JP3540111B2 - Substrate heat treatment equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、筐体内部に設けられた熱処理プレート上において、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板等の基板(以下「基板」という。)を熱処理する基板熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造におけるフォトリソグラフィー工程においては、従来から、図4に示す断面図のような基板熱処理装置が用いられている。この装置は、筐体910、基板搬出入シャッター920、カバー930、ホットプレート940を備えている。そして、図4(a)のようにカバー930が下降してホットプレート940との間に閉空間を形成した状態(以下「閉状態」という。)で、かつ基板搬出入シャッター920が閉じた状態と、図4(b)のようにカバー930が上昇した状態(以下「開状態」という。)で、かつ基板搬出入シャッター920が開いた状態をとり得る。
【0003】
このような装置において、図4(b)の状態で筐体910の基板搬出入口910aを通じて基板Wの搬出入が行われるとともに次の処理までの待機が行われ、また、図4(a)の状態で基板Wの加熱処理が行われる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、化学増幅型レジストを使用するプロセスにおいては、露光後の基板に対して行われる加熱処理(以下、「PEB(Post Exposure Bake)処理」という)では非常に高精度の温度均一性が要求される。
【0005】
ところが、基板受け渡し時および待機時には図4(b)に示すように、カバー930が開状態であるためカバー930上方の高温の雰囲気が基板搬出入口を通じて外部に流出するとともに、冷たい外気がホットプレート上に載置された基板W上方に流れ込む。そのため、基板搬出入口側の雰囲気の温度がその反対の装置奥側の雰囲気の温度に比べて低くなって、内部雰囲気に温度勾配が発生し、よって基板温度も同様の温度勾配をもつため現像線幅分布にバラツキが生じるといった問題が発生していた。
【0006】
この発明は、従来技術における上述の問題の克服を意図しており、内部雰囲気の温度均一性の高い基板熱処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、この発明の請求項1の装置は、筐体内部に設けられた熱処理プレート上において基板を熱処理する基板熱処理装置において、熱処理プレート上の基板を覆うカバーと、基板を覆った閉状態と解放した開状態との間でカバーを移動させるカバー駆動手段と、筐体の基板搬出入口を塞ぐシャッターと、シャッターを開閉駆動するシャッター駆動手段と、カバーを閉状態とする前にシャッターを閉じるようにカバー駆動手段およびシャッター駆動手段を制御する駆動制御手段と、を備える。
【0008】
また、この発明の請求項2の装置は、筐体内部に設けられた熱処理プレート上において基板を熱処理する基板熱処理装置において、熱処理プレート上の基板を覆うカバーと、基板を覆った閉状態と解放した開状態との間でカバーを移動させるカバー駆動手段と、筐体の基板搬出入口を塞ぐシャッターと、シャッターを開閉駆動するシャッター駆動手段と、カバーを開状態とした後にシャッターを開くようにカバー駆動手段およびシャッター駆動手段を制御する駆動制御手段と、を備える。
【0009】
また、この発明の請求項3の装置は、熱処理プレート上において基板を熱処理する基板熱処理装置において、熱処理プレートを内部に有する筐体と、筐体内の雰囲気を排気する排気経路へ通じる排気口と、熱処理プレート上の基板を覆うカバーと、基板を覆った閉状態と解放した開状態との間でカバーを移動させるカバー駆動手段と、カバーが開状態にある時には排気経路を介した排気動作をオフにするとともに、カバーが閉状態にある時には排気動作をオンにするよう制御する排気制御手段と、を備える。
【0010】
また、この発明の請求項4の装置は、熱処理プレート上において露光後の基板を熱処理する露光後加熱処理に利用される基板熱処理装置において、熱処理プレートを内部に有する筐体と、筐体内の雰囲気を排気する排気経路へ通じる排気口と、筐体内部において熱処理プレート上の基板を覆うカバーと、基板を覆った閉状態と解放した開状態との間でカバーを移動させるカバー駆動手段と、筐体の基板搬出入口を塞ぐシャッターと、シャッターを開閉駆動するシャッター駆動手段と、カバーを閉状態とする前にシャッターを閉じるとともに、カバーを開状態とした後にシャッターを開くようにカバー駆動手段およびシャッター駆動手段を制御する駆動制御手段と、カバーが開状態にある時には排気経路を介した排気動作をオフにするとともに、カバーが閉状態にある時には排気動作をオンにするよう制御する排気制御手段と、を備える。
