JP3552752B2 - 光ディスクの記録方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、光ディスクの記録方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
書換可能な光磁気ディスクはすでに実用化されている。しかし、現行の光磁気ディスクは情報を書き換える場合、一旦旧情報を消去してから新情報を記録する必要があり、データ転送速度が遅いといった欠点があった。この欠点を克服するため、オーバライト方式の提案がなされている。特に、従来においては磁界変調方式が最も主流なもので、例えば特開平3−214447号公報の“光磁気記録方法”に示されており、このものはレーザー光を連続的に照射しながら、磁界の向きを記録すべきデータに対応させて反転させる方式である。
【0003】
以下、図面を参照しながら従来の磁界変調記録方式について説明する。図45は従来の磁界変調記録方式の基本構成を示す図である。図において、116は光磁気ディスク、117はレーザ光、118は磁界変調ヘッドである。
【0004】
磁界変調記録方式は、ディスクにレーザ光を連続照射しつつ外部磁界の向きを信号に応じて反転することによって記録を行うものである。光磁気ディスク116上の記録したい領域にレーザ光117を照射することで、記録磁性層をキュリー温度以上に加熱して、磁化を消失させる。この時、光磁気ディスク116を挟んで光学ピックアップの反対側に設けられた磁界変調ヘッド118に流す電流の方向を、記録したいデータの“1”か“0”かに対応して反転することで、“N”か“S”かの磁界が発生する。
【0005】
光磁気ディスク116上のレーザ光117によって加熱された領域は、ディスクの回転に伴いレーザ光117の照射位置から外れて行く。それに従って、この領域の温度は低下し、記録磁性層のキュリー温度以下に低下した時にデータの“1”か“0”かに対応した“N”か“S”かの磁界が記録される。この方式では、書換え信号は記録前の磁化方向とは無関係に記録されるため、オーバーライトが可能となる。
【0006】
このように、基本的に記録ピット自体が表現することのできる値が“0”または“1”の2値情報であり、記録密度を向上させるためにはピット長やピット間隔を小さくすることにより、ある程度の高密度化は可能であるが、この場合、ピット長やピット間隔はレーザ光のスポット径に依存しているため、再生における高密度化が制限される問題がある。
【0007】
これを図を参照して詳細に説明する。図46は収差のない光学系におけるMTFを示す図である。一般に、記録再生における周波数特性は、光学系の伝達関数であるMTF(Modulation Transfer Function)で表現される。収差のない光ピックアップの光学系におけるMTFは波長λ、対物レンズの開口数NAを用いて図46のようになる。図の横軸は空間周波数を示し、MTF=0での空間周波数2NA/λをカットオフ周波数と呼ぶ。
【0008】
カットオフ周波数におけるピット長は信号の再生が可能な限界値を示しており、これより小さなピットは全く読み出すことができない。通常、安定的に再生ができる目安としてカットオフ周波数の半分が選ばれており、これから求められるピット長が最短ピット長となる。
【0009】
したがって、磁界変調記録方式において高密度記録を行う場合、記録に際しては印加磁界を高速変調することにより高密度化が可能であるが、再生に関しては再生時に読み取ることのできるピット長が上述のMTF特性によって決定されるために高密度記録化に限界が生じることになる。しかし、これに対しては、超解像再生方式やSHG素子を用いた短波長レーザ再生等が提案されており、これら技術を用いることにより、再生に関与するレーザスポットを小さくすることにより高密度に記録したピットを再生することができる。
【0010】
磁界変調記録のもう一つの問題点は、高速変調に限界があることである。光変調記録においては、一般的に半導体レーザーがGHz程度の高速変調に耐えれるため、光ディスク記録の分野においては、まったく問題ないレベルまで十分に高速変調可能である。しかし、磁界変調記録においては磁気ヘッドの変調コイルに大きなインダクタンス成分があるため、記録周波数を上げればあげるほど、記録電流を流しにくくなるといった問題があった。
【0011】
VTRや磁気ディスクに用いられている磁気ヘッドは、コアの大きさが小さく、さらに記録電流も数十mA〜200mA程度で、接触記録をしているため磁気ヘッドの発生磁界もあまり大きくない。そのため、このような磁気記録用ヘッドにおいては数十MHzといった高い周波数で駆動することが可能であった。これに対し、光磁気記録に用いられる磁界変調ヘッドは、通常の光磁気ディスクの場合300(Oe)以上の発生磁界が必要で、しかもレーザースポットがディスク偏芯に追従している範囲である数百μm〜数mmの領域にわたって上記磁界の強さが維持される必要があった。
【0012】
これら問題に対して、現在すでに実用化されているMDプレーヤ等では、ディスク偏芯がある程度大きくても磁界変調記録が可能となるようコアの大きさを大きくする反面、記録磁界が100〜150(Oe)程度であっても、光磁気記録が可能となるように媒体組成が改良されている。またCD相当の記録周波数1.5MHz程度で磁界変調記録しているため、上記インダクタンスの影響が小さい領域で使用している。
【0013】
しかし、今後のマルチメディアディスクに代表されるような映像情報等をディジタル化した信号を記録しようとした場合、3MHz以上の高い記録周波数が必要となる他、オーディオ用のみならずデータ用に用いた際にも、高い転送レートが必要となることは言うまでもない。このような高い転送レートを実現するための磁界変調ヘッドの構造は、どうしてもコアが小さく同様にインダクタンスの小さい構造をとらざるえない。その結果、磁界をかけることができる範囲が、せいぜい100μm程度となり、光スポットがトラッキングに追従する範囲である数百μmから数mmまでの範囲をカバーできなくなる。
【0014】
ただし、ISO規格であるODD装置等においては、ディスクの機械的偏芯量がCD等の民生用ディスクに比べてきびしく抑えられている他、光ヘッド全体を駆動させるリニアモータと併用してトラッキング動作を行う2段結合方式が実用化されており、磁界変調ヘッドに対する光スポットの動きは小さく抑えられている。そのため、コアの小さい高周波変調用の磁界変調ヘッドを用いることも可能である。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
従来の磁界変調方式においては、記録用光スポットが照射されている媒体領域に所定の磁界をかける必要があるため、ディスク偏光があっても、上記記録用光スポットが磁界変調ヘッドの所定強度の磁界範囲におさまるように、磁界変調ヘッドのコアを十分大きくしなければならなかった。しかし、上記磁界変調ヘッドのコアが大きいため磁界変調ヘッドのインダクタンス成分が増大し、記録周波数を高くすることができなくなるといった問題点があった。さらに、空気浮上タイプの磁界変調ヘッドを用いた場合は、ディスク回転数や線速度の変化に応じて浮上量が変動し、媒体上の磁界速度が変動するだけでなく、低線速ディスクの場合、所定の浮上量が得られず媒体と接触してしまうといった問題点があった。
【0016】
本発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、ディジタル映像データ等のビットレートの高い信号の記録を行うために、磁界変調ヘッドのコアの大きさが小さくても安定な光磁気記録が可能で、従来は極めて困難であった光ヘッドと磁気ヘッドとの位置合わせが不要となるような、磁界変調ヘッドにおけるトラッキング可能な光ディスクの記録方法を得ることを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に係る光ディスクの記録方法は、光ヘッドにより焦点を結んで走査スポットとなる走査ビームによって情報面を光学的に走査し、情報の記録時に上記ディスク基盤上の上記走査スポットが照射されるディスク媒体における外部磁界を変調する磁界変調ヘッドにより情報の記録を行う光ディスクの記録方法において、間欠的もしくは断続的に形成された、情報面を光学的に走査するための凹凸ピットもしくは溝による光ビーム走査用トラックの、上記間欠部分あるいは断続部分をトラッキング方向に整列させることにより巨視的な反射率変化領域を設け、発光部により上記反射率変化領域よりも大きな光スポットで上記反射率変化領域を照射し、上記磁界変調ヘッドに取り付けられた受光部により、上記反射率変化領域からの反射光を受光し、上記反射率変化領域による反射光量変化を検出することで、上記磁界変調ヘッドと上記光ヘッドとのトラッキング方向相対位置ずれ量を検出するものである。
【0018】
本発明の請求項2に係る光ディスクの記録方法は、上記発光部が上記光ヘッドから出射されたレーザー光と同一な波長もしくは、ディスク板面上に形成された案内溝またはピット深さの4倍の波長からなる光を用いるものである。
【0019】
本発明の請求項3に係る光ディスクの記録方法は、上記受光部が2分割光検知器からなり、上記2分割検知器の検出出力の和をとることにより上記磁界変調ヘッドと上記光ヘッドとの相対位置ずれ量を、上記2分割検知器の検出出力の差をとることにより上記磁界変調ヘッドと上記ディスクとの距離を検出するものである。
【0020】
本発明の請求項4に係る光ディスクの記録方法は、上記受光部からの和信号に基いて、上記発光部の発光光量が一定となるようなフィードバック制御を行う手段を設けたものである。
【0021】
本発明の請求項5に係る光ディスクの記録方法は、上記光ヘッドが、ディスク内外周の所定のトラックにアクセスするための、粗アクチュエータを有し、上記磁界変調ヘッドと上記光ヘッドとの相対位置ずれ量を、上記光ヘッド全体をトラッキング方向に動かす粗アクチュエータにフィードバックすることで、上記磁界変調ヘッドと上記光ヘッドとの位置合わせを行うものである。
【0022】
本発明の請求項6に係る光ディスクの記録方法は、上記磁界変調ヘッドが、光ヘッドに対しトラッキング方向に変位可能な構造を有し、かつ上記磁界変調ヘッドをトラッキング方向に動かすためのアクチュエータを備え、上記磁界変調ヘッドと上記光ヘッドとの相対位置ずれ量を、上記磁界変調ヘッドをトラッキング方向に動かすアクチュエータにフィードバックすることで、上記磁界変調ヘッドと上記光ヘッドとの位置合わせを行うものである。
【0023】
本発明の請求項7に係る光ディスクの記録方法は、上記巨視的な反射率変化領域が、光ヘッドからの光ビームをトラッキングするためのトラッキング方向にずれた複数のサンプルピットと、上記サンプルピットと組み合わせてデータパターン配列をなすための判定ピット及びセクターのアドレス情報を含むピットとを含む、光ディスクのピット列から構成されるとともに、上記磁界変調ヘッドがトレースすべきトラックに対し、上記サンプルピットの集合部分をトラッキング方向にずらして配置するものである。
【0024】
本発明の請求項8に係る光ディスクの記録方法は、上記巨視的な反射率変化領域が、光ディスク板面上に形成された連続案内溝からなるトラックにおいて、間欠的に設けられたトラックオフセット検出用の鏡面部もしくはアドレス検出用のアドレス情報をプリフォーマットしたピット列が、連続するトラック間でトラッキング方向に整列しており、上記複数のトラックを単位としてなる大きな鏡面部が、上記単位の前後においてヘッド走査方向に位置するものである。
【0025】
本発明の請求項9に係る光ディスクの記録方法は、上記反射率変化領域が、上記間欠部分あるいは上記断続部分を上記複数のトラックにわたりトラッキング方向に整列させることにより、上記複数のトラックを1つの単位として形成されたものであり、上記反射率変化領域が、上記磁界変調ヘッドが走査するトラックを中心としてトラッキング方向にずれ、かつ上記トラックの長手方向にもずれた位置に2つ設けられ、これら2つの反射率変化領域を上記磁界変調ヘッドが順次走査するときに時間的にずれて得られる、上記2つの反射率変化領域からの反射光量の差をとり、この差を磁界変調ヘッドのトラッキングずれを示す情報として用いるものである。
【0026】
本発明の請求項10に係る光ディスクの記録方法は、上記複数のトラックを1つの単位としてなる巨視的な反射率変化領域として、上記2つの反射率変化領域の他に、上記磁界変調ヘッドの走査トラック上に1つの反射率変化領域が設けられているものである。
【0027】
本発明の請求項11に係る光ディスクの記録方法は、上記反射率変化領域として、上記2つの反射率変化領域の他に、上記磁界変調ヘッドの走査トラック上に複数の反射率変化領域が設けられており、上記複数の反射率変化領域からの反射率を検出することによって、上記磁界変調ヘッド走査トラックのアドレス番地を検出するものである。
【0028】
【作用】
本発明の請求項1に係る光ディスクの記録方法においては、磁界変調ヘッドに取付けられた反射率計測手段により、ディスク板面上の巨視的な反射率変化を計測することで磁界変調ヘッドと光ヘッドから出射された光スポットとの相対位置ずれ量を検出する。
【0029】
本発明の請求項2に係る光ディスクの記録方法においては、ディスク板面上の案内溝もしくは凹凸ピットの深さは、光ヘッドからのレーザー光の波長にあわせている。そのため、これによる巨視的な反射率変化領域での反射率計測を同一波長の光を有するLEDで行うことにより、回折を生じせしめる。さらに、溝もしくはピットの回折現象を最大限に利用するため、検出光学系の波長を選択し、ピット列もしくは溝の有無による回折を効果的に再現し、大きな反射率変化を得る。
【0030】
本発明の請求項3に係る光ディスクの記録方法においては、反射率計測手段からの和信号から磁界変調ヘッドのトラッキング信号が、差信号から磁界変調ヘッドの浮上量が検出される。
【0031】
本発明の請求項4に係る光ディスクの記録方法においては、和信号振幅が一定となるため、発光光量が常に一定に保たれる。
【0032】
本発明の請求項5に係る光ディスクの記録方法においては、粗アクチュエータを動かすことにより、磁界変調ヘッドが可動できない固定された簡単な構造を有する光ディスクドライブであっても、光スポット位置の側を磁界変調ヘッドに対して動かせば、常に光スポットと磁界変調ヘッドとの相対位置を合わせられる。
【0033】
本発明の請求項6に係る光ディスクの記録方法においては、磁界変調ヘッドの側を可動構成にし、必要走査トラックに追従させるようにしているので、大きなディスクの偏芯があっても、常に光スポットと磁界変調ヘッドとの相対位置を合わせられる。
【0034】
本発明の請求項7に係る光ディスクの記録方法においては、サンプルサーボ用ピット列が微視的には光スポットのトラッキングを行うために、複数が集合した巨視領域では磁界変調ヘッドのトラッキングを行うためにに利用される。
【0035】
本発明の請求項8に係る光ディスクの記録方法においては、鏡面部もしくはアドレス用ピット列が集合した巨視領域で、磁界変調ヘッドのトラッキングを行うためにエラー信号をLED等を用いた光学系により検出する。
【0036】
本発明の請求項9に係る光ディスクの記録方法においては、2つの反射率検出変化領域からの検出信号を2値化することにより、ディジタルの固定パターンを発生させ、上記固定パターンをマッチングさせることにより、上記反射率変化領域の存在位置を確定することにより、上記検出信号の信号レベルをホールドした回路の差をとり、トラッキングエラー信号を得る。
【0037】
本発明の請求項10に係る光ディスクの記録方法においては、3つの反射率変化領域からの検出パターンをパターンマッチングし、反射率検出信号の信号レベルをホールドしたサンプルホールド回路の出力を比較することによりトラッキングエラー信号を得る。
【0038】
本発明の請求項11に係る光ディスクの記録方法においては、磁界変調ヘッドの走査トラック上に存在する複数の反射率変化領域からの検出信号を2値化することにより、磁界変調ヘッド走査トラックのアドレス番地を得る。
【0039】
【実施例】
実施例1.
