JP3617793B2

JP3617793B2 - はんだ付け方法およびはんだ付け装置

Info

Publication number: JP3617793B2
Application number: JP18704099A
Authority: JP
Inventors: 邦明高橋; 秀典田中
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Digital Media Engineering Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Development and Engineering Corp
Priority date: 1999-06-30
Filing date: 1999-06-30
Publication date: 2005-02-09
Anticipated expiration: 2019-06-30
Also published as: JP2001015903A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、はんだ付け方法およびはんだ付け装置に係り、特に無鉛はんだによるフローはんだ付けに最適なはんだ付け方法およびはんだ付け装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＶＬＳＩの高集積化が限りなく進み現在では、集積度６４Ｍバイトから１２５ＭバイトＶＬＳＩの量産化が間近である。このように高集積化されることは、ＶＬＳＩの電極パッドまたは電極リードの本数が、限られた面積に著しく増加することであり、１本の電極リードから見ると、例えば回路基板にＣＳＰ実装した場合、実装面積やはんだ付け部の容積が著しく減少することを意味している。
【０００３】
すなわち、高集積化される都度、より強固なはんだ付け技術が要求されることになる。このはんだ付け部に対してはさらに、ＶＬＳＩ素子の高集積化により、動作時ＶＬＳＩパッケージ内の温度上昇も大きく、この熱伝達径路構成部品のＸ−Ｙ面内熱膨張係数が大きく異なり、その応力がはんだ付け部に集中する。さらに、回路基板などに物理的応力がかかると、この物理的応力もはんだ付け部に集中する。
【０００４】
他方、はんだ付けのはんだ材料は、鉛による地下水汚染の問題がクローズアップされている。これら公害対策から電子部品の実装に用いるはんだもこれまでの有鉛はんだから無鉛はんだへの切り替えが要求されている。
【０００５】
しかし、無鉛はんだは、有鉛はんだたとえばＳｎ−Ｐｂ共晶はんだよりも液相点が高く、はんだ付け温度も上昇する傾向にある。したがって、はんだ付け後の冷却時間も従来より長時間となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のように形成されたはんだ付け法ではこのはんだ付け部にクラックが入り、強固なはんだ付けが出来ていない場合があった。即ち、接続信頼性が悪い課題があった。
【０００７】
この発明者は無鉛はんだの接続信頼性の高いはんだ付けの実用化について開発している。無鉛はんだの一例として、たとえばＳｎに第３添加物以上を入れた多元合金無鉛はんだにおいては、はんだ付け後の冷却時間が長いと、例えば、Ｂｉを添加した無鉛はんだの場合、Ｂｉが例えば１％でもあれば、序冷工程において、ＳｎとＢｉで冷却速度が異なるため、はんだが凝固する時にリフトオフ現象（フィレットリフテイング）を起こし、はんだにクラックが入ったような離れる症状が発生することを見出した。
【０００８】
Ｂｉのような添加元素は、偏析や、租化しやすく、スルーホール部品におけるリフトオフ現象の発生原因となっていると思われる。このようなリフトオフ現象は、フローはんだ付けプロセスのように、はんだ付け面が片面のみの場合、顕著に現れる。すなわち、回路基板の片面のみに、高温の溶融はんだ液に接触する。他方面は、はんだ液に対接せず、高温度のはんだ付け部を有してないため、表裏両面間非対象な温度状態となる。このため、フロー型はんだ付けにおいて、リフトオフ現象が顕著に発生することが判った。