【0011】
【発明の実施の形態】
【0012】
【1.実施の形態における機構的構成】
図1は実施の形態の基板熱処理装置1の断面図である。以下、図1を用いてこの装置の機構的構成について説明していく。
【0013】
基板熱処理装置1は筐体10、搬出入口開閉部20、カバー30、ホットプレート40、リフトピン50、排気部60、昇降用エアシリンダー70、制御部80から成っている。
【0014】
筐体10は側面に基板搬出入口10a、排気口10bを備えており、内部に設けられた後述するホットプレート40により基板WのPEB処理を行うための処理室として機能する。
【0015】
搬出入口開閉部20は基板搬出入シャッター210および搬出入用エアシリンダー220から成り、筐体10の基板搬出入口10aに設けられた基板搬出入シャッター210が搬出入用エアシリンダー220の駆動で昇降することにより後述する所定のタイミングで開閉し、それが開いている間に基板Wが搬出入される。
【0016】
カバー30は後述するホットプレート40上方において昇降可能に設けられており、PEB処理中は下降して、ホットプレート40上に閉空間を形成する。
【0017】
ホットプレート40は筐体10の内部中央に設けられ、内部の発熱機構によりその上面に支持した基板Wを加熱する。
【0018】
リフトピン50は3本に分かれており(図中には2本のみ表示)ホットプレート40内の貫通口を通じて昇降可能に構成されており、上昇時にその先端で基板搬出入口から搬入された基板Wを受取り、下降してホットプレート40上に基板Wを載置する。
【0019】
排気部60は排気口シャッター610および排気用エアシリンダー620から成り、排気口10bを開閉可能である。この排気口10bは筐体10の外部において工場排気ラインに連結されており、それを介して筐体10内の雰囲気の排気を行ったり停止したりする。
【0020】
昇降用エアシリンダー70はカバー駆動手段に相当し、カバー30およびリフトピン50に連結されており、その駆動によりカバー30およびリフトピン50を昇降させる。
【0021】
制御部80は駆動制御手段および排気制御手段を兼ねたものに相当し、ホットプレート40、昇降用エアシリンダー70、搬出入用エアシリンダー220および排気用エアシリンダー620に接続されており、図示しない温度センサの信号によりホットプレート40の温度を制御するとともに、昇降用エアシリンダー70、搬出入用エアシリンダー220および排気用エアシリンダー620の駆動を制御する。
【0022】
つぎに、要部についてさらに詳細に説明していく。
【0023】
前述のようにカバー30とリフトピン50はいずれも、昇降用エアシリンダー70に連結されているため、必然的に両者の動作は同期するものとなるため、リフトピン50が下がった状態では常にカバー30は閉じており、逆に、リフトピン50が上がった状態ではカバー30も開いた状態となる。
【0024】
これに対し、基板搬出入シャッター210は昇降用エアシリンダー70ではなく、搬出入用エアシリンダー220(シャッター駆動手段に相当する。)に連結され、それにより駆動されるため、カバー30およびリフトピン50とは独立して開閉できるものとなっている。
【0025】
また、排気部60は筐体10の排気口10bに設けられた排気口シャッター610が排気用エアシリンダー620の駆動で昇降することにより開閉する。そして、排気口10bの外部は図示しない吸引機構により負圧とされており、排気口シャッター610が開いた状態(「排気動作がオン」の状態に相当する。)で内部雰囲気が外部に排出され、逆に排気口シャッター610が閉じた状態(「排気動作がオフ」の状態に相当する。)では内部雰囲気は外部に排出されない構造となっている。そして、それにより筐体10内の排気を後述する所定のタイミングで行ったり停止したりする。
【0026】
【2.実施の形態における処理手順】
図2はこの実施の形態の基板熱処理装置1の動作を説明するための図である。また、図3は実施の形態の基板熱処理装置1および従来装置の動作タイミングを比較する図であり、図3(a)はこの実施の形態の装置のタイミングチャート、図3(b)は従来装置のタイミングチャートである。
【0027】
以下、図2および図3(a)を用いてこの装置の処理手順を説明していく。
【0028】
<基板受け渡し工程>
この工程では基板熱処理装置1は図2(a)に示す状態にあり、図示しない外部の搬送ユニットにより処理済みの基板Wが基板熱処理装置1外に搬出された後、基板Wが基板熱処理装置1内に搬入される工程である。この工程において、各部は以下の状態になっている。
【0029】
すなわち、カバー30および基板搬出入シャッター210は開いており、搬送ユニットは搬入動作を行い、排気シャッター610は閉じた状態にあって排気を行っていない。なお、カバー30が開状態であるので図2(a)のようにリフトピン50は上がった状態にあり、基板Wはそのリフトピン50に支持されるように搬入される。
【0030】
<第1待機工程>
この工程では基板熱処理装置1は図2(b)に示す状態にあり、次の工程でのPEB処理工程の開始まで、基板熱処理装置1内の上がった状態のリフトピン50上に基板Wが支持されたまま待機している工程で、この工程が始まるとともに基板搬出入シャッター210は閉じられる。この工程において、各部は以下の状態になっている。
【0031】
すなわち、カバー30は開状態であるが基板搬出入シャッター210は閉じており、搬送ユニットは停止し、さらに、排気シャッター610が閉じた状態にあって排気を行っていない。
【0032】
<PEB処理工程>
この工程では基板熱処理装置1は図2(c)に示す状態にあり、PEB処理を行う工程である。この工程において、各部は以下の状態になっている。
【0033】
すなわち、カバー30および基板搬出入シャッター210は閉じており、搬送ユニットは停止しているが、排気シャッター610が開いた状態にあって排気を行っている。
【0034】
<第2待機工程>
この工程では基板熱処理装置1は図2(d)に示す状態にあり、PEB処理後の基板Wが搬送ユニットによる搬出のタイミングを待機している工程である。この工程において、各部は第1待機工程と同様の状態になっており、カバー30は開いているが基板搬出入シャッター210は閉じており、搬送ユニットは停止し、さらに、排気シャッター610は閉じた状態にあって排気を行なっていない。
【0035】
そして、第2待機工程の終了時に基板搬出入シャッター210が開かれ、基板受け渡し工程に戻る。そして、以上の4つの工程が繰返され、順次、各基板WのPEB処理が行われていく。
【0036】
ところで、従来装置では図3(b)に示すように、第1待機工程および第2待機工程の際にカバーと基板搬出入シャッターが同時に開いており、さらに排気も行われているため待機中に外気が基板位置にまで達し、その際、基板搬出入口からの外気の流入のため前述のように内部雰囲気の温度が不均一となる。
【0037】
また、基板受け渡し工程においても排気しているため同様の理由で内部雰囲気の温度が不均一になってしまい、その後、基板Wが搬入された段階で既に雰囲気の温度分布が不均一な状態になってしまっていた。
【0038】
これに対し、この実施の形態の装置では第1待機工程および第2待機工程ではカバー30が開状態であるが基板搬出入シャッター210が閉じられており、さらに排気も停止しているのでので外気が筐体10内に流入することはなく、したがって装置の内部雰囲気の温度不均一も生じない。
【0039】
また、基板受け渡し工程において排気を停止しているので基板Wの受け渡しの際にも外気の流入が少なく、したがって、待機中も内部雰囲気の温度均一性が高い状態に維持されている。そのため、その後の工程においても内部雰囲気の温度均一性が高くなり、全工程に渡り内部雰囲気の温度均一性が高く維持できる。
【0040】
このように、この実施の形態の基板熱処理装置1では第1待機工程から第2待機工程にかけて基板搬出入シャッター210が閉じるとともに、PEB処理工程以外は排気を停止する構成としているので、両者の相乗効果により一層、内部雰囲気の温度均一性が高くなり、基板の温度均一性が高くなるという効果を有している。
【0041】
【3.変形例】
この実施の形態の基板熱処理装置1ではカバー30が開状態の間は排気を行わない構成としたが、この発明はこれに限られず、排気口およびその開閉用のシャッターを設けないで常に排気を行わない構成としてもよい。これは、PEB処理工程では溶剤が蒸発することが少ないので排気を行わないことによる弊害が少ないことを利用したものであり、そのため排気を行わないことにより一層内部雰囲気の温度均一性を向上させることができる。
【0042】
また、この実施の形態の基板熱処理装置1ではPEB処理工程においてカバー30が開状態の間は排気を行わない構成としたが、プリベーク等のPEB処理以外の熱処理を行う場合には溶剤の蒸気が多く発生するため常時排気を行う構成とした方がよい。
【0043】
また、この実施の形態の基板熱処理装置1では、排気の制御を排気口シャッター610の開閉により行うこととしたが、この発明はこれに限られるものではなく、排気のためのエアポンプをオン/オフすることによって制御する構成としてもよい。
【0044】
