JP3614175B2

JP3614175B2 - カルバペネム化合物の製造法

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Publication number: JP3614175B2
Application number: JP08145992A
Authority: JP
Inventors: 修嶋田; 阿部　　隆夫; 一彦林
Original assignee: Wyeth GK
Current assignee: Pfizer Japan Inc
Priority date: 1992-03-04
Filing date: 1992-03-04
Publication date: 2005-01-26
Anticipated expiration: 2020-01-26
Also published as: JPH0616680A

Description

【０００１】
本発明は、新規なカルバペネム化合物の製造法に関し、さらに詳しくは、次式
【０００２】
【化１３】

【０００３】
式中、Ｒ^１はカルボキシル基の保護基を表わし、Ｘ⁻は陰イオン残基を表わす、
で示されるカルバペネム化合物の簡便で収率のよい製造法に関する。
【０００４】
上記式（Ｉ）のカルバペネム化合物は、そのＲ^１のカルボキシル保護基を除去せしめることにより本発明者らが先に提案した（特開昭６４−２５７７９号参照）優れた抗菌活性を有し抗菌剤として有用な、次式（Ａ）
【０００５】
【化１４】

【０００６】
で示される化合物へ誘導することができ、したがって式（Ａ）の化合物の合成中間体として有用である。
【０００７】
本発明によれば、
（ａ）式
【０００８】
【化１５】

【０００９】
式中、Ｒ^１はカルボキシル基の保護基を表わし、Ｒ^２は水酸基の保護基を表わす、
で示される化合物のＲ^２の水酸基の保護基を脱離し、
（ｂ）得られる式
【００１０】
【化１６】

【００１１】
式中、Ｒ^１は上記の意味を有する、
で示される化合物を環化せしめ、さらに
（ｃ）得られる式
【００１２】
【化１７】

【００１３】
式中、Ｒ^１は上記の意味を有する、
で示される化合物をアシル化して当該化合物のオキソ基における反応性誘導体に変えた後、式
【００１４】
【化１８】

【００１５】
式中、Ｘ⁻は陰イオン残基を表わす、
で示されるメルカプト化合物と反応せしめることによる式
【００１６】
【化１９】

【００１７】
式中、Ｒ^１およびＸ⁻は上記の意味を有する、
で示されるカルバペネム化合物の製造法が提供される。
【００１８】
本発明の上記方法は、上記反応の各工程（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を、中間生成物を特に単離・精製することなく連続して行なうことができ、したがって、式（Ｉ）の化合物を大量に製造する工業的製造において特に有利である。
【００１９】
また、本発明の別の利点は、上記反応の各工程（ａ）〜（ｃ）を同一反応容器内で（すなわちワン・ポットで）行ない得ることである。
【００２０】
なお、本明細書において、「低級」なる語は、この語が付された基または化合物の炭素原子数が１〜７個、好ましくは１〜４個であることを意味する。
【００２１】
また、「カルボキシル基の保護基」はペプチド化学の分野においてカルボキシル基の保護基としてそれ自体既知の任意のカルボキシル保護基であることができ、例えばカルボン酸のエステル残基を例示することができる。かかるエステル残基の代表例としては、以下のものが挙げられる：
（ａ）低級アルキルエステル残基：例えばメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｔｅｒｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、ヘキシルエステルなど。
【００２２】
（ｂ）適当な置換基を少なくとも１個を有していてもよい低級アルキルエステル残基：例えばアセトキシメチルエステル、プロピオニルオキシメチルエステル、ブチリルオキシメチルエステル、バレリルオキシメチルエステル、ピバロイルオキシメチルエステル、ヘキサノイルオキシメチルエステル、１−（または２−）アセトキシエチルエステル、１−（または２−または３−）アセトキシプロピルエステル、１−（または２−または３−または４−）アセトキシブチルエステル、１−（または２−）プロピオニルオキシエチルエステル、１−（または２−または３−）プロピオニルオキシプロピルエステル、１−（または２−）ブチリルオキシエチルエステル、１−（または２−）イソブチリルオキシエチルエステル、１−（または２−）ピバロイルオキシエチルエステル、１−（または２−）ヘキサノイルオキシエチルエステル、イソブチリルオキシメチルエステル、２−エチルブチリルオキシメチルエステル、３，３−ジメチルブチリルオキシメチルエステル、１−（または２−）ペンタノイルオキシエチルエステル等の低級アルカノイルオキシ（低級）アルキルエステル残基；２−メシルエチルエステル等の低級アルカンスルホニル（低級）アルキルエステル残基；２−ヨードエチルエステル、２，２，２−トリクロロエチルエステル等のモノ（またはジまたはトリ）ハロ（低級）アルキルエステル残基；メトキシカルボニルオキシメチルエステル、エトキシカルボニルオキシメチルエステル、プロポキシカルボニルオキシメチルエステル、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシメチルエステル、２−メトキシカルボニルオキシエチルエステル、１−エトキシカルボニルオキシエチルエステル、１−イソプロポキシカルボニルオキシエチルエステル等の低級アルコキシカルボニルオキシ（低級）アルキルエステル残基；フタリジリデン（低級）アルキルエステル残基；（５−メチル−２−オキソ−１，３−ジオキソール−４−イル）メチルエステル、（５−エチル−２−オキソ−１，３−ジオキソール−４−イル）メチルエステル、（５−プロピル−２−オキソ−１，３−ジオキソール−４−イル）エチルエステル等の（５−低級アルキル−２−オキソ−１，３−ジオキソール−４−イル）（低級）アルキルエステルなど。
【００２３】
（ｃ）低級アルケニルエステル残基：例えばビニルエステル、アリルエステルなど。
【００２４】
（ｄ）低級アルキニルエステル残基：例えばエチニルエステル、プロピニルエステルなど。
【００２５】
（ｅ）適当な置換基を少なくとも１個有していてもよいアラルキルエステル残基：例えばベンジルエステル、４−メトキシベンジルエステル、４−ニトロベンジルエステル、フエネチルエステル、トリチルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス（メトキシフェニル）メチルエステル、３，４−ジメトキシベンジルエステル、４−ヒドロキシ−３，５−ジｔｅｒｔ−ブチルベンジルエステルなど。
（ｆ）適当な置換基を少なくとも１個有していてもよいアリールエステル残基：例えばフェニルエステル、４−クロロフェニルエステル、トリルエステル、ｔｅｒｔ−ブチルフェニルエステル、キシリルエステル、メシチルエステル、クメニルエステルなど。
【００２６】
（ｇ）その他：フタリジルエステルなど。
【００２７】
かかるカルボキシル基の保護基のうち好ましいものとしては、ニトロ基で置換されていてもよいフェニル−低級アルキル基、および低級アルケニル基が挙げられ、さらに好ましくは４−ニトロベンジル基が挙げられる。
【００２８】
さらに、「アミノ基の保護基」は、ペプチド化学の分野においてアミノ基の保護基としてそれ自体既知の任意のアミノ保護基であることができ、「水酸基の保護基」としては例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル、ジフェニル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル等のシリル基、ベンジルオキシカルボニル、４−ニトロベンジルオキシカルボニル、２−ニトロベンジルオキシカルボニル等の置換または未置換のベンジルオキシカルボニル基、その他通常使用される水酸基の保護基が包含される。
【００２９】
本発明により提供される式（Ｉ）で示される化合物の製造法を反応式で示せば以下の通りである。
【００３０】
【化２０】

