【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガス検知システムに関し、特に検知ガスのガス種に対応した複数種類のガス検知器を用いたガス検知システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造装置であるイオン注入装置は、半導体基板に特定のイオンをドーピングし、導電型不純物の添加や拡散層の形成に用いられている。
【０００３】
そしてイオン注入装置では、照射するイオンのビームを発生させるために、例えば、リン（Ｐ）のビームを発生させるためにフォスフィンガス（ＰＨ３ ）を、砒素（Ａｓ）のビームを発生させるためにアルシンガス（ＡｓＨ３ ）を、そしてホウ素（Ｂ）のビームを発生させるために３弗化ホウ素ガス（ＢＦ３ ）を使用している（以下これらのガスを使用ガスという）。ここで、これら複数種類の使用ガスを同時に使用することはなく、照射するイオンにより１種類の使用ガスを使用している。
【０００４】
しかし、これらの使用ガスは共に有毒ガスである。そのため、図４の系統図に示すように、イオン注入装置１００からの排気ガス１０１は、除害装置４００を通し、排気ガス１０１中の使用ガスの濃度を許容濃度以下にして、工場排気５００に排気している。
【０００５】
ここで、安全性を考慮し、除害装置４００の除害能力を確認するために、除害装置４００を通った排気ガス１０１をサンプリングし、有毒ガス（使用ガス）漏洩の有無をガス検知器３００でモニターしている。これが、本発明が関わる従来のガス検知システムである。そして、図４は従来技術を示す系統図である。
【０００６】
そしてここで、ガス検知器３００は、使用ガスのガス種（種類）に対応したガス検知器（フォスフィンガス検知器３０１、アルシンガス検知器３０２、３弗化ホウ素ガス検知器３０３）を用いている。そして、常時これら全てのガス検知器（フォスフィンガス検知器３０１、アルシンガス検知器３０２、３弗化ホウ素ガス検知器３０３）を用いてモニターしている。
【０００７】
そして、フォスフィンガス検知器３０１、アルシンガス検知器３０２、３弗化ホウ素ガス検知器３０３が夫々、排気ガス１０１中の対応した使用ガスの許容濃度以上の濃度を検知（測定）した場合は、アラームを発生させる。（ここで、排気ガス１０１中の使用ガスの許容濃度は、例えば、フォスフィンガスは０．３ｐｐｍ、アルシンガスは０．０５ｐｐｍである）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来のガス検知システムでは、フォスフィンガス検知器３０１及びアルシンガス検知器３０２は、測定ガス中（排気ガス１０１中）の水素（Ｈ）で動作する。
【０００９】
そのため、イオン注入装置１００で、例えば、フォスフィンガス（ＰＨ３ ）を使用した時に、除害装置４００によって排気ガス１０１中のフォスフィンガス（ＰＨ３ ）の濃度は（フォスフィンガスの）許容濃度である０．３ｐｐｍ以下になっていて、フォスフィンガス検知器３０１はアラームを発生させなくても、アルシンガス検知器３０２がフォスフィンガス（ＰＨ３ ）の水素で動作し、測定値が（アルシンガスの）許容濃度である０．０５ｐｐｍ以上であった場合、アラームを発生させる。つまり、ガス検知器（この場合アルシンガス検知器３０２）が、モニター対象外の測定ガスにより誤検知するという問題がある。
【００１０】
従って、本発明の目的は、ガス検知器のモニター対象外の測定ガスによる誤検知を防止した、複数種類のガス検知器を用いたガス検知システムを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のガス検知システムは、ガス漏洩の有無をモニターする前記ガスのガス種に対応した複数種類のガス検知器と、複数種類の前記ガスを使用する装置から出力された使用中の前記ガスのガス種を示す信号と、前記信号によりモニターする前記ガス検知器を切り替える切替ユニットとを有することを特徴とする。
【００１２】
また、前記モニターするガス検知器は、前記装置で使用中の前記ガスのガス種に対応したガス検知器である。
【００１３】
また、前記信号は、前記装置において前記複数種類の前記ガスの使用状態をモニターするセンサから出力された信号である。
【００１４】
また、前記切替ユニットは、前記信号により、流路を切り替えて、前記ガス検知器のサンプリング先を切り替える。前記ガス検知器の前記サンプリング先が、前記装置からの排気ガスである。また、前記ガス検知器の前記サンプリング先が、空気である。
【００１５】
この様な本発明によれば、装置で使用中のガスのガス種に対応したガス検知器を用いて、ガス漏洩の有無をモニターしている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態を示す系統図、図２及び図３は図１の一実施形態の動作を示す系統図である。
【００１７】
まず、図１に示すように、半導体製造装置であるイオン注入装置１００は、半導体基板に特定のイオンをドーピングし、導電型不純物の添加や拡散層の形成に用いられている。
【００１８】
そしてイオン注入装置１００では、照射するイオンのビームを発生させるために、例えばリン（Ｐ）のビームを発生させるためにフォスフィンガス（ＰＨ３ ）を、砒素（Ａｓ）のビームを発生させるためにアルシンガス（ＡｓＨ３ ）を、そしてホウ素（Ｂ）のビームを発生させるために３弗化ホウ素ガス（ＢＦ３ ）を使用している（以下これらのガスを使用ガスという）。ここで、これら複数種類の使用ガスを同時に使用することはなく、照射するイオンにより１種類の使用ガスを使用している。
【００１９】
しかし、これらの使用ガスは共に有毒ガスである。そのため、イオン注入装置１００からの排気ガス１０１は、除害装置４００を通し、排気ガス１０１中の使用ガスの濃度を許容濃度以下にして、工場排気５００に排気している。
【００２０】
ここで、安全性を考慮し、除害装置４００の除害能力を確認するために、除害装置４００を通った排気ガス１０１をサンプリングし、有毒ガス（使用ガス）漏洩の有無をガス検知器３００でモニターしている。これが、本発明が関わるガス検知システムである。
【００２１】
そして、図１に示すように、本実施形態のガス検知システムは、除害装置４００を通った排気ガス１０１をサンプリングし、排気ガス１０１中の使用ガスの濃度を測定し、有毒ガス（使用ガス）漏洩の有無をモニターするガス検知器３００、ガス検知器３００を構成する使用ガスのガス種（種類）に対応したフォスフィンガス検知器３０１、アルシンガス検知器３０２、３弗化ホウ素ガス検知器３０３、イオン注入装置１００から出力された使用中の使用ガスのガス種（種類）を示す出力信号１０２（以下使用中のガス種を示す出力信号１０２という）、使用中のガス種を示す出力信号１０２によりモニターするガス検知機（３０１、３０２、３０３）を切り替えるモニター切替ユニット２００から構成されている。
【００２２】
ここで、このガス検知システムは、図２及び図３に示すように動作する。まず、図２に示すように、イオン注入装置１００において、使用する使用ガス１１０は、複数種類の使用ガスのガスボンベ１１１の下流に夫々設けられているエアバルブ１１２の開閉によって切り替えられる。
【００２３】
例えば、図２においては、エアバルブＡ１１２Ａ（のみ）が開状態であり、ガスボンベＡ１１１ＡからガスＡ１１０Ａ（のみ）が供給され、使用されている。そして、エアバルブＡ１１２Ａ以外のエアバルブ（エアバルブＢ１１２Ｂのみ図示）は閉状態であり、ガスボンベＡ１１１Ａ以外のガスボンベ（ガスボンベＢ１１１Ｂのみ図示）からはガス（ガスＢ１１０Ｂのみ図示）が供給されず、未使用である。
【００２４】
そして、使用中の使用ガスのガス種（種類）をモニターするため、各エアバルブ１１２の開閉状態をモニターする。そのために、各エアバルブ１１２の駆動用エア（エア圧）を夫々圧力センサ１１３でモニターする。そして、圧力センサ１１３から、使用中の使用ガスのガス種（種類）を示す出力信号１０２（以下使用中のガス種を示す出力信号１０２という）を、モニター切替ユニット２００に出力する。
【００２５】
ここで、エアバルブ１１２が開状態であるということは、エアバルブ１１２の駆動用エア（エア圧）がＯＮ状態（動作状態）である。そのため、エアバルブ１１２の駆動用エア（エア圧）をモニターしている圧力センサ１１３もＯＮ状態（動作状態）になり、使用中のガス種を示す出力信号１０２もＯＮ状態になる。
【００２６】
例えば、図２においては、エアバルブＡ１１２Ａ（のみ）が開状態であり、エアバルブＡ１１２Ａの駆動用エア（エア圧）をモニターしている圧力センサＡ１１３ＡもＯＮ状態（動作状態）になり、使用中のガス種を示す出力信号Ａ１０２Ａ（のみ）もＯＮ状態になる。
【００２７】
そして、エアバルブＡ１１２Ａ以外のエアバルブ（エアバルブＢ１１２Ｂのみ図示）は閉状態であり、圧力センサＡ１１３Ａ以外の圧力センサ（圧力センサＢ１１３Ｂのみ図示）はＯＦＦ状態（非動作状態）になり、出力信号Ａ１０２Ａ以外の出力信号（出力信号Ｂ１０２Ｂのみ図示）がＯＦＦ状態になる。
【００２８】
次に、図３に示すように、モニター切替ユニット２００では、イオン注入装置１００の圧力センサ１１３から出力された使用中のガス種を示す出力信号１０２によって、出力信号１０２がＯＮ状態になると、リレー２０１がＯＮする。リレー２０１がＯＮすると、電磁弁２０２をＯＮさせる。電磁弁２０２がＯＮすると、三方弁２０３の流路を切り替えて、ガス検知器３００のサンプリング先を切り替える。
【００２９】
そして、ガス検知器３００のサンプリング先を切り替えることにより、除害装置４００を通った排気ガス１０１中の使用ガスの濃度を測定し、有毒ガス（使用ガス）漏洩の有無をモニターするガス検知器３００を切り替える。
【００３０】
ここで、モニターするガス検知器３００は、除害装置４００を通った排気ガス１０１をサンプリングし、排気ガス１０１中の対応した使用ガスの濃度を測定する。そして、排気ガス１０１中の使用ガスの許容濃度以上の濃度を検知（測定）した場合は、アラームを発生させる。
【００３１】
そして、モニターに用いないガス検知器３００は、空気（大気）をサンプリングし、空気（大気）中の対応した使用ガスの濃度を測定する。そして、空気（大気）中の使用ガスの許容濃度以上の濃度を検知（測定）することはなく、アラームを発生させることはない。
【００３２】
例えば、図３においては、イオン注入装置１００の圧力センサＡ１１３Ａから出力された出力信号Ａ１０２Ａ（のみ）がＯＮ状態であり、リレーＡ２０１ＡがＯＮする。リレーＡ２０１ＡがＯＮすると、電磁弁Ａ２０２ＡをＯＮさせる。電磁弁Ａ２０２ＡがＯＮすると、三方弁Ａ２０３Ａの流路を切り替えて、ガス検知器Ａ３００Ａ（のみ）のサンプリング先を除害装置４００を通った排気ガス１０１にする。
【００３３】
そして、イオン注入装置１００の圧力センサＡ１１３Ａから出力された出力信号Ａ１０２Ａ以外の出力信号（圧力センサＢ１１３Ｂから出力された出力信号Ｂ１０２Ｂのみ図示）はＯＦＦ状態であり、リレーＡ２０１Ａ以外のリレー（リレーＢ２０１Ｂのみ図示）はＯＦＦ状態のままであり、電磁弁Ａ２０２Ａ以外の電磁弁（電磁弁Ｂ２０２Ｂのみ図示）もＯＦＦ状態のままであり、三方弁Ａ２０３Ａ以外の三方弁（三方弁Ｂ２０３Ｂのみ図示）の流路は切り替わらず、ガス検知器Ａ３００Ａ以外のガス検知器（ガス検知器Ｂ３００Ｂのみ図示）のサンプリング先は空気（大気）のままである。
【００３４】
このようにして、イオン注入装置１００において使用中の使用ガス（例えばフォスフィンガス、アルシンガス、または３弗化ホウ素ガス）に対応したガス検知器（例えばフォスフィンガス検知器３０１、アルシンガス検知器３０２、または３弗化ホウ素ガス検知器３０３）を用いてモニターし、除害装置４００を通った排気ガス１０１をサンプリングし、排気ガス１０１中の対応した使用ガスの濃度を測定し、許容濃度以上の濃度を検知（測定）した場合は、アラームを発生させる。
【００３５】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、製造装置で使用中の使用ガスに対応したガス検知器のみを用いて使用ガス漏洩の有無をモニターするので、複数種類のガス検知器を用いていても、ガス検知器のモニター対象外の使用ガスによる誤検知を防止できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のガス検知システムの一実施形態を示す系統図である。
【図２】図１の一実施形態の動作を示す系統図である。
【図３】図２と共に、図１の一実施形態の動作を示す系統図である。
【図４】従来技術を示す系統図である。
【符号の説明】
１００ イオン注入装置
１０１ 排気ガス
１０２ 使用中の使用ガスのガス種を示す出力信号
１０２Ａ 出力信号Ａ
１０２Ｂ 出力信号Ｂ
１１０ 使用ガス
１１０Ａ ガスＡ
１１０Ｂ ガスＢ
１１１ ガスボンベ
１１１Ａ ガスボンベＡ
１１１Ｂ ガスボンベＢ
１１２ エアバルブ
１１２Ａ エアバルブＡ
１１２Ｂ エアバルブＢ
１１３ 圧力センサ
１１３Ａ 圧力センサＡ
１１３Ｂ 圧力センサＢ
２００ モニター切替ユニット
２０１ リレー
２０１Ａ リレーＡ
２０１Ｂ リレーＢ
２０２ 電磁弁
２０２Ａ 電磁弁Ａ
２０２Ｂ 電磁弁Ｂ
２０３ 三方弁
２０３Ａ 三方弁Ａ
２０３Ｂ 三方弁Ｂ
３００ ガス検知器
３００Ａ ガス検知器Ａ
３００Ｂ ガス検知器Ｂ
３０１ フォスフィンガス検知器
３０２ アルシンガス検知器
３０３ ３弗化ホウ素ガス検知器
４００ 除害装置
５００ 工場排気[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a gas detection system, and more particularly to a gas detection system using a plurality of types of gas detectors corresponding to the type of a detection gas.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art An ion implantation apparatus, which is a semiconductor manufacturing apparatus, is used for doping a semiconductor substrate with specific ions and adding a conductive impurity or forming a diffusion layer.
[0003]
In the ion implantation apparatus, for example, phosphine gas (PH 3 ) for generating a beam of phosphorus (P) and arsenic (As) for generating a beam of ions to be irradiated are used. Arsine gas (AsH 3 ) and boron trifluoride gas (BF 3 ) are used to generate a beam of boron (B) (hereinafter these gases are referred to as used gases). Here, these plural kinds of used gases are not used at the same time, but one kind of used gas is used depending on ions to be irradiated.
[0004]
However, both of these gases are toxic gases. Therefore, as shown in the system diagram of FIG. 4, the exhaust gas 101 from the ion implantation apparatus 100 passes through the abatement apparatus 400 to reduce the concentration of the used gas in the exhaust gas 101 to an allowable concentration or less, and to the factory exhaust 500. Exhausting.
[0005]
Here, in consideration of safety, in order to confirm the abatement ability of the abatement apparatus 400, the exhaust gas 101 that has passed through the abatement apparatus 400 is sampled, and the presence or absence of toxic gas (used gas) is detected by a gas detector. Monitor at 300. This is the conventional gas detection system according to the present invention. FIG. 4 is a system diagram showing the prior art.
[0006]
Here, the gas detector 300 uses a gas detector (a phosphine gas detector 301, an arsine gas detector 302, and a boron fluoride gas detector 303) corresponding to the gas type (type) of the gas used. . The monitoring is always performed using all of these gas detectors (phosphine gas detector 301, arsine gas detector 302, and boron fluoride gas detector 303).
[0007]
When the phosphine gas detector 301, the arsine gas detector 302, and the boron fluoride gas detector 303 each detect (measure) a concentration exceeding the allowable concentration of the corresponding use gas in the exhaust gas 101, an alarm is issued. Generate. (Here, the allowable concentration of the used gas in the exhaust gas 101 is, for example, 0.3 ppm for phosphine gas and 0.05 ppm for arsine gas).
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional gas detection system described above, the phosphine gas detector 301 and the arsine gas detector 302 operate with hydrogen (H) in the measurement gas (in the exhaust gas 101).
[0009]
Therefore, for example, when the phosphine gas (PH 3 ) is used in the ion implantation apparatus 100, the concentration of the phosphine gas (PH 3 ) in the exhaust gas 101 is set to the allowable concentration (of the phosphine gas) by the abatement apparatus 400. The phosphine gas detector 301 operates with hydrogen of the phosphine gas (PH 3 ) even if the phosphine gas detector 301 does not generate an alarm, and the measured value is (Arsine gas ) If the allowable concentration is 0.05 ppm or more, an alarm is generated. In other words, there is a problem that the gas detector (in this case, the arsine gas detector 302) erroneously detects a measurement gas that is not monitored.
[0010]
Therefore, an object of the present invention is to provide a gas detection system using a plurality of types of gas detectors, which prevents erroneous detection due to a measurement gas that is not monitored by the gas detector.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
The gas detection system of the present invention, a plurality of types of gas detectors corresponding to the gas type of the gas to monitor the presence or absence of gas leakage, and the use of the gas output from a device using a plurality of types of the gas A signal indicating a gas type and a switching unit for switching the gas detector monitored by the signal are provided.
[0012]
Further, the gas detector to be monitored is a gas detector corresponding to a gas type of the gas used in the device.
[0013]
In addition, the signal is a signal output from a sensor that monitors a use state of the plurality of types of the gas in the device.
[0014]
Further, the switching unit switches a flow path in accordance with the signal to switch a sampling destination of the gas detector. The sampling destination of the gas detector is exhaust gas from the device. Further, the sampling destination of the gas detector is air.
[0015]
According to the present invention as described above, the presence or absence of gas leakage is monitored by using a gas detector corresponding to the type of gas used in the apparatus.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a system diagram showing an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are system diagrams showing the operation of the embodiment of FIG.
[0017]
First, as shown in FIG. 1, an ion implantation apparatus 100, which is a semiconductor manufacturing apparatus, is used for doping a semiconductor substrate with specific ions, adding a conductive impurity and forming a diffusion layer.
[0018]
In the ion implantation apparatus 100, for example, phosphine gas (PH 3 ) is used to generate a beam of ions to be irradiated, and phosphine gas (PH 3 ) is used to generate a beam of arsenic (As). Arsine gas (AsH 3 ) and boron trifluoride gas (BF 3 ) are used to generate a beam of boron (B) (hereinafter these gases are referred to as used gases). Here, these plural kinds of used gases are not used at the same time, but one kind of used gas is used depending on ions to be irradiated.
[0019]
However, both of these gases are toxic gases. Therefore, the exhaust gas 101 from the ion implantation apparatus 100 is exhausted to the factory exhaust 500 through the abatement apparatus 400 so that the concentration of the used gas in the exhaust gas 101 is equal to or less than the allowable concentration.
[0020]
Here, in consideration of safety, in order to confirm the abatement ability of the abatement apparatus 400, the exhaust gas 101 that has passed through the abatement apparatus 400 is sampled, and the presence or absence of toxic gas (used gas) is detected by a gas detector. Monitor at 300. This is the gas detection system according to the present invention.
[0021]
Then, as shown in FIG. 1, the gas detection system of the present embodiment samples the exhaust gas 101 that has passed through the abatement apparatus 400, measures the concentration of the used gas in the exhaust gas 101, and detects the toxic gas (used gas). ) Gas detector 300 for monitoring the presence or absence of leakage, phosphine gas detector 301, arsine gas detector 302, and boron trifluoride gas detector 303 corresponding to the type of gas used in the gas detector 300. , An output signal 102 indicating the gas type (type) of the gas in use output from the ion implantation apparatus 100 (hereinafter referred to as an output signal 102 indicating the gas type in use), and an output signal 102 indicating the gas type in use , A monitor switching unit 200 for switching the gas detectors (301, 302, 303) to be monitored.
[0022]
Here, this gas detection system operates as shown in FIGS. First, as shown in FIG. 2, in the ion implantation apparatus 100, the used gas 110 to be used is switched by opening and closing air valves 112 provided downstream of the gas cylinders 111 of a plurality of kinds of used gases.
[0023]
For example, in FIG. 2, the air valve A112A (only) is open, and the gas A110A (only) is supplied and used from the gas cylinder A111A. The air valves other than the air valve A112A (only the air valve B112B is shown) are in a closed state, and no gas (only the gas B110B is shown) is supplied from the gas cylinders (only the gas cylinder B111B is shown) other than the gas cylinder A111A, and is unused.
[0024]
Then, in order to monitor the gas type (type) of the used gas in use, the open / close state of each air valve 112 is monitored. For this purpose, the driving air (air pressure) of each air valve 112 is monitored by a pressure sensor 113. Then, an output signal 102 (hereinafter, referred to as an output signal 102 indicating the gas type in use) indicating the gas type (type) of the gas being used is output from the pressure sensor 113 to the monitor switching unit 200.
[0025]
Here, when the air valve 112 is in the open state, the driving air (air pressure) of the air valve 112 is in the ON state (operating state). Therefore, the pressure sensor 113 monitoring the driving air (air pressure) of the air valve 112 is also turned on (operating state), and the output signal 102 indicating the type of gas being used is also turned on.
[0026]
For example, in FIG. 2, the air valve A112A (only) is in an open state, the pressure sensor A113A monitoring the driving air (air pressure) of the air valve A112A is also in an ON state (operating state), and the gas being used is The output signal A102A (only) indicating the seed is also turned on.
[0027]
Then, air valves other than the air valve A112A (only the air valve B112B is shown) are in a closed state, pressure sensors other than the pressure sensor A113A (only the pressure sensor B113B is shown) are in an OFF state (non-operating state), and an output other than the output signal A102A is provided. The signal (only the output signal B102B is shown) is turned off.
[0028]
Next, as shown in FIG. 3, in the monitor switching unit 200, when the output signal 102 which is output from the pressure sensor 113 of the ion implantation apparatus 100 and indicates the kind of gas being used is turned on, the relay is turned on. 201 turns ON. When the relay 201 is turned on, the solenoid valve 202 is turned on. When the electromagnetic valve 202 is turned on, the flow path of the three-way valve 203 is switched, and the sampling destination of the gas detector 300 is switched.
[0029]
Then, by switching the sampling destination of the gas detector 300, the concentration of the used gas in the exhaust gas 101 that has passed through the abatement apparatus 400 is measured, and the gas detector 300 that monitors the presence or absence of toxic gas (used gas) leakage is monitored. Switch.
[0030]
Here, the monitoring gas detector 300 samples the exhaust gas 101 that has passed through the abatement apparatus 400 and measures the concentration of the corresponding used gas in the exhaust gas 101. Then, when a concentration equal to or higher than the allowable concentration of the used gas in the exhaust gas 101 is detected (measured), an alarm is generated.
[0031]
Then, the gas detector 300 not used for the monitor samples the air (atmosphere) and measures the concentration of the corresponding used gas in the air (atmosphere). Then, the concentration of the used gas in the air (atmosphere) which is higher than the allowable concentration is not detected (measured), and no alarm is generated.
[0032]
For example, in FIG. 3, the output signal A102A (only) output from the pressure sensor A113A of the ion implantation apparatus 100 is ON, and the relay A201A is ON. When the relay A201A is turned on, the solenoid valve A202A is turned on. When the electromagnetic valve A202A is turned on, the flow path of the three-way valve A203A is switched, and the sampling destination of the gas detector A300A (only) is the exhaust gas 101 that has passed through the abatement apparatus 400.
[0033]
The output signals other than the output signal A102A output from the pressure sensor A113A of the ion implantation apparatus 100 (only the output signal B102B output from the pressure sensor B113B is shown) are in the OFF state, and the relays other than the relay A201A (only the relay B201B) (Illustrated) remains in the OFF state, the solenoid valves other than the solenoid valve A202A (only the solenoid valve B202B is shown) are also kept in the OFF state, and the flow paths of the three-way valves other than the three-way valve A203A (only the three-way valve B203B is shown) The sampling destination of the gas detectors other than the gas detector A300A (only the gas detector B300B is shown) remains air (atmosphere) without switching.
[0034]
In this manner, a gas detector (for example, a phosphine gas detector 301, an arsine gas detector 302, or the like) corresponding to a used gas (for example, a phosphine gas, an arsine gas, or a boron trifluoride gas) in use in the ion implantation apparatus 100 is used. Alternatively, monitoring is performed using a boron trifluoride gas detector 303), the exhaust gas 101 that has passed through the abatement apparatus 400 is sampled, and the concentration of the corresponding used gas in the exhaust gas 101 is measured, and the concentration is higher than the allowable concentration. If (measurement) is detected, an alarm is generated.
[0035]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the presence / absence of use gas leakage is monitored using only a gas detector corresponding to the gas used in the manufacturing apparatus, so that a plurality of types of gas detectors are used. This also has the effect of preventing erroneous detection due to used gas that is not monitored by the gas detector.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a system diagram showing one embodiment of a gas detection system of the present invention.
FIG. 2 is a system diagram showing an operation of the embodiment of FIG. 1;
FIG. 3 is a system diagram showing an operation of the embodiment of FIG. 1 together with FIG. 2;
FIG. 4 is a system diagram showing a conventional technique.
[Explanation of symbols]
REFERENCE SIGNS LIST 100 ion implanter 101 exhaust gas 102 output signal 102A indicating gas type of used gas in use output signal A
102B Output signal B
110 Gas used 110A Gas A
110B Gas B
111 Gas cylinder 111A Gas cylinder A
111B Gas cylinder B
112 Air valve 112A Air valve A
112B Air valve B
113 Pressure sensor 113A Pressure sensor A
113B Pressure sensor B
200 Monitor switching unit 201 Relay 201A Relay A
201B Relay B
202 Solenoid valve 202A Solenoid valve A
202B Solenoid valve B
203 Three-way valve 203A Three-way valve A
203B Three-way valve B
300 Gas detector 300A Gas detector A
300B Gas detector B
301 phosphine gas detector 302 arsine gas detector 303 boron trifluoride gas detector 400 abatement system 500 factory exhaust
