JP3557096B2 - Signal input circuit - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、交流入力信号のレベルに応じて、所定の信号処理を実行する為の基となる2値信号を出力する信号入力回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
図2は従来の信号処理回路を示す回路ブロック図である。
【0003】
図2において、抵抗(1)(2)、(3)(4)、(5)(6)は各々電源VDDと接地VSSとの間に直列接続され、各抵抗(1)(2)、(3)(4)、(5)(6)の接続点から直流電圧V1、V2、V3を出力するものである。尚、前記直流電圧はV3<V1<V2の関係を有する。容量結合コンデンサ(7)の一端は抵抗(1)(2)の接続点と接続される。即ち、容量結合コンデンサ(7)は、交流入力信号Vinの直流成分を除去して交流成分のみを通過させる。従って、交流入力信号Vinは、抵抗(1)(2)の接続点において直流電圧V1に重畳した状態で変化する。コンパレータ(8)は、−端子が抵抗(3)(4)の接続点と接続され、+端子が抵抗(1)(2)の接続点と接続される。即ち、コンパレータ(8)は直流電圧V1、V2の大小を相対比較し、直流電圧V1が直流電圧V2より高くなった時にハイレベルを出力する。一方、コンパレータ(9)は、−端子が抵抗(1)(2)の接続点と接続され、+端子が抵抗(5)(6)の接続点と接続される。即ち、コンパレータ(9)は直流電圧V1、V3の大小を相対比較し、直流電圧V1が直流電圧V3より低くなった時にハイレベルを出力する。従って、直流電圧V2、V3の電位差は交流入力信号Vinに対するヒステリシスとなり、交流入力信号Vinのレベルが直流電圧V2以上、直流電圧V3以上直流電圧V2未満、直流電圧V3未満の何れであるのかがコンパレータ(8)(9)により検出される。RSフリップフロップ(10)のS(セット)端子はコンパレータ(8)の出力端子と接続され、R(リセット)端子はコンパレータ(9)の出力端子と接続される。従って、交流入力信号Vinのレベルが直流電圧V2以上となった時、RSフリップフロップ(10)はコンパレータ(8)のハイレベル出力でセットされQ(出力)端子からハイレベルを出力する。また、交流入力信号Vinのレベルが直流電圧V3未満となった時、RSフリップフロップ(10)はコンパレータ(9)のハイレベル出力でリセットされQ端子からローレベルを出力する。また、交流入力信号Vinのレベルが直流電圧V3以上直流電圧V2未満に存在する時、コンパレータ(8)(9)のローレベル出力に伴い、RSフリップフロップ(10)はセットもリセットもされることなくQ端子出力は前の状態を保持したままとなる。前記ヒステリシスは、交流入力信号Vinの振幅検出に使用される。
【0004】
図3は図2の動作を示すタイムチャートである。例えば、RSフリップフロップ(10)の出力Voutのハイレベルを検出して信号処理を実行する場合、交流入力信号Vinのレベルが直流電圧V2以上となってから直流電圧V3未満となるまでの期間に、前記信号処理が実行される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の信号処理回路は、コンパレータ(8)(9)及びRSフリップフロップ(10)の構成素子数(MOSトランジスタ数)が多い為、コストが高く、集積化してもチップ面積が大きくなってしまう問題があった。また、交流入力信号Vinが重畳する直流電圧V1は直流電圧V2、V3の中間であることが望ましいが、チップ上において抵抗(1)(2)及びMOSトランジスタの特性が各々異なるばらつき方をする為、現状では、抵抗(1)(2)の抵抗比を調整して直流電圧V1を直流電圧V2、V3の中間値に設定することは困難であり、例えば、交流入力信号Vinの或るレベルにノイズが重畳した場合、本来ならば出力信号Voutが変化する筈のない時点で変化してしまう等、使用者の意図に反して誤動作してしまう問題があった。また、従来の信号処理回路は常に動作している為、消費電流が大きくなる問題があった。
【0006】
そこで、本発明は、チップ面積の小型化、安定動作、低消費電流を実現できる信号処理回路を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記問題点を解決する為に成されたものであり、第1の閾値電圧と前記第1の閾値電圧より低い第2の閾値電圧を有し、交流入力信号のレベルに応じて前記第1又は第2の閾値電圧の何れか一方が設定される入力回路と、前記入力回路の出力をハイレベル及びローレベルから成る2値信号に変換する変換回路と、前記交流入力信号を重畳させる前記第1及び第2の閾値電圧の中点直流電圧を発生するバイアス回路と、少なくとも前記入力回路又は前記バイアス回路の何れか一方の貫通電流を停止させる貫通電流停止回路と、前記入力回路又は前記バイアス回路の貫通電流を停止させた時、前記変換回路の出力を一方の論理値に固定する固定回路と、を備えたことを特徴とする。
【0008】
また、前記バイアス回路は、前記交流入力信号の経路と接続され、前記交流入力信号を重畳させる前記第1及び第2の閾値電圧の中点直流電圧を発生する第1バイアス回路と、前記交流入力信号の経路とは独立し、前記第1バイアス回路を動作させる第2バイアス回路と、から成ることを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の詳細を図面に従って具体的に説明する。
【0010】
図1は本発明の信号処理回路を示す回路図である。
【0011】
図1において、P型MOSFET(11)(12)及びN型MOSFET(13)(14)は第1バイアス回路を構成し、4個のMOSFET(11)(12)(13)(14)のドレインソース路は直列接続され且つその中のP型MOSFET(11)のソースは電源VDDと接続され、4個のMOSFET(11)(12)(13)(14)のゲートは共通接続された状態となっている。P型MOSFET(15)(16)及びN型MOSFET(17)(18)は第2バイアス回路を構成し、4個のMOSFET(15)(16)(17)(18)のドレインソース路は直列接続され且つその中のP型MOSFET(15)のソースは電源VDDと接続され、4個のMOSFET(15)(16)(17)(18)のゲートは共通接続され且つP型MOSFET(16)及びN型MOSFET(17)の共通ドレインと短絡された状態となっている。P型MOSFET(16)及びN型MOSFET(17)の共通ドレインはP型MOSFET(11)(12)及びN型MOSFET(13)(14)の共通ゲートと接続され、即ち、第1バイアス回路は第2バイアス回路の出力で動作し、第1バイアス回路を構成するP型MOSFET(12)及びN型MOSFET(13)の共通ドレインから直流電圧V1を出力する。容量結合コンデンサ(19)は、交流入力信号Vinの直流成分を除去し交流成分を通過させるものである。即ち、P型MOSFET(12)及びN型MOSFET(13)の共通ドレインからは交流入力信号Vinが直流電圧V1に重畳した状態で出力される。
【0012】
尚、第1バイアス回路は、交流入力信号Vinの経路とは全く独立した第2バイアス回路の出力で動作して直流電圧V1を出力する為、第1バイアス回路は交流入力信号Vinの変化の影響を受けることなく安定した直流電圧V1を出力する。
【0013】
P型MOSFET(20)(21)、N型MOSFET(22)(23)、NANDゲート(24)、P型MOSFET(25)及びN型MOSFET(26)は入力回路を構成する。尚、後述するが、図1の信号入力回路が動作する時はNANDゲート(24)の一方の入力信号はハイレベルである。4個のMOSFET(20)(21)(22)(23)のドレインソース路は直列接続され且つその中のP型MOSFET(20)のソースは電源VDDと接続され、4個のMOSFET(20)(21)(22)(23)のゲートは共通接続され且つ前段のP型MOSFET(12)及びN型MOSFET(13)の共通ドレインと接続され、P型MOSFET(21)及びN型MOSFET(22)の共通ドレインはNANDゲート(24)の他方の入力端子と接続される。P型MOSFET(25)はP型MOSFET(20)と並列接続され、第1の閾値電圧を与えるものである。N型MOSFET(26)はN型MOSFET(23)と並列接続され、第2の閾値電圧を与えるものである。NANDゲート(24)の出力端子はP型MOSFET(25)及びN型MOSFET(26)のゲートと接続される。
【0014】
インバータ(27)は前段のNANDゲート(24)の論理を反転するものである。即ち、交流入力信号Vinが直流電圧V1より高い時は、出力信号Voutはローレベルとなり、交流入力信号Vinが直流電圧V1より低い時は、出力信号Voutはハイレベルとなる。
【0015】
N型MOSFET(28)は、第1バイアス回路、第2バイアス回路、入力回路の貫通電流を停止させる貫通電流停止回路を構成し、ドレインはN型MOSFET(14)(18)(23)(26)のソースと接続され、ソースは接地される。また、NANDゲート(24)及びインバータ(27)は固定回路を構成する。そして、N型MOSFET(28)のゲート及びNANDゲート(24)の一方の入力端子には制御信号が供給される。即ち、制御信号がハイレベルの時は、信号処理回路は通常動作するが、制御信号がローレベルの時は、N型MOSFET(28)のオフに伴い、第1バイアス回路、第2バイアス回路、入力回路の貫通電流を停止させて消費電流の低減を図り、更に、NANDゲート(24)を閉じて交流入力信号Vinの状態に関係なくインバータ(27)の出力をローレベルに固定する。
【0016】
最近の集積回路は複数の機能を1チップ上に集約してシステム化する傾向が高い。動作モードによっては、一部の機能を動作させ、残りの機能を停止させる場合もあり得る。この場合、残りの機能の電流路を遮断する手段を設けないと、消費電流が無駄に増大してしまい好ましくない。そこで、制御信号を使用し、N型MOSFET(28)及びNANDゲート(24)を制御することにより、信号入力回路の消費電流を低減することができる。
【0017】
以下、制御信号がハイレベルの場合の動作について説明する。
【0018】
