JP3552700B2 - Wire bonder and bonding method - Google Patents
Wire bonder and bonding method Download PDFInfo
- Publication number
- JP3552700B2 JP3552700B2 JP2001349083A JP2001349083A JP3552700B2 JP 3552700 B2 JP3552700 B2 JP 3552700B2 JP 2001349083 A JP2001349083 A JP 2001349083A JP 2001349083 A JP2001349083 A JP 2001349083A JP 3552700 B2 JP3552700 B2 JP 3552700B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- electric torch
- capillary
- tip
- protrusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29144—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/78268—Discharge electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
- H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
- H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85203—Thermocompression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01067—Holmium [Ho]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の組立技術に係り、特に、ワイヤボンダ及びこのワイヤボンダを用いたボンディング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の組み立て工程においては、半導体チップの表面に配設されたボンディングパッドとパッケージ基板(若しくはリードフレームの支持基板)のリード端子との間を、それぞれ電気的に接続する必要がある。このため、図8に示すように、ワイヤボンダを用いて、パッケージ基板(リードフレームの支持基板)11に、半導体チップ9を搭載(マウント)し、半導体チップ9の表面のボンディングパッド8とリード端子(図示省略)の先端のポストとの間を、それぞれワイヤ(金属細線)3で結線する。
【0003】
従来のワイヤボンダは、図8に示すように、パッケージ載置ステージ(リードフレーム載置ステージ)12を備え、このパッケージ載置ステージ(リードフレーム載置ステージ)12には、半導体チップ9が搭載されたパッケージ基板11が載置される。更に、図8に示すように、ワイヤ5を繰り出すワイヤキャピラリ(以下において「キャピラリ」と略記する。)3、このキャピラリ3の動きに同期してワイヤ5をクランプするワイヤクランパ4、平板状の電気トーチ36とを備える。平板状の電気トーチ36にはリレー29を介して電源28が接続されている。半導体チップ9の表面のボンディングパッド8にワイヤ5をボンディングする際には、前もって、ワイヤ5の先端にボールを形成しておく必要がある。このため、図8に示す平板状の電気トーチ36は、キャピラリ3の直下に相対的に水平移動可能で、キャピラリ3の直下に配置された状態で、リレー29を閉じ、電源28から高電圧を供給し、電気トーチ6とキャピラリ3から繰り出されたワイヤ5の先端との間に放電をなさせ、ワイヤ5の先端を溶融してボールを形成する。このボールを半導体チップ9の表面のボンディングパッド8に押圧し、熱圧着又は超音波ワイヤボンディングを行う。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の平板状の電気トーチ36では、ワイヤ先端にボールを形成する際、平板状の電気トーチ36とワイヤとの間が広すぎると放電がなされないか、放電がなされてもボールの直径が規格に満たない小さな場合がある。一方、このギャップが狭すぎても、ボールが大きく形成されてしまい、不良ボールが形成されるという問題点があった。
【0005】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。即ち、本発明の目的は、ワイヤボンディング時に適正な大きさのボールワイヤの先端にが再現性良く確実に形成出来るワイヤボンダを提供することにある。
【0006】
更に、本発明の他の目的は、不良ボールの発生を抑制出来るボンディング方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の第1の特徴は、(イ)ワイヤを繰り出すキャピラリと、(ロ)ワイヤをクランプするワイヤクランパと、(ハ)このワイヤクランパに電気的に接続されたワイヤ接触感知装置と、(ニ)ワイヤの先端との間で放電を生じさせるための平坦な表面を有する電気トーチ本体部、この電気トーチ本体部の端部に一定の障壁高さを有するように設けられた電気トーチ突出部とを備えた電気トーチと、(ホ)電気トーチに接続された低圧電源と、(ヘ)電気トーチを水平方向に移動させる電気トーチ駆動装置とを備えるワイヤボンダであることを要旨とする。
【0008】
本発明の第1の特徴に係るワイヤボンダにおいて、キャピラリからのワイヤの繰り出し長が最適値よりも長すぎる場合には、電気トーチを水平移動すると、電気トーチ突出部がワイヤに接触する。このとき、低圧電源、電気トーチ、ワイヤ、ワイヤクランパ,ワイヤ接触感知装置により閉回路が形成され、この閉回路に短絡電流が流れる。ワイヤの繰り出し長が長ければ長いほど、ワイヤの繰り出し部の腹が引きずられて電気トーチ突出部に接触している時間が長くなり、短絡電流が流れる時間が長くなる。ワイヤの繰り出し長が、最適値より更に障壁高さ分を超えて長ければ、水平移動して電気トーチ突出部を通過した後、電気トーチ本体部の表面にまでワイヤの先端部が接触することになる。一方、ワイヤの繰り出し長が、最適値より長いが、障壁高さ分を超えるほどには長すぎなければ、水平移動により電気トーチ突出部を通過した後は、電気トーチ本体部の表面にはワイヤの先端部は接触しないので、電気トーチ突出部の厚さに相当する一定の時間のみ短絡電流が流れる。一方、キャピラリからのワイヤの繰り出し長が短か過ぎる場合には、電気トーチを水平移動しても電気トーチ突出部がワイヤに接触しないため、短絡電流は流れない。
