JP3920897B2 - Developing apparatus and developing method - Google Patents
Developing apparatus and developing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP3920897B2 JP3920897B2 JP2005214805A JP2005214805A JP3920897B2 JP 3920897 B2 JP3920897 B2 JP 3920897B2 JP 2005214805 A JP2005214805 A JP 2005214805A JP 2005214805 A JP2005214805 A JP 2005214805A JP 3920897 B2 JP3920897 B2 JP 3920897B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- supply nozzle
- developing
- developer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
本発明は、レジストが塗布され、露光処理が施された基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う現像装置及び現像方法に関する。 The present invention relates to a developing apparatus and a developing method for performing a developing process by supplying a developing solution to a surface of a substrate coated with a resist and subjected to an exposure process.
従来、半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、例えば半導体ウェハ(以下ウェハWという)表面に形成された薄膜状にレジストを塗布し、レジストを所定のパターンで露光し、現像してマスクパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。 Conventionally, in a photoresist process which is one of semiconductor manufacturing processes, for example, a resist is applied to a thin film formed on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as wafer W), and the resist is exposed in a predetermined pattern and developed. A mask pattern is formed. Such processing is generally performed using a system in which an exposure apparatus is connected to a coating / developing apparatus that performs resist coating / development.
露光後のウェハWに対して、現像処理を行う手法の一つとして、図14に示すようにウェハWの直径に見合う長さに亘って吐出口が形成されたノズル1を用い、このノズル1を、例えばスピンチャック11に水平に保持されたウェハWの表面に対して、例えば1mm程度浮かせた状態でウェハWの後端側から前端側に移動させながら、ノズル1の吐出口からウェハW表面に現像液12を液盛し、ウェハW表面全体に現像液12の、例えば1mm程度の液膜を形成する方法が実施、検討されている。
As one method for developing the exposed wafer W, as shown in FIG. 14, a
しかしながら、上述した手法では以下の様な課題がある。即ち、円形状であるウェハWにおいては、前記ノズル1が現像液12を吐出しながら、ウェハWの直径部を越えて前端に向かって移動する際、ノズル1の長さに対してウェハWの有効領域の長さが順次短くなることが問題となる。この場合ウェハWの周縁部のある部位で見ると、ノズル1の吐出圧が現像液Dの自重程度と小さいことから、ノズル1が移動してその部位から離れて行くときに、ウェハWの周縁部から離れた吐出口より吐出された現像液12が直ぐに落下せずに、既にウェハW表面に盛られた現像液12と表面張力で繋がったまま引張られた状態なる。更にノズル1が前端に向かうにつれて、前記現像液12は表面張力で繋がった状態を維持できなくなり、ウェハW表面上に塗布される部位と、塗布されない部位との間で液切れが起こる。つまりウェハW表面と対向しないノズル1の吐出口とウェハW周縁部との間で液が切れながらノズル1は移動する。この液切れしたときの液の寄り戻し(引き戻し)の力により、ウェハW表面に液盛された現像液12に、例えば周縁部から内側方向に向かう流れが生じる。特にウェハWの前端においては、ノズル1がウェハW表面から離れるときの液の寄り戻しによる力は大きく、液盛された現像液12に波立ちが起こる場合がある。また本発明者らは、その結果として現像後に得られるマスクパターンに線幅精度の均一性が低下することを把握している。
However, the method described above has the following problems. That is, in the wafer W having a circular shape, when the
上述の問題を解決するために、図15に示すようにウェハW周縁部での液切れをスムーズにするナイフリング13をウェハWの周縁に設ける手法があるが、ノズル1から吐出する現像液12は吐出圧がほぼ自重程度に小さいので、ナイフリング13の液切り面においても液の表面張力が作用してスムーズな液切りが行われない場合が懸念される。
In order to solve the above-described problem, there is a method of providing a
本発明はこのような事情に基づきなされたものであり、その目的はレジストが塗布されて、露光処理が施された基板を現像処理する場合において、基板表面に液盛された現像液に流れおよび波立ちを形成しないで、基板の表面に現像液を塗布することができ、これにより線幅の均一性の高いマスクパターンを得ることのできる技術を提供することにある。 The present invention has been made based on such circumstances. The object of the present invention is to develop a substrate coated with a resist and subjected to an exposure process, and to flow into a developer accumulated on the surface of the substrate. It is an object of the present invention to provide a technique capable of applying a developing solution to the surface of a substrate without forming undulations, and thereby obtaining a mask pattern with high uniformity of line width.
本発明の現像装置は、表面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像装置において、
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するための供給ノズルと、
この供給ノズルを基板の後端側から前端側に亘って移動させる移動機構と、
基板上の現像液の液流を抑制するために基板表面に沿って気流を形成するための気流形成手段と、を備えたことを特徴とする。前記気流形成手段は、基板の周縁に沿って通気孔が配列されると共に昇降自在に設けられた構成である。また前記通気孔は、前記基板の後端側の周縁に沿って設けられていることが好ましい。
The developing device of the present invention is a developing device for developing a substrate having a resist coated on the surface and subjected to exposure processing.
A substrate holding part for horizontally holding the substrate;
A discharge nozzle is formed over a length substantially equal to or longer than the width of the effective area of the substrate, and a supply nozzle for supplying a developer to the substrate;
A moving mechanism for moving the supply nozzle from the rear end side to the front end side of the substrate;
An airflow forming means for forming an airflow along the surface of the substrate in order to suppress the flow of the developer on the substrate. The airflow forming means has a structure in which air holes are arranged along the peripheral edge of the substrate and can be moved up and down. Moreover, it is preferable that the said vent hole is provided along the periphery of the rear-end side of the said board | substrate.
また本発明の他の現像装置は、表面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像装置において、
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するための供給ノズルと、
この供給ノズルを基板の後端側から前端側に亘って移動させる移動機構と、
供給ノズルに沿った基板の直径部から、前端部の周縁部に沿って設けられた複数の通気口と、
前記通気口の各々に接続された開閉自在のバルブと、を備え、
前記供給ノズルが前記通気口を通過したときに順次前記バルブを開いて前記通気口から上方に向けて気体を流すことを特徴とする。前記通気口は、例えば円弧状に形成されていることが好ましい。
According to another aspect of the present invention, there is provided a developing device for developing a substrate having a resist coated on the surface and subjected to exposure processing.
A substrate holding part for horizontally holding the substrate;
A discharge nozzle is formed over a length substantially equal to or longer than the width of the effective area of the substrate, and a supply nozzle for supplying a developer to the substrate;
A moving mechanism for moving the supply nozzle from the rear end side to the front end side of the substrate;
A plurality of vent holes provided along the peripheral edge portion of the front end portion from the diameter portion of the substrate along the supply nozzle;
An openable / closable valve connected to each of the vents,
When the supply nozzle passes through the vent, the valve is sequentially opened to allow gas to flow upward from the vent. The vent is preferably formed in an arc shape, for example.
また本発明の現像方法は、基板表面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像方法において、
前記基板を水平に保持する工程と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って供給ノズルに形成された吐出口から現像液の供給を行いながら、当該供給ノズルを基板の後端側から前端側に亘って移動させる工程と、
基板上の現像液の液流を抑制するために基板表面に沿って気流を流す工程と、を備えたことを特徴とする。
Further, the development method of the present invention is a development method for developing a substrate that has been subjected to exposure processing by applying a resist to the substrate surface.
Holding the substrate horizontally;
While supplying the developer from the discharge port formed in the supply nozzle over a length substantially equal to or longer than the width of the effective area of the substrate, the supply nozzle is extended from the rear end side to the front end side of the substrate. A process of moving;
And a step of flowing an air flow along the surface of the substrate in order to suppress the flow of the developer on the substrate.
さらに本発明の他の現像方法は、基板表面にレジストが塗布されて露光処理がされた基板を現像する現像方法において、
前記基板を水平に保持する工程と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って供給ノズルに形成された吐出口から現像液の供給を行いながら、当該供給ノズルを基板の後端側から前端側に亘って移動させる工程と、
供給ノズルに沿った基板の直径部から前端部の周縁部に沿って設けられた複数の通気口を前記供給ノズルが通過したときに順次前記通気口から上方に向けて気体を流す工程と、を備えたことを特徴とする。
Furthermore, another development method of the present invention is a development method for developing a substrate that has been subjected to an exposure process by applying a resist to the substrate surface.
