導体素子３の３つの半導体素子が１枚のキャリア基板４にフェイスダウンで搭載されており、この時それぞれの半導体素子の周辺電極であるＡｌ電極５とキャリア基板４の配線電極６とはＡｕバンプ７と導電性接着剤８を介して電気的に接続されている。さらに半導体素子１の導電性接着剤の量は、半導体素子３の導電性接着剤の量より少なくなっている。また、全ての半導体素子１，２，３とキャリア基板４の隙間及び半導体素子１，２，３の周辺には封止樹脂９が注入硬化され、半導体素子１，２，３を保護している。
【００２０】
次にこの実施の形態の３個の半導体素子が搭載されたＭＣＭの製造方法について図面を参照しながら説明する。図３と図４はこの実施の形態のＭＣＭの製造方法を示した工程図である。
まず図３（ａ）に示すように、第一の半導体素子１のＡｌ電極５にＡｕバンプ７を形成する。次に、転写皿１０上に導電性接着剤膜１１を形成する（図３（ｂ））。次に第一の半導体素子１をフェイスダウンで、導電性接着剤膜１１にＡｕバンプ７の一部を浸漬させ、Ａｕバンプ７上に第一の半導体素子１の素子電極の最小ピッチの実装に対応した最適な量の導電性接着剤１２を転写させる（図３（ｃ），（ｄ））。次に第一の半導体素子１上の導電性接着剤１２が供給されたＡｕバンプ７と、キャリア基板４上面の対応する配線電極６とを位置合わせし、キャリア基板４上の適正位置に第一の半導体素子１を搭載する（図３（ｅ））。
【００２１】
次に図４（ｆ）に示すように、第二の半導体素子２のＡｌ電極５にＡｕバンプ７を形成する。次に、転写皿１０上に導電性接着剤膜１１よりも厚い導電性接着剤膜１３を形成する（図４（ｇ））。次に第二の半導体素子２をフェイスダウンで、導電性接着剤膜１３にＡｕバンプ７の一部を浸漬させ、Ａｕバンプ７上に第二の半導体素子２の素子電極の最小ピッチの実装に対応した最適な量の導電性接着剤１４を転写させる（図４（ｈ），（ｉ））。
【００２２】
次に図５に示すように、第二の半導体素子２上の導電性接着剤１４が供給されたＡｕバンプ７と、キャリア基板４上面の対応する配線電極６とを位置合わせし、キャリア基板４上の適正位置に、第二の半導体素子２を搭載する（図５（ｊ））。第一の半導体素子１及び第二の半導体素子２の搭載と同様なプロセスで第三の半導体素子３をキャリア基板４に搭載後、熱硬化し、さらに搭載した３個の半導体素子に対し封止樹脂９を注入、硬化させる。このとき、封止樹脂９を半導体素子とキャリア基板４との間に形成された隙間とその周辺部に注入する。以上の工程により３個の半導体素子１，２，３を搭載したＭＣＭ１５が完成する（図５（ｋ））。
【００２３】
次に上記導電性接着剤を転写させる工程において、搭載する半導体素子の電極ピッチによって導電性接着剤の量を異ならせるために、転写皿上に形成する導電性接着剤膜の厚さを変化させる方法について説明する。
図６はこの実施の形態における３種類の膜厚を形成する転写ユニットについて示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）をＣ−Ｄで切ったときの断面図である。転写ユニットは、ドーナツ状で表面が平滑及び平坦な転写皿１６、この転写皿１６上の中央部に設置された回転モータ１７により転写を行うための膜面を形成する第一のブレード１８、第二のブレード１９、第三のブレード２０、導電性接着剤２３を常にかき混ぜて一旦膜面の平滑性を破壊する掻き取りブレード２１及び周囲に追いやられた導電性接着剤２３を集める掻き寄せブレード２２を備えている。第一のブレード１８，第二のブレード１９，第三のブレード２０は、転写皿１６の表面に対し異なる隙間ｈ_１，ｈ_２，ｈ_３が形成されるように配置されている。そして、転写皿１６上に導電性接着剤を積層し、第一のブレード１８、第二のブレード１９、第三のブレード２０、掻き取りブレード２１及び掻き寄せブレード２２を回転させ膜厚を形成及び調整する。この場合、ブレードを３枚付けることにより、３種類の異なる厚さの導電性接着剤の膜２３を１枚の転写皿１６上に形成することができる。なお、ブレードの枚数は２枚または３枚以上でもよい。
【００２４】
図７はこの実施の形態における３種類の膜厚を形成する転写ユニットの別の例について示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）をＥ−Ｆで切ったときの断面図である。転写ユニットは、図６と同様に回転モータ１７、掻き取りブレード２１及び掻き寄せブレード２２を備えているが、１枚のブレード２５で構成され、転写皿２４の形状が異なる。転写皿２４は表面が平坦な複数の段部２４ａ，２４ｂ，２４ｃを有する。そして、転写皿２４上に導電性接着剤を積層し、ブレード２５、掻き取りブレード２１及び掻き寄せブレード２２を回転させ膜厚を形成及び調整する。この場合、凹凸を形成した転写皿２４を用いることにより、１枚のブレード２５で異なる厚さの導電性接着剤の膜２３を形成することができる。なお、図６の転写ユニットにおいて図６のように複数枚のブレードを取付けてもよい。
【００２５】
以上、この実施の形態に示したように、搭載する半導体素子１の電極ピッチによって導電性接着剤８の量が異なっているので、粗いピッチの半導体素子に対してはキャリア基板４の反り等吸収させるのに十分な量の導電性接着剤８を確保することができる。また、導電性接着剤８の量が搭載する半導体素子１の素子電極の最小ピッチに対応して供給されているので、半導体素子１の実装において最適な量の導電性接着剤８を確保することができる。また、半導体素子１の電極ピッチが狭いほど導電性接着剤８の量が少なくすることにより、隣接間ショートを防ぐことができる。
【００２６】
また、Ａｕバンプ７に導電性接着剤１２，１４を供給する工程に際し、複数の異なる厚さの導電性接着剤の膜２３を形成し、Ａｕバンプ７の一部を導電性接着剤の膜２３に浸漬してＡｕバンプ７に導電性接着剤１２，１４を転写させることにより、搭載する半導体素子１，２の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤１２，１４を供給するので、同じ転写ユニット内の一枚の転写皿上で膜厚を変化させることができる。このため、Ａｕバンプと導電性接着剤を用いたＭＣＭの製造において、従来の設備、プロセス、及びシステムを用いて歩留まりのより高い生産を行うことができる。
【００２９】
【発明の効果】
この発明の請求項１記載の半導体装置の製造方法によれば、バンプに導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な転写皿に導電性接着剤を積層し、転写皿の表面に対し異なる隙間が形成されるように配置された複数枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に形成し、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬して前記バンプに導電性接着剤を転写させることにより、半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給するので、ブレードの枚数に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写皿上に形成することができることで、同じ転写ユニット内で膜厚を変化させることができる。このため、設備的にもプロセスフロー的にも従来と同じものを利用して、搭載する半導体素子の電極ピッチによって供給する導電性接着剤の量を調整することができ、その結果としてＭＣＭ全体の歩留りを大きく向上させることができる。