先ず、交流入力信号Vinが直流電圧V1より低い側に変化すると、P型MOSFET(20)(21)がオンし、インバータ(24)の入力端子が電源VDD側と接続され、P型MOSFET(25)がNANDゲート(24)のローレベル出力を受けてオンする。従って、P型MOSFET(20)(21)(25)の合成インピーダンスがP型MOSFET(20)(21)の合成インピーダンスより小さくなり、NANDゲート(24)の入力電圧が上昇する。即ち、入力回路には第1の閾値電圧が設定される。また、交流入力信号Vinが直流電圧V1より高い側に変化すると、N型MOSFET(22)(23)がオンし、NANDゲート(24)の入力端子が接地VSS側と接続され、N型MOSFET(26)がインバータ(24)のハイレベル出力を受けてオンする。従って、N型MOSFET(22)(23)(26)の合成インピーダンスがN型MOSFET(22)(23)の合成インピーダンスより小さくなり、NANDゲート(24)の入力電圧が下降する。即ち、入力回路には第2の閾値電圧が設定される。
【0019】
以上より、
▲1▼第1又は第2の閾値電圧が設定される為、交流入力信号Vinの変動を第1及び第2の閾値電圧の範囲内のヒステリシスで吸収できる。
【0020】
▲2▼従来より素子数が少ない為、信号入力回路を集積化した際にチップ面積を小さくできる。
【0021】
▲3▼抵抗を用いずMOSトランジスタだけでバイアス回路を構成する為、全MOSトランジスタのサイズを等しく設定することによりMOSトランジスタの特性ばらつきを均一とでき、基準電圧V1をヒステリシス幅の中間値に設定でき、信号入力回路の誤動作を防止できる。
【0022】
▲4▼交流入力信号Vinの変化の影響を受けない基準電圧V1を出力できる為、信号入力回路の安定動作を実現できる。
【0023】
▲5▼制御信号を用いることにより、動作状況に応じてバイアス回路及び入力回路の貫通電流を停止させて消費電流を低減できる。
といった効果を奏する。
【0024】
【発明の効果】
本発明によれば、第1又は第2の閾値電圧が設定される為、交流入力信号の変動を第1及び第2の閾値電圧の範囲内のヒステリシスで吸収できる。また、従来より素子数が少ない為、信号入力回路を集積化した際にチップ面積を小さくできる。また、抵抗を用いずMOSトランジスタだけでバイアス回路を構成する為、全MOSトランジスタのサイズを等しく設定することによりMOSトランジスタの特性ばらつきを均一とでき、交流入力信号の重畳電圧をヒステリシス幅の中間値に設定でき、信号入力回路の誤動作を防止できる。また、交流入力信号の変化の影響を受けない重畳電圧を出力できる為、信号入力回路の安定動作を実現できる。動作状況に応じてバイアス回路及び入力回路の貫通電流を停止させて消費電流を低減できる。といった利点が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明の信号入力回路を示す回路図である。
【図2】
従来の信号入力回路を示す回路図である。
【図3】
図2の動作を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
(11)(12)(13)(14) 第1バイアス回路
(15)(16)(17)(18) 第2バイアス回路
(20)(21)(22)(23)(24)(25)(26) 入力回路
(28) N型MOSFET
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a signal input circuit that outputs a binary signal serving as a basis for executing predetermined signal processing according to the level of an AC input signal.
[0002]
[Prior art]
FIG. 2 is a circuit block diagram showing a conventional signal processing circuit.
[0003]
In FIG. 2, resistors (1), (2), (3), (4), (5), and (6) are connected in series between a power supply VDD and a ground VSS, respectively, and the resistors (1), (2), ( 3) DC voltages V1, V2 and V3 are output from the connection points of (4), (5) and (6). The DC voltage has a relationship of V3 <V1 <V2. One end of the capacitive coupling capacitor (7) is connected to a connection point between the resistors (1) and (2). That is, the capacitive coupling capacitor (7) removes the DC component of the AC input signal Vin and passes only the AC component. Therefore, the AC input signal Vin changes while being superimposed on the DC voltage V1 at the connection point between the resistors (1) and (2). The comparator (8) has a negative terminal connected to a connection point of the resistors (3) and (4), and a positive terminal connected to a connection point of the resistors (1) and (2). That is, the comparator (8) relatively compares the magnitudes of the DC voltages V1 and V2, and outputs a high level when the DC voltage V1 becomes higher than the DC voltage V2. On the other hand, the comparator (9) has a negative terminal connected to a connection point of the resistors (1) and (2), and a positive terminal connected to a connection point of the resistors (5) and (6). That is, the comparator (9) relatively compares the magnitudes of the DC voltages V1 and V3, and outputs a high level when the DC voltage V1 becomes lower than the DC voltage V3. Therefore, the potential difference between the DC voltages V2 and V3 becomes a hysteresis with respect to the AC input signal Vin, and the comparator determines whether the level of the AC input signal Vin is DC voltage V2 or more, DC voltage V3 or more and less than DC voltage V2, or less than DC voltage V3. (8) Detected by (9). The S (set) terminal of the RS flip-flop (10) is connected to the output terminal of the comparator (8), and the R (reset) terminal is connected to the output terminal of the comparator (9). Therefore, when the level of the AC input signal Vin becomes equal to or higher than the DC voltage V2, the RS flip-flop (10) is set by the high level output of the comparator (8) and outputs a high level from the Q (output) terminal. When the level of the AC input signal Vin becomes lower than the DC voltage V3, the RS flip-flop (10) is reset by the high level output of the comparator (9) and outputs a low level from the Q terminal. When the level of the AC input signal Vin is equal to or higher than the DC voltage V3 and lower than the DC voltage V2, the RS flip-flop (10) is set and reset according to the low level output of the comparators (8) and (9). And the Q terminal output keeps the previous state. The hysteresis is used for detecting the amplitude of the AC input signal Vin.
[0004]
FIG. 3 is a time chart showing the operation of FIG. For example, when signal processing is performed by detecting the high level of the output Vout of the RS flip-flop (10), the signal processing is performed during a period from when the level of the AC input signal Vin becomes equal to or higher than the DC voltage V2 until it becomes lower than the DC voltage V3. , The signal processing is performed.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional signal processing circuit has a large number of components (the number of MOS transistors) of the comparators (8) and (9) and the RS flip-flop (10), so that the cost is high and the chip area becomes large even when integrated. There was a problem. It is desirable that the DC voltage V1 on which the AC input signal Vin is superimposed is intermediate between the DC voltages V2 and V3. However, since the characteristics of the resistors (1) and (2) and the characteristics of the MOS transistors vary on a chip, they vary. At present, it is difficult to set the DC voltage V1 to an intermediate value between the DC voltages V2 and V3 by adjusting the resistance ratio of the resistors (1) and (2). For example, it is difficult to set the DC voltage V1 to a certain level of the AC input signal Vin. When the noise is superimposed, there is a problem that the output signal Vout may change at a point where the output signal Vout should not change, and may malfunction against the user's intention. In addition, since the conventional signal processing circuit is constantly operating, there is a problem that current consumption is increased.
[0006]
Therefore, an object of the present invention is to provide a signal processing circuit capable of realizing a small chip area, stable operation, and low current consumption.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been made to solve the above problems, and has a first threshold voltage and a second threshold voltage lower than the first threshold voltage, and according to the level of an AC input signal. An input circuit for setting one of the first and second threshold voltages, a conversion circuit for converting an output of the input circuit into a binary signal having a high level and a low level, and superimposing the AC input signal A bias circuit that generates a midpoint DC voltage of the first and second threshold voltages, a through current stop circuit that stops a through current of at least one of the input circuit and the bias circuit, the input circuit or A fixed circuit for fixing the output of the conversion circuit to one logical value when the through current of the bias circuit is stopped.
[0008]
A first bias circuit connected to a path of the AC input signal and configured to generate a midpoint DC voltage of the first and second threshold voltages for superimposing the AC input signal; And a second bias circuit that operates the first bias circuit independently of a signal path.
[0009]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The details of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
[0010]
FIG. 1 is a circuit diagram showing a signal processing circuit of the present invention.
[0011]
In FIG. 1, P-type MOSFETs (11) and (12) and N-type MOSFETs (13) and (14) constitute a first bias circuit, and drains of four MOSFETs (11), (12), (13) and (14). The source paths are connected in series, the source of the P-type MOSFET (11) therein is connected to the power supply VDD, and the gates of the four MOSFETs (11) (12) (13) (14) are connected in common. Has become. The P-type MOSFETs (15) and (16) and the N-type MOSFETs (17) and (18) constitute a second bias circuit, and the drain-source paths of the four MOSFETs (15), (16), (17) and (18) are connected in series. The source of the P-type MOSFET (15) connected thereto is connected to the power supply VDD, and the gates of the four MOSFETs (15) (16) (17) (18) are commonly connected and the P-type MOSFET (16) And the common drain of the N-type MOSFET (17). The common drain of the P-type MOSFET (16) and the N-type MOSFET (17) is connected to the common gate of the P-type MOSFETs (11) and (12) and the N-type MOSFETs (13) and (14). It operates with the output of the second bias circuit, and outputs a DC voltage V1 from the common drain of the P-type MOSFET (12) and the N-type MOSFET (13) constituting the first bias circuit. The capacitive coupling capacitor (19) removes the DC component of the AC input signal Vin and passes the AC component. That is, the AC input signal Vin is output from the common drain of the P-type MOSFET (12) and the N-type MOSFET (13) while being superimposed on the DC voltage V1.
[0012]
Since the first bias circuit operates with the output of the second bias circuit completely independent of the path of the AC input signal Vin and outputs the DC voltage V1, the first bias circuit is affected by the change of the AC input signal Vin. A stable DC voltage V1 is output without receiving.
[0013]
The P-type MOSFETs (20) and (21), the N-type MOSFETs (22) and (23), the NAND gate (24), the P-type MOSFET (25), and the N-type MOSFET (26) constitute an input circuit. As will be described later, when the signal input circuit of FIG. 1 operates, one input signal of the NAND gate (24) is at a high level. The drain-source paths of the four MOSFETs (20) (21) (22) (23) are connected in series and the source of the P-type MOSFET (20) therein is connected to the power supply VDD, and the four MOSFETs (20) (21) The gates of (22) and (23) are commonly connected and connected to the common drain of the preceding P-type MOSFET (12) and N-type MOSFET (13), and the P-type MOSFET (21) and the N-type MOSFET (22) ) Is connected to the other input terminal of the NAND gate (24). The P-type MOSFET (25) is connected in parallel with the P-type MOSFET (20) and provides a first threshold voltage. The N-type MOSFET (26) is connected in parallel with the N-type MOSFET (23), and provides a second threshold voltage. The output terminal of the NAND gate (24) is connected to the gates of the P-type MOSFET (25) and the N-type MOSFET (26).
[0014]
The inverter (27) inverts the logic of the preceding NAND gate (24). That is, when the AC input signal Vin is higher than the DC voltage V1, the output signal Vout is at a low level, and when the AC input signal Vin is lower than the DC voltage V1, the output signal Vout is at a high level.
[0015]
The N-type MOSFET (28) constitutes a through current stopping circuit for stopping a through current of the first bias circuit, the second bias circuit, and the input circuit, and the drains of the N-type MOSFETs (14) (18) (23) (26) ) And the source is grounded. The NAND gate (24) and the inverter (27) form a fixed circuit. A control signal is supplied to the gate of the N-type MOSFET (28) and one input terminal of the NAND gate (24). That is, when the control signal is at a high level, the signal processing circuit operates normally, but when the control signal is at a low level, the first bias circuit, the second bias circuit, The through current of the input circuit is stopped to reduce current consumption, and the NAND gate (24) is closed to fix the output of the inverter (27) to a low level regardless of the state of the AC input signal Vin.
[0016]
In recent integrated circuits, there is a high tendency to integrate a plurality of functions on one chip to form a system. Depending on the operation mode, some functions may be operated and the remaining functions may be stopped. In this case, if a means for interrupting the current path of the remaining functions is not provided, current consumption is unnecessarily increased, which is not preferable. Therefore, by using the control signal to control the N-type MOSFET (28) and the NAND gate (24), the current consumption of the signal input circuit can be reduced.
[0017]
Hereinafter, the operation when the control signal is at the high level will be described.
[0018]
First, when the AC input signal Vin changes to a side lower than the DC voltage V1, the P-type MOSFETs (20) and (21) are turned on, the input terminal of the inverter (24) is connected to the power supply VDD, and the P-type MOSFET (25) is connected. ) Is turned on in response to the low level output of the NAND gate (24). Therefore, the combined impedance of the P-type MOSFETs (20), (21) and (25) becomes smaller than the combined impedance of the P-type MOSFETs (20) and (21), and the input voltage of the NAND gate (24) increases. That is, the first threshold voltage is set in the input circuit. When the AC input signal Vin changes to a side higher than the DC voltage V1, the N-type MOSFETs (22) and (23) are turned on, the input terminal of the NAND gate (24) is connected to the ground VSS, and the N-type MOSFET ( 26) receives the high level output of the inverter (24) and turns on. Therefore, the combined impedance of the N-type MOSFETs (22) (23) and (26) becomes smaller than the combined impedance of the N-type MOSFETs (22) and (23), and the input voltage of the NAND gate (24) decreases. That is, the second threshold voltage is set in the input circuit.
[0019]
From the above,
(1) Since the first or second threshold voltage is set, the fluctuation of the AC input signal Vin can be absorbed by the hysteresis within the range of the first and second threshold voltages.
[0020]
{Circle around (2)} Since the number of elements is smaller than in the past, the chip area can be reduced when the signal input circuit is integrated.
[0021]
{Circle around (3)} Since the bias circuit is composed of only MOS transistors without using a resistor, the characteristics of the MOS transistors can be made uniform by setting the size of all the MOS transistors equal, and the reference voltage V1 is set to an intermediate value of the hysteresis width. Thus, malfunction of the signal input circuit can be prevented.
[0022]
(4) Since the reference voltage V1 which is not affected by the change of the AC input signal Vin can be output, the stable operation of the signal input circuit can be realized.
[0023]
{Circle around (5)} By using the control signal, the through current of the bias circuit and the input circuit is stopped according to the operation state, and the current consumption can be reduced.
This has the effect.
[0024]
【The invention's effect】
According to the present invention, since the first or second threshold voltage is set, the fluctuation of the AC input signal can be absorbed by the hysteresis within the range of the first and second threshold voltages. Further, since the number of elements is smaller than in the conventional case, the chip area can be reduced when the signal input circuit is integrated. Also, since the bias circuit is composed of only MOS transistors without using a resistor, the characteristics of the MOS transistors can be made uniform by setting the size of all the MOS transistors to be equal, and the superimposed voltage of the AC input signal is set to an intermediate value of the hysteresis width. To prevent malfunction of the signal input circuit. In addition, since a superimposed voltage that is not affected by a change in the AC input signal can be output, a stable operation of the signal input circuit can be realized. The current consumption can be reduced by stopping the through current of the bias circuit and the input circuit according to the operation state. Such advantages can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG.
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a signal input circuit according to the present invention.
FIG. 2
FIG. 9 is a circuit diagram showing a conventional signal input circuit.
FIG. 3
3 is a time chart showing the operation of FIG.
[Explanation of symbols]
(11) (12) (13) (14) First bias circuit (15) (16) (17) (18) Second bias circuit (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) Input circuit (28) N-type MOSFET

Claims (2)

第1の閾値電圧と前記第1の閾値電圧より低い第2の閾値電圧を有し、交流入力信号のレベルに応じて前記第1又は第2の閾値電圧の何れか一方が設定される入力回路と、
前記入力回路の出力をハイレベル及びローレベルから成る2値信号に変換する変換回路と、
前記交流入力信号を重畳させる前記第1及び第2の閾値電圧の中点直流電圧を発生するバイアス回路と、
少なくとも前記入力回路又は前記バイアス回路の何れか一方の貫通電流を停止させる貫通電流停止回路と、
前記入力回路又は前記バイアス回路の貫通電流を停止させた時、前記変換回路の出力を一方の論理値に固定する固定回路と、
を備えたことを特徴とする信号入力回路。
An input circuit having a first threshold voltage and a second threshold voltage lower than the first threshold voltage, wherein one of the first and second threshold voltages is set according to the level of an AC input signal When,
A conversion circuit for converting the output of the input circuit into a binary signal comprising a high level and a low level;
A bias circuit that generates a midpoint DC voltage between the first and second threshold voltages on which the AC input signal is superimposed;
A through current stop circuit for stopping at least one of the through current of the input circuit or the bias circuit;
When the through current of the input circuit or the bias circuit is stopped, a fixed circuit that fixes the output of the conversion circuit to one logical value,
A signal input circuit comprising:
前記バイアス回路は、前記交流入力信号の経路と接続され、前記交流入力信号を重畳させる前記第1及び第2の閾値電圧の中点直流電圧を発生する第1バイアス回路と、前記交流入力信号の経路とは独立し、前記第1バイアス回路を動作させる第2バイアス回路と、から成ることを特徴とする請求項1記載の信号入力回路。A first bias circuit that is connected to a path of the AC input signal and generates a midpoint DC voltage of the first and second threshold voltages that superimposes the AC input signal; 2. The signal input circuit according to claim 1, further comprising a second bias circuit that operates the first bias circuit independently of a path.
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