Holding the substrate horizontally;
While supplying the developer from the discharge port formed in the supply nozzle over a length substantially equal to or longer than the width of the effective area of the substrate, the supply nozzle is extended from the rear end side to the front end side of the substrate. A process of moving;
A step of flowing gas upward from the vents sequentially when the supply nozzles pass through a plurality of vents provided along the peripheral edge of the front end from the diameter part of the substrate along the supply nozzles. It is characterized by having.
以上のように本発明によれば、レジストが塗布されて、露光処理が施された基板を現像処理する際、基板表面にある現像液膜に流れおよび波立ちが形成されるのを抑えて、基板の表面に現像液を供給することができる。このため現像により得られるマスクパターンの線幅の均一性が向上する。 As described above, according to the present invention, when developing a substrate that has been coated with a resist and subjected to an exposure process, flow and undulations are prevented from being formed in the developer film on the substrate surface. The developer can be supplied to the surface of the film. For this reason, the uniformity of the line width of the mask pattern obtained by development is improved.
以下の説明において図1〜図9に関する説明は、その後に記載された本発明の実施の形態の説明を補助する参考例である。先ずこの参考例に関して述べる。図1〜3に示す現像装置の概略図を用いて説明する。この現像装置は、例えばウェハWの裏面中心部を吸引吸着し、ウェハWを水平に保持する基板保持部であるスピンチャック2を備え、このスピンチャック2は主軸が駆動部21に接続されており、回転および昇降できる構成である。また現像処理の際、現像液および洗浄液のミストが周囲に飛び散るのを防ぐための四角形状の外カップ31と円環状の内カップ32が、ウェハWを囲う処理空間を形成するように設けられている。この処理空間の底面は円形板33および円形板33の周縁に現像液および洗浄液を回収するため空間である液受部34とで構成されており、現像液および洗浄液は液受部34底面に設けられた排出口35を介して装置外に排出される。また円形板33の周縁部には上端がウェハWの裏面に近接する断面山形のリング体36が設けられている。更に外カップ31は昇降機構4により昇降可能な構成であり、内カップ32は外カップ31に連動して昇降可能に構成される。
In the following description, the description regarding FIGS. 1 to 9 is a reference example for assisting the description of the embodiment of the present invention described later. First, this reference example will be described. This will be described with reference to schematic views of the developing device shown in FIGS. The developing device includes, for example, a
前記内カップ32の上部にはスピンチャック2に保持されたウェハWの外周縁を囲むように、例えばリング幅30mm、厚さ1.5mmのリング状の液受け板37が設けられ、液受け板37の内周縁はウェハWの周囲に液受け板37が位置したときにウェハWの外周縁との間に、例えば0.5〜3mmの隙間が形成されるように設定される。この液受け板37の取り付け構造については、例えば内カップ32の内縁に段部を形成すると共に、液受け板37がこの段部に係合して内カップ32に保持されるように構成し、液受け板37を交換できるようにすることが望ましい。また液受け板37は、例えば直径3mmの通流孔38が、例えば5mmピッチで千鳥配列あるいは正則配列に穿設され、この液受け板37の材質は、例えばSUS、セラミックスおよび樹脂から選択されるもので構成される。本発明は上述の通流孔38の配列構成に限定されるものではなく、例えば同心円状にスリット形状の開口部を設けるか、あるいはメッシュ形状の部材で液受け板37を構成しても良い。
A ring-shaped