【0009】
又、ワイヤの繰り出し長が最適値より長い場合は、ワイヤの繰り出し長が短くなるにつれ、水平移動により電気トーチ突出部にワイヤが引きずられている時間が短くなり、短絡電流が流れる時間が次第に短くなる。ワイヤの繰り出し長が次第に短く調整され、所望の長さに近くなった場合には、電気トーチ突出部にワイヤの先端が、電気トーチ突出部の厚さに相当する時間だけ接触することになる。或いは、電気トーチ突出部のミクロな凹凸に起因して、移動中、瞬間的、断続的に接触する状態となる。このため、ワイヤの繰り出し長が適正の長さに調整された場合においては、低圧電源、電気トーチ、ワイヤ、ワイヤクランパ,ワイヤ接触感知装置からなる閉回路には、電気トーチ突出部の厚さに対応する時間だけ短絡電流が流れる。したがって、短絡電流が流れる時間を計測することにより、ワイヤの繰り出し長を適正の長さに調整することが出来る。即ち、電気トーチ突出部が定義する障壁高さにより、電気トーチとワイヤの先端との間の距離を最適放電ギャップに調整出来るので、この間の放電により、ワイヤの先端に設計通りの大きさのボールを再現性良く確実に形成出来る。
【0010】
この様に、本発明の第1の特徴に係るワイヤボンダによれば、電気トーチの放電によるボール形成において、不良ボールの発生を抑制出来、ボンディング時の歩留まりが高いワイヤボンダを提供することが出来る。
【0011】
本発明の第2の特徴は、(イ)キャピラリからワイヤを繰り出す工程と、(ロ)平坦な表面を有する電気トーチ本体部、この電気トーチ本体部の端部に一定の障壁高さを有するように設けられた電気トーチ突出部とを備えた電気トーチを水平移動させる工程と、(ハ)この水平移動により得られる、電気トーチ突出部とワイヤとの相対関係を、ワイヤをクランプしているワイヤクランパに電気的に接続されたワイヤ接触感知装置で判定する工程と、(ニ)このワイヤ接触感知装置により、ワイヤの先端と電気トーチ本体部の表面との距離が、最適放電ギャップであると判定された場合に、ワイヤと電気トーチ本体部との間に高電圧を印加し、ワイヤの先端にボールを形成する工程とを含むボンディング方法であることを要旨とする。
【0012】
本発明の第2の特徴に係るボンディング方法は、第1の特徴で説明したワイヤボンダを用いるボンディング方法である。即ち、電気トーチとワイヤの先端との間の距離を最適放電ギャップに調整してから、この間で放電を発生し、ワイヤの先端にボールを形成しているので、ワイヤの先端に設計通りの大きさのボールを再現性良く確実に形成出来る。このため、本発明の第2の特徴に係るボンディング方法によれば、不良ボールの発生が少なくボンディング時の歩留まりが高いボンディング方法を提供することが出来る。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【0014】
(ワイヤボンダ)
図1に示すように、本発明の実施の形態に係るワイヤボンダは、中央にワイヤ5を繰り出す貫通孔を備えるキャピラリ3、このキャピラリ3の動きに同期してワイヤ5をクランプするワイヤクランパ4、このワイヤクランパ4に接続されたワイヤ接触感知装置7、このワイヤ接触感知装置7の一端に接続され、先端に電気トーチ突出部6aを有する電気トーチ6とを備える。更に、図1に示すワイヤボンダは、パッケージ基板(若しくはリードフレーム)11を載置するパッケージ載置ステージ(リードフレーム載置ステージ)12を備える。ワイヤ5は、アルミニウム(Al)線や金(Au)線からなる金属細線である。
【0015】
キャピラリ3は、パッケージ基板(若しくはリードフレーム)11に搭載された半導体チップ9の上のボンディングパッド8及びリード端子(図示省略)にワイヤ5を供給し、このワイヤ5をボンディングパッド8及びリード端子(図示省略)に対して押圧する。即ち、キャピラリ3の先端部は、ワイヤ5を導出する機能と共に、ワイヤ5に形成されたボール5aを押圧することが出来る機能を有している。このキャピラリ3は、図示を省略したボンディングアームの先端に装着され、キャピラリ駆動装置3aにより駆動される。キャピラリ駆動装置3aは、ボンディングパッド8(又はリード端子(図)に対し、キャピラリ3を相対的に上下に移動し、且つ相対的に水平方向にも移動するように駆動する。ワイヤクランパ4は、ワイヤ5を挟むことが出来るように構成されており、ワイヤ5の切断時等にワイヤ5を挟持する。更に、ワイヤクランパ4は、ワイヤ5に微小電流を流すために、ワイヤ5にワイヤ接触感知装置7を電気的に接続する機能を有する。ワイヤクランパ4も、図示を省略したボンディングアームに装着され、ワイヤクランパ駆動装置4aにより駆動される。ボンディングアームは、例えば揺動モータによる揺動駆動等の駆動・制御がなされるようにしても良い。更にこのボンディングヘッドは、例えば、Xテーブル駆動モータにより駆動されるXテーブル上に配置され、又、XテーブルはYテーブル駆動モータにより駆動されるYテーブル上に配置されるようにしても良い。キャピラリ駆動装置3a、ワイヤクランパ駆動装置4a、ボンディングアーム揺動モータ、Xテーブル駆動モータ及びYテーブル駆動モータは、図示を省略した制御装置により制御される。
【0016】
パッケージ載置ステージ(リードフレーム載置ステージ)12は、例えば金属材料から構成され、平坦な上部端面を有する。即ち、パッケージ載置ステージ(リードフレーム載置ステージ)12は、パッケージ基板11若しくリードフレームの少なくとも一枚分を載置出来る平坦な上部端面を有する。
【0017】
ボンディングパッド8及びリード端子(図示省略)の先端部表面は、それぞれボンディング用のポストとして機能する。即ち、パッケージ基板11の上に搭載される半導体チップ9の表面のボンディングパッド8とそれぞれのポストとの間は、複数のワイヤ5を通して、それぞれ電気的に接続される。
【0018】
本発明の実施の形態に係るワイヤボンダに用いられるパッケージ基板(リードフレームの支持基板)11には、絶縁性基板若しくは導電性基板が用いられる。絶縁性基板としてはアルミナ(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)等のセラミックが使用可能である。一方、導電性基板としては、打ち抜き成形やエッチング等で所定の形状にパターニングされたされた金属板材、例えばアルミニウム(Al)、銅(Cu)、Cu−Fe,Cu−Cr,Cu−Ni−Si,Cu−Sn等の銅合金、Ni−Fe、Fe−Ni−Co等のニッケル・鉄合金、或いは銅とステンレスの複合材料等を用いることが可能である。リードフレームの場合は、リード端子(図示省略)も、パッケージ基板11と同一の材料から構成することが可能である。更に、これらの金属にニッケル(Ni)メッキや金(Au)メッキ等を施したものなどから構成しても良い。パッケージ基板11には半導体チップ9が半田や接着剤を介して固着されている。ワイヤ5は、アルミニウム(Al)線や金(Au)線からなる金属細線である。
