JP3614769B2 - Liquid processing equipment - Google Patents

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【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばレジストが塗布され、露光処理がされた半導体ウエハ等の基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う液処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造においては、被処理基板としての半導体ウエハにフォトレジストを塗布し、露光処理によりマスクパターンをフォトレジストに転写し、これを現像処理することにより回路パターンを形成する。
【０００３】
ここで、現像処理工程においては、現像液をノズルから半導体ウエハに連続的に供給し、パターン形成面に現像液を所定時間だけ液盛りして接触させることにより塗布レジスト膜の潜像パターンを現像するいわゆるパドル方式が一般的に採用されている。
【０００４】
パドル方式としては、多数の液吐出孔を一直線上に所定の間隔で配列してなるいわゆるリニアノズルを用いるものが現在の主流である。このようなリニアノズルを用いる現像方式としては、（１）リニアノズルから現像液を吐出しつつウエハを１８０度回転させることでウエハ上に液盛りを行う「回転方式」と、（２）ウエハを回転させず、リニアノズルをウエハに対して一方向に平行に移動させることで液盛りを行う「スキャン方式」とに大きく分けられる。
【０００５】
前者の回転方式は、近時の現像液の消費量を節減しかつ短時間でかつ均一に液盛りするという要求から考案されたものである。しかしながら、この回転方式であると、レジストの種類によっては、回転中心であるウエハの中央部付近のチップが不良品になってしまうということがある。
【０００６】
すなわち、回転方式においては、ノズルを固定した状態でウエハを１８０度回転させることでウエハ全体に亘って現像液の液盛りを行うが、このような方法であるとウエハの中央部付近にのみ常に新鮮な現像液が供給されることになるため、周辺部分と比較してこの部位のみ過度に現像が進んでしまうことが考えられる。最近の回路パターンの微細化及び高密度化に伴い、レジストがより高性能つまり高解像度化され、従来では無視されていたような問題がクローズアップされており、例えば、化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）を用いた場合には、この現像が顕著に現われ、所望の解像度を得ることができないということがある。
【０００７】
一方、スキャン方式によれば、上記回転方式に比べ液盛りに若干時間がかかるものの、前述のような問題が生じないため、近年有望視されている。
【０００８】
ところで、スキャン現像方式においては、前述したリニアノズルを用い、このリニアノズルの吐出孔とウエハの表面とを近接させ多数の吐出孔から同時に現像液を吐出する。そして、リニアノズルを水平方向に平行に移動（スキャン移動）させることでウエハ上に現像液膜を形成するようにしている。
【０００９】
ここで、前記リニアノズルは、内部に設けられた液溜部内に現像液を溜めた後、この液溜部を加圧することで、前記多数の吐出孔を通して現像液を吐出するように構成されている。この場合、各吐出孔からすだれ状に供給された現像液は、ウエハの面上で幾分広がって隣りの液流同士が合体し、カーテン状もしくは膜状となってウエハ上に供給されることになる。そして、現像液の吐出速度に合わせて前記リニアノズルを移動させることで、前記膜状の液流を、ウエハ上に載せていくことができる。
【００１０】
このような現像方式において重要なことは、すべての吐出孔から、現像液が均等に吐出され、均一な厚さの膜状液流が形成されることである。しかし、吐出開始直後においては、これが不均一になりやすいということがある。また、特に、ウエハに塗布するレジストの種類によっては、レジストに対するインパクトの影響等を小さくするために、現像液の吐出量を少なくかつ吐出速度を遅くする必要がある。この場合には、さらに均一な厚さの膜状液流を形成することが困難になる。
【００１１】
一方、ウエハの直径に対応する長さを有するスリット状の吐出孔を備えたリニアノズルがある。このノズルは一般にスリットノズルと称されるものであるが、このようなスリットノズルにおいては、吐出圧のむらが生じやすく、さらに、均一厚さの膜状液流を形成することが困難であるということがある。
【００１２】
また、このような方式では、供給ノズルを、当該ノズルの先端がウエハ上に供給された現像液と接触する状態で移動させるので、疎水性材料により構成された供給ノズルを用いると、現像液がノズルの表面で弾かれてしまい、現像液を均一な状態で基板表面に供給しにくくなって、現像ムラが発生しやすいという問題がある。
【００１３】
また親水性材料により構成された供給ノズルを用いた場合では、例えば５０ｍｍ／秒程度のゆっくりしたスキャンスピードでは、供給ノズルを移動させるときに現像液が押し出される状態となり、ノズルの進行方向に対する先行位置に現像液が回り込んでしまう。このように現像が供給ノズルより先回りすると、この部分の現像が進んでしまい、次にこの部分に供給ノズルが移動して当該部分に現像液が供給されると、２回現像が行われた状態と同じになり、他の部分よりも現像が進みすぎて、線幅が不均一になってしまう。
【００１４】
ここでウエハＷの全体に亘って現像液の先回り現像が生じ、何れの箇所も２回現像が行われる状態となれば現像ムラの発生は抑えられるが、実際には現像液が先回りする箇所としない箇所とが発生し、結局現像ムラが生じて線幅が不均一になってしまうという状態である。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、リニアノズル若しくはスリットノズルを用いるスキャン方式の現像において、例えば供給する現像液の吐出圧が低い場合であっても、全ての吐出孔から均一に現像液を吐出させることのできる液処理装置を提供することにある。
【００１６】
本発明の目的は、基板表面において均一な液処理を行うことのできる液処理装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の主要な観点によれば、基板に液を供給し、所定の処理を行う液処理装置であって、前記基板を水平に保持する基板保持機構と、前記基板保持機構の上方に保持され、所定の水平方向に移動しながら前記基板上に前記液を供給する液供給ノズルと、前記液供給ノズルの進行方向に沿う前記基板の手前側に配置され、前記ノズルから吐出される前記液に吐出抵抗を与える吐出抵抗付与手段とを具備することを特徴とする液処理装置が提供される。
【００１８】
このような構成によれば、液供給ノズルから吐出される液に吐出抵抗を与えることで、液の吐出状態をノズルの全幅に亘って均一に調整することが可能になる。また、液に吐出抵抗を与えることで、吐出直後の液が広がるから膜状の現像液流を形成することが容易になる。ここで、液の一例としては例えば現像液が挙げられ、本発明を現像液処理装置に適用できることが確認される。
【００１９】
ここで、１の実施形態によれば、前記吐出抵抗付与手段は、前記現像液供給ノズルの、現像液吐出開始位置に設けられている。このような構成によれば、吐出開始直後に吐出圧を高めて吐出状態の均一化を図ることが可能になる。
【００２０】
また、他の１の実施形態によれば、前記現像液供給ノズルは、前記基板の幅に対応する範囲に亘って設けられた現像液吐出孔を有するものである。この場合、前記現像液供給ノズルの現像液吐出孔は、前記基板の幅に対応する範囲に亘って並設設けられた複数の吐出孔からなるものであっても良いし、前記基板の幅に対応する範囲に亘って設けられたスリット状の吐出孔からなるものであっても良い。
【００２１】
１の実施形態によれば、前記吐出抵抗付与手段は、前記現像液供給ノズルの下面に近接して設けられ、前記現像液供給ノズルの吐出孔の幅よりも若干大きい幅を有する板材若しくは棒材である。
【００２２】
さらなる他の１の実施形態によれば、前記吐出抵抗付与手段は、前記現像液供給ノズルの下面に近接して設けられ、現像液を排出できる排出路を有する板材である。この排出路は、例えば板材を貫通するように設けられた複数の液排出孔から構成される。
【００２３】
また、他の１の実施形態によれば、前記吐出抵抗付与手段は、前記現像液供給ノズルの下面に対向して設けられ、吐出される現像液に対して気流を吹き付ける気流吹き付け手段である。
【００３８】
本発明のこれらの目的とそれ以外の目的と利益とは、以下の説明と添付図面とによって容易に確認することができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態を図面を参照して説明する。
【００４０】
図１は一実施形態に係る現像処理装置１を示す概略構成図であり、図２は平面図である。
【００４１】
図１に示すように、この現像処理装置１は、アウターカップ２と、このアウターカップ２内に設けられ被処理基板としてのウエハＷ（レジスト液が塗布され露光処理されたウエハ）を保持するウエハ保持部３と、リニアノズル４をスキャン駆動し前記ウエハＷ上に処理液としての現像液を供給する現像液供給部５と、前記アウターカップ２内に設けられ前記リニアノズル４から吐出される現像液に抵抗を与えるための抵抗バー６と、現像後のウエハＷをリンス処理するためのリンスノズル７を備えたリンス液供給部８と、これら各機構を制御する制御部９とを有する。
【００４２】
前記アウターカップ２の上端開口は、図２に示すように、例えば矩形状に形成されている。また、前記ウエハ保持部３は、図１に示すように、ウエハＷを吸着保持するスピンチャック１０と、このスピンチャック１０を回転駆動すると共に昇降駆動するスピンチャック駆動機構１１とを備えている。このウエハ保持部３は、現像液供給部５によって供給された現像液をリンス除去する際にウエハＷを高速で回転させ、遠心力により現像液を振り切る機能を有する。ウエハＷの縁部から振り切られた現像液は、前記アウターカップ２により受け止められ、このカップ２の下端部に設けられた図示しない排液路から外部に排出されるようになっている。
【００４３】
一方、現像液供給部５は、前記リニアノズル４を保持する例えばエアシリンダ等の上下駆動機構１３と、この上下駆動機構１３を例えばＸ方向に沿って設けられたレールに沿ってスキャン駆動するＸ方向リニアガイド機構１２とを有する。この現像液供給部５は、前記リニアノズル４を図に実線で示す待機部１４（ＨＯＭＥ）から上下に駆動しかつ、Ｘ方向に移動させることで、前記アウターカップ２内のＢＩＧＩＮ位置に位置させる。そして、前記Ｘ方向リニアガイド機構１２を作動させることで、前記リニアノズル４をウエハＷの表面に沿って図にＥＮＤで示す位置までＸ方向にスキャン駆動する。
【００４４】
図３は、前記リニアノズル４のみを示す概略構成図である。このリニアノズル４は、前記ウエハＷの直径よりも若干長い幅の本体を有し、その下面には複数の現像液吐出孔１５が例えば２ｍｍピッチで穿設されている。このノズル４内には図示しない液溜めが設けられており、図に１６ａ，１６ｂで示す供給配管から供給された現像液は、この液溜めに一旦貯留された後、前記吐出孔１５から略均一な圧力で吐出されることになる。
【００４５】
ここで、このリニアノズル４は、図３に示す供給系１７に接続されている。この供給系１７では、現像液の入った現像液タンク１８に不活性ガス、例えばＮ２ ガスが吹き込まれ、このガス圧により現像液がフィルタ１９、液量コントローラ２０、開閉弁２１及び供給管２２を通じてリニアノズル４に送られるようになっている。
【００４６】
現像液の供給−停止は、各開閉弁２１によって行われるようになっており、この開閉弁２１は前記制御部９によって制御されるようになっている。また、前記液量コントローラ２０も、前記制御部９に接続されている。吐出圧制御手段としての液量コントローラ２０は、制御部９からの制御信号に基づいて吐出孔１５から吐出される現像液の吐出圧を制御することができる。また、吐出圧は、開閉弁２１の調節によって、あるいは現像液タンク１８に吹き込まれる不活性ガスの吹き込み圧の調整によって制御してもよい。
【００４７】
一方、図１に示すように、前記アウターカップ２内には、リニアノズル４から吐出される現像液流に対して所定の吐出抵抗を与えるための例えばテフロン樹脂製の抵抗バー６が設けられている。この抵抗バー６は、前記リニアノズル４のスキャンスタート位置、すなわち、ＢＩＧＩＮ位置に対応して設けられている。この抵抗バー６は、図４（ａ）に示すように、前記リニアノズル４の下面と所定の隙間Ｇを存して対向配置されることで、このリニアノズル４の各吐出孔１５を通じて吐出される現像液に吐出抵抗を与える。このことで、前記リニアノズル４内の液溜部内の圧力を一時的に上昇させ、通常より高い圧力が各吐出孔１５から吐出される現像液に印加されるようにする。
【００４８】
従って、この抵抗バー６と前記リニアノズル４の間の隙間Ｇは、このように圧力を上昇させることのできる寸法として規定される。この実施形態では、隙間Ｇは、３ｍｍに設定されている。また、この抵抗バー６からウエハＷまでの距離は、前記リニアノズル４がＢＩＧＩＮ位置から起動され前記ウエハＷに達する時点で所定の一定速度になるための加速距離を考慮して決定される。この実施形態では、０〜２５ｍｍ以内に配置される。
【００４９】
このことで、例えば、多数の吐出孔１５のうち、何らかの原因でいくつかの吐出孔１５から現像液が吐出されていない場合であっても、液溜め部内の圧力を一時的に上昇させ全ての吐出孔１５から現像液を吐出することができる。
【００５０】
