JP3558859B2 - バイポーラトランジスタ、信号合成回路及び振幅変調回路 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、トランジスタの構造の改良に係り、特に、アナログ信号の加算や振幅変調に好適なトランジスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
アナログ信号の加算は、アナログ信号の処理を要する様々な分野で使用されており、また、振幅変調は、通信技術の様々な分野で使用されている。
しかし、アナログ信号の加算のために従来より用いられている加算回路は、演算増幅器を含む構成を有するものであり、結果として構成が複雑になり、コストも高くなるという問題がある。また、振幅変調波を得るために従来より用いられている振幅変調回路の構成も複雑であり、結果として、コストが高くなるという問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、簡単な構成で、低コストで製造できる信号合成回路及び振幅変調回路を提供することを目的とし、また、このような信号合成回路及び振幅変調回路の製造を容易にするバイポーラトランジスタを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の第１の観点によるバイポーラトランジスタは、第１導電型のコレクタと、前記コレクタに共通に接合され、絶縁分離された第２導電型の複数のベースと、前記複数のベースに共通に接合された第１導電型のエミッタと、から構成されていることを特徴とする。
【０００５】
この構成によれば、絶縁分離された複数のベースが配置されているので、各々のベースに、振幅を加算する対象の複数の信号を印加すれば、これら複数の信号の両方により、コレクタとエミッタ間に流れる電流を制御することができる。従って、このバイポーラトランジスタを用いれば、信号の振幅の加算を１つのバイポーラトランジスタで行うことができる。
また、絶縁分離された複数のベースの１つに搬送波、他の１つに信号波が印加された場合にコレクタとエミッタ間に流れる電流を用いて振幅変調波を生成すれば、振幅変調を容易に行うことができる。
【０００６】
前記絶縁分離された複数のベースの少なくとも一つと前記エミッタとが接合されている部分の面積は、該ベースと前記コレクタとが接合されている部分の面積より小さいものとすれば、該ベース及び該エミッタが接合されている部分が形成するコンデンサが有する接合容量も小さくなる。このため、このようなバイポーラトランジスタでは、良好な周波数特性を得ることができる。
また、このようなバイポーラトランジスタでは、前記コレクタに注入する多数キャリアの量は、前記ベースを流れるわずかなベース電流により制御することができる。すなわち、このバイポーラトランジスタの入力インピーダンスは大きくなり、また電流増幅率が大きくなる。
更に、入力インピーダンス及び電流増幅率が大きくなる結果、このようなバイポーラトランジスタは、大電力用であっても小電力用並に制御が容易となるので、電力制御用として幅広く使用することができる。
【０００７】
また、この発明の第２の観点による信号合成回路は、上記第１の観点によるバイポーラトランジスタと、前記バイポーラトランジスタの前記コレクタと前記エミッタに接続され、前記複数のベースに供給された各前記信号の振幅を合成した結果を表す信号を生成する出力回路と、を具備することを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、信号源からバイポーラトランジスタの各ベースに、振幅を合成する対象の複数の信号が印加され、コレクタとエミッタ間に流れる電流がこれら複数の信号の両方により制御される。そして、出力回路が、該電流の量に基づいて、各信号の振幅を合成した結果を表す信号を生成することにより、アナログ信号の合成が行われる。
【０００９】
また、この発明の第３の観点による振幅変調回路は、上記第１の観点によるバイポーラトランジスタと、前記バイポーラトランジスタの前記コレクタと前記エミッタに接続され、前記２つのベースの一方に印加された前記搬送波を前記２つのベースの他方に印加された前記信号波で振幅変調したものを表す信号を生成する出力回路と、を具備することを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、信号源からバイポーラトランジスタの各ベースに搬送波及び信号波が印加され、コレクタとエミッタ間に流れる電流が搬送波及び信号波により制御される。そして、出力回路が、該電流の量に基づいて振幅変調波を生成することにより、振幅変調が行われる。
【００１１】
前記振幅変調回路は、例えば、前記バイポーラトランジスタが、前記搬送波及び前記信号波を加算した信号のうち瞬時値が所定の範囲内である部分を抽出したものを表す半波信号を生成し、該半波信号を前記出力回路に供給する手段を備え、前記出力回路が、前記バイポーラトランジスタから供給された前記半波信号の交流部分を表す信号を生成することにより、前記搬送波を前記信号波で振幅変調したものを表す前記信号を生成する手段を備えることによって、振幅変調波を生成する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図１及び図２を参照して、この発明の第１の実施の形態に係るバイポーラトランジスタを説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、この発明の第１の実施の形態に係るバイポーラトランジスタの構成を模式的に示す図である。
【００１３】
図示するように、このトランジスタは、コレクタ１１、第１のベース１２、第２のベース１３及びエミッタ１４を備えている。
【００１４】
コレクタ１１は、ｎ型半導体領域（以下、ｎ型領域と呼ぶ）からなる。コレクタ１１には、外部接続用のコレクタ端子Ｃが接続されている。
【００１５】
第１のベース１２及び第２のベース１３は、いずれもｐ型半導体領域（以下、ｐ型領域と呼ぶ）からなり、互いが直接に接することなく（例えば図１に示すように任意の絶縁体により隔てられて）、各々コレクタ１１に接合されている。第１のベース１２には、外部接続用の第１のベース端子Ｂ１が接続され、第２のベース１３には、外部接続用の第２のベース端子Ｂ２が接続されている。
【００１６】
エミッタ１４はｎ型領域からなり、第１のベース１２及び第２のベース１３に接合されており、外部接続用のエミッタ端子Ｅが接続されている。
【００１７】
図１に示す構成のトランジスタにおいては、エミッタ１４と、第１のベース１２及び第２のベース１３の少なくとも一方との間に順方向のバイアスが加えられると、エミッタ１４から、第１のベース１２及び第２のベース１３のうち該バイアスが加えられているものへと、少数キャリアが導かれる。
【００１８】
この結果、エミッタ１４からコレクタ１１へは、エミッタ１４から第１のベース１２へと導かれた少数キャリアの量にほぼ比例する量の多数キャリアと、エミッタ１４から第２のベース１３へと導かれた少数キャリアの量にほぼ比例する量の多数キャリアとが注入される。
【００１９】
この結果、コレクタ１１には、第１のベース１２に流れる電流が一定の電流増幅率で増幅されたものに相当する電流と第２のベース１３に流れる電流が一定の電流増幅率で増幅されたものに相当する電流との和に相当する電流が流れる。
【００２０】
なお、このトランジスタの構成は上述のものに限られない。
例えば、コレクタ１１、第１のベース１２、第２のベース１３及びエミッタ１４の導電型（不純物型）は、それぞれｎ型、ｐ型、ｐ型及びｎ型である必要はなく、それぞれ、ｐ型、ｎ型、ｎ型及びｐ型としてもよい。
この場合におけるこのトランジスタの動作は、コレクタ１１、第１のベース１２、第２のベース１３及びエミッタ１４と外部との間に流れる電流の向きが逆になる点を除き、コレクタ１１、第１のベース１２、第２のベース１３及びエミッタ１４の導電型がそれぞれｎ型、ｐ型、ｐ型及びｎ型である上述の構成のトランジスタの動作と実質的に同一である。
【００２１】
また、このトランジスタにおいては、例えば図２に示すように、第１のベース１２とエミッタ１４とが接合されている部分の面積が、第１のベース１２とコレクタ１１とが接合されている部分の面積より小さくなっていてもよい。また、第２のベース１３とエミッタ１４とが接合されている部分の面積が、第２のベース１３とコレクタ１１とが接合されている部分の面積より小さくてもよい。
【００２２】
これにより、エミッタ１４から第１のベース１２や第２のベース１３を介してコレクタ１１に注入する多数キャリアの量は、わずかなベース電流により制御することができる。すなわち、このトランジスタの第１のベース１２や第２のベース１３の入力インピーダンスは大きくなり、また電流増幅率が大きくなる。
なお、エミッタ１４から第１のベース１２や第２のベース１３に流れ込んだ少数キャリアは第１のベース１２や第２のベース１３に幅広く拡散し、コレクタ１１に流れるコレクタ電流として吸収される。
【００２３】
また、第１のベース１２とエミッタ１４とが接合されている部分の面積や、第２のベース１３とエミッタ１４とが接合されている部分の面積を小さくすることにより、これらの部分が形成するコンデンサが有する接合容量も小さくなる。このため、このトランジスタでは、良好な周波数特性を得ること（すなわち、高いトランジション周波数を得ること）もできる。
従来の大電力用トランジスタは、電流増幅率が小さく周波数特性も悪いという欠点があった。これに対し、図２に示すトランジスタは、大電力用であっても小電力用並に制御が容易であるので、電力制御用として幅広く使用することができる。
【００２４】
（第２の実施の形態）
次に、この発明の第２の実施の形態に係る振幅変調回路を、図３〜図５を参照して説明する。
【００２５】
図３は、この振幅変調回路の構成を示す回路図である。
図示するように、この振幅変調回路は、トランジスタＱと、抵抗器Ｒ１〜Ｒ３と、コンデンサＣ１〜Ｃ４と、変成器Ｔと、ダイオードＤと、搬送波発生源ＣＳと、信号発生源ＳＳとより構成される。
【００２６】
トランジスタＱは、第１の実施の形態にかかるトランジスタと実質的に同一のものであり、ｎ型領域からなるコレクタ１１及びこれに接続されたコレクタ端子Ｃと、ｐ型領域からなる第１のベース１２及びこれに接続された第１のベース端子Ｂ１と、第２のベース１３及びこれに接続された第２のベース端子Ｂ２と、ｎ型領域からなるエミッタ１４及びこれに接続されたエミッタ端子Ｅとを備えている。
【００２７】
搬送波発生源ＣＳは、生成する対象の振幅変調波の搬送波を発生するものであり、発信器等からなる。
信号発生源ＳＳは、搬送波を振幅変調する対象の信号波を発生するものであり、マイクロフォン及びオーディオ信号増幅器等からなる。
コンデンサＣ１、Ｃ２は、生成する対象の振幅変調波の搬送波と信号波とから直流成分を除去してトランジスタＱの第１のベース１２及び第２のベース１３に入力するためのカップリングコンデンサである。コンデンサＣ１は、搬送波発生源ＣＳと第１のベース端子Ｂ１との間に接続され、コンデンサＣ２は、信号発生源ＳＳと第２のベース端子Ｂ２との間に接続されている。
【００２８】
抵抗器Ｒ１、Ｒ２は、トランジスタＱの第１のベース１２及び第２のベース１３にベース電流を供給するためのものである。抵抗器Ｒ１は、第１のベース端子Ｂ１と外部の直流電源の正極との間に接続され、抵抗器Ｒ２は、第２のベース端子Ｂ２と外部の直流電源の正極との間に接続されている。
トランジスタＱのコレクタ端子Ｃは、変成器Ｔの一次巻線の一端及びコンデンサＣ３の一端に接続されている。第１のベース端子Ｂ１は、抵抗器Ｒ１の一端及びコンデンサＣ１の一端に接続されている。第２のベース端子Ｂ２は、抵抗器Ｒ２の一端及びコンデンサＣ２の一端に接続されている。エミッタ端子Ｅは、外部の直流電源の負極に接続されている。
【００２９】
抵抗器Ｒ１、Ｒ２の抵抗値は、トランジスタＱが実質的にＡ級動作をするような値に設定されている。
すなわち、抵抗器Ｒ１の値は、搬送波発生源ＣＳから第１のベース１２に供給される信号がない場合において、コレクタ１１から第１のベース１２を介してエミッタ１４に至る電流路に、当該電流路に流れ得る電流のほぼ半分の電流が流れるように選ばれている。同様に、抵抗器Ｒ２の値は、信号発生源ＳＳから第２のベース１３に供給される信号がない場合において、コレクタ１１から第２のベース１３を介してエミッタ１４に至る電流路に、当該電流路に流れ得る電流のほぼ半分の電流が流れるように選ばれている。
【００３０】
抵抗器Ｒ３は、トランジスタＱのコレクタ１１にコレクタ電流を供給するための負荷抵抗である。抵抗器Ｒ３は、トランジスタＱのコレクタ端子Ｃと外部の直流電源の正極との間に接続される。
【００３１】
コンデンサＣ３は、トランジスタＱのコレクタ１１に発生した電圧のうちの交流成分を通過させるためのものであり、コレクタ１１と、ダイオードＤのカソードとの間に接続される。
【００３２】
ダイオードＤは、コンデンサＣ３を通過した電圧のうち、電圧が正極性である部分を取り出すためのものである。ダイオードＤのアノードは外部の直流電源の負極に接続され、カソードは、コンデンサＣ３の両端のうちコレクタ端子Ｃに接続されていない側の端に接続される。
【００３３】
変成器Ｔは、コンデンサＣ４と相まって所望の周波数成分を有する変調波を出力するためのものであり、互いに誘導結合された一次巻線及び二次巻線からなる。
一次巻線は、ダイオードＤのカソードとコンデンサＣ３との接続点と、外部の直流電源の負極との間に接続され、二次巻線の両端は、振幅変調波を供給する対象の任意の装置に接続される。
【００３４】
コンデンサＣ４は、変成器Ｔの一次巻線と共に並列共振回路を形成して、振幅変調波のうちの所望の周波数成分を変成器Ｔの二次巻線に出力させるためのものである。コンデンサＣ４は変成器Ｔの一次巻線の両端間に接続され、コンデンサＣ４と変成器Ｔの一次巻線とが形成する並列共振回路の共振周波数は、生成する対象の変調波の周波数にほぼ合致する。
【００３５】
次に、この振幅変調回路の動作を説明する。
この振幅変調回路において、搬送波は、搬送波発生源ＣＳから、コンデンサＣ１及び第１のベース端子Ｂ１を介して第１のベース１２に入力され、信号波は、信号発生源ＳＳから、コンデンサＣ２及び第２のベース端子Ｂ２を介して第２のベース１３に入力される。
【００３６】
搬送波が第１のベース１２に入力され、信号波が第２のベース１３に入力されると、コレクタ１１には、第１のベース１２に流れ込む搬送波の電流が一定の電流増幅率で振幅されたものと、第２のベース１３に流れ込む信号波の電流が一定の電流増幅率で振幅されたものとの和に相当する電流が流れる。
具体的には、例えば第１のベース１２に図４（Ａ）に示す波形を有する搬送波が入力され、第２のベース１３に図４（Ｂ）に示す波形を有する信号波が入力されると、コレクタ１１には、図４（Ｃ）に示す波形を有する電流が流れる。
【００３７】
そして、コレクタ１１に電流が流れる結果コレクタ１１に発生した電圧のうちの交流成分はコンデンサＣ３を通過し、コンデンサＣ３を通過した当該交流成分は、ダイオードＤのカソードに印加される。
ダイオードＤは、自らのカソードに印加された電圧（すなわち、コレクタ１１に発生した電圧の交流成分）が、直流電源の負極の電圧を基準として正極性であるときは、その電圧をコンデンサＣ４及び変成器Ｔの一次巻線の両端に印加し、負極性である場合は、実質的に短絡する。従って、コンデンサＣ４及び変成器Ｔの一次巻線の両端には、コレクタ１１に発生した電圧の交流成分の各サイクルのうち極性が正極性である部分に相当する電圧が印加される。
【００３８】
具体的には、例えばコレクタ１１に図４（Ｃ）に示す波形を有する電流が流れた場合、コンデンサＣ４及び変成器Ｔの一次巻線の両端には、図５（Ａ）に示す波形を有する電圧が印加される。
【００３９】
コンデンサＣ４及び変成器Ｔの一次巻線が形成する並列共振回路の両端に、コレクタ１１に発生した電圧の交流成分のうち極性が正極性である部分に相当する電圧が印加されると、変成器Ｔの二次巻線には、この並列共振回路の両端に印加された電圧にほぼ比例した電圧が誘起される。
【００４０】
そして、コレクタ１１に発生した電圧がこの並列共振回路の両端に印加されない期間、この並列共振回路は、この期間が来る直前に印加されていた半サイクル分の電圧の極性を反転させた電圧にほぼ等しい自己誘導電圧を発生する。その結果、変成器Ｔの二次巻線には、当該自己誘導電圧に比例した電圧が発生する。
【００４１】
以上の動作の結果、変成器Ｔの二次巻線の両端には、第１のベース１２に入力された搬送波を第２のベース１３に入力された信号波により振幅変調したものである振幅変調波が発生する。
具体的には、例えば、コンデンサＣ４及び変成器Ｔの一次巻線の両端に図５（Ａ）に示す波形を有する電圧が印加された場合、変成器Ｔの二次巻線の両端には、図５（Ｂ）に示す波形を有する電圧が発生する。そして、変成器Ｔの二次巻線の両端に発生した当該電圧は、第１のベース１２に入力された、図４（Ａ）に示す波形を有する搬送波が、第２のベース１３に入力された、図４（Ｂ）に示す波形を有する信号波により振幅変調されたもの（すなわち振幅変調波）にあたる。
【００４２】
なお、この振幅変調回路においては、搬送波が第２のベース１３に入力され、信号波が第１のベース１２に入力されてもよい。
また、ダイオードＤの接続は、図に示す接続と逆になっていてもよい。すなわち、ダイオードＤのアノードがコンデンサＣ３、Ｃ４及び変成器Ｔの一次巻線のそれぞれの一端に接続され、カソードが外部の直流電源の負極に接続されていてもよい。
【００４３】
また、図６に示す回路（すなわち、図３に示す回路から、コンデンサＣ３及びＣ４と、ダイオードＤと、変成器Ｔとを除き、搬送波発生源ＣＳ及び信号発生源ＳＳを、任意の電気信号を出力する第１及び第２の信号源に置き換えた回路）を、加算回路として用いてもよい。
具体的には、第１の信号源から第１のベース１２に第１の信号を入力し、第２の信号源から第２のベース１３に第２の信号を入力した場合にコレクタ１１に発生する電圧を、第１及び第２の信号の振幅を加算した結果を表すものとして、コレクタ１１に接続された出力端から出力するようにしてもよい。
【００４４】
また、この振幅変調回路の構成は、図７に示す通りであってもよい。すなわち、図３に示す回路より、コンデンサＣ３、抵抗器Ｒ３及びダイオードＤを除き、コンデンサＣ４及び変成器Ｔの一次巻線が形成する並列共振回路を、トランジスタＱのコレクタ端子Ｃと外部の直流電源の正極との間に接続するようにしてもよい。
【００４５】
この場合、搬送波発生源ＣＳから第１のベース１２に入力される搬送波の振幅は、信号波発生源ＳＳから第２のベース１３に入力される信号がない場合に、コレクタ１１を流れる電流がほぼフルスイングする値に設定される。
【００４６】
すなわち、該搬送波の振幅は、信号波発生源ＳＳから第２のベース１３に入力される信号がない場合において、該搬送波の瞬時値が最高値に達する時点で、コレクタ１１を流れる電流がほぼ飽和状態に至り、該搬送波の瞬時値が最低値に達する時点で、コレクタ１１を流れる電流がほぼ遮断状態に至るよう設定される。なお、飽和状態においてコレクタ１１を流れる電流の値は、外部の直流電源の電圧を、コンデンサＣ４と変成器Ｔの一次巻線とからなる並列共振回路のインピーダンスで除した値にほぼ等しい。
【００４７】
そして、第２のベース１３に入力される信号がない場合にコレクタ１１を流れる電流がほぼフルスイングする振幅に設定された上述の搬送波が第１のベース１２に入力され、第２のベース１３に信号波が入力されると、コレクタ１１には、搬送波及び信号波をそれぞれ一定の電流増幅率で増幅したものの和にあたるコレクタ電流が流れる。
該コレクタ電流が流れる結果、コンデンサＣ４及び変成器Ｔの一次巻線からなる並列共振回路の両端には、該コレクタ電流の値に比例した値の電圧が発生する。ただし、該電圧の値の上限は、直流電源の電圧の値にほぼ等しい。
【００４８】
具体的には、例えば、図８（Ａ）に示す波形を有する搬送波が第１のベース１２に入力され、第２のベース１３に図８（Ｂ）に示す波形を有する信号波が入力されたとする。この場合、図８（Ａ）に示す搬送波の振幅が、第２のベース１３に入力される信号がない場合にコレクタ１１を流れる電流がほぼフルスイングするような振幅であれば、コンデンサＣ４及び変成器Ｔの一次巻線からなる並列共振回路の両端には、図８（Ｃ）に示す波形を有する電圧が発生する。
【００４９】
この並列共振回路の両端に発生する電圧は、第１のベース１２に入力された搬送波を第２のベース１３に入力された信号波により振幅変調したものである振幅変調波の各サイクルのうち、極性が負極性である部分に、外部の直流電源の電圧を加算したものを表す。
【００５０】
そして、この並列共振回路の両端に発生する電圧の交流成分により、この並列共振回路は励起され、この並列共振回路には、該交流成分の振幅にほぼ比例した量の電流が流れる。このとき、変成器Ｔの二次巻線には、この電流に比例した電圧（すなわち、コンデンサＣ４及び変成器Ｔの一次巻線の両端に発生する電圧に比例した電圧）が誘起される。
また、この並列共振回路の両端に発生する電圧がほぼ０である期間、この並列共振回路は、この期間が来る直前に流れた、振幅変調波の半サイクル分の電流の向きを逆転させたものにほぼ等しい自己誘導電流を流す。その結果、変成器Ｔの二次巻線には、この自己誘導電流に比例した電圧が誘起される。
【００５１】
以上の動作の結果、変成器Ｔの二次巻線の両端に発生する電圧は、第１のベース１２に入力された搬送波を第２のベース１３に入力された信号波により振幅変調したものである振幅変調波を表す。
具体的には、例えば、コンデンサＣ４及び変成器Ｔの一次巻線の両端に図８（Ｃ）に示す波形を有する電圧が印加された場合、コンデンサＣ４及び変成器Ｔの一次巻線からなる並列共振回路には、図８（Ｄ）に示す波形を有する電流が流れる。そして、変成器Ｔの二次巻線の両端に誘起される電圧の値は、該電流の値にほぼ比例した値となり、この電圧は、図８（Ａ）に示す波形を有する搬送波が、図８（Ｂ）に示す波形を有する信号波により振幅変調されたものである振幅変調波にあたる。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、簡単な構成で、低コストで製造できる信号合成回路及び振幅変調回路が実現され、また、このような信号合成回路及び振幅変調回路の製造を容易にするバイポーラトランジスタが実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態に係るトランジスタの構成を示す模式的断面図である。
【図２】図１のトランジスタの変形例を示す模式的断面図である。
【図３】この発明の第２の実施の形態に係る振幅変調回路の構成を示す回路図である。
【図４】（Ａ）は搬送波の波形を表すグラフ、（Ｂ）は信号波の波形を表すグラフ、（Ｃ）はコレクタに流れる電流の波形を表すグラフである。
【図５】（Ａ）はダイオードのカソードに発生する電圧の波形を表すグラフ、（Ｂ）は振幅変調波の波形を表すグラフである。
【図６】加算回路の構成を示す回路図である。
【図７】図３の振幅変調回路の変形例を示す回路図である。
【図８】（Ａ）は搬送波の波形を表すグラフ、（Ｂ）は信号波の波形を表すグラフ、（Ｃ）はコレクタに流れる電流の波形を表すグラフ、（Ｄ）は並列共振回路に流れる電流の波形を表すグラフである。
【符号の説明】
１１ コレクタ
１２ 第１のベース
１３ 第２のベース
１４ エミッタ
Ｃ コレクタ端子
Ｂ１ 第１のベース端子
Ｂ２ 第２のベース端子
Ｅ エミッタ端子
Ｃ１〜Ｃ４ コンデンサ
Ｄ ダイオード
Ｔ 変成器
Ｒ１〜Ｒ３ 抵抗器
ＣＳ 搬送波発生源
ＳＳ 信号発生源

Claims (5)

1. 第１導電型のコレクタと、
   前記コレクタに共通に接合され、絶縁分離された第２導電型の複数のベースと、
   前記複数のベースに共通に接合された第１導電型のエミッタと、
   から構成されていることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
2. 前記複数のベースの少なくとも一つと前記エミッタとが接合されている部分の面積は、該ベースと前記コレクタとが接合されている部分の面積より小さい、ことを特徴とする請求項１に記載のバイポーラトランジスタ。
3. 請求項１または２に記載のバイポーラトランジスタと、
   前記バイポーラトランジスタの前記コレクタと前記エミッタに接続され、前記複数のベースに供給された各前記信号の振幅を合成した結果を表す信号を生成する出力回路と、
   を具備することを特徴とする信号合成回路。
4. 請求項１または２に記載のバイポーラトランジスタと、
   前記バイポーラトランジスタの前記コレクタと前記エミッタに接続され、前記２つのベースの一方に印加された前記搬送波を前記２つのベースの他方に印加された前記信号波で振幅変調したものを表す信号を生成する出力回路と、
   を具備することを特徴とする振幅変調回路。
5. 前記バイポーラトランジスタは、前記搬送波及び前記信号波を加算した信号のうち瞬時値が所定の範囲内である部分を抽出したものを表す半波信号を生成し、該半波信号を前記出力回路に供給する手段を備え、
   前記出力回路は、前記バイポーラトランジスタから供給された前記半波信号の交流部分を表す信号を生成することにより、前記搬送波を前記信号波で振幅変調したものを表す前記信号を生成する手段を備える、
   ことを特徴とする請求項４に記載の振幅変調回路。

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