ウェハWの表面に現像液を供給するための供給ノズル51は、内部に現像液の流路を備えた細長い四角形状のノズル本体52の下面長手方向に、ウェハWの有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さの吐出口53が設けられている。この吐出口53は、例えばウェハWの直径と同じ長さに多数の吐出孔が一列に配列された構成でも良く、あるいはウェハWの直径と同じ長さのスリット形状の開口部を設けた構成としても良い。この供給ノズル51はアーム部54を介して第1の移動機構55の移動部56に接続されている。この第1の移動機構55は、ガイドレール6に沿って水平移動し、供給ノズル51がウエハWの前端側から後端側に水平移動可能に構成され、更に第1の移動機構55は、例えばボールネジ機構57を備えており、供給ノズル51が上下移動可能に構成される。
The
また現像後の洗浄工程において洗浄液、例えば純水をウェハW表面に供給するための洗浄ノズル71は、第2の移動機構72に接続されており、洗浄液の吐出口73がウェハWの中心上に位置設定されるように、ガイドレール6に沿って水平移動可能に構成されている。なお上述の駆動部21、昇降機構4、第1の移動機構55及び第2の移動機構72は夫々制御部と接続されており、例えば駆動部21によるスピンチャック2の昇降に応じて第1の移動機構55による現像液の供給を行うような、各部を連動させた動作制御が可能な構成である。
Further, a cleaning
次に上述の現像装置を用いた現像処理工程について説明する。先ずスピンチャック2が外カップ31の上方まで上昇し、既に前工程でレジストが塗布され、露光処理が施されたウエハWが図示しない搬送アームからスピンチャック2に受け渡され、次いでスピンチャック2はウェハWの中心部を吸引吸着した状態で下降し、ウェハWに現像処理を行う設定位置、例えば図1の実線で示す位置に設定される。この場合、液受け板37の内周縁とウェハWの外周縁とが、例えば0.5〜3mmの離間距離をもってかつ液受け板37表面とウェハ表面とが同じかあるいは僅かに低い高さ位置になるように設定される。この場合、液受け板37(液受け板37表面)はウェハW(ウェハW表面)よりも0.3〜2.5mm低く設定するのが好ましい。続いて供給ノズル51が外カップ31とウエハWの周縁との間の走査開始位置に水平移動され、更に供給ノズル51は下降し、ウエハWに対して現像液の供給を行う高さ、例えば吐出口53の先端面がウェハW表面から1mm程度高い位置に設定される。
Next, a developing process using the above developing device will be described. First, the
続いて図4(a)(b)に示すように、供給ノズル51の吐出口53から現像液Dを吐出すると共に、供給ノズル51をウエハWの後端側から、吐出口53の中心がウエハWの中心上方を通過して前端側に向かうように、例えば100mm/secの速度で走査することにより、現像液DがウェハWおよび液受け板37に供給される。このときウェハW表面においては現像液Dが供給ノズル51の先端面で押し広げられながら液盛され、例えば1mmの厚さの液膜を形成する。一方液受け板37に供給された現像液Dは通流孔38を介して下方に流れ落ち、液受け部34を介して排出口35から排出される。
Subsequently, as shown in FIGS. 4A and 4B, the developing solution D is discharged from the
現像液Dの液盛終了後、供給ノズル51が退避し、図4(c)に示す状態を例えば55秒間維持して静止現像が行われ、ウェハW表面のレジストの溶解性部位が現像液Dに溶解してマスクパターンを形成する。続いて外カップ31が上昇し、この外カップ31に連動して内カップ32および液受け板37が上昇して内カップ32の傾斜面部をウェハWの外周縁の側方に位置させ、次いで洗浄液Rの吐出部73がウエハWの中心上方に位置するように、洗浄ノズル71が移動し、図4(d)に示すように洗浄ノズル71から洗浄液RをウエハW中心部に供給すると共に、スピンチャック2を回転させてウェハW表面に介在する現像液Dを遠心力によりウエハWの中心部から周縁部へ向かって洗浄液Rで置換することにより現像液Dが洗い流される。更に図4(e)に示すようにスピンチャック2を回転させてスピン乾燥を行い現像処理が終了する。このとき現像液Dと洗浄液Rは液受部34を介して排出口35から排出される。
After the liquid deposition of the developer D is completed, the
上述の参考例によれば、図5に模式的に示すように供給ノズル51が当該供給ノズル51と平行なウェハWの直径部を越えて前端側に向かって走査する際、ウェハWの周縁を越えたときにウェハW上の現像液Dは吐出口53の移動により外側に引張られるが、液切れが起こる前に吐出口53からの液は液受け板37に達して一旦隙間を跨いだ状態となり、その後自重により隙間を落下していく。現像液Dの落下時にもウェハW側の現像液Dの寄り戻しは僅かながら起こるが、液受け板37がない場合のような大きな寄り戻しは起こらないので、ウェハW上の現像液Dは落ち着いた状態となっている。この結果ウェハW表面にある現像液Dに流れ、波立ちの形成が抑えられる。更に本発明者らは現像により得られるマスクパターンの線幅の均一性が向上したことを確認している。また液受け板37をウェハW表面よりも低く設定した場合においては、前記隙間を跨いだ現像液Dが落下するときの僅かな寄り戻しを抑えることができると共に、仮に液受け板37上にある現像液にパーティクルが付着していたとしても、僅かな寄り戻しによってパーティクルをウェハW側に引き込んでしまうのを効果的に抑制することができる。なお、液受け板37を2.5mmよりも低く設定すると、前記隙間を現像液Dが跨いだときにウェハW周縁部の現像液Dが液受け板37に向かって流れてしまう懸念がある。
