JP3540691B2 - Semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は縦型MOSFET装置などの半導体装置に関し、特にトレンチ溝構造を有する半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
最近の縦型MOSFETにおいては、構造的に低オン抵抗特性が得やすいことから、トレンチ溝内にゲート電極を埋め込んだ構造のいわゆるトレンチ型が注目されている。このようなトレンチ型構造を有する縦型MOSFETは、例えば特開平4−146674号公報、特開平5−335582号公報などにその構造及び製造工程の概略が開示されている。
【0003】
このような縦型MOSFETの製造方法の一例を、図8乃至図9を用いて説明する。
【0004】
第1工程:図8(A)参照
N+型半導体層11aとN型半導体層11bとを有する半導体基板11の表面に、P型の不純物を拡散してチャネル領域12を形成する。半導体層11a、11bは共通のドレイン層となる。
【0005】
第2工程:図8(B)参照
基板11表面から異方性ドライエッチングによってトレンチ13を形成する。トレンチ13はチャネル領域12を貫通してN型半導体層11bに達する。半導体基板11全体を熱処理して、トレンチ13の側面と底面の半導体層表面に膜厚が800Å程度のゲート酸化膜14を形成する。
【0006】
第3工程:図8(C)参照
全面にポリシリコン層を形成し、これをエッチバックすることにより、トレンチ13の内部を埋設するゲート電極15を形成する。
【0007】
第4工程:図9(A)参照
チャネル領域12表面にN+ソース領域16とP+コンタクト領域17を形成し、更にゲート電極15の上に絶縁膜18を形成する。
【0008】
第5工程:図9(B)参照
そして、ソース領域16とコンタクト領域17の両方にコンタクトするソース電極19を形成する。
【0009】
係る構造の縦型MOSFETにおいては、ゲート電極15に所定のしきい値以上の電圧を与えることにより、P型のチャネル領域12内のトレンチ13に沿ってN型の反転層(チャネル)を形成し、N型半導体層11bとN+型のソース領域16との間に電流路を形成する。これにより縦型MOSFETのソース・ドレイン間がオン状態となる。逆にゲート電極15の電圧をしきい値以下とすることで、チャネル領域12のN型の反転層がなくなり、縦型MOSFETのソース・ドレイン間がオフ状態となる。係る縦型MOSFETによれば、プレーナ型の縦型MOSFETに特有の接合型FET効果がないことから、そのオン抵抗を小さくできるという利点が生じる。
【0010】
以上の製造方法において、第2工程で形成されるゲート酸化膜14は、MOSFET素子のしきい値を決定する重要な要素である。このしきい値は、主としてチャネル領域12とゲート電極15とで挟まれた部分のゲート酸化膜15の膜厚t1(図8(B)参照)で決定され、その膜厚が薄いほど、素子の電流駆動能力を向上できる。一方、トレンチ13の底面におけるゲート酸化膜14の膜厚t2は、この素子のゲート・ドレイン間耐圧Vdgを決定する。この膜厚t2が厚い程、ゲート・ドレイン間耐圧Vdgを増大できる。また、膜厚t2は素子のゲート・ドレイン間容量Cdgを決定する要素でもある。
【0011】
ところで、半導体業界では結晶面(100)の半導体基板11が多用されている。結晶面(100)とは、x軸=[100]軸と「1」で交わりy、z軸とは無限大で交わる、即ち交わらない結晶面を意味する。
【0012】
図10は、この様な(100)基板にトレンチ型MOSFET素子を形成した場合の状態を示す斜視図である。トレンチ13が矩形のチャネル領域12の周囲を格子状に連続して取り囲んでいる。チャネル領域12が正方形のような矩形で且つその形状が結晶面の方位に一致した場合、トレンチ13の側面と底面に露出する半導体層の結晶面は、共に(100)若しくはその近傍の結晶面(等価面)となる。この様に等価面であれば、熱酸化によるシリコン酸化膜の成長レートが同じであるので、ゲート酸化膜14(図8(B)参照)の膜厚t1とt2は、同じ膜厚となる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、素子の低しきい値化と大電流化を求めるには膜厚t1を薄くしたい要求があるのに対し、素子のゲート・ドレイン間耐圧Vdgを大きく且つゲート・ドレイン間容量Cdgを小さくするためには、膜厚t2を厚くしたいという相反する要求がある。これらは相反する要求ではあるが、例えばゲート酸化膜14のピンホールなどに起因する耐圧不良の方が致命的な不良であるため、結局は膜厚t2を優先した設計によって、素子の高性能化を阻害すると言う欠点があった。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述した従来の欠点に鑑みなされたもので、半導体層に、側面と底面とを有するトレンチを形成し、前記側面の半導体層表面と前記底面の半導体層表面に絶縁膜を形成した半導体装置であって、
前記側面の半導体層表面の絶縁膜の成長レートに対して、前記底面の半導体層の絶縁膜の成長レートが大であるように、両者の結晶面が選択されていることを特徴とするものである。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を、図面を参照して説明する。
【0016】
第1の実施の形態
第1工程:図1(A)参照
先ず、N+型層21aとN型層21bを具備するシリコン半導体基板21を準備する。基板21の一主面側にN型層21bが、裏面側にN+型層21aが位置する。N型層21bは例えばエピタキシャル成長法によって形成したものである。基板21は結晶面が(111)若しくはその近傍の結晶面が選択されており、N型層21aの表面の結晶面も(111)となる。
【0017】
第2工程:図1(B)参照
MOSFET素子を形成すべき領域に、N型半導体基板21の表面からボロンなどのP型の不純物を選択的に熱拡散して、P型のチャネル領域22を形成する。23はシリコン酸化膜である。
【0018】
第3工程:図1(C)参照
シリコン酸化膜23の上にホトレジスト膜24を形成する。ホトレジスト膜24を露光、現像して、複数の開口部25を形成する。この開口部25によってシリコン酸化膜23を選択的に除去し、シリコン表面を部分的に露出する。
【0019】
第4工程:図1(D)参照
ホトレジスト膜24を除去した後、シリコン酸化膜25の開口部に従ってシリコン表面を選択的にエッチングし、トレンチ26を形成する。エッチングは、例えばAMJ社のドライエッチング装置P−5000を用い、エッチングガスとしてはHBr,NF3,He+O2を使用する。このエッチングは基板21に対して垂直方向にエッチングが進行する様な、異方性のエッチングとする。トレンチ26はP型チャネル領域22を貫通し、N型層21aに達する。
【0020】
この工程において、基板21の結晶面を(111)とした場合には、トレンチ26側面の半導体層表面27は<110>若しくはその近傍の結晶方位の面を露出することができる。また、トレンチ26底面の半導体層表面28には(111)若しくはその近傍の結晶面が露出する。
【0021】
第5工程:図2(A)参照
酸素雰囲気中における1000℃、1時間の熱処理を伴うダミー酸化により、トレンチ26内部のシリコン表面に酸化膜層を形成し、これを除去する。これによりトレンチ26形成に伴うシリコン表面の欠陥層を除去する。その後、ドライ酸化雰囲気中における1100℃、1時間の熱酸化を行うことで、トレンチ26の内部にゲート酸化膜29を形成する。ゲート酸化膜27の膜厚は400〜800Åである。尚、チャネル層22の表面にも同様に酸化膜が被着する。
【0022】
第6工程:図2(B)参照
次に、多結晶シリコン層をCVD法により全面に被着することで、トレンチ26の内部を多結晶シリコンで埋め込む。そして、多結晶シリコン膜にリン又はボロンをドープし、多結晶シリコン膜を導電層化する。次に例えば等方性のガスエッチングにより、多結晶シリコンをエッチバックする。そしてシリコン酸化膜が露出した段階で多結晶シリコンのエッチングを停止することで、トレンチ26内に埋め込まれたゲート電極30を形成する。
【0023】
第7工程:図2(C)参照
次に、P+型のコンタクト領域31を形成する。これはコンタクト領域31となる部分にホトリソグラフィの工程によりレジストマスクの開口を形成し、例えばボロンをイオン注入することにより形成する。次に再びホトリソグラフィの工程によりソース層となる部分にレジストマスクの開口を形成し、例えば砒素(As)をイオン注入することでN+型のソース領域32を形成する。このソース領域32は、トレンチ26に埋め込まれたゲート電極30の上端部をマスクとしてイオン注入により形成されるので、ゲート電極に対してセルフアラインで拡散層が形成される。次にNSG/BPSG等の絶縁膜を基板全面に被着し、ホトリソグラフィの工程により基板表面のソース領域32及びコンタクト領域31を露出するようにその絶縁膜をエッチングすることで開口を設け、絶縁層33を形成する。絶縁層33の開口部はコンタクトホール34となる。
【0024】
第8工程:図3参照
そして、スパッタリング又は蒸着法によって、アルミ等の金属材料を基板の全面に被着し、ホトエッチング、アロイすることで、MOSFETセル領域部分の全面にソース電極35を形成する。更にチップ全面にパッシベーション膜を被着し、又、半導体基板21の裏面側にドレイン電極(図示せず)を形成することで、ウェハ段階の縦型MOSFETが完成する。尚、チャネル領域22とソース領域32を形成した後にトレンチ26を形成する順番でもかまわない。
【0025】
図3(A)は、斯かる製造方法によって得られた半導体装置のセルのパターンを示している。トレンチ26によって区画された各チャネル領域22は各々6角形の形状を具備する。この様にチャネル層22の形状若しくはトレンチ26側面の半導体層表面27によって区画される領域を、「単位セル」と称する。各単位セルは、互いに同じ形状と大きさを持ち、6角形の各辺が互いに平行に隣り合うように、縦横に配置される。各単位セルの6角形は、6つの角の角度θが各々120度プラスマイナス10度以内であり、好ましくはθが120度の正6角形であることが望ましい。この様に正6角形である場合、単位セルの中心と中心とを結ぶ線は、辺の長さがaの正三角形40となる。トレンチ26は一定線幅bで連続し、各単位セルの周囲を取り囲む。全体として「蜂の巣」または「亀甲」のようなハニカム形状のパターンである。そして、ソース領域32は単位セルの形状に沿った一定線幅の環状の形状を持ち、ソース領域32の中心部分にコンタクト領域31が露出する。ソース電極35は、コンタクト領域31とソース領域32との両方にコンタクトしている。この様に単位セルを多数並列接続することにより、MOSFET素子を構成している。
【0026】
図3(B)は、斯かる製造方法によって得られた半導体装置の断面構造を示している。表面にP型チャネル層22を有し、その下部にN+型層21a、N型層21bとを有するシリコン半導体基板21に、多数のトレンチ26がP型チャネル層22を超えてN型層21bに達する深さに形成されている。そのトレンチ26の表面には熱酸化によりゲート酸化膜29が形成され、更にその内部はゲート電極30が埋設されている。トレンチ26内部に埋設されたゲート電極30は、図示せぬ箇所で外部からゲート電位を印加可能な電極パッドに接続される。ゲート電極30の上に設けた絶縁層33が、ゲート電極30とソース電極35とを絶縁分離している。このトレンチ型MOSFETは、ゲート電極30に電界を加えることにより、P型のチャネル層22内のトレンチ26に沿ってN型の反転層を形成し、ドレインとなるN型層21a、21bとN+型のソース領域32との間に電流路を形成する。
【0027】
以上の製造方法に於いて、ゲート酸化膜29の形成はシリコンの熱酸化によって行われる。熱酸化における酸化膜の成長レートは、結晶面に大きく依存する。
【0028】
例えば1000℃、ドライ酸化の条件で熱酸化膜の成長レートを各結晶面で比較すると、以下のようになる。
【0029】
(111)>(110)>(311)>(511)>(100)
即ち、(110)面に比較して、(111)面の成長レートが少し速いのである。この成長レートの差は、800℃以下の低温熱処理では逆転する。
【0030】
従って、トレンチ26側面の半導体層表面27の結晶方位を<110>で構成し、トレンチ32底面の半導体層表面28の結晶面を(111)面で構成すること、更に、ゲート酸化膜の形成条件として900℃以上、好ましくは1000℃以上の高温熱処理を行うことで、ゲート電極30とチャネル領域22とで挟まれた部分の酸化膜厚t1(図2(A)参照)よりもゲート電極30とN型層21bとで挟まれた部分の酸化膜厚t2(図2(A)参照)を約10%程度厚く形成する事ができる。このことにより、酸化膜厚t1を薄くしてMOSFET素子の電流駆動能力を増大することと、酸化膜厚t2によって決定されるゲート・ドレイン間の耐圧Vgdおよびゲート・ドレイン間の容量Cgdを減少することとを、両立させることができる。
【0031】
加えて、斯様な高温熱処理を加えることにより、トレンチ26の肩の部分、即ちソース層56に接する部分41(図1(D)参照)の形状を丸みの帯びた形状に加工できる。よって、酸化膜29、22などの被覆性が向上する。尚、シリコン酸化膜SiO2に代えて、シリコン窒化膜SiNや、酸化膜と窒化膜との積層構造を用いる場合でも、同様に膜厚の差を得ることが出来る。
【0032】
図4は、実際の半導体装置で用いる結晶面(111)の半導体ウェハ42を示している。このウェハ42は、表面に(111)面が露出しており、該表面に多数の半導体チップを形成するものである。各半導体チップの表面には図3(A)に示したパターンからなるMOSFET素子が形成される。オリエンテーションフラットOFは結晶方位<110>としたが、その他の方位でも良い。尚、結晶面(111)とは、x軸=[100]軸と1で交わり、y軸=[010]軸と1で交わり、同じくz軸=[001]軸と1で交わる結晶面を意味する。
【0033】
そして、6角形の単位セルパターン50の各辺51〜56が結晶方位<110>に対して直交するような配置で、パターン50を形成する。これにより、トレンチ26で区画される6つの半導体層表面27の結晶方位を、全て<110>で構成することが可能になる。尚、6つの表面27の結晶面が互いに均等であることは、ゲート酸化膜29の膜厚t1を均等にしてしきい値Vtを均等に出来ること、そしてシリコン中における電子の移動度、界面準位等を均等に出来ることを意味する。従って、6角形の単位セルパターン50を利用することにより、6面全てに均等にチャネル電流を流すことが出来る。
【0034】
加えて、斯様に6角形のセルを配置したことにより、単位面積あたりのセル密度を大幅に向上できる。これに伴ってゲート幅GWの総合的な長さも大幅に増大するので、単位面積あたりの電流容量を増大できる。具体的には、従来と同じチップサイズ(例えば1.0mm×1.0mm)に、数万個〜数十万個の単位セルを集積化することが可能になった。よって高出力のMOSFET装置、またはオン抵抗Rds(on)の小さいMOSFET装置を得ることが出来る。
【0035】
第2の実施の形態
図5に、本発明の第2の実施の形態を示した。単位セルのパターン50の6角形が正6角形ではなく図面縦方向yの距離に対して図面横方向の距離xの距離を長くした6角形である形態を示している。この場合、パターン50の中心と中心とを結ぶ三角形40は2等辺三角形となり、2つの辺の距離cは等距離である。三角形の距離aは図3の距離aに等しい。パターン50の辺は、隣のパターン50の辺と平行であり、その距離bは一定である。斯かる形状に於いても、その6面全てに<110>結晶方位の面を露出することが出来る。製造方法は、図1乃至図3に示した工程に準じる。
【0036】
第3の実施の形態
図6は、本発明をIGBT(Insulate Gate Bipolar Transistor)に適用した例を示している。セルの形状は図3、図5のどちらの例でも適用が可能である。P型基板70の上にN+層71とN型層72を形成し、N型層72表面にP型チャネル層73を形成し、チャネル層73の表面からN型層72に達するトレンチ74を形成し、トレンチ74内部にゲート酸化膜75とゲート電極76を形成し、チャネル層73表面に環状のN+ソース層77を形成し、更にチャネル層73表面にP+コンタクト領域78を形成し、ソース領域とP+コンタクト領域にアルミなどの金属電極79が電気接触している。
【0037】
この素子は、ゲート電極76に印加した電圧によってトレンチ74側面のチャネル層73にチャネルを形成し、ソース層77からN型層72へチャネル電流を流すと共に、該チャネル電流をP型チャネル層73、N/N+層71、72、及びP+基板70とで形成するPNPトランジスタのベース電流として供給するように構成したものである。該IGBTは、前記PNPトランジスタで伝導度変調が生じるので、MOSFET素子よりもオン抵抗を減じることが出来る。側面の半導体層表面27と底面の半導体層表面28との結晶面の関係、及び単位セルのパターンは第1または第2の実施の形態に等しい。
【0038】
第4の実施の形態