【0019】
電気トーチ6は、図2(a)に示すように、平板上の電気トーチ本体部6bの上面、即ち、電気トーチ放電面6cの一部に高さhの電気トーチ突出部6aを備えた側面形状を有している。即ち、電気トーチ突出部6aは、電気トーチ本体部6bの先端(右端)に垂直の側壁を有した矩形ブロックとして形成され、側面から見るとL字形である。図2(b)に示すように、電気トーチ突出部6aは正面から見ると、矩形(四角形)を基礎とした凹多角形の形状を有したU字ブロックである。即ち、正面から見て、電気トーチ突出部6aの中央には、深さd、幅(横幅)Wの凹部(U字形溝)が形成されている。U字形溝の側壁は垂直で、底面は水平で有り、側壁と底面は直交している。しかし、より一般のU字形溝と同様に、側壁と底面とは、単一若しくは複数の曲率半径を有した曲線で交わり、丸コーナを構成しても良い。又側壁と底面とのなすコーナを直線上に面取りした面取りコーナを有しても良い。但し、凹部の深さdが一定の深さに設定された直線状(平面状)の底面を有していることが好ましく、丸コーナの丸め部や面取りコーナの面取り部はなるべく小さい方が良い。電気トーチ突出部6aの凹部の幅Wは、ワイヤ5の径よりも十分大きく設定される。例えば、ワイヤ5の径を30〜50μmとすれば、電気トーチ突出部6aの凹部の幅Wは、150〜250μm程度にすれば良い。丸コーナの丸め部や面取りコーナの面取り部があると、実効的な幅Wが小さくなるので留意すべきである。
【0020】
一方、凹部の深さdは、以下に述べるように電気トーチ6を一定速度でスイングしたときに、キャピラリ3から繰り出されたワイヤ5の長さが正常なときにはワイヤ5がこの凹部を通過して電気トーチ放電面6cに接触しない寸法に設定される。即ち、所望の大きさのボールを形成するためのワイヤ5の先端と電気トーチ放電面6cとの距離、即ち”最適放電ギャップ”となるように障壁高さΔを設定しておけば、常に一定の最適放電ギャップΔで放電し、ボールを形成することが可能になる。図2から分かるように、障壁高さΔは:
Δ = h−d ・・・・・(1)
で与えられる。例えば、本発明の実施の形態では、この凹部の深さdを50〜100μmに、障壁高さ(即ち最適放電ギャップ)Δは、所望のボールの大きさが70μmならば、30〜150μm程度に設定している。図3に示すように、キャピラリ3から繰り出されたワイヤ5の繰り出し長が、必要以上に長い場合は、ワイヤ5の繰り出し部が電気トーチ突出部6aに接触し、ワイヤクランパ4に接続されたワイヤ接触感知装置7に微小電流が流れる。又、図4に示すように、繰り出し長が適正であっても、キャピラリ3から繰り出されたワイヤ5の先端が曲がっている場合には、電気トーチ突出部6a分にワイヤ5が接触するため、ワイヤ接触感知装置7に微小電流が流れる。即ち、ワイヤクランパ4は、ワイヤクランパ4に接続されたワイヤ接触感知装置7を用いて、電気トーチ6を水平移動した際に、ワイヤ5が電気トーチ6に接触したかを検知し、キャピラリ3からのワイヤ5の繰り出し長が正常であるか、繰り出し部が曲がっていないか否かを検出する。電気トーチ6は、図1に示すように電気トーチ駆動装置6dに接続されており、キャピラリ3の下方に一定速度で水平移動(スイング)可能なように構成されている。電気トーチ6の一端は、図7に示すように、低圧側保護抵抗R4及び2端子切り替えリレー26を介して低圧電源23のプラス端子に接続されている。低圧電源23のマイナス端子は接地されている。
【0021】
ワイヤ接触感知装置7は、図7のように、ダイオードD1、感知回路保護抵抗R1及び感知抵抗R2からなる直列回路と、感知抵抗R2に並列接続されたフォトカプラ21と、フォトカプラ21の出力をベース端子に入力する増幅用トランジスタQ2とから構成されている。この結果、ワイヤクランパ4は、ダイオードD1及び感知回路保護抵抗R1及び感知抵抗R2を介して接地される。したがって、2端子切り替えリレー26を低圧電源23側に接続して(閉じて)、電気トーチ6に低圧電源23からの電圧を印加したときに、電気トーチ6がワイヤ5に接触すると、低圧電源23、低圧側保護抵抗R4,2端子切り替えリレー26,電気トーチ6、ワイヤ5、ワイヤクランパ4,ダイオードD1、感知回路保護抵抗R1及び感知抵抗R2の閉回路に短絡電流Iが流れる。感知抵抗R2には並列にフォトカプラ21の半導体発光素子(発光ダイオード)D2が接続されており、このフォトカプラ21を構成するフォトトランジスタQ1の出力は、増幅用トランジスタQ2のベースに入力される。即ち、フォトトランジスタQ1と増幅用トランジスタQ2とはダーリントン接続されている。フォトトランジスタQ1と増幅用トランジスタQ2とからなるダーリントン回路の出力は、リレー駆動回路27の制御信号となる。
【0022】
図3に示すようにキャピラリ3からのワイヤ5の繰り出し長が長い場合、及び図4に示すようにワイヤの繰り出し部5が曲がっている場合には、電気トーチ6を一定速度で水平移動すると、少なくとも電気トーチ突出部6aの凹部の底部がワイヤ5に接触する。このとき、低圧電源23、低圧側保護抵抗R4,2端子切り替えリレー26,電気トーチ6、ワイヤ5、ワイヤクランパ4,ダイオードD1、感知回路保護抵抗R1及び感知抵抗R2の閉回路が形成され、この閉回路に短絡電流Iが流れる。この短絡電流Iに基づいて感知抵抗R2の両端間に所定の電位差が生じると半導体発光素子(発光ダイオード)D2が点灯して、フォトトランジスタQ1に電流が流れ、増幅用トランジスタQ2のコレクターエミッタ間電圧が低下する。ワイヤ5の繰り出し長が長ければ長いほど、電気トーチ突出部6aの凹部の底部にワイヤ5の繰り出し部が、長い時間接触することが可能であるので、その分長い時間、発光ダイオードD2が点灯し、増幅用トランジスタQ2のコレクターエミッタ間電圧の低下が顕著になる。ワイヤ5の繰り出し長が、所定の値(最適値)より更に障壁高さΔ分を超えて長ければ、一定速度で水平移動して、電気トーチ突出部6aの凹部のスイング方向に測った検出距離を通過した後、電気トーチ放電面6cにまでワイヤの先端部が接触することになる。「検出距離」は、スイング方向に測られ、電気トーチ突出部6aの厚さに相当する。一方、ワイヤ5の繰り出し長が、最適値より長いが、障壁高さΔ分を超えるほど長くなければ、水平移動により電気トーチ突出部6aの凹部の検出距離を通過した後は、電気トーチ放電面6cにはワイヤの先端部は接触しないので、ワイヤの繰り出し部5の腹が引きずられて接触している一定の時間のみ発光ダイオードD2が点灯する。発光ダイオードD2の点灯時間は、ワイヤ5の繰り出し長の最適値より長い分にほぼ比例することが可能である。発光ダイオードD2の点灯時間が所定の時間より長ければ、増幅用トランジスタQ2のコレクターエミッタ間電圧は所定の値(ボンディング下限電圧)より低い値に低下する。このボンディング下限電圧より低下した増幅用トランジスタQ2のコレクターエミッタ間電圧を制御信号として、リレー駆動回路27に入力し、2端子切り替えリレー26を低圧電源23側に接続したままに維持する。この場合は、ワイヤボンディングを行わない。そして、キャピラリ駆動装置3aにより、キャピラリ3を相対的に上方に移動するか、キャピラリ3からのワイヤ5の繰り出し長を短くするように再調整する。
【0023】
一方、キャピラリ3からのワイヤ5の繰り出し長が短か過ぎる場合には、電気トーチ6を水平移動しても電気トーチ突出部6aがワイヤ5に接触しないため、低圧電源23、低圧側保護抵抗R4,2端子切り替えリレー26,電気トーチ6、ワイヤ5、ワイヤクランパ4,ダイオードD1、感知回路保護抵抗R1及び感知抵抗R2の閉回路に短絡電流Iは流れない。したがって、感知抵抗R2間に電位差は生ぜず、発光ダイオードD2が点灯しないのでフォトトランジスタQ1に電流が流れることはなく、増幅用トランジスタQ2のコレクターエミッタ間電圧は高いままであり、ワイヤ5先端にボール5aは形成されない。したがって、この場合もワイヤボンディングを行われない。そして、キャピラリ駆動装置3aにより、キャピラリ3を相対的に下方に移動するか、キャピラリ3からのワイヤ5の繰り出し長を長くするように再調整する。
【0024】
上述したように、ワイヤ5の繰り出し長が最適値より長い場合は、ワイヤ5の繰り出し長が短くなるにつれ、水平移動により電気トーチ突出部6aの凹部にワイヤの接触する時間が短くなり、発光ダイオードD2の点灯時間が次第に短くなる。ワイヤ5のキャピラリ3からの繰り出し長が次第に短く調整され、所望の長さに近くなった場合には、電気トーチ突出部6aの底部にワイヤ5の先端が、検出距離に対応する時間だけ接触することになる。或いは、電気トーチ突出部6aの底部のミクロな凹凸に起因して、スイング方向に移動中、瞬間的、突発的に接触する状態となる。電気トーチ突出部6aとワイヤ5とが、機械的には接触していないが、トンネル電流、電界放出電流や放電電流等が流れる場合もある。このため、ワイヤ5の繰り出し長が適正の長さに調整された場合においては、低圧電源23、低圧側保護抵抗R4,2端子切り替えリレー26,電気トーチ6、ワイヤ5、ワイヤクランパ4,ダイオードD1、感知回路保護抵抗R1及び感知抵抗R2の閉回路には、検出距離(電気トーチ突出部6aの厚さ)に対応する時間だけ短絡電流Iが流れる。この短時間の短絡電流Iに基づいて感知抵抗R2の両端間に電位差が生じ、発光ダイオードD2が検出距離に対応した短時間のみ点灯(若しくは断続的点灯)して、フォトトランジスタQ1に微少電流が流れる。発光ダイオードD2の全光量が、ワイヤ5の繰り出し長が長い場合に比し少ないので、フォトトランジスタQ1から出力される電流は、微少になる。このため、増幅用トランジスタQ2のコレクターエミッタ間電圧は、相対的に高い下限値(ボンディング下限電圧)を有する。しかし、増幅用トランジスタQ2のコレクターエミッタ間電圧は、ワイヤ5が短すぎ、発光ダイオードD2が全く点灯しない場合に比しては、相対的に低い上限値(ボンディング上限電圧)を有する。したがって、この下限値(ボンディング下限電圧)と上限値(ボンディング上限電圧)との間の範囲内の電圧値が、ボンディング可能な制御信号である。このボンディング可能な制御信号がリレー駆動回路27に入力されると、リレー駆動回路27は、2端子切り替えリレー26を駆動して電気トーチ6の一端に高圧側保護抵抗R3を介して高圧電源22を接続する。これにより、電気トーチ6とワイヤ5の先端との間には、障壁高さΔが規定する最適放電ギャップにおいて放電が生じて、ワイヤ5の先端が溶融して設計通りの大きさのボール5aが形成される。尚、フォトカプラ21等には、高電圧が印加されないように保護回路が接続されているが、それらの図示は省略する。
【0025】
本発明の実施の形態においては、ワイヤ5の繰り出し長が長すぎる場合、ワイヤ5の先端と電気トーチ6との間隔が開きすぎている場合、及びワイヤ5の先端が曲がっている場合に、これらの状態を簡単且つ確実に感知することが出来る。つまり、ワイヤ5の繰り出し長が適正の長さになるまで、ワイヤ5の繰り出し長の調整のステップと、電気トーチ6の水平移動による電気トーチ突出部6aのワイヤ5に接触・非接触の判定のステップをカット・アンド・トライで繰り返すことにより、適正且つ効率の良いワイヤボンディング動作を実行することが出来る。このため、信頼性の高く良好なワイヤボンディングを生産性良く行うことが出来る。
【0026】
(ボンディング方法)
次に、本発明の実施の形態に係るボンディング方法を、図5及び図6を用いて説明する。
【0027】
(イ)まず、パッケージ基板(又はリードフレームの支持基板)11に半導体チップ9を搭載し、導電性ペーストや金(Au)−錫(Sn)半田等を用いて固定する。そして、図5(a)に示すように、半導体チップ9が搭載されたパッケージ基板11をワイヤボンダのパッケージ載置ステージ(リードフレーム載置ステージ)12に載置する。パッケージ載置ステージ12は、熱圧着ボンディングに必要な温度にパッケージ基板11を加熱する。そして、ワイヤボンダのキャピラリ3からワイヤ5を、一定の繰り出し長で導出する。
【0028】
(ロ)次に、図5(b)に示すように、電気トーチ6を第一ボンディングポイント1に一定速度でスイング(水平移動)させる。既に述べたように、キャピラリ3からのワイヤ5の繰り出し長が長すぎる場合(図3参照。)、繰り出しが曲がっている場合(図4参照。)及びワイヤ5の先端と電気トーチ6との間隔が開きすぎている場合には、電気的にこれらの異常を検知し、ワイヤボンディング動作は実行されない。そして、ワイヤ5の繰り出し長が適正の長さになるまで、繰り出し長の調整のステップと、電気トーチ6の水平移動による電気トーチ突出部6aのワイヤ5に接触・非接触の判定のステップをカット・アンド・トライで繰り返す。ワイヤ5の繰り出し長の調整の結果、図5(c)に示すように繰り出し長が適正になれば、増幅用トランジスタQ2のコレクターエミッタ間電圧が、規定範囲内の電圧値を出力する。この規定範囲内の電圧値を、リレー駆動回路27の制御信号として入力し、2端子切り替えリレー26を駆動して電気トーチ6の一端に高圧電源22を接続する。これにより、図5(c)に示す電気トーチ6とワイヤ5の先端との間を最適放電ギャップΔに調整した状態で放電を生じさせ、ワイヤ5の先端を溶融してボール5aを形成する。
【0029】
(ハ)ワイヤ5の先端にボール5aが形成された後、図5(d)に示すように電気トーチ6は第一ボンディングポイント1から離れた位置に戻る。そして、キャピラリ駆動装置3aにより、図6(e)に示すように半導体チップ9のボンディングパッド8の真上にキャピラリ3を移動させる。更にその後、図6(f)に示すように、半導体チップ9の表面にキャピラリ3を下降させ、ボンディングパッド8の表面にワイヤ5を供給する。図6(f)に示す状態で、ワイヤ5をボンディングパッド8に押圧し熱圧着ボンディングする、或いは更に超音波を加えることにより超音波ボンディングする。
【0030】
(ニ)次に、キャピラリ駆動装置3aを駆動して、キャピラリ3を図6(g)に示すように上昇させる。更に、キャピラリ駆動装置3aは、図6(h)に示す状態を経由する適切な軌跡を描かせながら、キャピラリ3を図6(i)に示す第二ボンディングポイント2まで移動する。キャピラリ3の、この軌跡によって、図6(i)に示すような適切なワイヤループ5が得られる。
【0031】
(ホ)キャピラリ3が第二ボンディングポイント2の位置に来たら、第一ボンディングポイント1の場合と同様に、キャピラリ3の先端を用いてワイヤ5をリード端子13に押圧し、熱圧着ボンディングする。或いは更に超音波を加えることにより、超音波ボンディングする。この結果、図6(i)に示すように、ワイヤ5により、半導体チップ9の表面のボンディングパッド8とリード端子13との間が電気的に接続される。
【0032】
(ヘ)次に、キャピラリ駆動装置3aを駆動してキャピラリ3を上昇させ、ワイヤクランパ4でワイヤ5を保持し、図6(j)に示すようにワイヤ5を第二ボンディングポイント2から切断する。これが終了すると、再び図5(a)に戻り、同様な操作を、半導体チップ9の表面の他のボンディングパッドに対して行う。
【0033】
(その他の実施の形態)
本発明は上記の形態によって記載したが、この開示の一部をなす部分及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様様な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【0034】
例えば、ワイヤ5のキャピラリ3からの繰り出し長を、ワイヤ接触感知装置7からの信号を用いてフィードバック制御することも可能である。即ち、ワイヤ5の繰り出し長が最適値より長い場合は、ワイヤ5の繰り出し長の余分な長さは、水平移動により電気トーチ突出部6aの凹部にワイヤの繰り出し部が引きずられながら接触する時間に対応するので、半導体発光素子(発光ダイオード)D2の点灯時間、若しくは増幅用トランジスタQ2のコレクターエミッタ間電圧をキャピラリ駆動装置3a及びクランパ駆動装置4aにフィードバックして、ワイヤ5の先端の位置を、電気トーチ突出部6aとワイヤ5との間が最適な間隙値になるように制御することが可能である。ワイヤ5の先端の位置の上下駆動は、走査型トンネル顕微鏡のように、電磁駆動又は磁歪素子若しくは電歪素子を用いて制御すれば良い。又、電気トーチ突出部6aとワイヤ5との間に存在する微少なエヤーギャップ中を流れる微少電流をワイヤ接触感知装置7が検出し、これをフィードバックするようにしても良い。即ち、機械的には接触していな場合であっても、一定の間隙値以下であれば、電気トーチ突出部6aとワイヤ5との間には、トンネル電流、電界放出電流や放電電流等の微少な電流が流れるのでこれらを検出すればよい。この微少電流の測定は、図7に示すフォトカプラ21とは別に、高感度な電流検出回路を感知回路保護抵抗R1,感知抵抗R2と直列接続して用いても良い。即ち、走査型トンネル顕微鏡と同様に、これらの微少電流をキャピラリ駆動装置3a及びクランパ駆動装置4aにフィードバックして、ワイヤ5の先端の位置を、電気トーチ突出部6aとワイヤ5との間が最適な間隙値になるように制御しても良い。
【0035】
この様に、本発明はここでは記載していない様様な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【0036】
【発明の効果】
本発明によれば、ワイヤボンディング時に適正な大きさのボールワイヤの先端にが再現性良く確実に形成出来るワイヤボンダを提供することが出来る。この結果、ボンディング不良が防止され、電気的信頼性が向上した半導体装置を実装することが出来る。
【0037】
又、本発明によれば、不良ボールの発生を抑制出来るボンディング方法を提供することが出来る。この結果、ボンディング不良に伴う製品不良を減少させ、歩留まりを向上させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るワイヤボンダを説明するための模式的な構成図である。
【図2】図2(a)は、本発明の実施の形態に係る電気トーチの側面図で、図2(b)は、その正面図である。
【図3】図3(a)は、本発明の実施の形態に係る電気トーチとワイヤとの関係を示す側面図で、図3(b)は、その正面図である。
【図4】本発明の実施の形態に係る電気トーチとワイヤとの関係を示す他の模式図(正面図)である。
【図5】図5(a)〜(d)は、本発明の実施形態に係るボンディング方法を説明する模式的な工程図(その1)である。
【図6】図6(e)〜(j)は、本発明の実施形態に係るボンディング方法を説明する模式的な工程図(その2)である。
【図7】本発明の実施形態に係るボンディング装置の電流経路に着目した模式図である。
【図8】従来技術に係るワイヤボンダを説明するための模式的な構成図である。
【符号の説明】
1 第一ボンディングポイント
2 第二ボンディングポイント
3 キャピラリ
3a キャピラリ駆動装置
4 ワイヤクランパ
4a ワイヤクランパ駆動装置
5 ワイヤ
5a ボール
6 電気トーチ
6a 電気トーチ突出部
6b 電気トーチ本体部
6c 電気トーチ放電面
6d 電気トーチ駆動装置
7 ワイヤ接触感知装置
8 ボンディングパッド
9 半導体チップ
11 パッケージ基板(若しくはリードフレーム)
12 パッケージ載置ステージ(リードフレーム載置ステージ)
13 リード端子
21 フォトカプラ
22 高圧電源
23 低圧電源
26 2端子切り替えリレー
27 リレー駆動回路
28 電源
29 リレー
36 平板型電気トーチ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device assembly technique, and more particularly to a wire bonder and a bonding method using the wire bonder.
