JP3586971B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に反射防止膜を用いてゲートパターンを形成する半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の高集積化に伴い、デザインルールの更なる微細化の要求が高まるにつれて、リソグラフィ工程における露光の際の下地からの反射光によるレジストパターンの劣化が無視できなくなっている。このため、下地膜上やレジスト上に反射防止膜を形成し、下地からの反射光量を低減することにより、レジスト解像性を向上させるようになってきている。こうした反射防止膜としては、例えばポリイミドなどの有機系の反射防止膜や、Si,SiN,TiN,TiWなどの無機系の反射防止膜が報告されている。
【0003】
このような反射防止膜の中でも、無機系の反射防止膜の一つであるSiON膜は、P−CVD(Plasma−Chemical Vaoir Deposition)法を用いて簡単に形成することが可能であり、またその組成を変えることにより異なる下地膜に適用することが可能であるという利点を有している。従って、種々のデバイスに広く適用されることが期待されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体装置の製造方法においては、深さの異なる複数のコンタクトホールを同時に開孔する場合が少なからずある。例えばMOS(Metal Oxide Semiconductor )トランジスタを作製する場合、ゲート電極上及びソース・ドレイン領域としての不純物領域上に深さの異なるコンタクトホールを開孔しなければならない。
このとき、ゲートパターンを形成する際に反射防止膜としてSiON膜を用いると、ゲート電極上にはSiON膜が残存しているため、ゲート電極上にコンタクトホールを開孔する際に、層間絶縁膜としてのSiO2 膜のみならずSiON膜をもエッチング除去する必要がある。
【0005】
しかし、SiON膜をゲートパターン形成の際の反射防止膜として用いた場合には、このSiON膜はSiリッチの組成となるため、SiO2 膜をエッチングする条件でSiON膜を同等にエッチングすることは困難である。
従って、ゲート電極上にコンタクトホールを開孔する場合に、仮にSiO2 膜のエッチング条件を用いてSiON膜をもエッチング除去しようとすると、同時に開孔している不純物領域上のコンタクトホールにおいてはオーバーエッチングとなり、不純物領域表面が削り取られてその厚さが薄くなってしまうという問題がある。
【0006】
また、SiO2 膜をエッチング除去した後、エッチング条件を変えてSiON膜をエッチング除去する方法を採っても、SiO2 膜のエッチングによって既に露出された不純物領域表面がSiON膜のエッチングの際に同様に削り取られてしまうという問題がある。
【0007】
そこで本発明は、上記問題を解決するために考案されたものであり、基板上の下地膜を所定の形状にパターニングする際に用いた反射防止膜が下地膜上に残存していても、下地膜上の開孔部と下地膜のない基板上の開孔部とを、基板表面にダメージを与えることなく同時に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に、下地膜を形成した後、前記下地膜上に、反射防止膜を形成する第1の工程と、前記反射防止膜上に、所定の形状にパターニングした第1のレジストを形成する第2の工程と、前記第1のレジストをマスクとして、前記反射防止膜及び前記下地膜を選択的にエッチングし、前記反射防止膜及び前記下地膜を所定の形状にパターニングする第3の工程と、前記第1のレジストを除去した後、全面に第2のレジストを塗布する第4の工程と、前記第2のレジスト表面から所定の不純物のイオンインプランテーションを行い、前記反射防止膜中に前記不純物イオンを打ち込む第5の工程と、前記第2のレジストを除去した後、全面に層間絶縁膜を形成する第6の工程と、前記層間絶縁膜上に、所定の形状にパターニングした第3のレジストを形成した後、前記第3のレジストをマスクとして、前記層間絶縁膜及び前記反射防止膜を選択的にエッチングし、前記所定の形状にパターニングされた下地膜上に第1の開孔部を形成すると同時に、前記基板上に第2の開孔部を形成する第7の工程と、を有し、前記反射防止膜中に前記不純物イオンを打ち込むことにより、前記反射防止膜のエッチングレートを、前記反射防止膜中に前記不純物イオンが打ち込まれる前のエッチングレートから前記層間絶縁膜のエッチングレートに近付けて、前記所定の形状にパターニングされた下地膜上の前記第1の開孔部を形成するための前記層間絶縁膜及び前記反射防止膜並びに前記基板上の前記第2の開孔部を形成するための前記層間絶縁膜のエッチングを行う、ことを特徴とする。
また、上記課題を解決するための本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に、下地膜を形成した後、前記下地膜上に、反射防止膜を形成する第1の工程と、前記反射防止膜上に、所定の形状にパターニングした第1のレジストを形成する第2の工程と、前記第1のレジストをマスクとして、前記反射防止膜及び前記下地膜を選択的にエッチングし、前記反射防止膜及び前記下地膜を所定の形状にパターニングする第3の工程と、前記第1のレジストを除去した後、全面に第2のレジストを塗布する第4の工程と、前記第2のレジスト表面から所定の不純物のイオンインプランテーションを行い、前記反射防止膜中に前記不純物イオンを打ち込む第5の工程と、前記第2のレジストを除去した後、全面に層間絶縁膜を形成する第6の工程と、前記層間絶縁膜上に、所定の形状にパターニングした第3のレジストを形成した後、前記第3のレジストをマスクとして、前記層間絶縁膜及び前記反射防止膜を選択的にエッチングし、前記所定の形状にパターニングされた下地膜上に第1の開孔部を形成すると同時に、前記基板上に第2の開孔部を形成する第7の工程と、を有し、前記反射防止膜中に前記不純物イオンを打ち込む工程を行った後、前記所定の形状にパターニングされた下地膜上の前記第1の開孔部を形成するための前記層間絶縁膜及び前記反射防止膜並びに前記基板上の前記第2の開孔部を形成するための前記層間絶縁膜のエッチングを行う、ことを特徴とする。
【0009】
このように本発明に係る半導体装置の製造方法においては、第1のレジストのパターニングに反射防止膜を使用した場合に、この反射防止膜中に不純物イオンを打ち込むことにより、例えば、反射防止膜のエッチングレートを、反射防止膜中に不純物イオンが打ち込まれる前のエッチングレートから層間絶縁膜のエッチングレートに近付けて、層間絶縁膜のエッチングレートと余り変わらないものとすることができる。これにより、下地膜上及び基板上にそれぞれ第1及び第2の開孔部を同時に形成する際に、下地膜上の層間絶縁膜及び反射防止膜と基板上の層間絶縁膜とをほぼ同時にエッチング除去して、第1の開孔部内の下地膜表面及び第2の開孔部内の基板表面をほぼ同時に露出することができる。従って、基板表面が削り取られることはない。
【0010】
また、反射防止膜中に不純物イオンを打ち込む際には、下地膜が形成されている箇所以外の基板上には、イオン打ち込みに対して十分な厚さの第2のレジストが形成されているため、打ち込まれたイオンが基板に達することはない。このため、基板表面に形成される素子の特性に影響を与えることはない。
【0011】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記基板が、表面にゲート酸化膜を形成した半導体基板であり、前記下地膜が、電極材料からなる膜であり、前記所定の形状にパターニングされた下地膜が、ゲート電極であり、前記反射防止膜が、SiON膜であり、前記層間絶縁膜が、SiO2 膜であることが好適である。
この場合、上記第7の工程は、前記SiO2 膜上に、所定の形状にパターニングした第3のレジストを形成した後、前記第3のレジストをマスクとして、前記SiO2 膜、前記SiON膜、及び前記ゲート酸化膜を選択的にエッチングし、前記ゲート電極上に第1のコンタクトホールを開孔すると同時に、前記半導体基板上に第2のコンタクトホールを開孔して、前記第1のコンタクトホール内の前記ゲート電極表面及び前記第2のコンタクトホール内の前記半導体基板表面を露出させる工程となる。
【0012】
このように本発明に係る半導体装置の製造方法は、SiON反射防止膜を使用してゲートパターンを形成したMOSトランジスタの製造プロセスにおいて、ゲート電極上及び半導体基板上に第1及び第2のコンタクトホールを同時に開孔する際に、有効に適用される。即ち、第1のレジストのゲートパターンの形成に使用したSiON反射防止膜中に不純物イオンを打ち込むことにより、例えば、SiON反射防止膜のエッチングレートを、SiON反射防止膜中に不純物イオンが打ち込まれる前のエッチングレートからSiO 2 層間絶縁膜のエッチングレートに近付けて、SiO 2 層間絶縁膜のエッチングレートと余り変わらないものとすることができる。これにより、ゲート電極上のSiO2層間絶縁膜及びSiON反射防止膜と半導体基板上のSiO2層間絶縁膜及びゲート酸化膜とをほぼ同時にエッチング除去して、第1のコンタクトホール内のゲート電極表面及び第2のコンタクトホール内の半導体基板表面をほぼ同時に露出することができるため、半導体基板表面が削り取られることはない。
【0013】
また、SiON反射防止膜中に不純物イオンを打ち込む際には、ゲート電極が形成されている箇所以外の半導体基板上には、イオン打ち込みに対して十分な厚さの第2のレジストが形成されているため、打ち込まれたイオンが半導体基板に達することはなく、従ってMOSトランジスタのショートチャネル効果が劣化するいった問題が生じることはない。
【0014】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記ゲート電極が、ポリシリコン膜を有している場合には、前記SiON膜中に打ち込む前記不純物イオンが、前記ゲート電極の前記ポリシリコン膜に添加されている不純物と同一導電型であることが望ましい。
【0015】
このようにSiON反射防止膜中に打ち込む不純物イオンとゲート電極を構成するポリシリコン膜に添加されている不純物とが同一導電型であることにより、SiON反射防止膜中に不純物イオンを打ち込む際に、たとえゲート電極のポリシリコン膜にまで不純物イオンが打ち込まれても、MOSトランジスタの特性に影響を与えることはない。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。
図1乃至図7は、それぞれ本発明の一の実施の形態に係る表面チャネル型のMOSトランジスタの製造方法を説明するための工程断面図である。
先ず、シリコン基板10表面を熱酸化して、シリコン基板10上にゲート酸化膜12を形成する。
続いて、このゲート酸化膜12上の全面に、不純物としてP(燐)が添加されている厚さ100nmのn+ 型ポリシリコン膜14及び厚さ100nmのタングステンシリサイド(WSi)膜16を順に積層して形成する。
そしてこのタングステンシリサイド膜16上に、例えばP−CVD法を用いて厚さ27nmのSiON反射防止膜18を形成する(図1参照)。
次いで、SiON反射防止膜18上に第1のレジスト20を塗布した後、リソグラフィ技術を用いて、この第1のレジスト20をゲートパターンにパターニングする。このとき、タングステンシリサイド膜16と第1のレジスト20との間にはSiON反射防止膜18を介在させていることにより、露光の際のタングステンシリサイド膜16表面からの反射光量が低減されるため、レジスト解像性が改善され、第1のレジスト20は所望の微細なゲートパターンにパターニングすることができる。
【0017】
続いて、このゲートパターンの第1のレジスト20をマスクとする選択的なドライエッチングにより、SiON反射防止膜18、タングステンシリサイド膜16、及びn+ 型ポリシリコン膜14の異方性加工を行い、タングステンシリサイド膜16及びn+ 型ポリシリコン膜14からなるゲート電極22を形成する(図2参照)。
【0018】
次いで、第1のレジスト20を除去した後、スピンコータを用いて、全面に第2のレジスト24を塗布する。このとき、SiON反射防止膜18上の第2のレジスト24の厚さが10nm程度になるように調整する(図3参照)。
なお、コーティング条件を制御してSiON反射防止膜18上の第2のレジスト24の厚さを調整する代わりに、十分な厚さの第2のレジスト24を塗布した後、全面エッチバックを行うことにより、SiON反射防止膜18上に厚さ10nm程度の第2のレジスト24が残存するように調整してもよい。
【0019】
次いで、イオンインプランテーション法を用いて、ゲート電極22のn+ 型ポリシリコン膜14に添加している不純物Pと同じP+ イオン(燐イオン)を第2のレジスト24表面から注入する。
なお、このときのイオンインプランテーションは、加速電圧20keV、ドーズ量5×1015ions/cm2 の条件で行い、第2のレジスト24表面から10nmの深さに位置する厚さ27nmのSiON反射防止膜18中にP+ イオンが打ち込まれるように制御すると共に、P+ イオンがゲート酸化膜12又はシリコン基板10に達しないように制御する(図4参照)。
【0020】
次いで、第2のレジスト24を除去した後、再びイオンインプランテーション法を用い、ゲート電極22をマスクとしてシリコン基板10表面に例えばP+ イオンを注入した後、アニール処理を行って、ソース・ドレイン領域としてのn+ 型不純物領域26a、26bをシリコン基板10表面に相対して形成する。続いて、例えばCVD法を用いて、全面に厚さ600nm程度のSiO2 層間絶縁膜28を堆積する(図5参照)。
次いで、このSiO2 層間絶縁膜28上に第3のレジスト30を塗布した後、リソグラフィ技術を用いて、この第3のレジスト30をコンタクトホールパターンにパターニングする。
【0021】
続いて、このコンタクトホールパターンの第3のレジスト30をマスクとして、ゲート電極22上のSiO2 層間絶縁膜28及びSiON反射防止膜18を選択的にドライエッチングすると同時に、n+ 型不純物領域26a上のSiO2 層間絶縁膜28及びシリコン酸化膜12を選択的にドライエッチングして、ゲート電極22上に第1のコンタクトホール32aを、n+ 型不純物領域26a上に第2のコンタクトホール32bを、同時に開孔する(図6参照)。
【0022】
なお、このドライエッチングは、マグネトロン形エッチング装置を用いて、次の条件により行う。即ち、
エッチングガス:C4 F8 /CO/Ar=7/70/200sccm
マイクロ波パワー:1600W
圧力:5.3Pa(パスカル、1Pa=7.5×10−3Torr)
オーバーエッチング量:30%
である。
【0023】
このとき、図4に示す工程において、SiON反射防止膜18中にP+ イオンを打ち込み、このP+ イオン打ち込みによるダメージが与えられているSiON反射防止膜18のエッチングレートは、SiO2 層間絶縁膜28のエッチングレートと余り変わらないものとなっている。
従って、ゲート電極22上のSiO2 層間絶縁膜28及びSiON反射防止膜18とn+ 型不純物領域26a上のSiO2 層間絶縁膜28及びシリコン酸化膜12とがほぼ同時にエッチング除去され、ゲート電極22上の第1のコンタクトホール32a及びn+ 型不純物領域26a上の第2のコンタクトホール32bがほぼ同時に開孔される。即ち、第1のコンタクトホール32a内のゲート電極22表面及び第2のコンタクトホール32b内のn+ 型不純物領域26a表面はほぼ同時に露出されるため、n+ 型不純物領域26a表面が削り取られることはない。
【0024】
次いで、第3のレジスト30を除去する(図7参照)。
次いで、図示はしないが、第1のコンタクトホール32aを介してゲート電極22に接続する配線層を形成すると共に、第2のコンタクトホール32bを介してシリコン基板10表面のn+ 型不純物領域26aに接続する別の配線層を形成する。こうして表面チャネル型のMOSトランジスタが作製される。
【0025】
このように本実施の形態に係る表面チャネル型のMOSトランジスタの製造方法によれば、ゲートパターンの形成に使用したゲート電極22上のSiON反射防止膜18中にP+ イオンを打ち込み、SiON反射防止膜18のエッチングレートをSiO2 層間絶縁膜28のエッチングレートと余り変わらないものとすることにより、ゲート電極22上及びn+ 型不純物領域26a上に第1及び第2のコンタクトホール32a、32bを同時に開孔する際に、ゲート電極22上のSiO2 層間絶縁膜28及びSiON反射防止膜18とn+ 型不純物領域26a上のSiO2 層間絶縁膜28及びシリコン酸化膜12とをほぼ同時にエッチング除去して、第1のコンタクトホール32a内のゲート電極22表面及び第2のコンタクトホール32b内のn+ 型不純物領域26a表面をほぼ同時に露出することができるため、n+ 型不純物領域26a表面が削り取られることを防止することができる。
【0026】
また、SiON反射防止膜18中にP+ イオンを打ち込む際には、ゲート電極22が形成されている箇所以外の半導体基板10表面の素子領域上には、P+ イオンの打ち込みに対して十分な厚さの第2のレジスト24を形成するため、打ち込まれたP+ イオンがゲート酸化膜12又はシリコン基板10に達することはなく、従ってこのP+ イオンの打ち込みにより表面チャネル型のMOSトランジスタのショートチャネル効果が劣化するといった問題が生じることはない。
【0027】
また、SiON反射防止膜18中にP+ イオンを打ち込む際に、たとえゲート電極22にまでP+ イオンが打ち込まれても、ゲート電極22を構成するn+ 型ポリシリコン膜14に添加されている不純物は同じPであるため、表面チャネル型のMOSトランジスタの特性に影響を与えることはない。なお、SiON反射防止膜18中に打ち込む不純物イオンとゲート電極22を構成するn+ 型ポリシリコン膜14に添加されている不純物とは同じものである必要はなく、同一導電型であればよい。
【0028】
【発明の効果】
以上、詳細に説明した通り、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、第1のレジストのパターニングに使用した反射防止膜中に不純物イオンを打ち込むことにより、例えば、この反射防止膜のエッチングレートを、反射防止膜中に不純物イオンが打ち込まれる前のエッチングレートから層間絶縁膜のエッチングレートに近付けて、層間絶縁膜のエッチングレートと余り変わらないものとすることができる。これにより、下地膜上及び基板上に第1及び第2の開孔部を同時に形成する際に、下地膜上の層間絶縁膜及び反射防止膜と基板上の層間絶縁膜とをほぼ同時にエッチング除去して、第1の開孔部内の下地膜表面及び第2の開孔部内の基板表面をほぼ同時に露出することができるため、基板表面が削り取られることを防止することができる。しかも、反射防止膜中に不純物イオンを打ち込む際には、下地膜が形成されている箇所以外の基板上には、イオン打ち込みに対して十分な厚さの第2のレジストが形成されているため、打ち込まれたイオンが基板に達することはなく、従って基板表面に形成される素子の特性に影響を与えることはない。
【0029】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、SiON反射防止膜を使用してゲートパターンを形成したMOSトランジスタの製造プロセスにおいて、ゲート電極上及び半導体基板上に第1及び第2のコンタクトホールを同時に開孔する際に、有効に適用することができる。即ち、第1のレジストのゲートパターンの形成に使用したSiON反射防止膜中に不純物イオンを打ち込むことにより、例えば、このSiON反射防止膜のエッチングレートを、SiON反射防止膜中に不純物イオンが打ち込まれる前のエッチングレートからSiO 2 層間絶縁膜のエッチングレートに近付けて、SiO 2 層間絶縁膜のエッチングレートと余り変わらないものとすることができる。これにより、ゲート電極上のSiO2層間絶縁膜及びSiON反射防止膜と半導体基板上のSiO2層間絶縁膜及びゲート酸化膜とをほぼ同時にエッチング除去することができるため、半導体基板表面が削り取られることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一の実施の形態に係る表面チャネル型のMOSトランジスタの製造方法を説明するための工程断面図(その1)である。
【図2】本発明の一の実施の形態に係る表面チャネル型のMOSトランジスタの製造方法を説明するための工程断面図(その2)である。
【図3】本発明の一の実施の形態に係る表面チャネル型のMOSトランジスタの製造方法を説明するための工程断面図(その3)である。
【図4】本発明の一の実施の形態に係る表面チャネル型のMOSトランジスタの製造方法を説明するための工程断面図(その4)である。
【図5】本発明の一の実施の形態に係る表面チャネル型のMOSトランジスタの製造方法を説明するための工程断面図(その5)である。
【図6】本発明の一の実施の形態に係る表面チャネル型のMOSトランジスタの製造方法を説明するための工程断面図(その6)である。
【図7】本発明の一の実施の形態に係る表面チャネル型のMOSトランジスタの製造方法を説明するための工程断面図(その7)である。
【符号の説明】
10……シリコン基板、12……ゲート酸化膜、14……n+ 型ポリシリコン膜、16……タングステンシリサイド膜、18……SiON反射防止膜、20……第1のレジスト、22……ゲート電極、24……第2のレジスト、26a、26b……n+ 型不純物領域、28……SiO2 層間絶縁膜、30……第3のレジスト、32a……第1のコンタクトホール、32b……第2のコンタクトホール。
Claims (4)
- 基板上に、下地膜を形成した後、前記下地膜上に、反射防止膜を形成する第1の工程と、
前記反射防止膜上に、所定の形状にパターニングした第1のレジストを形成する第2の工程と、
前記第1のレジストをマスクとして、前記反射防止膜及び前記下地膜を選択的にエッチングし、前記反射防止膜及び前記下地膜を所定の形状にパターニングする第3の工程と、
前記第1のレジストを除去した後、全面に第2のレジストを塗布する第4の工程と、
前記第2のレジスト表面から所定の不純物のイオンインプランテーションを行い、前記反射防止膜中に前記不純物イオンを打ち込む第5の工程と、
前記第2のレジストを除去した後、全面に層間絶縁膜を形成する第6の工程と、
前記層間絶縁膜上に、所定の形状にパターニングした第3のレジストを形成した後、前記第3のレジストをマスクとして、前記層間絶縁膜及び前記反射防止膜を選択的にエッチングし、前記所定の形状にパターニングされた下地膜上に第1の開孔部を形成すると同時に、前記基板上に第2の開孔部を形成する第7の工程と、
を有し、
前記反射防止膜中に前記不純物イオンを打ち込むことにより、前記反射防止膜のエッチングレートを、前記反射防止膜中に前記不純物イオンが打ち込まれる前のエッチングレートから前記層間絶縁膜のエッチングレートに近付けて、前記所定の形状にパターニングされた下地膜上の前記第1の開孔部を形成するための前記層間絶縁膜及び前記反射防止膜並びに前記基板上の前記第2の開孔部を形成するための前記層間絶縁膜のエッチングを行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記基板が、表面にゲート酸化膜を形成した半導体基板であり、
前記下地膜が、電極材料からなる膜であり、
前記所定の形状にパターニングされた下地膜が、ゲート電極であり、
前記反射防止膜が、SiON膜であり、
前記層間絶縁膜が、SiO2膜であり、
前記第7の工程が、前記SiO2膜上に、所定の形状にパターニングした第3のレジストを形成した後、前記第3のレジストをマスクとして、前記SiO2膜、前記SiON膜、及び前記ゲート酸化膜を選択的にエッチングし、前記ゲート電極上に第1のコンタクトホールを開孔すると同時に、前記半導体基板上に第2のコンタクトホールを開孔して、前記第1のコンタクトホール内の前記ゲート電極表面及び前記第2のコンタクトホール内の前記半導体基板表面を露出させる工程である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
前記ゲート電極が、ポリシリコン膜を有しており、
前記SiON膜中に打ち込む前記不純物イオンが、前記ゲート電極の前記ポリシリコン膜に添加されている不純物と同一導電型である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上に、下地膜を形成した後、前記下地膜上に、反射防止膜を形成する第1の工程と、
前記反射防止膜上に、所定の形状にパターニングした第1のレジストを形成する第2の工程と、
前記第1のレジストをマスクとして、前記反射防止膜及び前記下地膜を選択的にエッチングし、前記反射防止膜及び前記下地膜を所定の形状にパターニングする第3の工程と、
前記第1のレジストを除去した後、全面に第2のレジストを塗布する第4の工程と、
前記第2のレジスト表面から所定の不純物のイオンインプランテーションを行い、前記反射防止膜中に前記不純物イオンを打ち込む第5の工程と、
前記第2のレジストを除去した後、全面に層間絶縁膜を形成する第6の工程と、
前記層間絶縁膜上に、所定の形状にパターニングした第3のレジストを形成した後、前記第3のレジストをマスクとして、前記層間絶縁膜及び前記反射防止膜を選択的にエッチングし、前記所定の形状にパターニングされた下地膜上に第1の開孔部を形成すると同時に、前記基板上に第2の開孔部を形成する第7の工程と、
を有し、
前記反射防止膜中に前記不純物イオンを打ち込む工程を行った後、前記所定の形状にパターニングされた下地膜上の前記第1の開孔部を形成するための前記層間絶縁膜及び前記反射防止膜並びに前記基板上の前記第2の開孔部を形成するための前記層間絶縁膜のエッチングを行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JPH09321284A (ja) | 1997-12-12 |
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