【０００９】
このように無鉛はんだの実用は、上記した高集積化されるＶＬＳＩ素子実装の上記課題とも重なり、はんだ付け実装において重要な課題である。
【００１０】
この発明は上記点に鑑みなされたもので、リフトオフ現象の発生を防止した強固なはんだ付け方法およびはんだ付け装置を提供するものである。すなわち、すなわち、はんだ付け後の冷却プロセスを強制的に急冷することにより、冷却速度の異なる材料からなる無鉛はんだでも、強固なはんだ付けのできるはんだ付け方法およびはんだ付け装置を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明のはんだ付け方法は、請求項１に記載されているように、回路基板のはんだ付け面をそれぞれ冷却速度の異なる多元合金材料から構成されたはんだ液に対接させて、２３０℃乃至２６０℃のはんだ付け温度ではんだ付け処理する工程と、このはんだ付け処理された上記回路基板の両面を温度が２０℃乃至１２０℃のＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）系、ＰＦＣ（パーフルオロカーボン）系のうち少なくとも１種の冷媒への浸漬により冷却する工程とを具備してなることを特徴としている。
【００１４】
この発明のはんだ付け方法は、請求項２に記載されているように、請求項１のはんだ付け方法において、はんだ付けは無鉛はんだによるフローはんだ付けであることを特徴としている。
【００１６】
この発明のはんだ付け装置は、請求項３に記載されているように、回路基板のはんだ付け面をそれぞれ冷却速度の異なる多合金材料から構成されたはんだ液に対接させて、２３０℃乃至２６０℃のはんだ付け温度ではんだ付け処理するはんだ付け部と、このはんだ付け部ではんだ付け処理された上記回路基板の両面を温度が２０℃乃至１２０℃のＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）系、ＰＦＣ（パーフルオロカーボン）系のうち少なくとも１種の冷媒への浸漬により冷却する冷却部とを具備してなることを特徴としている。
【００２１】
【発明の実施の形態】
実施形態１
次に、図１を参照して本発明のはんだ付け方法をフロー型はんだ付け方法に適用した実施形態を説明する。図１は、フローはんだ付け方法を工程順に示すフローチャートである。被加工体たとえば回路基板はフラックス塗布工程１でこの基板のはんだ付け面にはんだ付けのためのフラックスを均一に塗布する。フラックスの塗布が終了した回路基板はプレヒート工程２で、はんだ付けのための準備温度例えばはんだ付け温度より１００℃程度低温度にプレヒートされて、はんだ付け工程３へ搬送する。
【００２２】
この工程３は無鉛はんだたとえばＳｎ−Ｂｉ系無鉛はんだが溶融されたはんだ槽でフローはんだ付け例えば多段フロー方式はんだ付けを温度たとえば２５０℃ではんだ付けをする。フローはんだ付けの終了した回路基板を冷却工程４に搬送して、２０℃〜１２０℃のうち予め選択された温度に温調された冷媒液中に浸漬させて、回路基板の表裏面同時に急速に冷却する。冷却された回路基板を洗浄工程へ搬送してフラックスなどの残さがあれば回路基板を洗浄する。このようにしてフローはんだ付けプロセスを終了する。このように、フローはんだ付け後、急冷したはんだ付けはリフトオフ現象の発生を防止できる。
【００２３】
次に、図２乃至図４のフローはんだ付け装置を参照してはんだ付け方法をさらに具体的に説明する。図２はフロー型はんだ付け装置の一実施形態を説明するための図で、はんだ付け後冷媒の液槽に浸漬して冷却する実施形態の説明図である。図３は、フロー型はんだ付け装置の一実施形態を説明するための図で、はんだ付け後冷媒をスプレーして冷却する実施形態の説明図である。図４は、フロー型はんだ付け装置の一実施形態を説明するための図で、はんだ付け後冷媒を噴流させて冷却する実施形態の説明図である。