[0002]
[Prior art]
In the assembly process of the semiconductor device, it is necessary to electrically connect the bonding pads disposed on the surface of the semiconductor chip and the lead terminals of the package substrate (or the support substrate of the lead frame). For this reason, as shown in FIG. 8, a
[0003]
As shown in FIG. 8, the conventional wire bonder includes a package mounting stage (lead frame mounting stage) 12, and a
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional flat
[0005]
The present invention has been made to solve the above problems. That is, an object of the present invention is to provide a wire bonder that can be reliably formed on the tip of a ball wire of an appropriate size during wire bonding with good reproducibility.
[0006]
Furthermore, another object of the present invention is to provide a bonding method capable of suppressing the generation of defective balls.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the first feature of the present invention is that (a) a capillary for feeding out a wire, (b) a wire clamper for clamping the wire, and (c) an electrical connection to the wire clamper. An electric torch main body having a flat surface for generating a discharge between the wire contact sensing device and the tip of the wire, so that the end of the electric torch main body has a certain barrier height It is a wire bonder comprising an electric torch provided with an electric torch protrusion provided, (e) a low-voltage power source connected to the electric torch, and (f) an electric torch drive device for moving the electric torch horizontally. Is the gist.
[0008]
In the wire bonder according to the first feature of the present invention, when the wire feed length from the capillary is too long than the optimum value, when the electric torch is moved horizontally, the electric torch protrusion comes into contact with the wire. At this time, a closed circuit is formed by the low-voltage power source, the electric torch, the wire, the wire clamper, and the wire contact sensing device, and a short-circuit current flows through the closed circuit. The longer the wire feed length, the longer the time during which the wire feed portion is dragged and is in contact with the electric torch protruding portion, and the time during which the short-circuit current flows becomes longer. If the wire feed length is longer than the optimum value by more than the barrier height, the tip of the wire contacts the surface of the electric torch main body after moving horizontally and passing through the electric torch main body. Become. On the other hand, if the feeding length of the wire is longer than the optimum value but not so long as to exceed the height of the barrier, the wire is placed on the surface of the electric torch main body after passing through the electric torch protruding portion by horizontal movement. Since the front end of the contact is not in contact, a short-circuit current flows only for a certain time corresponding to the thickness of the electric torch protrusion. On the other hand, when the wire feeding length from the capillary is too short, the electric torch protrusion does not contact the wire even if the electric torch is moved horizontally, so that no short circuit current flows.
[0009]
In addition, when the wire feed length is longer than the optimum value, as the wire feed length becomes shorter, the time that the wire is dragged to the protruding portion of the electric torch due to horizontal movement becomes shorter, and the time when the short-circuit current flows becomes gradually shorter. Become. When the feeding length of the wire is gradually adjusted to be close to a desired length, the tip of the wire comes into contact with the electric torch protrusion for a time corresponding to the thickness of the electric torch protrusion. Or, due to the micro unevenness of the protruding portion of the electric torch, it is in a state of contact instantaneously and intermittently during movement. For this reason, when the wire feeding length is adjusted to an appropriate length, the closed circuit composed of the low voltage power source, the electric torch, the wire, the wire clamper, and the wire contact sensing device has a thickness of the electric torch protruding portion. A short-circuit current flows for the corresponding time. Therefore, by measuring the time during which the short-circuit current flows, the wire feeding length can be adjusted to an appropriate length. That is, the distance between the electric torch and the tip of the wire can be adjusted to the optimum discharge gap by the barrier height defined by the protruding portion of the electric torch. Can be reliably formed with good reproducibility.
[0010]
As described above, according to the wire bonder according to the first feature of the present invention, it is possible to provide a wire bonder that can suppress the generation of defective balls in ball formation by electric torch discharge and has a high yield during bonding.
[0011]
The second feature of the present invention is that (a) a step of drawing out a wire from a capillary, (b) an electric torch main body having a flat surface, and an end of the electric torch main body so as to have a certain barrier height. A step of horizontally moving an electric torch provided with an electric torch protrusion provided on the wire, and (c) a wire clamping the wire with respect to the relative relationship between the electric torch protrusion and the wire obtained by the horizontal movement. A step of determining with a wire contact sensing device electrically connected to the clamper; and (d) the wire contact sensing device determines that the distance between the tip of the wire and the surface of the electric torch main body is the optimum discharge gap. In this case, the gist is a bonding method including a step of applying a high voltage between the wire and the electric torch main body to form a ball at the tip of the wire.
[0012]
The bonding method according to the second feature of the present invention is a bonding method using the wire bonder described in the first feature. That is, the distance between the electric torch and the tip of the wire is adjusted to the optimum discharge gap, and then a discharge is generated between them and a ball is formed at the tip of the wire. The ball can be reliably formed with good reproducibility. For this reason, according to the bonding method according to the second feature of the present invention, it is possible to provide a bonding method in which the generation of defective balls is small and the yield during bonding is high.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the thickness and the planar dimensions, the ratio of the thickness of each layer, and the like are different from the actual ones. Therefore, specific thicknesses and dimensions should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.
[0014]
(Wire bonder)
As shown in FIG. 1, a wire bonder according to an embodiment of the present invention includes a
[0015]
The
[0016]
The package mounting stage (lead frame mounting stage) 12 is made of, for example, a metal material and has a flat upper end surface. That is, the package placement stage (lead frame placement stage) 12 has a flat upper end surface on which at least one of the
[0017]
The front surfaces of the
[0018]
As the package substrate (lead frame support substrate) 11 used in the wire bonder according to the embodiment of the present invention, an insulating substrate or a conductive substrate is used. As an insulating substrate, alumina (Al 2 O 3 ), Ceramics such as aluminum nitride (AlN) can be used. On the other hand, as a conductive substrate, a metal plate material patterned into a predetermined shape by stamping or etching, for example, aluminum (Al), copper (Cu), Cu-Fe, Cu-Cr, Cu-Ni-Si , Cu-Sn and other copper alloys, nickel-iron alloys such as Ni-Fe and Fe-Ni-Co, or a composite material of copper and stainless steel can be used. In the case of a lead frame, the lead terminals (not shown) can also be made of the same material as the
[0019]
As shown in FIG. 2 (a), the
[0020]
On the other hand, the depth d of the concave portion is such that when the
Δ = h−d (1)
Given in. For example, in the embodiment of the present invention, the depth d of the recess is 50 to 100 μm, and the barrier height (that is, the optimum discharge gap) Δ is about 30 to 150 μm if the desired ball size is 70 μm. It is set. As shown in FIG. 3, when the drawing length of the
[0021]
As shown in FIG. 7, the wire
[0022]
When the feeding length of the
[0023]
On the other hand, when the feeding length of the
[0024]
As described above, when the feeding length of the
[0025]
In the embodiment of the present invention, when the feeding length of the
[0026]
(Bonding method)
Next, the bonding method according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0027]
(A) First, the
[0028]
(B) Next, as shown in FIG. 5B, the
[0029]
(C) After the
[0030]
(D) Next, the
[0031]
(E) When the
[0032]
(F) Next, the
[0033]
(Other embodiments)
Although the present invention has been described in the above form, it should not be understood that the parts and drawings that form a part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.
[0034]
For example, the feeding length of the
[0035]
As described above, the present invention naturally includes embodiments and the like which are not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.
[0036]
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the wire bonder which can form reliably at the front-end | tip of a ball wire of an appropriate magnitude | size at the time of wire bonding with sufficient reproducibility can be provided. As a result, bonding failure can be prevented, and a semiconductor device with improved electrical reliability can be mounted.
[0037]
Further, according to the present invention, it is possible to provide a bonding method capable of suppressing the generation of defective balls. As a result, product defects associated with bonding defects can be reduced and yield can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram for explaining a wire bonder according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 (a) is a side view of the electric torch according to the embodiment of the present invention, and FIG. 2 (b) is a front view thereof.
FIG. 3 (a) is a side view showing the relationship between the electric torch and the wire according to the embodiment of the present invention, and FIG. 3 (b) is a front view thereof.
FIG. 4 is another schematic diagram (front view) showing the relationship between the electric torch and the wire according to the embodiment of the present invention.
FIGS. 5A to 5D are schematic process diagrams (part 1) for explaining a bonding method according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 6E to 6J are schematic process diagrams (part 2) for explaining the bonding method according to the embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a schematic view focusing on a current path of the bonding apparatus according to the embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a schematic configuration diagram for explaining a wire bonder according to a conventional technique.
[Explanation of symbols]
1 First bonding point
2 Second bonding point
3 Capillary
3a Capillary drive device
4 Wire clamper
4a Wire clamper drive device
5 wires
5a ball
6 Electric torch
6a Electric torch protrusion
6b Electric torch body
6c Electric torch discharge surface
6d electric torch drive device
7 Wire contact sensing device
8 Bonding pads
9 Semiconductor chip
11 Package substrate (or lead frame)
12 Package placement stage (lead frame placement stage)
13 Lead terminal
21 Photocoupler
22 High voltage power supply
23 Low voltage power supply
26 2-terminal switching relay
27 Relay drive circuit
28 Power supply
29 Relay
36 Flat Electric Torch
Claims (12)
前記ワイヤをクランプするワイヤクランパと、
該ワイヤクランパに電気的に接続されたワイヤ接触感知装置と、
前記キャピラリからの繰り出された前記ワイヤの先端との間で放電を生じさせるための平坦な表面を有する電気トーチ本体部、前記ワイヤの繰り出し長が最適値よりも長すぎる場合には、前記ワイヤが接触するように、前記電気トーチ本体部の端部に一定の障壁高さを有するように設けられた電気トーチ突出部とを備えた電気トーチと、
前記電気トーチに接続され、前記電気トーチ突出部が前記ワイヤに接触したとき、前記電気トーチ、前記ワイヤ、前記ワイヤクランパ,前記ワイヤ接触感知装置を経由する閉回路を形成し、前記電気トーチ突出部と前記ワイヤとの接触を前記ワイヤ接触感知装置に検知させる低圧電源と、
前記電気トーチを水平方向に移動させる電気トーチ駆動装置
とを備えることを特徴とするワイヤボンダ。A capillary for feeding out the wire;
A wire clamper for clamping the wire;
A wire contact sensing device electrically connected to the wire clamper;
An electric torch main body having a flat surface for generating a discharge with the tip of the wire drawn out from the capillary, and when the wire drawing length is too long than the optimum value, the wire An electric torch provided with an electric torch protrusion provided to contact the end of the electric torch main body so as to have a certain barrier height;
When the electric torch protrusion contacts with the wire, the electric torch protrusion forms a closed circuit via the electric torch, the wire, the wire clamper, and the wire contact sensing device. A low-voltage power supply that causes the wire contact sensing device to detect contact with the wire ;
An electric torch drive device that moves the electric torch in a horizontal direction.
前記ワイヤクランパと接地間に電気的に挿入された感知抵抗と、
該感知抵抗に並列接続されたフォトカプラと、
該フォトカプラの出力をベース端子に入力する増幅用トランジスタ
とを含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のワイヤボンダ。The wire contact sensing device comprises:
A sensing resistor electrically inserted between the wire clamper and ground;
A photocoupler connected in parallel to the sensing resistor;
The wire bonder according to any one of claims 1 to 4, further comprising an amplifying transistor that inputs an output of the photocoupler to a base terminal.
前記ワイヤ接触感知装置の出力信号を入力し前記リレーを駆動するリレー駆動回路
とを更に備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のワイヤボンダ。A two-terminal switching relay inserted between the electric torch and the low-voltage power source;
The wire bonder according to claim 1, further comprising a relay drive circuit that inputs an output signal of the wire contact sensing device and drives the relay.
前記2端子切り替えリレーの他方の端子に、前記低圧電源より高電圧の高圧電源が接続され、
該高圧電源により、前記電気トーチと前記ワイヤの先端との間に放電を生じさせることを可能としたことを特徴とする請求項8に記載のワイヤボンダ。The low-voltage power supply is connected to one terminal of the two-terminal switching relay;
A high-voltage power source having a higher voltage than the low-voltage power source is connected to the other terminal of the two-terminal switching relay ,
9. The wire bonder according to claim 8 , wherein a discharge can be generated between the electric torch and the tip of the wire by the high-voltage power source .
平坦な表面を有する電気トーチ本体部、該電気トーチ本体部の端部に一定の障壁高さを有するように設けられた電気トーチ突出部とを備えた電気トーチを水平移動させる工程と、
該水平移動により得られる、前記電気トーチ突出部と前記ワイヤとの相対関係を、前記ワイヤをクランプしているワイヤクランパに電気的に接続されたワイヤ接触感知装置で判定する工程と、
該ワイヤ接触感知装置により、前記ワイヤの先端と前記電気トーチ本体部の表面との距離が、最適放電ギャップであると判定された場合に、前記ワイヤと前記電気トーチ本体部との間に高電圧を印加し、前記ワイヤの先端にボールを形成する工程
とを含むことを特徴とするボンディング方法。A step of feeding a wire from a capillary;
A step of horizontally moving an electric torch comprising an electric torch main body having a flat surface and an electric torch protrusion provided at an end of the electric torch main body so as to have a certain barrier height;
Determining the relative relationship between the electric torch protrusion and the wire obtained by the horizontal movement with a wire contact sensing device electrically connected to a wire clamper clamping the wire;
When the wire contact sensing device determines that the distance between the tip of the wire and the surface of the electric torch main body is an optimum discharge gap, a high voltage is applied between the wire and the electric torch main body. And a step of forming a ball on the tip of the wire.
前記キャピラリから繰り出された前記ワイヤの余分な長さに対応した時間、前記半導体発光素子を点灯させることにより、前記ワイヤの長さを検知し、前記ワイヤの先端と前記電気トーチ本体部の表面との距離が最適放電ギャップであるか否かを判定することを特徴とする請求項11に記載のボンディング方法。The wire contact sensing device includes a sensing resistor electrically inserted between the wire clamper and ground, and a semiconductor light emitting device connected in parallel to the sensing resistor,
By lighting the semiconductor light emitting element for a time corresponding to the extra length of the wire drawn out from the capillary, the length of the wire is detected, and the tip of the wire and the surface of the electric torch main body The bonding method according to claim 11, wherein it is determined whether or not the distance is an optimum discharge gap.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001349083A JP3552700B2 (en) | 2001-11-14 | 2001-11-14 | Wire bonder and bonding method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001349083A JP3552700B2 (en) | 2001-11-14 | 2001-11-14 | Wire bonder and bonding method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003152013A JP2003152013A (en) | 2003-05-23 |
JP3552700B2 true JP3552700B2 (en) | 2004-08-11 |
Family
ID=19161807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001349083A Expired - Fee Related JP3552700B2 (en) | 2001-11-14 | 2001-11-14 | Wire bonder and bonding method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3552700B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220160553A (en) * | 2020-03-29 | 2022-12-06 | 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드 | Method for optimizing clamping of a semiconductor device to a support structure on a wire bonding machine, and related methods |
-
2001
- 2001-11-14 JP JP2001349083A patent/JP3552700B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003152013A (en) | 2003-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6271601B1 (en) | Wire bonding method and apparatus and semiconductor device | |
US6715666B2 (en) | Wire bonding method, method of forming bump and bump | |
US4619397A (en) | Method of and apparatus for bonding an electrically conductive wire to bonding pads | |
US7605403B2 (en) | Semiconductor light-emitting device and fabrication method of the same | |
US20100052125A1 (en) | Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and lead frame | |
US20070029367A1 (en) | Semiconductor device | |
US20150294926A1 (en) | Module Comprising a Semiconductor Chip | |
JP2008270270A (en) | Process for manufacturing semiconductor device | |
JP5062283B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
CN107230668B (en) | Structure and method for stabilizing leads in wire-bonded semiconductor devices | |
US7427009B2 (en) | Capillary for wire bonding | |
JP3552700B2 (en) | Wire bonder and bonding method | |
JP3276899B2 (en) | Semiconductor device | |
US9997490B2 (en) | Window clamp | |
TW392259B (en) | Bump bonder | |
JP3202193B2 (en) | Wire bonding method | |
JPH1154541A (en) | Method and device for wire bonding | |
WO2008045779A2 (en) | Gold die bond sheet preform | |
JP2007012642A (en) | Wire bonding method | |
JPS6178128A (en) | Bonding tool for manufacture of semiconductor device | |
JP2002093846A (en) | Wire-bonding apparatus | |
JP2848344B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
KR100237177B1 (en) | Metal ball contact point of semiconductor chip and formation method thereof | |
JP4718318B2 (en) | Non-bonding detection jig for wire bonding | |
JPH0590320A (en) | Ball type wire bonding method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040319 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040413 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040426 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |