JP3602763B2 - Method for manufacturing power semiconductor module - Google Patents
Method for manufacturing power semiconductor module Download PDFInfo
- Publication number
- JP3602763B2 JP3602763B2 JP2000002342A JP2000002342A JP3602763B2 JP 3602763 B2 JP3602763 B2 JP 3602763B2 JP 2000002342 A JP2000002342 A JP 2000002342A JP 2000002342 A JP2000002342 A JP 2000002342A JP 3602763 B2 JP3602763 B2 JP 3602763B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin case
- output terminal
- semiconductor module
- power semiconductor
- wall portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電力用半導体モジュールの製造方法に関し、特に半導体等に接続される出力端子が樹脂ケースと一体形成されている電力用半導体モジュールの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、出力端子が樹脂ケースと一体成形によって該樹脂ケースに埋め込まれた構造の電力用半導体モジュールとして、例えば図1のものがある。図1において、2は鉄、銅あるいはアルミニウムなどを用いた金属基板であり、この金属基板2上に表面にパターン化された銅回路6a〜6dを形成した絶縁基板4が貼り付けられている。この絶縁基板4にはアルミナあるいは窒化アルミニウムが用いられている。上記絶縁基板4上の銅回路6a〜6c上には半導体チップ8a、8bやその他のチップ8cが半田付けされている。
【0003】
銅回路6d上には、樹脂ケース10の一方の側壁部10aおよびそれに連接する底壁部10bにL字形状をなして埋め込まれている出力端子12の上記底壁部10bから突出している一方端の折曲端面部12cが半田付けされている。また、樹脂ケース10内には半導体チップ8aや8b等を超える高さまでゲル状の封止材24が充填され、半導体チップ8aや8b等が保護されている。樹脂ケース10内の封止材24の上方には、プリント配線基板26が配置され、その上には、半導体チップ8aや8b等を制御したり、保護したりするための部品28a〜28eが搭載されている。樹脂ケース10の上部には、該ケース10内の気密性を保持するために蓋30が被せられている。
【0004】
上記した図1の構成の電力用半導体モジュールにおいて、樹脂ケース10の一方の側壁部10aおよびそれに連接する底壁部10bに埋め込むようにして形成されている出力端子12の従来の態様について説明すると、この出力端子12は、図5(a)に示すように、コイル状に巻かれている所要幅の銅板40を引き出し、所要長さLに切断したのち、斜線部分42a、42b、42c、42dを打ち抜き加工することによって、図5(b)のような一方側(上面側)を共通の帯状支持部18とする複数個の出力端子12、14、16が得られる。上記帯状支持部18で支持されている複数の出力端子12、14、16は、上記打ち抜き加工と同時にそれぞれ図6のように所定位置で垂直部12a、14a、16aと水平部12b、14b、16bからなるL字状に折り曲げられ、その水平部12b、14b、16bの先端部は、図1の銅回路6d上との半田付けができるようにさらに折り曲げられて折曲端面部12c、14c、16cが形成される。
【0005】
次いで、上記にて図6の形状にした帯状支持部18で支持されている複数の出力端子12、14、16を、所定の形状の樹脂ケース成形用のモールド(図示せず)の一方の側壁部から底壁部内にセットし、該モールド内にポリフェニレンサルファイド、ポリブチレンテレフタレートなどの熱硬化性樹脂液を流し込み、帯状支持部18のやや下方を残して出力端子の垂直部12a、14a、16aを樹脂ケース10の垂直部10a内部に埋め込ませ、水平部12b、14b、16bはそれらの折曲端面部12c、14c、16cが露出するするようにして、これらを樹脂ケース10の側壁部10aに連接する底壁部10bの表面に埋め込み、加熱硬化することにより、図7に示すような、樹脂ケース10の成形と同時に該ケース内への出力端子12、14、16の埋め込みを行うことができる。その後、樹脂ケース10の上方に突出している出力端子12、14、16の垂直部12a、14a、16aが接続している帯状支持部18を切断する。
【0006】
図1のように銅回路6a〜6c上に半田層を介して半導体チップやその他の部品8a、8b、8cが搭載され、銅回路6d上にも半田層が形成されている絶縁基板4を有する金属基板2の縁端部に、シリコーンゴムを塗布し、このシリコーンゴム上に上記で得られた帯状支持部18を切断した樹脂ケース10を、該ケース10の底壁部10bから露出している出力端子12、14、16の折曲端面部12c、14c、16cが上記銅回路6d上に搭載するようにして被せ、これをリフロー炉で加熱することにより、上記銅回路6a〜6c上への半導体チップやその他の部品8a、8b、8cの半田付け、銅回路6d上への出力端子12、14、16の折曲端面部12c、14c、16cの半田付けと同時に金属基板2の縁端部への樹脂ケース10の接着が行われ、図1に示すような構成の電力用半導体モジュールが得られるのである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、出力端子12、14、16の他方端に折曲端面部12c、14c、16cを形成した図6のような形状にした出力端子を、モールドを用いて熱硬化性樹脂の加熱成形により、図7に示すような樹脂ケース10の成形と同時に該ケース内への出力端子12、14、16の埋め込みを行う場合、ポリフェニレンサルファイド、ポリブチレンテレフタレートなどの熱硬化性樹脂による加熱成形後の冷却の際に、樹脂の肉厚部分の内部などにおいて、冷却速度が異なるために、得られた樹脂ケース10の例えば底壁部10bが図8のように内側に湾曲するという問題がある。そして、このように湾曲した樹脂ケース10を金属基板2に適用すると、樹脂ケース10内に埋め込まれている出力端子12、14、16から露出していて、銅回路6d1 、6d2 、6d3 上へ半田付けされるべきそれぞれの折曲端面部12c、14c、16cのうち、例えば、14cが半田層20bには接触せず、従って出力端子14だけは銅回路6d2 上に半田付けされないという事態が生ずることとなり、半田付けの信頼性が損なわれ、その結果得られる半導体モジュールがその機能を充分に果たせないという問題が生じていた。
【0008】
この発明は、上記に鑑みて、銅回路上に半田付けされる出力端子の折曲端面部の形成について検討し、樹脂ケースに埋め込まれて樹脂ケースと一体形成される出力端子の成形時において加熱あるいはその後の冷却過程で影響を受けることのないようにすることで、出力端子折曲端面部の銅回路との半田付けの信頼性を向上させたものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の電力用半導体モジュールの製造方法は、金属基板上に設けた絶縁基板の表面に有する銅回路上に半田層を介して搭載される電力用半導体チップ、出力端子を、上記金属基板の周縁への熱硬化性樹脂ケースの接着と同時に半田付けする電力用半導体モジュールの製造方法において、上記出力端子が銅板を用いてその一方端を帯状支持部とし、その下方を所要幅に打ち抜いた短冊状として形成され、この短冊状部分を上記金属基板の周縁に包被される熱硬化性樹脂ケースの側壁部及び底壁部に埋め込むようにして熱硬化性樹脂ケースと一体に形成するに当たって、上記出力端子の他方端を熱硬化性樹脂ケースの底壁部から露出させ、熱硬化性樹脂ケース成形後にこの露出した他方端を上記銅回路に接続可能に折り曲げて、上記銅回路への接続用折曲端面部としたものである。
【0010】
請求項2に記載の電力用半導体モジュールの製造方法は、請求項1記載の半導体モジュールの製造方法において、銅板を用いてその一方端を帯状支持部とし、その下方を所要幅に打ち抜いた短冊状として形成される出力端子が複数個であり、熱硬化性樹脂ケースの側壁部および底壁部に埋め込むようにして熱硬化性樹脂ケースと一体に形成した後に、この熱硬化性樹脂ケースから露出したそれぞれの他方端に形成する折曲端面部を何れも絶縁基板の表面に有する銅回路と接触可能に同じ高さに形成したものである。
【0011】
請求項1に記載の発明によれば、銅板を用いてその一方端を帯状支持部とし、その下方を所要幅に打ち抜いて短冊状として形成された出力端子を、この短冊状部分を上記金属基板の周縁に包被される樹脂ケースの側壁部および底壁部内に埋め込むようにして熱硬化性樹脂ケースと一体に形成するに当たって、上記出力端子の他方端を樹脂ケースの底壁部から突出させ、樹脂ケース成形後にこの露出した他方端を折り曲げて折曲端面部とする構成としたことによって、上記出力端子の埋め込みと同時に行う熱硬化性樹脂ケースの成形に当たって、加熱、冷却の工程で歪みによって熱硬化性樹脂ケースに変形が生じた場合でも、銅回路上に半田付けされる出力端子の折曲端面部は樹脂ケース成形後に折り曲げ形成されるので、上記熱硬化性樹脂ケースの変形に全く影響を受けることなく、銅回路に接触するように形成することができ、出力端子折曲端面部の銅回路との半田付けの信頼性を大幅に向上させることができる。
【0012】
請求項2に記載の発明によれば、上記請求項1において、銅板を用いてその一方端を帯状支持部とし、その下方を所要幅に打ち抜いて形成される短冊状の出力端子が複数個であっても、熱硬化性樹脂ケースの側壁部内に埋め込むようにして熱硬化性樹脂ケースと一体に形成した後に、この熱硬化性樹脂ケースから突出しているそれぞれの他方端を折曲端面部とするので、たとえ複数個の出力端子であっても、何れも絶縁基板の表面に有する銅回路と接触するように同じ高さに折曲端面部を形成することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、この発明について詳細に説明する。なお、この発明に係る電力用半導体モジュールの主要構成は、上記した図1と同様であるので、その説明は省略する。また、以下に示す図において、図1と同じ部位には同じ符号を用いた。
【0014】
図2〜図4はこの発明で図1と同じ主要構成の電力用半導体モジュールを得るに当たって用いる出力端子の製造工程を示している。まず、図2は所要形状のモールドにより熱硬化性樹脂を用いて樹脂ケース10を成形する際に、該樹脂ケース10に埋め込まれる出力端子群Aの斜視図である。この出力端子群Aは、図5(a)に示すように、コイル状に巻かれている所要幅の銅板40を引き出し、所要長さLに切断したのち、斜線部分42a、42b、42c、42dを打ち抜き加工することによって得られた、図5(b)のような一方側(上面側)を共通の帯状支持部18とする所要大きさの短冊状の複数の出力端子12、14、16を、上記打ち抜き加工後にそれぞれ所定位置Sで垂直部12a、14a、16aと水平部12b、14b、16bにL字状に折り曲げられている。
【0015】
このようにL字状に折り曲げられ、一方端が帯状支持部18で接続している出力端子群Aは、上述したように、樹脂ケース成形用の所要形状のモールド(図示せず)の一方の側壁部から底壁部内の所定位置に載置される。この時、出力端子群Aは複数の出力端子12、14、16の垂直部12a、14a、16aは、これらが接続している帯状支持部18のやや下方がモールドの側壁部外へ露出するように載置する。また、出力端子12、14、16のSの位置でL字状に折り曲げられた水平部12b、14b、16bは、樹脂ケースに埋め込み成形後に銅回路上に接触させ、銅回路との半田付けを行う折曲端面部を形成するために要する所要長さをモールドの底壁部外へ露出するようにし、かつ樹脂ケース10の底壁部10bの上面に位置するように載置する。
【0016】
上記のように出力端子群Aをモールド内に載置したのち、該モールド内にポリフェニレンサルファイド、ポリブチレンテレフタレートなどの熱硬化性樹脂液を流し込み、加熱硬化することにより、図3(a)に示すように、出力端子12、14、16の帯状支持部18のやや下方の垂直部12a、14a、16aを埋め込み、L字状に折り曲げられた水平部12b、14b、16bはそれらの端部を露出させ、中程を底壁部10bの上面に位置するように樹脂ケース10で囲まれた出力端子群Aが得られる。
【0017】
次いで、上記で得られた図3(a)に示す出力端子群Aは、図4(a)のように帯状支持部18を切り離し、かつ樹脂ケース10の底壁部10bから外方へ露出している各出力端子12、14、16の水平部12b、14b、16bの端面を折り曲げて折曲端面部12c、14c、16cを形成する。この時、折曲端面部12c、14c、16cは、図4(b)のようにこれらがクリーム半田あるいは半田箔などの半田層を有している銅回路に充分に接触する同じ高さにそれぞれを調整して形成することができる。
【0018】
出力端子群Aを、上記したようにモールド内の所要位置に載置して熱硬化性樹脂による樹脂ケースの成形を行うとき、加熱後の冷却時に樹脂の肉厚の部分の内部が他の部分に比べて冷却速度が異なることから、図3(b)のように樹脂ケース10の底壁部10bが内側に湾曲するような場合がある。この湾曲に伴って、出力端子12、14、16の水平部12b、14b、16bの露出している部分の寸法に差異を生ずるが、この発明の出力端子群Aにおいては、上述したようにクリーム半田あるいは半田箔などの半田層を有している銅回路上へ出力端子群Aを半田付けする際の折曲端面部12c、14c、16cを、図4のように樹脂ケース成形後に形成するため、出力端子12、14、16の水平部12b、14b、16bの露出している部分の寸法に多少差異があっても、各出力端子12、14、16の折曲端面部12c、14c、16cをクリーム半田あるいは半田箔などの半田層20を有している銅回路上に接触するように、同じ高さに調整することができるのである。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明の電力用半導体モジュールの製造方法においては、熱硬化性樹脂ケースと一体形成された出力端子であっても、内部の銅回路と確実に半田付けすることができるので、半田付けの信頼性が向上し、半導体モジュールとしての機能を充分に果たすことができるのである。
【図面の簡単な説明】
【図1】電力用半導体モジュールの主要構成を示す説明図である。
【図2】この発明で用いる出力端子の形状の一例を示す説明図である。
【図3】この発明で用いる樹脂ケースと一体形成した出力端子の製造過程の一例を示す説明図である。
【図4】この発明で用いる樹脂ケースと一体形成した出力端子の製造過程の一例を示す説明図である。
【図5】出力端子の製造過程の一例を示す説明図である。
【図6】従来の出力端子を示す説明図である。
【図7】従来の樹脂ケースと一体形成した出力端子を示す説明図である。
【図8】樹脂ケースと一体形成した従来の出力端子と銅回路との半田付け時の状態を示す説明図である。
【符号の説明】
2 金属基板
4 絶縁基板
6a、6b、6c、6d 銅回路
8a、8b、8c 半導体チップ
10 樹脂ケース
12、14、16 出力端子
12c、14c、16c 出力端子の折曲端面部
18 帯状支持部
20 半田層[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
This invention relates to a method of manufacturing a power semiconductor module, and more particularly to a method of manufacturing a power semiconductor module which output terminal connected to the semiconductor or the like is formed integrally with the resin case.
[0002]
[Prior art]
BACKGROUND ART Conventionally, for example, there is a power semiconductor module having a structure in which an output terminal is embedded in a resin case by integral molding with the resin case, as shown in FIG. In FIG. 1,
[0003]
One end protruding from the
[0004]
In the power semiconductor module having the configuration of FIG. 1 described above, a conventional aspect of the
[0005]
Next, the plurality of
[0006]
As shown in FIG. 1, a semiconductor chip and
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, the
[0008]
In view of the above, the present invention considers the formation of a bent end surface portion of an output terminal to be soldered on a copper circuit, and heats the output terminal during molding of the output terminal embedded in the resin case and integrally formed with the resin case. Alternatively, the reliability of the soldering of the bent end face of the output terminal to the copper circuit is improved by preventing the influence from being affected in the subsequent cooling process.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The method for manufacturing a power semiconductor module according to claim 1, wherein the power semiconductor chip mounted on a copper circuit on a surface of an insulating substrate provided on a metal substrate via a solder layer, and the output terminal are formed of the metal. In the method of manufacturing a power semiconductor module, in which a thermosetting resin case is bonded to a peripheral edge of a board and soldered at the same time, one end of the output terminal is formed into a band-shaped support portion using a copper plate, and a lower portion thereof is punched to a required width. In forming the strip portion integrally with the thermosetting resin case by embedding the strip portion in the side wall portion and the bottom wall portion of the thermosetting resin case covered by the periphery of the metal substrate. the other end of the output terminal is exposed from the bottom wall portion of the thermosetting resin case, the exposed other end after thermosetting resin case molded by folding so as to be connected to the copper circuitry, the copper It is obtained by the connecting Orikyokutan face portion of the road.
[0010]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a power semiconductor module according to the first aspect of the present invention , wherein one end of the power semiconductor module is formed into a band-shaped support portion using a copper plate, and a lower portion is punched into a required width. After being formed integrally with the thermosetting resin case so as to be embedded in the side wall portion and the bottom wall portion of the thermosetting resin case, the output terminal was exposed from the thermosetting resin case. Each of the bent end faces formed at the other ends is formed at the same height so as to be able to contact the copper circuit provided on the surface of the insulating substrate.
[0011]
According to the first aspect of the present invention, a strip-shaped output terminal is formed by using a copper plate, one end of which is a band-shaped support portion, and a lower portion thereof is punched to have a required width. In forming integrally with the thermosetting resin case so as to be embedded in the side wall portion and the bottom wall portion of the resin case covered by the peripheral edge of the resin case, the other end of the output terminal is protruded from the bottom wall portion of the resin case, After the resin case is molded, the exposed other end is bent to form a bent end surface, so that when the thermosetting resin case is molded at the same time as the embedding of the output terminal, the heat and cooling processes cause heat to be generated. even if the deformation curable resin case occurs, since the bent end face portion of the output terminal to be soldered on the copper circuit is formed by bending after the resin case molded, the thermosetting resin Ke Scan without being affected at all deformation, can be formed to be in contact with the copper circuit, it is possible to greatly improve the soldering reliability of the copper circuit of the output terminal bent end face portion.
[0012]
According to the second aspect of the present invention, in the first aspect, a plurality of strip-shaped output terminals formed by punching a copper sheet at one end to a band-shaped support portion and a required width below the copper plate. even, so as to be embedded in the sidewall portion of the thermosetting resin case after integrally formed with the thermosetting resin case, the respective other ends projecting from the thermosetting resin case and bent end face portion Therefore, even if there are a plurality of output terminals, the bent end face portions can be formed at the same height so as to be in contact with the copper circuit provided on the surface of the insulating substrate.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail. Note that the main configuration of the power semiconductor module according to the present invention is the same as that of FIG. 1 described above, and thus description thereof will be omitted. In the drawings shown below, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
[0014]
2 to 4 show a process of manufacturing an output terminal used in obtaining a power semiconductor module having the same main configuration as that of FIG. 1 in the present invention. First, FIG. 2 is a perspective view of an output terminal group A embedded in the
[0015]
As described above, the output terminal group A which is bent in an L shape and one end of which is connected by the band-shaped
[0016]
After the output terminal group A is placed in the mold as described above, a thermosetting resin liquid such as polyphenylene sulfide or polybutylene terephthalate is poured into the mold, and is cured by heating, as shown in FIG. As described above, the vertical portions 12a, 14a, and 16a slightly below the belt-
[0017]
Then, the output terminal group A shown in FIG. 3A obtained above separates the band-
[0018]
When the output terminal group A is placed at a required position in the mold as described above and the resin case is molded with the thermosetting resin, the inside of the thick portion of the resin is replaced with another portion at the time of cooling after heating. Since the cooling rate is different from that of FIG. 3, the
[0019]
【The invention's effect】
As described above, in the method of manufacturing a power semiconductor module of the present invention, be an output terminal which has been made integral with the thermosetting resin case can be soldered securely and internal copper circuit Therefore, the reliability of soldering is improved, and the function as a semiconductor module can be sufficiently performed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a main configuration of a power semiconductor module.
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a shape of an output terminal used in the present invention.
FIG. 3 is an explanatory view showing one example of a process of manufacturing an output terminal integrally formed with a resin case used in the present invention.
FIG. 4 is an explanatory view showing one example of a production process of an output terminal integrally formed with a resin case used in the present invention.
FIG. 5 is an explanatory view showing an example of a production process of an output terminal.
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a conventional output terminal.
FIG. 7 is an explanatory view showing an output terminal integrally formed with a conventional resin case.
FIG. 8 is an explanatory view showing a state when a conventional output terminal integrally formed with a resin case and a copper circuit are soldered.
[Explanation of symbols]
2
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000002342A JP3602763B2 (en) | 2000-01-11 | 2000-01-11 | Method for manufacturing power semiconductor module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000002342A JP3602763B2 (en) | 2000-01-11 | 2000-01-11 | Method for manufacturing power semiconductor module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001196531A JP2001196531A (en) | 2001-07-19 |
JP3602763B2 true JP3602763B2 (en) | 2004-12-15 |
Family
ID=18531461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000002342A Expired - Fee Related JP3602763B2 (en) | 2000-01-11 | 2000-01-11 | Method for manufacturing power semiconductor module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3602763B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5285224B2 (en) * | 2007-01-31 | 2013-09-11 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | Circuit equipment |
JP6071662B2 (en) * | 2013-03-11 | 2017-02-01 | 京セラ株式会社 | Power semiconductor module |
JP6304974B2 (en) * | 2013-08-27 | 2018-04-04 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2720009B2 (en) * | 1993-11-29 | 1998-02-25 | 株式会社三社電機製作所 | Power semiconductor module |
JP2720008B2 (en) * | 1993-11-29 | 1998-02-25 | 株式会社三社電機製作所 | Power semiconductor module |
JPH08125115A (en) * | 1994-10-21 | 1996-05-17 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | Power semiconductor module |
JP3410969B2 (en) * | 1997-06-30 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | Semiconductor device |
-
2000
- 2000-01-11 JP JP2000002342A patent/JP3602763B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001196531A (en) | 2001-07-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3583965B2 (en) | Surface mount type coil and manufacturing method thereof | |
KR100426494B1 (en) | Semiconductor package and its manufacturing method | |
US6720646B2 (en) | Power converter with improved lead frame arrangement including stand-up portion | |
US20050212107A1 (en) | Circuit device and manufacturing method thereof | |
JP2004022862A (en) | Semiconductor device | |
US8384202B2 (en) | Semiconductor device, and communication apparatus and electronic apparatus having the same | |
JP3602763B2 (en) | Method for manufacturing power semiconductor module | |
JP3681922B2 (en) | Drawer terminal, power semiconductor device case, and power semiconductor device | |
JP2005191147A (en) | Method for manufacturing hybrid integrated circuit device | |
JP2001358263A (en) | Semiconductor device and method of forming circuit of the same | |
KR19980044211A (en) | Semiconductor package and manufacturing method | |
JP3730469B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US20120261816A1 (en) | Device package substrate and method of manufacturing the same | |
JP4100483B2 (en) | Composite semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP3699271B2 (en) | Semiconductor package and manufacturing method thereof | |
JP4531994B2 (en) | Chip antenna and manufacturing method thereof | |
JP3555000B2 (en) | Surface mount type solid image sensor device | |
JP2004200464A (en) | Metal circuit board | |
JPH0922960A (en) | Multichip module device and its manufacture | |
JP2003078342A (en) | Chip antenna and manufacturing method therefor | |
JP2799831B2 (en) | Power semiconductor module | |
JP2002025419A (en) | Overcurrent protection element, semiconductor furnished with the same and manufacturing method of the overcurrent protection element | |
JPH11260998A (en) | Hybrid semiconductor device | |
JP2004095759A (en) | Surface mounted electronic component and method for manufacturing the same | |
JPH07221425A (en) | Hybrid integrated circuit device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040629 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040830 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040921 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040924 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3602763 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071001 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081001 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101001 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101001 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111001 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121001 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |