JP2720008B2 - Power semiconductor module - Google Patents

Power semiconductor module

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JP2720008B2
JP2720008B2 JP32620993A JP32620993A JP2720008B2 JP 2720008 B2 JP2720008 B2 JP 2720008B2 JP 32620993 A JP32620993 A JP 32620993A JP 32620993 A JP32620993 A JP 32620993A JP 2720008 B2 JP2720008 B2 JP 2720008B2
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power semiconductor
case
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holding portion
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行良 中村
豊二 安田
俊秀 徳田
英幸 船本
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Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
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Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、内部に電力用半導体
チップとこの半導体チップを制御する制御部品とを搭載
し、樹脂封止して得られる電力用半導体モジュールに関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power semiconductor module obtained by mounting a power semiconductor chip and a control component for controlling the semiconductor chip therein and sealing it with a resin.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の電力用半導体モジュールとして、
図4の断面図に示す構造のものがある。図において2
は、一方の面に絶縁板6を有する金属基板であり、この
絶縁板6上に銅回路(図示せず)が搭載されている。そ
して、銅回路上の必要箇所にクリーム半田を印刷し、半
田上に電力用半導体チップ8及び表面実装部品である抵
抗、IC等の制御部品並びに制御回路との接続ピン12
及び外部引き出し端子10を搭載し、リフロー炉で半田
付けを行う。この後、電力用半導体チップ8と必要な銅
回路6とをワイヤボンディングする。
2. Description of the Related Art As a conventional power semiconductor module,
There is a structure shown in the sectional view of FIG. 2 in the figure
Is a metal substrate having an insulating plate 6 on one surface, on which a copper circuit (not shown) is mounted. Then, cream solder is printed on necessary portions on the copper circuit, and the power semiconductor chip 8 and control components such as resistors and ICs, which are surface mount components, and connection pins 12 for connection with the control circuit are formed on the solder.
Then, the external lead terminal 10 is mounted, and soldering is performed in a reflow furnace. Thereafter, the power semiconductor chip 8 and the necessary copper circuit 6 are wire-bonded.

【0003】次に金属基板の周縁を後で述べるプリント
回路を取り付けるプリント回路取付突部(図示せず)と
一体成形した樹脂ケース24で覆い、側壁を金属基板に
シリコンゴム等の接着剤で接着する。そして、ケース2
4の上部からシリコンゴムを充填し、120〜150℃
で加熱硬化して、シリコンゴム層26を形成する。つい
で、シリコンゴム層26の上部にエポキシ樹脂を充填
し、120〜150℃で加熱硬化してエポキシ樹脂層2
8を形成する。
Next, the periphery of the metal substrate is covered with a resin case 24 integrally formed with a printed circuit mounting projection (not shown) for mounting a printed circuit described later, and the side wall is adhered to the metal substrate with an adhesive such as silicon rubber. I do. And Case 2
4. Fill silicon rubber from the top of 120, 120-150 ° C
To form a silicone rubber layer 26. Next, an epoxy resin is filled in the upper portion of the silicone rubber layer 26, and cured by heating at 120 to 150 ° C.
8 is formed.