さらに、この実施の形態の基板熱処理装置では昇降用エアシリンダー70、搬出入用エアシリンダー220、排気用エアシリンダー620によってそれぞれカバー30およびリフトピン50、基板搬出入シャッター210、ならびに排気口シャッター610を駆動する構成としたが、この発明はこれに限られず各駆動機構をボールネジ等を用いたものとする構成としてもよい。
【0045】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1の発明ではカバーを閉状態とする前にシャッターを閉じるように、また、請求項2の発明ではカバーを開状態とした後にシャッターを開くようにカバー駆動手段およびシャッター駆動手段を制御する構成としたのでカバーとシャッターを同時に開閉する場合と比べて基板搬出入口を通じて流入する外気が基板位置に至る量が少ないため内部雰囲気の温度均一性が高くなる。
【0046】
また、請求項3の発明ではカバーが開状態にある時には排気手段をオフにするとともに、カバーが閉状態にある時には排気手段をオンにするよう制御する構成としたのでカバーが開状態の時に排気が行われないので外気の流入が少なくなり、外気の基板位置に至る量が少ないため内部雰囲気の温度均一性が高くなる。
【0047】
さらに、請求項4の発明では、カバーを閉状態とする前にシャッターを閉じるとともにカバーを開状態とした後にシャッターを開くようにカバー駆動手段およびシャッター駆動手段を制御しさらに、カバーが開状態にある時には排気手段をオフにするとともに、カバーが閉状態にある時には排気手段をオンにするよう制御する構成としたので、請求項1、請求項2および請求項3の発明の効果が相乗的に得られるため、より内部雰囲気の温度均一性が高くなり、よって一連の熱処理を通じての基板の温度均一性が高くなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の基板熱処理装置の断面図である。
【図2】実施の形態の基板熱処理装置の動作を説明するための図である。
【図3】実施の形態の基板熱処理装置および従来装置の動作タイミングを比較する図である。
【図4】従来装置の断面図である。
【符号の説明】
1 基板熱処理装置
10 筐体
10a 基板搬出入口
10b 排気口
20 搬出入口開閉部
30 カバー
40 ホットプレート
60 排気部
70 昇降用エアシリンダー
80 制御部
210 基板搬出入シャッター
220 搬出入用エアシリンダー
610 排気口シャッター
620 排気用エアシリンダー
W 基板[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate heat treatment apparatus that heat-treats a substrate (hereinafter, referred to as a “substrate”) such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, and a glass substrate for a liquid crystal display on a heat treatment plate provided inside a housing.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in a photolithography process in semiconductor manufacturing, a substrate heat treatment apparatus as shown in a cross-sectional view of FIG. 4 has been used. This device includes a
[0003]
In such an apparatus, in the state shown in FIG. 4B, the substrate W is loaded / unloaded through the substrate loading / unloading port 910a of the
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in a process using a chemically amplified resist, a heat treatment performed on a substrate after exposure (hereinafter, referred to as “PEB (Post Exposure Bake) treatment”) requires extremely high-precision temperature uniformity. You.
[0005]
However, at the time of substrate transfer and standby, as shown in FIG. 4B, since the
[0006]
An object of the present invention is to overcome the above-mentioned problems in the related art, and an object of the present invention is to provide a substrate heat treatment apparatus having high internal atmosphere temperature uniformity.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, an apparatus according to claim 1 of the present invention is a substrate heat treatment apparatus for heat treating a substrate on a heat treatment plate provided inside a housing, comprising: a cover for covering the substrate on the heat treatment plate; A cover driving means for moving the cover between a covered closed state and an opened state, and a shutter for closing the substrate entrance of the housing; a shutter driving means for driving the shutter to open and close; and a state before the cover is closed. Drive control means for controlling the cover drive means and the shutter drive means so as to close the shutter.
[0008]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate heat treatment apparatus for heat treating a substrate on a heat treatment plate provided inside a housing, wherein a cover for covering the substrate on the heat treatment plate, a closed state for covering the substrate, and a release state. Cover driving means for moving the cover between the opened state, a shutter closing the substrate entrance of the housing, shutter driving means for opening and closing the shutter, and a cover for opening the shutter after opening the cover. Drive control means for controlling the drive means and the shutter drive means.
[0009]
An apparatus according to claim 3 of the present invention is a substrate heat treatment apparatus for heat-treating a substrate on a heat treatment plate, wherein a housing having the heat treatment plate therein, and an exhaust port leading to an exhaust passage for exhausting an atmosphere in the housing, A cover for covering the substrate on the heat-treating plate, cover driving means for moving the cover between a closed state and an open state where the substrate is covered, and an exhaust operation via an exhaust path when the cover is in an open state; Exhaust control means for controlling the exhaust operation to be turned on when the cover is in the closed state.
[0010]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate heat treatment apparatus used for a post-exposure bake treatment for heat-treating a substrate after exposure on a heat treatment plate. An exhaust port that communicates with an exhaust path for exhausting air, a cover that covers the substrate on the heat treatment plate inside the housing, a cover driving unit that moves the cover between a closed state and a released open state that cover the substrate, and a housing. A shutter that closes the substrate loading / unloading port of the body, a shutter driving unit that opens and closes the shutter, a cover driving unit and a shutter that closes the shutter before closing the cover and opens the shutter after the cover is opened. A drive control means for controlling the drive means, and when the cover is in the open state, the exhaust operation via the exhaust path is turned off and Cover and a discharge control means for controlling to turn on the discharging operation when in the closed state.
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
[0012]
[1. Mechanical configuration in the embodiment]
FIG. 1 is a sectional view of a substrate heat treatment apparatus 1 according to an embodiment. Hereinafter, the mechanical configuration of this device will be described with reference to FIG.
[0013]
The substrate heat treatment apparatus 1 includes a
[0014]
The
[0015]
The loading / unloading opening /
[0016]
The
[0017]
The
[0018]
The
[0019]
The
[0020]
The elevating
[0021]
The
[0022]
Next, the main parts will be described in more detail.
[0023]
As described above, since both the
[0024]
On the other hand, the substrate loading /
[0025]
Further, the
[0026]
[2. Processing procedure in the embodiment]
FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of the substrate heat treatment apparatus 1 of this embodiment. 3 is a diagram comparing operation timings of the substrate heat treatment apparatus 1 of the embodiment and the conventional apparatus. FIG. 3 (a) is a timing chart of the apparatus of the embodiment, and FIG. 3 (b) is a conventional apparatus. 5 is a timing chart of FIG.
[0027]
Hereinafter, the processing procedure of this apparatus will be described with reference to FIGS. 2 and 3A.
[0028]
<Substrate delivery process>
In this step, the substrate heat treatment apparatus 1 is in a state shown in FIG. 2A, and after the processed substrate W is carried out of the substrate heat treatment apparatus 1 by an external transfer unit (not shown), the substrate W is transferred to the substrate heat treatment apparatus 1. This is the process of being carried in. In this step, each part is in the following state.
[0029]
That is, the
[0030]
<First standby step>
In this step, the substrate heat treatment apparatus 1 is in the state shown in FIG. 2B, and the substrate W is supported on the lift pins 50 in the raised state in the substrate heat treatment apparatus 1 until the start of the PEB treatment step in the next step. In a process in which the substrate is in a standby state, the substrate loading /
[0031]
That is, although the
[0032]
<PEB processing step>
In this step, the substrate heat treatment apparatus 1 is in the state shown in FIG. In this step, each part is in the following state.
[0033]
That is, the
[0034]
<Second standby step>
In this step, the substrate heat treatment apparatus 1 is in a state shown in FIG. 2D, and is a step in which the substrate W after the PEB processing waits for the timing of being carried out by the transfer unit. In this step, each part is in the same state as in the first standby step, the
[0035]
Then, at the end of the second standby step, the substrate loading /
[0036]
By the way, in the conventional apparatus, as shown in FIG. 3B, the cover and the substrate loading / unloading shutter are simultaneously opened during the first standby step and the second standby step, and the exhaust is also performed. The outside air reaches the substrate position, and at that time, the temperature of the internal atmosphere becomes non-uniform as described above due to the inflow of outside air from the substrate carry-in / out port.
[0037]
In addition, since the air is exhausted also in the substrate delivery process, the temperature of the internal atmosphere becomes non-uniform for the same reason, and the temperature distribution of the atmosphere already becomes non-uniform at the stage when the substrate W is loaded. Had been lost.
[0038]
On the other hand, in the apparatus of this embodiment, the
[0039]
Further, since the evacuation is stopped in the substrate transfer process, the flow of outside air is small even when the substrate W is transferred, so that the temperature uniformity of the internal atmosphere is maintained high even during the standby. Therefore, even in the subsequent steps, the temperature uniformity of the internal atmosphere is increased, and the temperature uniformity of the internal atmosphere can be maintained high throughout the entire process.
[0040]
As described above, in the substrate heat treatment apparatus 1 of this embodiment, the substrate loading /
[0041]
[3. Modifications]
In the substrate heat treatment apparatus 1 of this embodiment, the exhaust is not performed while the
[0042]
Further, in the substrate heat treatment apparatus 1 of this embodiment, exhaust is not performed while the
[0043]
Further, in the substrate heat treatment apparatus 1 of this embodiment, the exhaust control is performed by opening and closing the
[0044]
Further, in the substrate heat treatment apparatus of this embodiment, the
[0045]
【The invention's effect】
As described above, according to the first aspect of the present invention, the cover driving means is configured to close the shutter before the cover is closed, and in the second aspect of the present invention to open the shutter after the cover is opened. Since the shutter driving means is configured to be controlled, the amount of outside air flowing through the substrate carry-in / out port to the substrate position is smaller than in the case where the cover and the shutter are simultaneously opened and closed, so that the temperature uniformity of the internal atmosphere is increased.
[0046]
According to the third aspect of the invention, the exhaust means is turned off when the cover is open and the exhaust means is turned on when the cover is closed. Is not performed, the inflow of outside air decreases, and the amount of outside air reaching the substrate position is small, so that the temperature uniformity of the internal atmosphere increases.
[0047]
Further, in the invention according to claim 4, the cover driving unit and the shutter driving unit are controlled so that the shutter is closed before the cover is closed and the shutter is opened after the cover is opened, and the cover is opened. The exhaust means is turned off at a certain time, and the exhaust means is controlled to be turned on when the cover is closed. Therefore, the effects of the first, second and third aspects are synergistically achieved. As a result, the temperature uniformity of the internal atmosphere becomes higher, and thus the temperature uniformity of the substrate through a series of heat treatments becomes higher.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram for explaining an operation of the substrate heat treatment apparatus of the embodiment.
FIG. 3 is a diagram comparing operation timings of the substrate heat treatment apparatus of the embodiment and a conventional apparatus.
FIG. 4 is a sectional view of a conventional device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate
Claims (4)
前記熱処理プレート上の基板を覆うカバーと、
基板を覆った閉状態と解放した開状態との間で前記カバーを移動させるカバー駆動手段と、
前記筐体の基板搬出入口を塞ぐシャッターと、
前記シャッターを開閉駆動するシャッター駆動手段と、
前記カバーを前記閉状態とする前に前記シャッターを閉じるように前記カバー駆動手段および前記シャッター駆動手段を制御する駆動制御手段と、
を備えることを特徴とする基板熱処理装置。In a substrate heat treatment apparatus that heat-treats a substrate on a heat treatment plate provided inside a housing,
A cover covering the substrate on the heat treatment plate,
Cover driving means for moving the cover between a closed state covering the substrate and an open state released,
A shutter for closing a substrate loading / unloading port of the housing;
Shutter driving means for driving the shutter to open and close;
Drive control means for controlling the cover drive means and the shutter drive means to close the shutter before the cover is in the closed state,
A substrate heat treatment apparatus comprising:
前記熱処理プレート上の基板を覆うカバーと、
基板を覆った閉状態と解放した開状態との間で前記カバーを移動させるカバー駆動手段と、
前記筐体の基板搬出入口を塞ぐシャッターと、
前記シャッターを開閉駆動するシャッター駆動手段と、
前記カバーを前記開状態とした後に前記シャッターを開くように前記カバー駆動手段および前記シャッター駆動手段を制御する駆動制御手段と、
を備えることを特徴とする基板熱処理装置。In a substrate heat treatment apparatus that heat-treats a substrate on a heat treatment plate provided inside a housing,
A cover covering the substrate on the heat treatment plate,
Cover driving means for moving the cover between a closed state covering the substrate and an open state released,
A shutter for closing a substrate loading / unloading port of the housing;
Shutter driving means for driving the shutter to open and close;
Drive control means for controlling the cover drive means and the shutter drive means to open the shutter after the cover is in the open state,
A substrate heat treatment apparatus comprising:
前記熱処理プレートを内部に有する筐体と、
前記筐体内の雰囲気を排気する排気経路へ通じる排気口と、
前記熱処理プレート上の基板を覆うカバーと、
基板を覆った閉状態と解放した開状態との間で前記カバーを移動させるカバー駆動手段と、
前記カバーが前記開状態にある時には前記排気経路を介した排気動作をオフにするとともに、前記カバーが前記閉状態にある時には前記排気動作をオンにするよう制御する排気制御手段と、
を備えることを特徴とする基板熱処理装置。In a substrate heat treatment apparatus for heat treating a substrate on a heat treatment plate,
A housing having the heat treatment plate therein,
An exhaust port leading to an exhaust path for exhausting the atmosphere in the housing;
A cover covering the substrate on the heat treatment plate,
Cover driving means for moving the cover between a closed state covering the substrate and an open state released,
When the cover is in the open state, the exhaust operation through the exhaust path is turned off, and when the cover is in the closed state, exhaust control means that controls the exhaust operation to be on,
A substrate heat treatment apparatus comprising:
前記熱処理プレートを内部に有する筐体と、
前記筐体内の雰囲気を排気する排気経路へ通じる排気口と、
前記筐体内部において前記熱処理プレート上の基板を覆うカバーと、
基板を覆った閉状態と解放した開状態との間で前記カバーを移動させるカバー駆動手段と、
前記筐体の基板搬出入口を塞ぐシャッターと、
前記シャッターを開閉駆動するシャッター駆動手段と、
前記カバーを前記閉状態とする前に前記シャッターを閉じるとともに、前記カバーを前記開状態とした後に前記シャッターを開くように前記カバー駆動手段および前記シャッター駆動手段を制御する駆動制御手段と、
前記カバーが前記開状態にある時には前記排気経路を介した排気動作をオフにするとともに、前記カバーが前記閉状態にある時には前記排気動作をオンにするよう制御する排気制御手段と、
を備えることを特徴とする基板熱処理装置。In a substrate heat treatment apparatus used for post-exposure bake processing to heat-treat the exposed substrate on the heat treatment plate
A housing having the heat treatment plate therein,
An exhaust port leading to an exhaust path for exhausting the atmosphere in the housing;
A cover that covers the substrate on the heat treatment plate inside the housing,
Cover driving means for moving the cover between a closed state covering the substrate and an open state released,
A shutter for closing a substrate loading / unloading port of the housing;
Shutter driving means for driving the shutter to open and close;
A drive control unit that controls the cover driving unit and the shutter driving unit to close the shutter before the cover is closed, and to open the shutter after the cover is opened.
When the cover is in the open state, the exhaust operation through the exhaust path is turned off, and when the cover is in the closed state, exhaust control means that controls the exhaust operation to be on,
A substrate heat treatment apparatus comprising:
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