【００３０】
この発明の請求項２記載の半導体装置の製造方法によれば、バンプに導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な複数の段部を有する転写皿に導電性接着剤を積層し、１枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に形成し、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給するので、転写皿の段部の段数に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写皿上に形成することができることで、請求項１と同様の効果が得られる。
この発明の請求項３記載の半導体装置の製造方法によれば、バンプに導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な複数の段部を有する転写皿に導電性接着剤を積層し、複数枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に形成し、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給するので、転写皿の段部の段数に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写皿上に形成することができるとともに、各々のブレードのレベルを変えることによっても異なる厚さの導電性接着剤の膜を形成することができることで、請求項１と同様の効果が得られる。
【００３１】
この発明の請求項４記載の半導体装置の製造装置によれば、転写ユニットが、導電性接着剤を積層する転写皿と、この転写皿の表面に対し異なる隙間が形成されるように配置されて導電性接着剤の膜厚を調整する複数枚のブレードとを備えているので、複数の異なる厚さの導電性接着剤の膜を形成することができる。このため、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、搭載する半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給することができる。
【００３２】
この発明の請求項５記載の半導体装置の製造装置によれば、転写ユニットが、導電性接着剤を積層する複数の段部を有する転写皿と、導電性接着剤の膜厚を調整する一枚のブレードとを備えているので、複数の異なる厚さの導電性接着剤の膜を形成することができる。このため、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、搭載する半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態の半導体装置の接続構造を示す断面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】この発明の実施の形態の半導体装置の製造方法の工程フロー断面図である。
【図４】図３の後の工程フロー断面図である。
【図５】図４の後の工程フロー断面図である。
【図６】（ａ）はこの発明の実施の形態における膜厚調整を行う転写ユニットの平面図、（ｂ）はそのＣ−Ｄ断面図である。
【図７】（ａ）はこの発明の実施の形態における膜厚調整行う転写ユニットの別の例の平面図、（ｂ）はそのＥ−Ｆ断面図である。
【図８】従来のＭＣＭの構造を示す断面図である。
【図９】図８の平面図である。
【図１０】従来のＭＣＭの製造プロセスを示す工程フロー断面図である。
【図１１】図１０の後の工程フロー断面図である。
【図１２】（ａ）は従来のＭＣＭの製造プロセスにおける膜厚調整を行う転写ユニットの平面図、（ｂ）はその断面図である。
【符号の説明】
１第一の半導体素子
２第二の半導体素子
３第三の半導体素子
４キャリア基板
５Ａｌ電極
６キャリア基板の配線電極
７Ａｕバンプ
８導電性接着剤
９封止樹脂
１０転写皿
１１導電性接着剤膜
１２導電性接着剤
１３導電性接着剤膜
１４導電性接着剤
１５ＭＣＭ
１６転写皿
１７回転ユニット
１８第一のブレード
１９第二のブレード
２０第三のブレード
２１掻き取りブレード
２２掻き寄せブレード
２３導電性接着剤膜
２４転写皿
２５ブレード
２７半導体素子
２８半導体素子
２９半導体素子
３０キャリア
３１導電性接着剤
３２Ａｕバンプ
３３キャリア電極
３４封止樹脂
３５素子電極
３６転写膜
３７導電性接着剤膜
３８導電性接着剤
３９転写皿
４０ブレード
４１掻き取りブレード
４２掻き寄せブレード
４３回転ユニット
４４導電性接着剤膜[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention protects an integrated circuit portion of a semiconductor element, stably secures an electrical connection between an external device and a semiconductor element, and further enables mounting at the highest density (hereinafter referred to as MCM). In particular, the present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using Au bumps and a conductive adhesive for connection between a semiconductor element and a carrier.
[0002]
[Prior art]
In recent years, as one means for mounting semiconductor devices at high density, studies have been made on mounting a plurality of semiconductor elements on one carrier to form one device (MCM).
Hereinafter, a conventional method for manufacturing an MCM using Au bumps and a conductive adhesive will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a cross-sectional view showing the connection between a MCM semiconductor element electrode and a carrier electrode using a conventional Au bump and a conductive adhesive, and FIG. 9 is a plan view thereof.
[0003]
As shown in the drawing, a plurality of different semiconductor elements 27, 28, and 29 are mounted on the same carrier 30, but the same amount of conductive adhesive 31 is used regardless of the electrode pitch of the mounted semiconductor elements 27, 28, and 29. The Au bump 32 and the carrier electrode 33 are connected. In addition, a sealing resin 34 exists in the gap between the semiconductor elements 27, 28, 29 and the carrier 30 and around the semiconductor elements 27, 28, 29. In this case, in order to prevent a short circuit between adjacent ones, the amount of the conductive adhesive 31 of all the mounted semiconductor elements 27, 28, 29 is the largest electrode pitch among the mounted semiconductor elements 27, 28, 29. It depends on the narrow semiconductor element. Further, in the flip chip method using a conductive adhesive, generally, the smaller the amount of the conductive adhesive, the harder it is to absorb carrier warpage and undulation, so the mounting yield tends to be low.
[0004]
Next, an MCM manufacturing method using a conventional Au bump and a conductive adhesive will be described with reference to the drawings. 10 and 11 are cross-sectional views showing a conventional MCM manufacturing method according to processes.
First, as shown in FIG. 10, Au bumps 32 are formed on the electrodes 35 of the semiconductor element 27 (FIG. 10A). Next, a film 37 of a conductive adhesive having a smooth surface having a certain thickness is formed on a transfer plate 36 having a flat and smooth surface (FIG. 10B). The Au bumps 32 of the semiconductor element 27 are immersed face down in the conductive adhesive film 37, and the conductive adhesive 38 is transferred to the Au bumps 32 (FIGS. 10C and 10D). Next, the semiconductor element 27 having the conductive adhesive 38 transferred to the Au bump 32 is positioned and mounted on the carrier 30 to be mounted (FIG. 10E). Further, as shown in FIG. 11, the semiconductor elements 27, 28, and 29 are mounted on one carrier 30 by repeating FIGS. 10A to 10E for the remaining semiconductor elements 28 and 29. The conductive adhesive 38 is cured in an oven or the like (FIG. 11 (f)). Since all of the plurality of semiconductor elements 27, 28, and 29 mounted at this time are mounted using one mounting machine having one transfer unit, the amount of the conductive adhesive 38 transferred is all The same applies to the semiconductor elements 27, 28 and 29. Next, the insulating resin 34 is poured into the gaps between the semiconductor elements 27, 28, 29 and the carrier 30 and the peripheral portions of the semiconductor elements 27, 28, 29 to be thermally cured (FIG. 11G).
[0005]
Next, formation of a conductive adhesive film for performing conventional transfer will be described. FIG. 12 is a simple schematic diagram for explaining a conventional transfer unit. (A) is a top view, (b) is sectional drawing when (a) is cut by GH.
A transfer plate 39 having a flat and smooth surface, a blade 40 for adjusting the film thickness, a scraping blade 41 that temporarily destroys the smoothness of the film surface, and a scraping blade 42 that collects the conductive adhesive driven to the periphery. The conductive adhesive film 44 having a necessary thickness is formed by controlling the height of the blade 40. In this case, the conductive adhesive film 44 having different thicknesses cannot be formed unless the height of the blade 40 is changed for each rotation.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, conventionally, the same transfer unit is used for transfer of the conductive adhesive to all the semiconductor elements to be mounted, and the transfer film (conductivity of the transfer unit only with one blade having a fixed height). Therefore, the conductive adhesive is transferred with the same film thickness to all the semiconductor elements to be mounted. In this case, the amount of conductive adhesive to be transferred is the same for all the semiconductor elements to be mounted, and the amount must be matched to the semiconductor element having the narrowest electrode pitch. In addition, when including a semiconductor device with a narrow pitch, it is necessary to limit the conductive adhesive to be transferred. Therefore, other semiconductor devices with a large pitch are produced with a small transfer amount. since the amount of sex adhesive is enough to absorb the warpage and undulation of the carrier becomes pleasure Dzu less, there is a problem that mounting the yield is lowered.
[0007]
Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-described conventional problem, and to supply an amount of conductive adhesive corresponding to the electrode pitch of a semiconductor element, and to mount an MCM without reducing the mounting yield. A semiconductor device manufacturing method and a manufacturing apparatus are provided.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
The method according to claim 1, wherein the present invention to solve the conventional problem, a process of supplying a step of forming a bump on the peripheral electrode of the semiconductor element, a conductive adhesive to the bump, VA amplifier And a step of aligning and mounting the corresponding electrode on the upper surface of the semiconductor carrier, a step of curing the conductive adhesive, and a gap formed between the semiconductor element and the semiconductor carrier and the periphery thereof. A method of manufacturing a semiconductor device including a step of injecting and a step of curing a sealing resin, wherein a conductive adhesive is laminated on a transfer dish having a flat surface in a step of supplying a conductive adhesive to a bump. By adjusting the film thickness with a plurality of blades arranged so that different gaps are formed on the surface of the transfer plate, conductive adhesive films with different thicknesses are formed on the transfer plate and bumps Part of the conductive adhesive film By immersing the transferring the conductive adhesive to the bump, and supplying different amounts of the conductive adhesive by the electrode pitch of the semiconductor device.
[0012]
In this way, in the step of supplying the conductive adhesive to the bumps, the conductive adhesive is laminated on the transfer dish having a flat surface, and a plurality of sheets are arranged so that different gaps are formed on the surface of the transfer dish. By adjusting the film thickness with the blade, conductive adhesive films with different thicknesses are formed on the transfer dish, and a part of the bumps are immersed in the conductive adhesive film and conductively bonded to the bumps. By transferring the agent, different amounts of the conductive adhesive are supplied depending on the electrode pitch of the semiconductor element. Therefore, a plurality of thicknesses of the conductive adhesive film corresponding to the number of blades are formed on one transfer plate. Since it can be formed , the film thickness can be changed in the same transfer unit. For this reason, the amount of the conductive adhesive to be supplied can be adjusted according to the electrode pitch of the semiconductor element to be mounted by using the same as the conventional one in terms of equipment and process flow. As a result, the entire MCM can be adjusted. Yield can be greatly improved.
[0014]
3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2 , wherein a step of forming a bump on the peripheral electrode of the semiconductor element, a step of supplying a conductive adhesive to the bump, and a corresponding electrode on the upper surface of the semiconductor carrier are positioned. The step of combining and mounting, the step of curing the conductive adhesive, the step of injecting the sealing resin into the gap formed between the semiconductor element and the semiconductor carrier and the periphery thereof, and the step of curing the sealing resin And a step of supplying a conductive adhesive to the bump, wherein the conductive adhesive is laminated on a transfer plate having a plurality of steps having a flat surface, and one blade By adjusting the film thickness, the conductive adhesive film of different thickness is formed on the transfer dish, and the conductive adhesive is transferred to the bump by immersing a part of the bump in the conductive adhesive film. Electrode pin of the semiconductor element. And supplying the different amount of conductive adhesive by. Thus, a plurality of thicknesses of the conductive adhesive film corresponding to the number of steps of the transfer plate can be formed on one transfer plate, so that the same effect as in claim 1 can be obtained. .
[0015]
A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3 , wherein a step of forming a bump on the peripheral electrode of the semiconductor element, a step of supplying a conductive adhesive to the bump, and a corresponding electrode on the upper surface of the semiconductor carrier are positioned. The step of combining and mounting, the step of curing the conductive adhesive, the step of injecting the sealing resin into the gap formed between the semiconductor element and the semiconductor carrier and the periphery thereof, and the step of curing the sealing resin A step of supplying a conductive adhesive to the bumps, wherein the conductive adhesive is laminated on a transfer plate having a plurality of steps having a flat surface, and a plurality of blades By adjusting the film thickness, the conductive adhesive film of different thickness is formed on the transfer dish, and the conductive adhesive is transferred to the bump by immersing a part of the bump in the conductive adhesive film. The electrode pin of the semiconductor element. And supplying the different amount of conductive adhesive by Ji. As a result, a plurality of thicknesses of the conductive adhesive film corresponding to the number of steps of the transfer plate can be formed on one transfer plate, and the level varies depending on the level of each blade. An effect similar to that of the first aspect can be obtained by forming a film of conductive adhesive having a thickness.
[0016]
5. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 4 , wherein a conductive adhesive is transferred to a bump formed on a peripheral electrode of a semiconductor element by a transfer unit to connect the bump and a corresponding electrode on the upper surface of the semiconductor carrier. The transfer unit is arranged so that different gaps are formed between the transfer dish on which the conductive adhesive is laminated and the surface of the transfer dish, and the film thickness of the conductive adhesive is adjusted. And a plurality of blades. As described above, the transfer unit is arranged so that a different gap is formed with respect to the transfer dish on which the conductive adhesive is laminated and the surface of the transfer dish, and the thickness of the conductive adhesive is adjusted. Since the blade is provided, a plurality of conductive adhesive films having different thicknesses can be formed. For this reason, by immersing a part of the bump in a film of conductive adhesive and transferring the conductive adhesive to the bump, it is possible to supply different amounts of conductive adhesive depending on the electrode pitch of the semiconductor element to be mounted. it can.
[0017]
6. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 5 , wherein a conductive adhesive is transferred to a bump formed on a peripheral electrode of a semiconductor element by a transfer unit to connect the bump and a corresponding electrode on the upper surface of the semiconductor carrier. The transfer unit was provided with a transfer dish having a plurality of steps for laminating the conductive adhesive, and a single blade for adjusting the film thickness of the conductive adhesive. As described above, since the transfer unit includes a transfer plate having a plurality of steps for laminating the conductive adhesive and one blade for adjusting the film thickness of the conductive adhesive, the transfer unit has a plurality of different thicknesses. A conductive adhesive film can be formed. For this reason, by immersing a part of the bump in a film of conductive adhesive and transferring the conductive adhesive to the bump, it is possible to supply different amounts of conductive adhesive depending on the electrode pitch of the semiconductor element to be mounted. it can.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of an MCM on which three elements are mounted in a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view thereof. FIG. 1 is a cross-sectional view including a connection portion (Au bump) configuration when FIG. 2 is cut along AB in FIG.
[0019]
As shown in the figure, the carrier substrate (semiconductor carrier) 4 is made of an insulating substrate having a plurality of wiring electrodes 6 on the top surface and external electrodes (not shown) arranged in a lattice pattern on the bottom surface. The first semiconductor element 1, the second semiconductor element 2, and is mounted in a face-down third three semiconductor elements of the semiconductor element 3 on one carrier substrate 4, near the time the semiconductor devices The Al electrode 5 which is an electrode and the wiring electrode 6 of the carrier substrate 4 are electrically connected via an Au bump 7 and a conductive adhesive 8. Further, the amount of the conductive adhesive of the semiconductor element 1 is smaller than the amount of the conductive adhesive of the semiconductor element 3. A sealing resin 9 is injected and cured in the gaps between all the semiconductor elements 1, 2, 3 and the carrier substrate 4 and around the semiconductor elements 1, 2, 3 to protect the semiconductor elements 1, 2, 3. .
[0020]
Next, a method for manufacturing an MCM on which three semiconductor elements of this embodiment are mounted will be described with reference to the drawings. 3 and 4 are process diagrams showing the method of manufacturing the MCM according to this embodiment.
First, as shown in FIG. 3A, Au bumps 7 are formed on the Al electrodes 5 of the first semiconductor element 1. Next, the conductive adhesive film 11 is formed on the transfer plate 10 (FIG. 3B). Next, the first semiconductor element 1 is face-down, a part of the Au bump 7 is immersed in the conductive adhesive film 11, and the element electrode of the first semiconductor element 1 is mounted on the Au bump 7 with the minimum pitch. A corresponding optimum amount of the conductive adhesive 12 is transferred (FIGS. 3C and 3D). Next, the Au bump 7 supplied with the conductive adhesive 12 on the first semiconductor element 1 and the corresponding wiring electrode 6 on the upper surface of the carrier substrate 4 are aligned, and the first is placed at an appropriate position on the carrier substrate 4. The semiconductor element 1 is mounted (FIG. 3E).
[0021]
Next, as shown in FIG. 4 (f), Au bumps 7 are formed on the Al electrodes 5 of the second semiconductor element 2. Next, a conductive adhesive film 13 thicker than the conductive adhesive film 11 is formed on the transfer dish 10 (FIG. 4G). Next, the second semiconductor element 2 is face-down, a part of the Au bump 7 is immersed in the conductive adhesive film 13, and the element electrode of the second semiconductor element 2 is mounted on the Au bump 7 with the minimum pitch. A corresponding optimum amount of the conductive adhesive 14 is transferred (FIGS. 4H and 4I).
[0022]
Next, as shown in FIG. 5, the Au bump 7 supplied with the conductive adhesive 14 on the second semiconductor element 2 and the corresponding wiring electrode 6 on the upper surface of the carrier substrate 4 are aligned, and the carrier substrate 4 The second semiconductor element 2 is mounted at the appropriate position above (FIG. 5 (j)). The third semiconductor element 3 is mounted on the carrier substrate 4 in the same process as the mounting of the first semiconductor element 1 and the second semiconductor element 2, and then thermally cured, and further sealed for the three mounted semiconductor elements. Resin 9 is injected and cured. At this time, the sealing resin 9 is injected into the gap formed between the semiconductor element and the carrier substrate 4 and its peripheral portion. The MCM 15 on which the three semiconductor elements 1, 2, 3 are mounted is completed through the above steps (FIG. 5 (k)).
[0023]
Next, in the step of transferring the conductive adhesive, the thickness of the conductive adhesive film formed on the transfer dish is changed in order to vary the amount of the conductive adhesive depending on the electrode pitch of the semiconductor element to be mounted. A method will be described.
6A and 6B show a transfer unit for forming three types of film thicknesses in this embodiment. FIG. 6A is a plan view, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line CD. The transfer unit includes a doughnut-shaped transfer plate 16 having a smooth and flat surface, a first blade 18 that forms a film surface for transfer by a rotary motor 17 installed at the center of the transfer plate 16, The second blade 19, the third blade 20, and the conductive adhesive 23 are always stirred to scrape the blade 21 that destroys the smoothness of the film surface once and the scraping blade 22 that collects the conductive adhesive 23 driven to the periphery. It has. The first blade 18, the second blade 19, and the third blade 20 are arranged so that different gaps h ₁ , h ₂ , and h ₃ are formed with respect to the surface of the transfer dish 16. Then, a conductive adhesive is laminated on the transfer plate 16, and the first blade 18, the second blade 19, the third blade 20, the scraping blade 21 and the scraping blade 22 are rotated to form a film thickness. adjust. In this case, by attaching three blades, three types of conductive adhesive films 23 having different thicknesses can be formed on one transfer tray 16. The number of blades may be two or three or more.
[0024]
FIGS. 7A and 7B show another example of a transfer unit that forms three types of film thicknesses in this embodiment. FIG. 7A is a plan view, and FIG. 7B is a cross-sectional view of FIG. It is. The transfer unit includes the rotary motor 17, the scraping blade 21, and the scraping blade 22 as in FIG. 6, but is composed of one blade 25, and the shape of the transfer tray 24 is different. The transfer plate 24 has a plurality of step portions 24a, 24b, and 24c having a flat surface. Then, a conductive adhesive is stacked on the transfer plate 24, and the blade 25, the scraping blade 21 and the scraping blade 22 are rotated to form and adjust the film thickness. In this case, it is possible to form the conductive adhesive films 23 having different thicknesses with a single blade 25 by using the transfer dish 24 having irregularities. In the transfer unit shown in FIG. 6, a plurality of blades may be attached as shown in FIG.
[0025]
As described above, since the amount of the conductive adhesive 8 differs depending on the electrode pitch of the semiconductor element 1 to be mounted as shown in this embodiment, the carrier substrate 4 absorbs warp or the like with respect to the semiconductor element with a coarse pitch. A sufficient amount of the conductive adhesive 8 can be secured. Further, since the amount of the conductive adhesive 8 is supplied corresponding to the minimum pitch of the element electrodes of the semiconductor element 1 to be mounted, the optimal amount of the conductive adhesive 8 is ensured in the mounting of the semiconductor element 1. Can do. In addition, the shorter the electrode pitch of the semiconductor element 1, the smaller the amount of the conductive adhesive 8, thereby preventing an adjacent short circuit.
[0026]
Further, in the process of supplying the conductive adhesives 12 and 14 to the Au bump 7, a plurality of conductive adhesive films 23 having different thicknesses are formed, and a part of the Au bump 7 is partially transferred to the conductive adhesive film 23. Since the conductive adhesives 12 and 14 are transferred to the Au bumps 7 by being immersed in the substrate, different amounts of the conductive adhesives 12 and 14 are supplied depending on the electrode pitch of the semiconductor elements 1 and 2 to be mounted. The film thickness can be changed on one transfer tray. For this reason, in the manufacture of MCM using Au bumps and a conductive adhesive, production with higher yield can be performed using conventional equipment, processes, and systems.
[0029]
【The invention's effect】
According to the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1 of the present invention, in providing a conductive adhesive to the bump, the surface is laminated a conductive adhesive to a flat transfer plates, the surface of the transfer tray By adjusting the film thickness with multiple blades arranged so that different gaps are formed, conductive adhesive films with different thicknesses are formed on the transfer dish, and part of the bumps are conductively bonded by transferring the conductive adhesive to the bump by immersing the film of adhesive, since the supply of different amounts of the conductive adhesive by the electrode pitch of the semiconductor device, the plurality corresponding to the number of the blade thickness of the conductive Since the film of the adhesive agent can be formed on one transfer dish , the film thickness can be changed in the same transfer unit. For this reason, the amount of the conductive adhesive to be supplied can be adjusted according to the electrode pitch of the semiconductor element to be mounted by using the same as the conventional one in terms of equipment and process flow. As a result, the entire MCM can be adjusted. Yield can be greatly improved.
[0030]
According to the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2 of the present invention, in the step of supplying the conductive adhesive to the bumps, the conductive adhesive is laminated on a transfer plate having a plurality of stepped portions with a flat surface, By adjusting the film thickness with a single blade, conductive adhesive films with different thicknesses are formed on the transfer dish, and a part of the bump is immersed in the conductive adhesive film to make the bump conductive. By transferring the adhesive, different amounts of the conductive adhesive are supplied depending on the electrode pitch of the semiconductor element. Therefore, one conductive adhesive film having a plurality of thicknesses corresponding to the number of steps of the transfer dish is provided. The effect similar to that of the first aspect can be obtained .
According to the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 3 of the present invention, in the step of supplying the conductive adhesive to the bumps, the conductive adhesive is laminated on a transfer plate having a plurality of steps having a flat surface, By adjusting the film thickness with multiple blades, conductive adhesive films with different thicknesses are formed on the transfer pan, and part of the bumps are immersed in the conductive adhesive film to make the bumps conductive. By transferring the adhesive, different amounts of the conductive adhesive are supplied depending on the electrode pitch of the semiconductor element. Therefore, one conductive adhesive film having a plurality of thicknesses corresponding to the number of steps of the transfer dish is provided. In addition, the conductive adhesive film having different thicknesses can be formed by changing the level of each blade, thereby obtaining the same effect as in the first aspect. It is done .
[0031]
According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the fourth aspect of the present invention, the transfer unit is arranged so that a different gap is formed between the transfer dish on which the conductive adhesive is laminated and the surface of the transfer dish. Since a plurality of blades for adjusting the thickness of the conductive adhesive is provided, a plurality of conductive adhesive films having different thicknesses can be formed. For this reason, by immersing a part of the bump in a film of conductive adhesive and transferring the conductive adhesive to the bump, it is possible to supply different amounts of conductive adhesive depending on the electrode pitch of the semiconductor element to be mounted. it can.
[0032]
According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the fifth aspect of the present invention, the transfer unit includes a transfer plate having a plurality of steps for laminating the conductive adhesive, and one sheet for adjusting the film thickness of the conductive adhesive. Therefore, it is possible to form a plurality of conductive adhesive films having different thicknesses. For this reason, by immersing a part of the bump in a film of conductive adhesive and transferring the conductive adhesive to the bump, it is possible to supply different amounts of conductive adhesive depending on the electrode pitch of the semiconductor element to be mounted. it can.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view showing a connection structure of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a process flow sectional view of the method for manufacturing the semiconductor device according to the embodiment of the present invention;
4 is a process flow cross-sectional view subsequent to FIG. 3; FIG.
FIG. 5 is a process flow cross-sectional view subsequent to FIG. 4;
6A is a plan view of a transfer unit for adjusting the film thickness according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a CD cross-sectional view thereof.
7A is a plan view of another example of a transfer unit for adjusting the film thickness according to an embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional MCM.
9 is a plan view of FIG. 8. FIG.
FIG. 10 is a process flow sectional view showing a manufacturing process of a conventional MCM.
FIG. 11 is a process flow cross-sectional view after FIG. 10;
12A is a plan view of a transfer unit for adjusting the film thickness in a conventional MCM manufacturing process, and FIG. 12B is a cross-sectional view thereof.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st semiconductor element 2 2nd semiconductor element 3 3rd semiconductor element 4 Carrier substrate 5 Al electrode 6 Wiring electrode 7 of carrier substrate Au bump 8 Conductive adhesive 9 Sealing resin 10 Transfer tray 11 Conductive adhesive Film 12 Conductive adhesive 13 Conductive adhesive film 14 Conductive adhesive 15 MCM
16 Transfer tray 17 Rotating unit 18 First blade 19 Second blade 20 Third blade 21 Scraping blade 22 Scraping blade 23 Conductive adhesive film 24 Transfer tray 25 Blade 27 Semiconductor element 28 Semiconductor element 29 Semiconductor element 30 Carrier 31 Conductive adhesive 32 Au bump 33 Carrier electrode 34 Sealing resin 35 Element electrode 36 Transfer film 37 Conductive adhesive film 38 Conductive adhesive 39 Transfer dish 40 Blade 41 Scraping blade 42 Scraping blade 43 Rotating unit 44 Conductive adhesive film

Claims

Forming a bump on the peripheral electrode of the semiconductor element; supplying a conductive adhesive to the bump; aligning and mounting the bump and a corresponding electrode on the upper surface of the semiconductor carrier; and the conductive A semiconductor device including a step of curing an adhesive, a step of injecting a sealing resin into a gap formed between the semiconductor element and the semiconductor carrier and its peripheral portion, and a step of curing the sealing resin In the method of supplying the conductive adhesive to the bumps, the conductive adhesive is laminated on a transfer dish having a flat surface, and different gaps are formed on the surface of the transfer dish. By adjusting the film thickness with a plurality of blades arranged in such a manner, films of the conductive adhesive having different thicknesses are formed on the transfer dish, and a part of the bumps is formed on the conductive adhesive. Immerse it in the membrane and By transferring the conductive adhesive to flop, a method of manufacturing a semiconductor device, characterized by supplying the conductive adhesive different amount by the electrode pitch of the semiconductor device.

Forming a bump on the peripheral electrode of the semiconductor element; supplying a conductive adhesive to the bump; aligning and mounting the bump and a corresponding electrode on the upper surface of the semiconductor carrier; and the conductive A semiconductor device including a step of curing an adhesive, a step of injecting a sealing resin into a gap formed between the semiconductor element and the semiconductor carrier and its peripheral portion, and a step of curing the sealing resin In the step of supplying the conductive adhesive to the bump, and laminating the conductive adhesive on a transfer dish having a plurality of steps having a flat surface, and film thickness with one blade The conductive adhesive film of different thickness is formed on the transfer plate by adjusting the thickness of the conductive adhesive to the bump by immersing a part of the bump in the conductive adhesive film. By transferring the agent The method of manufacturing a semiconductor device, characterized by supplying the conductive adhesive different amount by the electrode pitch of the semiconductor device.

Forming a bump on the peripheral electrode of the semiconductor element; supplying a conductive adhesive to the bump; aligning and mounting the bump and a corresponding electrode on the upper surface of the semiconductor carrier; and the conductive A semiconductor device including a step of curing an adhesive, a step of injecting a sealing resin into a gap formed between the semiconductor element and the semiconductor carrier and its peripheral portion, and a step of curing the sealing resin In the step of supplying the conductive adhesive to the bump, laminating the conductive adhesive on a transfer dish having a plurality of steps having a flat surface, and forming a film thickness with a plurality of blades The conductive adhesive film of different thickness is formed on the transfer plate by adjusting the thickness of the conductive adhesive to the bump by immersing a part of the bump in the conductive adhesive film. By transferring the agent A method of manufacturing a semiconductor device, characterized by supplying the conductive adhesive different amount by the electrode pitch of the semiconductor device.

A semiconductor device manufacturing apparatus for transferring a conductive adhesive to a bump formed on a peripheral electrode of a semiconductor element by a transfer unit and connecting the bump and a corresponding electrode on an upper surface of a semiconductor carrier, the transfer unit comprising: , with a transfer tray for stacking the conductive adhesive, and a plurality of blades for adjusting the thickness of the conductive adhesive disposed in such a gap that is different with respect to the surface of the transfer tray is formed Semiconductor device manufacturing equipment.

A semiconductor device manufacturing apparatus for transferring a conductive adhesive to a bump formed on a peripheral electrode of a semiconductor element by a transfer unit and connecting the bump and a corresponding electrode on an upper surface of a semiconductor carrier, the transfer unit comprising: , a transfer tray having a plurality of step portions for laminating the conductive adhesive, apparatus for manufacturing a semiconductor device including a single blade to adjust the thickness of the conductive adhesive.