一方、図１に示すように、前記リンス液供給部８は、前記リンスノズル７を保持する上下駆動機構３５と、この上下駆動機構３５をＸ方向に駆動するＸ方向リニアガイド機構３４とを有する。このリンスノズル７は、前記リニアノズル４の待機部１４と前記アウターカップ２を挟んだ逆側の位置に配置されている。前記リニアノズル７は、図示しないリンス液タンクに接続されており、このリンス液タンク内のリンス液を不活性ガス例えばＮ２ ガスで加圧することにより、リンス液を吐出できるようになっている。
【００５１】
前記リンス液供給部８は、前記制御部９に接続されており、この制御部９の指令によって前記リンスノズル７を前記ウエハＷの中央部に対向位置決めし、このウエハＷ上にリンス液を噴射するようになっている。
【００５２】
次に、この装置の動作について、図５のフローチャートを参照して説明する。
【００５３】
まず、前記ウエハＷがこの現像処理装置にロードされる（ステップＳ１）。すなわち、スピンチャック１０がアウターカップ２の上方まで上昇駆動され、前工程でレジスト液が塗布され露光処理されたウエハＷが図示しないアームからこのスピンチャック１０上に受け渡され保持される。その後、スピンチャック１０が下降駆動され、ウエハＷはアウターカップ２内に収容される。
【００５４】
次に、前記リニアノズル４が、待機部１４（ＨＯＭＥ）からＺ駆動され、アウターカップ２の上方に移動される。ついで、下降駆動されることで、リニアノズル４を前記カップ２内のＢＩＧＩＮ位置に位置させる（ステップＳ２）。このことで、前記リニアノズル４の下面は、前記抵抗バー６と約３ｍｍ程度の隙間Ｇを存して対向する。
【００５５】
ついで、前記開閉弁２１が開かれて前記リニアノズル４の各吐出孔１５から現像液が供給開始される（ステップＳ３）。この現像液は、吐出直後に前記抵抗バー６に衝突し、吐出に対する抵抗力が作用することになる。このことで、前記ノズル４内の液溜部が昇圧し、これにより上述したように、全ての各吐出孔１５から現像液が均一に吐出されることになる。
【００５６】
このことで、現像液をウエハＷ上に供給する場合の現像液の吐出圧が低い場合であっても、吐出開始当初の吐出圧を一時的に高めることで、全での吐出孔１５から均一に現像液を吐出させることができる。
【００５７】
しかも、リニアノズル４から吐出された現像液は、図４（ｂ）に示すように前記抵抗バー６に当たって広がるから、各吐出孔１５からすだれ状に吐出された液流同士が接触し、膜状の液流を形成することができる。また、このときの表面張力によっても全ての吐出孔１５から均一に現像液を吐出させることができると考えられる。
【００５８】
次に、前記Ｘ方向リニアガイド機構１２が作動し、このリニアノズル４をＸ方向にスキャン駆動する（ステップＳ４）。前記リニアノズル４の下方から抵抗バー６がなくなっても、一旦形成された膜状の液流は、表面張力により膜状を維持したまま前記ウエハＷ側に移動することになる。
【００５９】
そして、前記リニアノズル４は、図１に矢印で示す状態でＸ方向に一定速度例えば５〜２０ｃｍ／ｓｅｃのスキャンスピードで、移動しながらウエハＷ上に現像液を供給する。このことによって、ノズル４の通過後には約１ｍｍの均一な現像液膜が形成されていく。
【００６０】
ついで、前記リニアノズル４がウエハＷの他端側にオーバースキャンしたならば現像液の供給が停止され、Ｘ方向リニアガイド機構１２によるＸ方向のスキャンも停止される（ステップＳ５）。以上の現像液供給工程の間、ウエハＷの周縁部から垂れ落ちた余剰の現像液は前記カップ２に受け止められ、図示しない排出路から外部に排出されるようになっている。
【００６１】
リニアノズル４が待機部１４に戻されかつ所定の現像時間が経過したならば、ウエハＷのリンス（現像液の除去）が行われる（ステップＳ７）。すなわち、前記リンス液供給部８が作動し、前記リンスノズル７をウエハＷの中央部に対向させ、ウエハＷの中央部にリンス液としての純水が供給される。これと同時に前記スピンチャック駆動機構１１が作動することでウエハＷは高速で回転され、ウエハＷ上の現像液がリンス液と共に洗い流される。つぎに、純水の供給が停止され、回転が継続されることで、ウエハＷは振り切り乾燥される（ステップＳ８）。
【００６２】
ウエハＷの乾燥が終了したならば、ウエハＷはこの現像処理装置からアンロードされる（ステップＳ９）。すなわち、前記ウエハＷがスピンチャック１０によって上昇駆動され、図示しないアームによって取り出され、この現像処理装置から排出される。
【００６３】
以上のような構成によれば、スキャン現像方式において、現像液の吐出圧が低い場合であっても、すべての吐出孔から均一な状態で現像液を吐出することができる。
【００６４】
なお、この実施形態は、このような塗布現像ユニット以外の装置にも適用可能であることはもちろんである。また、その他発明の要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。
【００６５】
この現像処理装置は、図６〜図８に示す塗布現像処理システムに適用されることが好ましい。
【００６６】
図６に示すように、この塗布現像処理システムは、ウエハＷが収容されたカセットＣＲからウエハＷを順次取り出すカセット部６０と、カセット部６０によって取り出されたウエハＷに対しレジスト液塗布及び現像のプロセス処理を行うプロセス処理部６１と、レジスト液が塗布されたウエハＷを図示しない露光装置に受け渡すインタフェース部６２とを備えている。
【００６７】
前記カセット部６０には、カセットＣＲを位置決め保持するための４つの突起部７０ａと、この突起部７０ａによって保持されたカセットＣＲ内からウエハＷを取り出す第１のサブアーム機構７１とが設けられている。このサブアーム機構７１は、θ方向に回転自在に構成され、カセットから取り出したウエハＷを、前記プロセス処理部６１に設けられたメインアーム機構７２側に受け渡す機能を有する。
【００６８】
このカセット部６０とプロセス処理部６１間でのウエハＷの受け渡しは第３の処理ユニット群Ｇ３を介して行われるようになっている。この第３の処理ユニット群Ｇ３は、図８に示すように複数のプロセス処理ユニットを縦形に積み上げて構成したものである。すなわち、この処理ユニット群Ｇ３は、ウエハＷを冷却処理するクーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷに対するレジスト液の定着性を高める疎水化処理を行なうアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置合わせをするアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷを待機させておくためのエクステンションユニット（ＥＸＴ）、レジスト塗布後の加熱処理を行なう２つのプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、露光処理後の加熱処理を行なうポストエキスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が順次下から上へと積み上げて構成されている。
【００６９】
なお、この図に示すように、前記メインアーム機構７２を挟んだ前記第３の処理ユニット群Ｇ３の反対側には、第４の処理ユニット群Ｇ４が設けられているが、前記第３の処理ユニット群Ｇ３と略同様に構成されているので、その詳しい説明は省略する。
【００７０】
また、図６に示すように、このメインアーム機構７２の周囲には、前記第３、第４の処理ユニット群Ｇ３、Ｇ４を含む第１〜第５の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５がこのメインアーム機構７２を囲むように設けられている。前述した第３の処理ユニット群Ｇ３、Ｇ４と同様に、他の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ５も各種の処理ユニットを上下方向に積み上げ的に構成されている。
【００７１】
この実施形態の現像処理装置（ＤＥＶ）は、図７に示すように、前記第１、第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２に設けられている。この第１、第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２は、レジスト塗布装置（ＣＯＴ）と現像処理装置（ＤＥＶ）とを上下方向に積み上げ構成したものである。
【００７２】
一方、前記メインアーム機構７２は、図８に示すように、上下方向に延接された筒状のガイド７９と、ガイド７９に沿って上下駆動されるメインアーム７８を備えている。また、このメインアーム７８は平面方向に回転し、かつ進退駆動されるように構成されている。したがって、このメインアーム７８を上下方向に駆動することで、ウエハＷを前記各処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５の各処理ユニットに対して任意にアクセスさせることができるようになっている。
【００７３】
前記第１のサブアーム機構７１からメインアーム機構７２への前記ウエハＷの受け渡しは、前記第３の処理ユニット群Ｇ３の前記エクステンションユニット（ＥＸＴ）及びアライメントユニット（ＡＬＩＭ）を介して行われる。
【００７４】
ウエハＷを受け取ったメインアーム機構７２は、先ず、このウエハＷを第３の処理ユニット群Ｇ３のアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入し、疎水化処理を行なう。ついで、アドヒージョンユニット（ＡＤ）からウエハＷを搬出し、クーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却処理する。
【００７５】
冷却処理されたウエハＷは、前記メインアーム機構７２によって前記第１の処理ユニット群Ｇ１（若しくは第２の処理ユニット群Ｇ２）のレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）に対向位置決めされ、搬入される。このレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）によりレジスト液が塗布されたウエハＷは、メインアーム機構７２によってアンロードされ、第３、第４の処理ユニット群Ｇ３、Ｇ４の加熱処理ユニット（ＰＥＢＡＫＥ）でレジスト溶媒を蒸発させる加熱処理を施される。
【００７６】
次に、前記ウエハＷはクーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却された後、第４の処理ユニット群Ｇ４のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介して前記インタフェース部６２に設けられた第２のサブアーム機構６４に受け渡される。
【００７７】
ウエハＷを受け取った第２のサブアーム機構６４は、受け取ったウエハＷを順次バッファカセット（ＢＵＣＲ）内に収納する。その後、図示しない露光装置より受け取り信号が出されるとバッファカセット（ＢＵＣＲ）に収納されたウエハを順次サブアーム機構６４により露光装置に受け渡す。この露光装置による露光が終了したならば、露光済みウエハをサブアーム機構６４で受け取り、周辺露光ユニット（ＷＥＥ）により、ウエハ周縁部を例えば２ｍｍの幅で周辺露光処理する。
【００７８】
周辺露光処理された後のウエハＷは、前記とは逆に第４の処理ユニット群Ｇ４を介してメインアーム機構７２に受け渡され、このメインアーム機構７２は、この露光後のウエハＷをポストエキスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）に受け渡す。このことで、前記ウエハＷは加熱処理され、その後、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて所定の温度に冷却処理される。
【００７９】
ついで、ウエハＷは、メインアーム機構７２により、この実施形態の現像装置（ＤＥＶ）に挿入され、現像処理が施される。現像処理後のウエハＷは、いずれかのベーキングユニットに搬送され、加熱乾燥した後、この第３の処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセット部６０に排出される。
【００８０】
なお、前記第５の処理ユニット群Ｇ５は、選択的に設けられるもので、この例では前記第４の処理ユニット群Ｇ４と同様に構成されている。また、この第５の処理ユニット群Ｇ５はレール６５によって移動可能に保持され、前記メインアーム機構７２及び前記第１〜第４の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４に対するメンテナンス処理を容易に行ない得るようになっている。
【００８１】
この発明の現像処理装置を、図６〜図８に示した冷却現像ユニットに適用した場合、複数のウエハの並行処理が容易に行なえるから、ウエハＷの塗布現像処理工程を非常に効率的に行なうことができる。また、各処理ユニットが上下に積上げ式に構成されているから装置の設置面積を著しく減少させることができる。
【００８２】
なお、この発明は上記一実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。
【００８３】
例えば、上記一実施形態では、前記リニアノズル４は、複数の円形吐出孔１５を有するものであったが、図９に示すように、一本（若しくは数本）のスリット状の吐出孔９０を有するノズル４′であっても良い。
【００８４】
さらに、上記一実施形態では、抵抗バー６を使用して吐出抵抗を与えていたが、これに限定されるものではなく、吐出に対して抵抗を与えることのできる手段であれば良い。例えば、図１０（ａ）に示すようにＮ２ ノズルを通したＮ２ ブローをノズル４の下面に対して吹き付けることによっても同様の作用効果を得ることができる。
【００８５】
また、図１０（ｂ）に示すように、前記抵抗バー６に代えて多数の孔１０１が穿設されてなるメッシュ板１０２を配置しても良い。ここで、多数の孔１０１は、現像液の排出通路として機能することになる。このような構成によっても、前記一実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００８６】
以上述べたように、この発明によれば、リニアノズル若しくはスリットノズルを用いるスキャン方式の現像において、特に、供給する現像液の吐出圧が低い場合であっても、全ての吐出孔から均一に現像液を吐出させることのできる現像処理装置を得ることができる。
【００８７】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【００８８】
この実施形態では、図１１に示すように、ノズル１０４内に抵抗バー１０６を設けたものである。ノズル１０４内には円筒状のバッファ室１０７が設けられ、そのほぼ中心には抵抗バー１０６が配置されている。そして、バッファ室１０７の上部の供給路１０８からこのバッファ室１０７内に現像液が供給され、一旦抵抗バー１０６に当たり、バッファ１０７室の下部に設けられた吐出孔１０９からウエハＷ上に現像液が供給されるようになっている。
【００８９】
本実施形態では、特に、現像液が一旦抵抗バー１０６に当たってウエハＷ上に供給される構成であるので、直接ウエハＷ上に現像液が供給される場合と比べて現像液がウエハ上に供給される際のインパクトを低減することができる。また、現像液が抵抗バー１０６の軸方向に広がろうとするので、ノズル１０４の長手方向における現像液の吐出量をより均一にすることが可能となる。
【００９０】
抵抗バー１０６の材質として、石英等の親水性のものが好ましい。これにより、現像液が抵抗バー１０６の軸方向により確実に広がろうとするからである。
【００９１】
また、図１２に示すように、バッファ室１０７の内壁の円周方向に溝１１０を、軸方向に所定の間隔をもって設けるようにしてもよい。これにより、供給路１０８から供給された現像液はバッファ室１０７内でこの溝１１０により案内されて吐出孔１０９より確実に（液切れがするようなことはなく）吐出させることができる。
【００９２】
図１２に示した実施形態と同様の趣旨で、図１３に示すように、抵抗バー１０６の表面にスパイラル状の溝１１１を設けてもよい。
【００９３】
次に、本発明のまた別の実施形態について説明する。
【００９４】
図１４及び図１５にこの実施の形態を示す概略図である。２０２は基板であるウエハＷの裏面中心部を真空吸着し、略水平に保持する基板保持部をなすスピンチャックである。このスピンチャックは駆動部２２０により回転及び昇降できるように構成されている。
【００９５】
ウエハＷがスピンチャック２０２に吸着保持された状態において、ウエハＷの側方を囲むようにしてカップ２０３が設けられており、カップ２０３は各々上下可動な外カップ２３１と内カップ２３２とからなる。内カップ２３２は円筒の上部側が上方内側に傾斜し、上部側開口部が下部側開口部より狭くなるように形成されており、昇降部２３０により外カップ２３１が上昇すると外カップ２３１の移動範囲の一部において連動して昇降するように構成されている。
【００９６】
カップ２０３の下部側はスピンチャック２０２の周囲を囲む円板２３３と、円板２３３の周り全周に亘って凹部を形成し、底面に排液口２３４が形成されている液受け部２３５とにより構成されている。この液受け部２３５の側面より僅かに内側に外カップ２３１（及び内カップ２３２）が収まっており、前記凹部とカップ２０３とによりウエハＷの上方レベル及び下方レベルに跨ってウエハＷの側方を囲っている。また円板２３３の周縁部には上端がウエハＷの裏面に接近する断面山形のリング体２３６が設けられている。
【００９７】
続いてスピンチャック２０２に吸着保持されたウエハＷに処理液である現像液を供給するための供給ノズル２０４について説明する。この供給ノズル２０４は、例えば図１６に示すように、現像液が供給される細長い四角形状のノズル本体２４１と、その下面に設けられたノズル部２４２とを備えており、前記ノズル部２４２には例えばウエハＷの有効領域（デバイスの形成領域）の幅と同じかそれ以上の長さに亘って多数の吐出孔２４３が配列されていて、例えば図１７に示すように、吐出孔２４３はノズル本体２４１に通流路２４４により接続されている。ここでノズル部２４２は吐出孔２４３を構成する部材に相当し、これらノズル本体２４１やノズル部２４２は例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）や、ポピプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリビニルカーボネート（ＰＶＣ）、ポリアセタール（ＰＯＭ）などの材料により構成されている。
【００９８】
このような供給ノズル２０４は後述のように水平方向に移動可能に構成されており、例えば図１７に斜線で示す領域である、当該供給ノズル２０４の進行方向（図１８において矢印で示す方向）に対する前方側であって、この供給ノズル２０４からウエハＷに現像液Ｄを供給するときに、ノズル部２４２がウエハＷ上の現像液Ｄに接触する部位を含む領域２４０の表面が疎水性となっている。
【００９９】
例えばこの例では当該供給ノズル２０４の通流路２４４よりも前記進行方向に対する前方側の領域２４２ａの表面が疎水化されて疎水性となっており、例えば通流路２４４よりも前記進行方向に対する後方側の領域２４２ｂの表面は親水化されて親水性となっている。
【０１００】
ここでノズル部２４２の表面を疎水性又は親水性に改質するとは、これら表面の表面張力を変化させるということである。具体的には例えばノズル部２４２の表面を疎水性に改質した場合には、当該表面の表面張力は小さくなり、現像液等の処理液との親和性が小さくなるので、当該表面に現像液が接触すると、現像液は当該表面で弾かれる状態となる。
【０１０１】
一方前記表面を親水性に改質した場合には、当該表面の表面張力が大きくなり、現像液との親和性が大きいので、この表面に現像液が接触すると、当該表面への現像液の濡れ性がよくなって、当該表面と現像液との付着力が大きい状態となる。
【０１０２】
またノズル部２４２の表面の改質の一例を挙げると、例えば疎水性に改質する場合は、図示しないチャンバ内においてノズル部２４２の疎水性にしようとする領域にフッ素化合物のガスのプラズマを照射することにより、当該領域が疎水化される。ここでフッ素化合物のガスとしては、例えばＦ２ ガスやＣ２ Ｆ４ ガス、ＣＦ４ ガスなどを用いることができ、これらのガスを反応気体としてプラズマ処理される。
【０１０３】
また親水性に改質する場合は、図示しないチャンバ内においてノズル部２４２の親水性にしようとする領域に、ＣＯガスやＯ２ ガス、Ｎ２ ガス等のプラズマを照射することにより、当該領域が親水化され、これらのガスを反応気体としてプラズマ処理される。
【０１０４】
このような供給ノズル２０４は、第１の移動機構２０６によりカップ２０３の外側に設けられたガイドレール２０５に沿って、図１５に示すカップ２０３の外側の待機位置（ガイドレール２０５の一端側の位置）からウエハＷの上方側を通って前記待機位置とウエハＷを挟んで対向する位置まで移動可能に設けられている。
【０１０５】
つまりガイドレール２０５は、図１５にも示すように例えば外カップ２３１の一辺と平行になるようにＸ方向に延びるように設けられており、ガイドレール２０５の一端側に第１の移動機構２０６が位置している。第１の移動機構２０６はアーム部２６１とベース部２６２とにより構成されており、前記多数の処理液の吐出孔２４３がＹ方向に配列されるように供給ノズル２０４をアーム部２６１により吊下げ支持し、移動部であるベース部２６２を介してガイドレール２０５に沿って移動できるようになっている。
【０１０６】
前記ベース部２６２は例えば図１８に示すように、例えばボールネジ機構２６３などにより構成される昇降機構２６４を有しており、例えばモータなどの図示しない動力源からの駆動力によりアーム部２６１をＺ方向へ移動（上下）させることができる。
【０１０７】
また図１５中符号２５０はウエハＷに洗浄液を供給してウエハＷの表面を洗浄するための洗浄ノズルであり、この洗浄ノズル２５０は例えば第２の移動機構２５１により、図１５に示すカップ２０３の外側の待機位置（ガイドレール２０５の他端側の位置）からウエハＷの上方側を通って前記待機位置とウエハＷを挟んで対向する位置まで水平に移動可能に設けられている。
【０１０８】
ここで図１５において第１の移動機構２０６及び第２の移動機構２５１が夫々示されている位置は既述の非作業時における供給ノズル２０４及び洗浄ノズル２５０の待機位置であって、ここには例えば上下可動の板状体により構成された第１の移動機構２０６及び第２の移動機構２５１の待機部２５２，２５３が設けられている。
【０１０９】
これまで述べてきた駆動部２２０、昇降部２３０、第１の移動機構２０６及び第２の移動機構２５１は夫々制御部２０７と接続されており、例えば駆動部２２０によるスピンチャック２０２の昇降に応じて第１の移動機構２０６による処理液の供給（スキャン）を行うように、各部を連動させたコントロールを可能としている。またカップ２０３、第１の移動機構２０６及び第２の移動機構２５１は箱状の筐体２７１により囲まれた一ユニットとして形成されており、図示しない搬送アームによりウエハＷの受け渡しがなされる。
【０１１０】
次に本実施の形態における作用について説明する。先ずスピンチャック２０２がカップ２０３の上方まで上昇し、既に前工程でレジストが塗布され、露光処理されたウエハＷが図示しない搬送アームからスピンチャック２０２に受け渡される。そしてウエハＷが図１４中実線で示す所定の位置に来るようにスピンチャック２０２が下降する。なおこのとき外カップ２３１及び内カップ２３２は共に下降した状態である。
【０１１１】
続いて第１の移動機構２０６がガイドレール２０５に沿って外カップ２３１とウエハＷの周縁との間に対応する位置まで案内され、続いてその位置からウエハＷの周縁外側の待機位置まで下降する。このとき供給ノズル２０４の位置（高さ）はウエハＷに対して現像液の供給を行う高さにセットされるため、吐出孔２４３はウエハＷ表面レベルよりも例えば１ｍｍ程度高い位置に置かれる。
【０１１２】
そして図１９（ａ）、（ｂ）に示すように、現像液Ｄの吐出を開始しながら供給ノズル２０４をウエハＷの一端側から他端側へと移動（図１９（ａ）、（ｂ）中左から右への移動）させることにより、ウエハＷの表面に例えば１．２ｍｍの高さの液膜を形成する。この際供給ノズル２０４の先端は、ウエハ表面上に供給された現像液Ｄと接触する位置にあり、供給ノズル２０４の先端をウエハ上の現像液Ｄと接触させた状態で供給ノズル２０４を一方向にスキャンさせることにより、当該ノズル２０４の先端部によりウエハ上の現像液Ｄが押し広げられ、ウエハＷの表面全体に満偏なく現像液Ｄが液盛りされることとなる。
【０１１３】
またこのとき供給ノズル２０４の移動は、当該供給ノズル２０４の吐出孔２４３が配列されている吐出領域の中心がウエハＷの中心上方を通過するようにして行われ、例えば約５０ｍｍ／ｓｅｃのスキャンスピードで行われる。
【０１１４】
そして前記ウエハＷの他端側の内カップ２３２上方にて供給ノズル２０４のスキャン及び現像液Ｄの供給を停止する。ここでウエハＷへの現像液Ｄの吐出が複数回必要な場合には、前記停止位置にて供給ノズル２０４をスキャンさせる高さ例えばウエハＷ表面から１ｍｍ上方まで上昇させ、スキャンしたルートを戻るように例えば現像液Ｄの供給を行う。
【０１１５】
現像液Ｄの塗布終了後、図１９（ｃ）に示すように現像液ＤをウエハＷの表面に液盛りしたままの状態にして静止現像が行われる。そして第１の移動機構２０６は待機部２５２へと戻り、この第１の移動機構２０６と入れ替わって待機部２５３から第２の移動機構２５１がウエハＷ側へと移動する。
【０１１６】
そして図１９（ｄ）に示すように、ウエハＷの中央上方に洗浄ノズル２５０の吐出部が位置するように位置決めすると共にスピンチャック２０２を回転させ、洗浄ノズル２５０から洗浄液Ｒ例えば純水をウエハＷ中心部に供給して、ウエハＷの遠心力により洗浄液ＲをウエハＷの中心部から周縁部へ広げることにより現像液Ｄが洗い流される。その後このウエハＷは図１９（ｅ）に示すように、スピン乾燥などの工程を経て現像処理が終了する。
【０１１７】
この際現像液Ｄと洗浄液Ｒは内リング２３２を伝って下方側へと流れて液受け部２３５へと貯溜され、これらの液は排液口２３４から図示しないドレインラインを通って排出される。
【０１１８】
これまで述べてきたように、本発明に係る実施の形態では供給ノズル２０４のノズル部２４２の通流路２４４よりも進行方向に対する前方側の領域２４２ａを改質して疎水性としているので、供給ノズル２０４を５０ｍｍ／秒程度のスピードでスキャンさせて現像液Ｄの液盛りを行う場合であっても、現像液Ｄが供給ノズル２０４よりも進行方向に対する先行位置に回り込むといういわゆる現像液Ｄの先回り現像を抑えて、均一性の高い現像処理を行うことができる。
【０１１９】
つまり現像液Ｄの液盛りを行う際、供給ノズル２０４の吐出孔２４３からウエハ表面に吐出された現像液Ｄがノズル部２４２よりも先回りしようとしても、ノズル部２４２の前方側は疎水性であるので、現像液Ｄは当該表面で弾かれ、後方側に戻される状態となる。このため図２０に示すように、現像液Ｄは供給ノズル２０４の通流路２４４よりも前方側になかなか進行できず、結局現像液Ｄの先回り現象の発生が抑えられる。これによりウエハＷの全ての箇所において現像の進行の程度がほぼ揃えられるので、現像線幅の均一性を高めることができる。
【０１２０】
