JP3535402B2 - イオンビーム装置 - Google Patents
イオンビーム装置Info
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- JP3535402B2 JP3535402B2 JP2334299A JP2334299A JP3535402B2 JP 3535402 B2 JP3535402 B2 JP 3535402B2 JP 2334299 A JP2334299 A JP 2334299A JP 2334299 A JP2334299 A JP 2334299A JP 3535402 B2 JP3535402 B2 JP 3535402B2
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- ion
- ionization chamber
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- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、ガスイオン源を
備えたイオンビーム装置に関する。
備えたイオンビーム装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】 オージェマイクロプローブなどの試料
分析装置においては、試料のクリーニングやエッチング
の時、イオンビームが試料に照射されて試料面がエッチ
ングされる。
分析装置においては、試料のクリーニングやエッチング
の時、イオンビームが試料に照射されて試料面がエッチ
ングされる。
【０００３】図１は、従来のガスイオン源を備えたイオ
ンビーム装置の概略図である。
ンビーム装置の概略図である。
【０００４】図１において、構成１はガスイオン源の真
空容器であり、ガス貯蔵室２に貯えられたアルゴンガス
はガス導入バルブ３を介して真空容器１に導入される。
この真空容器１内のガスの圧力は、前記ガス導入バルブ
３の開き具合と真空排気系（図示せず）の排気能力によ
って決まる。
空容器であり、ガス貯蔵室２に貯えられたアルゴンガス
はガス導入バルブ３を介して真空容器１に導入される。
この真空容器１内のガスの圧力は、前記ガス導入バルブ
３の開き具合と真空排気系（図示せず）の排気能力によ
って決まる。
【０００５】真空容器１内には、電子を発生させるため
のフィラメント４、イオン化室５、およびイオン化室５
で生成された陽イオンを引き出すための引出電極６が配
置されている。イオン化室５は、円筒状のメッシュの両
面をそれぞれ円盤状のメッシュで蓋をした構造となって
おり、前記フィラメント４はその一方の円盤状メッシュ
に対向しており、また、前記引出電極６は他方の円盤状
メッシュに対向している。
のフィラメント４、イオン化室５、およびイオン化室５
で生成された陽イオンを引き出すための引出電極６が配
置されている。イオン化室５は、円筒状のメッシュの両
面をそれぞれ円盤状のメッシュで蓋をした構造となって
おり、前記フィラメント４はその一方の円盤状メッシュ
に対向しており、また、前記引出電極６は他方の円盤状
メッシュに対向している。
【０００６】前記フィラメント４は、フィラメント加熱
電源７により加熱され、また、フィラメント４は、エミ
ッション電源８により、イオン化室５に対して数１００
Ｖの負の電位に制御されている。また、イオン化室５
は、加速電源９により、接地電位にある引出電極６に対
して数Ｖから数ｋＶの正の電位に制御されている。
電源７により加熱され、また、フィラメント４は、エミ
ッション電源８により、イオン化室５に対して数１００
Ｖの負の電位に制御されている。また、イオン化室５
は、加速電源９により、接地電位にある引出電極６に対
して数Ｖから数ｋＶの正の電位に制御されている。
【０００７】上述したエミッション電源８の制御によ
り、前記フィラメント４とイオン化室５の間に電場が形
成され、この電場により、加熱されたフィラメント４か
ら電子が放出される。この放出された電子はその電場で
加速されてイオン化室５に進入し、電子と衝突したイオ
ン化室５のガス分子はイオン化されてイオンとなる。そ
して、このイオン化により生成された陽イオンは、前記
引出電極６によってイオン化室５から引き出され、その
後、レンズ１０によって適当に収束・整形・偏向されて
試料１１を照射する。このイオンビーム照射により、試
料１１の表面はエッチングされる。
り、前記フィラメント４とイオン化室５の間に電場が形
成され、この電場により、加熱されたフィラメント４か
ら電子が放出される。この放出された電子はその電場で
加速されてイオン化室５に進入し、電子と衝突したイオ
ン化室５のガス分子はイオン化されてイオンとなる。そ
して、このイオン化により生成された陽イオンは、前記
引出電極６によってイオン化室５から引き出され、その
後、レンズ１０によって適当に収束・整形・偏向されて
試料１１を照射する。このイオンビーム照射により、試
料１１の表面はエッチングされる。
【０００８】なお、図示されていないが、オージェプロ
ーブマイクロアナライザなどの試料分析装置は、図１に
記載されているイオンビーム装置に接続されている。
ーブマイクロアナライザなどの試料分析装置は、図１に
記載されているイオンビーム装置に接続されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】 上述したように、フ
ィラメント４とイオン化室５の間に形成される電場によ
り、フィラメント４から放出された電子はイオン化室５
の方に加速されるが、そればかりではなく、この電場に
より、図２に示すように、イオン化室５内で生成された
陽イオンが逆にフィラメント４の方に加速される。そし
て、この加速されたイオンはフィラメント４に衝突し、
スパッタリングによりフィラメント４は細くなってその
寿命は縮まってしまう。
ィラメント４とイオン化室５の間に形成される電場によ
り、フィラメント４から放出された電子はイオン化室５
の方に加速されるが、そればかりではなく、この電場に
より、図２に示すように、イオン化室５内で生成された
陽イオンが逆にフィラメント４の方に加速される。そし
て、この加速されたイオンはフィラメント４に衝突し、
スパッタリングによりフィラメント４は細くなってその
寿命は縮まってしまう。
【００１０】本発明はこのような点に鑑みて成されたも
ので、その目的は、フィラメントのイオンによるスパッ
タリングを最小限にして、フィラメントの寿命を延ばす
ことができるイオンビーム装置を提供することにある。
ので、その目的は、フィラメントのイオンによるスパッ
タリングを最小限にして、フィラメントの寿命を延ばす
ことができるイオンビーム装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】 この目的を達成する本
発明のイオンビーム装置は、フィラメントからの電子を
イオン化室のガスに照射することによりガスをイオン化
してイオンを生成するガスイオン源を備えたイオンビー
ム装置において、フィラメントとイオン化室との間にイ
オン抑制電極が配置され、フィラメントとイオン抑制電
極との間に、フィラメントからの電子を加速させるため
の電場Ｅ １が形成されると共に、イオン抑制電極とイオ
ン化室との間に、イオン抑制電極を通過した電子を減速
させるための電場Ｅ ２が形成されることを特徴とする。
発明のイオンビーム装置は、フィラメントからの電子を
イオン化室のガスに照射することによりガスをイオン化
してイオンを生成するガスイオン源を備えたイオンビー
ム装置において、フィラメントとイオン化室との間にイ
オン抑制電極が配置され、フィラメントとイオン抑制電
極との間に、フィラメントからの電子を加速させるため
の電場Ｅ １が形成されると共に、イオン抑制電極とイオ
ン化室との間に、イオン抑制電極を通過した電子を減速
させるための電場Ｅ ２が形成されることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】 以下、図面を用いて本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１３】図３は、本発明のイオンビーム装置の要部
である、ガスイオン源の一例を示した図である。図３に
おいて、図１の構成と同じ構成には図１と同じ番号が付
けられており、その説明を省略する。
である、ガスイオン源の一例を示した図である。図３に
おいて、図１の構成と同じ構成には図１と同じ番号が付
けられており、その説明を省略する。
【００１４】図３に示されたガスイオン源は、図１に示
されたガスイオン源の構成の他に、更にイオン抑制電極
１２とイオン抑制電極電源１３を備えている。
されたガスイオン源の構成の他に、更にイオン抑制電極
１２とイオン抑制電極電源１３を備えている。
【００１５】このイオン抑制電極１２は、前記フィラメ
ント４とイオン化室５の間に配置されており、フィラメ
ント４の前方に配置されている。また、イオン抑制電極
１２はメッシュを円盤状に形成して作成されたものであ
り、その面は光軸に直交している。
ント４とイオン化室５の間に配置されており、フィラメ
ント４の前方に配置されている。また、イオン抑制電極
１２はメッシュを円盤状に形成して作成されたものであ
り、その面は光軸に直交している。
【００１６】また、イオン抑制電極１２はイオン抑制電
極電源１３の陽極に電気的に接続されており、このイオ
ン抑制電極電源１３の陰極は、前記加速電源９の陽極お
よび前記エミッション電源８の陽極に電気的に接続され
ている。
極電源１３の陽極に電気的に接続されており、このイオ
ン抑制電極電源１３の陰極は、前記加速電源９の陽極お
よび前記エミッション電源８の陽極に電気的に接続され
ている。
【００１７】このような構成において、フィラメント４
はフィラメント加熱電源７により加熱され、また、フィ
ラメント４は、エミッション電源８により、イオン化室
５に対して数１００Ｖの負の電位に制御される。
はフィラメント加熱電源７により加熱され、また、フィ
ラメント４は、エミッション電源８により、イオン化室
５に対して数１００Ｖの負の電位に制御される。
【００１８】また、イオン化室５は、加速電源９によ
り、接地電位にある引出電極６に対して数Ｖから数ｋＶ
の正の電位に制御される。
り、接地電位にある引出電極６に対して数Ｖから数ｋＶ
の正の電位に制御される。
【００１９】さらに、新しく追加されたイオン抑制電極
１２は、イオン抑制電極電源１３により、イオン化室５
に対して数１０Ｖの正の電位に制御される。
１２は、イオン抑制電極電源１３により、イオン化室５
に対して数１０Ｖの正の電位に制御される。
【００２０】上述したエミッション電源８とイオン抑制
電極電源１３の制御により、前記フィラメント４とイオ
ン抑制電極１２の間に、図４に示すように、イオン抑制
電極１２からフィラメント４方向の電場Ｅ1が形成さ
れ、この電場により、加熱されたフィラメント４から電
子が放出される。この放出された電子はその電場で加速
されてイオン抑制電極１２を通過する。
電極電源１３の制御により、前記フィラメント４とイオ
ン抑制電極１２の間に、図４に示すように、イオン抑制
電極１２からフィラメント４方向の電場Ｅ1が形成さ
れ、この電場により、加熱されたフィラメント４から電
子が放出される。この放出された電子はその電場で加速
されてイオン抑制電極１２を通過する。
【００２１】一方、前記イオン抑制電極１２とイオン化
室５の間に、イオン抑制電極１２からイオン化室５方向
の電場Ｅ2が形成される。この電場は、イオン抑制電極
１２を通過した電子を減速させるものであるが、その大
きさは前記電場Ｅ1に比べてかなり小さく、イオン抑制
電極１２を通過した電子はイオン化室５の直前でわずか
に減速されてイオン化室５に進入する。
室５の間に、イオン抑制電極１２からイオン化室５方向
の電場Ｅ2が形成される。この電場は、イオン抑制電極
１２を通過した電子を減速させるものであるが、その大
きさは前記電場Ｅ1に比べてかなり小さく、イオン抑制
電極１２を通過した電子はイオン化室５の直前でわずか
に減速されてイオン化室５に進入する。
【００２２】イオン化室５に進入した電子はイオン化室
５のガス分子と衝突し、電子と衝突したガス分子はイオ
ン化されてイオンとなる。
５のガス分子と衝突し、電子と衝突したガス分子はイオ
ン化されてイオンとなる。
【００２３】ところで、従来においては、このイオン化
により生成された陽イオンの一部がフィラメント４の方
に加速されてフィラメント４に衝突していた。しかしな
がら、図３の装置においては、イオン化室５で生成され
た高々数ｅＶのエネルギーの陽イオンは、イオン化室５
とそのイオン化室５に対して数１０Ｖの電位に制御され
たイオン抑制電極１２間に形成される前記電場Ｅ2によ
り、イオン抑制電極１２を通過することはない。この結
果、陽イオンがフィラメント４に衝突することはなく、
フィラメントの寿命を従来よりかなり延ばすことができ
る。
により生成された陽イオンの一部がフィラメント４の方
に加速されてフィラメント４に衝突していた。しかしな
がら、図３の装置においては、イオン化室５で生成され
た高々数ｅＶのエネルギーの陽イオンは、イオン化室５
とそのイオン化室５に対して数１０Ｖの電位に制御され
たイオン抑制電極１２間に形成される前記電場Ｅ2によ
り、イオン抑制電極１２を通過することはない。この結
果、陽イオンがフィラメント４に衝突することはなく、
フィラメントの寿命を従来よりかなり延ばすことができ
る。
【００２４】また、イオン化室５で生成された陽イオン
は、前記引出電極６によってイオン化室５から引き出さ
れ、その後、レンズ（図示せず）によって適当に収束・
整形・偏向されて試料（図示せず）を照射する。
は、前記引出電極６によってイオン化室５から引き出さ
れ、その後、レンズ（図示せず）によって適当に収束・
整形・偏向されて試料（図示せず）を照射する。
【００２５】以上、図３のイオンビーム装置について説
明したが、以下に、本発明の他の例を説明する。
明したが、以下に、本発明の他の例を説明する。
【００２６】図５は、本発明のイオンビーム装置の要部
である、ガスイオン源の他の例を示した図である。図５
において、図３の構成と同じ構成には図３と同じ番号が
付けられている。
である、ガスイオン源の他の例を示した図である。図５
において、図３の構成と同じ構成には図３と同じ番号が
付けられている。
【００２７】図５に示されたガスイオン源は、図３のガ
スイオン源におけるイオン抑制電極電源１３を備えてお
らず、イオン抑制電極１２が、前記エミッション電源８
の陽極および加速電源９の陽極に電気的に直接接続され
ている。一方、図５のガスイオン源は、前記エミッショ
ン電源８に並列接続された分割抵抗１４を備え、前記イ
オン化室５がその分割抵抗１４の適当な位置に電気的に
接続されている。
スイオン源におけるイオン抑制電極電源１３を備えてお
らず、イオン抑制電極１２が、前記エミッション電源８
の陽極および加速電源９の陽極に電気的に直接接続され
ている。一方、図５のガスイオン源は、前記エミッショ
ン電源８に並列接続された分割抵抗１４を備え、前記イ
オン化室５がその分割抵抗１４の適当な位置に電気的に
接続されている。
【００２８】このような分割抵抗１４による電圧供給に
より、図５のガスイオン源においても、上述した電場Ｅ
1，Ｅ2と同じような電場が前記イオン抑制電極１２とフ
ィラメント４間およびイオン化室５間に形成される。こ
の結果、イオン化室５で生成された陽イオンがフィラメ
ント４に衝突することはなく、フィラメントの寿命を従
来よりかなり延ばすことができる。
より、図５のガスイオン源においても、上述した電場Ｅ
1，Ｅ2と同じような電場が前記イオン抑制電極１２とフ
ィラメント４間およびイオン化室５間に形成される。こ
の結果、イオン化室５で生成された陽イオンがフィラメ
ント４に衝突することはなく、フィラメントの寿命を従
来よりかなり延ばすことができる。
【００２９】なお、図５のガスイオン源においては、電
圧比が４：１になるように、前記イオン化室５が分割抵
抗１４の適当な位置に電気的に接続されている。
圧比が４：１になるように、前記イオン化室５が分割抵
抗１４の適当な位置に電気的に接続されている。
【００３０】また、図６は、本発明のイオンビーム装置
の要部である、ガスイオン源の他の例を示した図であ
る。図６において、図３の構成と同じ構成には図３と同
じ番号が付けられている。
の要部である、ガスイオン源の他の例を示した図であ
る。図６において、図３の構成と同じ構成には図３と同
じ番号が付けられている。
【００３１】図６のガスイオン源は、図５のガスイオン
源と同様、図３のガスイオン源におけるイオン抑制電極
電源１３を備えておらず、イオン抑制電極１２が、前記
エミッション電源８の陽極および加速電源９の陽極に電
気的に直接接続されている。一方、図６のガスイオン源
においては、前記イオン化室５が抵抗１５を介して前記
イオン抑制電極１２に電気的に接続されている。
源と同様、図３のガスイオン源におけるイオン抑制電極
電源１３を備えておらず、イオン抑制電極１２が、前記
エミッション電源８の陽極および加速電源９の陽極に電
気的に直接接続されている。一方、図６のガスイオン源
においては、前記イオン化室５が抵抗１５を介して前記
イオン抑制電極１２に電気的に接続されている。
【００３２】さて、フィラメント４からのエミッション
電流ｉは一般に数ｍＡから数１０ｍＡに制御されるが、
図６のガスイオン源における抵抗１５は、エミッション
電流ｉが３ｍＡのときに、前記イオン抑制電極１２がイ
オン化室５に対して３０Ｖの正の電位になるように１０
ＭΩのものが使用されている。
電流ｉは一般に数ｍＡから数１０ｍＡに制御されるが、
図６のガスイオン源における抵抗１５は、エミッション
電流ｉが３ｍＡのときに、前記イオン抑制電極１２がイ
オン化室５に対して３０Ｖの正の電位になるように１０
ＭΩのものが使用されている。
【００３３】このような図６のガスイオン源において
も、上述した電場Ｅ1，Ｅ2と同じような電場が前記イオ
ン抑制電極１２とフィラメント４間およびイオン化室５
間に形成され、イオン化室５で生成された陽イオンがフ
ィラメント４に衝突することはなく、フィラメントの寿
命を従来よりかなり延ばすことができる。
も、上述した電場Ｅ1，Ｅ2と同じような電場が前記イオ
ン抑制電極１２とフィラメント４間およびイオン化室５
間に形成され、イオン化室５で生成された陽イオンがフ
ィラメント４に衝突することはなく、フィラメントの寿
命を従来よりかなり延ばすことができる。
【００３４】なお、上記例では、イオン抑制電極１２は
メッシュで作成されているが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えばリング状や円筒状のイオン抑制
電極としても良い。
メッシュで作成されているが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えばリング状や円筒状のイオン抑制
電極としても良い。
【図１】 従来のイオンビーム装置の概略図である。
【図２】 図１のイオンビーム装置の動作を説明するた
めに示した図である。
めに示した図である。
【図３】 本発明のイオンビーム装置の一例を示した図
である。
である。
【図４】 図３のイオンビーム装置の動作を説明するた
めに示した図である。
めに示した図である。
【図５】 本発明のイオンビーム装置の一例を示した図
である。
である。
【図６】 本発明のイオンビーム装置の一例を示した図
である。
である。
１…真空容器、２…ガス貯蔵室、３…ガス導入バルブ、
４…フィラメント、５…イオン化室、６…引出電極、７
…フィラメント加熱電源、８…エミッション電源、９…
加速電源、１０…レンズ、１１…試料、１２…イオン抑
制電極、１３…イオン抑制電極電源、１４…分割抵抗、
１５…抵抗
４…フィラメント、５…イオン化室、６…引出電極、７
…フィラメント加熱電源、８…エミッション電源、９…
加速電源、１０…レンズ、１１…試料、１２…イオン抑
制電極、１３…イオン抑制電極電源、１４…分割抵抗、
１５…抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】 フィラメントからの電子をイオン化室の
ガスに照射することによりガスをイオン化してイオンを
生成するガスイオン源を備えたイオンビーム装置におい
て、フィラメントとイオン化室との間にイオン抑制電極が配
置され、 フィラメントとイオン抑制電極との間に、フィラメント
からの電子を加速させるための電場Ｅ １が形成されると
共に、 イオン抑制電極とイオン化室との間に、イオン抑制電極
を通過した電子を減速させるための電場Ｅ ２が形成され
る ことを特徴とするイオンビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2334299A JP3535402B2 (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | イオンビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2334299A JP3535402B2 (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | イオンビーム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223040A JP2000223040A (ja) | 2000-08-11 |
| JP3535402B2 true JP3535402B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=12107930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2334299A Expired - Fee Related JP3535402B2 (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | イオンビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3535402B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2518122B (en) * | 2013-02-19 | 2018-08-08 | Markes International Ltd | An electron ionisation apparatus |
-
1999
- 1999-02-01 JP JP2334299A patent/JP3535402B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000223040A (ja) | 2000-08-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
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