JP3523239B2 - Glass substrate chemical processing method and glass substrate - Google Patents

Glass substrate chemical processing method and glass substrate

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JP3523239B2 JP2002110838A JP2002110838A JP3523239B2 JP 3523239 B2 JP3523239 B2 JP 3523239B2 JP 2002110838 A JP2002110838 A JP 2002110838A JP 2002110838 A JP2002110838 A JP 2002110838A JP 3523239 B2 JP3523239 B2 JP 3523239B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、各種FPD(フラ
ットパネルディスプレイ)用ガラス基板、例えばLCD
(液晶ディスプレイ)用ガラス基板、PDP(プラズマ
ディスプレイパネル)用ガラス基板、有機EL(エレク
トロルミネッセンス)用ガラス基板等の1枚或いは一対
の貼り合せ基板を加工するための化学加工方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass substrate for various FPDs (flat panel displays) such as LCD.
The present invention relates to a chemical processing method for processing one or a pair of bonded substrates such as a glass substrate for (liquid crystal display), a glass substrate for PDP (plasma display panel) and a glass substrate for organic EL (electroluminescence).

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のガラス基板の加工方法には物理的
な方法と化学的な方法がある。物理的な方法には、機械
を用いた加工やブラストによる加工があり、化学的な方
法にはウェットエッチングによる加工がある。最近で
は、以下に示すような品質改善が要求される趨勢にあ
る。 1)ガラス基板に元々存在する表面キズを無くす。 2)パターニングされた薄膜を剥離した基板に残ってい
るパターン跡を無くす。 3)ガラス基板の外表面の片側の全部を薄くし、その平
坦性を高める。 4)ガラス基板の外表面の両側の全部を薄くし、その平
坦性を高める。 5)ガラス基板の外表面の片側の一部に凹み部を作製
し、各部の寸法と各面の平坦性を高める。 6)ガラス基板の外表面の両側の一部に凹み部を作製
し、各部の寸法と各面の平坦性を高める。 7)3)〜6)のガラス基板を2枚の貼り合わせ基板と
読み替えて、同じ目的のことを行なう。
2. Description of the Related Art Conventional methods for processing glass substrates include physical methods and chemical methods. Physical methods include processing using a machine and processing by blast, and chemical methods include processing by wet etching. Recently, there is a trend for quality improvement as described below. 1) Eliminate surface scratches originally present on the glass substrate. 2) Eliminate the pattern traces remaining on the substrate from which the patterned thin film has been peeled off. 3) The entire outer surface of the glass substrate is thinned on one side to improve its flatness. 4) The entire outer surface of the glass substrate is thinned on both sides to improve its flatness. 5) A recess is formed on a part of one side of the outer surface of the glass substrate to improve the dimensions of each part and the flatness of each surface. 6) Produce recesses on both sides of the outer surface of the glass substrate to improve the dimensions of each portion and the flatness of each surface. 7) The glass substrate of 3) to 6) is read as two bonded substrates, and the same purpose is performed.

【0003】前記品質改善項目のうち、例えば1)〜
4)に対して、従来の機械を用いた加工、例えば機械研
磨では、平坦性の不足、割れや表面キズの発生、研磨模
様の残留、研磨能力の限界等、避けられない課題が残
る。一方、従来のウェットエッチングによる加工では、
ガラス基板に初めから存在する表面キズ及びパターン跡
を無くすのは困難であり、板厚を薄くする場合でも下記
の例に示すように種々の問題が発生し、素ガラスと同等
以上の品質を確保するのは困難であった。以降、代表例
として液晶ガラス基板を対象として記述を進めていく。
Among the quality improvement items, for example, 1) to
On the other hand, in the processing using a conventional machine, for example, mechanical polishing, unavoidable problems such as lack of flatness, generation of cracks and surface scratches, residual polishing pattern, and limit of polishing ability remain. On the other hand, in conventional wet etching,
It is difficult to eliminate surface scratches and traces of patterns that exist on the glass substrate from the beginning, and various problems occur as shown in the example below even when the plate thickness is reduced, ensuring quality equal to or better than that of raw glass. It was difficult to do. Hereinafter, the description will proceed with a liquid crystal glass substrate as a typical example.

【0004】例えば、特許第2722798号公報には、液晶
表示素子複数個分の面積を有する一対のガラス基板を各
素子区画の液晶封入領域をそれぞれ囲むシール材を介し
て接着して素子集合体を組み立て、この素子集合体をフ
ッ酸をベースとするエッチング液に浸漬して液晶ガラス
基板の外面をエッチングする方法が開示されているが、
板厚を薄くすることはできても後述する欠陥が生じると
いう問題がある。
For example, Japanese Patent No. 2722798 discloses an element assembly in which a pair of glass substrates having an area for a plurality of liquid crystal display elements are adhered to each other through a sealing material surrounding each liquid crystal enclosing area of each element section to form an element assembly. Assembling, a method of etching the outer surface of the liquid crystal glass substrate by dipping this element assembly in an etching solution based on hydrofluoric acid is disclosed,
Although it is possible to reduce the plate thickness, there is a problem that defects described later occur.

【0005】また、特開2000-147474号公報には、フッ
酸を含むエッチング溶液を貯溜するエッチング溶液槽の
底部に気泡発生装置を備え、この気泡発生装置から発生
した気泡によって前記エッチング溶液を攪拌して、エッ
チング溶液槽に入れたガラスの表面をエッチングする自
動エッチング装置の発明が開示されているが、15〜1
7%のフッ酸を用いて液晶ガラス基板の外面を加工した
場合、後述する欠陥が生じるという問題がある。
Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-147474, a bubble generator is provided at the bottom of an etching solution tank for storing an etching solution containing hydrofluoric acid, and the etching solution is agitated by the bubbles generated from the bubble generator. Then, the invention of an automatic etching apparatus for etching the surface of glass placed in an etching solution tank is disclosed.
When the outer surface of the liquid crystal glass substrate is processed using 7% hydrofluoric acid, there is a problem that defects described later occur.

【0006】この発明においては、窒素ガス上昇気泡に
より加工液を攪拌させることによりガラス表面の均一な
加工を実現しようとしているが、上昇した気泡と加工液
とが液表面に達した後に下降する流れが上昇流の均一性
を阻害するので、表面が均一に加工されないという問題
がある。
In the present invention, it is intended to realize uniform processing of the glass surface by stirring the working liquid by the rising bubbles of nitrogen gas, but the rising bubbles and the working liquid flow down after reaching the liquid surface. Hinders the uniformity of the ascending flow, resulting in a problem that the surface is not uniformly processed.