また上述の例のように供給ノズル２０４のノズル部２４２の通流路２４４よりも進行方向に対する後方側を親水性に改質すると、当該表面は現像液Ｄの濡れ性が大きく、現像液Ｄは当該表面に付着しやすいので、ノズル部２４２よりも先回りしようとする現像液Ｄが少なくなる。さらに先回りしてノズル部２４２の前方側表面で弾かれた現像液Ｄも当該親水性の表面に付着しやすいので、より現像液Ｄの先回り現象の発生が抑えられる。
【０１２１】
また親水性の表面には現像液Ｄが馴染みやすいので、この親水性表面がウエハ表面の現像液Ｄに接触しても当該現像液Ｄが乱されにくく、供給ノズル２０４をスキャンさせて現像液Ｄの液盛りを行うときにこの親水性表面で現像液Ｄを押し広げることにより、より均一性の高い現像液の液盛りを行うことができ、現像線幅の均一性をより高くすることができる。
【０１２２】
続いて本発明の他の例について図２１（ａ）により説明すると、この例では供給ノズル２０４には、ノズル部２４２の長さ方向に沿って、ノズルの進行方向側の前方側に、通流路２４４に連続するようにほぼ垂直なガイド２０８が設けられている。このガイド２０８は吐出孔２４３から吐出された現像液をウエハ表面に案内するためのものであり、ウエハ表面に現像液を供給するときには、ガイド２０８の先端がウエハ表面からわずかに浮上した位置に位置するように、ガイド２０８の高さや供給ノズル２０４の供給時の高さ位置が決定されている。
【０１２３】
このような構成では、ガイド２０８は吐出孔２４３の通流路２４４に連続して設けられているので、吐出孔２４３から吐出された現像液Ｄはこのガイド２０８に沿ってウエハ表面に向かって流れて行き、当該表面に供給される。この際ガイド２０８はノズル２０４の進行方向側の前方側に設けられており、ガイド２０８の先端はウエハ表面近傍に位置しているので、図２１（ｂ）に示すように、現像液Ｄが供給ノズル２０４よりも先回りしようとしても、ガイド２０５に衝突して流れがガイド２０８により妨げられる。このように現像液Ｄはガイド２０８よりも進行方向側の先行位置までは進むことが出来ないので、現像液の先回り現象が抑えられ、均一性の高い現像処理を行うことができる。
【０１２４】
ここで、ガイドの構成としては、ウエハに対する供給ノズル２０４の移動方向とは逆方向に現像液Ｄを案内する液案内部材が設けられていてもよい。一例としては、例えば図２２（ａ）に示すように、ガイド２８１の先端を進行方向に対して後方側に湾曲するように構成してもよい。このようにすると、ガイド２８１の先端はウエハ表面において吐出孔２４３の進行方向に対する前面位置よりも後方側に位置するので、吐出孔２４３から吐出された現像液Ｄはこのガイド２８１に沿って流れて行き、当該ウエハ表面の進行方向側の後方位置に供給される。そしてこの位置においてガイド２８１により現像液Ｄの先回りが阻止されるので、より現像液Ｄの先回り現象が抑えられ、均一性の高い現像処理を行うことができる。なおこの例においては、ガイド２８１の先端を進行方向に対して後方側に屈曲するように構成しても同様の効果が得られる。また、必ずしもガイド２８１の先端を後方側に屈曲させる構成に限らず、例えば図２２（ｂ）に示すように、供給ノズル２０４から供給される現像液Ｄの流路をノズル２０４の進行方向とは逆方向に変える部分を有していれば、先端は後方側に屈曲していなくてもよい。
【０１２５】
このような現像装置は、上述の実施形態と同様に、図６〜図８に示したシステムに適用することが可能である。
【０１２６】
以上において本発明では、供給ノズル２０４の疎水性とする部位は、通流路２４４の進行方向に対して前方側全体ではなくて、進行方向に対して前方側であってウエハ表面に供給された現像液と接触する部位であれば上述の効果が得られ、また疎水性表面の進行方向に対して後方側を親水性とすれば、より均一性の高い現像処理を行うことができるが、この親水性とする部位も、通流路２４４の進行方向に対して後方側全体ではなくて、進行方向に対して後方側であってウエハ表面に供給された現像液と接触する部位であれば同様の効果が得られる。
【０１２７】
また供給ノズル２０４の表面を疎水化や親水化する手法としては、上述の例に限らず、ＰＴＦＥなどの既述の材質により構成されたノズル部２４２の疎水化（親水化）しようとする部位に疎水化材料（親水化材料）を塗布することにより当該部位を疎水性（親水性）とするようにしてもよい。
【０１２８】
さらに供給ノズル２０４を、図２３（ａ）、（ｂ）に示すように、アーム部２６１の先端側の回転軸部２６５にて吊下げ支持し、前記回転軸部２６５を図示しない駆動機構により左右に回転できるように構成して、供給ノズル２０４から処理液が吐出される方向を下方垂直方向を中心にＸ方向前後に傾けるようにしてもよい。つまり現像液の液盛りの際には、供給ノズル２０４を進行方向と逆方向へ吐出孔２４３が向くように角度θ傾けて、現像液の吐出及び供給ノズル２０４のスキャンを開始するようにしてもよく、この場合には進行方向と逆方向へ吐出孔２４３が向いているので、さらに現像液の先回り現象を抑えることが出来る。
【０１２９】
さらにまたガイドを設ける構成では、ノズル部２４２やガイドの材質は特に限定されないが、ノズル部２４２及びガイドの進行方向に対して前方側であってウエハ表面に供給された現像液と接触する部位を疎水性とすれば、より現像液の先回り現象が抑えられるので望ましく、さらに疎水性表面の進行方向に対して後方側を親水性とすれば、より均一性の高い現像処理を行うことができるので望ましい。
【０１３０】
次に、本発明の更に別の実施形態について説明する。
【０１３１】
図２３に示した実施形態では、液盛りの際に供給ノズル２０４を進行方向と逆方向へ吐出孔２４３が向くように傾けていたが、この実施形態では、図２４に示すように、供給ノズル３０１自体を傾けるのではなく吐出孔３０２を角度θ′傾けたものである。そして、供給ノズル３０１の吐出孔３０２が露出する側とは反対側の方向３０３に向けて供給ノズル３０１をスキャンさせるように構成したものである。この場合、これとは反対方向にスキャンする場合には例えばウエハＷを１８０度回転させるようにすればよい。
【０１３２】
本実施形態によっても現像液の先回り現象を抑えることが出来る。
【０１３３】
本発明は上述した実施形態には限定されない。
【０１３４】
例えば、本発明の液処理装置は、現像処理に限らずレジストの塗布処理にも適用することができ、基板と供給ノズルとを相対的に回転させながら処理液の液膜を形成するタイプの液処理装置にも適用できる。
【０１３５】
さらに、上記一実施形態では、被処理基板として半導体ウエハを例に挙げたが、これに限定されるものではない。例えばＬＣＤ製造用のガラス基板を現像処理する装置であっても良い。
【０１３６】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、供給ノズルの基板表面上の処理液供給位置よりも供給ノズルの進行方向に対する先行位置に処理液が先回りするという現象の発生を抑えられるので、基板面内における液処理の進行の程度が揃えられ、均一性の高い液処理が行える。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態にかかる現像処理装置を示す概略構成図。
【図２】同実施形態に係る現像処理装置の平面図。
【図３】同実施形態に係るリニアノズルの斜視図及びリンス液供給系統を示す構造図。
【図４】同実施形態に係るリニアノズル及び抵抗バー（抵抗付与手段）との位置関係及び作用を説明するための模式図。
【図５】同実施形態に係る動作を説明するためのフローチャートを示す図。
【図６】この発明の一実施形態が適用される塗布現像システムの全体構成を示す平面配置図。
【図７】この発明の一実施形態が適用される塗布現像システムの全体構成を示す正面配置図。
【図８】この発明の一実施形態が適用される塗布現像システムの全体構成を示す背面配置図。
【図９】この発明の他の実施形態を示す斜視図。
【図１０】この発明の他の実施形態を示す概略構成図。
【図１１】この発明の更に別の実施形態を示すリニアノズルの断面図。
【図１２】図１１に示した実施形態の変形例を示すリニアノズルの断面図。
【図１３】図１１に示した実施形態の別の実施形態を示す吐出抵抗付与手段としての棒材の斜視図。
【図１４】本発明に係る液処理装置の実施の形態を表す断面図。
【図１５】本発明に係る液処理装置の実施の形態を表す平面図。
【図１６】前記液処理装置の供給部を示す斜視図。
【図１７】前記液処理装置の供給ノズルを示す側面図。
【図１８】前記液処理装置の供給部を示す側面図。
【図１９】前記液処理装置の作用について示した工程図。
【図２０】前記液処理装置の供給ノズルの作用について示した側面図。
【図２１】本発明に係る液処理装置の他の実施の形態の供給ノズルについて示す斜視図。
【図２２】本発明に係る液処理装置のさらに他の実施の形態の供給ノズルについて示す側面図。
【図２３】液処理装置の他の実施の形態の供給ノズルについて示す側面図。
【図２４】
液処理装置の別の実施の形態の供給ノズルについて示す断面図。
【符号の説明】
１…現像処理装置、２…アウターカップ、３…ウエハ保持部、４…リニアノズル、５…現像液供給部、６…抵抗バー、７…リンスノズル、８…リンス液供給部、９…制御部、１０…スピンチャック、１１…スピンチャック駆動機構、１２…Ｘ方向リニアガイド機構、１３…上下駆動機構、１４…待機部、１５…現像液吐出孔、１６ａ，１６ｂ…供給配管、１７…供給系、１８…現像液タンク、１９…フィルタ、２０…液量コントローラ、２１…開閉弁、２２…供給管、６０…カセット部、６１…プロセス処理部、６２…インタフェース部、６４…第２のサブアーム機構、６５…レール、７０ａ…突起部、７１…第１のサブアーム機構、７２…メインアーム機構、７８…メインアーム、７９…ガイド、９０…吐出孔、１０１…孔、１０２…メッシュ板、１０４…ノズル、１０５，１０６…抵抗バー、１０７…バッファ室、１０８…供給路、１０９…吐出孔、１１０，１１１…溝、２０２…スピンチャック、２０３…カップ、２０４…供給ノズル、２０５…ガイドレール、２０６…第１の移動機構、２０７…制御部、２０８…ガイド、２２０…駆動部、２３０…昇降部、２３１…外カップ、２３２…内カップ、２３３…円板、２３４…排液口、２３５…液受け部、２３６…リング体、２４０…領域、２４１…ノズル本体、２４２…ノズル部、２４３…吐出孔、２４４…通流路、２５０…洗浄ノズル、２５１…第２の移動機構、２５２，２５３…待機部、２６１…アーム部、２６２…ベース部、２６３…ボールネジ機構、２６４…昇降機構、２６５…回転軸部、２７１…筐体、２８１…ガイド、３０１…供給ノズル、３０２…吐出孔、３０３…方向[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a liquid processing apparatus that supplies a developing solution to the surface of a substrate such as a semiconductor wafer coated with a resist and subjected to an exposure process to perform the developing process.
[0002]
[Prior art]
In manufacturing a semiconductor device, a photoresist is applied to a semiconductor wafer as a substrate to be processed, a mask pattern is transferred to the photoresist by an exposure process, and a circuit pattern is formed by developing the mask pattern.
[0003]
Here, in the development processing step, the latent image pattern of the coated resist film is developed by continuously supplying the developer from the nozzle to the semiconductor wafer and depositing the developer on the pattern forming surface for a predetermined time. A so-called paddle method is generally employed.
[0004]
As the paddle system, the current mainstream uses a so-called linear nozzle in which a large number of liquid discharge holes are arranged in a straight line at a predetermined interval. Development methods using such a linear nozzle include (1) a “rotation method” in which the wafer is rotated 180 degrees while discharging the developer from the linear nozzle, and (2) the wafer is This is broadly divided into a “scanning method” in which liquid is accumulated by moving the linear nozzle in one direction parallel to the wafer without rotating.
[0005]
The former rotation method was devised in view of the requirement to reduce the consumption of the developing solution in recent times and to deposit the solution uniformly in a short time. However, with this rotation method, depending on the type of resist, the chip near the center of the wafer, which is the center of rotation, may become a defective product.
[0006]
That is, in the rotation method, the wafer is rotated 180 degrees with the nozzle fixed, and the developer is deposited over the entire wafer. With this method, however, the wafer is always only near the center of the wafer. Since a fresh developer is supplied, it is considered that the development proceeds excessively only at this portion as compared with the peripheral portion. With the recent miniaturization and higher density of circuit patterns, resists have become more powerful, that is, higher resolution, and problems that have been ignored in the past have been highlighted. For example, chemically amplified resists (CAR) In the case where is used, this development appears remarkably, and a desired resolution may not be obtained.
[0007]
On the other hand, according to the scanning method, although it takes a little more time to fill the liquid as compared with the rotation method, the above-mentioned problem does not occur, and thus it has been promising in recent years.
[0008]
By the way, in the scan development method, the above-described linear nozzle is used, and the developer hole is discharged simultaneously from a number of discharge holes by bringing the discharge hole of the linear nozzle close to the surface of the wafer. Then, the developer film is formed on the wafer by moving the linear nozzle in parallel (scanning movement) in the horizontal direction.
[0009]
Here, the linear nozzle is configured to discharge the developer through the plurality of discharge holes by storing the developer in a liquid reservoir provided therein and then pressurizing the liquid reservoir. Yes. In this case, the developer supplied in an interdigital manner from each discharge hole spreads somewhat on the surface of the wafer, and the adjacent liquid flows merge to be supplied onto the wafer in the form of a curtain or film. become. The film-like liquid flow can be placed on the wafer by moving the linear nozzle according to the discharge speed of the developer.
[0010]
What is important in such a development system is that the developer is uniformly discharged from all the discharge holes, and a film-like liquid flow having a uniform thickness is formed. However, this may become non-uniform immediately after the start of ejection. In particular, depending on the type of resist to be applied to the wafer, it is necessary to reduce the discharge amount of the developer and to reduce the discharge speed in order to reduce the influence of the impact on the resist. In this case, it becomes difficult to form a film-like liquid flow having a more uniform thickness.
[0011]
On the other hand, there is a linear nozzle provided with slit-like ejection holes having a length corresponding to the diameter of the wafer. This nozzle is generally called a slit nozzle. However, in such a slit nozzle, uneven discharge pressure is likely to occur, and it is difficult to form a film-like liquid flow having a uniform thickness. There is.
[0012]
Further, in such a system, the supply nozzle is moved in a state where the tip of the nozzle is in contact with the developer supplied onto the wafer. Therefore, when the supply nozzle made of a hydrophobic material is used, the developer is There is a problem that it is repelled on the surface of the nozzle, and it becomes difficult to supply the developing solution to the substrate surface in a uniform state, and development unevenness is likely to occur.
[0013]
When a supply nozzle made of a hydrophilic material is used, for example, at a slow scan speed of about 50 mm / second, the developer is pushed out when the supply nozzle is moved, and the preceding position with respect to the nozzle traveling direction is reached. The developer goes around. When the development advances ahead of the supply nozzle in this way, the development of this part proceeds, and then the development is performed twice when the supply nozzle moves to this part and the developer is supplied to the part. The development is progressed more than the other parts, and the line width becomes non-uniform.
[0014]
Here, the development of the developer is performed over the entire wafer W, and if development is performed twice at any location, the occurrence of development unevenness can be suppressed, but in reality, the location where the developer is advanced In other words, a portion that does not occur occurs, resulting in uneven development, resulting in a non-uniform line width.
[0015]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to allow a developer to be uniformly discharged from all of the discharge holes even when, for example, the discharge pressure of a supplied developer is low in development using a scan nozzle that uses linear nozzles or slit nozzles. The object is to provide a liquid processing apparatus.
[0016]
An object of the present invention is to provide a liquid processing apparatus capable of performing uniform liquid processing on a substrate surface.
[0017]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, according to a main aspect of the present invention, there is provided a liquid processing apparatus for supplying a liquid to a substrate and performing a predetermined process, the substrate holding mechanism for horizontally holding the substrate, and the substrate A liquid supply nozzle that is held above the holding mechanism and supplies the liquid onto the substrate while moving in a predetermined horizontal direction; and the nozzle disposed on the near side of the substrate along the traveling direction of the liquid supply nozzle. There is provided a liquid processing apparatus comprising discharge resistance applying means for applying discharge resistance to the liquid discharged from the liquid.
[0018]
According to such a configuration, it is possible to uniformly adjust the discharge state of the liquid over the entire width of the nozzle by giving discharge resistance to the liquid discharged from the liquid supply nozzle. In addition, by providing a discharge resistance to the liquid, the liquid immediately after discharge spreads, so that it is easy to form a film-like developer flow. Here, as an example of the liquid, for example, a developer is cited, and it is confirmed that the present invention can be applied to a developer processing apparatus.
[0019]
Here, according to one embodiment, the discharge resistance applying means is provided at a developer discharge start position of the developer supply nozzle. According to such a configuration, it is possible to increase the discharge pressure immediately after the start of discharge to make the discharge state uniform.
[0020]
According to another embodiment, the developer supply nozzle has a developer discharge hole provided over a range corresponding to the width of the substrate. In this case, the developer discharge hole of the developer supply nozzle may be composed of a plurality of discharge holes provided in parallel over a range corresponding to the width of the substrate. It may consist of slit-like ejection holes provided over the corresponding range.
[0021]
According to one embodiment, the discharge resistance applying means is provided in the vicinity of the lower surface of the developer supply nozzle and has a width slightly larger than the width of the discharge hole of the developer supply nozzle. It is.
[0022]
According to still another embodiment, the discharge resistance applying means is a plate member provided in the vicinity of the lower surface of the developer supply nozzle and having a discharge path through which the developer can be discharged. This discharge path is composed of, for example, a plurality of liquid discharge holes provided so as to penetrate the plate material.
[0023]
According to another embodiment, the discharge resistance applying means is an airflow blowing means that is provided opposite to the lower surface of the developer supply nozzle and blows an airflow against the discharged developer.
[0038]
These and other objects and benefits of the present invention can be easily confirmed by the following description and the accompanying drawings.
[0039]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[0040]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating a development processing apparatus 1 according to an embodiment, and FIG. 2 is a plan view.
[0041]
As shown in FIG. 1, the development processing apparatus 1 includes an outer cup 2 and a wafer that is provided in the outer cup 2 and holds a wafer W (wafer that has been coated with a resist solution and subjected to exposure processing) as a substrate to be processed. A holder 3, a developer supply unit 5 that scans the linear nozzle 4 to supply a developer as a processing solution onto the wafer W, and a development that is provided in the outer cup 2 and is discharged from the linear nozzle 4. It has a resistance bar 6 for giving resistance to the liquid, a rinsing liquid supply unit 8 provided with a rinsing nozzle 7 for rinsing the developed wafer W, and a control unit 9 for controlling these mechanisms.
[0042]
As shown in FIG. 2, the upper end opening of the outer cup 2 is formed in a rectangular shape, for example. Further, as shown in FIG. 1, the wafer holding unit 3 includes a spin chuck 10 for sucking and holding the wafer W, and a spin chuck driving mechanism 11 for rotating and driving the spin chuck 10 up and down. The wafer holding unit 3 has a function of rotating the wafer W at a high speed when the developer supplied by the developer supply unit 5 is rinsed and removing the developer by centrifugal force. The developer shaken off from the edge of the wafer W is received by the outer cup 2 and is discharged to the outside from a drainage path (not shown) provided at the lower end of the cup 2.
[0043]
On the other hand, the developer supply unit 5 scans and drives the vertical drive mechanism 13 such as an air cylinder that holds the linear nozzle 4 along a rail provided along the X direction, for example. And a directional linear guide mechanism 12. The developer supply unit 5 drives the linear nozzle 4 up and down from a standby unit 14 (HOME) indicated by a solid line in the drawing and moves it in the X direction so as to be positioned at the BIGIN position in the outer cup 2. . Then, by operating the X-direction linear guide mechanism 12, the linear nozzle 4 is scan-driven in the X direction along the surface of the wafer W to a position indicated by END in the drawing.
[0044]
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing only the linear nozzle 4. The linear nozzle 4 has a main body having a width slightly longer than the diameter of the wafer W, and a plurality of developer discharge holes 15 are formed on the lower surface thereof at a pitch of 2 mm, for example. A liquid reservoir (not shown) is provided in the nozzle 4, and the developer supplied from the supply pipes indicated by 16 a and 16 b in the figure is once stored in the liquid reservoir and then substantially uniform from the discharge holes 15. It will be discharged with a proper pressure.
[0045]
Here, the linear nozzle 4 is connected to a supply system 17 shown in FIG. In the supply system 17, an inert gas such as N is added to the developer tank 18 containing the developer. 2 Gas is blown in, and the developer is sent to the linear nozzle 4 through the filter 19, the liquid amount controller 20, the on-off valve 21 and the supply pipe 22 by this gas pressure.
[0046]
The supply / stop of the developer is performed by each on-off valve 21, and the on-off valve 21 is controlled by the control unit 9. The liquid amount controller 20 is also connected to the control unit 9. The liquid amount controller 20 as the discharge pressure control means can control the discharge pressure of the developer discharged from the discharge hole 15 based on the control signal from the control unit 9. The discharge pressure may be controlled by adjusting the on-off valve 21 or by adjusting the blowing pressure of the inert gas blown into the developer tank 18.
[0047]
On the other hand, as shown in FIG. 1, a resistance bar 6 made of, for example, Teflon resin is provided in the outer cup 2 to give a predetermined discharge resistance to the developer flow discharged from the linear nozzle 4. Yes. The resistance bar 6 is provided corresponding to the scan start position of the linear nozzle 4, that is, the BIGIN position. As shown in FIG. 4A, the resistance bar 6 is disposed to face the lower surface of the linear nozzle 4 with a predetermined gap G so as to be discharged through the discharge holes 15 of the linear nozzle 4. Giving a discharge resistance to the developer. Thus, the pressure in the liquid reservoir in the linear nozzle 4 is temporarily increased so that a pressure higher than usual is applied to the developer discharged from each discharge hole 15.
[0048]
Therefore, the gap G between the resistance bar 6 and the linear nozzle 4 is defined as a dimension capable of increasing the pressure in this way. In this embodiment, the gap G is set to 3 mm. The distance from the resistance bar 6 to the wafer W is determined in consideration of an acceleration distance for achieving a predetermined constant speed when the linear nozzle 4 is activated from the BIGIN position and reaches the wafer W. In this embodiment, it arrange | positions within 0-25 mm.
[0049]
Thus, for example, even when the developer is not discharged from some of the discharge holes 15 for some reason, the pressure in the liquid reservoir is temporarily increased to prevent all of the discharge holes 15 from being discharged. The developer can be discharged from the discharge hole 15.
[0050]
On the other hand, as shown in FIG. 1, the rinse liquid supply unit 8 includes a vertical drive mechanism 35 that holds the rinse nozzle 7 and an X-direction linear guide mechanism 34 that drives the vertical drive mechanism 35 in the X direction. . The rinse nozzle 7 is disposed at a position on the opposite side of the standby portion 14 of the linear nozzle 4 and the outer cup 2. The linear nozzle 7 is connected to a rinsing liquid tank (not shown), and the rinsing liquid in the rinsing liquid tank is converted into an inert gas such as N. 2 The rinsing liquid can be discharged by pressurizing with gas.
[0051]
The rinsing liquid supply unit 8 is connected to the control unit 9, and the rinsing nozzle 7 is positioned opposite to the central portion of the wafer W in accordance with a command from the control unit 9, and the rinsing liquid is sprayed onto the wafer W. It is supposed to be.
[0052]
Next, the operation of this apparatus will be described with reference to the flowchart of FIG.
[0053]
First, the wafer W is loaded into the development processing apparatus (step S1). That is, the spin chuck 10 is driven up to above the outer cup 2, and the wafer W coated with the resist solution and subjected to the exposure process in the previous process is transferred and held on the spin chuck 10 from an arm (not shown). Thereafter, the spin chuck 10 is driven downward, and the wafer W is accommodated in the outer cup 2.
[0054]
Next, the linear nozzle 4 is Z-driven from the standby unit 14 (HOME) and moved above the outer cup 2. Next, the linear nozzle 4 is positioned at the BIGIN position in the cup 2 by being driven downward (step S2). Thus, the lower surface of the linear nozzle 4 faces the resistance bar 6 with a gap G of about 3 mm.
[0055]
Next, the opening / closing valve 21 is opened, and the supply of the developer from each discharge hole 15 of the linear nozzle 4 is started (step S3). This developer collides with the resistance bar 6 immediately after discharge, and a resistance force against discharge acts. As a result, the pressure of the liquid reservoir in the nozzle 4 is increased, and as described above, the developer is uniformly discharged from all the discharge holes 15.
[0056]
Accordingly, even when the developer discharge pressure when supplying the developer onto the wafer W is low, the discharge pressure at the beginning of discharge is temporarily increased, so that all the discharge holes 15 are uniform. The developer can be discharged.
[0057]
In addition, since the developer discharged from the linear nozzle 4 hits the resistance bar 6 and spreads as shown in FIG. 4B, the liquid flows discharged in a comb shape from the discharge holes 15 come into contact with each other, and the film shape Can be formed. Further, it is considered that the developer can be uniformly discharged from all the discharge holes 15 by the surface tension at this time.
[0058]
Next, the X-direction linear guide mechanism 12 is operated, and the linear nozzle 4 is scan-driven in the X direction (step S4). Even if the resistance bar 6 disappears from the lower side of the linear nozzle 4, the film-like liquid flow once formed moves to the wafer W side while maintaining the film-like shape due to the surface tension.
[0059]
The linear nozzle 4 supplies the developing solution onto the wafer W while moving at a constant speed in the X direction, for example, a scan speed of 5 to 20 cm / sec in the state indicated by the arrow in FIG. As a result, a uniform developer film of about 1 mm is formed after passing through the nozzle 4.
[0060]
Next, when the linear nozzle 4 overscans the other end of the wafer W, the supply of the developing solution is stopped, and the scanning in the X direction by the X direction linear guide mechanism 12 is also stopped (step S5). During the developer supply process described above, excess developer dropped from the peripheral edge of the wafer W is received by the cup 2 and discharged to the outside through a discharge path (not shown).
[0061]
When the linear nozzle 4 is returned to the standby unit 14 and a predetermined development time has elapsed, the wafer W is rinsed (developing solution is removed) (step S7). That is, the rinse liquid supply unit 8 is operated, the rinse nozzle 7 is opposed to the central part of the wafer W, and pure water as a rinse liquid is supplied to the central part of the wafer W. At the same time, the spin chuck driving mechanism 11 is operated to rotate the wafer W at a high speed, and the developer on the wafer W is washed away together with the rinse liquid. Next, the supply of pure water is stopped and the rotation is continued, whereby the wafer W is shaken off and dried (step S8).
[0062]
When the drying of the wafer W is completed, the wafer W is unloaded from the development processing apparatus (step S9). That is, the wafer W is driven up by the spin chuck 10, taken out by an arm (not shown), and discharged from the development processing apparatus.
[0063]
According to the above configuration, in the scan development method, even when the discharge pressure of the developer is low, the developer can be discharged from all the discharge holes in a uniform state.
[0064]
Of course, this embodiment can also be applied to apparatuses other than such a coating and developing unit. Various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
[0065]
This development processing apparatus is preferably applied to the coating and developing treatment system shown in FIGS.
[0066]
As shown in FIG. 6, this coating and developing processing system includes a cassette unit 60 for sequentially taking out wafers W from a cassette CR containing wafers W, and a resist solution coating and developing unit for the wafers W taken out by the cassette unit 60. A process processing unit 61 that performs process processing and an interface unit 62 that transfers a wafer W coated with a resist solution to an exposure apparatus (not shown) are provided.
[0067]
The cassette unit 60 is provided with four projections 70a for positioning and holding the cassette CR, and a first sub arm mechanism 71 for taking out the wafer W from the cassette CR held by the projection 70a. . The sub arm mechanism 71 is configured to be rotatable in the θ direction, and has a function of delivering the wafer W taken out from the cassette to the main arm mechanism 72 provided in the process processing unit 61.
[0068]
The transfer of the wafer W between the cassette unit 60 and the process processing unit 61 is performed via the third processing unit group G3. The third processing unit group G3 is configured by stacking a plurality of process processing units vertically as shown in FIG. That is, the processing unit group G3 includes a cooling unit (COL) for cooling the wafer W, an adhesion unit (AD) for performing a hydrophobic treatment for improving the fixability of the resist solution on the wafer W, and alignment of the wafer W. Alignment unit (ALIM) to perform, Extension unit (EXT) for keeping wafer W on standby, Two pre-baking units (PREBAKE) for performing heat treatment after resist coating, Post-exposure for performing heat treatment after exposure processing A baking unit (PEBAKE) and a post-baking unit (POBAKE) are sequentially stacked from bottom to top.
[0069]
As shown in this figure, a fourth processing unit group G4 is provided on the opposite side of the third processing unit group G3 with the main arm mechanism 72 interposed therebetween. Since the configuration is substantially the same as that of the unit group G3, detailed description thereof is omitted.
[0070]
Further, as shown in FIG. 6, around the main arm mechanism 72, the first to fifth processing unit groups G1 to G5 including the third and fourth processing unit groups G3 and G4 are arranged on the main arm. It is provided so as to surround the mechanism 72. Similar to the third processing unit groups G3 and G4 described above, the other processing unit groups G1, G2, and G5 are configured by stacking various processing units in the vertical direction.
[0071]
As shown in FIG. 7, the development processing apparatus (DEV) of this embodiment is provided in the first and second processing unit groups G1 and G2. The first and second processing unit groups G1 and G2 are configured by vertically stacking a resist coating device (COT) and a development processing device (DEV).
[0072]
On the other hand, as shown in FIG. 8, the main arm mechanism 72 includes a cylindrical guide 79 extending in the vertical direction, and a main arm 78 driven up and down along the guide 79. The main arm 78 is configured to rotate in the plane direction and to be driven back and forth. Accordingly, by driving the main arm 78 in the vertical direction, the wafer W can be arbitrarily accessed to each processing unit of the processing unit groups G1 to G5.
[0073]
The transfer of the wafer W from the first sub arm mechanism 71 to the main arm mechanism 72 is performed via the extension unit (EXT) and the alignment unit (ALIM) of the third processing unit group G3.
[0074]
The main arm mechanism 72 that has received the wafer W first carries the wafer W into the adhesion unit (AD) of the third processing unit group G3 and performs a hydrophobic treatment. Next, the wafer W is unloaded from the adhesion unit (AD) and cooled by the cooling unit (COL).
[0075]
The cooled wafer W is positioned and opposed to the resist solution coating apparatus (COT) of the first processing unit group G1 (or the second processing unit group G2) by the main arm mechanism 72. The wafer W coated with the resist solution by the resist solution coating apparatus (COT) is unloaded by the main arm mechanism 72, and the resist solvent is used in the heat treatment units (PEBAKE) of the third and fourth processing unit groups G3 and G4. A heat treatment for evaporating is performed.
[0076]
Next, after the wafer W is cooled by a cooling unit (COL), it is received by a second sub-arm mechanism 64 provided in the interface unit 62 via an extension unit (EXT) of the fourth processing unit group G4. Passed.
[0077]
The second sub-arm mechanism 64 that has received the wafer W sequentially stores the received wafer W in a buffer cassette (BUCR). Thereafter, when a reception signal is output from an exposure apparatus (not shown), the wafers stored in the buffer cassette (BUCR) are sequentially transferred to the exposure apparatus by the sub arm mechanism 64. When the exposure by the exposure apparatus is completed, the exposed wafer is received by the sub arm mechanism 64, and the peripheral edge of the wafer is subjected to peripheral exposure processing with a width of, for example, 2 mm by the peripheral exposure unit (WEE).
[0078]
The wafer W after the peripheral exposure processing is transferred to the main arm mechanism 72 via the fourth processing unit group G4, contrary to the above, and the main arm mechanism 72 posts the wafer W after the exposure. Deliver to the exposure baking unit (PEBAKE). As a result, the wafer W is heated and then cooled to a predetermined temperature in a cooling unit (COL).
[0079]
Next, the wafer W is inserted into the developing device (DEV) of this embodiment by the main arm mechanism 72 and subjected to development processing. The developed wafer W is transferred to one of the baking units, heated and dried, and then discharged to the cassette unit 60 via the extension unit (EXT) of the third processing unit group G3.
[0080]
The fifth processing unit group G5 is selectively provided. In this example, the fifth processing unit group G5 is configured in the same manner as the fourth processing unit group G4. Further, the fifth processing unit group G5 is movably held by a rail 65, so that maintenance processing for the main arm mechanism 72 and the first to fourth processing unit groups G1 to G4 can be easily performed. ing.
[0081]
When the development processing apparatus of the present invention is applied to the cooling development unit shown in FIGS. 6 to 8, parallel processing of a plurality of wafers can be easily performed, so that the coating / developing process of the wafer W can be performed very efficiently. Can be done. In addition, since the processing units are configured to be stacked up and down, the installation area of the apparatus can be significantly reduced.
[0082]
In addition, this invention is not limited to the said one Embodiment, A various deformation | transformation is possible in the range which does not change the summary of invention.
[0083]
For example, in the above embodiment, the linear nozzle 4 has a plurality of circular discharge holes 15, but as shown in FIG. 9, one (or several) slit-shaped discharge holes 90 are provided. It may be a nozzle 4 ′.
[0084]
Furthermore, in the above-described embodiment, the discharge resistance is given by using the resistance bar 6. However, the present invention is not limited to this, and any means that can give resistance to the discharge may be used. For example, as shown in FIG. 2 N through the nozzle 2 Similar effects can be obtained by blowing the blow against the lower surface of the nozzle 4.
[0085]
Further, as shown in FIG. 10B, a mesh plate 102 in which a large number of holes 101 are formed instead of the resistance bar 6 may be disposed. Here, the numerous holes 101 function as a developer discharge passage. Even with such a configuration, it is possible to obtain the same effects as those of the one embodiment.
[0086]
As described above, according to the present invention, in the development of the scan method using the linear nozzle or the slit nozzle, even when the discharge pressure of the supplied developer is low, the development is uniformly performed from all the discharge holes. A development processing apparatus that can discharge the liquid can be obtained.
[0087]
Next, another embodiment of the present invention will be described.
[0088]
In this embodiment, as shown in FIG. 11, a resistance bar 106 is provided in the nozzle 104. A cylindrical buffer chamber 107 is provided in the nozzle 104, and a resistance bar 106 is disposed at the approximate center thereof. Then, the developing solution is supplied into the buffer chamber 107 from the supply path 108 in the upper portion of the buffer chamber 107, and once hits the resistance bar 106, the developing solution is applied to the wafer W from the discharge hole 109 provided in the lower portion of the buffer 107 chamber. To be supplied.
[0089]
In the present embodiment, in particular, the developer is configured to be supplied onto the wafer W once by hitting the resistance bar 106, so that the developer is supplied onto the wafer as compared with the case where the developer is directly supplied onto the wafer W. Can reduce the impact. In addition, since the developer tends to spread in the axial direction of the resistance bar 106, the discharge amount of the developer in the longitudinal direction of the nozzle 104 can be made more uniform.
[0090]
The resistance bar 106 is preferably made of a hydrophilic material such as quartz. This is because the developer tends to spread more reliably in the axial direction of the resistance bar 106.
[0091]
Further, as shown in FIG. 12, grooves 110 may be provided in the circumferential direction of the inner wall of the buffer chamber 107 with a predetermined interval in the axial direction. As a result, the developer supplied from the supply path 108 is guided by the groove 110 in the buffer chamber 107 and can be reliably discharged from the discharge hole 109 (without causing the liquid to run out).
[0092]
For the same purpose as the embodiment shown in FIG. 12, a spiral groove 111 may be provided on the surface of the resistance bar 106 as shown in FIG. 13.
[0093]
Next, another embodiment of the present invention will be described.
[0094]
14 and 15 are schematic diagrams showing this embodiment. Reference numeral 202 denotes a spin chuck that forms a substrate holding portion that vacuum-sucks the central portion of the back surface of the wafer W, which is a substrate, and holds the substrate substantially horizontally. The spin chuck is configured to be rotated and raised / lowered by the driving unit 220.
[0095]
In a state where the wafer W is attracted and held by the spin chuck 202, a cup 203 is provided so as to surround the side of the wafer W. The cup 203 includes an outer cup 231 and an inner cup 232 that are movable up and down. The inner cup 232 is formed so that the upper side of the cylinder is inclined upward and the upper side opening is narrower than the lower side opening. When the outer cup 231 is raised by the elevating part 230, the movement range of the outer cup 231 is reduced. Some are configured to move up and down in conjunction with each other.
[0096]
The lower side of the cup 203 includes a disk 233 that surrounds the periphery of the spin chuck 202, and a liquid receiving part 235 in which a recess is formed all around the disk 233 and a drainage port 234 is formed on the bottom surface. It is configured. The outer cup 231 (and the inner cup 232) is accommodated slightly inside the side surface of the liquid receiving portion 235, and the side of the wafer W is extended across the upper level and the lower level of the wafer W by the concave portion and the cup 203. Surrounding. Further, a ring body 236 having a mountain-shaped cross section whose upper end approaches the back surface of the wafer W is provided at the peripheral edge of the disk 233.
[0097]
Next, the supply nozzle 204 for supplying a developing solution as a processing solution to the wafer W sucked and held by the spin chuck 202 will be described. For example, as shown in FIG. 16, the supply nozzle 204 includes an elongated rectangular nozzle body 241 to which a developing solution is supplied, and a nozzle portion 242 provided on the lower surface thereof. For example, a large number of discharge holes 243 are arranged over a length equal to or greater than the width of the effective area (device formation area) of the wafer W. For example, as shown in FIG. 241 is connected by a flow path 244. Here, the nozzle portion 242 corresponds to a member constituting the discharge hole 243, and the nozzle body 241 and the nozzle portion 242 are, for example, polytetrafluoroethylene (PTFE), popipropylene (PP), polyethylene (PE), polyvinyl carbonate ( PVC) and polyacetal (POM).
[0098]
The supply nozzle 204 is configured to be movable in the horizontal direction as will be described later. For example, the supply nozzle 204 is an area indicated by hatching in FIG. 17 with respect to the traveling direction of the supply nozzle 204 (the direction indicated by the arrow in FIG. 18). When the developer D is supplied from the supply nozzle 204 to the wafer W on the front side, the surface of the region 240 including the portion where the nozzle portion 242 contacts the developer D on the wafer W becomes hydrophobic. Yes.
[0099]
For example, in this example, the surface of the region 242a on the front side with respect to the traveling direction with respect to the flow path 244 of the supply nozzle 204 is made hydrophobic to be hydrophobic, for example, the rear side with respect to the traveling direction with respect to the flow path 244. The surface of the side region 242b is made hydrophilic and hydrophilic.
[0100]
Here, modifying the surface of the nozzle portion 242 to be hydrophobic or hydrophilic means changing the surface tension of these surfaces. Specifically, for example, when the surface of the nozzle portion 242 is modified to be hydrophobic, the surface tension of the surface is reduced and the affinity with a processing solution such as a developing solution is reduced. Contact the developer, the developer is repelled on the surface.
[0101]
On the other hand, when the surface is modified to be hydrophilic, the surface tension of the surface increases and the affinity with the developer increases, so that when the developer contacts the surface, the developer wets the surface. As a result, the adhesion between the surface and the developer is increased.
[0102]
As an example of modification of the surface of the nozzle part 242, for example, in the case of modification to hydrophobicity, a region of the nozzle part 242 to be made hydrophobic in a chamber (not shown) is irradiated with plasma of a fluorine compound gas. By doing so, the said area | region is hydrophobized. Here, as the fluorine compound gas, for example, F 2 Gas or C 2 F 4 Gas, CF 4 A gas or the like can be used, and plasma treatment is performed using these gases as a reaction gas.
[0103]
In the case of modification to hydrophilicity, CO gas or O2 is added to the region to be made hydrophilic of the nozzle portion 242 in a chamber (not shown). 2 Gas, N 2 By irradiating plasma such as gas, the region is hydrophilized, and plasma treatment is performed using these gases as reaction gases.
[0104]
Such a supply nozzle 204 is positioned along the guide rail 205 provided on the outside of the cup 203 by the first moving mechanism 206 along the standby position outside the cup 203 shown in FIG. 15 (the position on the one end side of the guide rail 205). ) Through the upper side of the wafer W so as to be movable to a position facing the standby position across the wafer W.
[0105]
That is, the guide rail 205 is provided so as to extend in the X direction so as to be parallel to one side of the outer cup 231, for example, as shown in FIG. 15, and the first moving mechanism 206 is provided at one end side of the guide rail 205. positioned. The first moving mechanism 206 includes an arm portion 261 and a base portion 262. The supply nozzle 204 is suspended and supported by the arm portion 261 so that the discharge holes 243 of the plurality of processing liquids are arranged in the Y direction. In addition, it can be moved along the guide rail 205 via a base portion 262 which is a moving portion.
[0106]
For example, as shown in FIG. 18, the base portion 262 has an elevating mechanism 264 composed of, for example, a ball screw mechanism 263, and the arm portion 261 is moved in the Z direction by a driving force from a power source (not shown) such as a motor. Can be moved up and down.
[0107]
Further, reference numeral 250 in FIG. 15 denotes a cleaning nozzle for supplying a cleaning liquid to the wafer W to clean the surface of the wafer W. The cleaning nozzle 250 is formed by the second moving mechanism 251 with the cup 203 shown in FIG. It is provided so as to be able to move horizontally from an outer standby position (position on the other end side of the guide rail 205) through the upper side of the wafer W to a position facing the standby position across the wafer W.
[0108]
Here, the positions where the first moving mechanism 206 and the second moving mechanism 251 are shown in FIG. 15 are the standby positions of the supply nozzle 204 and the cleaning nozzle 250 in the non-working state, as described above. For example, standby portions 252 and 253 of the first moving mechanism 206 and the second moving mechanism 251 configured by vertically movable plate-like bodies are provided.
[0109]
The driving unit 220, the lifting unit 230, the first moving mechanism 206, and the second moving mechanism 251 described so far are connected to the control unit 207, for example, according to the lifting / lowering of the spin chuck 202 by the driving unit 220. It is possible to control each unit in conjunction with each other so that the processing liquid is supplied (scanned) by the first moving mechanism 206. The cup 203, the first moving mechanism 206, and the second moving mechanism 251 are formed as a unit surrounded by a box-shaped casing 271, and the wafer W is transferred by a transfer arm (not shown).
[0110]
Next, the operation in this embodiment will be described. First, the spin chuck 202 is raised to above the cup 203, and a resist is already applied in the previous process, and the exposed wafer W is transferred from the transfer arm (not shown) to the spin chuck 202. Then, the spin chuck 202 is lowered so that the wafer W comes to a predetermined position indicated by a solid line in FIG. At this time, the outer cup 231 and the inner cup 232 are both lowered.
[0111]
Subsequently, the first moving mechanism 206 is guided along the guide rail 205 to a corresponding position between the outer cup 231 and the peripheral edge of the wafer W, and then descends from that position to a standby position outside the peripheral edge of the wafer W. . At this time, since the position (height) of the supply nozzle 204 is set to a height at which the developer is supplied to the wafer W, the ejection hole 243 is placed at a position higher by about 1 mm, for example, than the wafer W surface level.
[0112]
Then, as shown in FIGS. 19A and 19B, the supply nozzle 204 is moved from one end side to the other end side of the wafer W while discharging of the developing solution D is started (FIGS. 19A and 19B). For example, a liquid film having a height of 1.2 mm is formed on the surface of the wafer W. At this time, the tip of the supply nozzle 204 is in a position in contact with the developer D supplied on the wafer surface, and the supply nozzle 204 is moved in one direction with the tip of the supply nozzle 204 in contact with the developer D on the wafer. As a result of the scanning, the developing solution D on the wafer is pushed and spread by the tip of the nozzle 204, and the developing solution D is completely deposited on the entire surface of the wafer W.
[0113]
At this time, the supply nozzle 204 is moved so that the center of the discharge region where the discharge holes 243 of the supply nozzle 204 are arranged passes above the center of the wafer W. For example, the scan speed is about 50 mm / sec. Done in
[0114]
Then, the scanning of the supply nozzle 204 and the supply of the developer D are stopped above the inner cup 232 on the other end side of the wafer W. Here, when it is necessary to discharge the developer D onto the wafer W a plurality of times, the supply nozzle 204 is scanned at a height at which the supply nozzle 204 is scanned at the stop position, for example, 1 mm above the surface of the wafer W and returned to the scanned route. For example, the developer D is supplied.
[0115]
After the application of the developer D is completed, static development is performed in a state where the developer D is accumulated on the surface of the wafer W as shown in FIG. Then, the first moving mechanism 206 returns to the standby unit 252, and is replaced with the first moving mechanism 206, and the second moving mechanism 251 moves from the standby unit 253 to the wafer W side.
[0116]
Then, as shown in FIG. 19D, the cleaning nozzle 250 is positioned so that the discharge portion of the cleaning nozzle 250 is positioned above the center of the wafer W and the spin chuck 202 is rotated. The developer D is washed away by supplying it to the central part and spreading the cleaning liquid R from the central part to the peripheral part of the wafer W by the centrifugal force of the wafer W. Thereafter, as shown in FIG. 19E, the development processing of the wafer W is completed through a process such as spin drying.
[0117]
At this time, the developing solution D and the cleaning solution R flow downward through the inner ring 232 and are stored in the liquid receiving portion 235, and these solutions are discharged from the drain port 234 through a drain line (not shown).
[0118]
As described so far, in the embodiment according to the present invention, the region 242a on the front side with respect to the traveling direction of the nozzle portion 242 of the supply nozzle 204 with respect to the traveling direction is modified to be hydrophobic. Even when the developer 204 is deposited by scanning the nozzle 204 at a speed of about 50 mm / second, the so-called advance of the developer D in which the developer D wraps around the preceding position in the traveling direction rather than the supply nozzle 204. Development can be suppressed and development processing with high uniformity can be performed.
[0119]
That is, when the developer D is deposited, the front side of the nozzle part 242 is hydrophobic even if the developer D discharged from the discharge hole 243 of the supply nozzle 204 attempts to advance further than the nozzle part 242. Therefore, the developer D is repelled on the surface and returned to the rear side. For this reason, as shown in FIG. 20, the developing solution D cannot easily travel to the front side of the flow path 244 of the supply nozzle 204, and eventually the occurrence of the advance phenomenon of the developing solution D is suppressed. As a result, the degree of development progress is almost uniform at all locations on the wafer W, so that the uniformity of the development line width can be improved.
[0120]
Further, when the rear side of the supply nozzle 204 with respect to the traveling direction of the nozzle portion 242 of the supply nozzle 204 is modified to be hydrophilic as in the above-described example, the surface has high wettability of the developer D, and the developer D Since it tends to adhere to the surface, the amount of the developer D that tends to go ahead of the nozzle portion 242 is reduced. Further, since the developer D repelled on the front surface of the nozzle portion 242 is likely to adhere to the hydrophilic surface, the occurrence of the advance phenomenon of the developer D can be further suppressed.
[0121]
Further, since the developer D is easily adapted to the hydrophilic surface, the developer D is not easily disturbed even when the hydrophilic surface contacts the developer D on the wafer surface, and the developer D is scanned by scanning the supply nozzle 204. When the developer D is spread, the developer D is pushed and spread on the hydrophilic surface, so that the developer with higher uniformity can be deposited and the uniformity of the development line width can be further increased. .
[0122]
Next, another example of the present invention will be described with reference to FIG. 21A. In this example, the supply nozzle 204 is passed along the length direction of the nozzle portion 242 to the front side in the traveling direction side of the nozzle. A substantially vertical guide 208 is provided so as to be continuous with the path 244. The guide 208 is for guiding the developer discharged from the discharge holes 243 to the wafer surface. When supplying the developer to the wafer surface, the guide 208 is positioned at a position where the tip of the guide 208 slightly floats from the wafer surface. As described above, the height of the guide 208 and the height position when the supply nozzle 204 is supplied are determined.
[0123]
In such a configuration, since the guide 208 is continuously provided in the flow path 244 of the discharge hole 243, the developer D discharged from the discharge hole 243 flows along the guide 208 toward the wafer surface. And is fed to the surface. At this time, the guide 208 is provided on the front side of the nozzle 204 in the traveling direction, and the tip of the guide 208 is located near the wafer surface, so that the developer D is supplied as shown in FIG. Even if the nozzle 204 is to be advanced further than the nozzle 204, it collides with the guide 205 and the flow is blocked by the guide 208. Thus, since the developing solution D cannot advance to the preceding position on the traveling direction side of the guide 208, the advance phenomenon of the developing solution is suppressed, and a highly uniform developing process can be performed.