According to the above-described reference example, when the
また、他の例を以下に説明する。まず液受け板37は上述したリング状に限られず、例えば図6(a)に示すように、馬蹄形状の液受け板37をウェハWの直径部から前端に対応する位置に設けるようにしても良い。又は図6(b)に示すように、ウェハWよりも僅かに大きいウェハWと相似形の開口部が設けられた四角形状の液受け板37を設けるようにしても良い。あるいは図6(c)に示すようにウェハWの直径部から前端の周縁部に対応する位置に、四角形状の液受け板37を設ける構成であっても良い。更に液受け板37は、ウェハW周縁側に位置する内周縁が高く、外周縁に向かうに従って低くなるように傾斜している構成としても良い。このような構成においても、上述の場合と同様に液の寄り戻しの力が低減され、ウェハWに液盛された現像液Dに流れ、波立ちが形成されるのが抑えられる。
Another example will be described below. First, the
更に他の例を図7、図8を用いて説明する。この実施の形態では液受け板37を設けるのではなく、供給ノズルの進行方向に向かうように吐出口75が湾曲、例えば曲率がウェハWの周縁と同じ円弧状に形成された供給ノズル74を設けた構成とする。なお既述の実施の形態と共通する構成については説明を省略する。
Still another example will be described with reference to FIGS. In this embodiment, the
このような構成とした場合、供給ノズル74が現像液Dを供給しながら走査された際、図9(a)に示すように上方向からみてウェハWの直径部から前端にかけての周縁と吐出口75が一致した後、供給ノズル74はウェハWの周縁から同時に離れていく。このため現像液Dは点ではなくウェハW周縁に沿った線状で液切れする。このため寄り戻しの力を分散して弱めることができ、上述の場合と同様の効果が得られる。また更に液の寄り戻しを小さくするために前記ウェハWの直径部から前端にかけての周縁と吐出口75が一致したときに、現像液Dの供給を停止するように構成しても良い。
In such a configuration, when the
また前記吐出口75の曲率は、ウェハWの周縁と同じに限られず、ウェハWの直径dに対してπd〜2πdの範囲で設定しても良い。このような構成においても、例えば図9(b)に示すようにウェハWの前端を通過する際、ウェハWの周縁に沿うように交わるので、現像液Dは点ではなくウェハW周縁に沿ってある程度幅を持った線状で液切れする。このため寄り戻しの力を分散して弱めることができ、上述の場合と同様の効果が得られる。
Further, the curvature of the
以下に本発明の実施の形態について述べる。この実施の形態では、ウェハW表面に沿うように、ウェハW表面の後端側の周縁から前端に向かう気流を形成するための気流形成手段8を備えた構成としてもいる。一例として図10に示すように、ウェハWの後端から直径部の周縁に対応する半周に亘って、ウェハWの周縁と内カップ32との間に昇降機構81により昇降自在な多数の通気管82が設けられた構成とし、現像液Dの液盛の際に、通気管82の通気孔83をウェハW表面に対して例えば2mmの高さ位置に設定し、例えば供給ノズル51の進行方向に向かうように気体、例えば窒素ガスを流しても良い。なお既述の実施の形態と共通する構成については説明を省略する。
Embodiments of the present invention will be described below. In this embodiment, an airflow forming means 8 for forming an airflow from the peripheral edge on the rear end side of the wafer W surface toward the front end along the surface of the wafer W is also provided. As an example, as shown in FIG. 10, a large number of ventilation pipes that can be moved up and down by a
このような構成によれば、供給ノズル51がウェハWの直径部から前端に亘って走査されながら現像液Dを供給する際、ウェハWと供給ノズル51の吐出口53との間にその表面張力により跨る現像液Dが液切れした際に生じる液の寄り戻しの力をこの気体の風圧で押さえて弱めることができる。このためウェハWに液盛された現像液Dに流れ、波立ちが形成されるのが抑えられ、現像後に均一性の高いマスクパターンが得られる。
According to such a configuration, when the
この気流形成手段8は上述の構成に限られず、例えば予め実験を行って液の寄り戻しが作用する方向を把握し、その方向に対向するように気流が形成される位置に通気管82を配列するようにしても良い。更に通気管82に図示しない吸引機構を接続して吸引することにより気流を形成する構成としても良い。このような構成においても液の寄り戻しの力を気体の風圧で弱めることができ、上述の場合と同様の効果が得られる。
The air flow forming means 8 is not limited to the above-described configuration. For example, an experiment is performed in advance to determine the direction in which the liquid retraction acts, and the
更にまた気流形成手段8は、例えばウェハWの直径部から前端の周縁部に対応する半周に亘って、開閉自在の自動バルブ84が各々接続された通気管82が設けられ、その先端は図11に示すような短い円弧形状の通気口85に形成された構成とし、例えばシーケンス制御により供給ノズル51が通過したタイミングに合わせて自動バルブ84を開閉させて各通気口85から順次パージガスを上方に向かって流すようにしても良い。このような構成においては、ウェハWの周縁と供給ノズル51の吐出口53との間に跨る現像液Dが液切れする程に引張られる前に、気体で順次切ることにより寄り戻しの力を弱めることができ、このためウェハWに液盛された現像液Dに流れ、波立ちが形成されるのが抑えられ、上述と同様の効果が得られる。
Furthermore, the air flow forming means 8 is provided with a
以上において、既述した液受け板37、円弧状の供給ノズル74および気流形成手段8の構成は互いに組み合わせても良く、例えば液受け板37を設け、円弧状の供給ノズル74で液盛するように構成しても良いし、液受け板37と気流形成手段8を設けた構成、あるいは円弧状の供給ノズル74と気流形成手段8設けた構成でも良い。更には液受け板37、円弧状の供給ノズル74および気流形成手段8の全てを備えた構成であっても良い。
In the above, the configurations of the
次に上述の現像装置を例えば現像ユニットに組み込んだ塗布・現像装置の一例について図12及び図13を参照しながら説明する。図12及び図13中、91は例えば25枚のウエハWが収納されたカセットCを搬入出するためのカセットステーションであり、このカセットステーション91には前記カセットCを載置する載置部91aと、カセットCからウエハWを取り出すための受け渡し手段92とが設けられている。カセットステーション91の奥側には、例えばカセットステーション91から奥を見て例えば右側には塗布・現像系のユニットU1が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットU2,U3,U4が夫々配置されていると共に、塗布・現像系ユニットU1と棚ユニットU2,U3,U4との間でウエハWの受け渡しを行うための搬送アームMAが設けられている。但し図12では便宜上受け渡し手段92、ユニットU2及び搬送アームMAは描いていない。
Next, an example of a coating / developing apparatus in which the above developing apparatus is incorporated in a developing unit will be described with reference to FIGS. In FIG. 12 and FIG. 13, 91 is a cassette station for carrying in / out a cassette C in which, for example, 25 wafers W are stored, and in this
塗布・現像系のユニットU1においては、例えば上段には2個の上述の現像装置を備えた現像ユニット93が、下段には2個の塗布装置を備えた塗布ユニット94が設けられている。棚ユニットU2,U3,U4においては、加熱ユニットや冷却ユニットのほか、ウエハの受け渡しユニットや疎水化処理ユニット等が上下に割り当てされている。
In the coating / developing system unit U1, for example, a developing
この搬送アームMAや塗布・現像系ユニットU1等が設けられている部分を処理ブロックと呼ぶことにすると、当該処理ブロックはインタ−フェイスユニット95を介して露光ブロック96と接続されている。インタ−フェイスユニット95はウエハWの受け渡し手段97により前記処理ブロックと露光ブロック96との間でウエハWの受け渡しを行うものである。
When the portion where the transport arm MA, the coating / developing unit U1, etc. are provided is called a processing block, the processing block is connected to the
この装置のウエハの流れについて説明すると、先ず外部からウエハWが収納されたウエハカセットCが載置部91aに載置され、受け渡し手段92によりカセットC内からウエハWが取り出され、既述の加熱・冷却ユニットU3の棚の一つである受け渡し台を介して搬送アームMAに受け渡される。次いでユニットU3の一の棚の処理部内にて疎水化処理が行われた後、塗布ユニット94にてレジスト液が塗布され、レジスト膜が形成される。レジスト膜が塗布されたウエハWは加熱ユニットで加熱された後、ユニットU4のインターフェースユニット95の受け渡し手段97と受渡し可能な冷却ユニットに搬送され、処理後にインタ−フェイスユニット95,受け渡し手段97を介して露光装置96に送られ、ここでパタ−ンに対応するマスクを介して露光が行われる。露光処理後のウエハを受け渡し手段97で受け取り、ユニットU4の受け渡しユニットを介して処理ブロックのウエハ搬送アームMAに渡す。
The flow of wafers in this apparatus will be described. First, a wafer cassette C in which wafers W are stored from the outside is placed on a
この後ウエハWは加熱ユニットで所定温度に加熱され、しかる後冷却ユニットで所定温度に冷却され、続いて例えば図1〜図3で示した装置を備えた現像ユニット93に送られて現像処理され、レジストのマスクパターンが形成される。しかる後ウエハWは載置部91a上のカセットC内に戻される。また本発明は、被処理基板に半導体ウエハ以外の基板、例えばLCD基板、フォトマスク用レチクル基板の現像処理にも適用できる。
Thereafter, the wafer W is heated to a predetermined temperature by the heating unit, then cooled to the predetermined temperature by the cooling unit, and then sent to the developing
W ウエハ
D 現像液
R 洗浄液
2 スピンチャック
31 外カップ
32 内カップ
37 液受け板
38 通流孔
51 供給ノズル
6 ガイドレール
71 洗浄ノズル
74 供給ノズル
8 気流形成手段
82 通気管
83 通気孔
W Wafer D Developer
Claims (7)
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するための供給ノズルと、
この供給ノズルを基板の後端側から前端側に亘って移動させる移動機構と、
基板上の現像液の液流を抑制するために基板表面に沿って気流を形成するための気流形成手段と、を備えたことを特徴とする現像装置。 In a developing device for developing a substrate having a resist coated on the surface and subjected to an exposure process,
A substrate holding part for horizontally holding the substrate;
A discharge nozzle is formed over a length substantially equal to or longer than the width of the effective area of the substrate, and a supply nozzle for supplying a developer to the substrate;
A moving mechanism for moving the supply nozzle from the rear end side to the front end side of the substrate;
A developing device comprising: an airflow forming means for forming an airflow along the surface of the substrate in order to suppress the flow of the developer on the substrate.
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って吐出口が形成され、前記基板に現像液を供給するための供給ノズルと、
この供給ノズルを基板の後端側から前端側に亘って移動させる移動機構と、
供給ノズルに沿った基板の直径部から、前端部の周縁部に沿って設けられた複数の通気口と、
前記通気口の各々に接続された開閉自在のバルブと、を備え、
前記供給ノズルが前記通気口を通過したときに順次前記バルブを開いて前記通気口から上方に向けて気体を流すことを特徴とする現像装置。 In a developing device for developing a substrate having a resist coated on the surface and subjected to an exposure process,
A substrate holding part for horizontally holding the substrate;
A discharge nozzle is formed over a length substantially equal to or longer than the width of the effective area of the substrate, and a supply nozzle for supplying a developer to the substrate;
A moving mechanism for moving the supply nozzle from the rear end side to the front end side of the substrate;
A plurality of vent holes provided along the peripheral edge portion of the front end portion from the diameter portion of the substrate along the supply nozzle;
An openable / closable valve connected to each of the vents,
2. A developing device according to claim 1, wherein when the supply nozzle passes through the vent, the valve is sequentially opened to allow gas to flow upward from the vent.
前記基板を水平に保持する工程と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って供給ノズルに形成された吐出口から現像液の供給を行いながら、当該供給ノズルを基板の後端側から前端側に亘って移動させる工程と、
基板上の現像液の液流を抑制するために基板表面に沿って気流を流す工程と、を備えたことを特徴とする現像方法。 In a developing method for developing a substrate that has been subjected to an exposure process by applying a resist to the substrate surface,
Holding the substrate horizontally;
While supplying the developer from the discharge port formed in the supply nozzle over a length substantially equal to or longer than the width of the effective area of the substrate, the supply nozzle is extended from the rear end side to the front end side of the substrate. A process of moving;
And a step of flowing an air flow along the surface of the substrate in order to suppress the flow of the developer on the substrate.
前記基板を水平に保持する工程と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って供給ノズルに形成された吐出口から現像液の供給を行いながら、当該供給ノズルを基板の後端側から前端側に亘って移動させる工程と、
供給ノズルに沿った基板の直径部から前端部の周縁部に沿って設けられた複数の通気口を前記供給ノズルが通過したときに順次前記通気口から上方に向けて気体を流す工程と、を備えたことを特徴とする現像方法。
In a development method for developing a substrate on which a resist is applied and exposed to the substrate surface,
Holding the substrate horizontally;
While supplying the developer from the discharge port formed in the supply nozzle over a length substantially equal to or longer than the width of the effective area of the substrate, the supply nozzle is extended from the rear end side to the front end side of the substrate. A process of moving;
A step of flowing gas upward from the vents sequentially when the supply nozzles pass through a plurality of vents provided along the peripheral edge of the front end from the diameter part of the substrate along the supply nozzles. A development method comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005214805A JP3920897B2 (en) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | Developing apparatus and developing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005214805A JP3920897B2 (en) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | Developing apparatus and developing method |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001322003A Division JP3718647B2 (en) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | Developing apparatus and developing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005328083A JP2005328083A (en) | 2005-11-24 |
JP3920897B2 true JP3920897B2 (en) | 2007-05-30 |
Family
ID=35474120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005214805A Expired - Fee Related JP3920897B2 (en) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | Developing apparatus and developing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3920897B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6555706B2 (en) * | 2014-09-29 | 2019-08-07 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP6955983B2 (en) * | 2017-12-05 | 2021-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | Board processing equipment |
CN113838767B (en) * | 2020-06-08 | 2023-12-12 | 长鑫存储技术有限公司 | Developing device and developing method |
CN114815527A (en) * | 2021-12-16 | 2022-07-29 | 清华大学 | Developing method, device and system of photoresist mask and storage medium |
-
2005
- 2005-07-25 JP JP2005214805A patent/JP3920897B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005328083A (en) | 2005-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3718647B2 (en) | Developing apparatus and developing method | |
JP3587723B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US6770424B2 (en) | Wafer track apparatus and methods for dispensing fluids with rotatable dispense arms | |
US8216390B2 (en) | Cleaning and drying-preventing method, and cleaning and drying-preventing apparatus | |
US7431038B2 (en) | Wet processing device and wet processing method | |
JP3635217B2 (en) | Liquid processing apparatus and method | |
KR100574303B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
US7742146B2 (en) | Coating and developing method, coating and developing system and storage medium | |
TWI803575B (en) | Liquid processing device and cleaning method of liquid processing device | |
US6602382B1 (en) | Solution processing apparatus | |
US6605153B2 (en) | Coating film forming apparatus | |
TWI253098B (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and developing apparatus | |
JP2004207573A (en) | Coating processor | |
KR20070011509A (en) | Development apparatus and development method | |
JP4410076B2 (en) | Development processing equipment | |
JP3920897B2 (en) | Developing apparatus and developing method | |
KR102593787B1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium for computer | |
JP3614769B2 (en) | Liquid processing equipment | |
JP3625752B2 (en) | Liquid processing equipment | |
JP2001189260A (en) | Liquid processing device and method therefor | |
JP2010147262A (en) | Cleaning apparatus, substrate processing system, cleaning method, program, and computer storage medium | |
US20080081110A1 (en) | Apparatus and method for removing an edge bead of a spin-coated layer | |
JP3599323B2 (en) | Substrate processing equipment | |
US10379441B2 (en) | Liquid processing apparatus | |
JP3920608B2 (en) | Developing apparatus and developing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3920897 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130223 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130223 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160223 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |