JP3574104B2 - プラズマ発生のためのマッチング回路を利用したプラズマ発生駆動装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマエッチングなどのドライエッチングや、プラズマCVDおよびスパッタリングにおいて、プラズマを発生させるためのマッチング回路およびその駆動装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
基板に、薄膜を形成する技術として、特開平5−222531号公報には、マグネトロンスパッタ源を用い、非導電性層を導電性ターゲットから被覆する方法およびその装置が記載されており、スパッタリングにおけるアーク放電を可能な限り消失させる方法が開示されている。
【0003】
この技術は、図5に示すように、2個の並列に配置したターゲットにそれぞれ導電的に接続されたカソード201、202、8〜70kHzの周波数のDC電圧を供給する中位周波数発生器213、変成器212、チョークコイル214、結合回路網(208、209、216、217)、コイル219およびコンデンサ218からなる発振回路によって構成されている。これらの構成により、ある時点ではカソード201がマイナス極、すなわち放電のスパッタ部を形成し、カソード202が放電のプラス極を形成する。また、別の時点では、カソード1が放電のプラス極を形成し、カソード202がマイナス極、すなわち放電のスパッタ部を形成する。このようなカソードの極性交番は、コイル219およびコンデンサ218から形成される発振回路が動作周波数よりも50倍の周波数に調整されていることによるもので、アーク放電を発生しようとするとき、この発振回路の発振により、アーク放電は直ちに消失する構成となっている。この技術はスパッタリングを目的としていることから、8〜70kHzの周波数のDC電圧を供給することが条件とされている。
【0004】
これに対し、例えばプラズマを発生させて、プラズマの反応を用いた基板への薄膜形成を行なう技術やエッチングなどの技術が開発されている。こうした技術に適用されるプラズマ発生装置においても、上記したようなターゲット電極に電圧をかけて、プラズマを得る技術が利用されている。この場合には1MHz〜100MHzの高周波電源が使用される。上記したような二枚の電極に高周波電圧をかける構成とする場合、インピーダンス整合を行なうマッチング回路が組み込まれる。こうしたマッチング回路としては、例えば、図7に示すようなアンバランス型のマッチング回路700が知られている。このマッチング回路700は、高周波電源の出力端子40から、ターゲット電極につながるポート41にコイル43及び可変容量44が直列に接続され、出力端子40とコイル43間に可変容量42が接地されて接続されている。こうしたマッチング回路700からの出力電圧は、出力端子45を介してターゲット電極にかかるようになっている。
【0005】
このアンバランス型のマッチング回路700を用いた従来のドライエッチング装置の回路模式図を図6に示す。
【0006】
この装置は、タンク63に絶縁物64を介して取り付けた電極62に、1MHz〜100MHzの高周波電流が、図7に示すアンバランス型マッチング回路700および直流バイアスカット用フィルタ61を介して供給され、電極62近傍にプラズマが発生する。この装置はCVDにも適用されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記の図5に示す技術に適用されている2個の並列に配置したターゲット電極に対し8〜70kHzの周波数の電流を供給してスパッタリングを行う場合、上記したようにアーク放電を回避でき、有効であることはすでに述べたが、この装置において、1MHz〜100MHzの高周波電流を供給した場合、電極に自己バイアスは発生しないため、こうした高周波電流による高周波放電によってプラズマを発生させる技術には適用できない。
【0008】
一方、図6に示したアンバランス型マッチング回路をドライエッチングに適用した場合、電極周辺のプラズマは電極の上下でプラズマ強度が大きく、均一に分布されない問題がある。このため特に、大面積の基板の処理ではバラツキが生じてしまう。また、放電はターゲット及びその周囲で起こり、電子が基板にも入射されるため、高周波スパッタリングの場合、基板の温度上昇が大きくなり、基板のダメージが大きくなるという問題も生じる。