図7は、トレンチ26側面の半導体層表面27が湾曲している場合の、トレンチ型MOSFET装置を示している。トレンチ26と単位セルの形状は図3に等しく、トレンチ26がV字型の形状を持っている。この場合、側面の半導体層表面27には<110>結晶方位の面が露出するものではないが、底面の半導体層表面28に成長レートが最も高い(111)面を露出させることが出来るので、チャネル領域22部分のゲート酸化膜29の膜厚t1に比べて、N型層21b部分のゲート酸化膜29の膜厚t2を厚く形成できる。他の箇所は図3の構成と同一であるので説明を省略する。
【0039】
以上に説明したのは本発明のいくつかの実施の形態に過ぎないものであり、本発明の趣旨を逸脱することなく、このほかにも例えば静電誘導サイリスタ(SITh)、ゲ−トタ−ンオフサイリスタ(GTO)、及びMOS制御サイリスタ(MCT)等の、ゲート電位によってチャネル電流を制御する半導体素子等、種々の変形した実施の形態が考えられることは勿論のことである。また、図5のパターンと図6の実施の形態との組み合わせ、図5のパターンと図7の実施の形態との組み合わせも容易に適用できるものである。
【0040】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明は、側面の半導体層表面27の結晶面と底面の半導体層表面28の結晶面とを選択することにより、膜厚t1に対して膜厚t2を厚く形成できるので、素子の駆動能力の向上と、耐圧Vdgの増大及び容量Cdgの低減を両立できる利点を有する。
【0041】
また、図3に示した6角形のパターンを用いることにより、膜厚の差を形成しながら、単位セルの高密度集積化を実現して、高出力の素子を得ることが出来る利点を有する。更には、(111)基板と<110>結晶方位の面との組み合わせにより、6つの面の膜厚t1を均一に形成できる利点をも有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の製造方法を説明するための断面図である。
【図2】本発明の製造方法を説明するための断面図である。
【図3】本発明の製造方法を説明するための(A)平面図、(B)断面図である。
【図4】本発明を説明するための平面図である。
【図5】本発明の第2の実施の形態を説明するための平面図である。
【図6】本発明の第3の実施の形態を説明するための断面図である。
【図7】本発明の第4の実施の形態を説明するための断面図である。
【図8】従来例を説明するための断面図である。
【図9】従来例を説明するための断面図である。
【図10】従来例を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
22 チャネル領域
26 トレンチ
27 側面の半導体層表面
28 底面の半導体層表面
29 ゲート酸化膜
30 ゲート電極[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device such as a vertical MOSFET device, and more particularly to a semiconductor device having a trench structure.
[0002]
[Prior art]
In recent vertical MOSFETs, a so-called trench type having a structure in which a gate electrode is buried in a trench is attracting attention because low on-resistance characteristics are easily obtained structurally. The vertical MOSFET having such a trench type structure is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 4-146,674 and 5-335,582, and the outline of the structure and manufacturing process thereof.
[0003]
An example of a method for manufacturing such a vertical MOSFET will be described with reference to FIGS.
[0004]
First step: As shown in FIG. 8A, a
[0005]
Second step: A
[0006]
Third step: Referring to FIG. 8C, a polysilicon layer is formed on the entire surface, and this is etched back to form a
[0007]
Fourth step: N +
[0008]
Fifth step: Referring to FIG. 9B, a
[0009]
In the vertical MOSFET having such a structure, an N-type inversion layer (channel) is formed along the
[0010]
In the above manufacturing method, the
[0011]
By the way, in the semiconductor industry, a
[0012]
FIG. 10 is a perspective view showing a state in which a trench MOSFET device is formed on such a (100) substrate. A
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
However, in order to reduce the threshold value and increase the current of the device, it is necessary to reduce the thickness t1. On the other hand, the breakdown voltage Vdg between the gate and the drain of the device is increased and the capacitance Cdg between the gate and the drain is reduced. For this purpose, there is a conflicting demand to increase the thickness t2. Although these are conflicting requirements, for example, a breakdown voltage failure caused by a pinhole or the like in the
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been made in view of the above-described conventional drawbacks, and has a semiconductor in which a trench having a side surface and a bottom surface is formed in a semiconductor layer, and an insulating film is formed on the semiconductor layer surface on the side surface and the semiconductor layer surface on the bottom surface. A device,
The crystal planes of both semiconductor layers are selected such that the growth rate of the insulating film of the semiconductor layer on the bottom surface is higher than the growth rate of the insulating film on the surface of the semiconductor layer on the side surface. is there.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0016]
First Embodiment First Step: See FIG. 1A First, a
[0017]
Second step: P-type impurities such as boron are selectively thermally diffused from the surface of the N-
[0018]
Third step: Referring to FIG. 1C, a
[0019]
Fourth step: Refer to FIG. 1D. After removing the
[0020]
In this step, when the crystal plane of the
[0021]
Fifth Step: Referring to FIG. 2A, an oxide film layer is formed on the silicon surface inside the
[0022]
Sixth step: See FIG. 2B Next, the inside of the
[0023]
Seventh step: See FIG. 2C Next, a P +
[0024]
Eighth step: See FIG. 3 Then, a metal material such as aluminum is applied to the entire surface of the substrate by sputtering or vapor deposition, and the
[0025]
FIG. 3A shows a cell pattern of a semiconductor device obtained by such a manufacturing method. Each
[0026]
FIG. 3B shows a cross-sectional structure of a semiconductor device obtained by such a manufacturing method. In the
[0027]
In the above manufacturing method, the
[0028]
For example, when the growth rate of the thermal oxide film is compared on each crystal plane under the conditions of 1000 ° C. and dry oxidation, the result is as follows.
[0029]
(111)>(110)>(311)>(511)> (100)
That is, the growth rate of the (111) plane is slightly faster than that of the (110) plane. The difference between the growth rates is reversed by the low-temperature heat treatment at 800 ° C. or lower.
[0030]
Therefore, the crystal orientation of the
[0031]
In addition, by applying such a high-temperature heat treatment, the shoulder portion of the
[0032]
FIG. 4 shows a semiconductor wafer 42 having a crystal plane (111) used in an actual semiconductor device. The wafer has a (111) plane exposed on the surface, and a number of semiconductor chips are formed on the surface. A MOSFET element having the pattern shown in FIG. 3A is formed on the surface of each semiconductor chip. Although the orientation flat OF has the crystal orientation <110>, other orientations may be used. The crystal plane (111) means a crystal plane that intersects the x-axis = [100] axis at 1, intersects the y-axis = [010] axis at 1, and also intersects the z-axis = [001] axis at 1 I do.
[0033]
Then, the
[0034]
In addition, by disposing the hexagonal cells in this manner, the cell density per unit area can be significantly improved. Accompanying this, the overall length of the gate width GW is greatly increased, so that the current capacity per unit area can be increased. Specifically, it is possible to integrate tens of thousands to hundreds of thousands of unit cells in the same chip size (for example, 1.0 mm × 1.0 mm) as in the past. Therefore, a high-output MOSFET device or a MOSFET device with small on-resistance Rds (on) can be obtained.
[0035]
Second Embodiment FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention. In this example, the hexagon of the
[0036]
Third Embodiment FIG. 6 shows an example in which the present invention is applied to an IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor). The shape of the cell can be applied to any of the examples shown in FIGS. An N +
[0037]
In this element, a channel is formed in the
[0038]
Fourth Embodiment FIG. 7 shows a trench type MOSFET device when the
[0039]
What has been described above is only some embodiments of the present invention, without departing from the spirit of the present invention. In addition, for example, electrostatic induction thyristor (SITh), gate turn Of course, various modified embodiments can be considered, such as a semiconductor element that controls a channel current by a gate potential, such as an off thyristor (GTO) and a MOS control thyristor (MCT). Also, the combination of the pattern of FIG. 5 with the embodiment of FIG. 6 and the combination of the pattern of FIG. 5 with the embodiment of FIG. 7 can be easily applied.
[0040]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, by selecting the crystal plane of the
[0041]
The use of the hexagonal pattern shown in FIG. 3 has the advantage that a high-density integration of unit cells can be realized while forming a difference in film thickness, and a high-output element can be obtained. Further, the combination of the (111) substrate and the plane having the <110> crystal orientation has an advantage that the film thickness t1 of the six planes can be formed uniformly.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing method of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the present invention.
3A is a plan view and FIG. 3B is a cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the present invention.
FIG. 4 is a plan view for explaining the present invention.
FIG. 5 is a plan view for explaining a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a third embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a sectional view for explaining a conventional example.
FIG. 9 is a sectional view for explaining a conventional example.
FIG. 10 is a perspective view for explaining a conventional example.
[Explanation of symbols]
Claims (13)
前記側面の半導体層表面が<110>結晶方位の面もしくはその近傍であり、前記底面の半導体層表面の結晶面が(111)もしくはその近傍であり、前記側面の前記絶縁膜の膜厚が、前記底面の前記絶縁膜の膜厚より薄いことを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device in which a trench having a side surface and a bottom surface is formed in a semiconductor layer, and an insulating film is formed on the semiconductor layer surface on the side surface and the semiconductor layer surface on the bottom surface,
The surface of the semiconductor layer on the side surface is at or near a <110> crystal orientation surface, the crystal surface of the semiconductor layer surface on the bottom surface is (111) or near the same, and the thickness of the insulating film on the side surface is A semiconductor device having a thickness smaller than a thickness of the insulating film on the bottom surface.
前記側面の半導体層表面と前記底面の半導体層表面に絶縁膜を形成する工程とを具備する半導体装置の製造方法において、
前記側面の半導体層表面が<110>結晶方位の面もしくはその近傍であり、前記底面の半導体層表面の結晶面が(111)もしくはその近傍であり、前記側面の前記絶縁膜の膜厚が、前記底面の前記絶縁膜の膜厚より薄く形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 Forming a trench having a side surface and a bottom surface in the semiconductor layer;
Forming an insulating film on the semiconductor layer surface on the side surface and the semiconductor layer surface on the bottom surface,
The surface of the semiconductor layer on the side surface is at or near a <110> crystal orientation surface, the crystal surface of the semiconductor layer surface on the bottom surface is (111) or near the same, and the thickness of the insulating film on the side surface is A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor device is formed to be thinner than the thickness of the insulating film on the bottom surface.
前記半導体層表面に、側面と底面とを有するトレンチを形成する工程と、
前記側面の半導体層表面と前記底面の半導体層表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記トレンチ内部にゲート電極を形成する工程と、
前記チャネル領域表面に逆導電型のソース領域を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法において、
前記側面の半導体層表面が<110>結晶方位の面もしくはその近傍であり、前記底面の半導体層表面の結晶面が(111)もしくはその近傍であり、前記側面の前記絶縁膜の膜厚が、前記底面の前記絶縁膜の膜厚より薄く形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 Forming a channel region of the opposite conductivity type on the surface of the semiconductor layer of one conductivity type;
Forming a trench having a side surface and a bottom surface on the semiconductor layer surface;
Forming a gate insulating film on the semiconductor layer surface on the side surface and the semiconductor layer surface on the bottom surface;
Forming a gate electrode inside the trench;
Forming a source region of the opposite conductivity type on the surface of the channel region; and
The surface of the semiconductor layer on the side surface is at or near a <110> crystal orientation surface, the crystal surface of the semiconductor layer surface on the bottom surface is (111) or near the same, and the thickness of the insulating film on the side surface is A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor device is formed to be thinner than the thickness of the insulating film on the bottom surface.
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