【0004】一方、電力用半導体チップを制御する制御
部品をプリント配線板に搭載し、半田付してプリント回
路を構成する。このプリント回路14に設けた穴(図示
せず)をケースのプリント回路取付突起(図示せず)に
係合し、かつ接続ピン12をプリント回路14に接続
し、半田付けを行う。そして、ケース上部からエポキシ
樹脂を充填し、120〜150℃で加熱硬化させ上部の
エポキシ樹脂層30を形成する。
On the other hand, a control component for controlling a power semiconductor chip is mounted on a printed wiring board and soldered to form a printed circuit. The holes (not shown) provided in the printed circuit 14 are engaged with the printed circuit mounting projections (not shown) of the case, and the connection pins 12 are connected to the printed circuit 14 to perform soldering. Then, an epoxy resin is filled from the upper portion of the case, and is heated and cured at 120 to 150 ° C. to form the upper epoxy resin layer 30.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上部のような半導体モ
ジュールを得るに当たって、樹脂ケース24には外部引
き出し端子10を固定するために挿通する穴24aを設
けている。穴24aに一端が固定された外部引き出し端
子を挿通するのは、作業性が悪く、その穴が複数の場合
特に作業性の悪いものであった。そこで、外部引き出し
端子を銅回路6に半田付けする前に、まず複数の外部引
き出し端子10をそれぞれのケース24の穴24aに挿
通し、ケース24を金属基板2に接着し、外部引き出し
端子10を銅回路6に半田付けする試みがなされている
が、外部引き出し端子10をケース24の穴24aに挿
通し、金属基板にセットするまでの搬送時に外れること
があり、この作業も作業性の悪いものであった。また、
外部引き出し端子をケース製造時にケースと同時にモー
ルド形成することもあるが、外部引き出し端子をセット
するのに時間が掛かり作業性の悪いものであった。
In order to obtain a semiconductor module as shown in the upper part, the resin case 24 is provided with a hole 24a through which the external lead terminal 10 is fixed. Insertion of the external lead-out terminal, one end of which is fixed to the hole 24a, has poor workability, and particularly when there are a plurality of holes, the workability is poor. Therefore, before soldering the external lead-out terminals to the copper circuit 6, first, a plurality of external lead-out terminals 10 are inserted into the holes 24a of the respective cases 24, the cases 24 are bonded to the metal substrate 2, and the external lead-out terminals 10 are attached. Attempts have been made to solder to the copper circuit 6, but the external lead-out terminal 10 may be disengaged during transport until it is inserted into the hole 24a of the case 24 and set on a metal substrate. Met. Also,
The external lead-out terminal may be molded at the same time as the case when the case is manufactured, but it takes time to set the external lead-out terminal and the workability is poor.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、銅回路を配置
した絶縁板を有する金属基板と、上記銅回路上に少なく
とも電力用半導体チップを載置固定し、さらに一方端が
ケース上部外方に引き出され他方端が銅回路に接続され
る外部引き出し端子とが、上部に開口部を有する樹脂ケ
ースで覆い、ケース内を樹脂封止される半導体モジュー
ルにおいて、上記樹脂ケースの側壁が、内部に向かって
伸び、中央に開放部を有する挾持部と、上記挾持部に囲
まれ側壁に設けられた溝と、上記挾持部の下部に設けら
れ内部に向かって伸びる支持台とにより構成され、か
つ、上記外部引き出し端子が、上記挾持部の開放部より
小さい幅の切欠部と、上記側壁側に向かって突出する突
部と、上記切欠部の下部に設けられ内部に向かって伸び
る折り曲げ部とにより構成されたものである。
According to the present invention, there is provided a metal substrate having an insulating plate on which a copper circuit is arranged, at least a power semiconductor chip mounted and fixed on the copper circuit, and one end of the metal substrate is located outside the case upper part. In a semiconductor module in which an external lead terminal pulled out to the other end and connected to a copper circuit is covered with a resin case having an opening at an upper portion, and the inside of the case is resin-sealed, a side wall of the resin case is formed inside. A holding portion extending toward the center and having an opening at the center, a groove provided on the side wall surrounded by the holding portion, and a support base provided at a lower portion of the holding portion and extending toward the inside, and The external lead-out terminal includes a notch having a width smaller than the opening of the holding portion, a protrusion protruding toward the side wall, and a bent portion provided below the notch and extending toward the inside. It is those that are configured.

【0007】[0007]

【作用】樹脂ケースの側壁の挾持部の開放部に外部引き
出し端子の切欠部を通し、外部引き出し端子を下げる
と、支持台に外部引き出し端子の折り曲げ部が支持され
るとともに、外部引き出し端子の突部が樹脂ケースの溝
と係合し、外部引き出し端子が樹脂ケースに強固に支持
される。
The cutout of the external drawer terminal is passed through the open portion of the holding portion of the side wall of the resin case, and the external drawer terminal is lowered. When the bent portion of the external drawer terminal is supported by the support base, the protrusion of the external drawer terminal protrudes. The portion is engaged with the groove of the resin case, and the external lead-out terminal is firmly supported by the resin case.

【0008】[0008]

【実施例】この発明による電力用半導体モジュールの一
実施例を図1ないし図3に示す。なお、図4に示した従
来のものと同等部分には同一記号を付した。
1 to 3 show one embodiment of a power semiconductor module according to the present invention. In addition, the same symbols are given to the same parts as the conventional one shown in FIG.

【0009】樹脂ケース4は、内部に向かって伸び、中
央に開放部4dを有する挾持部4aと、この挾持部4a
に囲まれ側壁に設けられた溝4cと、上記挾持部4aの
下部に設けられ内部に向かって伸びる支持台4bにより
構成されている。また、外部引き出し端子は、挾持部4
aの開放部4dより小さい幅の切欠部10aと、側壁側
に向かって突出するつめ10bと、切欠部10aの下部
に設けられ内部に向かって伸びる折り曲げ部10cとに
より構成されている。
The resin case 4 extends inward and has a holding portion 4a having an opening 4d at the center, and a holding portion 4a.
A groove 4c provided in the side wall and surrounded by the support 4b, and a support 4b provided below the holding portion 4a and extending inward. Also, the external lead-out terminal is
The cutout 10a has a width smaller than the width of the opening 4d, a claw 10b protruding toward the side wall, and a bent portion 10c provided below the cutout 10a and extending inward.

【0010】そして、樹脂ケース4の外壁の挾持部4a
の開放部4dに外部引き出し端子10の切欠部10aを
通し、外部引き出し端子10を下げると、支持台4bに
外部引き出し端子10の折り曲げ部10cが支持される
とともに、外部引き出し端子10のつめ10bが樹脂ケ
ース4の溝4cに係合し、図1乃至図3に示すように外
部引き出し端子10が樹脂ケース4に強固に支持され
る。
The holding portion 4a of the outer wall of the resin case 4
When the notched portion 10a of the external lead-out terminal 10 is passed through the open portion 4d, and the external draw-out terminal 10 is lowered, the bent portion 10c of the external draw-out terminal 10 is supported by the support 4b, and the claw 10b of the external draw-out terminal 10 The external lead-out terminal 10 is firmly supported by the resin case 4 by engaging with the groove 4c of the resin case 4 as shown in FIGS.

【0011】一方、一面がメタライズされたセラミック
などの絶縁層6上に接着された銅回路(図示せず)の必
要な箇所に電力用半導体チップ8が半田付けされ、電力
用半導体チップ8と銅回路間にワイヤボンディングされ
スタックが形成される。
On the other hand, a power semiconductor chip 8 is soldered to a required portion of a copper circuit (not shown) adhered on an insulating layer 6 such as a ceramic metallized on one side, and the power semiconductor chip 8 and the copper Wire bonding is performed between circuits to form a stack.

【0012】そして、金属基板2の必要箇所にクリーム
半田を印刷し、さらに金属基板2の周縁をシリコンゴム
等の接着材を塗布する。このクリーム半田上に、上述し
たスタックの他、表面実装部品の抵抗、半導体素子等の
制御部品及び制御回路との接続用の接続ピン12並び接
着材上に上述した外部引き出し端子が支持された樹脂ケ
ースを載置し、リフロー炉で半田付け及び接着を行う。
なお、外部引き出し端子も銅回路に同時に半田付けされ
る。
[0012] Then, cream solder is printed on necessary portions of the metal substrate 2, and an adhesive such as silicon rubber is applied to the periphery of the metal substrate 2. On this cream solder, in addition to the above-mentioned stack, a connection pin 12 for connection with a control component such as a resistance of a surface mount component, a semiconductor element and a control circuit, and a resin in which the above-mentioned external lead-out terminal is supported on an adhesive material The case is placed, and soldering and bonding are performed in a reflow furnace.
The external lead terminals are also soldered to the copper circuit at the same time.

【0013】そして、ケース4の上部からシリコンゴム
を充填し、120〜150℃で加熱硬化して、シリコン
ゴム層26を形成する。ついで、シリコンゴム層26の
上部にエポキシ樹脂を充填し、120〜150℃で加熱
硬化してエポキシ樹脂層28を形成する。さらに別途電
力用半導体チップを制御する制御部品を搭載したプリン
ト回路14をその内部に設けた穴(図示せず)を樹脂ケ
ース4から張り出したプリント回路取付突起(図示せ
ず)に係合し、接続ピン12をプリント回路に接続し、
半田付けを行う。そして、ケース上部からエポキシ樹脂
を充填し、加熱硬化させ上部のエポキシ樹脂層30を形
成し、電力用半導体モジュールを得る。
Then, silicone rubber is filled from the upper portion of the case 4 and cured by heating at 120 to 150 ° C. to form a silicone rubber layer 26. Next, an epoxy resin is filled in the upper portion of the silicon rubber layer 26 and is cured by heating at 120 to 150 ° C. to form an epoxy resin layer 28. Further, a hole (not shown) provided inside the printed circuit 14 on which a control component for controlling the power semiconductor chip is mounted is engaged with a printed circuit mounting projection (not shown) protruding from the resin case 4, Connect the connection pin 12 to the printed circuit,
Perform soldering. Then, an epoxy resin is filled from the upper part of the case and cured by heating to form an upper epoxy resin layer 30, thereby obtaining a power semiconductor module.

【0014】上記実施例では図1乃至図3で示すように
外部引き出し端子に上部が開放したつめを設けていた
が、上部が開放されない凸跡のような突部を設けてもよ
い。また、上記実施例では、電力用半導体チップをシリ
コンゴム層26及びエポキシ樹脂層28によりモールド
されているが、エポキシ樹脂層のみでモールドしてもよ
い。
In the above embodiment, as shown in FIGS. 1 to 3, the external lead-out terminal is provided with a claw whose upper part is open. However, a protrusion such as a convex mark whose upper part is not open may be provided. In the above embodiment, the power semiconductor chip is molded with the silicon rubber layer 26 and the epoxy resin layer 28, but may be molded with only the epoxy resin layer.

【0015】[0015]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば樹脂ケー
スに外部引き出し端子を挾持する挾持部を設け、この挾
持部は中央が開放され、この開放部に端子の切欠部を通
して端子を挾持部内にはめ込み、端子を下げると、端子
の突部が樹脂ケースの溝と係合し、さらに端子の折り曲
げ部が樹脂ケースの支持台により支持され、端子が樹脂
ケースに簡易に強固に支持される。これにより搬送作業
時に端子がケースから外れることなく、電力用半導体モ
ジュールの製造が容易となる。
As described above, according to the present invention, the resin case is provided with a holding portion for holding the external lead-out terminal, the holding portion is opened at the center, and the terminal is held through the cutout portion of the terminal. When the terminal is put down and the terminal is lowered, the protrusion of the terminal engages with the groove of the resin case, the bent portion of the terminal is supported by the support base of the resin case, and the terminal is easily and firmly supported by the resin case. . This facilitates the manufacture of the power semiconductor module without the terminals coming off the case during the transfer operation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の電力用半導体モジュールの一実施例の
樹脂ケースと外部引き出し端子との係合を説明する斜視
図である。
FIG. 1 is a perspective view illustrating the engagement between a resin case and an external lead-out terminal in one embodiment of a power semiconductor module of the present invention.

【図2】本発明の電力用半導体モジュールの一実施例を
示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing an embodiment of the power semiconductor module of the present invention.

【図3】図1の樹脂ケースと外部引き出し端子との固定
を説明する断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating fixing of a resin case and an external lead terminal of FIG. 1;

【図4】従来の電力用半導体モジュールの断面図であ
る。
FIG. 4 is a sectional view of a conventional power semiconductor module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 金属基板 4 樹脂ケース 4a 挾持部 4b 支持台 4c 溝 4d 開放部 6 絶縁板 8 電力用半導体チップ 10 外部引き出し端子 10a 切欠部 10b つめ 10c 折り曲げ部 12 接続ピン 14 プリント回路 26 シリコンゴム層 28,30 エポキシ樹脂層 Reference Signs List 2 Metal substrate 4 Resin case 4a Holder 4b Support 4c Groove 4d Open 6 Insulating plate 8 Power semiconductor chip 10 External lead-out terminal 10a Notch 10b Claw 10c Bend 12 Connection pin 14 Printed circuit 26 Silicon rubber layer 28, 30 Epoxy resin layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 川真田 秀男 (56)参考文献 特開 平4−111346(JP,A) 実開 平1−107144(JP,U) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page Examiner Hideo Kawamada (56) References JP-A-4-111346 (JP, A) JP-A-1-107144 (JP, U)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 銅回路が配置された絶縁板を有する金属
基板と、上記銅回路上に載置固定される電力用半導体チ
ップと、一方端がケース上部外方に引き出され他方端が
上記銅回路に接続される外部引き出し端子とが上部に開
口部を有する樹脂ケースで覆いケース内を樹脂封止され
る半導体モジュールにおいて、上記樹脂ケースの側壁
が、内部に向かって伸び、中央に開放部を有する挾持部
と、上記挾持部に囲まれ側壁に設けられた溝と、上記挾
持部の下部に設けられ内部に向かって伸びる支持台とに
より構成され、かつ上記外部引き出し端子が、上記挾持
部の開放部より小さい幅の切欠部と、上記側壁側に向か
って突出する突部と、上記切欠部の下部に設けられ内部
に向かって伸びる折り曲げ部とにより構成されたことを
特徴とする電力半導体モジュール。
1. A metal substrate having an insulating plate on which a copper circuit is disposed, a power semiconductor chip mounted and fixed on the copper circuit, one end drawn out of the upper part of the case and the other end connected to the copper In a semiconductor module in which an external lead terminal connected to a circuit is covered with a resin case having an opening at an upper portion and the inside of the case is resin-sealed, a side wall of the resin case extends inward, and an open portion is formed at the center. A holding portion, a groove provided on a side wall surrounded by the holding portion, and a support base provided below the holding portion and extending toward the inside. A power semiconductor comprising: a notch having a width smaller than an open portion; a protrusion protruding toward the side wall; and a bent portion provided below the notch and extending toward the inside. module.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19719703C5 (en) * 1997-05-09 2005-11-17 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Power semiconductor module with ceramic substrate
JP3602763B2 (en) * 2000-01-11 2004-12-15 株式会社三社電機製作所 Method for manufacturing power semiconductor module
EP1355351B1 (en) * 2001-01-23 2018-05-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
DE10258570B4 (en) * 2002-12-14 2005-11-03 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg The power semiconductor module
JP4242401B2 (en) * 2006-06-29 2009-03-25 三菱電機株式会社 Semiconductor device
JP5041798B2 (en) * 2006-12-15 2012-10-03 三菱電機株式会社 Semiconductor device
WO2013047101A1 (en) 2011-09-28 2013-04-04 富士電機株式会社 Semiconductor device and method for producing semiconductor device
JP6523976B2 (en) * 2016-01-15 2019-06-05 京セラ株式会社 Semiconductor device

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