【0007】上述の2つの例に示した従来のウェットエ
ッチングにより、50〜300μm加工した場合の問題
点を以下に示す。 1)蛍光灯下でも確認できる白濁が発生する。 2)最大0.2mm径のピットが発生する。図14は加
工後の表面粗度計により測定した結果を示したグラフで
ある。 3)ピットの直径は加工量の増大とともに大きくなる。
図15はピットの直径と加工量との関係を示したグラフ
である。 4)最大50個/cm2のピットが発生する。図16は
単位面積当りのピット数と加工量との関係を示したグラ
フである。図16より単位面積当りのピット数は加工量
の増大とともに増加することが判る。 5)蛍光灯下で見えるウネリが発生する。図17は加工
後の表面のウネリの状態を示したグラフである。 6)板厚の最大値と最小値との差が20〜100μmで
あり、不均一である。 7)加工前に人為的に付けた表面キズが加工により、幅
も深さも大きくなる(図18及び19参照)。図18は
加工前に意図的にキズを付けた表面の断面を示すグラフ
であり、図19は加工後の表面の断面を示すグラフであ
る。
The problems in the case of processing 50 to 300 μm by the conventional wet etching shown in the above two examples will be shown below. 1) White turbidity that can be seen even under a fluorescent lamp occurs. 2) Pits with a maximum diameter of 0.2 mm are generated. FIG. 14 is a graph showing the results of measurement by a surface roughness meter after processing. 3) The diameter of the pit increases as the amount of processing increases.
FIG. 15 is a graph showing the relationship between the pit diameter and the processing amount. 4) Up to 50 pits / cm 2 are generated. FIG. 16 is a graph showing the relationship between the number of pits per unit area and the processing amount. It can be seen from FIG. 16 that the number of pits per unit area increases as the processing amount increases. 5) A swell that can be seen under a fluorescent lamp is generated. FIG. 17 is a graph showing the state of swelling on the surface after processing. 6) The difference between the maximum value and the minimum value of the plate thickness is 20 to 100 μm, which is nonuniform. 7) Due to the processing, surface scratches artificially added before processing become wider and deeper (see FIGS. 18 and 19). FIG. 18 is a graph showing a cross section of a surface that is intentionally scratched before processing, and FIG. 19 is a graph showing a cross section of the surface after processing.

【0008】また、例えば液晶ガラス基板にCrをスパ
ッタリング後、カラーフィルター用画素をパターニング
した場合、その基板が不良になったときには、通常、パ
ターニングされたCrを剥離して機械研磨を行ない、パ
ターン跡を消すことにより素ガラスとして再利用してい
るが、機械研磨に代えて従来のウェットエッチングを実
施した場合はパターン跡が消えず、素ガラスとして再利
用できないという問題があった。
In addition, for example, when a color filter pixel is patterned after sputtering a liquid crystal glass substrate with Cr and the substrate becomes defective, the patterned Cr is usually peeled off and mechanical polishing is performed to leave a pattern mark. However, when conventional wet etching is performed instead of mechanical polishing, the pattern marks do not disappear, and there is a problem that the glass cannot be reused.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであり、板厚を薄くしつつ平坦性の
高い各種FPD用ガラス基板を得ることができるガラス
基板の化学加工方法を提供することを主たる目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a glass substrate chemical processing method capable of obtaining glass substrates for various FPDs having high flatness while reducing the plate thickness. The main purpose is to provide.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、化学加工液中
にガラス基板を、ガラス基板収納治具用保持具を使用し
て化学加工液槽に浸漬し、このガラス基板の外表面を構
成する片側の一部若しくは全部または両側の一部若しく
は全部を薄くする化学研摩方法であって、微細気泡を発
生させる気泡吐出部と、その下側に配置された化学加工
液の吐出部とを備え、化学加工液を前記化学加工液槽か
ら溢出させると共に、前記ガラス基板収納治具用保持具
の外側部分に、前記化学加工液槽の底部に向けた前記化
学加工液槽内の下降液流を生じさせる構成において、
ラス基板収納治具用保持具の外側部分に相当する下降液
流の通過断面積が、前記ガラス基板収納治具用保持具の
内側部分に相当する上昇液流の通過断面積の1〜3倍で
ある化学研摩方法である。
The present invention uses a glass substrate in a chemical processing liquid and a holder for a glass substrate storage jig.
Immersed in a chemical processing liquid tank Te, a chemical polishing method of thinning a part or all or both sides of part or all of one side which constitutes the outer surface of the glass substrate, issued microbubbles
Bubble discharge part to be made to grow and chemical processing arranged under it
A liquid discharge part is provided, and the chemical processing liquid is stored in the chemical processing liquid tank.
And the holder for the glass substrate storage jig
The outer part of the chemical processing liquid tank toward the bottom of the chemical processing liquid tank.
In the structure for generating the descending liquid flow in the processing liquid tank, the passage cross-sectional area of the descending liquid flow corresponding to the outer part of the glass substrate storage jig holder is the inner part of the glass substrate storage jig holder. The chemical polishing method is 1 to 3 times the cross-sectional area of passage of the rising liquid flow corresponding to.

【0011】また、上記の化学加工液としては、フッ
酸、並びに塩酸、硫酸、リン酸、硝酸から選ばれる1種
以上の無機酸を含有することが好ましい。また、他の好
ましい化学加工液としては、フッ酸、並びに塩酸、硫
酸、リン酸、硝酸から選ばれる1種以上の無機酸及び陰
イオン系界面活性剤を含有するものを挙げることができ
る。また、本発明は、前記化学加工方法により化学加工
を行ったガラス基板である。
Further, the chemical processing liquid preferably contains hydrofluoric acid and at least one inorganic acid selected from hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and nitric acid. Other preferable chemical processing liquids include those containing hydrofluoric acid, one or more inorganic acids selected from hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and nitric acid, and an anionic surfactant. The present invention also provides a chemical processing by the chemical processing method.
Is the glass substrate.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明は、素ガラス若しくは一旦
各種FPD用ガラス基板として製造されたガラス基板
(以下、まとめて「ガラス基板」という。)を加工対象
とするものである。そして、本発明はこのようなガラス
基板を化学加工液に浸漬して、ガラス基板の外表面の少
なくとも片側の一部を特定条件の下で加工することによ
り、板厚を薄くするとともに表面の平坦性に優れた各種
FPD用ガラス基板を提供しようとするものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention is intended for processing a glass substrate or a glass substrate once manufactured as a glass substrate for various FPDs (hereinafter collectively referred to as "glass substrate"). Then, the present invention dips such a glass substrate in a chemical processing liquid and processes at least a part of one side of the outer surface of the glass substrate under specific conditions to reduce the plate thickness and flatten the surface. It is intended to provide various FPD glass substrates having excellent properties.

【0013】本発明で用いる化学加工液は、ガラス基板
の加工速度が0.5〜10μm/分の範囲にあることが
好ましく、1.0〜5.0μm/分の範囲にあることが
更に好ましい。本発明者の検討によれば、加工速度が1
0μm/分を上回ると平坦性に優れたガラス基板を製造
することが困難となる。一方、加工速度が0.5μm/
分を下回ると平坦性に優れたガラス基板を製造すること
はできるものの、製造速度が遅くなりすぎるため生産性
の点から好ましくない。
The chemical processing liquid used in the present invention preferably has a glass substrate processing speed in the range of 0.5 to 10 μm / min, and more preferably in the range of 1.0 to 5.0 μm / min. . According to the study by the present inventor, the processing speed is 1
When it exceeds 0 μm / min, it becomes difficult to manufacture a glass substrate having excellent flatness. On the other hand, the processing speed is 0.5 μm /
If it is less than the minute, a glass substrate having excellent flatness can be produced, but the production rate becomes too slow, which is not preferable from the viewpoint of productivity.

【0014】具体的には、加工速度が10μm/分を上
回ると、加工後のガラス基板の表面にピット及びウネリ
が生じやすくなり、また板厚のバラツキが大きくなるの
でガラス基板の平坦性が十分に確保できない。さらに、
加工前から元々基板表面に存在したキズも残存してしま
う。一方、加工速度が0.5〜10μm/分の範囲にあ
る場合には、上記の問題点が解決されて平坦性に優れた
ガラス基板を製造することができる。
Specifically, when the processing speed exceeds 10 μm / min, pits and swells are likely to occur on the surface of the glass substrate after processing, and variations in plate thickness increase, so that the flatness of the glass substrate is sufficient. Cannot be secured. further,
The scratches that originally existed on the substrate surface before processing also remain. On the other hand, when the processing speed is in the range of 0.5 to 10 μm / min, the above problems can be solved and a glass substrate having excellent flatness can be manufactured.

【0015】上記のような加工速度を得ることができれ
ば、化学加工液の含有成分は特に限定されるものではな
いが、本発明に好ましい成分としては、フッ酸、ならび
にフッ化アンモニウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリ
ウムから選ばれるフッ化物、塩酸、硫酸、リン酸、硝酸
から選ばれる無機酸、酢酸、コハク酸から選ばれる有機
酸、スルホン酸塩系界面活性剤等の陰イオン系界面活性
剤、アミン系両性界面活性剤を挙げることができる。
The components contained in the chemical processing liquid are not particularly limited as long as the above-mentioned processing speed can be obtained, but preferred components for the present invention include hydrofluoric acid, ammonium fluoride and potassium fluoride. , Fluoride selected from sodium fluoride, hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, inorganic acid selected from nitric acid, acetic acid, organic acid selected from succinic acid, anionic surfactants such as sulfonate surfactants, An amine amphoteric surfactant can be mentioned.

【0016】上記成分のうち、フッ酸、フッ化物、無機
酸及び有機酸は、ガラス基板を化学的に加工し、かつフ
ッ化物等の反応生成物がガラス基板の表面に再付着する
のを防止するために添加するものであり、陰イオン系界
面活性剤とアミン系両性界面活性剤は、フッ化物等の反
応生成物がガラス基板の表面に再付着するのを防止する
ために添加するものである。
Among the above components, hydrofluoric acid, fluoride, inorganic acid and organic acid chemically process the glass substrate and prevent reaction products such as fluoride from re-adhering to the surface of the glass substrate. Anionic surfactants and amine amphoteric surfactants are added in order to prevent reaction products such as fluorides from reattaching to the surface of the glass substrate. is there.

【0017】本発明で用いる化学加工液は、フッ酸を必
須成分とすること以外は任意の組み合わせが可能であ
り、使用するガラス基板の組成、必要とする加工速度、
加工精度等に応じて各成分を適宜組み合わせることがで
きる。本発明者の検討によれば、上記の各成分のうち、
フッ酸と無機酸(特に塩酸と硝酸)の組み合わせ、フッ
酸と陰イオン系界面活性剤の組み合わせ、フッ酸、有機
酸(特に塩酸と硝酸)及び陰イオン系界面活性剤の組み
合わせが特に好適に使用できることが確認されている。
The chemical processing liquid used in the present invention can be used in any combination except that hydrofluoric acid is an essential component. The composition of the glass substrate used, the required processing speed,
Each component can be appropriately combined depending on processing accuracy and the like. According to the study by the present inventor, among the above components,
A combination of hydrofluoric acid and an inorganic acid (especially hydrochloric acid and nitric acid), a combination of hydrofluoric acid and an anionic surfactant, a combination of hydrofluoric acid, an organic acid (especially hydrochloric acid and nitric acid) and an anionic surfactant are particularly preferable. It has been confirmed that it can be used.

【0018】本発明では、上述した化学加工液中にガラ
ス基板を浸漬することをその要旨とするものであるの
で、化学加工液を貯溜するための貯溜槽及びその周辺装
置は特に限定されるものではない。例えば、化学加工液
を貯溜した貯溜槽のみからなる化学加工装置を使用する
こともできる。この場合、ガラス基板の加工に際して、
化学加工液中に珪フッ化物等の反応生成物が徐々に増加
する結果、反応生成物がガラス基板の表面上に数多く付
着してくるため、ガラス基板と化学加工液の固液反応速
度がガラス基板上の各部分においてバラツキを生じやす
くなり、ガラス基板の表面の平坦性を確保することが困
難になることも想定される。しかし、事前の検討により
化学加工液の品質が劣化する前に、化学加工液を新たな
ものと交換して使用することにより、本発明の主目的で
あるガラス基板表面の平坦性を十分確保することができ
る。
Since the gist of the present invention is to immerse the glass substrate in the above-mentioned chemical processing liquid, the storage tank for storing the chemical processing liquid and its peripheral devices are particularly limited. is not. For example, it is possible to use a chemical processing apparatus which is composed only of a storage tank that stores the chemical processing liquid. In this case, when processing the glass substrate,
As the reaction products such as silicofluoride gradually increase in the chemical processing liquid, many reaction products adhere to the surface of the glass substrate. It is also assumed that variations are likely to occur in each part on the substrate and it becomes difficult to secure the flatness of the surface of the glass substrate. However, before the quality of the chemical processing liquid is deteriorated by a preliminary study, the chemical processing liquid is replaced with a new one to ensure sufficient flatness of the glass substrate surface, which is the main object of the present invention. be able to.

【0019】また、他の好ましい化学加工装置の例とし
ては、化学加工中に反応生成物を含む化学加工液を化学
加工液の貯溜槽から連続して取り除くとともに、新しい
化学加工液を連続して供給することができる化学加工装
置を挙げることができる。このような化学加工装置を採
用した場合、加工後に生じた反応生成物が貯溜槽の外
(反応系外)に取り除かれるとともに、常に有効成分の
みを含む新鮮な化学加工液が貯溜槽内(反応系内)に供
給されるので、ガラス基板表面の均一な化学加工が可能
となる。
Further, as another preferable example of the chemical processing apparatus, the chemical processing solution containing the reaction product during the chemical processing is continuously removed from the chemical processing solution storage tank, and a new chemical processing solution is continuously supplied. Mention may be made of chemical processing equipment which can be supplied. When such a chemical processing device is adopted, the reaction products generated after processing are removed outside the storage tank (outside the reaction system), and at the same time, fresh chemical processing liquid containing only the active ingredient is stored inside the storage tank (reaction tank). Since it is supplied to the inside of the system), uniform chemical processing of the glass substrate surface becomes possible.

【0020】また、本発明では、化学加工液がガラス基
板の加工面に対して実質的に平行に近い液流を生じさせ
ながら化学加工することが、ガラス基板の平坦性を向上
させる上で好ましい。このことは、特に加工前に基板表
面に微細な凹凸が多数存在する平坦性の低いガラス基板
を加工した場合においてその効果が顕著に表れる。
Further, in the present invention, it is preferable to perform chemical processing while the chemical processing liquid produces a liquid flow which is substantially parallel to the processing surface of the glass substrate in order to improve the flatness of the glass substrate. . This is particularly remarkable when a glass substrate having low flatness, in which a large number of fine irregularities are present on the surface of the substrate before processing, is processed.

【0021】上記の作用効果は次のように説明すること
ができる。本発明における化学加工方法は、ガラス基板
(固体)と加工液(液体)との固液反応であり、ガラ
ス基板表面の近傍部分を構成する拡散層内への加工液の
拡散、加工成分のガラス基板表面への吸着、加工成
分とガラスとの化学反応、反応生成物のガラス基板か
らの脱離、拡散層外への反応生成物の拡散、等の多段
階反応からなる。上記各反応の中で〜の反応速度は
との反応速度よりも大きいので、この多段階反応の
全体としての反応速度はとの反応速度で決まるもの
であり、拡散律速となるものと考えられる。
The above-mentioned effects can be explained as follows. The chemical processing method in the present invention is a solid-liquid reaction between a glass substrate (solid) and a processing liquid (liquid), and diffusion of the processing liquid into a diffusion layer forming a portion in the vicinity of the surface of the glass substrate, and glass as a processing component. It consists of multi-step reactions such as adsorption on the substrate surface, chemical reaction between processing components and glass, desorption of reaction products from the glass substrate, and diffusion of reaction products outside the diffusion layer. In each of the above reactions, the reaction rate of ~ is higher than the reaction rate of, so the overall reaction rate of this multi-step reaction is determined by the reaction rate of, and is considered to be diffusion-controlled.

【0022】ここで、基板表面に微細な凹凸部分が存在
する平坦性の低いガラス基板を用いて、ガラス基板の加
工面に対して実質的に平行に近い化学加工液の液流を生
じさせた場合、基板表面の凸部の方が凹部よりも液流の
影響を強く受ける。すなわち、凸部においては、液流に
よる一種の攪拌作用を受ける結果、拡散層の厚みが薄く
なるので加工液の拡散速度が大きくなり、全体としての
反応速度(すなわち加工速度)が大きくなる。一方、凹
部では液流の影響をほとんど受けず、凹部近くの液流は
よどんだ状態にあるので凹部近傍の拡散層の厚みはほと
んど変化せず、全体としての反応速度が凸部に比べて小
さくなる。
Here, a glass substrate having a low flatness in which fine irregularities are present on the surface of the substrate is used to generate a liquid flow of the chemical processing liquid which is substantially parallel to the processing surface of the glass substrate. In this case, the convex portion on the substrate surface is more affected by the liquid flow than the concave portion. That is, in the convex portion, as a result of being subjected to a kind of stirring action by the liquid flow, the thickness of the diffusion layer becomes thin, so that the diffusion speed of the working liquid becomes large, and the reaction speed (that is, the processing speed) as a whole becomes large. On the other hand, in the concave part, the liquid flow is almost unaffected, and the liquid flow near the concave part is stagnant, so the thickness of the diffusion layer near the concave part hardly changes, and the reaction rate as a whole is smaller than that in the convex part. Become.

【0023】ここで、例えば攪拌機等で加工液全体を攪
拌して、ガラス基板を垂直に近い状態で浸漬した場合に
は、上昇液流が効果的に生じないので、ガラス基板の加
工面に対して化学加工液の液流を実質的に平行にするこ
とが困難となる。上昇液流を効果的に生じさせるために
は、化学加工液の貯溜槽の最上部まで化学加工液を満た
した状態で、加工液の下部から窒素ガス等の微細気泡を
連続して発生させる方法を挙げることができる。そし
て、かかる加工液中にガラス基板を垂直に近い状態で浸
漬することにより、化学加工液の上昇液流に対してガラ
ス基板の加工面を実質的に平行にすることができる。
Here, when the entire working liquid is stirred by, for example, a stirrer and the glass substrate is immersed in a nearly vertical state, an ascending liquid flow does not effectively occur. It becomes difficult to make the flow of the chemical processing liquid substantially parallel. In order to effectively generate an ascending liquid flow, a method in which fine bubbles such as nitrogen gas are continuously generated from the bottom of the machining liquid while the top of the chemical machining liquid storage tank is filled with the chemical machining liquid Can be mentioned. Then, by immersing the glass substrate in such a processing liquid in a nearly vertical state, the processing surface of the glass substrate can be made substantially parallel to the rising liquid flow of the chemical processing liquid.

【0024】なお、本発明においてガラス基板の加工部
分は、ガラス基板を構成する外表面のうち両側全部に限
定されるものではなく、各種FPD用ガラス基板として
要求される形態、例えば基板表面のパターニング形状等
に応じて、必要とされる加工部分のみ適宜加工すること
ができる。具体的には、例えば加工しない部分に耐酸性
の保護膜を形成してマスキング処理を施し、加工後に保
護膜を除去することにより、ガラス基板の片側面の一部
若しくは全部またはガラス基板の両側の一部を化学加工
することができる。
In the present invention, the processed portion of the glass substrate is not limited to all of both sides of the outer surface constituting the glass substrate, but a form required for various FPD glass substrates, for example, patterning of the substrate surface. Depending on the shape and the like, only the required processed portion can be appropriately processed. Specifically, for example, by forming an acid-resistant protective film on a portion that is not processed, performing a masking treatment, and removing the protective film after processing, part or all of one side surface of the glass substrate or both sides of the glass substrate Some can be chemically processed.

【0025】以下では、上述した化学加工装置のうち後
者の化学加工装置を用いてガラス基板を加工する実施形
態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。図1
は、本発明の化学加工装置の一例を示す断面図である。
化学加工装置1は化学加工液貯溜槽11を備えており、
化学加工液貯溜槽11の底部には、ガスを導入して、多
孔質からなる気泡吐出部12aから吐出すべくなしてい
る気泡発生装置12が配置されており、気泡発生装置1
2の上側には、ガラス基板又は一対のガラス基板を貼り
合わせたものを縦方向に挿入して保持するためのガラス
基板収納治具18が配置されている。このガラス基板収
納治具18は、ガラス基板収納治具用保持具17の中に
配置されている。化学加工液貯溜槽11には、フッ酸を
主成分とした化学加工液が投入される。
An embodiment for processing a glass substrate using the latter chemical processing apparatus of the above-mentioned chemical processing apparatuses will be specifically described below with reference to the drawings. Figure 1
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the chemical processing apparatus of the present invention.
The chemical processing apparatus 1 includes a chemical processing liquid storage tank 11,
At the bottom of the chemical processing liquid storage tank 11, there is arranged a bubble generating device 12 for introducing a gas and discharging it from a bubble discharging part 12a made of a porous material.
On the upper side of 2, there is arranged a glass substrate storage jig 18 for vertically inserting and holding a glass substrate or a laminated glass substrate. The glass substrate storage jig 18 is arranged in the glass substrate storage jig holder 17. A chemical processing liquid containing hydrofluoric acid as a main component is charged into the chemical processing liquid storage tank 11.

【0026】化学加工液貯溜槽11の周縁部には、化学
加工液貯溜槽11から溢出させた前記化学加工液を受け
る溢出液受け槽13が設けられており、溢出液受け槽1
3には、加工により生じた反応生成物を除去するための
フィルター14、及びこのフィルター14により濾過さ
れた化学加工液を再度化学加工液貯溜槽11に送るため
のポンプ15が連結されている。そして、気泡発生装置
12の下側に配され、ポンプ15により送り出された化
学加工液を化学加工液貯溜槽の底部に向けて吐出するた
めの多数の孔を有する化学加工液吐出部16aを備えた
化学加工液吐出装置16により、再度、化学加工液が化
学加工液貯溜槽11に供給される。
At the periphery of the chemical processing liquid storage tank 11, an overflow liquid receiving tank 13 for receiving the chemical processing liquid overflowed from the chemical processing liquid storage tank 11 is provided.
A filter 14 for removing a reaction product generated by processing, and a pump 15 for sending the chemical processing liquid filtered by the filter 14 to the chemical processing liquid storage tank 11 again are connected to 3. Then, the chemical machining liquid discharger 16a is provided below the bubble generator 12 and has a number of holes for discharging the chemical machining liquid sent out by the pump 15 toward the bottom of the chemical machining liquid storage tank. The chemical processing liquid discharge device 16 supplies the chemical processing liquid to the chemical processing liquid storage tank 11 again.

【0027】また、化学加工装置1には、超音波振動子
又は揺動攪拌翼を備えてもよい(図示せず)。これは、
化学加工液貯溜槽11の全体に渡って気泡を拡散させる
ために用いるものである。
Further, the chemical processing apparatus 1 may be provided with an ultrasonic oscillator or a rocking stirring blade (not shown). this is,
It is used to diffuse bubbles throughout the chemical processing liquid storage tank 11.

【0028】図2は、気泡発生装置12の一例を示す斜
視図である。気泡発生装置12は、窒素ガス等のガスを
導入するガス導入管12bと、ガス導入管12bに垂直
に複数連結された、多孔質からなるパイプ状の気泡吐出
部12a,12a,・・・とを備えている。また、図3
は他の気泡発生装置12の気泡吐出部12aの一例を示
す斜視図である。この気泡吐出部12aは多孔質からな
り、板状を有している。図2及び図3ともに、気泡吐出
部12aの孔径は10〜500μmにするのが好まし
い。そして、これらの気泡発生装置12を液晶ガラス基
板収納治具用保持具17の下側に配置して、微細気泡を
上方に吐出させ、化学加工液を均一に上昇させる。この
上昇液流により、ガラス基板の表面に常に新鮮な化学加
工液を供給することができるとともに、フッ化物等の反
応生成物がガラス基板の表面に再付着するのを防止する
ことができる。
FIG. 2 is a perspective view showing an example of the bubble generating device 12. The bubble generating device 12 includes a gas introducing pipe 12b for introducing a gas such as nitrogen gas, and a plurality of porous pipe-like bubble discharging units 12a, 12a, ... Which are vertically connected to the gas introducing pipe 12b. Is equipped with. Also, FIG.
FIG. 7 is a perspective view showing an example of a bubble discharger 12 a of another bubble generator 12. The bubble discharging portion 12a is made of porous material and has a plate shape. 2 and 3, it is preferable that the bubble discharge portion 12a has a hole diameter of 10 to 500 μm. Then, these bubble generators 12 are arranged below the holder 17 for the liquid crystal glass substrate storage jig, and the fine bubbles are discharged upward to uniformly raise the chemical processing liquid. By this rising liquid flow, it is possible to always supply a fresh chemical processing liquid to the surface of the glass substrate, and it is possible to prevent a reaction product such as a fluoride from reattaching to the surface of the glass substrate.

【0029】微細気泡の上昇液流が化学加工液の表面に
達した後は、化学加工液貯溜槽11の周縁部から溢出
し、溢出液受け槽13で受けられ、フィルター14を通
した後、再度、化学加工液貯溜槽11に供給される。化
学加工液を溢出させない場合、上昇液流が下降液流に転
じる部分の断面積が小さいと、下降液流が上昇液流と交
錯して均一な上昇液流が確保できなくなる。図4は、化
学加工液貯溜槽11及びガラス基板収納治具用保持具1
7の一例を示す平面図である。図4に示したように、ガ
ラス基板収納治具用保持具17の外側部分に相当する下
降液流の通過断面積が、ガラス基板収納治具用保持具1
7の内側部分に相当する上昇液流の通過断面積の1〜3
倍である場合、均一な上昇液流が確保できることが確認
されている。
After the rising liquid flow of fine bubbles reaches the surface of the chemical processing liquid, it overflows from the peripheral portion of the chemical processing liquid storage tank 11, is received by the overflow liquid receiving tank 13, and is passed through the filter 14, It is again supplied to the chemical processing liquid storage tank 11. When the chemical processing liquid is not allowed to overflow, if the cross-sectional area of the portion where the rising liquid flow turns into the descending liquid flow is small, the descending liquid flow intersects with the ascending liquid flow, and it becomes impossible to secure a uniform ascending liquid flow. FIG. 4 shows a chemical processing liquid storage tank 11 and a glass substrate storage jig holder 1.
It is a top view which shows an example of 7. As shown in FIG. 4, the passing cross-sectional area of the descending liquid flow corresponding to the outer portion of the glass substrate storage jig holder 17 is the glass substrate storage jig holder 1
1 to 3 of the passing cross-sectional area of the rising liquid flow corresponding to the inner part of 7
It has been confirmed that a uniform ascending liquid flow can be ensured when it is doubled.

【0030】ガラス基板の成分と化学加工液とのフッ化
物等の反応生成物は、微細気泡の上昇流によって上昇す
るが、これが化学加工液貯溜槽11内を循環して化学加
工液貯溜槽11の底部に堆積すると、微細気泡の吐出に
悪影響を及ぼすので、反応生成物の堆積を防止する必要
がある。図5は、化学加工液吐出装置16の一例を示す
斜視図である。この化学加工液吐出装置16には、多数
の孔を有した化学加工液吐出部16aが複数、平行に設
けられており、ポンプ15によって送り出された化学加
工液を化学加工液吐出部16aから下向き又は斜め下向
きに吐出させることにより、化学加工液の供給ととも
に、反応生成物の堆積を防止するように設計することが
好ましい。
The reaction product such as a fluoride of the glass substrate component and the chemical processing liquid rises due to the upward flow of the fine bubbles, which circulates in the chemical processing liquid storage tank 11 and is circulated in the chemical processing liquid storage tank 11. If it is deposited on the bottom of the, the discharge of fine bubbles will be adversely affected, so it is necessary to prevent the deposition of reaction products. FIG. 5 is a perspective view showing an example of the chemical processing liquid discharge device 16. The chemical processing liquid discharger 16 is provided with a plurality of chemical processing liquid discharge portions 16a having a large number of holes in parallel, and the chemical processing liquid discharged by the pump 15 is directed downward from the chemical processing liquid discharge portion 16a. Alternatively, it is preferable to design so as to prevent the deposition of the reaction product as well as the supply of the chemical processing liquid by discharging it obliquely downward.

【0031】本発明では、上述した化学加工装置1を用
いてガラス基板の加工速度を制御する方法として、化学
加工液の組成の変更、化学加工液の温度の変更がある。
図6は、化学加工液の添加比率と加工速度との関係を示
すグラフである。この化学加工液は、フッ酸20重量
部、塩酸20重量部及び硝酸20重量部からなる加工成
分の水に対する添加比率を適宜変更した水溶液である。
図6から、添加比率が10%では1.1μm/分である
が、添加比率が増加するにしたがって加工速度が増加
し、40%で最大値の3.7μm/分を示し、その後少
し低下して添加比率90%まで概略3μm/分とほぼ一
定あることが判る。添加比率が30%以下では加工速度
が遅く、また70%以上ではガラス表面に白曇が発生し
たり、ガラス表面に反応生成物のスラッジが付着するの
で、加工速度を制御するためには、添加比率を30〜6
0%にするのが好ましい。また、かかる関係は上述した
他の加工成分の組合せからなる化学加工液を用いた場合
であっても同様であることが確認されている。
In the present invention, as a method of controlling the processing speed of the glass substrate by using the above-described chemical processing apparatus 1, there are changes in the composition of the chemical processing liquid and changes in the temperature of the chemical processing liquid.
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the addition ratio of the chemical processing liquid and the processing speed. This chemical processing liquid is an aqueous solution in which the addition ratio of the processing components consisting of 20 parts by weight of hydrofluoric acid, 20 parts by weight of hydrochloric acid and 20 parts by weight of nitric acid to water is appropriately changed.
From FIG. 6, it is 1.1 μm / min when the addition ratio is 10%, but the processing speed increases as the addition ratio increases, and shows the maximum value of 3.7 μm / min at 40%, and then decreases a little. As a result, it can be seen that the addition ratio is approximately 3 μm / min and is almost constant up to 90%. When the addition ratio is 30% or less, the processing speed is slow, and when the addition ratio is 70% or more, cloudiness occurs on the glass surface and sludge as a reaction product adheres to the glass surface. Ratio 30 to 6
It is preferably 0%. Further, it has been confirmed that such a relationship is the same even when a chemical processing liquid composed of a combination of other processing components described above is used.

【0032】図7は、化学加工装置1を用いて、フッ酸
5%と塩酸10%からなる化学加工液の加工速度と温度
の関係を示したグラフである。このグラフの横軸は基準
温度(30℃)からの偏移量であり、縦軸は加工速度で
ある。図7から、温度の上昇にしたがって全体として加
工速度は増加する傾向を示すが、基準温度(30℃)の
±5℃の範囲では0.5μm/分の差しか生じないこと
が判る。このように、本発明においては、加工速度がほ
とんど変化しない温度領域が存在する。したがって、化
学加工に当たっては事前に加工速度と温度の関係を調
べ、加工速度がほとんど変化しない温度領域の中間温度
を基準温度として、この中間温度付近で化学加工を行な
うことにより、ガラス基板の加工速度を制御することが
好ましい。また、加工速度がほとんど変化しない温度領
域を事前に調べることにより、要求される加工精度に応
じて加工時間の条件も緩やかに設定することができる。
例えば、図7のグラフが得られた場合において、加工量
のバラツキを20μmの範囲内に収めるには、加工時間
のバラツキとして最大40分まで許されることになる。
FIG. 7 is a graph showing the relationship between the processing speed and the temperature of a chemical processing liquid composed of 5% hydrofluoric acid and 10% hydrochloric acid using the chemical processing apparatus 1. The horizontal axis of this graph is the amount of deviation from the reference temperature (30 ° C.), and the vertical axis is the processing speed. It can be seen from FIG. 7 that the processing speed as a whole tends to increase as the temperature rises, but only 0.5 μm / min occurs within ± 5 ° C. of the reference temperature (30 ° C.). As described above, in the present invention, there is a temperature range in which the processing speed hardly changes. Therefore, in chemical processing, the relationship between the processing speed and the temperature is investigated in advance, and the intermediate temperature in the temperature range where the processing speed hardly changes is used as the reference temperature. Is preferably controlled. Further, by preliminarily examining the temperature region where the machining speed hardly changes, the condition of the machining time can be set gently according to the required machining accuracy.
For example, when the graph of FIG. 7 is obtained, in order to keep the variation of the processing amount within the range of 20 μm, the variation of the processing time is allowed up to 40 minutes.

【0033】[0033]

【実施例】以下に、本発明を実施例に基づき具体的に説
明する。 [実施例1]上述した化学加工装置1を用いて、素ガラ
スの化学加工を行なった例を以下に示す。下記の素ガラ
スを所定の加工速度を有する化学加工液にそれぞれ浸漬
し、同一の加工量を研磨した場合における加工速度とガ
ラス基板の表面状態の関係を検討した。結果を表1に示
す。 (1)素ガラスのサイズとそれぞれの目標の化学加工量 No.1;縦320mm×横400mm×厚み1.1mm。目標の化学加工
量;0.3mm。 No.2;縦400mm×横500mm×厚み0.7mm。目標の化学加工
量;0.2mm。 (2)化学加工液の組成 水を溶媒として、フッ酸、塩酸、硝酸を化学加工成分と
して、各成分の配合割合を適宜変更して加工速度が0.
5、1.0、3.0、5.0、10.0、13.0、15.0(単位;μm/
分)になる化学加工液を調製した。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below based on examples. [Example 1] An example of chemically processing a raw glass using the above-described chemical processing apparatus 1 is shown below. The relationship between the processing speed and the surface condition of the glass substrate when the following raw glass was immersed in a chemical processing liquid having a predetermined processing speed and the same processing amount was polished was examined. The results are shown in Table 1. (1) Size of raw glass and the respective target chemical processing amount No. 1; length 320 mm × width 400 mm × thickness 1.1 mm. Target amount of chemical processing: 0.3 mm. No.2; length 400 mm x width 500 mm x thickness 0.7 mm. Target amount of chemical processing: 0.2 mm. (2) Composition of chemical processing liquid Water is used as a solvent, hydrofluoric acid, hydrochloric acid, and nitric acid are used as chemical processing components.
5, 1.0, 3.0, 5.0, 10.0, 13.0, 15.0 (Unit: μm /
Min) was prepared.

【0034】[0034]

【表1】 [Table 1]

【0035】表1において、ピット、ウネリ及び元キズ
の有無は、暗室のクリーンルーム内で蛍光灯下で目視に
より観察した結果を示したものである。また、図8は化
学加工後におけるNo.2のガラス基板の板厚の測定位置
を示したものである。表1に、図8に示した各位置にお
いて、超音波板厚計で板厚を測定し、バラツキとして最
大値と最小値との差を求めた結果を示してある。ここ
で、小とは、バラツキが50μm以下、中とは、100
〜200μm、大とは200μm以上であることをい
う。表1の結果より、品質及び生産性の点から、加工速
度は0.5〜10μm/分が好ましく、特に1.0〜
5.0μm/分最適であることが判った。
In Table 1, the presence or absence of pits, swells and original scratches is the result of visual observation under a fluorescent lamp in a dark clean room. Further, FIG. 8 shows the measurement positions of the plate thickness of the No. 2 glass substrate after the chemical processing. Table 1 shows the results of measuring the plate thickness with an ultrasonic plate thickness gauge at each position shown in FIG. 8 and determining the difference between the maximum value and the minimum value as the variation. Here, small means a variation of 50 μm or less, and medium means 100 μm.
˜200 μm, large means 200 μm or more. From the results of Table 1, from the viewpoint of quality and productivity, the processing speed is preferably 0.5 to 10 μm / min, and particularly 1.0 to
It was found to be optimum at 5.0 μm / min.

【0036】[実施例2]上述した化学加工装置1を用
いて、素ガラスの化学加工を行なった例を以下に示す。 (1)素ガラスのサイズとそれぞれの目標の化学加工量 No.1;縦320mm×横400mm×厚み1.1mm。目標の化学加工
量;0.3mm。 No.2;縦400mm×横500mm×厚み0.7mm。目標の化学加工
量;0.2mm。 (2)化学加工液の組成 水を溶媒として、フッ酸5%、塩酸10%、硝酸5%を
含有する化学加工液を使用した。 (3)素ガラスの受入検査と最終検査の方法 板厚測定 超音波式板厚計を用いて図8に示した測定位置の板厚を
測定した。 外観検査 検査機器として蛍光灯(1500Lx以上)、集光灯(1万Lx
以上)を使用し、検査機器の光源からガラス基板までの
距離とガラス基板から測定者までの距離を共に300m
mにして、ガラス基板に対する反射光と透過光を目視で
確認した。 (4)実験結果 加工速度 素ガラスの片面に対して2.5μm/分であった。 板厚 表2に超音波板厚計によって測定した素ガラスの板厚を
示した。
[Embodiment 2] An example in which the raw glass is chemically processed by using the above-described chemical processing apparatus 1 is shown below. (1) Size of raw glass and the respective target chemical processing amount No. 1; length 320 mm × width 400 mm × thickness 1.1 mm. Target amount of chemical processing: 0.3 mm. No.2; length 400 mm x width 500 mm x thickness 0.7 mm. Target amount of chemical processing: 0.2 mm. (2) Composition of chemical processing liquid Using water as a solvent, a chemical processing liquid containing 5% hydrofluoric acid, 10% hydrochloric acid, and 5% nitric acid was used. (3) Method of acceptance inspection of final glass and final inspection Plate thickness measurement The plate thickness at the measurement position shown in FIG. 8 was measured using an ultrasonic plate thickness meter. Appearance inspection Fluorescent lamp (1500Lx or more), condensing lamp (10,000Lx)
The distance from the light source of the inspection device to the glass substrate and the distance from the glass substrate to the measurer are both 300 m.
The reflected light and the transmitted light with respect to the glass substrate were visually confirmed at m. (4) Experimental result The processing speed was 2.5 μm / min for one side of the elementary glass. Plate thickness Table 2 shows the plate thickness of the raw glass measured by the ultrasonic plate thickness meter.

【0037】[0037]

【表2】 [Table 2]

【0038】キズの有無 図9に化学加工前後における素ガラスのキズの有無を検
査した結果を示した。図9の結果より、化学加工前に存
在したキズが化学加工により消失したことが判る。 表面の平坦性 No.2の素ガラスを化学加工した後の表面状態を測定した
結果を図10に示した。表2及び図10より、素ガラス
の各位置において、均一に目標量を加工することがで
き、素ガラスの表面が平坦化されたことが判る。
Existence of Scratches FIG. 9 shows the results of inspecting the presence or absence of scratches in the raw glass before and after chemical processing. From the results of FIG. 9, it can be seen that the scratches existing before the chemical processing disappeared due to the chemical processing. FIG. 10 shows the result of measuring the surface condition after chemically processing the elementary glass having the surface flatness No. 2. From Table 2 and FIG. 10, it can be seen that the target amount can be uniformly processed at each position of the raw glass, and the surface of the raw glass is flattened.

【0039】[実施例3]化学加工装置1を用いて、2
枚の貼り合わせ液晶ガラス基板の化学加工を行なった例
を示す。 (1)貼り合わせ液晶ガラス基板のサイズとそれぞれの
目標の化学加工量 No.3;400mm×500mm×1.4mm。目標の化学加工量;両面
合わせて0.4mm。 (2)化学加工液の組成 実施例2と同じ。 (3)受入検査と最終検査の方法 [板厚測定]2枚の貼り合わせ液晶ガラス基板の表側の
測定位置を図12に、裏側の測定位置を図13に示し
た。 [外観検査]実施例2と同様に行なった。 (4)実験結果 加工速度 貼り合わせ液晶ガラス基板の片面に対して2.5μm/
分であった。 板厚 表3に超音波板厚計によって測定した結果を示した。
[Example 3] Using the chemical processing apparatus 1, 2
An example of chemically processing a bonded liquid crystal glass substrate is shown. (1) Size of bonded liquid crystal glass substrate and each target chemical processing amount No.3: 400 mm × 500 mm × 1.4 mm. Target amount of chemical processing: 0.4 mm on both sides. (2) Composition of chemical processing liquid Same as in Example 2. (3) Method of acceptance inspection and final inspection [Plate thickness measurement] The measurement position on the front side of the two bonded liquid crystal glass substrates is shown in FIG. 12, and the measurement position on the back side is shown in FIG. [Appearance inspection] The appearance inspection was performed in the same manner as in Example 2. (4) Experimental result 2.5 μm / working speed on one side of the laminated liquid crystal glass substrate
It was a minute. Plate thickness Table 3 shows the results measured by an ultrasonic plate thickness meter.

【0040】[0040]

【表3】 [Table 3]

【0041】キズの有無 化学加工前後におけるキズの有無を検査した結果を図1
1に示した。図11より、化学加工前に存在したキズが
化学加工により消失したことが判る。 表面の平坦性 表3から、貼り合わせガラス基板の各位置において、均
一に目標量を加工することができ、表面が平坦化されて
いることが判る。
Existence of Scratches The results of inspecting the presence or absence of flaws before and after chemical processing are shown in FIG.
Shown in 1. From FIG. 11, it can be seen that the scratches existing before the chemical processing disappeared due to the chemical processing. Surface Flatness From Table 3, it can be seen that the target amount can be uniformly processed at each position of the laminated glass substrate, and the surface is flattened.

【0042】[実施例4]カラーフィルター用画素がC
rでパターニングされた液晶ガラス基板が不良になった
ので、Crを剥離した後、パターン跡を無くすため化学
加工装置1により化学加工を行なった。 (1)Cr剥離後のガラス基板のサイズとそれぞれの目
標の化学加工量 No.4;縦400mm×横500mm×厚み0.7mm。目標の化学加工
量;5μm。 (2)化学加工液の組成 実施例2と同様のものを用いた。 (3)受入検査と最終検査の方法 板厚測定;超音波式板厚計を用いて図8に示した測定位
置の板厚を測定した。外観検査;実施例2と同様に行な
った。 (4)実験結果 加工速度 ガラス基板の片面に対して2.5μm/分であった。 板厚 表4に超音波板厚計によって測定した結果を示した。
[Embodiment 4] The pixel for the color filter is C
Since the liquid crystal glass substrate patterned by r became defective, after removing Cr, chemical processing was performed by the chemical processing apparatus 1 in order to eliminate the pattern mark. (1) Size of glass substrate after Cr peeling and respective target chemical processing amount No. 4; length 400 mm × width 500 mm × thickness 0.7 mm. Target chemical processing amount: 5 μm. (2) Composition of chemical processing liquid The same composition as in Example 2 was used. (3) Method of acceptance inspection and final inspection Plate thickness measurement: The plate thickness at the measurement position shown in FIG. 8 was measured using an ultrasonic plate thickness meter. Visual inspection; conducted in the same manner as in Example 2. (4) Experimental result The processing speed was 2.5 μm / min for one side of the glass substrate. Plate thickness Table 4 shows the results measured by the ultrasonic plate thickness meter.

【0043】[0043]

【表4】 [Table 4]

【0044】パターン跡の有無 パターン跡は化学加工により全て消失していることが確
認された。 表面の平坦性 表4とパターン跡の消失結果から、液晶ガラス基板を均
一に目標量加工することができ、表面が平坦化されたこ
とが判る。
Presence or absence of pattern traces It was confirmed that all pattern traces disappeared by chemical processing. Surface flatness From Table 4 and the result of disappearance of pattern traces, it can be seen that the target amount of the liquid crystal glass substrate could be uniformly processed and the surface was flattened.

【0045】以上のように本発明の化学加工方法を実施
することにより、液晶ガラス基板の板厚を薄くしつつ、
表面を平坦化できることが確認された。また、液晶ガラ
ス基板の表面に初めから存在していたキズを消失させる
ことができるのいでガラスの再利用が可能となる。さら
に、本発明の化学加工方法においては、ガラス基板の大
きさに関係なく生産性高くガラス基板の加工を実施する
ことができる。なお、本実施例で使用した化学加工装置
1は前記実施の形態において説明したものに限定される
ものではなく、本発明の目的を損なわない限り種々の設
計変更が可能である。
By carrying out the chemical processing method of the present invention as described above, the thickness of the liquid crystal glass substrate can be reduced,
It was confirmed that the surface could be flattened. In addition, since scratches originally present on the surface of the liquid crystal glass substrate can be eliminated, the glass can be reused. Furthermore, in the chemical processing method of the present invention, it is possible to process a glass substrate with high productivity regardless of the size of the glass substrate. The chemical processing apparatus 1 used in this example is not limited to the one described in the above embodiment, and various design changes can be made without impairing the object of the present invention.

【0046】[0046]

【発明の効果】上記に詳述したように、本発明にかかる
化学加工方法によれば、ガラス基板を化学加工すること
により、板厚を薄くしつつ平坦性の高い各種FPD用ガ
ラス基板を製造することができる。
As described above in detail, according to the chemical processing method of the present invention, various glass substrates for FPD having a high flatness can be manufactured by chemically processing the glass substrate. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】化学加工装置の一例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an example of a chemical processing apparatus.

【図2】気泡発生装置の第一実施例を示す斜視図であ
る。
FIG. 2 is a perspective view showing a first embodiment of a bubble generating device.

【図3】気泡発生装置の第二実施例を示す斜視図であ
る。
FIG. 3 is a perspective view showing a second embodiment of the bubble generating device.

【図4】化学加工液貯溜槽及びガラス基板収納治具用保
持具の一例を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing an example of a chemical processing liquid storage tank and a holder for a glass substrate storage jig.

【図5】化学加工液吐出装置の一例を示す斜視図であ
る。
FIG. 5 is a perspective view showing an example of a chemical processing liquid discharge device.

【図6】化学加工液の添加比率と加工速度の関係を示す
グラフである。
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the addition ratio of the chemical processing liquid and the processing speed.

【図7】加工速度と温度の関係を示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing the relationship between processing speed and temperature.

【図8】No.2のガラス基板の板厚の測定位置を示す平
面図である。
FIG. 8 is a plan view showing measurement positions of the plate thickness of the No. 2 glass substrate.

【図9】化学加工の前後で表面キズの有無を調べた結果
を示す平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing the results of examining the presence or absence of surface scratches before and after chemical processing.

【図10】表面粗度計によりNo.2のガラス基板の表面
状態を調べた結果を示す平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing the results of examining the surface condition of No. 2 glass substrate with a surface roughness meter.

【図11】化学加工の前後でキズの有無を調べた結果を
示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing the results of checking the presence of scratches before and after chemical processing.

【図12】No.2のガラス基板を2枚貼り合わせたもの
の外側表面の板厚の測定位置を示した平面図である。
FIG. 12 is a plan view showing the measurement positions of the plate thickness of the outer surface of two No. 2 glass substrates that are bonded together.

【図13】No.2のガラス基板を2枚貼り合わせたもの
の外側裏面の板厚の測定位置を示した平面図である。
FIG. 13 is a plan view showing the measurement positions of the plate thickness of the outer back surface of two No. 2 glass substrates bonded together.

【図14】従来の化学加工方法により研磨した後の表面
を測定した結果を示すグラフである。
FIG. 14 is a graph showing the results of measuring the surface after polishing by a conventional chemical processing method.

【図15】ピットの直径と加工量との関係を示したグラ
フである。
FIG. 15 is a graph showing the relationship between the pit diameter and the processing amount.

【図16】単位面積当りのピット数と加工量との関係を
示したグラフである。
FIG. 16 is a graph showing the relationship between the number of pits per unit area and the processing amount.

【図17】加工後の表面のウネリの状態を示したグラフ
である。
FIG. 17 is a graph showing the state of swelling on the surface after processing.

【図18】加工前に意図的にキズを付けた表面の断面を
示すグラフである。
FIG. 18 is a graph showing a cross section of a surface that is intentionally scratched before processing.

【図19】加工後の表面の断面を示すグラフである。FIG. 19 is a graph showing a cross section of the surface after processing.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 化学加工装置 11 化学加工液貯溜槽 12 気泡発生装置 12a 気泡吐出部 13 溢出液受け槽 14 フィルター 15 ポンプ 16 化学加工液吐出装置 17 ガラス基板収納治具用保持具 18 ガラス基板収納治具 1 Chemical processing equipment 11 Chemical processing liquid storage tank 12 Bubble generator 12a Bubble discharge part 13 Overflow liquid receiving tank 14 filters 15 pumps 16 Chemical processing liquid discharge device 17 Glass substrate storage jig holder 18 Glass substrate storage jig

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小谷 誠 大阪府豊中市利倉1丁目1番1号 西山 ステンレスケミカル株式会社内 (72)発明者 溝口 幸一 大阪府豊中市利倉1丁目1番1号 西山 ステンレスケミカル株式会社内 (56)参考文献 特開 平9−295833(JP,A) 特開 平11−322367(JP,A) 特開2000−281383(JP,A) 特開 昭52−139121(JP,A) 特開 昭52−144020(JP,A) 特開 平10−242105(JP,A) 特開 平10−289893(JP,A) 特開2002−87844(JP,A) 特開2001−100165(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 15/00 - 23/00 C23F 1/00 - 4/04 H01L 21/00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Makoto Otani 1-11-1 Rikura, Toyonaka-shi, Osaka Nishiyama Stainless Chemical Co., Ltd. (72) Inventor Koichi Mizoguchi 1-1-1 Rikura, Toyonaka-shi, Osaka Nishiyama (56) References JP-A-9-295833 (JP, A) JP-A-11-322367 (JP, A) JP-A-2000-281383 (JP, A) JP-A-52-139121 (JP , A) JP 52-144020 (JP, A) JP 10-242105 (JP, A) JP 10-289893 (JP, A) JP 2002-87844 (JP, A) JP 2001- 100165 (JP, A) (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) C23C 15/00-23/00 C23F 1/00-4/04 H01L 21/00

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 化学加工液中にガラス基板を、ガラス基
板収納治具用保持具を使用して化学加工液槽に浸漬し、
このガラス基板の外表面を構成する片側の一部若しくは
全部または両側の一部若しくは全部を薄くする化学研摩
方法であって、微細気泡を発生させる気泡吐出部と、その下側に配置さ
れた化学加工液の吐出部とを備え、化学加工液を前記化
学加工液槽から溢出させると共に、前記ガラス基板収納
治具用保持具の外側部分に、前記化学加工液槽の底部に
向けた前記化学加工液槽内の下降液流を生じさせる構成
において、 ガラス基板収納治具用保持具の外側部分に相当する下降
液流の通過断面積が、前記ガラス基板収納治具用保持具
の内側部分に相当する上昇液流の通過断面積の1〜3倍
であることを特徴とする化学研摩方法。
1. A glass substrate and a glass substrate in a chemical processing liquid.
Using the holder for the plate storage jig, immerse it in the chemical processing liquid tank ,
A chemical polishing method for thinning a part or all of one side or a part or all of both sides forming the outer surface of the glass substrate, which comprises a bubble discharge part for generating fine bubbles and a lower part thereof. Arranged
The chemical processing liquid is discharged from the
The glass substrate is stored while overflowing from the processing fluid tank.
On the outside of the jig holder, on the bottom of the chemical processing liquid tank
For producing a descending liquid flow in the chemical processing liquid tank
In, the cross-sectional area of passage of the descending liquid flow corresponding to the outer portion of the holder for glass substrate storage jig is 1 to the cross-sectional area of the passage of upward liquid flow corresponding to the inner portion of the holder for glass substrate storage jig. A chemical polishing method characterized by being three times as large.
【請求項2】 前記化学研磨の加工速度が0.5〜10
μm/分である請求項1に記載の化学研磨方法。
2. The processing rate of the chemical polishing is 0.5 to 10
The chemical polishing method according to claim 1, wherein the chemical polishing method is μm / min.
【請求項3】 化学加工液が、フッ酸、並びに塩酸、硫
酸、リン酸、硝酸から選ばれる1種以上の無機酸を含有
することを特徴とする請求項1又は2に記載のガラス基
板の化学研磨方法。
3. The glass substrate according to claim 1, wherein the chemical processing liquid contains hydrofluoric acid and at least one inorganic acid selected from hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and nitric acid. Chemical polishing method.
【請求項4】 化学加工液が、フッ酸、並びに塩酸、硫
酸、リン酸、硝酸から選ばれる1種以上の無機酸及び陰
イオン系界面活性剤を含有することを特徴とする請求項
1又は2に記載のガラス基板の化学研磨方法。
4. The chemical processing liquid contains hydrofluoric acid, at least one inorganic acid selected from hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, and nitric acid, and an anionic surfactant. 2. The chemical polishing method for a glass substrate according to 2.
【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の化学
方法により化学研磨を行ったガラス基板。
5. The chemical laboratory according to any one of claims 1 to 4.
A glass substrate that has been chemically polished by a polishing method.
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