JP3527513B2 - 共振装置にかかわる能動波長の選択 - Google Patents
共振装置にかかわる能動波長の選択Info
- Publication number
- JP3527513B2 JP3527513B2 JP54195497A JP54195497A JP3527513B2 JP 3527513 B2 JP3527513 B2 JP 3527513B2 JP 54195497 A JP54195497 A JP 54195497A JP 54195497 A JP54195497 A JP 54195497A JP 3527513 B2 JP3527513 B2 JP 3527513B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical element
- electro
- planar waveguide
- laser
- medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 125
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 67
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000000382 optic material Substances 0.000 claims 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 17
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- 239000002365 multiple layer Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1326—Liquid crystal optical waveguides or liquid crystal cells specially adapted for gating or modulating between optical waveguides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/30—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 grating
- G02F2201/305—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 grating diffraction grating
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/05—Function characteristic wavelength dependent
- G02F2203/055—Function characteristic wavelength dependent wavelength filtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0285—Coatings with a controllable reflectivity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一般的に電子光学的に制御される光学要素
に関するものであり、さらにはそのような要素を含む電
子光学的組立品に関するものである。
に関するものであり、さらにはそのような要素を含む電
子光学的組立品に関するものである。
業界において様々な種類の電子光学的に制御される光
学要素が公知である。そのような要素の例は米国特許第
5,157,537号および第5,337,183号明細書において開示さ
れている。米国特許第5,157,537号および第5,337,183号
明細書において詳述されている要素のダイナミックレン
ジは限られており、よって光変調素子として用いられる
ものとして提案されている。
学要素が公知である。そのような要素の例は米国特許第
5,157,537号および第5,337,183号明細書において開示さ
れている。米国特許第5,157,537号および第5,337,183号
明細書において詳述されている要素のダイナミックレン
ジは限られており、よって光変調素子として用いられる
ものとして提案されている。
本発明においては、従来技術によって公知であるもの
よりも明らかに広いダイナミックレンジを有する電子光
学的に制御されている光学要素を提供することを目的と
している。
よりも明らかに広いダイナミックレンジを有する電子光
学的に制御されている光学要素を提供することを目的と
している。
よって本発明の好ましい実施例によって提案されてい
るのは、回折格子とこの回折格子に関連した平面導波管
と、少なくとも１つの追加の光学層を含み、この回折格
子および平面導波管および少なくとも１つの追加の光学
層は電気的入力によってある領域にわたりチューナブル
である波長における透過された、あるいは反射された光
線のうち少なくとも１つによって共振されるように形成
されている、電子光学的に制御される複数の層を備えた
光学要素である。
るのは、回折格子とこの回折格子に関連した平面導波管
と、少なくとも１つの追加の光学層を含み、この回折格
子および平面導波管および少なくとも１つの追加の光学
層は電気的入力によってある領域にわたりチューナブル
である波長における透過された、あるいは反射された光
線のうち少なくとも１つによって共振されるように形成
されている、電子光学的に制御される複数の層を備えた
光学要素である。
平面導波管は異なる屈折率を有する複数の層から形成
され得る。
され得る。
本要素は平面導波管に対して一般的に平行である少な
くとも１つの透光性の表面を有し得て、少なくとも１つ
の透光性の表面の上に形成された非反射性のコーティン
グを含み得る。
くとも１つの透光性の表面を有し得て、少なくとも１つ
の透光性の表面の上に形成された非反射性のコーティン
グを含み得る。
本発明の好ましい実施例によれば、さらにはレーザ空
洞共振器と、能動チューナブルミラーと、レーザ空洞共
振器を構成する出力結合器とを含むレーザが提案されて
おり、 能動チューナブルミラーは 回折格子、 この回折格子に関連した平面導波管 および少なくとも１つの追加の光学層 とを含み、この回折格子、平面導波管および少なくとも
１つの追加の光学層は電気的入力によってある領域にわ
たりチューナブルである波長における透過されたあるい
は反射された光線のうち少なくとも１つによって共振さ
れるように形成されている電子光学的に制御される複数
の層を備えた光学要素 を含むものである。
洞共振器と、能動チューナブルミラーと、レーザ空洞共
振器を構成する出力結合器とを含むレーザが提案されて
おり、 能動チューナブルミラーは 回折格子、 この回折格子に関連した平面導波管 および少なくとも１つの追加の光学層 とを含み、この回折格子、平面導波管および少なくとも
１つの追加の光学層は電気的入力によってある領域にわ
たりチューナブルである波長における透過されたあるい
は反射された光線のうち少なくとも１つによって共振さ
れるように形成されている電子光学的に制御される複数
の層を備えた光学要素 を含むものである。
また、本発明の好ましい実施例によれば0.1ナノメー
タ、好ましくは１ナノメータ、さらに好ましくは数十ナ
ノメータを越えるダイナミックレンジの範囲においてチ
ューナブルである電子光学的チューナブルレーザが提案
されている。
タ、好ましくは１ナノメータ、さらに好ましくは数十ナ
ノメータを越えるダイナミックレンジの範囲においてチ
ューナブルである電子光学的チューナブルレーザが提案
されている。
本光学装置は電子光学的なチューナブルフィルタとし
て機能し得る。
て機能し得る。
本発明の好ましい実施例によれば、電子光学的に制御
される光学要素はその屈折率が電気的入力によって制御
される平面導波管を含むものである。
される光学要素はその屈折率が電気的入力によって制御
される平面導波管を含むものである。
これに加えてあるいはこれに代えて、電子光学的に制
御される光学要素は、少なくとも１つの追加の光学層が
その屈折率が電気的入力によって制御される透光性の媒
体である。透光性の物質とは液晶物質であり得る。
御される光学要素は、少なくとも１つの追加の光学層が
その屈折率が電気的入力によって制御される透光性の媒
体である。透光性の物質とは液晶物質であり得る。
本発明の好ましい実施例によれば、電子光学的に制御
される光学要素は平面導波管に隣接するように設けられ
且つ電気的入力に対して電極を介して電子光学的に連結
されている透光性の導電体を含んでおり、これら透光性
の導電体によって電気的エネルギーが平面導波管の端か
ら端まで与えられ得る。
される光学要素は平面導波管に隣接するように設けられ
且つ電気的入力に対して電極を介して電子光学的に連結
されている透光性の導電体を含んでおり、これら透光性
の導電体によって電気的エネルギーが平面導波管の端か
ら端まで与えられ得る。
これに加えてあるいはこれに代えて、電子光学的に制
御される光学要素は透光性の媒体に隣接するように設け
られ且つ電気的入力に対して電極に介して電子光学的に
連結されている透光性の導電体を含んでおり、これら透
光性の導電体によって電気的エネルギーが透光性の媒体
の端から端まで与えられ得る。
御される光学要素は透光性の媒体に隣接するように設け
られ且つ電気的入力に対して電極に介して電子光学的に
連結されている透光性の導電体を含んでおり、これら透
光性の導電体によって電気的エネルギーが透光性の媒体
の端から端まで与えられ得る。
本発明の１つの実施例によれば、回折格子および平面
導波管は半導体物質から形成される。さらにその屈折率
が電気的入力によって制御される平面導波管を含み、ま
たこの平面導波管に隣接するように設けられ、且つ電気
的入力に対して電極を介して電子光学的に連結されてい
る透光性の導電体を含んでおり、これら透光性の導電体
によって電気的エネルギーが適宜ドープされた半導体物
質を介して平面導波管の端から端まで与えられ得るのが
好ましい。
導波管は半導体物質から形成される。さらにその屈折率
が電気的入力によって制御される平面導波管を含み、ま
たこの平面導波管に隣接するように設けられ、且つ電気
的入力に対して電極を介して電子光学的に連結されてい
る透光性の導電体を含んでおり、これら透光性の導電体
によって電気的エネルギーが適宜ドープされた半導体物
質を介して平面導波管の端から端まで与えられ得るのが
好ましい。
これに加えて、あるいはこれに代えて、本要素はその
屈折率が電気的入力によって制御される透光性の媒体を
含み、またこの透光性の媒体に隣接するように設けら
れ、且つ電気的入力に対して電極を介して電子光学的に
連結されている透光性の導電体を含んでおり、これら透
光性の導電体によって電気的エネルギーが適宜ドープさ
れた半導体物質を介して透光性の媒体の端から端まで与
えられ得る。
屈折率が電気的入力によって制御される透光性の媒体を
含み、またこの透光性の媒体に隣接するように設けら
れ、且つ電気的入力に対して電極を介して電子光学的に
連結されている透光性の導電体を含んでおり、これら透
光性の導電体によって電気的エネルギーが適宜ドープさ
れた半導体物質を介して透光性の媒体の端から端まで与
えられ得る。
本発明の好ましい実施例によれば、回折格子および平
面導波管のうち少なくとも１つが電子光学的物質から形
成される。平面導波管は電気的入力によって制御される
屈折率を有し、さらにこの平面導波管に隣接するように
設けられ、且つ電気的入力に対して電極を介して電子光
学的に連結されている透光性の導電体を含んでおり、こ
れら透光性の導電体によって電気的エネルギーが平面導
波管の端から端まで与えられ得るのが好ましい。
面導波管のうち少なくとも１つが電子光学的物質から形
成される。平面導波管は電気的入力によって制御される
屈折率を有し、さらにこの平面導波管に隣接するように
設けられ、且つ電気的入力に対して電極を介して電子光
学的に連結されている透光性の導電体を含んでおり、こ
れら透光性の導電体によって電気的エネルギーが平面導
波管の端から端まで与えられ得るのが好ましい。
これに加えてあるいはこれに代えて、本要素はその屈
折率が電気的入力によって制御される透光性の媒体を含
み、またこの透光性の媒体に隣接するように設けられ、
且つ電気的入力に対して電極を介して電子光学的に連結
されている透光性の導電体を含んでおり、これら透光性
の導電体によって電気的エネルギーが透光性の媒体の端
から端まで与えられ得る。
折率が電気的入力によって制御される透光性の媒体を含
み、またこの透光性の媒体に隣接するように設けられ、
且つ電気的入力に対して電極を介して電子光学的に連結
されている透光性の導電体を含んでおり、これら透光性
の導電体によって電気的エネルギーが透光性の媒体の端
から端まで与えられ得る。
本発明の好ましい実施例によれば、回折格子および平
面導波管のうち少なくとも１つが比較的広い選択可能な
範囲の屈折率を有する重合体物質から形成される。
面導波管のうち少なくとも１つが比較的広い選択可能な
範囲の屈折率を有する重合体物質から形成される。
平面導波管は電気的入力によって制御される屈折率を
有し、そらにこの平面導波管に隣接するように設けら
れ、且つ電気的入力に対して電極を介して電子光学的に
連結されている透光性の導電体を含んでおり、これら透
光性の導電体によって電気的エネルギーが平面導波管の
端から端まで与えられ得るのが好ましい。
有し、そらにこの平面導波管に隣接するように設けら
れ、且つ電気的入力に対して電極を介して電子光学的に
連結されている透光性の導電体を含んでおり、これら透
光性の導電体によって電気的エネルギーが平面導波管の
端から端まで与えられ得るのが好ましい。
これに加えてあるいはこれに代えて、本要素はその屈
折率が電気的入力によって制御される透光性の媒体を含
み、またこの透光性の媒体に隣接するように設けられ、
且つ電気的入力に対して電極を介して電子光学的に連結
されている透光性の導電体を含んでおり、これら透光性
の導電体によって電気的エネルギーが透光性の媒体の端
から端まで与えられ得る。
折率が電気的入力によって制御される透光性の媒体を含
み、またこの透光性の媒体に隣接するように設けられ、
且つ電気的入力に対して電極を介して電子光学的に連結
されている透光性の導電体を含んでおり、これら透光性
の導電体によって電気的エネルギーが透光性の媒体の端
から端まで与えられ得る。
本発明は、図面を参照した場合に以下の詳細な説明に
よってより一層理解され得、図面のうち 図１は、本発明の好ましい実施例によって構成され操
作され得る電子光学的チューナブルレーザの簡素化され
たブロック図、 図２は、本発明の好ましい実施例によって構成され操
作され得る電子光学的に制御される光学要素の簡素化さ
れた図、 図３は、半導体物質を用いた、本発明の好ましい実施
例によって構成され操作され得る電子光学的に制御され
る光学要素の簡素化された図、 図４は、液晶物質を用いた、本発明の好ましい実施例
によって構成され操作され得る電子光学的に制御される
光学要素の簡素化された図、および 図５は、本発明の好ましい実施例によって構成され操
作され得る能動チューナブルフィルタの簡素化されたブ
ロック図である。
よってより一層理解され得、図面のうち 図１は、本発明の好ましい実施例によって構成され操
作され得る電子光学的チューナブルレーザの簡素化され
たブロック図、 図２は、本発明の好ましい実施例によって構成され操
作され得る電子光学的に制御される光学要素の簡素化さ
れた図、 図３は、半導体物質を用いた、本発明の好ましい実施
例によって構成され操作され得る電子光学的に制御され
る光学要素の簡素化された図、 図４は、液晶物質を用いた、本発明の好ましい実施例
によって構成され操作され得る電子光学的に制御される
光学要素の簡素化された図、および 図５は、本発明の好ましい実施例によって構成され操
作され得る能動チューナブルフィルタの簡素化されたブ
ロック図である。
次に、本発明の好ましい実施例によって構成され操作
され得る電子光学的チューナブルレーザの簡素化された
ブロック図である図１を参照する。
され得る電子光学的チューナブルレーザの簡素化された
ブロック図である図１を参照する。
図１におけるレーザは、チューナブルなレーザスペク
トラムを有するレーザ空洞共振器10を含むのが好まし
い。このレーザ空洞共振器はその一端において、好まし
くは本発明の好ましい実施例によって構成され操作され
得る共振格子導波装置である、電子光学的に制御可能で
ある能動チューナブルミラー12によって構成されてい
る。レーザ空洞共振器10の他端はレーザミラーのような
出力結合器14によって構成されているのが好ましい。
トラムを有するレーザ空洞共振器10を含むのが好まし
い。このレーザ空洞共振器はその一端において、好まし
くは本発明の好ましい実施例によって構成され操作され
得る共振格子導波装置である、電子光学的に制御可能で
ある能動チューナブルミラー12によって構成されてい
る。レーザ空洞共振器10の他端はレーザミラーのような
出力結合器14によって構成されているのが好ましい。
図１におけるレーザは、能動チューナブルミラー12に
対して対応する電圧Vkが供給された場合には波長
（λｋ）のレーザ光線を出力するように操作され得る。
対して対応する電圧Vkが供給された場合には波長
（λｋ）のレーザ光線を出力するように操作され得る。
次に本発明の好ましい実施例によって構成され操作さ
れ得る電子光学的に制御される光学要素の簡素化された
図であり、例えば能動チューナブルミラー12（図１参
照）などの能動チューナブルミラーとして特に有益であ
る光学要素である図２を参照する。図２における光学要
素が例えば能動チューナブルフィルタなどの他の多くの
用途に用いられ得ることは理解され得る。能動フィルタ
としての光学要素は、自身に対して作用する多数の波長
の中から選択された共振波長のみを反射する。
れ得る電子光学的に制御される光学要素の簡素化された
図であり、例えば能動チューナブルミラー12（図１参
照）などの能動チューナブルミラーとして特に有益であ
る光学要素である図２を参照する。図２における光学要
素が例えば能動チューナブルフィルタなどの他の多くの
用途に用いられ得ることは理解され得る。能動フィルタ
としての光学要素は、自身に対して作用する多数の波長
の中から選択された共振波長のみを反射する。
図２における光学要素は、典型的には誘電体、透光性
結晶体、重合体あるいは半導体物質からなる基板20を備
えている。この基板20の上には導波管22が形成されてい
る。この導波管は単層あるいは複数層からなる導波管で
あり得、例えば誘電体、透光性結晶体、重合体、液晶体
あるいは半導体物質などの適当な物質を用いて形成され
得る。
結晶体、重合体あるいは半導体物質からなる基板20を備
えている。この基板20の上には導波管22が形成されてい
る。この導波管は単層あるいは複数層からなる導波管で
あり得、例えば誘電体、透光性結晶体、重合体、液晶体
あるいは半導体物質などの適当な物質を用いて形成され
得る。
図２および本願の他の図面において、n0は空気の屈折
率、またn1は電気光学的に制御される光学要素の様々な
層の屈折率を示しているが、ここにおける率ｉとは装置
のｉ番目の層を示す。さらにtiは装置のｉ番目の層の厚
みであり、ｈは格子の高さであり、Ａは格子の周期であ
る。
率、またn1は電気光学的に制御される光学要素の様々な
層の屈折率を示しているが、ここにおける率ｉとは装置
のｉ番目の層を示す。さらにtiは装置のｉ番目の層の厚
みであり、ｈは格子の高さであり、Ａは格子の周期であ
る。
導波管22は単数モードまたは複数モードの導波管であ
り得る。それはTEまたはTM分極において動作し得る。複
数モードの導波管を備える場合には１つのモードがTEま
たはTM分極において動作し、残りの（単数および複数
の）モードは他の分極において動作するようにしてもよ
い。本光学装置は遠紫外線から遠赤外線に亘る波長にお
いて動作し得る。光学要素の構造的パラメータは、その
光学要素が動作すべき波長によって決定される。
り得る。それはTEまたはTM分極において動作し得る。複
数モードの導波管を備える場合には１つのモードがTEま
たはTM分極において動作し、残りの（単数および複数
の）モードは他の分極において動作するようにしてもよ
い。本光学装置は遠紫外線から遠赤外線に亘る波長にお
いて動作し得る。光学要素の構造的パラメータは、その
光学要素が動作すべき波長によって決定される。
本発明による好ましい実施例によれば、導波管22の上
に回折格子24が形成されている。この回折格子24は導波
管22と同一の物質から形成されていても別の物質から形
成されていてもよく、例えば誘電体、透光性結晶体、重
合体あるいは半導体物質のような適当な物質から形成さ
れ得る。ここでは回折格子の形状が長方形であるように
示されているが、必ずしもそれは必要でない。
に回折格子24が形成されている。この回折格子24は導波
管22と同一の物質から形成されていても別の物質から形
成されていてもよく、例えば誘電体、透光性結晶体、重
合体あるいは半導体物質のような適当な物質から形成さ
れ得る。ここでは回折格子の形状が長方形であるように
示されているが、必ずしもそれは必要でない。
また選択的に回折格子24の上に少なくとも回折格子24
の隙間を埋めるようなクラッディング層26が形成され得
る。クラッディングは回折格子とは別の物質から形成さ
れ、例えば誘電体、透光性結晶体、重合体あるいは半導
体物質のような適当な物質から形成され得る。
の隙間を埋めるようなクラッディング層26が形成され得
る。クラッディングは回折格子とは別の物質から形成さ
れ、例えば誘電体、透光性結晶体、重合体あるいは半導
体物質のような適当な物質から形成され得る。
さらに選択的にクラッディング層26の上に非反射層28
が形成され得る。この非反射層は単層あるいは複数層の
コーティングで有り得、全く公知のものであってもよ
い。
が形成され得る。この非反射層は単層あるいは複数層の
コーティングで有り得、全く公知のものであってもよ
い。
さらに、導波管22とは反対側の基板20の上に選択的に
非反射層29が形成され得る。この非反射層は単層あるい
は複数層のコーティングで有り得、全く公知のものであ
ってもよい。
非反射層29が形成され得る。この非反射層は単層あるい
は複数層のコーティングで有り得、全く公知のものであ
ってもよい。
本発明による好ましい実施例によれば、少なくとも２
つの透光性の導電体30が図２における光学要素の選択さ
れた層の間に設けられる。
つの透光性の導電体30が図２における光学要素の選択さ
れた層の間に設けられる。
透光性の導電体は、例えば基板の相対する表面上にお
けるＡ点およびＢ点において配置され得る。これに代え
て、透光性の導電体をＡ点およびＣ点において配置する
ことも可能であり、この場合Ｃ点は導波管22と格子24と
の間に位置する。さらに別の選択肢として透光性の導電
体をＡ点およびＤ点において配置することも可能であ
り、この場合Ｄ点は格子24とクラッディング26との間に
位置する。さらに別の選択肢として透光性の導電体をＡ
点およびＥ点において配置することも可能であり、この
場合Ｅ点はクラッディング26と選択的な非反射層28との
間に位置する。
けるＡ点およびＢ点において配置され得る。これに代え
て、透光性の導電体をＡ点およびＣ点において配置する
ことも可能であり、この場合Ｃ点は導波管22と格子24と
の間に位置する。さらに別の選択肢として透光性の導電
体をＡ点およびＤ点において配置することも可能であ
り、この場合Ｄ点は格子24とクラッディング26との間に
位置する。さらに別の選択肢として透光性の導電体をＡ
点およびＥ点において配置することも可能であり、この
場合Ｅ点はクラッディング26と選択的な非反射層28との
間に位置する。
さらに別の例としては、透光性の導電体をＢ点および
Ｃ点、Ｂ点およびＤ点、Ｂ点およびＥ点またはＣ点およ
びＥ点に配置することも可能である。
Ｃ点、Ｂ点およびＤ点、Ｂ点およびＥ点またはＣ点およ
びＥ点に配置することも可能である。
電圧または電流源Vkが２つの透光性の導電体をまたが
って連結されている。
って連結されている。
図２において概略的に示されているように、例えば平
面波のような所定の波長（λ０）の入射光線40が光学要
素に対して作用する。その光学要素に対して基板のいず
れの側からも作用し得ることが理解され得る。図２にお
ける光学要素が例えば図１における実施例のようにレー
ザミラーとして用いられる場合には、その作用は基板20
および導波管22の表面に対して実質的に垂直であること
が好ましい。図２における光学要素が能動チューナブル
フィルタとして用いられる場合には、その作用は垂直で
はなく、垂直に対する所定の角度限界にあることが好ま
しい。
面波のような所定の波長（λ０）の入射光線40が光学要
素に対して作用する。その光学要素に対して基板のいず
れの側からも作用し得ることが理解され得る。図２にお
ける光学要素が例えば図１における実施例のようにレー
ザミラーとして用いられる場合には、その作用は基板20
および導波管22の表面に対して実質的に垂直であること
が好ましい。図２における光学要素が能動チューナブル
フィルタとして用いられる場合には、その作用は垂直で
はなく、垂直に対する所定の角度限界にあることが好ま
しい。
図２における光学要素の動作は以下のように概要され
得る：所定の角度において光学要素に対して作用する所
定の波長の光が光学要素によって実質的に反射され、こ
の所定の波長に対して共振する。所定の波長以外の光ま
たは所定の角度以外から作用する光は主に光学要素によ
って作用の方向に透過される。所定の波長に近い波長お
よび所定の角度に近い角度におけるスペクトル行動は一
般的にローレンツ分布に基づくものである。
得る：所定の角度において光学要素に対して作用する所
定の波長の光が光学要素によって実質的に反射され、こ
の所定の波長に対して共振する。所定の波長以外の光ま
たは所定の角度以外から作用する光は主に光学要素によ
って作用の方向に透過される。所定の波長に近い波長お
よび所定の角度に近い角度におけるスペクトル行動は一
般的にローレンツ分布に基づくものである。
伝送および反射における光学要素のスペクトル帯幅Δ
λは、回折格子の高さおよび格子の屈折率njとクラッデ
ィングnkとの差に比例する関係にあると想定される： Δλ∝（nj 2−nk 2）a.kb.hc ここでｋとは格子の最初のフーリエ成分であり、ｈとは
格子の高さである。係数“a"、“b"および“c"は一般的
に２の値を有する。
λは、回折格子の高さおよび格子の屈折率njとクラッデ
ィングnkとの差に比例する関係にあると想定される： Δλ∝（nj 2−nk 2）a.kb.hc ここでｋとは格子の最初のフーリエ成分であり、ｈとは
格子の高さである。係数“a"、“b"および“c"は一般的
に２の値を有する。
よって与えられたレーザまたはチューナブルなフィル
タ構造においては、スペクトル帯幅は、好ましくは0.01
ナノメータから1.0ナノメータの間の値にあるように選
択され得る。通常、回折格子の高さおよび格子とクラッ
ディングとの間の屈折率の差は、所望のスペクトル帯幅
を選ぶ時に容易に選択される変数である。
タ構造においては、スペクトル帯幅は、好ましくは0.01
ナノメータから1.0ナノメータの間の値にあるように選
択され得る。通常、回折格子の高さおよび格子とクラッ
ディングとの間の屈折率の差は、所望のスペクトル帯幅
を選ぶ時に容易に選択される変数である。
前述の行動を生み出すメカニズムは以下のように概要
され得る：光学要素に作用する光は部分的に導波管がそ
れに沿って移動するモードに回折され、導波管に沿った
中間位置において導波管より回折される。共振時におい
て、導波管から入射光線方向に向かって回折された光の
量は実質的にゼロに等しく、導波管から入射光線方向に
対するゼロ値の反射方向への光の量は実質的に単位元
（Unity）に等しい。結果的に入射光線の実質的に全体
的な反射が得られる。
され得る：光学要素に作用する光は部分的に導波管がそ
れに沿って移動するモードに回折され、導波管に沿った
中間位置において導波管より回折される。共振時におい
て、導波管から入射光線方向に向かって回折された光の
量は実質的にゼロに等しく、導波管から入射光線方向に
対するゼロ値の反射方向への光の量は実質的に単位元
（Unity）に等しい。結果的に入射光線の実質的に全体
的な反射が得られる。
共振時以外では、導波管から入射光線方向に向かって
回折された光の量は実質的に単位元から通常のフレネル
反射を引いたものに等しく、導波管から入射光線方向に
対するゼロ値の反射方向への光の量は実質的に通常のフ
レネル反射に等しい。
回折された光の量は実質的に単位元から通常のフレネル
反射を引いたものに等しく、導波管から入射光線方向に
対するゼロ値の反射方向への光の量は実質的に通常のフ
レネル反射に等しい。
よって、電子光学的に制御された光学要素がレーザ空
洞共振器において能動チューナブルミラーとして機能す
る場合には、レーザの発振波長は能動チューナブルミラ
ーによってミラーの共振波長になるように決定される。
その他の全ての波長はそれらの反射量が少ないために強
い損失を受け、よって発振しない。
洞共振器において能動チューナブルミラーとして機能す
る場合には、レーザの発振波長は能動チューナブルミラ
ーによってミラーの共振波長になるように決定される。
その他の全ての波長はそれらの反射量が少ないために強
い損失を受け、よって発振しない。
