JP3577244B2 - 電圧制御型の水晶発振器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は水晶発振器を利用分野とし、特に電圧制御による温度補償型の水晶発振器(温度補償発振器とする)に関する。
【0002】
【従来の技術】
(発明の背景)温度補償発振器は、携帯電話等の動的環境下での使用が頻繁な電子機器に周波数及び時間の基準源として、広く知られている。近年では、小型化・低廉化は勿論として、位相雑音等の電気的特性の向上が求められている。
【0003】
(従来技術の一例)第4図はこの種の一従来例を説明する電圧制御による温度補償発振器の回路ブロック図である。
温度補償発振器は、水晶振動子1を有する発振回路2と、水晶振動子1に接続した電圧可変容量素子としての可変容量ダイオード3と、補償電圧発生回路4とからなる。なお、図中の符号VCCは電圧源であり、VOUTは発振出力である。水晶振動子1は例えばATカットとし、周波数温度特性(温度特性とする)を周波数偏差Δf/fで示したように3次曲線とする(第5図曲線イ)。
【0004】
発振回路2は例えばコルピッツ型として、水晶振動子1に起因した温度特性となる。可変容量ダイオード3は、逆方向電圧を印加されて端子間の容量が変化する。補償電圧発生回路4は、水晶振動子1とは逆特性となる3次曲線の補償電圧Vc(第5図曲線ロ)を発生し、高周波阻止抵抗5を経て可変容量ダイオード3に印加する。
【0005】
このようなものでは、水晶振動子1(水晶発振器)の温度特性に応答した補償電圧によって可変容量ダイオード3の容量が変化する。したがって、水晶振動子1から見た回路側の直列容量(負荷容量)も変化するので、水晶振動子1の温度特性による周波数変化を相殺して温度補償する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
(従来技術の問題点)しかしながら、上記構成の温度補償発振器では、定電圧源等を使用して三次曲線となる補償電圧(直流電圧)を生成するが、全くの直流成分のみとはならず、交流成分となる雑音を含み、これによって位相雑音特性を悪化させる問題があった。
【0007】
このことから、第6図に示したようにコンデンサ6と抵抗7からなるローパスフィルタ8を用いて、交流成分(雑音成分)を除去することが考えられた。しかし、この場合には、水晶発振器の起動時に、コンデンサ6と抵抗7の時定数により、中点Aでの電位が補償電圧に安定するまで時間がかかる。したがって、水晶発振器の起動特性を悪化させる問題を生ずる。
【0008】
そこで、本発明者等はローパスフィルタ8の抵抗7に、発振器の起動時に抵抗7の端子間を短絡して瞬時に開放するスイッチング素子9を並列に設ける提案をした(第6図、特願平10−377052号及び同11−43262号)。このようにすれば、後述するように発振器の起動時には、スイッチング素子9により、補償電圧はローパスフィルタ8のコンデンサ6に高速(瞬時)に充電される。したがって、コンデンサ6と抵抗7の中点Aにおける電位を補償電圧と同電位にするので、起動特性を良好にする。
【0009】
一方、近年では、一層の小型化により、ローパスフィルタ8のコンデンサ6は誘電率の高い材料からなるセラミックコンデンサを使う必要に迫られている。しかし、このようなものでは、第7図の等価回路に示したように、コンデンサの公称容量17の他に誘電緩和現象により、寄生抵抗18及び寄生容量19が発生する。そして、これらの寄生素子18、19によって、端子間の電位が安定するまで時間がかかる(要するに時定数が大きい)。したがって、起動遅延を招く。これに対し、ポリスチレン等を用いた誘電率の小さい材料からなるフィルムコンデンサは時定数が小さく、電位の安定は早くて起動遅延を防止する。しかし、素子が大きく小型化には適さない問題があった。
【0010】
ちなみに、ローパスフィルタ8のカットオフ周波数を8Hzとし、LSI内にローパスフィルタ8を形成しようとすると、寸法的制約から抵抗7は数MΩまでしかできない。例えば抵抗7を2MΩとすると、コンデンサ6は10000pFの容量が必要となる。したがって、コンデンサ6はLSI内には形成できず、ディスクリートとして外付となる。
【0011】
なお、このときの、セラミックコンデンサの寄生抵抗18は約100MΩ、寄生容量19は約500pFになる。したがって、前述のように時定数が大きくなって、セラミックコンデンサの電位が安定するには時間がかかり、起動特性に遅延を生ずる。
【0012】
そして、10000pFを得るチップ型のフィルムコンデンサは、最も小さいものでも2.0(長さ)×1.25(幅)×1.0(厚み)mmである。これに対し、セラミックコンデンサは0.6×0.3×0.3mmであり、容積比で1/46となる。したがって、小型化の進む特に携帯電話などでは、セラミックコンデンサは有用となる。
【0013】
(発明の目的)本発明は、位相雑音を軽減し、しかも起動特性を良好として小型化を促進する温度補償発振器を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は、周波数制御電圧の入力端と電圧可変容量素子との間にコンデンサと抵抗からなるローパスフィルタを挿入し、発振器起動時に抵抗の端子間を短絡して開放するスイッチング素子を設け、ローパスフィルタのコンデンサに半導体の順方向降下電圧を印加し、ローパスフィルタのコンデンサの基準温度時における両端電圧を同電位に設定したことを基本的な解決手段とする。
【0015】
【作用】
本発明では、ローパスフィルタ及びスイッチング素子によって、位相雑音及び起動特性を良好とし、さらにローパスフィルタのコンデンサの基準温度における両端を同電位にしたので、コンデンサ自体による起動遅延を防止する。そして、コンデンサには半導体の順方向降下電圧を印加したので、電源電圧中の雑音を排除する。以下、本発明の一実施例を説明する。
【0016】
【実施例】
第1図は、本発明の一実施例を説明する温度補償発振器の回路ブロック図である。なお、前従来例図と同一部分には同番号を付与してその説明は簡略又は省略する。
温度補償発振器は、前述同様に水晶振動子1を有して温度特性を3次曲線とした発振回路2、発振回路2の負荷容量を変化させる可変容量ダイオード3、発振回路2からの高周波を阻止する高周波阻止抵抗5及び可変容量ダイオード3に補償電圧を印加する補償電圧発生回路4、及び補償電圧発生回路4と高周波阻止抵抗5との間に設けた前述のスイッチング素子9を有するローパスフィルタ8とからなる。
【0017】
そして、この実施例では、ローパスフィルタ8は、抵抗7の一端を補償電圧発生回路4の出力端に接続し、直列接続したコンデンサ6と抵抗7の接続点(中点A)を高周波阻止抵抗5に接続する。なお、抵抗7はLSI中に形成され、コンデンサ6は誘電率の高いチップ型のセラミックコンデンサからなる。
【0018】
コンデンサ6の他端は、一端がアース接地した分割抵抗14(ab)の中点Bに接続する。分割抵抗14(ab)の中点Bは、コンデンサ6と抵抗7の中点Aの電圧と同電位に設定される。但し、中点Aでの電圧は温度に伴う補償電圧によって変化するので、ここでは公称周波数を得る基準温度(通常では常温25℃)での値とする。一般には、常温における中点Aの電圧は1.2V程度あり、温度変化によって約±0.1Vの電圧が付加され、これにより温度補償する。
【0019】
分割抵抗14(ab)の他端は、電圧生成源20に接続する。電圧生成源20は、電源Vccとアースとの間に抵抗21とカソード接地のダイオード22(ab)とを直列に接続する。ここでのダイオード22(ab)は2個直列接続する。そして、抵抗21とダイオード22(ab)の中点Cに分割抵抗14(ab)の他端を接続してなる。そして、電源Vccからの抵抗21を経ての電流によって中点Cにダイオード22(ab)の各順方向降下電圧(0.7V)の和となる1.4Vを得る。
【0020】
スイッチング素子9は、例えば第2図に示したように、CMOSアナログスイッチ9aを用い、その制御端子Xはコンパレータ10の出力に接続する。コンパレータ10のマイナス入力は抵抗11とコンデンサ12からなる時定数回路の接続点(中点)に接続し、プラス入力は基準電圧13に接続する。
【0021】
そして、CMOSアナログスイッチ9aの入出力端子YZをローパスフィルタ8の抵抗7の端子間に接続する。このようなものでは、抵抗11とコンデンサ12の時定数等によって、電源投入時にYZ間が導通状態(ON抵抗)となり、その直後に遮断状態となる。
【0022】
このような構成であれば、水晶発振器の起動時以降の動作状態においては、前述したようにローパスフィルタ8によって補償電圧の交流成分(雑音成分)は除去される。したがって、位相雑音特性を良好にする。
【0023】
また、水晶発振器の起動時には、スイッチング素子9としてのCMOSアナログロスイッチ9aのON抵抗によって、ローパスフィルタ8の抵抗7が短絡される。したがって、補償電圧発生回路4からの補償電圧の直流成分はローパスフィルタ8のコンデンサ6に急速充電され、中点Aの電位を補償電圧と瞬時にして同電位にする。したがって、起動特性を良好にする。
【0024】
さらに、コンデンサ6は両端の常温時の電圧が同電位に設定されるので、常温での起動時にはコンデンサ自体に時定数があっても、両端子間での電荷の移動がない。したがって、起動時における中点Aでの電圧は、補償電圧(1.2V)がそのまま維持される。したがって、コンデンサ6による起動遅延を防止する。また、常温以外の起動であっても、常温での補償電圧(1.2V)に対して、両端子間の最大での電位差は約±0.1Vであり、常温時に対する起動遅延の変化は極めて小さい。
【0025】
ちなみに、このようなものでは、起動時(常温)から発振周波数が安定するまでの時間は約3msecであり、従来の約84msecに比較して大幅に改善できた。但し、安定周波数は、公称周波数の±0.1ppm以内の周波数である。
【0026】
また、フィルムコンデンサを使用したときの発振器の大きさは9×7×2mmが最小限度であったが、セラミックコンデンサを使用することにより5×3.2×1.5mmを実現でき、大幅な小型化が可能となった。
【0027】
さらに、この実施例では、電圧生成源20はダイオード22(ab)の順方向降下電圧(0.7V×2)を使用して、分割抵抗14(ab)に印加する。したがって、例えば分割抵抗14(ab)に電源Vccからの電圧を直接に印加した場合に比較して位相ノイズを軽減する。
【0028】
すなわち、電源Vccからの電圧は雑音成分が多く含まれるため、中点Bでの分圧された電圧中にも同様に雑音を含む。これに対して、本実施例では、雑音成分はダイオード22(ab)と抵抗21との分圧により非常に小さくなり、ダイオード22(ab)の順方向降下電圧のみが中点Cに得られる。なお、ダイオード22(ab)の抵抗値は抵抗21に比較して極めて小さい。したがって、中点Cでの電圧中には雑音成分が除去されるので、位相雑音特性を良好に維持できる。
【0029】
【他の事項】
上記実施例では、可変容量ダイオード3には補償電圧のみを印加したが、自動周波数制御(AFC)回路等による周波数制御電圧VFを例えばアノード側に印加してもよい(第3図)。但し、直流阻止のコンデンサ16をアース側に接続する。
【0030】
また、電圧生成源20による順方向降下電圧は分割抵抗14(ab)を経て印加したが、例えばコンデンサ6の両端電圧を1.4V等の同電位にする場合には、分割抵抗14(ab)は除去して直接に印加すればよい。
【0031】
また、電圧可変容量素子は可変容量ダイオード3としたが、電圧に対して実質的に容量が変化する半導体素子であれば適用できる。また、温度補償発振器として説明したが、補償電圧に対応する周波数制御電圧を印加して発振周波数を制御する電圧制御型の水晶発振器にも適用できる。
【0032】
また、スイッチング素子9はCMOSアナログスイッチ9aを適用したが、これ以外の半導体素子を用いてもよく、要は電源投入時には導通状態としてその後に遮断状態するスイッチであればよい。また、中点Bの電位は分割抵抗14(ab)によって形成したが、例えばオペアンプを用いた低出力インピーダンスの定電圧源であってもよくその手段は任意である。
【0033】
また、電圧生成源20はダイオード22(ab)を2個直列接続して1.4Vを得たが、分割抵抗14(ab)の中点Bの電圧に基づき、必要に応じて個数及び電圧を設定できる。また、ダイオード22の順方向降下電圧としたが、要は半導体のPN接合部分の順方向降下電圧を使用すればよい。
【0034】
【発明の効果】
本発明は、周波数制御電圧の入力端と電圧可変容量素子との間にコンデンサと抵抗からなるローパスフィルタを挿入し、発振器起動時に抵抗の端子間を短絡して開放するスイッチング素子を設け、ローパスフィルタのコンデンサに分割抵抗を接続して半導体の順方向降下電圧を印加し、ローパスフィルタのコンデンサの基準温度時における両端電圧を同電位に設定したので、位相雑音を軽減し、しかも起動特性を良好として小型化を促進する温度補償発振器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を説明する温度補償発振器のブロック回路図である。
【図2】本発明の一実施例を説明するスイッチング素子の図である。
【図3】本発明のさらに他の実施例を説明する温度補償発振器のブロック回路図である。
【図4】従来例を説明する温度補償発振器のブロック回路図である。
【図5】従来例を説明する水晶振動子(水晶発振器)温度特性及び補償電圧特性図である。
【図6】本出願人が先に提案した温度補償発振器のブロック回路図である。
【図7】従来例を説明するコンデンサの等価的な回路図である。
【符号の説明】
1 水晶振動子、2 発振回路、3 可変容量ダイオード、4 補償電圧発生回路、5 高周波阻止抵抗、6、12、16 コンデンサ、7 抵抗、8 ローパスフィルタ、9 スイッチング素子、10 コンパレータ、11、21 抵抗、13 基準電圧、14(ab) 分割抵抗、17 公称容量、18、寄生抵抗、19 寄生容量、20 電圧生成源、22 ダイオード.
Claims (2)
- 電圧可変容量素子を水晶振動子に接続して、前記電圧可変容量素子に周波数制御電圧を印加してなる電圧制御型の水晶発振器において、前記周波数制御電圧の入力端と前記電圧可変容量素子との間にコンデンサと抵抗からなるローパスフィルタを挿入して、発振器起動時に前記抵抗の端子間を短絡して開放するスイッチング素子を設けるとともに、前記ローパスフィルタのコンデンサに半導体の順方向降下電圧を印加し、前記ローパスフィルタのコンデンサの基準温度時における両端電圧を同電位に設定したことを特徴とする電圧制御型の水晶発振器。
- 請求項1において、前記順方向降下電圧は分割抵抗を経て前記コンデンサに印加したことを特徴とする電圧制御型の水晶発振器。
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