[0124]
Here, as a configuration of the guide, a liquid guide member for guiding the developer D in a direction opposite to the moving direction of the supply nozzle 204 with respect to the wafer may be provided. As an example, as shown in FIG. 22A, for example, the tip of the guide 281 may be configured to curve backward with respect to the traveling direction. In this way, the tip of the guide 281 is positioned on the rear side of the front surface of the wafer surface with respect to the traveling direction of the discharge hole 243, so that the developer D discharged from the discharge hole 243 flows along the guide 281. Then, it is supplied to the rear position on the wafer surface in the traveling direction. At this position, the guide 281 prevents the developer D from being advanced, so that the advance phenomenon of the developer D can be further suppressed and a highly uniform development process can be performed. In this example, the same effect can be obtained even if the tip of the guide 281 is bent backward with respect to the traveling direction. In addition, the configuration is not limited to the configuration in which the tip of the guide 281 is bent backward. For example, as illustrated in FIG. 22B, the flow direction of the nozzle 204 is the flow direction of the developer D supplied from the supply nozzle 204. As long as it has a portion that changes in the opposite direction, the tip does not have to be bent backward.
[0125]
Such a developing apparatus can be applied to the systems shown in FIGS. 6 to 8 as in the above-described embodiment.
[0126]
As described above, in the present invention, the hydrophobic portion of the supply nozzle 204 is supplied not to the entire front side with respect to the traveling direction of the flow path 244 but to the front surface with respect to the traveling direction and supplied to the wafer surface. The above-described effects can be obtained as long as the portion is in contact with the developer, and a more uniform development process can be performed by making the rear side hydrophilic with respect to the traveling direction of the hydrophobic surface. The hydrophilic part is not the entire rear side with respect to the traveling direction of the flow path 244 but the rear part with respect to the traveling direction and the part that contacts the developer supplied to the wafer surface. The effect is obtained.
[0127]
In addition, the method for hydrophobizing or hydrophilizing the surface of the supply nozzle 204 is not limited to the above-described example, and the nozzle portion 242 made of the above-described material such as PTFE is to be made hydrophobic (hydrophilic). The site may be made hydrophobic (hydrophilic) by applying a hydrophobic material (hydrophilic material).
[0128]
Further, as shown in FIGS. 23A and 23B, the supply nozzle 204 is suspended and supported by a rotary shaft portion 265 on the distal end side of the arm portion 261, and the rotary shaft portion 265 is left and right by a drive mechanism (not shown). The direction in which the processing liquid is discharged from the supply nozzle 204 may be tilted back and forth in the X direction around the lower vertical direction. That is, when the developer is deposited, the supply nozzle 204 is inclined at an angle θ so that the discharge hole 243 faces in the direction opposite to the traveling direction, and the discharge of the developer and the scan of the supply nozzle 204 are started. In this case, since the discharge hole 243 faces in the direction opposite to the traveling direction, it is possible to further suppress the advance phenomenon of the developer.
[0129]
Further, in the configuration in which the guide is provided, the material of the nozzle portion 242 and the guide is not particularly limited, but the portion that is in front of the nozzle portion 242 and the guide traveling direction and is in contact with the developer supplied to the wafer surface. If it is hydrophobic, it is desirable because it can prevent the developer from going forward, and if the back side is made hydrophilic with respect to the direction of travel of the hydrophobic surface, a more uniform development process can be performed. desirable.
[0130]
Next, still another embodiment of the present invention will be described.
[0131]
In the embodiment shown in FIG. 23, the supply nozzle 204 is inclined so that the discharge hole 243 faces in the direction opposite to the traveling direction at the time of liquid accumulation. However, in this embodiment, as shown in FIG. Rather than tilting 301 itself, the discharge hole 302 is tilted at an angle θ ′. The supply nozzle 301 is configured to scan in the direction 303 opposite to the side where the discharge hole 302 of the supply nozzle 301 is exposed. In this case, when scanning in the opposite direction, for example, the wafer W may be rotated 180 degrees.
[0132]
Also according to this embodiment, it is possible to suppress the advance phenomenon of the developer.
[0133]
The present invention is not limited to the embodiment described above.
[0134]
For example, the liquid processing apparatus of the present invention can be applied not only to development processing but also to resist coating processing, and is a type of liquid that forms a liquid film of processing liquid while relatively rotating a substrate and a supply nozzle. It can also be applied to a processing apparatus.
[0135]
Further, in the above-described embodiment, the semiconductor wafer is taken as an example of the substrate to be processed, but the present invention is not limited to this. For example, an apparatus for developing a glass substrate for LCD production may be used.
[0136]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to suppress the occurrence of the phenomenon that the processing liquid is advanced to the preceding position in the traveling direction of the supply nozzle rather than the processing liquid supply position on the substrate surface of the supply nozzle. The degree of progress of liquid treatment is uniform, and liquid treatment with high uniformity can be performed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a development processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of the development processing apparatus according to the embodiment.
FIG. 3 is a perspective view of a linear nozzle and a structural diagram showing a rinse liquid supply system according to the embodiment.
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the positional relationship and operation between the linear nozzle and the resistance bar (resistance applying means) according to the embodiment.
FIG. 5 is an exemplary flowchart illustrating the operation according to the embodiment.
FIG. 6 is a plan layout view showing the overall configuration of a coating and developing system to which an embodiment of the present invention is applied.
FIG. 7 is a front layout view showing the overall configuration of a coating and developing system to which an embodiment of the present invention is applied.
FIG. 8 is a rear layout view showing the overall configuration of a coating and developing system to which an embodiment of the present invention is applied.
FIG. 9 is a perspective view showing another embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a sectional view of a linear nozzle showing still another embodiment of the present invention.
12 is a cross-sectional view of a linear nozzle showing a modification of the embodiment shown in FIG.
FIG. 13 is a perspective view of a bar material as discharge resistance applying means showing another embodiment of the embodiment shown in FIG. 11;
FIG. 14 is a cross-sectional view showing an embodiment of a liquid processing apparatus according to the present invention.
FIG. 15 is a plan view illustrating an embodiment of a liquid processing apparatus according to the present invention.
FIG. 16 is a perspective view showing a supply unit of the liquid processing apparatus.
FIG. 17 is a side view showing a supply nozzle of the liquid processing apparatus.
FIG. 18 is a side view showing a supply unit of the liquid processing apparatus.
FIG. 19 is a process diagram showing the operation of the liquid processing apparatus.
FIG. 20 is a side view showing an operation of a supply nozzle of the liquid processing apparatus.
FIG. 21 is a perspective view showing a supply nozzle of another embodiment of the liquid processing apparatus according to the present invention.
FIG. 22 is a side view showing a supply nozzle of still another embodiment of the liquid processing apparatus according to the present invention.
FIG. 23 is a side view showing a supply nozzle according to another embodiment of the liquid processing apparatus.
FIG. 24
Sectional drawing shown about the supply nozzle of another embodiment of a liquid processing apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Development processing apparatus, 2 ... Outer cup, 3 ... Wafer holding part, 4 ... Linear nozzle, 5 ... Developer supply part, 6 ... Resistance bar, 7 ... Rinse nozzle, 8 ... Rinse solution supply part, 9 ... Control part DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Spin chuck, 11 ... Spin chuck drive mechanism, 12 ... X direction linear guide mechanism, 13 ... Vertical drive mechanism, 14 ... Standby part, 15 ... Developer discharge hole, 16a, 16b ... Supply piping, 17 ... Supply system , 18 ... Developer tank, 19 ... Filter, 20 ... Liquid amount controller, 21 ... Open / close valve, 22 ... Supply pipe, 60 ... Cassette section, 61 ... Process processing section, 62 ... Interface section, 64 ... Second sub arm mechanism , 65 ... rail, 70a ... projection, 71 ... first sub arm mechanism, 72 ... main arm mechanism, 78 ... main arm, 79 ... guide, 90 ... discharge hole, 101 ... hole, 102 ... 104, Nozzle, 105, 106 ... Resistance bar, 107 ... Buffer chamber, 108 ... Supply path, 109 ... Discharge hole, 110, 111 ... Groove, 202 ... Spin chuck, 203 ... Cup, 204 ... Supply nozzle, 205 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Guide rail, 206 ... 1st moving mechanism, 207 ... Control part, 208 ... Guide, 220 ... Drive part, 230 ... Elevating part, 231 ... Outer cup, 232 ... Inner cup, 233 ... Disc, 234 ... Drainage Mouth, 235 ... Liquid receiving part, 236 ... Ring body, 240 ... Area, 241 ... Nozzle body, 242 ... Nozzle part, 243 ... Discharge hole, 244 ... Passage channel, 250 ... Cleaning nozzle, 251 ... Second moving mechanism , 252, 253 ... standby unit, 261 ... arm part, 262 ... base part, 263 ... ball screw mechanism, 264 ... lifting mechanism, 265 ... rotating shaft part, 271 ... housing, 281 ... gas De, 301 ... supply nozzle, 302 ... discharge hole, 303 ... Direction

Claims (11)

基板に液を供給し、所定の処理を行う液処理装置であって、前記基板を水平に保持する基板保持機構と、前記基板保持機構の上方に保持され、所定の水平方向に移動しながら前記基板上に前記液を供給する液供給ノズルと、前記液供給ノズルの進行方向に沿う前記基板の手前側に配置され、前記ノズルから吐出される前記液に吐出抵抗を与える吐出抵抗付与手段とを具備することを特徴とする液処理装置。A liquid processing apparatus for supplying a liquid to a substrate and performing a predetermined process, the substrate holding mechanism holding the substrate horizontally, and being held above the substrate holding mechanism and moving in a predetermined horizontal direction A liquid supply nozzle that supplies the liquid onto the substrate; and a discharge resistance applying unit that is disposed on the near side of the substrate along the traveling direction of the liquid supply nozzle and that provides a discharge resistance to the liquid discharged from the nozzle. A liquid processing apparatus comprising: 請求項１の液処理装置において、前記液が、現像液であることを特徴とする液処理装置。The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid is a developer. 請求項１の液処理装置において、前記吐出抵抗付与手段は、前記液供給ノズルの、液吐出開始位置に設けられていることを特徴とする液処理装置。The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the discharge resistance applying unit is provided at a liquid discharge start position of the liquid supply nozzle. 請求項１の液処理装置において、前記液供給ノズルは、前記基板の幅に対応する範囲に亘って設けられた液吐出孔を有するものであることを特徴とする液処理装置。The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid supply nozzle has a liquid discharge hole provided over a range corresponding to the width of the substrate. 請求項４の液処理装置において、前記液吐出孔は、前記基板の幅に対応する範囲に亘って並設設けられた複数の吐出孔からなることを特徴とする液処理装置。5. The liquid processing apparatus according to claim 4, wherein the liquid discharge hole includes a plurality of discharge holes provided in parallel over a range corresponding to the width of the substrate. 請求項４の液処理装置において、前記液吐出孔は、前記基板の幅に対応する範囲に亘って設けられたスリット状の吐出孔からなることを特徴とする液処理装置。5. The liquid processing apparatus according to claim 4, wherein the liquid discharge hole is a slit-shaped discharge hole provided over a range corresponding to the width of the substrate. 請求項１の液処理装置において、前記吐出抵抗付与手段は、前記液供給ノズルの下面に近接して設けられ、前記液供給ノズルの吐出孔の幅よりも若干大きい幅を有する板材若しくは棒材であることを特徴とする液処理装置。2. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the discharge resistance applying unit is a plate or bar that is provided close to a lower surface of the liquid supply nozzle and has a width slightly larger than the width of the discharge hole of the liquid supply nozzle. There is a liquid processing apparatus. 請求項１の液処理装置において、前記吐出抵抗付与手段は、前記液供給ノズルの下面に近接して設けられ、前記液を排出できる排出路を有する板材であることを特徴とする液処理装置。2. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the discharge resistance applying unit is a plate member provided in the vicinity of a lower surface of the liquid supply nozzle and having a discharge path through which the liquid can be discharged. 3. 請求項８の液処理装置において、前記排出路は、前記板材を貫通するように設けられた複数の液排出孔であることを特徴とする液処理装置。The liquid processing apparatus according to claim 8, wherein the discharge path is a plurality of liquid discharge holes provided so as to penetrate the plate member. 請求項１の液処理装置において、前記吐出抵抗付与手段は、前記液供給ノズルの下面に対向して設けられ、吐出される液に対して気流を吹き付ける気流吹き付け手段を有することを特徴とする液処理装置。2. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the discharge resistance applying unit includes an air flow blowing unit that is provided opposite to a lower surface of the liquid supply nozzle and blows an air flow against the discharged liquid. Processing equipment. 請求項１の液処理装置は、前記液供給ノズルから吐出される前記液の吐出圧を制御する吐出圧制御手段をさらに備えることを特徴とする液処理装置。The liquid processing apparatus according to claim 1, further comprising: a discharge pressure control unit that controls a discharge pressure of the liquid discharged from the liquid supply nozzle.
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