電子光学的に制御された光学要素が能動チューナブル
フィルタとして機能する場合には、装置の共振波長に等
しい波長において装置に対して入射する光のみが装置か
ら逆反射されることによって選択される。その他の全て
の入射する波長は、一般的に装置を通過して伝送され
る。
フィルタとして機能する場合には、装置の共振波長に等
しい波長において装置に対して入射する光のみが装置か
ら逆反射されることによって選択される。その他の全て
の入射する波長は、一般的に装置を通過して伝送され
る。
図２における光学要素および以下に説明するその他の
光学要素における共振波長は、光学要素に対して適宜選
択された電圧あるいは電流を供給することによって選択
される。適宜選択された電圧あるいは電流は１つまたは
それ以上の層の屈折率に対して例えば線形な電子光学効
果（ポッケルス（Pockels））、二次電子光学効果、半
導体におけるプラズマ効果、あるいは半導体または電流
注入における帯充満効果によって影響を及ぼし得る。共
振波長は同要素に対して供給される電圧または電流を変
更することによって変えられ得る。
光学要素における共振波長は、光学要素に対して適宜選
択された電圧あるいは電流を供給することによって選択
される。適宜選択された電圧あるいは電流は１つまたは
それ以上の層の屈折率に対して例えば線形な電子光学効
果（ポッケルス（Pockels））、二次電子光学効果、半
導体におけるプラズマ効果、あるいは半導体または電流
注入における帯充満効果によって影響を及ぼし得る。共
振波長は同要素に対して供給される電圧または電流を変
更することによって変えられ得る。
次に半導体物質を用いた、本発明の好ましい実施例に
よって構成され操作され得る電子光学的に制御される光
学要素の簡素化された図であり、例えば能動チューナブ
ルミラー12（図１参照）のような能動チューナブルミラ
ーとして特に有益である光学要素を示す図３を参照す
る。図３における光学要素が例えば能動チューナブルフ
ィルタなどの他の多くの用途に用いられ得ることは理解
され得る。
よって構成され操作され得る電子光学的に制御される光
学要素の簡素化された図であり、例えば能動チューナブ
ルミラー12（図１参照）のような能動チューナブルミラ
ーとして特に有益である光学要素を示す図３を参照す
る。図３における光学要素が例えば能動チューナブルフ
ィルタなどの他の多くの用途に用いられ得ることは理解
され得る。
図３における光学要素は、典型的にはガリウムヒ素、
インジウムリン、シリコンまたはゲルマニウムなどの半
導体物質から形成されるＮ−またはＰ−ドープされた基
板120を備える。この基板120の上に導波管122が形成さ
れる。導波管は単層あるいは複数層の導波管であり得、
例えばアルミニウムガリウムヒ素、インジウムガリウム
ヒ素リンまたはシリコン・ゲルマニウムなどの適宜半導
体物質から形成され得る。図３において、"I"は「真性
層」を示す。通常"I"は1014から1015の間のドープ値を
示し、場合によって"I"は1017までの値であり得る。
インジウムリン、シリコンまたはゲルマニウムなどの半
導体物質から形成されるＮ−またはＰ−ドープされた基
板120を備える。この基板120の上に導波管122が形成さ
れる。導波管は単層あるいは複数層の導波管であり得、
例えばアルミニウムガリウムヒ素、インジウムガリウム
ヒ素リンまたはシリコン・ゲルマニウムなどの適宜半導
体物質から形成され得る。図３において、"I"は「真性
層」を示す。通常"I"は1014から1015の間のドープ値を
示し、場合によって"I"は1017までの値であり得る。
図３においてＰ−Ｉ−Ｎ装置が示されている。これに
代えて、それぞれの層を逆にすることによって図３にお
ける装置をＮ−Ｉ−Ｐ装置にし得ることは理解され得
る。
代えて、それぞれの層を逆にすることによって図３にお
ける装置をＮ−Ｉ−Ｐ装置にし得ることは理解され得
る。
本発明による１つの実施例によれば、選択的に１つま
たはそれ以上の中間の半導体層を設けることも可能であ
る。図示された実施例においては第１の層124が基板120
と同一あるいはそれに類似した物質から形成されている
が、基板120に比してドープ量が少ない。また、層124と
導波管122との間に更に別の層126を設けることができ
る。層126は典型的には基板120および層124と同一ある
いはそれらに類似した物質から形成され得るが、実質的
にはドープされておらず、真性層"I"となる。層124およ
び126の間に更に別の徐々にドープ量が少なくなる層を
介在してもよいことは理解され得る。
たはそれ以上の中間の半導体層を設けることも可能であ
る。図示された実施例においては第１の層124が基板120
と同一あるいはそれに類似した物質から形成されている
が、基板120に比してドープ量が少ない。また、層124と
導波管122との間に更に別の層126を設けることができ
る。層126は典型的には基板120および層124と同一ある
いはそれらに類似した物質から形成され得るが、実質的
にはドープされておらず、真性層"I"となる。層124およ
び126の間に更に別の徐々にドープ量が少なくなる層を
介在してもよいことは理解され得る。
基板120と導波管122の間で連続する層において徐々に
ドープ量を少なくするのは、導波管122に対する距離が
大きくなるにつれて発振利得の損失（modeless）モード
ロスを徐々に増加させ、よって同要素の全体的な発振利
得の損失を減少させるためである。
ドープ量を少なくするのは、導波管122に対する距離が
大きくなるにつれて発振利得の損失（modeless）モード
ロスを徐々に増加させ、よって同要素の全体的な発振利
得の損失を減少させるためである。
実質的にドープされていない層126を設けるのは、導
波管122の実効キャパシタンスを減少させ、それによっ
て、その操作速度を早くするためである。
波管122の実効キャパシタンスを減少させ、それによっ
て、その操作速度を早くするためである。
本発明の好ましい実施例によれば、導波管122の上に
回折格子130が形成されている。図３にて示される実施
例においては、回折格子130は導波管122と一体に形成さ
れているが、それは必ずしも必要ではない。本発明の好
ましい実施例において、回折格子130と導波管122とは同
一物質から形成されているが、回折格子を別の適当な半
導体物質から形成することも可能であることは理解され
得る。また回折格子の形状は長方形であるように示され
ているが、それは必ずしも必要ではない。
回折格子130が形成されている。図３にて示される実施
例においては、回折格子130は導波管122と一体に形成さ
れているが、それは必ずしも必要ではない。本発明の好
ましい実施例において、回折格子130と導波管122とは同
一物質から形成されているが、回折格子を別の適当な半
導体物質から形成することも可能であることは理解され
得る。また回折格子の形状は長方形であるように示され
ているが、それは必ずしも必要ではない。
選択的に回折格子130の上に１つまたはそれ以上のク
ラッディング層132、134および136を形成することがで
き、そのうちクラッディング132は少なくとも回折格子1
30の隙間を埋めるものである。クラッディングは回折格
子とは別の物質から形成されており、例えばアルミニウ
ムガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素リン、シリコ
ン・ゲルマニウムまたは透過性ITOなどの適宜半導体物
質から形成され得る。
ラッディング層132、134および136を形成することがで
き、そのうちクラッディング132は少なくとも回折格子1
30の隙間を埋めるものである。クラッディングは回折格
子とは別の物質から形成されており、例えばアルミニウ
ムガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素リン、シリコ
ン・ゲルマニウムまたは透過性ITOなどの適宜半導体物
質から形成され得る。
図示される実施例において、３つのクラッディング層
132、134および136が設けられている。少なくとも１つ
の透過性の電極が回折格子130の上に存在する限り、こ
れらクラッディング層の数を選択的に減らしたり増やし
たりすることが可能であることは理解され得る。
132、134および136が設けられている。少なくとも１つ
の透過性の電極が回折格子130の上に存在する限り、こ
れらクラッディング層の数を選択的に減らしたり増やし
たりすることが可能であることは理解され得る。
図示される実施例において層134は層136と同一あるい
は類似した物質から形成されているが、そのドープ量が
少なくなっている。典型的には中間層134と回折格子130
との間に介在する層132の物質が回折格子134のものと同
一または類似するが、実質的にはドープされていない。
徐々に少なくなるドープ量のさらに別の層を層134およ
び132の間に介在させることが可能であることは理解さ
れ得る。
は類似した物質から形成されているが、そのドープ量が
少なくなっている。典型的には中間層134と回折格子130
との間に介在する層132の物質が回折格子134のものと同
一または類似するが、実質的にはドープされていない。
徐々に少なくなるドープ量のさらに別の層を層134およ
び132の間に介在させることが可能であることは理解さ
れ得る。
層136と回折格子130との間で連続する層において徐々
にドーピングを少なくするのは、導波管122に対する距
離が大きくなるにつれてモードロスを徐々に増加させ、
よって同要素の全体的なモードロスを減少させるためで
ある。
にドーピングを少なくするのは、導波管122に対する距
離が大きくなるにつれてモードロスを徐々に増加させ、
よって同要素の全体的なモードロスを減少させるためで
ある。
実質的にドープされていない層132を設けるのは、導
波管122の実効キャパシタンスを減少させ、よってその
操作速度を早くするためである。
波管122の実効キャパシタンスを減少させ、よってその
操作速度を早くするためである。
また選択的にクラッディング層136の上に非反射コー
ティング138を形成することができる。この非反射コー
ティングは単数あるいは複数層のコーティングで有り
得、全く公知のものであり得る。
ティング138を形成することができる。この非反射コー
ティングは単数あるいは複数層のコーティングで有り
得、全く公知のものであり得る。
さらに、導波管122とは反対側の基板120の表面におい
て選択的に非反射コーティング139を形成することがで
きる。この非反射コーティングは単数あるいは複数層の
コーティングで有り得、全く公知のものであり得る。
て選択的に非反射コーティング139を形成することがで
きる。この非反射コーティングは単数あるいは複数層の
コーティングで有り得、全く公知のものであり得る。
図示された実施例において、典型的には金属あるいは
半導体物質から形成されるコンダクタ140が層136と電気
的に関連しており、これもまた典型的には金属あるいは
半導体物質から形成されるコンダクタ142が基板120と電
気的に結合されている。
半導体物質から形成されるコンダクタ140が層136と電気
的に関連しており、これもまた典型的には金属あるいは
半導体物質から形成されるコンダクタ142が基板120と電
気的に結合されている。
これに代えて、少なくとも２つの（図示されない）透
光性の導電体が光学要素の選択された層の中間に設けら
れ得る。
光性の導電体が光学要素の選択された層の中間に設けら
れ得る。
電圧または電流源Vkが２つのコンダクタ140および142
をまたがって連結されている。
をまたがって連結されている。
図３に示されている装置の光学的および幾何学的パラ
メータによって、装置がその波長が1.55ミクロンの範囲
にあるような能動チューナブルミラーあるいは能動チュ
ーナブルフィルタとして機能し得る。
メータによって、装置がその波長が1.55ミクロンの範囲
にあるような能動チューナブルミラーあるいは能動チュ
ーナブルフィルタとして機能し得る。
概略的に図３において示されているように、所定の波
長（λ０1.55ミクロン）を有する入射光線150が光学
要素の上に作用する。その光学要素に対して基板のいず
れの側からも作用し得ることが理解され得る。図３にお
ける光学要素が例えば図１における実施例のようにレー
ザミラーとして採用される場合には、その作用は基板12
0および導波管122の表面に対して実質的に垂直であるこ
とが好ましい。図３における光学要素が能動チューナブ
ルフィルタとして用いられる場合には、その作用は垂直
ではなく、垂直に対する所定の角度限界にあることが好
ましい。
長（λ０1.55ミクロン）を有する入射光線150が光学
要素の上に作用する。その光学要素に対して基板のいず
れの側からも作用し得ることが理解され得る。図３にお
ける光学要素が例えば図１における実施例のようにレー
ザミラーとして採用される場合には、その作用は基板12
0および導波管122の表面に対して実質的に垂直であるこ
とが好ましい。図３における光学要素が能動チューナブ
ルフィルタとして用いられる場合には、その作用は垂直
ではなく、垂直に対する所定の角度限界にあることが好
ましい。
図３における図においては導波管および格子（層５）
の屈折率（n6＝3.45）、格子の上の層４の（n43.1
7）、格子の山谷の比（デューティサイクル）および格
子の高さとは、その全幅において約0.25nmであるローレ
ンツ分布の最高値の半分であるようなスペクトル帯幅を
示すように選択される。
の屈折率（n6＝3.45）、格子の上の層４の（n43.1
7）、格子の山谷の比（デューティサイクル）および格
子の高さとは、その全幅において約0.25nmであるローレ
ンツ分布の最高値の半分であるようなスペクトル帯幅を
示すように選択される。
図３における光学要素の操作は、前述のように図２を
参照しつつ概要されたものと同一であり得る。
参照しつつ概要されたものと同一であり得る。
次に液晶物質を用いた、本発明の好ましい実施例によ
って構成され操作され得る電子光学的に制御される光学
要素の簡素化された図であり、例えば能動チューナブル
ミラー12（図１参照）のような能動チューナブルミラー
として特に有益である光学要素を示す図４を参照する。
図４における光学要素が例えば能動チューナブルフィル
タなどの他の多くの用途に用いられ得ることは理解され
得る。
って構成され操作され得る電子光学的に制御される光学
要素の簡素化された図であり、例えば能動チューナブル
ミラー12（図１参照）のような能動チューナブルミラー
として特に有益である光学要素を示す図４を参照する。
図４における光学要素が例えば能動チューナブルフィル
タなどの他の多くの用途に用いられ得ることは理解され
得る。
図４における光学要素は、典型的には誘電体、透光性