【００３１】
式中、Ｒ^１、Ｒ^２およびＸ⁻は上記と同一の意味を有する。
【００３２】
以下に、上記製造工程をさらに詳しく説明する。
【００３３】
工程（ａ）：
工程（ａ）は、式（ＩＩ）の化合物においてＲ^２で示される水酸基の保護基を脱離させる工程である。
【００３４】
例えば、Ｒ^２がｔ−ブチルジメチルシリル基のようなトリオルガノシリル基である保護基の除去は、式（ＩＩ）の化合物をメタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのような溶媒中で、塩酸、硫酸、酢酸などのような酸の存在下に、０〜１００℃の温度で０．５〜１８時間酸性加水分解することにより実施することができる。（上記「トリオルガノシリル基」は、より好ましくは低級アルキル基、フェニル基及びフェニルアルキル基から独立に選ばれる有機基で置換されたシリル基を包含する。）
なお、式（ＩＩ）中においてＲ^１が４−ニトロベンジル基であり、Ｒ^２がｔ−ブチルジメチルシリル基である次式（ＩＩ−ａ）
【００３５】
【化２１】

【００３６】
ならびに式（ＩＩ−ａ）のｔ−ブチルジメチルシリル基を工程（ａ）の操作により脱離して得た次式（ＩＩＩ−ａ）
【００３７】

の両化合物は、特に形晶形態で得ることができるものである。
【００３８】
の属化合物は、特に形晶形態で得ることができるものである。
【００３９】
従来これら化合物はいずれも無晶形の粉末でしか得られておらず、特に工業的な規模での製造を考えた場合には化合物の純度が高く、取扱い易い結晶で単離・精製されることは特に好ましいものであるといえる。
【００４０】
したがって、本発明の別の目的は上記式（ＩＩ−ａ）および（ＩＩＩ−ａ）で示される結晶形態の化合物を提供することでもある。
【００４１】
工程（ｂ）：
工程（ｂ）は、式（ＩＩＩ）の化合物に金属触媒を作用させることによって環化せしめ、式（ＩＶ）で示されるオキソ化合物を得る工程である。
【００４２】
該環化は、例えば式（ＩＩＩ）の化合物を不活性有機溶媒、たとえばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール等のアルコール類；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等のエーテル類；酢酸エチル等のエステル類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類；アセトン、ジメチルホルムアミド、ピリジンアセトニトリル等の中から適当に選択された溶媒、好適にはジクロロメタン、アセトンまたは酢酸エチル中で、金属触媒、例えば、ビス（アセチルアセトナト）Ｃｕ（ＩＩ）、硫酸銅、銅粉末、酢酸ロジウム（ＩＩ）、オクタン酸ロジウム（ＩＩ）、または四酢酸鉛等、好適にはオクタン酸ロジウム（ＩＩ）の存在下に、室温ないし溶媒の還流温度で１〜７時間撹拌することによって実施することができる。
【００４３】
上記金属触媒の使用量は特に臨界的ではなく、適宜変更することができるが通常式（ＩＩＩ）の化合物に対して０．２〜２．０重量％、より好ましくは０．５〜１．０重量％用いられる。これにより式（ＩＶ）の化合物がほぼ定量的に生成する。
【００４４】
反応終了後、反応混合物から溶媒を減圧下に留去すれば、残渣として式（ＩＶ）の化合物を得ることもできるが、該反応混合物を何ら処理することなく、同じ反応容器内でそのまま次の工程に供する。
【００４５】
工程（ｃ）：
工程（ｃ）において、式（ＩＶ）の化合物のアシル化は、上記工程（ｂ）で得られる式（ＩＶ）の化合物を含む反応混合物あるいは濃縮残渣として得られる式（ＩＶ）の化合物に、適当なアシル化剤を作用させることにより行なうことができる。
【００４６】
このアシル化により上記式（ＩＶ）の化合物のオキソ基における反応性誘導体である次式
【００４７】
【化２３】