【0009】
本発明は、高周波電流による高周波放電によってプラズマを均一に発生させるとことができるプラズマ発生のためのマッチング回路を提供するとともに、このマッチング回路を利用して、基板にダメージを与えず、効率よく処理することができ、しかも簡単な回路構成のプラズマ発生駆動装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明に対応するマッチング回路(以下、発明1という)は、二つの電極に対し、それぞれのポートを介して高周波電源から高周波電流を供給してそれぞれ放電を起こすことにより、プラズマを発生させるコイルと可変容量とで構成されるプラズマ発生のためのマッチング回路であって、上記各電極に直列にコイルが接続され、かつ、可変容量がこれらのコイルを挟んでポート間にそれぞれ並列に接続されているとともに、これらの両電極は同電位とされ、上記高周波電源は、1MHz〜100MHzの周波数の電源とされていることによって特徴付けられている。
【0011】
また、本発明に対応するマッチング回路(以下、発明2という)は、二つの電極に対し、それぞれのポートを介して高周波電源から高周波電流を供給してそれぞれ放電を起こすことにより、プラズマを発生させるコイルと可変容量とで構成されるプラズマ発生のためのマッチング回路であって、上記二つの電極にそれぞれ接続されるポート間にコイルと可変容量が並列に接続された出力側結合回路と、上記高周波電流を供給する高周波電源に接続された2つのポート間にコイルと可変容量が並列に接続された入力側結合回路とからなり、これらの結合回路により並列共振とされているとともに、上記両電極は同電位とされ、上記高周波電源は、1MHz〜100MHzの周波数の電源とされていることによって特徴付けられている。
【0012】
以上の構成のマッチング回路によって、二つの電極には同じポテンシャルの電位がかかり、自己バイアスも現れない。
【0013】
本発明に対応するプラズマ発生駆動装置(以下、発明3という)は、高周波電源と、二つの電極と、これら二つの電極と上記高周波電源をそれぞれコイルを介して接続する2つのポートと、これらのコイルを挟んでポート間にそれぞれ並列に接続された可変容量とからなり、これらの両電極は同電位とされてなり、上記高周波電源は、1MHz〜100MHzの周波数の電源とされていることによって特徴付けられる。
【0014】
本発明に対応するプラズマ発生駆動装置(以下、発明4という)は、高周波電源と、二つの電極と、これら二つの電極と上記高周波電源とを接続する2つのポートと、これらポート間にコイルと可変容量が並列に接続された出力側結合回路と、上記高周波電流を供給する高周波電源に接続された2つのポート間にコイルと可変容量が並列に接続された入力側結合回路とからなり、これらの結合回路により並列共振とされているとともに、上記両電極は同電位とされてなり、上記高周波電源は、1MHz〜100MHzの周波数の電源とされていることによって特徴付けられる。
【0015】
以上の構成の発明3および発明4は、CVDやドライエッチングに適用でき、2つの電極間に均一にプラズマが生成でき、大面積の基板処理が可能になる。
【0016】
本発明に対応するプラズマ発生駆動装置(以下、発明5という)は、高周波電源と、二つの電極と、これら二つの電極と上記高周波電源をそれぞれ直列に接続されたコイルとブロッキングコンデンサとを介して接続する2つのポートと、これらのコイルを挟んでポート間にそれぞれ並列に接続された可変容量とからなり、上記両電極は同電位とされる高周波回路と;交流電源と、この交流電源に接続された1次コイルおよび2次コイルからなる変成器とからなる交流回路と;2次コイルの出力側にそれぞれ接続され、この2次コイルの出力電流をローパスフィルタを介して上記各ポートに重畳するための重畳用ポートとからなり、上記交流回路の出力電流が上記高周波回路に重畳されてなり、上記高周波電源は、1MHz〜100MHzの周波数の電源とされていることによって特徴付けられる。
【0017】
本発明に対応するプラズマ発生駆動装置(以下、発明6という)は、高周波電源と、二つの電極と、これら二つの電極と上記高周波電源とを接続する2つのポートと、これらポート間にコイルと可変容量が並列に接続された出力側結合回路と、上記高周波電流を供給する高周波電源に接続された2つのポート間にコイルと可変容量が並列に接続された入力側結合回路とからなり、上記両電極は同電位とされる並列共振駆動回路と;交流電源と、この交流電源に接続された1次コイルおよび2次コイルからなる変成器とからなる交流回路と;2次コイルの出力側にそれぞれ接続され、この2次コイルの出力電流をローパスフィルタを介して上記各ポートに重畳するための重畳用ポートとからなり、上記交流回路の出力電流が上記並列共振駆動回路に重畳されてなり、上記高周波電源は、1MHz〜100MHzの周波数の電源とされていることによって特徴付けられる。
【0018】
以上の構成の発明5および発明6は、スパッタリングに適用でき、数kHzの低周波数のスパッタリングに比べ、反応性スパッタにおける反応率が高くなり、その結果、高速スパッタが可能となる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
【0020】
図1は発明1の実施の形態を示すマッチング回路図である。このマッチング回路100は、高周波電源(図示せず)の出力端子1から分岐した各ポート15、16において、コイル11、12が直列に接続されている。また、可変容量13、14が、コイル11、12を挟んでそれぞれ並列に接続されており、可変容量13は、接続点15aと接続点16aに接続されており、可変容量14は、接続点15bと接続点16bに接続されている。容量を可変容量とすることにより、電流の周波数帯域を広げることができる。
【0021】
図2は発明2の実施の形態を示すマッチング回路図である。このマッチング回路101は、高周波電圧を供給する高周波電源(図示せず)に接続された2つのポート25A,26A間にコイル21と可変容量23が並列に接続された入力側結合回路と、二つの電極(図示せず)にそれぞれ接続されるポート25B,26B間にコイル22と可変容量24が並列に接続された出力側結合回路とからなる。これらの結合回路はコイル21とコイル22が対向した形態をとり、並列共振回路を形成する。
【0022】
以上の実施の形態においては、1MHz〜100MHzの周波数とされている。また、電極に供給される高周波電流の位相差は180°とされており、この位相差によって、両電極には常に均一なプラズマ分布が得られる。
【0023】
さらに、マッチング回路100、101では、いずれも両電極が同電位とされることから、バランス型マッチング回路と称する。従来のアンバランス型マッチング回路をドライエッチングに適用した場合、電極の上下でプラズマ強度が大きくなり、均一に分布されず、また、基板の温度上昇が大きくなるため基板のダメージが大きくなる欠点があった。これに対し、このバランス型マッチング回路は、電極間における放電が効率よく行われることから、基板のダメージを少なくすることができる。
【0024】
こうしたマッチング回路100、101の構成を、スパッタリング、プラズマCVD,ドライエッチング、プラズマクリーニングおよびイオンプレーティングに応用した場合、格段の効果を達成できることが判明した。すなわち、従来の装置では、プラズマを均一に分布させることが難しいため、磁石や電極の長さ、ガスの入れ方などを調整することにより分布をとっていたが、バランス型マッチング回路100、101では、両電極を同電位としているので分布をとるのが容易となり、さらに、大面積の基板の成膜を精度よく、効率的に行なうことが可能となった。
【0025】
次に、発明1のマッチング回路をスパッタリングに適用した場合のプラズマ発生駆動装置の実施の形態について説明する。
【0026】
図3はこの実施の形態の回路模式図である。
【0027】
この回路は、高周波電源の出力端子1と、マッチング回路100と、二つの電極と、これら二つの電極とマッチング回路100間にそれぞれ直列に接続されたブロッキングコンデンサ17、18を備えた高周波回路を備える。マッチング回路100は、出力端子1から分岐した各ポート15、16において、コイル11、12が直列に接続されている。また、可変容量13、14が、コイル11、12を挟んでそれぞれ並列に接続されており、可変容量13は、接続点15aと接続点16aに接続されており、可変容量14は、接続点15bと接続点16bに接続されている。高周波電源は、1MHz〜100MHzの周波数の電源とされている。
【0028】
さらに、この高周波回路に重畳するための交流回路110を備える。この交流回路110は、交流電源38と、この交流電源38に接続された巻数の異なる2つのコイル、すなわち1次コイル31および2次コイル32からなり、これら1次コイル31および2次コイル32の相互誘導作用を利用した変成器30とからなる。また、2次コイルの出力側にそれぞれ接続され、ローパスフィルタ33、34を介して2次コイルの出力電流を高周波回路側の各ポート15、16に重畳するための重畳用ポート35、36を備える。この重畳用ポート35、36はそれぞれ接続点15d,16dに接続される。交流電源38は、40kHzの周波数の電源とされており、1〜300kHzの範囲で設定される。
【0029】
以上の構成により、交流回路110の出力電流が高周波回路に重畳される。
【0030】
ブロッキングコンデンサ17、18は、重畳の際、低周波数の電流をカットするために必要である。このようにして、各電極2、3には、それぞれ接続点15d,16dを介して電圧がかかるようになっている。この時、各電極2、3に流れる高周波電圧は同電位となり、かつ位相差は180°とされている。
【0031】
このマッチング回路100のみでは、電極2、3に直流自己バイアスは現れないので、スパッタはされないが、この交流回路110と組み合わせることにより、数kHzの低周波数のスパッタにはみられない、反応率の高い反応性スパッタ、特に、Al,TiなどからAl2 O3 ,AlN,TiO2 ,TiNなどを作る反応性スパッタや、低温で比抵抗の小さいITOのスパッタには有効である。また、結果として、これらのスパッタでは、高速スパッタが実現できる点でも有益といえる。
【0032】
なお、図3に示す実施の形態では、発明1のマッチング回路を適用したが、これに替えて発明2のマッチング回路を適用できることは言うまでもない。
【0033】
次に、発明1のマッチング回路をプラズマCVDやドライエッチングに適用した場合のプラズマ発生駆動装置の実施の形態について説明する。
【0034】
図4はその実施の形態の回路模式図である。
【0035】
この装置は、タンク63に絶縁物64を介して並列に取り付けた電極200、300に、1MHz〜100MHzの高周波電流が、図1に示すバランス型マッチング回路100を介して供給された構成となっている。この装置を用いることにより、プラズマは電極200および電極300の間に均一に発生するので、プラズマCVDやドライエッチングを、効率よく行うことができる。
【0036】
なお、図4に示す実施の形態では、発明1のマッチング回路を適用したが、これに替えて発明2のマッチング回路を適用できることは言うまでもない。
【0037】
以上のように、本発明はプラズマエッチングなどのドライエッチングや、プラズマCVDおよびスパッタリングに応用されるが、これらに限ることなく、例えばプラズマクリーニング、イオンプレーティングなどのプラプラズマを用いた他の処理に広く応用できる。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明にかかるプラズマ発生駆動装置によれば、高周波電源と、二つの電極と、これら二つの電極と高周波電源をそれぞれ直列に接続されたコイルとブロッキングコンデンサとを介して接続する2つのポートと、これらのコイルを挟んでポート間にそれぞれ並列に接続された可変容量とからなり、両電極は同電位とされる高周波回路と;交流電源と、この交流電源に接続された1次コイルおよび2次コイルからなる変成器とからなる交流回路と;2次コイルの出力側にそれぞれ接続され、この2次コイルの出力電流をローパスフィルタを介して各ポートに重畳するための重畳用ポートとからなり、交流回路の出力電流が高周波回路に重畳されてなり、高周波電源は、1MHz〜100MHzの周波数の電源とされているので、2つの電極を放電させ、均一なプラズマ分布を得ることができる。また、1MHz〜100MHzの周波数とされた高周波数の電力では、自己バイアスがかかることもないので、効率よくプラズマを利用することができる。また、CVDやドライエッチングに適用でき、2つの電極間に均一にプラズマが生成でき、大面積の基板処理ができる。さらに、スパッタリングに適用でき、数kHzの低周波数のスパッタリングに比べ、反応性スパッタにおける反応率が高くなり、その結果、高速スパッタができる。
【0039】
また、本発明にかかるプラズマ発生駆動装置によれば、高周波電源と、二つの電極と、これら二つの電極と高周波電源とを接続する2つのポートと、これらポート間にコイルと可変容量が並列に接続された出力側結合回路と、高周波電流を供給する高周波電源に接続された2つのポート間にコイルと可変容量が並列に接続された入力側結合回路とからなり、両電極は同電位とされる並列共振駆動回路と;交流電源と、この交流電源に接続された1次コイルおよび2次コイルからなる変成器とからなる交流回路と;2次コイルの出力側にそれぞれ接続され、この2次コイルの出力電流をローパスフィルタを介して各ポートに重畳するための重畳用ポートとからなり、交流回路の出力電流が並列共振駆動回路に重畳されてなり、高周波電源は、1MHz〜100MHzの周波数の電源とされているので、上記した効果と同様の効果を得ることができる。
【0040】
発明3および発明4のプラズマ発生駆動装置によれば、発明1および発明2のマッチング回路を備えた構成としたから、CVDやドライエッチングに適用でき、2つの電極間に均一にプラズマが生成するので、大面積の基板処理を効率的に行うことができる。
【0041】
発明5および発明6のプラズマ発生駆動装置によれば、発明1および発明2のマッチング回路を備えた高周波回路に、それぞれ交流回路の出力電流が上記高周波回路に重畳された構成としたので、数kHzの低周波による放電では得られない放電効果、すなわち、両電極間で均一なプラズマを発生させることができ、反応性スパッタリングに適用することが可能となる。この場合、数kHzの低周波数のスパッタリングに比べ、反応率が高くなり、その結果、高速スパッタを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】発明1の実施の形態を示すマッチング回路図を有するプラズマ発生回路を示す図
【図2】発明2の実施の形態を示すマッチング回路図を有するプラズマ発生回路を示す図
【図3】発明1のマッチング回路をスパッタリングに適用した場合のプラズマ発生駆動装置の実施の形態の回路模式図
【図4】発明1のマッチング回路をプラズマCVDやドライエッチングに適用した場合のプラズマ発生駆動装置の実施の形態の回路模式図
【図5】従来における基板の被覆装置の回路模式図
【図6】従来におけるドライエッチング装置の回路模式図
【図7】アンバランス型のマッチング回路図
【符号の説明】
1‥‥高周波電源の出力端子
2、3、200、300‥‥電極
11、12、21、22‥‥コイル
13、14、23、24‥‥可変容量
15、16、25A、25B、26A、26B‥‥ポート
17、18‥‥ブロッキングコンデンサ
30‥‥変成器
31‥‥1次コイル
32‥‥2次コイル
38‥‥交流電源
100、101‥‥マッチング回路
Claims (2)
- 高周波電源と、二つの電極と、これら二つの電極と上記高周波電源をそれぞれ直列に接続されたコイルとブロッキングコンデンサとを介して接続する2つのポートと、これらのコイルを挟んでポート間にそれぞれ並列に接続された可変容量とからなり、上記両電極は同電位とされる高周波回路と;交流電源と、この交流電源に接続された1次コイルおよび2次コイルからなる変成器とからなる交流回路と;2次コイルの出力側にそれぞれ接続され、この2次コイルの出力電流をローパスフィルタを介して上記各ポートに重畳するための重畳用ポートとからなり、上記交流回路の出力電流が上記高周波回路に重畳されてなり、
上記高周波電源は、1MHz〜100MHzの周波数の電源とされていることを特徴とするプラズマ発生駆動装置。 - 高周波電源と、二つの電極と、これら二つの電極と上記高周波電源とを接続する2つのポートと、これらポート間にコイルと可変容量が並列に接続された出力側結合回路と、上記高周波電流を供給する高周波電源に接続された2つのポート間にコイルと可変容量が並列に接続された入力側結合回路とからなり、上記両電極は同電位とされる並列共振駆動回路と;交流電源と、この交流電源に接続された1次コイルおよび2次コイルからなる変成器とからなる交流回路と;2次コイルの出力側にそれぞれ接続され、この2次コイルの出力電流をローパスフィルタを介して上記各ポートに重畳するための重畳用ポートとからなり、上記交流回路の出力電流が上記並列共振駆動回路に重畳されてなり、
上記高周波電源は、1MHz〜100MHzの周波数の電源とされていることを特徴とするプラズマ発生駆動装置。
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