【００２４】
実施形態２
先ず、図２の実施形態について説明する。クローズされた雰囲気を形成する囲い１１内には、被処理体たとえば回路基板を搬送する環状コンベアベルト１２が設けられている。このコンベアベルト１２は周知のもので図示しない回転ローラ間に張設されている。コンベア角度は水平型と傾斜型がありこの実施形態では、はんだの切れのよい傾斜型コンベアの例で傾斜角度は４度乃至８度の角度である。水平型コンベアの場合は回路基板１３をローデイングし易く、比較的接続信頼性がよいメリットがある。このコンベアベルト１２上に、はんだ付け工程を実行するための回路基板１３をオートロデイング例えばロボットハンドリングにより予め定められたプログラムにより順次載置する。すなわち、回路基板１３にマウンタによりＶＬＳＩ素子、コンデンサなど電子部品が装着され、接着剤により仮固定された状態で、上記ロボットハンドリングにより上記ベルト１２上に搬入される。搬入された回路基板１３は、フラクサ工程部１４にて、回路基板３の片面即ち、はんだ付け面上に液状フラックスを均一に塗布する。この塗布法は例えば噴霧法で均一に塗布する。即ち、フラクサ１４は、噴霧式フラックス塗布装置が均一塗布に良好である。
【００２５】
この塗布プロセスはベルト１２を停止して実行してもよいが、ベルト１２を停止させず走行状態で塗布してもよい。次に、ベルト１２により回路基板１３は搬送されて、プレヒート工程部１５に搬送される。このヒート工程部１５では、はんだ付け前の加熱を実行する。この温度は、はんだ付け温度のたとえば１／２程度の温度を選択する。この加熱手段は、たとえば表裏面側に面状ヒータ１６，１７を配置して、加熱する。
【００２６】
この加熱プロセスもベルト２を停止させて実行させてもよいし、走行状態で実施してもよい。ベルト１２を停止させた場合には、ヒータ１６，１７が上記基板３のサイズで処理できる。ベルト１２を停止させず。走行中に加熱する場合には、ヒータ１６，１７の長さを、所望する温度になる長さにする必要がある。または、ベルト１２の走行速度を選択して解決することもできる。準備加熱された回路基板１３は、はんだ付け工程部１８に搬入される。
【００２７】
即ち、無鉛はんだの溶融液１９で満たされたはんだ槽２０がベルト１２の位置より下方に設けられる。すなわち、搬送された回路基板１３下面に対してはんだ液が上方へ噴流する状態即ちフロー方式で、回路基板１３の下面が無鉛はんだの溶融液１９に対接する。このはんだ付け法は何れでも良く、多段フロー方式、ウエーブ方式、その他何れでもよい。勿論、回路基板１３への電子部品のはんだ付けリードの長さが充分な場合には、静止式はんだ付け法が最適である。
【００２８】
無鉛はんだの溶融液１９に対接した回路基板１３はコンベアベルト１２の走行により冷却工程部２５に搬入される。冷却工程部２５には冷媒液２７で満たされた冷媒槽２６が設けられている。この実施形態では、冷媒液２７中に回路基板１３を浸漬して急冷するプロセスの例である。この浸漬型冷却を可能にするよう
にベルト１２が敷設されている。冷媒槽２６中の冷媒液２７はパイプ２８を介して熱交換器２９に循環されている。
【００２９】
この熱交換器２９はたとえば加熱冷却機能を有し、循環する冷媒液２７を予め設定した温度に温度制御して、冷媒槽２６に返還する温度調整システムが構成されている。この冷却プロセスもベルト１２を停止させて冷却してもよいし、ベルト１２は走行状態で冷却してもよい。
【００３０】
回路基板１３を所望する温度に降温する。この冷却プロセス終了後必要に応じて洗浄した後、搬出する構成になっている。このようにしてフローはんだ付け装置２０が構成されている。このフローはんだ付け装置２０には温度センサ（図示せず）がセットされている。すなわち、プレヒート部５により加熱される回路基板１２の上昇温度を検知する感温センサたとえば熱電対が基板１３の設定位置に設けられる。基板１２の温度が設定温度になるのを検出し、コンピュータ（図示せず）に報知する。所定温度以上にならないようコンピュータにより制御し管理する。
【００３１】
さらに、はんだ付け工程部１８には、はんだ槽１０に温度センサがはんだ槽２０に設けられる。この温度センサの感知温度を上記コンピュータに報知する。無鉛はんだの溶融液１９の温度が予め設定された温度以上にならないよう、常に設定温度に上記コンピュータにより管理する。この温度管理は、適切な無鉛はんだ付けを可能とし、溶融液９の表面酸化を管理する面でも重要である。
【００３２】
さらにまた、冷却工程部２５に収容されている冷媒液２７の温度を感知するために冷媒槽２６に温度センサが設けられている。この温度センサの感知温度は上記コンピュータに常時入力され、２０℃〜１００℃内の予め設定した温度に管理している。たとえば、設定温度より高温になった場合には冷媒の循環速度が早くなるよう制御し、温度が設定温度より低温になった場合には、冷媒の循環速度を遅く制御して、常に設定温度に上記コンピュータにより制御、管理する。
【００３３】
実施形態３
次に、はんだ付けプロセスの実施形態を説明する。常時予め設定された速度で走行しているコンベアベルト１２に、被加工体たとえば電子部品が装着され接着剤例えばアクリル系接着剤により仮固定した回路基板１３を搬入する。上記ベルト１２の走行速度は０．５ｍ／分乃至２ｍ／分で最適実施例では０．７ｍ／分乃至１ｍ／分である。上記基板１３の搬入は上記コンピュータの制御によりロボットハンドリングにより自動的に、予め定められた位置に載置する。
【００３４】
ベルト１２によりローデイングされた回路基板１３はフラクサ工程部１４において、はんだのフラックスをたとえば噴霧法により、はんだ付け面に均一に塗布する。このフラックスは、温度１５℃乃至３０℃に予め温調することが均一塗布に適当である。即ち、回路基板１３のはんだ付け面たとえば下面にフラックス液を噴霧する。この噴霧は、ベルト１２を停止させることなく回路基板１３の走行中に塗布する。この塗布時間は１秒間乃至３・５秒間が適当である。
【００３５】
したがって、回路基板１３がフレクサ工程部１４にローデイングされたのを感知するセンサたとえばホトカプラにより感知し、この情報を上記コンピュータに入力して、このコンピュータによりフレクサ工程部１４を自動的に制御する。フラックスは、たとえばロジン系フラックス、水溶性フラックスなどである。フラックス塗布の目的は、化学的に活性の母材およびはんだ表面酸化の除去、母材に対する濡れ性のよいことなどである。
【００３６】
フラックスの塗布された回路基板１３はベルト１２によりローデイングされてプレヒート工程部１５に搬入する。このヒート工程部１５において、予め加熱されているヒータ１６、１７により表裏面同時に加熱する。一方面のみに熱線を照射しない。この加熱期間はベルト１３の通過期間である。
【００３７】
この期間に予め設定したプレヒート温度たとえば１５０℃に上昇するようにヒータ１６、１７の長さが設定されている。プレヒート温度ははんだ付け温度より１００℃程度低温度が望ましい。プレヒートに遠赤外線と温風併用にするとフラックス性能を向上させる効果がある。プレヒート時間は、３５秒間乃至１００秒間が適当である。
【００３８】
プレヒート温度に加熱された回路基板１３は、ベルト１２によりローデイングされて、はんだ付け工程部１８に搬入する。この搬入をセンサたとえばホトカプラにより検知すると、はんだ槽２０に満たされている無鉛はんだの溶融液１９に回路基板１３のはんだ付け面に対接する。このはんだ付けは、この実施形態ではフローはんだ付けで、片面のはんだ付けであるため、噴流はんだにより供給している。この他、ダブルウエーブ方式、スイングウエーブ方式、トリプルウエーブ方式などである。このはんだ付け工程は、ベルト１２を停止することなく、ベルト１２の走行期間内で実施する。無鉛はんだとしては、たとえば、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ系合金にＣｕ、Ｉｎを添加したＳｎ−Ｂｉ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金無鉛はんだである。
【００３９】
また、他の例として、Ｓｎ−Ａｇ系合金無鉛はんだで添加物として、１重量％〜５重量％のＡｇと、それぞれ０．１重量％〜１４重量％および０．１重量％〜１０重量％で両者の合計が１５重量％以下のＢｉおよびＩｎと、０．１重量％〜２重量％のＣｕとを含み残部がＳｎと不可避不純物からなる合金である。その他Ｓｎ−Ｓｂ系無鉛はんだなどである。無鉛はんだの溶融液１９の温度は、はんだ付け温度を選択するか、又は多少高温度を選択する。はんだ付け温度は、２３０℃乃至２６０℃たとえば２５０℃である。このはんだの凝固点は２０５℃である。このようにして、はんだ付け工程を終了した回路基板１３はベルト１２によりローデイングされて冷却工程部２５に搬入する。この冷却工程部２５に搬入されると、この搬入を感知たとえばホトカプラにより検知し、これを上記コンピュータに報知する。このコンピュータの管理により冷媒液２７の液温度を確認し、温度制御する。この温度はリフトオフ現象を回避する急冷温度としてはんだ付け温度の１／２以下の温度で望ましくは２５℃〜１２０℃の冷却温度が選択される。たとえば８０℃である。すなわち、２５０℃でのはんだ付けが終了した回路基板１３は、たとえば８０℃の冷媒液２７中にベルトハンドリングする。即ち、２５０℃から８０℃の冷媒液温に一気に急冷する。したがって、回路基板１３が冷媒液２７中に進入した時、回路基板１３はんだ付け面は、はんだ溶融温度の２５０℃またはそれ以下近傍の温度にあり、他面側は常温より高温となった状態である。
【００４０】
このような２面の温度差を持つ、基板１３の両面は一気に８０℃に冷却される。この冷却プロセスの終点検出は、処理時間でもよいが、回路基板１３の表裏面の温度が、冷媒の設定温度に到達した時を検知し、終点として、次工程へ搬送するようにしてもよい。このような冷却の熱交換は回路基板１３が進入した時、冷媒液２７の温度上昇となる。この温度上昇を出来る限り小さくするように、上記コンピュータは、予め定められたプログラムで冷媒液２７の循環速度を高速化制御する。このようにして、表裏温度差のある回路基板１３を冷却することにより、リフトオフ現象のない、はんだ付けを実現する。
【００４１】
この冷媒液２７はたとえばＨＦ（ハイドロフルオロカーボン）系冷媒液、ＰＦＣ（パーフルオロカーボン）系冷媒液、グリコールエーテル系冷媒液、高級アルコール系冷媒液などである。主としてＰＦＣ（パーフルオロカーボン）系冷媒液が適当である。冷媒としては、地球環境に配慮し、オゾン層破壊係数が小さく、地球温暖化係数が小さく、大気寿命の短い、高沸点フッ素系不活性液体が望ましい。この実施形態におけるリフトオフ現象の発生率の一例は表１のとおりである。回路基板１３に設けられているはんだ付け部たとえばランド部でのはんだ付け状態の評価結果である。
【００４２】
【表１】

図１には記載されていないが、グリコールエーテル系冷媒液、高級アルコール系冷媒液などのように、冷却後回路基板１３の表面がべとつくような冷媒や、フラクサ工程で洗浄が必要な処理液の場合にははんだ付け工程後、洗浄工程を増設することが、望ましい。洗浄液は、水または溶剤による洗浄例えばＣＦＣ（クロロフロロカーボン），ＨＣＦＣ（ハイドロクロロカーボン），アルコールによる洗浄である。
【００４３】
この実施形態のように、Ｓｎに第３添加物以上をいれた多元合金において、はんだ付け後の冷却時間を短くすることにより、たとえばＢｉのような添加元素の偏析や、租化を防ぎ、スルーホールにおけるリフトオフ現象の発生を防止できる。上記実施形態では、はんだ付け後の冷却手段として冷媒液中に基板を浸漬させて冷却した実施形態を説明したが、急速冷却であれば何れでもよく、冷媒をスプレー状に噴霧する冷却法や、冷媒を基板１３に噴流させて冷却する方法など何れでもよい。
【００４４】
実施形態４
次に、図３を参照して、冷媒液をスプレー状に噴霧する法について説明する。実施形態２と実施形態４とは、はんだ付け工程後の冷却手段および冷却手段のみが隔離した処理室に分割した２点が相違するものであるから、冷却工程のみ説明する。後者のはんだ後処理室を分離したのは、スプレーにより噴霧するため、その飛散を考慮して処理室を独立させたものである。はんだ付け工程部８までの工程は、図２と同様であるため、その詳細な説明は省略し、図３に図２と同一番号を付与してその詳細な説明を省略する。
【００４５】
すなわち、冷却工程部３１は囲い３２内に設けられている。コンベアベルト１２が囲い３２まで延長して設けられている。このベルト１２の走行路近傍には冷媒液３３をスプレーするスプレー装置３４が設けられている。このスプレーは噴霧でもよいが、単位時間当たりの冷媒液供給量を多量にすることが望ましい。
【００４６】
このようなスプレー、噴霧により噴流したことにより回路基板１３のはんだ付け面を濡らしこの基板１３から流れ落ちる冷媒液３３を捕集するように受け容器３５が設けられている。この容器３５に溜まった冷媒液３３はドレイン用パイプ３６により熱交換器３７に流入するように設けられている。
【００４７】
この熱交換器３７では冷却プロセスを経た冷媒液を冷却のための設定温度に冷却した後、再びソース用パイプ３８を介してスプレー用として使用する。循環系を構成している。この循環系にはフィルタを設け、スプレープロセスによりはんだ残さ等が入っている場合には、除去することが望ましい。このプロセスでの冷媒液３３の温度管理は実施形態１の要領で設定温度を冷却液としてスプレーする。この実施形態では、はんだ付け面のみにスプレーしている急冷である。
【００４８】
実施形態５
次に、図４を参照して冷却手段の他の実施形態を説明する。この実施形態も図２と相違する装置は冷却装置のみであるため、実施形態２と同様にはんだ付け工程部１８までは、実施形態１と同一番号を図４に付与してその説明を省略する。即ち、コンベアベルト１２の走行路に沿って冷媒液４１を滞留する冷媒槽４２が設けられている。この冷媒槽４２に貯留されている冷媒液４１を噴流して、回路基板１３のはんだ付け面に放射し濡らすノズル４３が設けられている。上記冷媒槽４２には冷媒液４１の温度を冷却のための設定温度にするために熱交換器４４との間に冷媒液４１の循環パイプ４５、４６が配管されて、冷却工程部４７が構成されている。この実施形態も実施形態２と同様に、回路基板１３のはんだ付け面に冷媒液４１を噴流し冷却する実施形態である。
【００４９】
上記実施形態４、５は被加工体の回路基板１３のはんだ付け面のみに冷媒液を放射した実施形態であるが、急冷するため表裏両面同時に冷却操作をしたい場合には、いずれの実施形態も図５乃至図８のように構成することにより、回路基板１１の表裏面同時に冷却できる。
【００５０】
すなわち、回路基板１３の表裏両面同時に冷媒液５１をスプレー（噴流、噴霧）するには、回路基板１３を図５、６に示すように垂直に立てて、左右それぞれにノズル５２、５３を設け、左右のノズル５２、５３から同時にスプレーすればよい。
【００５１】
図５は表裏面各一個のノズル５２、５３からスプレーするため周縁部の冷媒液温度と中央部の冷媒液温度に温度差が発生する。また、基板１３から見ると、基板１３の周縁部と中央部とでは冷媒液５１の供給量に大きく密度差があり、冷却速度に変化が発生する場合がある。この場合には図６乃至図８のようにノズル５２、５３を配列すればよい。
【００５２】
すなわち、図６に示すように左右何れにもスプレーノズル５２、５３を複数個配列し、回路基板１３の全面に均一な密度で冷媒液を供給できるように構成してもよい。回路基板１３の表面裏面何れも図７に示すように、ノズル５２、５３の配列を面状に配設するとよい。これらノズル５２，５３群を同時に開バルブし、放射すればよい。また、図８に示すように回路基板１３の表裏面共に直線状１列にノズル５２、５３配設することにより、同様に、表裏面同時に冷却できる。この場合はノズル列と回路基板１３を相対的に移動させることにより、回路基板１３の全面を急速に冷却できる。
【００５３】
図５乃至図８の実施形態いずれも図２の実施形態と同様なプロセス条件で実施できる。例えば、冷媒液の温度は２０℃〜１２０℃間で選択、実施する。さらに冷媒の種類も上記実施形態と同様である。
【００５４】
上記実施形態では、無鉛はんだによるはんだ付けの実施形態について説明したが、有鉛はんだでも同様な作用効果が得られることは説明すまでもないことである。
【００５５】
上記実施形態では、フローはんだ付けの実施形態について説明したが、はんだ付けであれば、リフローはんだ付けでも、デイップはんだ付けでも、同様な作用効果が得られることは説明すまでもないことである。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したようにこの発明によれば、はんだ付け終了後急冷するので、リフトオフ現象の発生を防止し、強固なはんだ付けができる。特に、無鉛はんだ付けやフローはんだ付けにおいてもリフトオフ現象のないはんだ付けができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明のはんだ付け方法の１実施形態を説明するためのフローチャートである。
【図２】この発明のはんだ付け装置の１実施形態を説明するための図である。
【図３】図２の他の実施形態を説明するため図である。
【図４】図２の他の実施形態を説明するため図である。
【図５】図３および図４の冷媒液噴流ノズルの配列の実施形態を説明するための図である。
【図６】図３および図４の冷媒液噴流ノズルの配列の実施形態を説明するための図である。
【図７】図３および図４の冷媒液噴流ノズルの配列の実施形態を説明するための図である。
【図８】図３および図４の冷媒液噴流ノズルの配列の実施形態を説明するための図である。
【符号の説明】
１……フラックス塗布工程
２……プレヒート工程
３……はんだ付け工程
４……急冷工程
５……洗浄工程
１１、３２……囲い
１２……コンベアベルト
１３……回路基板
１４……フラクサ工程部
１５……ヒート工程部
１６、１７……ヒータ
１８……はんだ付け工程部
１９……溶融液
２０……はんだ槽
２５、３１、４７……冷却工程部
２６……冷却槽
２７、３３、４１……冷媒液
２８、３６、３８、４５、４６……パイプ
２９、３７、４４……熱交換器
３０……フローはんだ付け装置
３４、３４、４３……ノズル
３５……受け容器

Claims

回路基板のはんだ付け面をそれぞれ冷却速度の異なる多元合金材料から構成されたはんだ液に対接させて、２３０℃乃至２６０℃のはんだ付け温度ではんだ付け処理する工程と、
このはんだ付け処理された上記回路基板の両面を温度が２０℃乃至１２０℃のＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）系、ＰＦＣ（パーフルオロカーボン）系のうち少なくとも１種の冷媒への浸漬により冷却する工程と
を具備してなることを特徴とするはんだ付け方法。
請求項１記載のはんだ付け方法において、はんだ付けは無鉛はんだによるフローはんだ付けであることを特徴とするはんだ付け方法。
回路基板のはんだ付け面をそれぞれ冷却速度の異なる多合金材料から構成されたはんだ液に対接させて、２３０℃乃至２６０℃のはんだ付け温度ではんだ付け処理するはんだ付け部と、
このはんだ付け部ではんだ付け処理された上記回路基板の両面を温度が２０℃乃至１２０℃のＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）系、ＰＦＣ（パーフルオロカーボン）系のうち少なくとも１種の冷媒への浸漬により冷却する冷却部と
を具備してなることを特徴とするはんだ付け装置。
請求項３記載のはんだ付け装置において、はんだが無鉛はんだであることを特徴とするはんだ付け装置。