【００４８】
式中、Ｒ^ａはアシル基を表わし、
Ｒ^１は前記と同一の意味を有する、
で示される化合物が生成する。
【００４９】
しかして、上記アシル化反応に使用しうるアシル化剤としては次式
【００５０】
【化２４】
Ｒ^ａＯＨ（ＶＩＩ）
式中、Ｒ^ａは上記と同一の意味を有する、
で示される酸もしくはその塩、又はその反応性誘導体、例えば次式
【００５１】
【化２５】
Ｒ^ａＨａｌ（ＶＩＩ‐１）
式中、Ｈａｌはハロゲン原子を表わし、
Ｒ^ａは上記と同一の意味を有する、
で示される酸ハロゲン化物や次式
【００５２】
【化２６】
Ｒ^ａ _２Ｏ（ＶＩＩ‐２）
式中、Ｒ^ａは上記と同一の意味を有する、
で示される酸無水物等が挙げられる。
【００５３】
ここで、Ｒ^ａによって示される「アシル基」としては、脂肪族アシル基、芳香族アシル基、複素環アシル基および芳香族基または複素環基で置換された脂肪族アシル基のようなカルボン酸、炭酸、スルホン酸、燐酸およびカルバミン酸から誘導されるアシル基が挙げられる。かかるアシル基の代表例を以下に掲げると、
（ａ）脂肪族アシル基：例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレリル、ピバロイル、ヘキサノイル等の低級アルカノイル基のようなアルカノイル基；例えばメシル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、イソプロピルスルホニル、ブチルスルホニル、イソブチルスルホニル、ペンチルスルホニル、ヘキシルスルホニル等の低級アルキルスルホニル基のようなアルキルスルホニル基；例えばメチルカルバモイル、エチルカルバモイル等のＮ−アルキルカルバモイル基；例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、第三級ブトキシカルボニル等の低級アルコキシカルボニル基のようなアルコキシカルボニル基；例えばビニルオキシカルボニル、アリルオキシカルボニル等の低級アルケニルオキシカルボニル基のようなアルケニルオキシカルボニル基；例えばアクリロイル、メタクリロイル、クロトノイル等の低級アルケノイル基のようなアルケノイル基；例えばシクロプロパンカルボニル、シクロペンタンカルボニル、シクロヘキサンカルボニル等のシクロ（低級）アルカンカルボニル基のようなシクロアルカンカルボニル基；燐酸ジエチルのような燐酸ジ（低級）アルキル基など。
【００５４】
（ｂ）芳香族アシル基：例えばベンゾイル、トルオイル、キシロイル等のアロイル基；例えばＮ−フェニルカルバモイル、Ｎ−トリルカルバモイル、Ｎ−ナフチルカルバモイル等のＮ−アリールカルバモイル基；例えばベンゼンスルホニル、トシル等のアレーンスルホニル基；燐酸ジフェニル等の燐酸ジアリール基など。
【００５５】
（ｃ）複素環アシル基：例えばフロイル、テノイル、ニコチノイル、イソニコチノイル、チアゾリルカルボニル、チアジアゾリルカルボニル、テトラゾリルカルボニル等の複素環カルボニル基など。
【００５６】
（ｄ）芳香族基で置換された脂肪族アシル基：例えばフェニルアセチル、フェニルプロピオニル、フェニルヘキサノイル等のフェニル（低級）アルカノイル基のようなアラルカノイル基；例えばベンジルオキシカルボニル、フエネチルオキシカルボニル等のフェニル（低級）アルコキシカルボニル基のようなアラルコキシカルボニル基；例えばフエノキシアセチル、フエノキシプロピオニル等のフエノキシ（低級）アルカノイル基のようなアリールオキシアルカノイル基など。
【００５７】
（ｅ）複素環基で置換された脂肪族アシル基：例えばチエニルアセチル、イミダゾリルアセチル、フリルアセチル、テトラゾリルアセチル、チアゾリルアセチル、チアジアゾリルアセチル、チエニルプロピオニル、チアジアゾリルプロピオニル等の複素環（低級）アルカノイル基のような複素環アルカノイル基など。
【００５８】
これらのアシル基はさらに、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等の低級アルキル基；例えば塩素、臭素、沃素、フッ素のようなハロゲン；例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等の低級アルコキシ基；例えばメチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ等の低級アルキルチオ基；ニトロ基等のような適当な置換基１個以上で置換されていてもよく、そのような置換基を有する好ましいアシル基としては、例えばクロロアセチル、ブロモアセチル、ジクロロアセチル、トリフルオロアセチル等のモノ（またはジまたはトリ）ハロアルカノイル基；例えばクロロメトキシカルボニル、ジクロロメトキシカルボニル、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル等のモノ（またはジまたはトリ）ハロアルコキシカルボニル基；例えばニトロベンジルオキシカルボニル、クロロベンジルオキシカルボニル、メトキシベンジルオキシカルボニル等のニトロ（またはハロまたは低級アルコキシ）アラルコキシカルボニル基；例えばフルオロメチルスルホニル、ジフルオロメチルスルホニル、トリフルオロメチルスルホニル、トリクロロメチルスルホニル等のモノ（またはジまたはトリ）ハロ（低級）アルキルスルホニル基等が挙げられる。
【００５９】
アシル化剤としては、上記アシル基を式（ＩＶ）の化合物に導入しうるものが用いられるが、一般に、上記した式（ＶＩＩ−１）で示される酸ハロゲン化物、または式（ＶＩＩ−２）で示される酸無水物が好ましく用いられる。かかる酸ハロゲン化物の代表例としては、例えば塩化ベンゼンスルホニル、塩化ｐ−トルエンスルホニル、塩化４−ニトロベンゼンスルホニル、塩化４−ブロモベンゼンスルホニル等のアレーンスルホニルハロゲン化物：例えば塩化メタンスルホニル、塩化エタンスルホニル、塩化トリフルオロメタンスルホニル等のさらにハロゲンを有していてもよい低級アルカンスルホニルハロゲン化物；例えばクロロ燐酸ジエチル等のハロ燐酸ジ（低級）アルキル；例えばクロロ燐酸ジフェニル等のハロ燐酸ジアリールなどが挙げられる。
【００６０】
また、酸無水物の代表例としては、例えば、無水ベンゼンスルホン酸、無水ｐ−トルエンスルホン酸、無水４−ニトロベンゼンスルホン酸等のアレーンスルホン酸無水物；例えば無水メタンスルホン酸、無水エタンスルホン酸、無水トリフルオロメタンスルホン酸等のハロゲンを有していてもよい低級アルカンスルホン酸無水物などが挙げられる。
【００６１】
かかるアシル化剤の中で、より好ましいものとしては、クロロ燐酸ジエチルおよびクロロ燐酸ジフェニル等が挙げられる。
【００６２】
式（ＩＶ）の化合物のアシル化反応において、アシル化剤として式（ＶＩ）で示される遊離の酸またはその塩を使用する場合には、常用の縮合剤の存在下に反応を行うのが好ましい。かかる縮合剤の代表例としては以下のものが挙げられる：
（ａ）カルボジイミド化合物：例えばＮ，Ｎ′−ジエチルカルボジイミド、Ｎ、Ｎ′−ジイソプロピルカルボジイミド、Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボジイミド、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ′−モルホリノエチルカルボジイミド、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ′−（４−ジエチルアミノシクロヘキシル）カルボジイミド、Ｎ−エチル−Ｎ′−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミドなど。
【００６３】
（ｂ）カルボニルジイミダゾール化合物：例えばＮ，Ｎ′−カルボニルジイミダゾール、Ｎ，Ｎ′−カルボニルビス（２−メチルイミダゾール）など。
【００６４】
（ｃ）ケテンイミン化合物：例えばペンタメチレンケテン−Ｎ−シクロヘキシルイミン、ジフェニルケテン−Ｎ−シクロヘキシルイミンなど。
【００６５】
（ｄ）その他：例えばエトキシアセチレン、１−アルコキシ−１−クロロエチレン、ポリ燐酸エチル、ポリ燐酸イソプロピル、オキシ塩化燐、三塩化燐、塩化チオニル、塩化オキザリル、２−エチル−７−ヒドロキシベンズイソキサゾリウム塩、２−エチル−５−（ｍ−スルホフェニル）イソオキサゾリウムヒドロキシド分子内塩、１−（ｐ−クロロベンゼンスルホニルオキシ）−６−クロロ−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドと塩化チオニル、ホスゲンあるいはオキシ塩化燐等との反応によって調製した所謂ビルスマイヤー試薬など。
【００６６】
また、式（ＩＶ）の化合物のアシル化反応は、好適には、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属；例えばカルシウム等のアルカリ土類金属；例えば水素化ナトリウム等のアルカリ金属水素化物；例えば水素化カルシウム等のアルカリ土類金属水素化物；例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物；例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩；例えば炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩；例えばナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム第三級ブトキシド等のアルカリ金属アルコキシド；例えば酢酸ナトリウム等のアルカン酸アルカリ金属塩；例えば炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩；例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ−エチルアミン等のトリ（低級）アルキルアミン；例えばピリジン、ピコリン、ルチジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンのようなＮ，Ｎ−ジ（低級）アルキルアミノピリジン等のピリジン化合物；キノリン；例えばＮ−メチルモルホリン等のＮ−低級アルキルモルホリン；例えばＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン等のＮ，Ｎ−ジ（低級）アルキルベンジルアミン等のような有機塩基または無機塩基の存在下の行うことができる。
【００６７】
上記アシル化は通常約−２０℃ないし約４０℃の比較的低温で実施することができる。
【００６８】
上記反応におけるアシル化剤および塩基の使用量は特に臨界的なものではなく、反応条件等に応じて適宜変えることができるが、アシル化剤も塩基も通常、出発原料である式（ＩＩＩ）の化合物１モルに対して各々１〜２モル、好ましくは１〜１．５モルの割合で用いることができる。これにより式（ＶＩ）の化合物がほぼ定量的に生成する。
【００６９】
このアシル化反応によって得られる式（ＶＩ）の化合物は反応混合物から単離することなく、同一反応容器内で次式
【００７０】
【化２７】

【００７１】
式中、Ｘ⁻は前記と同一の意味を有する、
で示されるメルカプトピラゾロトリアゾリウム又はその反応性誘導体を反応させることにより、目的化合物である式（Ｉ）で示されるカルバペネム化合物を得ることができる。
【００７２】
上記式（ＶＩ）の化合物と式（Ｖ）のメルカプト化合物又はその反応性誘導体との反応は、一般に、前記アシル化反応において述べたと同様の有機塩基または無機塩基の存在下に、約−４０℃ないし室温程度の温度で行なうことができる。式（Ｖ）のメルカプト化合物又はその反応性誘導体および上記塩基の使用量は臨界的なものではないが、通常、式（ＩＩＩ）の化合物１モルに対して１〜２モル、好ましくは１．０〜１．５モルの割合で用いることができる。
【００７３】
かくして得られる式（Ｉ）の化合物は、それ自体既知の分離、精製法により単離することができる。
【００７４】
次に、化合物（Ｉ）の合成原料となり得る化合物（ＩＩ−ａ）および（ＩＩＩ−ａ）の結晶について詳細に説明する。
【００７５】
本発明で提供される式（ＩＩ−ａ）および（ＩＩＩ−ａ）で示される化合物は、例えば次式
【００７６】
【化２８】

【００７７】
式中、
【００７８】
【化２９】

【００７９】
はｔ−ブチルジメチルシリル基を表わす、
で示される化合物から例えば後述の実施例３および４のような方法で製造することができる。製造された化合物（ＩＩ−ａ）は例えば酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混液から、化合物（ＩＩＩ−ａ）は例えば酢酸エチルをｎ−ヘキサンの混液、あるいは酢酸エチルとイソプロピルエーテルの混液から再結晶させることができる。
【００８０】
以上の如く製造されうる本発明の化合物（ＩＩ−ａ）および（ＩＩＩ−ａ）は偏光顕微鏡による観察、および粉末Ｘ線回折分析によって結晶であることが確認されており、特に粉末Ｘ線回折分析において特徴的ピークを有することによって同定される。そのピークパターンを下表（Ｉ）および（ＩＩ）に示す。
【００８１】
【表１】

【００８２】
【表２】

本発明で提供される式（ＩＩ−ａ）および式（ＩＩＩ−ａ）で示される化合物の結晶は、固体安定性において無晶形物に比較しはるかに優れている。したがって、化合物（Ｉ）の工業的合成に際しては保存性・輸送性の高い有利な原料として利用することができる。
【００８３】
また、本発明の方法により
合成された化合物（Ｉ）は、式中Ｒ^１で表わされるカルボキシル基の保護基を脱離させることにより、抗菌剤として有用な下式（Ａ）
【００８４】
【化３０】

【００８５】
で示される化合物に導くことができる。
【００８６】
以下に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの記載により何ら限定されるものではない。
【００８７】
なお、本明細書の以下の記載においては次の略号を使用する。
【００８８】
【化３１】

【００８９】
：ｔ−ブチルジメチルシリル基
ＰＮＢ：４−ニトロベンジル基
【００９０】
【実施例】
実施例１
【００９１】
【化３２】

【００９２】
濃塩酸３．０２ｍｌ（２９．７ｍｍｏｌ）とメタノール５０ｍｌの混液に、２５℃下化合物（ＩＩ−ａ）５．０ｇ（９．９ｍｍｏｌ）を加え撹拌した。２時間後炭酸水素ナトリウム５．００ｇ（５９．５ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン５０ｍｌ及び飽和食塩水５０ｍｌで抽出した。得られた有機層全てを混合し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を留去した。
【００９３】
次いで、得られた残渣をジクロロメタン５１ｍｌに溶解させ、オクタン酸ロジウム（ＩＩ）３１ｍｇ（０．０３９８ｍｍｏｌ）を加え加熱還流した。７時間後、反応液を−１５℃に冷却し、クロロ燐酸ジフェニル２．９５ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）を加え、ジイソプロピルエチルアミン２．３２ｍｌ（１３．０ｍｍｏｌ）及び４−ジメチルアミノピリジン２４ｍｇ（０．１９３ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（ジクロロメタン２０ｍｌ）を０．５時間かけて滴下し、さらに０．５時間撹拌した。
【００９４】
反応終了後溶媒を留去し、アセトン１２ｍｌ、アセトニトリル１２ｍｌ及びジメチルホルムアミド１．２ｍｌを加え溶解させた。次いで、この混液に、７℃にて６，７−ジヒドロ−６−メルカプト−５Ｈ−ピラゾロ［１，２−ａ］［１．２．４］トリアゾリウムクロライド１．８４ｇ（１０．４４ｍｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン２．３２ｍｌ（１３．０４ｍｍｏｌ）、および種晶として化合物（Ｉ）４８ｍｇを順次加え、４〜７℃で２時間撹拌し、さらにジクロロメタン３０ｍｌを加え１時間撹拌した。反応終了後、析出結晶を素早くろ取し、ジクロロメタン２ｍｌとアセトン２ｍｌの混液で２回、ジクロロメタン４ｍｌで１回洗浄後、真空乾燥した。
【００９５】
結果、化合物（Ｉ）を５．８８ｇ（収率７０．０％）得た。
【００９６】
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ：１．３２（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ）、３．３５（ｍ，１Ｈ）、３．６５（ｍ，１Ｈ）、４．２０（ｍ，１Ｈ）、４．４２（ｍ，１Ｈ）、４．６０〜４．９０（ｍ，２Ｈ）、５．１〜５．３（ｍ，３Ｈ）、５．３６（ＡＢｑ，２Ｈ，Ｊ＝１３．７Ｈｚ）、７．６７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．５Ｈｚ）、８．２１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．５Ｈｚ）、９．０７（ｓ，１Ｈ）、９．０８（ｓ，１Ｈ）
実施例２
【００９７】
【化３３】

【００９８】
化合物（ＩＩＩ−ａ）５８５ｍｇ（１．５ｍｍｏｌ）をジクロロメタン１４ｍｌに溶解し、オクタン酸ロジウム（ＩＩ）３．５ｍｇ（０．０３９８ｍｍｏｌ）を加え、３時間還流した。反応液を−１５℃に冷却し、クロロ燐酸ジフェニル４４３ｍｇ（１．６５ｍｍｏｌ）を加え、続いてジイソプロピルエチルアミン２５６ｍｇ（１．９８ｍｍｏｌ）及び４−ジメチルアミノピリジン３．７ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（ジクロロメタン３ｍｌ）を３０分間かけて滴下した。この反応液をさらに、３０分撹拌後溶媒を留去し、残渣にアセトニトリル１．９ｍｌ、アセトン１．９ｍｌ、ジメチルホルムアミド０．２ｍｌを加えて溶解した。次にこの溶液に、氷冷下６，７−ジヒドロ−６−メルカプト−５Ｈ−ピラゾロ［１，２−ａ］［１．２．４］トリアゾリウムクロライド３７３ｍｇ（２．１ｍｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン３４０ｍｇ（２．６３ｍｍｏｌ）および種晶として化合物（Ｉ）５ｍｇを添加した。２時間撹拌後、ジクロロメタン４．８ｍｌを加えさらに１時間撹拌した。析出した結晶を集め、少量のジクロロメタン／アセトン＝１／１混液とジクロロメタンで順次洗浄した後、真空乾燥を行ない化合物（Ｉ）５９８ｍｇ（収率７６．５％）を得た。ここで得られた化合物のＮＭＲデーターは実施例１で得られたものと完全に一致した。
【００９９】
実施例３（化合物（ＩＩ‐ａ）の合成と結晶化）
【０１００】
【化３４】

【０１０１】
クロル炭酸エチル１５６．２ｇ（１．４４ｍｏｌ）を乾燥ジクロロメタン２７４０ｍｌに溶解し、約−２０℃に冷却した。化合物（ＶＩＩ）３６１．８ｇ（１．２０ｍｏｌ）とトリエチルアミン１５７．９ｇ（１．５６ｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（ジクロロメタン９１５ｍｌ）を前記の溶液中に、反応液の温度を約−１５℃に保ちながら滴加し、反応液を０°〜５℃にて３０分間撹拌した。続いてイミダゾール１１４．４ｇ（１．６８ｍｏｌ）を乾燥ジクロロメタン７３０ｍｌに加えた溶液を、０°〜１０℃にて前記反応液に添加し、０°〜５℃にてさらに３０分間撹拌して化合物（ＶＩＩＩ）の溶液を得た。
【０１０２】
別に、マグネシウムマロネート溶液を以下の操作により調整した。ｐ−ニトロベンジルマロネート４８８．０ｇ（２．０４ｍｏｌ）を乾燥ジクロロメタン２７４０ｍｌに懸濁し、窒素雰囲気下、塩化マグネシウム９７．１ｇ（１．０２ｍｏｌ）を添加した。さらに、トリエチルアミン２０６．４ｇ（２．０４ｍｏｌ）を乾燥ジクロロメタン１８３ｍｌで希釈した溶液を、反応液の温度を０°〜１０℃に保ちならが添加し、その温度を保ったまま１時間、さらに室温にもどして３０分撹拌した。
【０１０３】
この様にして合成したマグネシウムマロネート溶液を、前記化合物（ＶＩＩＩ）の溶液に加え、６０°〜６５℃で２．５時間反応させた。
【０１０４】
反応終了後、反応液を室温まで冷却し、１ＮＨＣｌ、水、５％炭酸水素ナトリウム水溶液および飽和食塩水で順次洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後ろ過し、化合物（ＩＸ）の溶液を得た。
【０１０５】
この溶液にｐ−ドデシルベンゼンスルホニルアジド４７２．４ｇ（１．３４ｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（ジクロロメタン８９０ｍｌ）を加え、続いて窒素雰囲気下、１５°〜２５℃にて撹拌しながらトリエチルアミン３１．４ｇ（０．３１ｍｏｌ）を加えた後、その温度を保ったまま１．５時間撹拌した。
【０１０６】
反応後、濃縮し、残渣にｎ−ヘキサンを加えて結晶化させた。結晶をろ取後真空乾燥し、化合物（ＩＩ−ａ）の結晶４５５．６ｇ（収率７５．３％）を得た。この結晶は偏光顕微鏡で観察した結果偏光性をもち、結晶であることが確認された。
【０１０７】
化合物（ＩＩ−ａ）の再結晶は以下の方法で行った。すなわち、前述の方法で得られた化合物（ＩＩ−ａ）の結晶１７．４ｇを酢酸エチル１７４ｍｌに溶解後約５０ｍｌまで濃縮し、残渣にｎ−ヘキサン２００ｍｌを加えて晶出後ろ過した。結晶をｎ−ヘキサン２０ｍｌ×２で洗浄後真空乾燥し、化合物（ＩＩ−ａ）の再結々晶１１．３ｇ（収率６４．９％）を得た。
【０１０８】
又、再結々晶について粉末Ｘ線回折分析を行い、前述の表（Ｉ）に記載した特徴的ピークを持つことを確認した。
【０１０９】
実施例４（化合物（ＩＩＩ−ａ）の合成と結晶化）
【０１１０】
【化３５】

【０１１１】
クロル炭酸エチル１５６．２ｇ（１．４４ｍｏｌ）を乾燥ジクロロメタン２７４０ｍｌに溶解し、約−２０℃に冷却した。化合物（ＶＩＩ）３６１．８ｇ（１．２０ｍｏｌ）とトリエチルアミン１５７．９ｇ（１．５６ｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（ジクロロメタン９１５ｍｌ）を前記の溶液中に、反応液の温度を約−１５℃に保ちながら滴加し、反応液を０°〜５℃にて３０分間撹拌した。続いてイミダゾール１１４．４ｇ（１．６８ｍｏｌ）を乾燥ジクロロメタン７３０ｍｌに加えた溶液を、０°〜１０℃にて前記反応液に添加し、０°〜５℃にてさらに３０分間撹拌して化合物（ＶＩＩＩ）の溶液を得た。
【０１１２】
別に、マグネシウムマロネート溶液を以下の操作により調整した。ｐ−ニトロベンジルマロネート４８８．０ｇ（２．０４ｍｏｌ）を乾燥ジクロロメタン２７４０ｍｌに懸濁し、窒素雰囲気下、塩化マグネシウム９７．１ｇ（１．０２ｍｏｌ）を添加した。さらに、トリエチルアミン２０６．４ｇ（２．０４ｍｏｌ）を乾燥ジクロロメタン１８３ｍｌで希釈した溶液を、反応液の温度を０°〜１０℃に保ちながら添加し、その温度を保ったまま１時間、さらに室温にもどして３０分撹拌した。
【０１１３】
この様にして合成したマグネシウムマロネート溶液を、前記化合物（ＶＩＩＩ）の溶液に加え、６０°〜６５℃で２．５時間反応させた。
【０１１４】
反応終了後、反応液を室温まで冷却し、１ＮＨＣｌ、水、５％炭酸水素ナトリウム水溶液および飽和食塩水で順次洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後ろ過し、化合物（ＩＸ）の溶液を得た。
【０１１５】
この溶液にｐ−ドデシルベンゼンスルホニルアジド４７２．４ｇ（１．３４ｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（ジクロロメタン８９０ｍｌ）を加え、窒素雰囲気下、１５°〜２５℃にて撹拌しながらトリエチルアミン３１．４ｇ（０．３１ｍｏｌ）を加えた後、その温度を保ったまま１．５時間撹拌した。
【０１１６】
反応液を濃縮後、得られた残基（化合物（ＩＩ−ａ））にメタノール５１８０ｍｌを加えて溶解し、濃塩酸２６７ｍｌ（３．２５ｍｏｌ）を加えて室温（２０〜２５℃）で１．５〜２．５時間撹拌した。反応終了後、炭酸水素ナトリウムの粉末を加えて中和し、ジクロロメタン５１８０ｍｌおよび飽和食塩水５１８０ｍｌを加えて撹拌した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後ろ過し、濃縮した。酢酸エチルを加えてさらに減圧濃縮し、得られた残留物に酢酸エチル６７５ｍｌを加えて溶解させた。この溶液を室温で１時間撹拌後、ｎ−ヘキサンを加えて結晶化させ、化合物（ＩＩＩ−ａ）の結晶３３９ｇ（収率７２％）を得た。
【０１１７】
この結晶は偏光顕微鏡で観察した結果偏光性をもち、結晶であることが確認された。又、Ｘ線回折分析を行い、前述の表（ＩＩ）に記載した特徴的ピークを持つことを確認した。なお、Ｘ線回折分析には以下の操作で精製・再結晶された試料を用いた。すなわち、前述の方法で得られた化合物（ＩＩＩ−ａ）の結晶２０．３ｇをシリカゲルカラムおよび活性炭を用いて精製した後、酢酸エチル４０ｍｌに溶解し、撹拌しながらヘキサン１６０ｍｌを加えて結晶させた。真空乾燥後、化合物（ＩＩＩ−ａ）の再結々晶１７．９ｇ（収率８８．３％）を得た。

Claims

（ａ）式

式中、Ｒ^１はカルボキシル基の保護基を表し、Ｒ^２は水酸基の保護基を表す、
で示される化合物のＲ^２の水酸基の保護基を脱離し、
（ｂ）得られる式

式中、Ｒ^１は上記の意味を有する、
で示される化合物を環化せしめ、さらに、
（ｃ）得られる式

式中、Ｒ^１は上記の意味を有する、
で示される化合物をアシル化して当該化合物のオキソ基における反応性誘導体に変えた後、式

式中、Ｘ⁻は陰イオン残基を表す、
で示されるメルカプト化合物と反応せしめることによる式

式中、Ｒ^１およびＸ⁻は上記の意味を有する、
で示されるカルバペネム化合物の製造法において、
工程（ａ）で得られる化合物（ＩＩＩ）および工程（ｂ）で得られる化合物（ＩＶ）を単離することなく、工程（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を連続的に行うことを特徴とする製造法。
（ｂ）式

式中、Ｒ^１はカルボキシル基の保護基を表す、
で示される化合物を環化せしめ、
（ｃ）得られる式

式中、Ｒ^１は上記の意味を有する、
で示される化合物をアシル化して当該化合物のオキソ基における反応性誘導体に変えた後、式

式中、Ｘ⁻は陰イオン残基を表す、
で示されるメルカプト化合物と反応せしめることによる式

式中、Ｒ^１およびＸ⁻は上記上記の意味を有する、
で示されるカルバペネム化合物の製造法において、
工程（ｂ）で得られる化合物（ＩＶ）を単離することなく、工程（ｂ）および（ｃ）を連続的に行うことを特徴とする製造法。