図1はサンプルサーボピットによる磁界変調ヘッドのトラッキングのための巨視的反射率変化領域を示すプリフォーマット図である。図において、1はウオブルピット、2はウオブルピット判別及びアドレス判別用プリピット、3はいくつかのプリフォーマットピット1及び2で形成された第一の巨視的な反射率低下領域、4は3と同様に形成された第二の反射率低下領域である。図2は大きなサンプルサーボピットによる磁界変調ヘッドのトラッキングのための巨視的反射率変化領域を示すプリフォーマット図である。図において、33はウオブルピット、34はウオブルピット判別用のパターンマッチングピット、35はセクターのアドレスピット、31は第一の巨視的な反射率低下領域、32は第二の巨視的な反射率変化領域である。また、n(G)は磁界変調ヘッドが走査すべきトラックで、n(1)〜は光スポットが追従すべきトラックである。
【0040】
図3は鏡面部の集合による磁界変調ヘッドのトラッキングのための巨視的反射率変化領域を示すプリフォーマット図である。図において、75はトラック案内溝、76はいくつかの鏡面部を集合した巨視的な鏡面領域、74はセクターのアドレスマークで、α(1),α(2)は磁界変調ヘッドが走査すべきトラックである。図4は図1〜図3における反射率変化領域の模視図であり、巨視的な反射率可変領域であるサンプルピットの集合及び鏡面部の集合を示している。図において、6は磁界変調ヘッド、7はLED素子等の発光素子、5は磁界変調ヘッドを搭載したスライダー、8はLED7によるディスク盤面上の光スポット、9は磁界変調ヘッド6からの発生磁界範囲である。
【0041】
図5は図4の模視図の拡大図である。図6および図7は図1〜図5の媒体を用いた磁界変調ヘッドのトラッキング制御系を示すブロック図である。図において、10は反射光量を電気信号に変換するため例えばフォトダイオード等からなる受光素子、11はトラッキング方向に磁界変調ヘッドを動かすための圧電素子、12はディスクに対して磁界変調ヘッドを押し当てるためのバネである。また、13は光ヘッド、14は対物レンズ、15は対物レンズをトラッキング方向に動かすためのトラッキングコイル、16はハーフミラー、17はレーザ、18は光検知器、19は光検知器における受光量を電圧に変換するI−V変換回路、20,21はI−V変換回路からの振幅情報をホールドするためのサンプルホールド回路、24はサンプルホールド回路20,21の振幅情報の差をとる事によりトラキンッグエラー信号を得るための作動アンプ、25は光スポットのトラッキング制御回路である。
【0042】
また、26は磁界変調ヘッドに取り付けられた受光器における受光量を電圧に変換するためのI−V変換回路、27,28はI−V変換回路26からの振幅情報をホールドするためのサンプルホールド回路、29はサンプルホールド回路27,28の出力の差をとり磁界変調ヘッドのトラックエラー信号を生成するための作動アンプ、30は磁界変調ヘッドのトラッキング制御回路である。図8は図6の信号動作を示すタイミング図である。
【0043】
次に動作について説明する。図1及び図2のように、サンプルサーボピットエリアが集合していると、このサンプルサーボピット自身は例えば780nmの波長のレーザー光を集光した1μmの光スポットに対してトラッキングを行うものであるが、このサンプルピットの集合領域をかたまりとして、より大きなスポット径を持つ例えばLEDによる光スポットでもトラッキングできるようになる。特に光ヘッドにおける半導体レーザーの波長とLEDの波長を同じにしておけば、溝75もしくはスポット1,2,33,34,35の深さがレーザーの波長に対して回折しやすくなっているため、LEDによりトラッキングを行った場合でもLEDの光を効率よく乱反射もしくは回折し、十分な反射光量変化が得られる。
【0044】
次にトラッキングの方法であるが、図1〜図3までに示したピットエリア及び鏡面部の集合を図示すると、図4及び図5のようになる。図に示したように、巨視的な領域はサンプルサーボピットのようにウオブルしており、図4のα(1)・・・に示されるトラックに磁気ヘッドをトラッキングさせるような構成となっている。例えば図5のように磁界変調ヘッドに搭載されたLED素子からの光スポット8によってトラッキングを行っても、磁界変調ヘッドからの出射磁界が9の範囲で出射されておればα(3)からα(2)の間に光スポットがトラッキングしていても十分にカバーできることは言うまでもない。
【0045】
実際のトラッキング動作は以下のように行われる。第6図に示すように磁界変調ヘッドに取り付けられたLED素子7からの出射光8をフォトダイオード10で受光する。このフォトダイオードにおける光電流をI−V変換した信号は、図1〜図3に示した反射率変化領域を通過する事により、図8の(ロ)のような反射光量信号となって取り出される。この信号を図中(イ)のレベルでスライスすると(ハ)の2値データが得られる。これをPLL回路55に入力させクロックを生成させると(ニ)のようなクロック信号が得られる。ここで、パターンマッチング回路によって、クロック信号(ニ)で2値データ(ハ)をデータ判別し、あらかじめ設定してあるパターン(この場合は、(ハ)のデータと同じようなパターン)とマッチングさせる。また、(ハ)の2値データがハイレベルの場合、(ニ)のクロックのたち下がりで出力する信号(ホ)と(ヘ)を生成し、この信号でサンプルホールド回路27,28をホールドさせる。
【0046】
さらに、上述のパターンマッチング回路が反射光量信号(ロ)のパターンとマッチングしていると判断した場合、(カ)のパターンマッチング判定信号を出力する。ちなみにこの図では、10100・・がマッチングパターンである。この判定出力(カ)に基づいて、サンプルホールド回路58をサンプルさせる事によって磁界変調ヘッド5のトラッキング誤差信号を得る事ができる。このトラッキング信号から磁気ヘッドトラッキング制御回路30により圧電素子11を駆動する事で、磁界変調ヘッド5をディスク上のトラックα(2)にトラッキングする事が可能となる。また、ディスク表面のキズ等で反射光量が変化しても、キズによる反射光量の変化が上述したマッチングパターンと同一でない限り、サンプルホールド回路58をサンプルしないため、トラッキングエラー信号が生成されない利点がある。また、図7のように、情報記録のための光スポットが媒体のサンプルサーボピットを通過する際に得られるタイミング信号によって、磁界変調ヘッドの反射率変化領域のサンプルタイミングをとる事も可能である。
【0047】
実施例2.
図9は大きなサンプルサーボピットによる磁界変調ヘッドのトラッキングのための巨視的反射率変化領域で、パターンマッチング領域も含む方式を示すプリフォーマット図である。図において、33は光スポットのトラッキング情報を得るためのウオブルピット、34は上記ウオブルピットの存在を確認するためのパターンマッチング用ピット、35はセクターのアドレス番号を示すアドレスピット、39,40は上記ピットの集合による巨視的な領域でLEDからの光によって磁界変調ヘッドのトラッキング情報を得るためのウオブル領域、41は上記ウオブル領域の存在位置を確認するためのパターンマッチング領域である。
【0048】
図10は鏡面部の集合による磁界変調ヘッドのトラッキングのための巨視的反射率変化領域で、パターンマッチング領域も含む方式を示すプリフォーマット図であり、連続案内溝方式の場合における、プッシュプル法のトラッキングセンサーのオフセット除去のための鏡面部の配置を示している。図において、74はセクターアドレスがプリフォーマットされたピット、75は連続案内溝、76は鏡面部である。図11は図8〜図10までの反射率変化領域の模視図である。図において、α(1)〜α(3)は磁気ヘッドの追従トラック、39,40は磁気ヘッドがトラッキングする際のトラック情報を発生せしめるためウオブルに配置された反射率可変領域、41は磁気ヘッドがトラッキングする際上記39,40の配置を確定するためのパターンマッチング領域である。
【0049】
図12は図8〜図10の媒体を用いた磁界変調ヘッドのトラッキング制御系を示すブロック図である。図において、51は磁気ヘッドに取り付けられた受光器からの反射光量をコンパレートし反射光量変動を2値化するためのコンパレータ、52はコンパレータからの2値化情報の反射光量変動パターンをあらかじめ記憶してあるパターンと紹介し判別するためのパターンマッチング回路である。
【0050】
図13は図8〜図10の媒体を用いた磁界変調ヘッドのトラッキング制御系ブロックで、LEDパワー制御系を含んだ図である。図において、53は磁気ヘッドに取り付けられた受光器からの反射光量を検出しLEDの出射パワーを温度等の変動に対して一定に保つための制御ループを閉じるために必要なゲイン位相補償回路、54はLEDを駆動するためのLEDドライバー、55はパターンマッチング回路のマッチング精度を上げるためにクロックを生成するためのPLLクロック生成回路、56はシリアルデータをパラレルデータに変換するためのシフトレジスタ、57はパターンマチング回路、58はトラッキングエラー信号をホールドするためのサンプルホールド回路である。図14は図12の信号動作を示すタイミング図である。
【0051】
図15は磁界変調ヘッドの浮上量制御も同時に行った場合のブロック図であり、図12,図13のトラッキング制御回路ブロック図に、磁気ヘッドのディスク面鉛直方向に圧力を生じさせ、磁気ヘッドのスペーシング量を変化させるための制御系を追加している。図において、67は2分割された光検知器、68,69は2分割光検知器の光電流を電圧に変換するためのI−V変換器、70は鉛直方向制御系のループゲインを補償するためのゲイン補償、71は鉛直方向制御系のループの位相を補償するための位相補償回路、72は圧電素子のドライバー、73は磁気ヘッドを鉛直方向に変位させるための圧電素子である。
【0052】
図16は図15のトラック誤差及び浮上量の検出回路図である。図において、89は電流−電圧変換するためのI−V変換器、90はエラー信号生成のための作動増幅器、91は和信号生成器92,93はレーザーパワー変動を少なくするための制御ループの位相補償部、94はLEDドライバーである。
【0053】
次に動作について説明する。本来光ディスクにおいては、信号の記録再生を行うための光スポットをトラッキングさせるため、サンプルピットもしくは連続案内溝が設けられれている。この時、上記サンプルピットや上記連続案内溝に部分的に設けられれたオフセット補正用の鏡面部を隣接トラック間で図11のように配置する。詳細に示すと、例えばサンプルサーボ方式におけるサンプルピットの集合の場合図9のように、連続案内溝方式の鏡面部集合の場合図10のように配置する。このようにプリフォーマットされたディスクを用いて、図12や図13のような回路構成で磁界変調ヘッドのトラッキング動作を行う事ができる。この時、磁界変調ヘッド5に取り付けられたLED7からの反射光量を、例えばフォトダイオード等で構成された光検知器10で受光し、ディスク面での反射率変化領域である39,40,41を検出する。
【0054】
この反射光量変動は時間軸方向に観測すると、図14の(ロ)のような信号となって表される。この信号をコンパレータ51により(イ)の信号レベルでコンパレートすると、(ハ)のような信号となる。この(ハ)の信号を基にPLL回路55によってクロック(ニ)を生成する。同時に(ハ)の信号とクロック信号(ニ)から、(ホ)及び(ヘ)の信号を作成し、この信号でサンプルホールド回路27,28において反射光量検出信号(ロ)をサンプルし、トラックセンター位置からお互いにずれた位置に配置された反射率変化領域からの反射率検出信号(チ)(リ)を出力させる。次に、シフトレジスタ56及びパターンマッチング回路57によって(ハ)の信号が例えば“1010010”のパターン配列になっているかどうか判別しパターンがマッチングされている場合(ト)の信号を出力させる。この(ト)の信号の立ち上がりのタイミングによって作動回路29の出力をサンプルホールド回路58にてサンプルする事により磁界変調ヘッドのトラッキングエラー信号(ヌ)が得られる。これに基づき、ゲイン補償回路59及び位相補償回路60を介してピエゾドライバー61を動かし、圧電素子11を駆動する事で磁界変調ヘッドをディスク偏芯があってもトラックセンターであるα(1),α(2)α(3)・・等にトラッキングさせる事が可能となる。
【0055】
このようなパターンマッチングを行うことによって、ディスク面のキズやほこり等があっても上記”1010010”のパターン配列に偶然なっている確立はきわめて低いため、キズ等によりトラッキングエラー信号が乱されることは極めて少なく、傷等によって反射率変化領域が乱された場合でもパターンマッチングされなければ、ひとつ前のトラッキングエラー信号が保持されるため、トラッキング動作が乱されることはない。
【0056】
この時、反射率検出系であるLEDの出射パワーが、温度等によって変動すると、上記磁界変調ヘッドのトラッキング制御系におけるループゲインが変動してしまう問題点がある。この場合、第13図に示すように、検出器10からのI−V変換出力をゲイン位相補償回路53によって制御ループの安定補償を行い、LEDドライバー54からLED7の出射光量を制御することによって、LED7のパワー変動を小さくし、それによる反射率検出系のゲイン変動を抑える事が可能となる。この際、位相補償回路53において媒体にプリフォーマットした反射率変化領域39,40,41に上記LED7の制御ループが応答しないよう、補償回路のフィルターを低周波のみ通過させる特性とし、上記LED7の光量制御ループの制御帯域を十分低くしておく必要がある。
【0057】
また、さらに上記光検出器10を2分割の構成67となるようにすると、磁界変調ヘッド5の浮上量も検出可能となる。この時は、I−V変換68,69を図15のように構成し、I−V変換器68、69の差動によって得られた浮上量検出信号に基づいて、ゲイン補償回路70及び位相補償回路71により制御系を構成し、ピエゾドライバー72から圧電素子73を駆動する事により、磁界変調ヘッドの駆動量を一定に保つ事が可能となる。上述したような検出系は、具体的には図16のような回路構成で実現でき、両方のI−V変換器89の差動増幅器91からフォーカスエラー信号、和信号生成器90からトラッキング信号、さらにLEDの光量制御を行う事ができる。
【0058】
実施例3
図19は磁界変調ヘッドのトラッキング誤差信号が必要走査トラック中心付近で正確に得られるプリフォーマットを示す図である。図において、42,43,44は例えばサンプルサーボディスクの場合はサンプルピットの集合部分による反射率変化領域、連続案内溝ディスクの場合はプッシュプルセンサーのオフセット補正用に設けられた鏡面部の集合による反射率変化領域である。図20は磁界変調ヘッドのトラッキング誤差信号が、正確に得られるプリフォーマットを示す図である。図において、45,46,47は例えばサンプルサーボディスクの場合はサンプルピットの集合部分による反射率変化領域、連続案内溝ディスクの場合はプッシュプルセンサーのオフセット補正用に設けられた鏡面部の集合による反射率変化領域である。図21,図22,図23は図17〜図20におけるトラック誤差信号の特性図である。
【0059】
次に実施例の動作について説明する。実施例2の場合は巨視的な反射率変化領域を磁界変調ヘッドのトラッキングセンターに対してお互いにトラッキング方向及び線方向にずれる方向に配置し、さらに上記巨視的な反射率変化領域からなるウオブル領域の位置を判定し、さらにキズ等の誤検出を防ぐためにパターンマッチング用の領域を設けた。この場合でも、各トラックのセクターにおけるセクター長が変化しないように、ウオブル部の反射率変化領域における線方向にはパターンマッチング部が存在しないように配置している。すなわち、ウオブル部とパターンマッチング部とを線方向に重ならないようにしなければならない。この時ウオブル部が磁界変調ヘッドのトラッキング方向にお互いにずれた2つの領域しか存在しない図17および図18の場合は、磁界変調ヘッドに取り付けられれたLEDによるトラックエラー信号の特性を、横軸にトラックずれ、縦軸に信号変化量をとると、図20の(a)のように飽和部分の大きい非線形な特性となって現れる。また、実施例2で示されるような、磁界変調ヘッドのトラックセンターにパターンマッチング領域を有し、2つのウオブル領域がトラックセンターを挟んでお互いに離れている場合は、トラックセンターにおける検出ゲインの小さい(c)のような特性となってしまう。
【0060】
しかし、ウオブル領域の配置を、図20の45,46のように配置すると、トラックエラー信号の線形性が改善され、図21の(b)のような特性が実現できる。ただし、ウオブル部の反射率変化領域に対して、LEDからの光スポットが小さすぎると図22(b)のようになる。この場合でも、実施例2で示した2つの部分しかないウオブル領域の場合は、図22の(a)のようになり飽和領域の極端に大きい、トラッキング制御が引き込みにくい特性となってしまう。逆に、ウオブル部の反射率変化領域に対して、LEDからの光スポット径が大きすぎると、図23のように線形には近づくが検出ゲインの小さい特性(b)となってしまう。この場合でも実施例1の場合は飽和領域の多い特性(a)となる。以上のように図20のように反射率変化領域をプリフォーマットすることで、磁界変調ヘッドのトラッキングエラー信号特性を線形化する事が可能となる。この時も、1トラックあたりのセクター長を一定にするため、それぞれの反射率変化領域は線方向に重ならないように配置しなければならない。
【0061】
実施例4
図24は磁界変調ヘッドの走査トラックにおいてアドレス情報も得られるプリフォーマットの図である。図において、45,46は磁界変調ヘッドのトラックエラー信号を生成するためのウオブル領域、48はウオブル領域の位置を確定するためのパターンマッチング領域、49,50は磁界変調トラックのアドレスを読みとるためのアドレス番地である。
【0062】
図25は図24の媒体を用いた磁界変調ヘッドのトラッキング制御系ブロック図である。図において、63はアドレス検知用のシフトレジスタ、65はアドレス判定及び追従トラック指示用のマイクロコンピュータ、64は情報記録用の光スポットのトラックにおけるセクターアドレスを検知するためのアドレス検出回路、66は磁界変調トラックのトラッキングにおいてトラックジャンオプさせるためのトラックジャンプ回路である。図26は図25の動作信号のタイミングチャートである。
【0063】
次に実施例の動作について説明する。磁界変調ヘッドによりトラッキング動作を行う場合は、ディスクの反対側にある光スポットのトラッキング位置が、磁界変調ヘッドからの記録磁界の必要強度磁界範囲に入っている必要がある。そのため、光スポットのトラッキングセクターと磁界変調のトラックを合わせる必要がある。磁界変調ヘッドの出射磁界範囲が広く機械的な位置精度で合わせられる場合は、このような磁界変調ヘッドトラックのアドレス検出は必要なくなるが、磁界変調ヘッドの出射磁界範囲が狭く、機械的な位置合わせでは光スポットとの整合が取れない場合、図24に示すように磁界変調トラックにおいてもアドレスを設ける必要がある。
【0064】
アドレス部における反射率変化領域の配置は、図24のように反射率変化領域がトラッキング方向に重ならないように配置する。このようにプリフォーマットされたディスクを用いてLEDからの反射光を検出した信号は、図26の(ロ)のような信号となっており、(イ)のスライスレベルでコンパレータ51でコンパレートする事により、(ハ)の信号を生成させる。この場合、(ハ)の信号における(ル)の部分がトラックエラー信号生成用の部分となり、(オ)の部分がセクター検知用信号となる。例えば第23のセクター配置の例では、約8bitのセクターアドレス領域が設けられ、図26の(ワ)における8bit範囲でアドレス検知される。さらに、図25のシフトレジスタ63とマイクロコンピュータ65によって、情報記録用光スポットのセクターと整合するように磁界変調ヘッドをトラックジャンプさせる。この時トラックジャンプ回路によってキックパルスとブレーキパルスを発生させ、トラッキングドライブ信号と加算する事によってジャンプ動作を行わせる。
【0065】
実施例5
図27(a)はトラッキングずれ検出が可能な磁界変調ヘッドの構造を示す図であり、図において、77は磁界変調ヘッドスライダー、78は磁界変調ヘッドの例えばフェライト等の高透磁率材料で構成されたコア、79はLED及びフォトダイオードで構成された反射率検出器である。
【0066】
図27(b)は図27(a)の磁界変調ヘッドを用いて、光ヘッド送り機構によって磁界変調ヘッドのトラッキング動作を行わせるための基本的なブロック図であり、図において、101は光ヘッド13と連動するために磁界変調ヘッドを動かすための固定部、116は光ヘッド及び磁界変調ヘッドを動かすためのモータ、117は送りのためのリードスクリュー雄ねじ、118は雌ねじが構成されている可動部、119は反射率検出器79から磁界変調ヘッドの位置ずれを検出するためのトラックエラー検出回路、120は磁界変調ヘッドと情報記録用の光スポットとの位置ずれを補正する信号を生成するトラック制御回路、121は情報記録のための光スポットをトラッキング制御するためのトラッキング制御回路、122は光ヘッド全体を動かすための送り制御回路である。
【0067】
図27(c)は図27(a)の磁界変調ヘッドを用いて、光ヘッド送り機構によって磁界変調ヘッドのトラッキング動作を行わせるもので、光ヘッドがリニアモータで駆動される構造で、かつ磁界変調ヘッドが光ヘッドと一体で駆動される構造となっている基本的なブロック図で、図において、124はリニアモータである。
【0068】
図27(d)は図27(a)の磁界変調ヘッドを用いて、光スポットと磁界変調ヘッドとを別々のトラッキング機構によって制御するもので、送り動作が光ヘッドと磁界変調ヘッドが一体で駆動される構成を示す図であり、図において、123は磁界変調ヘッド用トラッキング制御回路である。
【0069】
次に実施例の動作について説明する。図27(a)の磁界変調ヘッドはディスク面の反射率を検出するための検出器79が搭載されているため、上記実施例1〜4の方法でトラッキング誤差信号を得ることができる。上記1〜4の実施例においては、このトラッキングエラー信号を用いて、情報記録のための光スポットと磁界変調ヘッドを、別々のアクチュエータとトラッキング制御回路によって駆動する図27の(d)の方法で、磁界変調ヘッドのトラッキングを行っていたが、ディスクの偏芯成分にまで厳密に追従しなくても良い場合(磁界変調ヘッドの出射磁界範囲がある程度ディスク偏芯をカバーする場合)は、図27の(b),(c)の方法で磁界変調ヘッドの送り制御を行い、情報記録のための光スポットが常に磁界変調ヘッドの出射磁界範囲に納まるようにコントロールする事ができる。
【0070】
本来、光ヘッドを送る送り制御回路においては、トラッキングエラー信号の平均値がほぼトラックセンターを保持するように送りモータ116もしくはリニアモータ124を駆動する。この時、磁界変調ヘッドの位置を情報記録用光スポットの位置に合わせるためには、上記送りモータ116またはリニアモータ124への送り制御信号にオフセットを加える事が必要となる。そこで図27の(b),(c)に示したように、磁界変調ヘッドに取り付けられた検出器79から磁界変調ヘッドの位置ずれを、トラックエラー検出回路119にて検出し、磁界変調ヘッドのトラック制御120によってゲイン調整や高域ノイズの除去を行うとともに、制御ループを安定化するための位相補償を行い、磁界変調ヘッドの位置ずれ補正量を送り制御信号と加算した後、送りモータ116もしくはリニアモータ124を駆動する。
【0071】
このような磁界変調ヘッドの位置ずれ補正信号を、送り制御信号に加算する事によって、磁界変調ヘッドと光スポットとの位置ずれを、磁界変調ヘッドに新たな駆動機構要素を搭載しなくても、補正する事が可能となる。また、上記磁界変調ヘッドの位置ずれ補正信号が、ディスク偏芯成分も含んでおり、送り光ヘッドの送り機構の応答周波数が比較的高く、上記磁界変調ヘッド位置補正制御ループの制御帯域がディスク偏芯周波数よりも高い場合、上述の図27の(b),(c)の方式でもディスク偏芯に磁界変調ヘッドが追従可能となる。
【0072】
実施例6.
図28は浮上量検知とトラック誤差検知が可能な光センサーを示す図である。図において、81は検知器のベース、82は検出信号増幅用の磁界変調ヘッド上部に搭載された回路基板、83は銅泊が形成された検出信号出力用半田スペース、84は回路保護用のモールド材、85は光量検知用で例えば2分割フォトダイオード等で構成された受光部、86は例えばLED等で構成された発光部、87は信号線引き回し用の穴、88は上記受光部及び発光部が取り付けられた空間部、92はディスク媒体である。
【0073】
図29は浮上量検知とトラック誤差検知が可能な光センサー信号の増幅回路図である。図において、89は例えばフォトダイオードの光電流を電圧に変換するためのI−V変換回路、90は2つのフォトダイオードの信号を加算しトラックエラー信号を得るための加算器、91は2つのフォトダイオードからの信号の差を取りスペーシングエラー信号を得るための差動アンプである。
【0074】
図30はLED照射が垂直に出射可能で浮上量検知とトラック誤差検知が可能な光センサーを示す図であり、光検知器の構成が同芯円で2重の構造となっている磁界変調ヘッドのトラックずれとスペーシング距離とが検出可能な検出器の構造を示したいる。図において、93は光検知器のベース、94,95は例えばフォトダイオード等で構成された光検知器である。また、第30図は上記2つの同芯円検知器からの信号から位置ずれ検出信号を取り出すための回路構成を示したものである。
【0075】
次に実施例の動作を図において説明する。実施例2においては、磁界変調ヘッドを鉛直方向に変位させて媒体と磁界変調ヘッドとのスペースング量をコントロールする制御方法についても示したが、実際の検出手段としては、図27に示されるような方法が考えられる。この場合、LED86はディスク面に対して斜め出射されるため、検知器のベース81と媒体92の距離が変化するとLED86からの反射光は2分割検知器85上において分割線と直角の方向に移動する。そのそのため、2分割のフォトダイオードのI−V変換出力の差を取る事によりスペーシング量が観測できる。また総光量は実施例1〜3にて示したようにトラックエラー信号として用いる。この時、上述のセンサー信号は、センサー近傍ですぐ増幅しノイズの影響を受けにくくするため、検知器上に図28のように取付る事が望ましい。
【0076】
また、図31のような同芯円の2分割光検知器を設けると、LEDをディスク面に垂直に出射することが可能で、取付等が容易になる。この場合でも検出回路の構成は図28の場合と同じである。
【0077】
実施例7.
図32はトラッキング方向に変位可能な積層圧電素子による駆動機構を示す図である。図において、77はスライダー、79は光検知器である。また、図33はトラッキング方向と浮上量制御方向に変位可能な駆動機構を示す図である。図において、95は鉛直方向駆動用圧電素子である。また、図34はトラッキング方向に変位可能な板バネ形状圧電素子による駆動機構を示す図である。図において、95は板状圧電素子である。
【0078】
図35は電磁駆動によるトラッキング方向駆動機構を示す図である。図において、97は電磁駆動のためのマグネット、98は可動部においてトラッキング方向推力を与えるための駆動コイル、99は光ヘッドと一体に接続されたベース、100はトラッキング方向に変位させるための板バネである。図36は図35の側面図である。
【0079】
図37は電磁駆動によりトラッキング方向と鉛直方向に変位可能な駆動機構を示す図である。図において、101は鉛直方向制御のためのマグネット固定ベース、102は鉛直方向制御のための電磁駆動用マグネット、103は鉛直方向制御のための磁界変調ヘッドに取り付けられた電磁駆動用コイルである。図38は図37の上面図である。
【0080】
図39は磁界変調ヘッドを鉛直方向にダンピング制御をかけた駆動機構を示す図である。図において、104は磁界変調ヘッドスライダー77と固定部101との距離を検出するための光検知器、105はエラー信号を生成するための作動増幅器、106はダンピング制御系の位相補償回路、107は電磁駆動コイルの電流ドライバーである。図40は図39の上面図であり、図において、108は光検知器のI−V変換回路である。
【0081】
図41はトラッキング方向にダンピング制御可能な駆動機構を示す図である。図において、109は磁界変調ヘッドスライダー77と固定部101とのトラッキング方向位置を検知するための光センサーにおけるLED、110は上記光センサーの受光部、111はトラッキングエラー信号を生成作動増幅器、112はダンピング制御系の安定化を行うための位相補償回路、113はトラッキング方向に変位させるための電磁駆動コイルの電流ドライバーである。図42は図41の上面図で、図において、114は光検知器の出力のI−V変換器である。
【0082】
図43は鉛直方向とトラッキング方向の両方にダンピングが可能な駆動機構を示す図であり、固定部101と磁界変調ヘッドスライダー77との間におけるフォーカス方向,トラッキング方向変位量を1つの光学センサーで検出する方式を示している。図において、115は4分割光検出器である。図44は図43の上面図である。
【0083】
次に実施例の動作について説明する。磁界変調ヘッドをトラッキング方向に駆動させるためには、微小変位が可能なアクチュエータが必要となる。磁界変調ヘッドをトラッキング方向に変位させるためには図32に示したような圧電素子を用いた方法がある。図32の圧電素子11は例えば積層タイプのもので、圧電素子がのびちぢみする事によって磁界変調ヘッドスライダー77をトラッキング方向に変位させる。また、圧電素子が板バネ形状のものであっても図34のような構造とすることによってトラッキング方向変位が可能となる。ただし、図34の構造の場合は板バネ形状の圧電素子が歪む事によってトラッキング方向変位が行われるため、磁気ヘッドコア6が線方向にも動いてしまい、情報記録用の光スポットとの位置合わせが難しくなる。
【0084】
上記のトラッキング方向変位手段にさらに鉛直方向変位手段を組み合わせると、例えば図33のような構成が考えられる。この時鉛直方向に変位可能な積層型圧電素子95を図33のように取り付ける事によって、鉛直方向変位が可能となる。実際には磁界変調ヘッドスライダー77が下方からエア浮上力を受けているため、磁界磁界変調ヘッドを支持している板バネ12が磁界変調ヘッドスライダー77に与えている押し当て圧力を、上記圧電素子95の変位によって変化させることによって浮上量制御が行われる。
【0085】
図32〜図34までは、圧電素子を用いる事によって磁界変調ヘッドを変位させる方式であるが、電磁駆動によっても上記と同様な磁界変調ヘッド変位が可能である。例えば、図35,図36は電磁駆動力により磁界変調ヘッドのトラッキング方向変位を行わせた例で、図中固定部99に固定されたマグネット97に対し、磁界変調ヘッドスライダー77に取り付けられたコイル98にトラッキング制御のための駆動電流を流すことによって、板バネ100をトラッキング方向に変形させ、磁界変調ヘッドのトラッキング方向駆動が可能となる。
【0086】
また、同様に電磁駆動によってもトラッキング方向変位手段と鉛直方向変位手段との両方を兼ね備える事も可能で、例えば図37のようにコイルとマグネットを配置する事で可能となる。この時鉛直方向に変位させるためには、固定部分101を磁界変調ヘッドのスライダー77の上部まで延長し、マグネット97’を固定部に取り付けるとともに、磁界変調ヘッドスライダー77上部にコイル98’を取り付ける事によって、コイル103に鉛直方向制御電流を流す事で駆動可能となる。この場合も図33の場合と同様で、磁界変調ヘッドスライダー77が受けるエア浮上の反力に対し、磁界変調ヘッドを抑える板バネ12との力の釣合を変化させる事によって浮上量制御が可能となる。
【0087】
以上のトラッキング制御および鉛直方向制御は、特に電磁駆動方式の場合は板バネ12及び板バネ100を変形させ、磁界変調ヘッドの変位動作をさせる構成となっているため、板バネのバネ定数やダンピングファクタ及び磁界変調ヘッドの質量によっても、磁界変調ヘッドのトラッキング制御系におけるダンピング状態や安定性,引き込み特性等に大きな影響を与える。また、一般的に板バネで支持された構造は機械共振ピークゲインが大きく、制御しにくい場合が多い。そのため、トラッキング制御や鉛直方向制御系における制御対象の特性(駆動機構要素のダイナミクス)を電気的に調節できるようなダンピング回路を付加することが望ましい。
【0088】
そこで、図39に示すように固定部101と磁気ヘッドスライダー77間の距離を検出するためのの光学センサー102〜104とを取り付ける事によって、結果的に板バネ12の変形量を検出し、位相補償後ドライバー107を介して鉛直方向駆動コイル103を駆動する事によって、磁界変調ヘッドスライダーの鉛直方向位置を固定部101に対して位置制御する事が可能となる。また、差動増幅器105の反転出力に磁気ヘッド高さ制御電圧を加える事で、磁界変調ヘッドの高さ制御指令を与える事が可能となる他、位相補償回路106に微分要素をもたせる事によって鉛直方向制御ループにダンピングをかける事が可能となる。なお、図39の固定部101とスライダー77間の距離測定用の光学センサーは、図40にて示したように2分割のフォトダイオード104とスライダー77に対して斜め方向に出射するLED103及びLED103からの光を拡散しない平行光にするためのレンズ102から構成する事が可能である。
【0089】
また、図41,図42のようにトラッキング方向のダンピングも同様に行う事が可能で、LED109からの光を2分割フォトダイオード110で検出する事で、おのおのの光電流をI−V変換器114にて電圧に変換し、差動増幅器111により磁界変調ヘッドのトラッキング方向変位を検出し、位相補償した後ドライバー113を介してトラッキング方向制御をコイル98にて行う事が可能である。この場合も、図41に示すように差動増幅器直後に磁気ヘッドトラッキング方向制御電圧を加える事で、固定部101に対する磁界変調ヘッドスライダー77のトラッキング方向位置を位置決めする事が可能で、さらに位相補償回路112内に微分要素をもたせる事でダンピングをかける事が可能となる。図41で示す磁気ヘッドトラッキング方向制御電圧は、実際には実施例1〜3で示したディスク媒体からの磁界変調ヘッドのトラックずれ検出信号から得られたものを、トラッキング制御回路25を介して得られる制御指令電圧の事で、図41に示すダンピング制御系は制御対象である駆動機構要素と併せて、ダンピングにきいた一種の制御性の良いアクチュエータを外側から制御する構成となっている。
【0090】
上述の方法は、トラッキング方向と鉛直方向を別々の光学センサーで検出する方法を示したが、図43,図44に示す4分割の光検知器を用いて、1つの光学センサーで同時に検出する事が可能となる。この時検出信号の和や差を図43のように構成すると、磁界変調ヘッドトラッキング方向変位量と、鉛直方向変位量との両方が得られる。
【0091】
【発明の効果】
本発明の請求項1記載の光ディスクの記録方法によれば、ディスク板面上に反射率変化領域を形成することにより、磁界変調ヘッドと光ヘッドとの相対位置ずれ量に相当するトラックエラー信号を生成することが可能となり、結果的に光ヘッドと磁界変調ヘッドとの位置合わせが可能となる効果がある。
【0092】
本発明の請求項2記載の光ディスクの記録方法によれば、磁界変調ヘッドのトラック誤差の検出が、光を回折限界まで絞り込む必要のない、例えばLED等を用いた光学系や、集光レンズを用いない簡単な構成の光学系で行える。さらに、センサーの光波長を選択することで、反射率を観測する検出信号の振幅変化を最大にすることが可能となり、結果として磁界変調ヘッドのトラッキングエラー信号をS/N良く取り出すことが可能となる効果がある。
【0093】
本発明の請求項3記載の光ディスクの記録方法によれば、磁界変調ヘッドのトラッキングだけでなく、浮上量の制御も可能としたため、磁界変調ヘッドの浮上量を一定にすることが可能となった。そのため、常に、一定の磁界を光ディスクにかけることができ、結果的に記録特性が安定化される効果がある。
【0094】
本発明の請求項4記載の光ディスクの記録方法によれば、発光光量を一定に制御することによって、温度変化等により発生する検出信号のオフセットやゲイン変動を防ぎ、正確なトラックエラー信号を得ることで、結果的に磁界変調ヘッドのトラック追従精度が大幅に向上する効果がある。
【0095】
本発明の請求項5記載の光ディスクの記録方法によれば、磁界変調ヘッド単体で変位させるための微小変位アクチュエータを用いなくても光ヘッド送り機構のみで位置合わせが可能となるため、磁界変調ヘッドにアクチュエータが組込まれていない従来の磁界変調記録装置や、簡単な機構構成を有するドライブにおいても、磁界変調ヘッドと光スポットの位置合わせが可能となる効果がある。
【0096】
本発明の請求項6記載の光ディスクの記録方法によれば、ディスク偏芯等の変動に対しても磁界変調ヘッドが追従可能となり、大きなディスク偏芯がある光ディスクを用いた場合でも、光スポットと磁気ヘッドとの位置合わせが可能となる効果がある。
【0097】
本発明の請求項7記載の光ディスクの記録方法によれば、サンプルサーボ方式の光ディスクにおいても、磁界変調ヘッドのトラッキングが可能となるため、結果的にディジタル映像情報等に代表されるレートの高い信号をサンプルサーボディスクに磁界変調記録できる効果がある。
【0098】
本発明の請求項8記載の光ディスクの記録方法によれば、連続案内溝方式の光ディスクにおいても磁界変調ヘッドのトラッキングが可能となったため、コアが小さく高周波変調が可能な磁界変調ヘッドが使用でき、結果的に映像情報等のレートの高い信号を連続案内溝方式のディスクに磁界変調記録できる効果がある。
【0099】
本発明の請求項9記載の光ディスクの記録方法によれば、光ディスク板面上の傷や汚れ等が存在しても、2つの反射率変化領域からの検出信号がパターンマッチングして検出されるため、簡単な回路構成でトラッキングエラー信号の誤検出が回避でき、結果的に磁界変調ヘッドのトラックはずれをすることが可能となる効果がある。
【0100】
本発明の請求項10記載の光ディスクの記録方法によれば、3つの反射率変化領域からの検出パターンをマッチングさせることにより、傷や汚れ等による誤検出を確実に取り除き、磁界変調ヘッドのトラッキング制御におけるトラックはずれ等を確実に回避することが可能となる効果がある。
【0101】
本発明の請求項11記載の光ディスクの記録方法によれば、磁界変調走査トラックからアドレス番地を得ることにより、磁界変調ヘッドのトラッキング方向の存在位置を確認できる。特に、ゾーンCAVディスクのゾーン判定を磁界変調ヘッドの反射率検出光学系から行うことにより、情報を記録再生するための光スポットがトラッキングする前にモータ回転数を制御したり、データ記録再生用のクロックを切り換えることが可能となる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】サンプルサーボピットによる磁界変調ヘッドのトラッキングのための巨視的反射率変化領域を示すプリフォーマット図である。
【図2】大きなサンプルサーボピットによる磁界変調ヘッドのトラッキングのための巨視的反射率変化領域を示すプリフォーマット図である。
【図3】鏡面部の集合による磁界変調ヘッドのトラッキングのための巨視的反射率変化領域を示すプリフォーマット図である。
【図4】図1〜図3における反射率変化領域の模示図である。
【図5】図4の模示図の拡大図である。
【図6】図1〜図5の媒体を用いた磁界変調ヘッドのトラッキング制御系ブロック図である。
【図7】光ヘッドからのタイミングで磁界変調ヘッドのトラックエラーを生成するブロック図。
【図8】図7の信号動作を示すタイミング図である。
【図9】大きなサンプルサーボピットによる磁界変調ヘッドのトラッキングのための巨視的反射率変化領域で、パターンマッチング領域も含む方式を示すプリフォーマット図である。
【図10】鏡面部の集合による磁界変調ヘッドのトラッキングのための巨視的反射率変化領域で、パターンマッチング領域も含む方式を示すプリフォーマット図である。
【図11】図8〜図10までの反射率変化領域の模示図である。
【図12】図8〜図10の媒体を用いた磁界変調ヘッドのトラッキング制御系を示すブロック図である。
【図13】図8〜図10の媒体を用いた磁界変調ヘッドのトラッキング制御系ブロックで、LEDパワー制御系を含んだ図である。
【図14】図12の信号動作を示すタイミング図である。
【図15】磁界変調ヘッドの浮上量制御も同時に行った場合のブロック図である。
【図16】図15のトラック誤差及び浮上量の検出回路図である。
【図17】パターンマッチング領域とウオブル領域が1トラック程度おきに線方向に重ねて構成されているプリフォーマット図である。
【図18】図17の反射率変化領域の模示図である。
【図19】磁界変調ヘッドのトラッキング誤差信号が、必要走査トラック中心付近で正確に得られるプリフォーマットを示す図である。
【図20】磁界変調ヘッドのトラッキング誤差信号が、正確に得られるプリフォーマットを示す図である。
【図21】図17〜図20におけるトラック誤差信号の特性図である。
【図22】図17〜図20におけるトラック誤差信号の特性図である。
【図23】図17〜図20におけるトラック誤差信号の特性図である。
【図24】磁界変調ヘッドの走査トラックにおいてアドレス情報も得られるプリフォーマットの図である。
【図25】図24の媒体を用いた磁界変調ヘッドのトラッキング制御系ブロック図である。
【図26】図25の動作信号のタイミングチャートである。
【図27】トラック誤差検出が可能な磁界変調ヘッドの構造と制御方式の概略構成図である。
【図28】浮上量検知とトラック誤差検知が可能な光センサーを示す図である。
【図29】浮上量検知とトラック誤差検知が可能な光センサー信号の増幅回路図である。
【図30】LED照射が垂直に出射可能で浮上量検知とトラック誤差検知が可能な光センサーを示す図である。
【図31】図30の光センサー信号の増幅回路図である。
【図32】トラッキング方向に変位可能な積層圧電素子による駆動機構を示す図である。
【図33】トラッキング方向と浮上量制御方向に変位可能な駆動機構を示す図である。
【図34】トラッキング方向に変位可能な板バネ形状圧電素子による駆動機構を示す図である。
【図35】電磁駆動によるトラッキング方向駆動機構を示す図である。
【図36】図35の側面図である。
【図37】電磁駆動によりトラッキング方向と鉛直方向に変位可能な駆動機構を示す図である。
【図38】図37の上面図である。
【図39】鉛直方向にダンピング制御をかけた駆動機構を示す図である。
【図40】図39の上面図である。
【図41】トラッキング方向にダンピング制御可能な駆動機構を示す図である。
【図42】図41の上面図である。
【図43】鉛直方向とトラッキング方向の両方にダンピングが可能な駆動機構を示す図である。
【図44】図43の上面図である。
【図45】従来の磁界変調記録方式を示す図である。
【図46】光ディスク再生光学系におけるMTFカーブを示す図である。
【符号の説明】
1 サンプルピット、2 パターンマッチング及びアドレスピット、3,4,36〜50,76 反射率変化領域、5,118 磁界変調ヘッド、6 磁気ヘッド、7,86,103,109 LED、8 LEDによる光スポット、9 磁界範囲、10 光検知器、11,95,96 圧電素子、12,100 板バネ、13 光ヘッド、14 対物レンズ、15 対物レンズのトラッキングアクチュエータ、16 ハーフミラ−、17 半導体レーザ、18 光ヘッドの光検知器、19,26,108,114 IーV変換器、20,21,27,28,58 サンプルホールド回路、22 ヒステリシスコンパレータ、23,52,57 パターンマッチング回路、24,29 差動アンプ、25 光ヘッドのトラッキング制御回路、30 磁界変調ヘッドのトラッキング制御回路、54 LEDドライバー、55 PLL,クロック生成回路、56 シフトレジスタ、59 ゲイン補償回路、60 位相補償回路、61 ドライバー、62 記録アンプ、65 マイクロコンピュータ、66 トラックジャンプ回路、79 光検知器、81 ベース、82 センサー信号アンプ、85,94,95,104,110 2分割フォトダイオード、92,116 ディスク、97,97’ マグネト、98,98’ コイル、115 4分割フォトダイオード、117 情報記録のための光スポット。
Claims (11)
- 光ヘッドにより焦点を結んで走査スポットとなる走査ビームによって情報面を光学的に走査し、情報の記録時に上記ディスク基盤上の上記走査スポットが照射されるディスク媒体における外部磁界を変調する磁界変調ヘッドにより情報の記録を行う光ディスクの記録方法において、間欠的もしくは断続的に形成された、情報面を光学的に走査するための凹凸ピットもしくは溝による光ビーム走査用トラックの、上記間欠部分あるいは断続部分をトラッキング方向に整列させることにより巨視的な反射率変化領域を設け、発光部により上記反射率変化領域よりも大きな光スポットで上記反射率変化領域を照射し、上記磁界変調ヘッドに取り付けられた受光部により、上記反射率変化領域からの反射光を受光し、上記反射率変化領域による反射光量変化を検出することで、上記磁界変調ヘッドと上記光ヘッドとのトラッキング方向相対位置ずれ量を検出することを特徴とする光ディスクの記録方法。
- 上記発光部が上記光ヘッドから出射されたレーザー光と同一な波長もしくは、ディスク板面上に形成された案内溝またはピット深さの4倍の波長からなる光を用いたことを特徴とする請求項1記載の光ディスクの記録方法。
- 上記受光部が2分割光検知器からなり、上記2分割検知器の検出出力の和をとることにより上記磁界変調ヘッドと上記光ヘッドとの相対位置ずれ量を、上記2分割検知器の検出出力の差をとることにより上記磁界変調ヘッドと上記ディスクとの距離を検出することを特徴とする請求項1記載の光ディスクの記録方法。
- 上記受光部からの和信号に基いて、上記発光部の発光光量が一定となるようなフィードバック制御を行うことを特徴とする請求項3記載の光ディスクの記録方法。
- 上記光ヘッドが、ディスク内外周の所定のトラックにアクセスするための、粗アクチュエータを有し、上記磁界変調ヘッドと上記光ヘッドとの相対位置ずれ量を、上記光ヘッド全体をトラッキング方向に動かす粗アクチュエータにフィードバックすることで、上記磁界変調ヘッドと上記光ヘッドとの位置合わせを行うことを特徴とする請求項1記載の光ディスクの記録方法。
- 上記磁界変調ヘッドが、光ヘッドに対しトラッキング方向に変位可能な構造を有し、かつ上記磁界変調ヘッドをトラッキング方向に動かすためのアクチュエータを備え、上記磁界変調ヘッドと上記光ヘッドとの相対位置ずれ量を上記巨視的な反射率変化領域から検出するとともに、上記磁界変調ヘッドを上記アクチュエータにフィードバックすることで、上記磁界変調ヘッドと上記光ヘッドとの相対位置合わせを行うことを特徴とする請求項1記載の光ディスクの記録方法。
- 上記巨視的な反射率変化領域が、光ヘッドからの光ビームをトラッキングするためのトラッキング方向にずれた複数のサンプルピットと、上記サンプルピットと組み合わせてデータパターン配列をなすための判定ピット及びセクターのアドレス情報を含むピットとを含む、光ディスクのピット列から構成されるとともに、上記磁界変調ヘッドがトレースすべきトラックに対し、上記サンプルピットの集合部分をトラッキング方向にずらして配置することを特徴とする請求項1記載の光ディスクの記録方法。
- 上記巨視的な反射率変化領域が、光ディスク板面上に形成された連続案内溝からなるトラックにおいて、間欠的に設けられたトラックオフセット検出用の鏡面部もしくはアドレス検出用のアドレス情報をプリフォーマットしたピット列が、連続するトラック間でトラッキング方向に整列しており、上記複数のトラックを単位としてなる大きな鏡面部が、上記単位の前後においてヘッド走査方向に位置することを特徴とする請求項1記載の光ディスクの記録方法。
- 上記反射率変化領域が、上記間欠部分あるいは上記断続部分を上記複数のトラックにわたりトラッキング方向に整列させることにより、上記複数のトラックを1つの単位として形成されたものであり、上記反射率変化領域が、上記磁界変調ヘッドが走査するトラックを中心としてトラッキング方向にずれ、かつ上記トラックの長手方向にもずれた位置に2つ設けられ、これら2つの反射率変化領域を上記磁界変調ヘッドが順次走査するときに時間的にずれて得られる、上記2つの反射率変化領域からの反射光量の差をとり、この差を磁界変調ヘッドのトラッキングずれを示す情報として用いることを特徴とする請求項1記載の光ディスクの記録方法。
- 上記複数のトラックを1つの単位としてなる巨視的な反射率変化領域として、上記2つの反射率変化領域の他に、上記磁界変調ヘッドの走査トラック上に1つの反射率変化領域が設けられていることを特徴とする請求項9記載の光ディスクの記録方法。
- 反射率変化領域として、上記2つの反射率変化領域の他に、上記磁界変調ヘッドの走査トラック上に存在する複数の反射率変化領域とが設けられ、上記複数の反射率変化領域からの反射率を検出することによって、上記磁界変調ヘッド走査トラックのアドレス番地を検出することを特徴とする請求項9記載の光ディスクの記録方法。
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