結晶体、重合体あるいは半導体物質からなる基板220を
備えている。この基板220の上には導波管222が形成され
ている。この導波管は単層あるいは複数層からなる導波
管であり得、例えば誘電体、透光性結晶体、重合体ある
いは半導体物質などの適当な物質を用いて形成され得
る。
結晶体、重合体あるいは半導体物質からなる基板220を
備えている。この基板220の上には導波管222が形成され
ている。この導波管は単層あるいは複数層からなる導波
管であり得、例えば誘電体、透光性結晶体、重合体ある
いは半導体物質などの適当な物質を用いて形成され得
る。
本発明による好ましい実施例によれば、導波管222の
上に回折格子224が形成されている。この回折格子224は
導波管222と同一の物質から形成されていても別の物質
から形成されていてもよく、例えば誘電体、透光性結晶
体、重合体あるいは半導体物質のような適当な物質から
形成され得る。ここでは回折格子の形状が長方形である
ように示されているが、必ずしもそれは必要でない。
上に回折格子224が形成されている。この回折格子224は
導波管222と同一の物質から形成されていても別の物質
から形成されていてもよく、例えば誘電体、透光性結晶
体、重合体あるいは半導体物質のような適当な物質から
形成され得る。ここでは回折格子の形状が長方形である
ように示されているが、必ずしもそれは必要でない。
また選択的に回折格子224の上に少なくとも回折格子2
24の隙間を埋めるようなクラッディング層226が形成さ
れ得る。クラッディングは広い範囲の選択可能な屈折率
を有する液晶物質から形成される。
24の隙間を埋めるようなクラッディング層226が形成さ
れ得る。クラッディングは広い範囲の選択可能な屈折率
を有する液晶物質から形成される。
さらに選択的にクラッディング層226の上に非反射層2
28が形成され得る。この非反射層は単層あるいは複数層
のコーティングで有り得、全く公知のものであってもよ
い。
28が形成され得る。この非反射層は単層あるいは複数層
のコーティングで有り得、全く公知のものであってもよ
い。
さらに、導波管222とは反対側の基板220の上に選択的
に非反射層229が形成され得る。この非反射層は単層あ
るいは複数層のコーティングで有り得、全く公知のもの
であってもよい。
に非反射層229が形成され得る。この非反射層は単層あ
るいは複数層のコーティングで有り得、全く公知のもの
であってもよい。
本発明による好ましい実施例によれば、少なくとも２
つの透光性の導電体230が図４における光学要素の選択
された層の間に設けられる。
つの透光性の導電体230が図４における光学要素の選択
された層の間に設けられる。
図示されている実施例においては、透光性の導電体が
液晶クラッディング層226の相対する表面上のＡおよび
Ｂ点に位置されているのが見受けられる。電圧または電
流源Vkが２つの透光性の導電体をまたがって連結されて
いる。
液晶クラッディング層226の相対する表面上のＡおよび
Ｂ点に位置されているのが見受けられる。電圧または電
流源Vkが２つの透光性の導電体をまたがって連結されて
いる。
図４に示されている装置の光学的および幾何学的パラ
メータによって、装置がその波長が0.6ミクロンの範囲
にあるような能動チューナブルミラーあるいは能動チュ
ーナブルフィルタとして機能し得る。
メータによって、装置がその波長が0.6ミクロンの範囲
にあるような能動チューナブルミラーあるいは能動チュ
ーナブルフィルタとして機能し得る。
概略的に図４において示されているように、所定の波
長（λ０0.6ミクロン）を有する入射光線150が光学要
素の上に作用する。その光学要素に対して基板のいずれ
の側からも作用し得ることが理解され得る。図４におけ
る光学要素が例えば図１における実施例のようにレーザ
ミラーとして採用される場合には、その作用は基板220
および導波管222の表面に対して実質的に垂直であるこ
とが好ましい。図４における光学要素が能動チューナブ
ルフィルタとして用いられる場合には、その作用は垂直
ではなく、垂直に対する所定の角度限界にあることが好
ましい。
長（λ０0.6ミクロン）を有する入射光線150が光学要
素の上に作用する。その光学要素に対して基板のいずれ
の側からも作用し得ることが理解され得る。図４におけ
る光学要素が例えば図１における実施例のようにレーザ
ミラーとして採用される場合には、その作用は基板220
および導波管222の表面に対して実質的に垂直であるこ
とが好ましい。図４における光学要素が能動チューナブ
ルフィルタとして用いられる場合には、その作用は垂直
ではなく、垂直に対する所定の角度限界にあることが好
ましい。
図４における光学要素の操作は、前述のように図２を
参照しつつ概要されたものと同一であり得る。図４にお
ける図においては格子の屈折率（n4＝1.65）および格子
の上の層の（n2は好ましくは約1.5）、格子の山谷の比
（デューティサイクル）および格子の高さとは、その全
幅において約0.1nmであるローレンツ分布の最高値の半
分であるようなスペクトル帯幅を示すように選択され
る。
参照しつつ概要されたものと同一であり得る。図４にお
ける図においては格子の屈折率（n4＝1.65）および格子
の上の層の（n2は好ましくは約1.5）、格子の山谷の比
（デューティサイクル）および格子の高さとは、その全
幅において約0.1nmであるローレンツ分布の最高値の半
分であるようなスペクトル帯幅を示すように選択され
る。
次に、図２、図３および図４のいずれかにおける光学
要素が能動チューナブルフィルタとして作動している図
を示す図５を参照する。様々な波長における照射
（λ1;...;λｎ）が光学要素300に対して作用してい
る。光学要素300に対して与えられる電圧または電流Vk
によって、光学要素は与えられた波長（λｋ）のみの照
射を反射する。その他の全ての波長における照射は光学
要素を通過する。
要素が能動チューナブルフィルタとして作動している図
を示す図５を参照する。様々な波長における照射
（λ1;...;λｎ）が光学要素300に対して作用してい
る。光学要素300に対して与えられる電圧または電流Vk
によって、光学要素は与えられた波長（λｋ）のみの照
射を反射する。その他の全ての波長における照射は光学
要素を通過する。
本発明がここにおいて具体的に示され、上記のように
詳述されたものに限定されるものではないことは当業者
にとって明らかである。むしろ、本発明の範囲は以下の
請求の範囲によってのみ定義されるものである。
詳述されたものに限定されるものではないことは当業者
にとって明らかである。むしろ、本発明の範囲は以下の
請求の範囲によってのみ定義されるものである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 シャロン、アヴネール ツヴィ
イスラエル国、テル―アヴィヴ 63417、
フラグ ストリート 15
(56)参考文献 米国特許5157537（ＵＳ，Ａ)
米国特許5216680（ＵＳ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/00 - 1/141
Claims (43)
- 【請求項１】複数の層を備え、電子光学的に制御される
光学要素であって、 回折格子、 前記回折格子に関連した平面導波管および 追加の透光性の媒体 を備え、 前記回折格子、前記平面導波管および前記追加の透光性
の媒体が、ある波長において透過されたあるいは反射さ
れた光線のうち少なくとも１つによって共振されるよう
に形成され、前記波長は、電気的入力によってある領域
にわたりチューナブルである電子光学的に制御される光
学要素。 - 【請求項２】前記追加の透光性の媒体が、前記電気的入
力によって制御される屈折率を有することを特徴とす
る、請求の範囲第１項記載の電子光学的に制御される光
学要素。 - 【請求項３】前記平面導波管の屈折率は前記電気的入力
によって制御される、請求の範囲゛第１項記載の電子光
学的に制御される光学要素。 - 【請求項４】前記透光性の媒体に隣接するように設けら
れ且つ前記電気的入力に対して電極を介して電子光学的
に連結されている透光性の導電体を備え、これら透光性
の導電体によって電気的エネルギーが前記透光性の媒体
の端から端まで与えられ得る、請求の範囲第２項記載の
電子光学的に制御される光学要素。 - 【請求項５】前記平面導波管に隣接するように設けられ
且つ前記電気的入力に対して電極を介して電子光学的に
連結されている透光性の導電体を備え、これら透光性の
導電体によって電気的エネルギーが前記平面導波管の端
から端まで与えられ得る、請求の範囲第３項記載の電子
光学的に制御される光学要素。 - 【請求項６】前記回折格子および前記平面導波管は半導
体物質から形成される、請求の範囲第１項記載の電子光
学的に制御される光学要素。 - 【請求項７】前記透光性の媒体が電気的入力によって制
御される屈折率を有する請求の範囲第６項記載の光学要
素であって、当該光学要素が、前記透光性の媒体に隣接
するように設けられ且つ前記電気的入力に対して電極を
介して電子光学的に連結されている透光性の導電体を備
え、前記透光性の導電体によって電気的エネルギーが適
宜ドープされた半導体物質を介して前記透光性の媒体の
端から端まで与えられ得る、請求の範囲第６項記載の電
子光学的に制御される光学要素。 - 【請求項８】前記平面導波管が前記電気的入力に制御さ
れる屈折率を有する請求の範囲第６項記載の光学要素で
あって、当該光学要素が、前記平面導波管に隣接するよ
うに設けられ且つ前記電気的入力に対して電極を介して
電子光学的に連結さている透光性の導電体を備え、前記
透光性の導電体によって電気的エネルギーが適宜ドープ
された半導体物質を介して前記平面導波管の端から端ま
で与えられ得る、請求の範囲第６項記載の電子光学的に
制御される光学要素。 - 【請求項９】前記回折格子および前記平面導波管のうち
少なくとも１つが電気光学的物質から形成される、請求
の範囲第１項記載の電子光学的に制御される光学要素。 - 【請求項１０】前記透光性の媒体が前記電気的入力によ
って制御される屈折率を有し、前記光学要素が、前記透
光性の媒体に隣接するように設けられ且つ前記電気的入
力に対して電極を介して電子光学的に連結されている透
光性の導電体を備え、前記透光性の導電体によって電気
的エネルギーが前記透光性の媒体の端から端まで与えら
れ得る、請求の範囲第９項記載の電子光学的に制御され
る光学要素。 - 【請求項１１】前記平面導波管が前記電気的入力に制御
される屈折率を有する請求の範囲第９項の光学要素であ
って、当該光学要素が、前記平面導波管に隣接するよう
に設けられ且つ前記電気的入力に対して電極を介して電
子光学的に連結されている透光性の導電体を備え、前記
透光性の導電体によって電気的エネルギーが前記平面導
波管の端から端まで与えられ得る、請求の範囲第９項記
載の電子光学的に制御される光学要素。 - 【請求項１２】前記回折格子、前記平面導波管および前
記透光性の媒体のうち少なくとも１つが少なくとも重合
体物質および液晶のうちいずれかから形成される、請求
の範囲第１項記載の電子光学的に制御される光学要素。 - 【請求項１３】前記透光性の媒体が前記電気的入力によ
って制御される屈折率を有する請求の範囲第12項記載の
光学要素であって、当該光学要素が、前記透光性の媒体
に隣接するように設けられ且つ前記電気的入力に対して
電極を介して電子光学的に連結されている透光性の導電
体を備え、前記透光性の導電体によって電気的エネルギ
ーが前記透光性の媒体の端から端まで与えられ得る、請
求の範囲第12項記載の電子光学的に制御される光学要
素。 - 【請求項１４】前記平面導波管が、前記電気的入力に制
御される屈折率を有する請求の範囲第12項の光学要素で
あって、当該光学要素が、前記平面導波管に隣接するよ
うに設けられ且つ前記電気的入力に対して電極に介して
電子光学的に連結されている透光性の導電体を備え、前
記透光性の導電体によって電気的エネルギーが前記平面
導波管の端から端まで与えられ得る、請求の範囲第12項
記載の電子光学的に制御される光学要素。 - 【請求項１５】前記透光性の媒体は液晶物質である、請
求の範囲第２項記載の電子光学的に制御される光学要
素。 - 【請求項１６】前記透光性の媒体の屈折率は前記電気的
入力に制御され、前記透光性の媒体に隣接するように設
けられ且つ前記電気的入力に対して電極を介して電子光
学的に連結されている透光性の導電体を備え、前記透光
性の導電体によって電気的エネルギーが前記透光性の媒
体の端から端まで与えられ得る、請求の範囲第15項記載
の電子光学的に制御される光学要素。 - 【請求項１７】前記平面導波管は異なる屈折率を有する
複数の層からなる、請求の範囲第１項乃至第16項のいず
れかに記載の電子光学的に制御される光学要素。 - 【請求項１８】前記平面導波管に対して一般的には平行
である少なくとも１つの透光性の表面を有する請求の範
囲第１項乃至第16項のいずれかに記載された光学要素で
あって、当該光学要素が、少なくとも１つの透光性の表
面の上に形成された非反射性のコーティングを有する、
請求の範囲第１項乃至第16項のいずれかに記載の電子光
学的に制御される光学要素。 - 【請求項１９】同光学要素は電気光学的チューナブルフ
ィルタである、請求の範囲第１項乃至第16項のいずれか
に記載の電子光学的に制御される光学要素。 - 【請求項２０】同光学装置はレーザの一部である、請求
の範囲第１項乃至第16項のいずれかに記載の電子光学的
に制御される光学要素。 - 【請求項２１】レーザ空洞共振器と、 能動チューナブルミラーと、 前記レーザ空洞共振器を構成する出力結合器とを含むレ
ーザであって、 前記能動チューナブルミラーが、複数の層を備えて電子
光学的に制御される光学要素を備え、該電子光学的に制
御される光学要素は、 回折格子、 この回折格子に関連した平面導波管および 追加の透光性の媒体とを含み、 前記回折格子、平面導波管および追加の透光性の媒体
が、ある波長における透過されたあるいは反射された光
線のうち少なくとも１つによって共振されるように形成
され、前記波長は、電気的入力によってある領域にわた
りチューナブルである電子光学的に制御される光学要素
であるもの。 - 【請求項２２】前記追加の透光性の媒体が、前記電気的
入力によって制御される屈折率を有することを特徴とす
る、請求の範囲第21項記載のレーザ。 - 【請求項２３】前記平面導波管の屈折率は前記電気的入
力によって制御される、請求の範囲第21項記載のレー
ザ。 - 【請求項２４】前記電子光学的に制御される光学要素
が、前記透光性の媒体に隣接するように設けられ且つ前
記電気的入力に対して電極を介して電子光学的に連結さ
れている透光性の導電体を備え、これら透光性の導電体
によって電気的エネルギーが前記透光性の媒体の端から
端まで与えられ得る、請求の範囲第22項記載のレーザ。 - 【請求項２５】前記電子光学的に制御される光学要素
が、前記平面導波管に隣接するように設けられ且つ前記
電気的入力に対して電極を介して電子光学的に連結され
ている透光性の導電体を備え、これら透光性の導電体に
よって電気的エネルギーが前記平面導波管の端から端ま
で与えられ得る、請求の範囲第23項記載のレーザ。 - 【請求項２６】前記回折格子および前記平面導波管は半
導体物質から形成される、請求の範囲第21項記載のレー
ザ。 - 【請求項２７】前記透光性の媒体が、前記電気的入力に
よって制御される屈折率を有する請求の範囲第26項記載
のレーザであって、前記光学要素が、透光性の媒体を備
え、前記透光性の媒体に隣接するように設けられ且つ前
記電気的入力に対して電極を介して電子光学的に連結さ
れている透光性の導電体を備え、前記透光性の導電体に
よって電気的エネルギーが適宜ドープされた半導体物質
を介して前記透光性の媒体の端から端まで与えられ得
る、請求の範囲第26項記載のレーザ。 - 【請求項２８】前記平面導波管の屈折率は前記電気的入
力に制御され、前記電子光学的に制御される光学要素
が、前記平面導波管に隣接するように設けられ且つ前記
電気的入力に対して電極を介して電子光学的に連結され
ている透光性の導電体を備え、前記透光性の導電体によ
って電気的エネルギーが適宜ドープされた半導体物質を
介して前記平面導波管の端から端まで与えられ得る、請
求の範囲第26項記載のレーザ。 - 【請求項２９】前記回折格子および前記平面導波管のう
ち少なくとも１つが電気光学的物質から形成される、請
求の範囲第21項記載のレーザ。 - 【請求項３０】前記透光性の媒体が、前記電気的入力に
よって制御される屈折率を有する請求項29記載のレーザ
であって、前記光学要素が、透光性の媒体を備え、前記
透光性の媒体に隣接するように設けられ且つ前記電気的
入力に対して電極を介して電子光学的に連結されている
透光性の導電体を備え、前記透光性の導電体によって電
気的エネルギーが前記透光性の媒体の端から端まで与え
られ得る、請求の範囲第29項記載のレーザ。 - 【請求項３１】前記平面導波管の屈折率は前記電気的入
力に制御され、前記電子光学的に制御される光学要素
が、前記平面導波管に隣接するように設けられ且つ前記
電気的入力に対して電極を介して電子光学的に連結され
ている透光性の導電体を備え、前記透光性の導電体によ
って電気的エネルギーが前記平面導波管の端から端まで
与えられ得る、請求の範囲第29項記載のレーザ。 - 【請求項３２】前記回折格子、前記平面導波管および透
光性の媒体のうち少なくとも１つが少なくとも重合体物
質および液晶のうちいずれかから形成される、請求の範
囲第31項記載のレーザ。 - 【請求項３３】前記透光性の媒体が、前記電気的入力に
よって制御される屈折率を有するレーザであって、前記
光学要素が、透光性の媒体を備え、前記透光性の媒体に
隣接するように設けられ且つ前記電気的入力に対して電
極を介して電子光学的に連結されている透光性の導電体
を備え、前記透光性の導電体によって電気的エネルギー
が前記透光性の媒体の端から端まで与えられ得る、請求
の範囲第32項記載のレーザ。 - 【請求項３４】前記平面導波管の屈折率は前記電気的入
力に制御され、前記電子光学的に制御される光学要素
が、前記平面導波管に隣接するように設けられ且つ前記
電気的入力に対して電極を介して電子光学的に連結され
ている透光性の導電体を備え、前記透光性の導電体によ
って電気的エネルギーが前記平面導波管の端から端まで
与えられ得る、請求の範囲第32項記載のレーザ。 - 【請求項３５】前記透光性の媒体は液晶物質である、請
求の範囲第22項記載のレーザ。 - 【請求項３６】前記透光性の媒体が前記電気的入力に制
御される屈折率を有する請求項35記載のレーザであっ
て、前記光学要素が、前記透光性の媒体に隣接するよう
に設けられ且つ前記電気的入力に対して電極を介して電
子光学的に連結されている透光性の導電体を備え、前記
透光性の導電体によって電気的エネルギーが前記透光性
の媒体の端から端まで与えられ得る、請求の範囲第35項
記載のレーザ。 - 【請求項３７】前記平面導波管は異なる屈折率を有する
複数の層からなる、請求の範囲第21項乃至第36項のいず
れかに記載のレーザ。 - 【請求項３８】前記電子光学的に制御される光学要素
が、前記平面導波管に対して一般的には平行である少な
くとも１つの透光性の表面を有する請求の範囲第21項乃
至第36項記載のレーザであって、前記光学要素が、少な
くとも１つの透光性の表面の上に形成された非反射性の
コーティングを有する、請求の範囲第21項乃至第36項の
いずれかに記載のレーザ。 - 【請求項３９】本質的に前記波長でのみ入射光を透過す
るよう動作的である、請求の範囲第１項記載の電子光学
的に制御される光学要素。 - 【請求項４０】実質的に前記波長でのみ入射光を反射す
るよう動作的である、請求の範囲第１項記載の電子光学
的に制御される光学要素。 - 【請求項４１】少なくとも0.1nmのダイナミックレンジ
の範囲にわたり前記電気的入力によってチューナブルで
ある、請求の範囲第21項記載のレーザ。 - 【請求項４２】少なくとも1nmのダイナミックレンジの
範囲にわたり前記電気的入力によってチューナブルであ
る、請求の範囲第21項記載のレーザ。 - 【請求項４３】少なくとも10nmのダイナミックレンジの
範囲にわたり前記電気的入力によってチューナブルであ
る、請求の範囲第21項記載のレーザ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IL118209 | 1996-05-09 | ||
| IL11820996A IL118209A0 (en) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | Active electro-optical wavelength-selective mirrors and active electro-optic wavelength-selective filters |
| PCT/IL1997/000151 WO1997044686A2 (en) | 1996-05-09 | 1997-05-07 | Active wavelength selection with resonant devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000514566A JP2000514566A (ja) | 2000-10-31 |
| JP3527513B2 true JP3527513B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=11068856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54195497A Expired - Fee Related JP3527513B2 (ja) | 1996-05-09 | 1997-05-07 | 共振装置にかかわる能動波長の選択 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6215928B1 (ja) |
| EP (1) | EP0898799B1 (ja) |
| JP (1) | JP3527513B2 (ja) |
| DE (1) | DE69737855T2 (ja) |
| IL (1) | IL118209A0 (ja) |
| WO (1) | WO1997044686A2 (ja) |
Families Citing this family (133)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6330388B1 (en) | 1999-01-27 | 2001-12-11 | Northstar Photonics, Inc. | Method and apparatus for waveguide optics and devices |
| US6735016B1 (en) | 1999-09-15 | 2004-05-11 | Spectraswitch, Inc. | Electro-optically controllable polarization insensitive optical device |
| US8111401B2 (en) * | 1999-11-05 | 2012-02-07 | Robert Magnusson | Guided-mode resonance sensors employing angular, spectral, modal, and polarization diversity for high-precision sensing in compact formats |
| US7167615B1 (en) | 1999-11-05 | 2007-01-23 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Resonant waveguide-grating filters and sensors and methods for making and using same |
| US6522795B1 (en) * | 2000-05-17 | 2003-02-18 | Rebecca Jordan | Tunable etched grating for WDM optical communication systems |
| US6532326B1 (en) * | 2000-09-21 | 2003-03-11 | Ut-Battelle, Llc | Transverse-longitudinal integrated resonator |
| DE60115966T2 (de) * | 2000-10-13 | 2006-07-06 | Compagnie Industrielle Des Lasers Cilas | Optische filter, ihre herstellungsverfahren und ihre anwendung für ein multiplexsystem |
| FR2816063B1 (fr) * | 2000-10-27 | 2003-08-08 | Shakticom | Filtre optique actif, son procede de fabrication et son utilisation pour un systeme mulitplex |
| US6795459B2 (en) | 2000-10-18 | 2004-09-21 | Fibera, Inc. | Light frequency locker |
| US6858834B2 (en) * | 2000-10-18 | 2005-02-22 | Fibera, Inc. | Light wavelength meter |
| US7175980B2 (en) * | 2000-10-30 | 2007-02-13 | Sru Biosystems, Inc. | Method of making a plastic colorimetric resonant biosensor device with liquid handling capabilities |
| US7575939B2 (en) * | 2000-10-30 | 2009-08-18 | Sru Biosystems, Inc. | Optical detection of label-free biomolecular interactions using microreplicated plastic sensor elements |
| US7023544B2 (en) * | 2000-10-30 | 2006-04-04 | Sru Biosystems, Inc. | Method and instrument for detecting biomolecular interactions |
| US7615339B2 (en) * | 2000-10-30 | 2009-11-10 | Sru Biosystems, Inc. | Method for producing a colorimetric resonant reflection biosensor on rigid surfaces |
| US7202076B2 (en) * | 2000-10-30 | 2007-04-10 | Sru Biosystems, Inc. | Label-free high-throughput optical technique for detecting biomolecular interactions |
| US7142296B2 (en) * | 2000-10-30 | 2006-11-28 | Sru Biosystems, Inc. | Method and apparatus for detecting biomolecular interactions |
| US7217574B2 (en) * | 2000-10-30 | 2007-05-15 | Sru Biosystems, Inc. | Method and apparatus for biosensor spectral shift detection |
| US7371562B2 (en) * | 2000-10-30 | 2008-05-13 | Sru Biosystems, Inc. | Guided mode resonant filter biosensor using a linear grating surface structure |
| US7306827B2 (en) * | 2000-10-30 | 2007-12-11 | Sru Biosystems, Inc. | Method and machine for replicating holographic gratings on a substrate |
| US7118710B2 (en) * | 2000-10-30 | 2006-10-10 | Sru Biosystems, Inc. | Label-free high-throughput optical technique for detecting biomolecular interactions |
| US7101660B2 (en) * | 2000-10-30 | 2006-09-05 | Sru Biosystems, Inc. | Method for producing a colorimetric resonant reflection biosensor on rigid surfaces |
| US20030113766A1 (en) * | 2000-10-30 | 2003-06-19 | Sru Biosystems, Llc | Amine activated colorimetric resonant biosensor |
| US7070987B2 (en) * | 2000-10-30 | 2006-07-04 | Sru Biosystems, Inc. | Guided mode resonant filter biosensor using a linear grating surface structure |
| US20030092075A1 (en) * | 2000-10-30 | 2003-05-15 | Sru Biosystems, Llc | Aldehyde chemical surface activation processes and test methods for colorimetric resonant sensors |
| US7875434B2 (en) * | 2000-10-30 | 2011-01-25 | Sru Biosystems, Inc. | Label-free methods for performing assays using a colorimetric resonant reflectance optical biosensor |
| US7153702B2 (en) * | 2000-10-30 | 2006-12-26 | Sru Biosystems, Inc. | Label-free methods for performing assays using a colorimetric resonant reflectance optical biosensor |
| US6951715B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-10-04 | Sru Biosystems, Inc. | Optical detection of label-free biomolecular interactions using microreplicated plastic sensor elements |
| US7264973B2 (en) * | 2000-10-30 | 2007-09-04 | Sru Biosystems, Inc. | Label-free methods for performing assays using a colorimetric resonant optical biosensor |
| US7300803B2 (en) * | 2000-10-30 | 2007-11-27 | Sru Biosystems, Inc. | Label-free methods for performing assays using a colorimetric resonant reflectance optical biosensor |
| WO2002043202A1 (en) * | 2000-11-27 | 2002-05-30 | Zhongshan Liu | Multi-group multi-wavelength laser matrix |
| US20020090170A1 (en) | 2000-11-27 | 2002-07-11 | Bendett Mark P. | Apparatus and method for integrated photonic devices having adjustable gain |
| US6727520B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-04-27 | Honeywell International Inc. | Spatially modulated reflector for an optoelectronic device |
| US6574390B2 (en) * | 2001-02-15 | 2003-06-03 | Infineon Technologies Ag | Configuration to multiplex and/or demultiplex the signals of a plurality of optical data channels and method for the production of the configuration |
| US6628850B1 (en) * | 2001-02-15 | 2003-09-30 | General Photonics Corporation | Dynamic wavelength-selective grating modulator |
| US6552842B2 (en) * | 2001-04-13 | 2003-04-22 | Ut-Battelle, Llc | Reflective coherent spatial light modulator |
| US6661952B2 (en) * | 2001-05-04 | 2003-12-09 | Ut Battelle, Llc | Sub-wavelength efficient polarization filter (SWEP filter) |
| US6807339B1 (en) * | 2001-09-14 | 2004-10-19 | Fibera, Inc. | Wavelength division multiplexing and de-multiplexing system |
| US6804060B1 (en) | 2001-09-28 | 2004-10-12 | Fibera, Inc. | Interference filter fabrication |
| EP1315024B1 (en) * | 2001-11-12 | 2004-04-21 | Alcatel | Tunable optical device and optical system using the tunable optical device as coding filter |
| US7106920B2 (en) * | 2001-11-13 | 2006-09-12 | Zhongshan Liu | Laser array for generating stable multi-wavelength laser outputs |
| US7027469B2 (en) * | 2001-11-30 | 2006-04-11 | Optitune Plc | Tunable filter |
| US6947453B2 (en) | 2002-01-17 | 2005-09-20 | Optitune Plc | Tunable diffractive device |
| US20030175030A1 (en) * | 2002-03-18 | 2003-09-18 | Shuqiang Chen | Re-configurable optical add/drop multiplexer module and method |
| US6813405B1 (en) | 2002-03-29 | 2004-11-02 | Teem Photonics | Compact apparatus and method for integrated photonic devices having folded directional couplers |
| US6876784B2 (en) * | 2002-05-30 | 2005-04-05 | Nanoopto Corporation | Optical polarization beam combiner/splitter |
| US7283571B2 (en) * | 2002-06-17 | 2007-10-16 | Jian Wang | Method and system for performing wavelength locking of an optical transmission source |
| US20040047039A1 (en) * | 2002-06-17 | 2004-03-11 | Jian Wang | Wide angle optical device and method for making same |
| US7386205B2 (en) * | 2002-06-17 | 2008-06-10 | Jian Wang | Optical device and method for making same |
| JP2006508376A (ja) | 2002-06-18 | 2006-03-09 | ナノオプト コーポレーション | 機能性が拡張された光部品およびその製造方法 |
| US7050233B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-05-23 | Nanoopto Corporation | Precision phase retardation devices and method of making same |
| US7429492B2 (en) * | 2002-09-09 | 2008-09-30 | Sru Biosystems, Inc. | Multiwell plates with integrated biosensors and membranes |
| US7927822B2 (en) | 2002-09-09 | 2011-04-19 | Sru Biosystems, Inc. | Methods for screening cells and antibodies |
| US6999156B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-02-14 | Chou Stephen Y | Tunable subwavelength resonant grating filter |
| US7013064B2 (en) * | 2002-10-09 | 2006-03-14 | Nanoopto Corporation | Freespace tunable optoelectronic device and method |
| US6920272B2 (en) * | 2002-10-09 | 2005-07-19 | Nanoopto Corporation | Monolithic tunable lasers and reflectors |
| US6920159B2 (en) * | 2002-11-29 | 2005-07-19 | Optitune Plc | Tunable optical source |
| US6917471B2 (en) * | 2003-01-24 | 2005-07-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diffraction grating element |
| WO2004070893A2 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Gws-Photonics Ltd. | External cavity tunable laser and control |
| US7268946B2 (en) * | 2003-02-10 | 2007-09-11 | Jian Wang | Universal broadband polarizer, devices incorporating same, and method of making same |
| US7184625B2 (en) * | 2003-02-11 | 2007-02-27 | Luxtera, Inc | Optical waveguide grating coupler incorporating reflective optical elements and anti-reflection elements |
| US7019904B2 (en) * | 2003-02-18 | 2006-03-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diffraction grating element, production method of diffraction grating element, and method of designing diffraction grating element |
| WO2004074888A1 (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 回折格子素子、回折格子素子製造方法、及び回折格子素子の設計方法 |
| US7352428B2 (en) * | 2003-02-21 | 2008-04-01 | Xtellus Inc. | Liquid crystal cell platform |
| US20110043742A1 (en) * | 2003-02-21 | 2011-02-24 | Cavanaugh Shanti A | Contamination prevention in liquid crystal cells |
| US20060007386A1 (en) * | 2003-02-21 | 2006-01-12 | Extellus Usa | Flat top tunable filter with integrated detector |
| US7355671B2 (en) * | 2003-02-21 | 2008-04-08 | Xtellus Inc. | Fabrication method for liquid crystal cell |
| US6943768B2 (en) * | 2003-02-21 | 2005-09-13 | Xtellus Inc. | Thermal control system for liquid crystal cell |
| US7009680B2 (en) | 2003-06-02 | 2006-03-07 | Xtellus Inc. | Narrow band tunable filter with integrated detector |
| US20040201892A1 (en) * | 2003-04-03 | 2004-10-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diffraction grating element, optical module and optical communications system |
| US20040258355A1 (en) * | 2003-06-17 | 2004-12-23 | Jian Wang | Micro-structure induced birefringent waveguiding devices and methods of making same |
| US8298780B2 (en) * | 2003-09-22 | 2012-10-30 | X-Body, Inc. | Methods of detection of changes in cells |
| WO2005041371A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-05-06 | Pirelli & C. S.P.A. | Phase-control in an external-cavity tuneable laser |
| JP2007510928A (ja) * | 2003-11-06 | 2007-04-26 | エス アール ユー バイオシステムズ，インコーポレイテッド | 高密度アミン機能化表面 |
| CN1902639A (zh) * | 2003-11-10 | 2007-01-24 | 科技创新有限责任公司 | 数字成像组合件及其方法 |
| ATE397227T1 (de) * | 2003-12-24 | 2008-06-15 | Pirelli & C Spa | Abstimmbarer resonanter gitterfilter |
| US7720116B2 (en) * | 2004-01-22 | 2010-05-18 | Vescent Photonics, Inc. | Tunable laser having liquid crystal waveguide |
| US8989523B2 (en) | 2004-01-22 | 2015-03-24 | Vescent Photonics, Inc. | Liquid crystal waveguide for dynamically controlling polarized light |
| US8463080B1 (en) | 2004-01-22 | 2013-06-11 | Vescent Photonics, Inc. | Liquid crystal waveguide having two or more control voltages for controlling polarized light |
| US20050271325A1 (en) * | 2004-01-22 | 2005-12-08 | Anderson Michael H | Liquid crystal waveguide having refractive shapes for dynamically controlling light |
| US8860897B1 (en) | 2004-01-22 | 2014-10-14 | Vescent Photonics, Inc. | Liquid crystal waveguide having electric field orientated for controlling light |
| EP1743197B1 (en) * | 2004-04-23 | 2011-08-10 | Olivier M. Parriaux | High efficiency optical diffraction device |
| ATE542277T1 (de) * | 2004-06-30 | 2012-02-15 | Mosaid Technologies Inc | Abstimmbarer laser mit thermisch geregeltem externen resonator |
| JP4756379B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2011-08-24 | 日本電気株式会社 | 外部共振器型波長可変レーザ |
| US7209212B2 (en) * | 2004-09-15 | 2007-04-24 | China Institute Of Technology | Tunable optical integrated element using liquid crystal as active layer |
| DE602004028529D1 (de) * | 2004-12-29 | 2010-09-16 | Pgt Photonics Spa | Verdrahtungsverfahren und -einrichtung |
| US7991024B2 (en) | 2005-07-01 | 2011-08-02 | Nec Corporation | External cavity wavelength tunable laser device and optical output module |
| US20090257460A1 (en) * | 2005-07-13 | 2009-10-15 | Nec Corporation | External resonator variable wavelength laser and its packaging method |
| US7570320B1 (en) | 2005-09-01 | 2009-08-04 | Vescent Photonics, Inc. | Thermo-optic liquid crystal waveguides |
| JP4520402B2 (ja) * | 2005-12-07 | 2010-08-04 | 株式会社リコー | 複数波長光スイッチング素子・複数波長光スイッチングデバイス・カラー光スイッチング素子・カラー光スイッチングデバイス・複数波長光スイッチング素子アレイ・カラー光スイッチング素子アレイ・複数色画像表示装置およびカラー画像表示装置 |
| JP4945140B2 (ja) * | 2006-02-01 | 2012-06-06 | テクダイヤ株式会社 | 波長可変光フィルター及びこれを用いた外部共振器型半導体レーザ装置 |
| JP2007240744A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Tecdia Kk | 光スイッチ及び光アドドロップマルチプレクサ |
| EP2087353A2 (en) * | 2006-10-31 | 2009-08-12 | SRU Biosystems, Inc. | Method for blocking non-specific protein binding on a functionalized surface |
| JP4596181B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2010-12-08 | 日本電気株式会社 | 外部共振器型波長可変半導体レーザ |
| US20080299673A1 (en) * | 2007-04-19 | 2008-12-04 | Sru Biosystems, Inc. | Method for Employing a Biosensor to Detect Small Molecules ("Fragments") that Bind Directly to Immobilized Protein Targets |
| US20100127611A1 (en) | 2007-05-22 | 2010-05-27 | Masaaki Imura | Transparent electrode |
| US9134307B2 (en) | 2007-07-11 | 2015-09-15 | X-Body, Inc. | Method for determining ion channel modulating properties of a test reagent |
| WO2009009718A1 (en) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Sru Biosystems, Inc. | Methods of identifying modulators of ion channels |
| US8257936B2 (en) | 2008-04-09 | 2012-09-04 | X-Body Inc. | High resolution label free analysis of cellular properties |
| US20100015721A1 (en) * | 2008-06-04 | 2010-01-21 | Sru Biosystems, Inc. | Detection of Promiscuous Small Submicrometer Aggregates |
| DE102008040188A1 (de) | 2008-07-04 | 2010-01-14 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Mehrmodaler Laser mit selektiver Modenunterdrückung und Verfahren zur Erzeugung von kohärenter Strahlung |
| US9366938B1 (en) * | 2009-02-17 | 2016-06-14 | Vescent Photonics, Inc. | Electro-optic beam deflector device |
| US20100273185A1 (en) * | 2009-04-27 | 2010-10-28 | Sru Biosystems, Inc. | Detection of Biased Agonist Activation |
| EP2430448A1 (en) * | 2009-05-15 | 2012-03-21 | SRU Biosystems, Inc. | Detection of changes in cell populations and mixed cell populations |
| US20100322269A1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Cogo Optronics, Inc. | Tunable laser |
| US8593630B2 (en) | 2009-10-07 | 2013-11-26 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Discrete frequency spectroscopy and instrumentation |
| EP2553151A4 (en) * | 2010-03-26 | 2013-07-31 | X Body Inc | USE OF INDUCED PLURIPOTENTIAL CELLS AND OTHER CELLS FOR SCREENING COMPOSITE LIBRARIES |
| US8995038B1 (en) | 2010-07-06 | 2015-03-31 | Vescent Photonics, Inc. | Optical time delay control device |
| US10156722B2 (en) | 2010-12-24 | 2018-12-18 | Magic Leap, Inc. | Methods and systems for displaying stereoscopy with a freeform optical system with addressable focus for virtual and augmented reality |
| JP5474844B2 (ja) * | 2011-02-03 | 2014-04-16 | グーグル・インコーポレーテッド | チューナブル共鳴格子フィルタ |
| US9417394B2 (en) * | 2012-08-08 | 2016-08-16 | The Board Of Regents Of The University Of Texas System | Spectrally dense comb-like filters fashioned with thick-guided-mode resonant gratings |
| US10161738B2 (en) * | 2012-12-31 | 2018-12-25 | Axsun Technologies, Inc. | OCT swept laser with cavity length compensation |
| JP6047061B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2016-12-21 | 日本電信電話株式会社 | 性能可変回折格子 |
| US9519163B2 (en) * | 2013-09-24 | 2016-12-13 | Oracle International Corporation | Tunable silicon grating couplers |
| US9915826B2 (en) * | 2013-11-27 | 2018-03-13 | Magic Leap, Inc. | Virtual and augmented reality systems and methods having improved diffractive grating structures |
| EP2905851B1 (en) * | 2014-02-05 | 2022-04-06 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Optical lasing device and method for generating a lasing mode in such device |
| WO2015184409A1 (en) | 2014-05-30 | 2015-12-03 | Magic Leap, Inc. | Methods and systems for displaying stereoscopy with a freeform optical system with addressable focus for virtual and augmented reality |
| TWM507618U (zh) | 2014-07-04 | 2015-08-21 | Ezconn Corp | 光電微型模組 |
| IL297803B2 (en) * | 2015-01-26 | 2023-11-01 | Magic Leap Inc | Virtual and augmented reality systems and methods with improved diffractive lattice structures |
| JP6873041B2 (ja) * | 2015-03-05 | 2021-05-19 | マジック リープ， インコーポレイテッドＭａｇｉｃ Ｌｅａｐ，Ｉｎｃ． | 第１の回折光学要素を含む接眼レンズを製造する方法 |
| JP2016178234A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 株式会社東芝 | 半導体受光デバイス |
| JP6700587B2 (ja) | 2016-03-22 | 2020-05-27 | 凸版印刷株式会社 | 高透過ｉｔｏ膜付きガラス |
| EP4411454A2 (en) | 2016-04-07 | 2024-08-07 | Magic Leap, Inc. | Systems and methods for augmented reality |
| KR102020956B1 (ko) * | 2016-08-30 | 2019-10-18 | 삼성전자주식회사 | 광학필터 및 이를 이용한 광학 디바이스 |
| CN106292049B (zh) * | 2016-09-30 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN107918233B (zh) * | 2016-10-24 | 2023-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置 |
| CN106444177B (zh) * | 2016-10-28 | 2019-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN106324897B (zh) * | 2016-10-28 | 2019-06-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN106324898B (zh) * | 2016-10-28 | 2017-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN106292124B (zh) * | 2016-10-28 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| US10753908B2 (en) * | 2017-02-22 | 2020-08-25 | The Hong Kong Polytechnic University | Resonator for force detection |
| CN107479253A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-12-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种透明显示装置 |
| CN114924413A (zh) * | 2022-04-28 | 2022-08-19 | 歌尔光学科技有限公司 | 光波导结构、光波导结构的制备方法及头戴显示设备 |
| DE102022117299A1 (de) * | 2022-07-12 | 2024-01-18 | Ams-Osram International Gmbh | Laserbauteil und verfahren zum betreiben eines laserbauteils |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5157537A (en) | 1991-02-01 | 1992-10-20 | Yeda Research And Development Co., Ltd. | Distributed resonant cavity light beam modulator |
| US5216680A (en) | 1991-07-11 | 1993-06-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Optical guided-mode resonance filter |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4251137A (en) | 1977-09-28 | 1981-02-17 | Rca Corporation | Tunable diffractive subtractive filter |
| JPS60101990A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-06 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| US5337183A (en) | 1991-02-01 | 1994-08-09 | Yeda Research And Development Co. Ltd. | Distributed resonant cavity light beam modulator |
| US5253314A (en) * | 1992-01-31 | 1993-10-12 | At&T Bell Laboratories | Tunable optical waveguide coupler |
| US5412743A (en) * | 1993-12-06 | 1995-05-02 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for amplitude modulation of a laser beam |
| US5598300A (en) * | 1995-06-05 | 1997-01-28 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Efficient bandpass reflection and transmission filters with low sidebands based on guided-mode resonance effects |
| US6041071A (en) * | 1995-09-29 | 2000-03-21 | Coretek, Inc. | Electro-optically tunable external cavity mirror for a narrow linewidth semiconductor laser |
| US6035089A (en) * | 1997-06-11 | 2000-03-07 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Integrated narrowband optical filter based on embedded subwavelength resonant grating structures |
-
1996
- 1996-05-09 IL IL11820996A patent/IL118209A0/xx unknown
-
1997
- 1997-05-07 US US09/180,201 patent/US6215928B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-07 DE DE69737855T patent/DE69737855T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-07 JP JP54195497A patent/JP3527513B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-07 WO PCT/IL1997/000151 patent/WO1997044686A2/en active IP Right Grant
- 1997-05-07 EP EP97918328A patent/EP0898799B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5157537A (en) | 1991-02-01 | 1992-10-20 | Yeda Research And Development Co., Ltd. | Distributed resonant cavity light beam modulator |
| US5216680A (en) | 1991-07-11 | 1993-06-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Optical guided-mode resonance filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000514566A (ja) | 2000-10-31 |
| WO1997044686A2 (en) | 1997-11-27 |
| EP0898799A4 (en) | 2000-04-26 |
| EP0898799A2 (en) | 1999-03-03 |
| US6215928B1 (en) | 2001-04-10 |
| WO1997044686A3 (en) | 1998-01-22 |
| DE69737855D1 (de) | 2007-08-09 |
| DE69737855T2 (de) | 2008-02-28 |
| EP0898799B1 (en) | 2007-06-27 |
| IL118209A0 (en) | 1998-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3527513B2 (ja) | 共振装置にかかわる能動波長の選択 | |
| EP1704428B1 (en) | Tunable resonant grating filters | |
| US7454103B2 (en) | High efficiency optical diffraction device | |
| US20050237475A1 (en) | Tunable subwavelength resonant grating filter | |
| US20020021445A1 (en) | Surface plasmon polariton band gap structures | |
| JP5474844B2 (ja) | チューナブル共鳴格子フィルタ | |
| WO2002025781A2 (en) | Micro-laser | |
| US5101293A (en) | Electrooptic device for modulation of intensity and phase of transmitted or reflected light at discrete operating wavelengths | |
| US5412743A (en) | Method and apparatus for amplitude modulation of a laser beam | |
| EP0379358B1 (en) | A method for producing a diffraction grating in optical elements | |
| CA2126882C (en) | Tunable optical arrangement | |
| JP5164897B2 (ja) | 光フィルタ | |
| WO2002101895A2 (en) | High power, high brightness wide area laser device | |
| IL126817A (en) | Active wavelength selection with resonant devices | |
| Tan et al. | A tunable subwavelength resonant grating optical filter | |
| JPH0373583A (ja) | 半導体レーザ光源装置 | |
| US20050046914A1 (en) | Wavelength tuning an external cavity laser without mechanical motion | |
| JP2686219B2 (ja) | 光子バンド構造のミラー | |
| RU2095901C1 (ru) | Многоканальный полупроводниковый лазер | |
| JP3287377B2 (ja) | 光学素子及びその作製方法 | |
| WO1989006369A1 (en) | Electrooptic modulator | |
| JP2703244B2 (ja) | 光スイッチ | |
| JPH05275806A (ja) | 光子バンド構造を備えたミラーを使用するレーザ・アレイ結合 | |
| US20050141571A1 (en) | Coherent tuning apparatus for optical communication device | |
| De Dobbelaere et al. | Fabrication of vertical light couplers in polymeric waveguides by embossing |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040203 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040220 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090227 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100227 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100227 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110227 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140227 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |