JP3500271B2 - Multi-beam image forming device - Google Patents

Multi-beam image forming device

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JP3500271B2
JP3500271B2 JP06126097A JP6126097A JP3500271B2 JP 3500271 B2 JP3500271 B2 JP 3500271B2 JP 06126097 A JP06126097 A JP 06126097A JP 6126097 A JP6126097 A JP 6126097A JP 3500271 B2 JP3500271 B2 JP 3500271B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複数のビームを用
いて画像を略同時に書き込むマルチビーム画像形成装置
に関し、特に複数のラインメモリの各々にライン毎に順
次書き込まれた複数ライン分の画像データを略同時に読
み出す際の制御に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-beam image forming apparatus for writing images substantially simultaneously by using a plurality of beams, and more particularly, image data for a plurality of lines sequentially written in each of a plurality of line memories. The present invention relates to control when reading out data at substantially the same time.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、複写機やプリンタにおいて高速
化しようとすると、ビデオクロックの周波数が高速にな
り、入手可能なICやLD(レーザダイオード)ドライ
バがないので、例えば特開平4−20066号公報に示
すように複数の書き込みビームの各々に異なる画像を割
り当てて光変調を行う方法が提案されている。この方法
によれば、n個のLDを用いて同時にnラインを書き込
む場合にはビデオクロックの周波数を1/nにすること
ができる。
2. Description of the Related Art Generally, when an attempt is made to increase the speed of a copying machine or printer, the frequency of the video clock becomes high and there is no available IC or LD (laser diode) driver. A method has been proposed in which different images are assigned to a plurality of writing beams to perform optical modulation as shown in FIG. According to this method, when writing n lines simultaneously using n LDs, the frequency of the video clock can be reduced to 1 / n.

【0003】例えば2つのLDを用いた場合、2つのラ
インメモリをトグルして2ライン分の画像データをライ
トクロックでライン毎に順次書き込み、この2ラインメ
モリに書き込まれた各ラインの画像データを、ライトク
ロックの1/2の周波数のリードクロックで略同時に読
み出して2つのLDの各々に印加することができる。
For example, when two LDs are used, two line memories are toggled to sequentially write image data of two lines line by line with a write clock, and the image data of each line written in this two line memory is written. , And can be applied to each of the two LDs by reading at substantially the same time with a read clock having a frequency half that of the write clock.

【0004】この種の従来例としは、例えば特開昭57
−8887号公報に示すように複数のビームを検知した
個々の同期検知信号により位相合わせを行った読み出し
クロックで読み出す方法が提案されている。この方法に
よれば、例えば2個の発光素子は、主走査方向にずれて
配置されていても、各画像データに応じて変調されたビ
ームの出射を各配置位置に応じて開始する。
A conventional example of this type is, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 57-57.
As disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 8887, there is proposed a method of reading with a read clock that is phase-matched by individual synchronization detection signals that detect a plurality of beams. According to this method, for example, even if the two light emitting elements are arranged with being shifted in the main scanning direction, emission of the beam modulated according to each image data is started according to each arrangement position.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、複数のビー
ムを検知した個々の同期検知信号により位相合わせを行
って読み出しクロックを生成するための位相同期回路
は、通常1/mドット単位で位相合わせを行う。したが
って、従来の方法によれば、2ビーム方式の場合、位相
合わせ回路により第1ビーム用の読み出しクロックの位
相が1/mドット進むと共に第2ビーム用の読み出しク
ロックの位相が1/mドット遅れると、位相合わせによ
るずれ量が加算されて2/mドット分の位相差が発生
し、これにより縦線の画像が曲がる等の異常画像が発生
するという問題点がある。
By the way, a phase synchronization circuit for generating a read clock by performing phase adjustment according to individual synchronization detection signals that detect a plurality of beams is normally used for phase adjustment in units of 1 / m dot. To do. Therefore, according to the conventional method, in the case of the two-beam method, the phase of the read clock for the first beam is advanced by 1 / m dot and the phase of the read clock for the second beam is delayed by 1 / m dot by the phase matching circuit. Then, the shift amount due to the phase adjustment is added to generate a phase difference of 2 / m dots, which causes an abnormal image such as a vertical line image being bent.

【0006】また、2つのLDを用いた場合、その主走
査方向の間隔に依っては、第2ビームのラインメモリの
リードクロックとリードリセット信号のセットアップタ
イムやホールドタイムにマージンが無くなると異常画像
が発生する。更に、ラインメモリのライトリセットとリ
ードリセットをカウンタとレジスタを用いて行うと、回
路構成が複雑になる。
Further, when two LDs are used, depending on the interval in the main scanning direction, if there is no margin in the setup time and hold time of the read clock and the read reset signal of the line memory of the second beam, an abnormal image is generated. Occurs. Furthermore, if the write reset and read reset of the line memory are performed using a counter and a register, the circuit configuration becomes complicated.

【0007】本発明は上記従来の問題点に鑑み、複数の
発光素子が主走査方向にずれて配置され、各画像データ
に応じて変調されたビームの出射を各配置位置に応じて
開始する構成において、各ラインメモリの読み出しクロ
ックの位相差のずれ量を低減して高品質の画像を実現す
ることができるマルチビーム画像形成装置を提供するこ
とを目的とする。
In view of the above-mentioned conventional problems, the present invention has a structure in which a plurality of light emitting elements are arranged shifted in the main scanning direction, and the emission of a beam modulated according to each image data is started according to each arrangement position. It is an object of the present invention to provide a multi-beam image forming apparatus capable of realizing a high-quality image by reducing the shift amount of the phase difference of the read clock of each line memory.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】第1の手段は上記目的を
達成するために、主走査方向にずれて配置され、各画像
データに応じて変調されたビームの出射を各配置位置に
応じて開始するn個の発光素子と、前記n個の発光素子
に対する画像データをそれぞれ記憶するn個のラインメ
モリと、前記n個の発光素子が出射する各ビームを受光
して同期検知信号を出力する1つの同期検知素子と、前
記n個の発光素子の第1の発光素子が出射して前記同期
検知素子により検知された第1ビームの同期検知信号に
基づいてクロックの位相同期を行う第1の位相同期回路
と、前記第1ビームの同期検知信号を前記発光素子によ
る主走査方向の走査時間間隔の分だけ遅延する第1の遅
延回路と、前記第1の遅延回路により遅延された第1ビ
ームの同期検知信号に基づいて第1の位相同期回路によ
り位相同期されたクロックの位相同期を行うn−1個の
位相同期回路と、前記n−1個の位相同期回路により位
相同期された各クロックを遅延して他のビーム用のクロ
ックを生成するn−1個の第2の遅延回路と、前記第1
の位相同期回路と前記第2の遅延回路により生成された
各クロックを1/nに分周してそれぞれ前記n個のライ
ンメモリのリードクロックを生成するn個の分周回路と
を備えたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the first means is arranged so as to be displaced in the main scanning direction, and the emission of a beam modulated in accordance with each image data is emitted in accordance with each arrangement position. Starting n light emitting elements, n line memories for respectively storing image data for the n light emitting elements, and each beam emitted by the n light emitting elements is received and a synchronization detection signal is output. A first synchronization detecting element and a first light emitting element of the n light emitting elements emit the first light emitting element to perform phase synchronization of clocks based on a synchronization detection signal of a first beam detected by the first synchronization detecting element. A phase synchronization circuit, a first delay circuit for delaying the synchronization detection signal of the first beam by a scanning time interval in the main scanning direction by the light emitting element, and a first beam delayed by the first delay circuit. Sync detection signal N-1 phase-locked circuits that perform phase-locking of the clocks that are phase-locked by the first phase-locked loop circuit, and delay each clock that is phase-locked by the n-1 phase-locked circuits. N-1 second delay circuits for generating clocks for other beams, and the first
And a frequency dividing circuit for dividing the clocks generated by the second delay circuit into 1 / n to generate read clocks for the n line memories. Is characterized by.

【0009】第2の手段は、第1の手段において前記第
1ビームの同期検知信号に基づいて他の発光素子用のn
−1個のダミー同期検知信号を生成すると共に、前記n
個のラインメモリのライトリセットを前記第1ビームの
同期検知信号により行い、前記n個のラインメモリのラ
イトを前記第1ビームの同期検知信号とn−1個のダミ
ー同期検知信号に基づいてトグル動作させることを特徴
とする。
A second means is an n for another light emitting element based on the synchronization detection signal of the first beam in the first means.
Generate one dummy sync detection signal, and
Write reset of the line memories is performed by the synchronization detection signal of the first beam, and writing of the n line memories is toggled based on the synchronization detection signal of the first beam and the n-1 dummy synchronization detection signals. It is characterized by operating.

【0010】第3の手段は、第1、第2の手段において
前記位相同期回路が、前記n個のラインメモリのライト
クロックの位相同期を行うことを特徴とする。
A third means is characterized in that, in the first and second means, the phase synchronization circuit performs phase synchronization of write clocks of the n line memories.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は本発明に係るマルチビーム
画像形成装置の一実施形態を示す構成図、図2は図1の
2つのレーザダイオードの配置位置を示す説明図、図3
は図1のマルチビーム画像形成装置における2つのレー
ザビームの副走査方向の走査位置を示す説明図、図4は
図1のマルチビーム画像形成装置における2つのレーザ
ビームの主走査方向の走査位置を示す説明図、図5は図
1のマルチビーム画像形成装置の同期検知回路を示す回
路図、図6は図5の同期検知回路により検知される同期
検知信号を示す説明図、図7は図1のマルチビーム画像
形成装置の概略構成を示すブロック図、図8は図7のA
SICの構成を詳細に示すブロック図、図9は図8のダ
ミー同期検知信号発生回路を詳細に示すブロック図、図
10は図8のASICの主要信号を示すタイミングチャ
ートである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a multi-beam image forming apparatus according to the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram showing arrangement positions of two laser diodes in FIG. 1, and FIG.
4 is an explanatory view showing scanning positions of two laser beams in the sub-scanning direction in the multi-beam image forming apparatus of FIG. 1, and FIG. 4 shows scanning positions of two laser beams in the main-scanning direction in the multi-beam image forming apparatus of FIG. 5 is a circuit diagram showing a synchronization detection circuit of the multi-beam image forming apparatus of FIG. 1, FIG. 6 is an explanatory diagram showing a synchronization detection signal detected by the synchronization detection circuit of FIG. 5, and FIG. FIG. 8 is a block diagram showing a schematic configuration of a multi-beam image forming apparatus of FIG.
FIG. 9 is a block diagram showing the configuration of the SIC in detail, FIG. 9 is a block diagram showing the dummy synchronization detection signal generating circuit of FIG. 8 in detail, and FIG. 10 is a timing chart showing the main signals of the ASIC of FIG.

【0012】図11は図8のLCLR発生回路を詳細に
示すブロック図、図12は図11のLCLR信号を示す
タイミングチャート、図13は図8のASIC内のリー
ドイネーブル信号遅延回路を詳細に示すブロック図、図
14は図8のASIC内の要部回路を詳細に示すブロッ
ク図、図15は図14の位相同期回路の一例を詳細に示
すブロック図、図16は図15の位相同期回路の主要信
号を示すタイミングチャートである。
FIG. 11 is a block diagram showing the LCLR generation circuit of FIG. 8 in detail, FIG. 12 is a timing chart showing the LCLR signal of FIG. 11, and FIG. 13 is a detail of the read enable signal delay circuit in the ASIC of FIG. FIG. 14 is a block diagram showing in detail a main circuit in the ASIC of FIG. 8, FIG. 15 is a block diagram showing in detail an example of the phase locked loop circuit of FIG. 14, and FIG. 16 is a block diagram of the phase locked loop circuit of FIG. It is a timing chart which shows a main signal.

【0013】図1〜図4において、LD制御板1上には
LDユニット2が実装され、LDユニット2には一例と
して2個のLD1、LD2が実装されている。なお、L
Dの数が3個以上であっても基本的な考え方は同一であ
る。LD1、LD2から出射された各レーザビームは、
共通のコリメートレンズ3により平行化され、次いでビ
ームコンプレッサ4によりビームの副走査方向のみがポ
リゴンスキャナ5の反射面上に集光される。ポリゴンス
キャナ5は矢印で示す主走査方向に回転し、これにより
レーザビームが主走査方向に等角速度で偏向される。こ
のビームはfθレンズ6により等速度偏向に補正された
後、感光体7上に照射されると共に同期検知素子8によ
り検出される。感光体7は副走査方向に回転している。
1 to 4, an LD unit 2 is mounted on an LD control plate 1, and two LD1 and LD2 are mounted on the LD unit 2 as an example. Note that L
Even if the number of D is 3 or more, the basic idea is the same. The laser beams emitted from LD1 and LD2 are
The beams are collimated by the common collimator lens 3, and then the beam compressor 4 focuses only the sub-scanning direction of the beam on the reflecting surface of the polygon scanner 5. The polygon scanner 5 rotates in the main scanning direction indicated by the arrow, whereby the laser beam is deflected in the main scanning direction at a constant angular velocity. This beam is corrected by the fθ lens 6 so as to be deflected at a constant velocity, and then is irradiated onto the photoconductor 7 and detected by the synchronization detection element 8. The photoconductor 7 rotates in the sub scanning direction.

【0014】LDユニット2上の2個のLD1、LD2
は、図2に示すように主走査方向については距離aだけ
離れ、副走査方向については距離bだけ離れて配置され
ている。そして、LD1、LD2から出射されて図3に
示すようにポリゴンスキャナ5により反射される2つの
ビームは、ビームコンプレッサ4がビームの副走査方向
のみを集光するので副走査方向に距離Cだけ離れ、ま
た、距離Cは距離bより非常に小さい値となる。
Two LD1 and LD2 on the LD unit 2
2 are arranged at a distance a in the main scanning direction and at a distance b in the sub scanning direction. The two beams emitted from the LD1 and LD2 and reflected by the polygon scanner 5 as shown in FIG. 3 are separated by a distance C in the sub-scanning direction because the beam compressor 4 condenses only in the sub-scanning direction. Further, the distance C becomes a value much smaller than the distance b.

【0015】更に、LD1、LD2から出射された2つ
のビームは図4に示すように、LD1、LD2の主走査
方向の距離aの分だけずれて同期検知素子8により受光
される。同期検知素子8は図5に示すように一例として
フォトダイオード(PD)9を有し、PD9がビームを
受光すると電流Iが流れ、V1(=I・R)が基準電圧
Vref を越えるとコンパレータ10が正のパルスの同期
検知信号DETPを出力する。この場合、図6に示すよ
うに1周期においてLD1の第1ビームを検出した時の
同期検知信号DETP1と、LD2の第2ビームを検出
した時の同期検知信号DETP2が生成され、また、同
期検知信号DETP1より同期検知信号DETP2が遅
れる。
Further, as shown in FIG. 4, the two beams emitted from the LD1 and LD2 are received by the synchronization detection element 8 after being shifted by the distance a in the main scanning direction between the LD1 and LD2. As shown in FIG. 5, the synchronization detecting element 8 has a photodiode (PD) 9 as an example. When the PD 9 receives a beam, a current I flows, and when V1 (= IR) exceeds a reference voltage Vref, a comparator 10 is provided. Outputs a positive pulse sync detection signal DETP. In this case, as shown in FIG. 6, a synchronization detection signal DETP1 when the first beam of LD1 is detected and a synchronization detection signal DETP2 when the second beam of LD2 is detected are generated in one cycle, and the synchronization detection signal DETP2 is generated. The synchronization detection signal DETP2 lags behind the signal DETP1.

【0016】図7に示すAS(特定用途向け)IC14
は本発明のマルチビーム画像形成装置を構成している。
図7においては書き込み速度は読み取り速度の1/2で
あり、CCD11は原稿画像を読み取ってその画像信号
をIPU(画像処理ゲートアレイ)12に出力する。I
PU12はCCD11からの画像信号に基づいて画像デ
ータSDATAとクロック信号SCLKをGAVD(ビ
デオ処理ゲートアレー)13に出力する。
AS (application specific) IC 14 shown in FIG.
Constitutes the multi-beam image forming apparatus of the present invention.
In FIG. 7, the writing speed is half the reading speed, and the CCD 11 reads the original image and outputs the image signal to the IPU (image processing gate array) 12. I
The PU 12 outputs the image data SDATA and the clock signal SCLK to the GAVD (video processing gate array) 13 based on the image signal from the CCD 11.

【0017】GAVD13はIPU12からの上記信号
SDATA、SCLKと、後述するような第1ビームの
同期検知信号DETP1と画像クロックVCLKに基づ
いて、また、FIFOメモリ16、17を用いて画像デ
ータVDATA及びクロック信号VCLKをASIC1
4に出力する。ここで、FIFOメモリ16、17は、
読み取り時と書き込み時では画素周波数が異なるのでそ
のタイミング調整を行う。また、本実施形態では、第1
ビームの本物の同期検知信号(以下、本物同期検知信
号)DETP1と、本物同期検知信号DETP1に基づ
いて生成されたダミーの同期検知信号(以下、ダミー同
期検知信号)DETP1’と、第2ビームの同期検知信
号DETP2が用いられている。
The GAVD 13 is based on the signals SDATA and SCLK from the IPU 12, the first beam synchronization detection signal DETP1 and the image clock VCLK, which will be described later, and uses the FIFO memories 16 and 17 to output the image data VDATA and the clock. Signal VCLK to ASIC1
Output to 4. Here, the FIFO memories 16 and 17 are
Since the pixel frequency is different between reading and writing, the timing is adjusted. In the present embodiment, the first
The real sync detection signal of the beam (hereinafter, real sync detection signal) DETP1, the dummy sync detection signal (hereinafter, dummy sync detection signal) DETP1 'generated based on the real sync detection signal DETP1, and the second beam The synchronization detection signal DETP2 is used.

【0018】ASIC14はGAVD13からの上記信
号VDATA、VCLKと、本物同期検知信号DETP
1と第2ビーム同期検知信号DETP2に基づいて、ま
た、FIFOメモリ18、19を用いてクロック信号V
CLKの1/2の速度のLD1用の画像データVDAT
A1及びそのクロック信号VCLK1を生成して第1L
D制御部15aに出力すると共に、同じくクロック信号
VCLKの1/2の速度のLD2用の画像データVDA
TA2及びそのクロック信号VCLK2を生成して第2
LD制御部15bに出力する。FIFOメモリ18、1
9は後述するようにGAVD13からの1ビームデータ
VDATAを2ビームデータVDATA1、VDATA
2に変換するために用いられる。
The ASIC 14 receives the signals VDATA and VCLK from the GAVD 13 and the real sync detection signal DETP.
Based on the first and second beam synchronization detection signals DETP2 and using the FIFO memories 18 and 19, the clock signal V
Image data VDAT for LD1 at 1/2 speed of CLK
A1 and its clock signal VCLK1 are generated to generate the first L
The image data VDA for the LD2, which is output to the D control unit 15a and also has a speed half that of the clock signal VCLK.
Second by generating TA2 and its clock signal VCLK2
It is output to the LD control unit 15b. FIFO memory 18, 1
Reference numeral 9 designates one beam data VDATA from the GAVD 13 as two beam data VDATA1 and VDATA as described later.
Used to convert to 2.

【0019】ASIC14は図8に詳しく示すように、
FIFOメモリ18、19のライト、リード処理部/1
ビーム→2ビーム変換部21と、ダミー同期信号発生部
/LCLR発生部22と、位相同期回路23とクロック
分周部24を有する。ダミー同期信号発生部(22)で
は図9に示すように、カウンタ31により画素クロック
VCLKをカウントし、次いでコンパレータ32により
カウンタ31のカウント値と、本物同期検知信号DET
P1の1周期の1/2に対応する設定値を比較する。そ
して、ワンショット発生回路33によりコンパレータ3
2の比較結果が一致した時に所定パルス幅のダミー同期
検知信号DEPT1’を発生し、次いで図10に示すよ
うにORゲート34によりダミー同期検知信号DEPT
1’と本物同期検知信号DETP1の論理和信号DET
P1Aを出力する。
The ASIC 14, as shown in detail in FIG.
Write / read processing unit of the FIFO memories 18 and 19/1
It has a beam → two-beam converter 21, a dummy sync signal generator / LCLR generator 22, a phase lock circuit 23, and a clock divider 24. In the dummy sync signal generator (22), as shown in FIG. 9, the counter 31 counts the pixel clock VCLK, and then the comparator 32 counts the counter 31 and the real sync detection signal DET.
The set value corresponding to 1/2 of one cycle of P1 is compared. Then, the one-shot generation circuit 33 causes the comparator 3
When the comparison results of 2 match, a dummy synchronization detection signal DEPT1 'having a predetermined pulse width is generated, and then the OR gate 34 causes the dummy synchronization detection signal DEPT1' to be generated, as shown in FIG.
1'and the logical sum signal DET of the genuine synchronization detection signal DETP1
Output P1A.

【0020】また、LCLR発生部(22)は図11に
示すようにDフリップフロップ35、36、37、イン
バータ38及びANDゲート39を有し、図10、図1
2に示すように信号DETP1Aがハイとなる期間中に
2画素クロック期間だけハイとなる信号LCLRを発生
する。
The LCLR generator (22) has D flip-flops 35, 36, 37, an inverter 38 and an AND gate 39 as shown in FIG.
As shown in FIG. 2, a signal LCLR that goes high for two pixel clock periods is generated while the signal DETP1A goes high.

【0021】図13はASIC14におけるリードイネ
ーブル信号REの発生回路を示している。カウンタ10
1、102はそれぞれ本物同期検知信号DETP1と第
2ビーム同期検知信号DETP2によりクリアされて画
素クロックVCLK1、VCLK2をカウントする。コ
ンパレータ103、104はそれぞれカウンタ101、
102の各カウント値と、LD1、LD2の主走査方向
の距離aの分に対応した各設定値を比較し、一致した時
に図10に示すように時間dだけずれたFIFOメモリ
18、19のリードイネーブル信号RE1、RE2を出
力する。
FIG. 13 shows a circuit for generating the read enable signal RE in the ASIC 14. Counter 10
Reference numerals 1 and 102 are cleared by the real sync detection signal DETP1 and the second beam sync detection signal DETP2, respectively, and count the pixel clocks VCLK1 and VCLK2. Comparators 103 and 104 are counters 101 and
Each count value of 102 is compared with each set value corresponding to the distance a of the LD1 and LD2 in the main scanning direction, and when they match, the reading of the FIFO memories 18 and 19 deviated by the time d as shown in FIG. It outputs enable signals RE1 and RE2.

【0022】図14はFIFOメモリ18、19のライ
ト、リード処理部/1ビーム→2ビーム変換部21と、
位相同期回路23とクロック分周部24を示している。
位相同期回路23は2系統の位相同期回路23a、23
bを有し、クロック分周部24も同様に2系統の分周回
路24a、24bを有する。
FIG. 14 shows a write / read processing unit / one-beam → two-beam conversion unit 21 of the FIFO memories 18 and 19.
The phase synchronization circuit 23 and the clock frequency divider 24 are shown.
The phase synchronization circuit 23 includes two systems of phase synchronization circuits 23a and 23a.
b, and the clock frequency division section 24 also has frequency division circuits 24a and 24b of two systems.

【0023】位相同期回路23aは画素クロック(=ラ
インメモリのライトクロック)VCLKを同期検知信号
DETP1により位相同期をとった画素クロックVCL
KAを分周回路24aと位相同期回路23bに出力す
る。また、同期検知信号DETP1はLD1、LD2に
よる主走査方向の走査時間間隔の分だけ遅延回路110
により遅延され、位相同期回路23bは位相同期回路2
3aからの画素クロックVCLKAを、この遅延回路3
0により遅延された同期検知信号DETP1aにより位
相同期をとった画素クロックVCLKBを遅延回路11
1に出力する。
The phase synchronization circuit 23a is a pixel clock VCL in which the pixel clock (= line memory write clock) VCLK is phase-synchronized by the synchronization detection signal DETP1.
The KA is output to the frequency dividing circuit 24a and the phase synchronizing circuit 23b. The synchronization detection signal DETP1 is delayed by the delay circuit 110 by the scanning time interval in the main scanning direction by the LD1 and LD2.
Is delayed by the phase synchronization circuit 23b.
The pixel clock VCLKA from 3a is supplied to the delay circuit 3
The delay circuit 11 delays the pixel clock VCLKB phase-synchronized by the synchronization detection signal DETP1a delayed by 0.
Output to 1.

【0024】遅延回路111はこの画素クロックVCL
KBを遅延した画素クロックVCLKB1を分周回路2
4bに出力し、分周回路24a、24bはそれぞれ画素
クロックVCLKA、VCLKB1を1/2に分周して
クロックVCLK1、VCLK2を生成し、これをFI
FOメモリ18、19のリードクロックRCLKとして
印加する。
The delay circuit 111 uses the pixel clock VCL
The pixel clock VCLKB1 obtained by delaying KB is divided by the frequency dividing circuit 2
4b, and the frequency dividing circuits 24a and 24b divide the pixel clocks VCLKA and VCLKB1 into halves to generate clocks VCLK1 and VCLK2, respectively.
It is applied as the read clock RCLK of the FO memories 18 and 19.

【0025】ここで、位相同期回路23a、23bは例
えば図15、図16に示すように、入力クロックVCL
Kを1/8周期ずつずらして8種類のクロック信号を生
成し、同期検知信号DETP1、2に最も位相が近いク
ロック信号を選択することにより、画素クロックVCL
KA、VCLKBを出力することができる。この例では
位相同期精度は1/8ドットとなる。
Here, the phase synchronization circuits 23a and 23b are connected to the input clock VCL as shown in FIGS. 15 and 16, for example.
The pixel clock VCL is generated by shifting K by 1/8 cycle to generate eight types of clock signals and selecting the clock signal having the closest phase to the synchronization detection signals DETP1 and DETP2.
It is possible to output KA and VCLKB. In this example, the phase synchronization accuracy is 1/8 dot.

【0026】また、図14、図10に示すように、FI
FOメモリ18、19は共に、本物同期検知信号DET
P1によりライトリセット(ラインアドレスリセット)
される(図示WRES)。また、他の入力信号として
は、画素クロックVCLKとGAVD13からの画像デ
ータVDATAがライトデータWDATAとして、更に
FF25のQ信号がライトイネーブル信号WEとして印
加される。
As shown in FIGS. 14 and 10, FI
The FO memories 18 and 19 are both genuine synchronization detection signals DET.
Write reset (line address reset) by P1
(WRES shown). As other input signals, the pixel clock VCLK and the image data VDATA from the GAVD 13 are applied as the write data WDATA, and the Q signal of the FF 25 is applied as the write enable signal WE.

【0027】FF25とインバータ26はFIFOメモ
リ18、19のライトイネーブル信号WEをトグルする
ためのものであり、また、副走査画像領域有効信号FG
ATEによりリセットされる。FF25は画像有効領域
が始まった後の最初の本物の同期検知信号DETP1に
よりリセットされ、この時、FIFOメモリ18のライ
トイネーブル信号WEがハイになる。また、FF25は
信号LCLRにより出力Q、/Qがトグルし、FIFO
メモリ18、19のライトイネーブル信号WEは信号L
CLRにより交互にハイとなる。
The FF 25 and the inverter 26 are used to toggle the write enable signal WE of the FIFO memories 18 and 19, and the sub-scanning image area effective signal FG.
Reset by ATE. The FF 25 is reset by the first real sync detection signal DETP1 after the start of the image effective area, and at this time, the write enable signal WE of the FIFO memory 18 becomes high. Further, the FF 25 toggles the outputs Q and / Q by the signal LCLR,
The write enable signal WE of the memories 18 and 19 is the signal L
Alternately high due to CLR.

【0028】図17は従来例を示し、図14と比べて遅
延回路110、111が設けられておらず、また、LD
2用の位相同期回路23bが画素クロックVCLKを第
2ビームの同期検知信号DETP2により位相同期をと
っている。このような構成によれば、LD1の画素クロ
ックVCLKAの位相が位相同期回路23aにより1/
8ドット進むと共に、LD2の画素クロックVCLKB
の位相が位相同期回路23bにより1/8ドット遅れる
と、図18に示すように位相合わせによるずれ量が加算
され、分周回路24a、24bにより分周されて生成さ
れたリードクロックVCLK1、VCLK2の間には1
/4ドット分の位相差が発生する。
FIG. 17 shows a conventional example, in which the delay circuits 110 and 111 are not provided as compared with FIG.
The second phase synchronization circuit 23b synchronizes the pixel clock VCLK with the second beam synchronization detection signal DETP2. With such a configuration, the phase of the pixel clock VCLKA of the LD1 is 1/0 by the phase synchronization circuit 23a.
LD2 pixel clock VCLKB along with 8 dots
When the phase is delayed by ⅛ dot by the phase synchronizing circuit 23b, the shift amount due to the phase adjustment is added as shown in FIG. 18, and the read clocks VCLK1 and VCLK2 generated by being divided by the frequency dividing circuits 24a and 24b are added. 1 in between
A phase difference of / 4 dots occurs.

【0029】これに対し、図14に示す構成では、位相
同期回路23bは位相同期回路23aからの画素クロッ
クVCLKAを、LD1、LD2による主走査方向の走
査時間間隔の分だけ遅延回路110により遅延された同
期検知信号DETP1により位相同期をとった画素クロ
ックVCLKBを出力し、更に遅延回路111がこの画
素クロックVCLKBを遅延した画素クロックVCLK
B1を出力するので、図19に示すように位相合わせに
よるずれ量が加算されず、リードクロックVCLK1、
VCLK2の間には1/8ドット分の位相差となる。
On the other hand, in the configuration shown in FIG. 14, the phase synchronizing circuit 23b delays the pixel clock VCLKA from the phase synchronizing circuit 23a by the delay circuit 110 by the scanning time interval in the main scanning direction by the LD1 and LD2. Pixel clock VCLKB that is phase-synchronized with the synchronization detection signal DETP1 and is further delayed by the delay circuit 111.
Since B1 is output, the shift amount due to the phase adjustment is not added as shown in FIG. 19, and the read clock VCLK1,
There is a phase difference of 1/8 dot between VCLK2.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上説明したように請求項1記載の発明
によれば、第1ビームのラインメモリのリードクロック
については、第1ビームの同期検知信号に基づいて位相
同期を行って分周すると共に、他のビームのラインメモ
リのリードクロックについては、第1ビームの同期検知
信号を発光素子による主走査方向の走査時間間隔の分だ
け遅延して位相同期を行い、このクロックを更に遅延し
て分周するので、各ラインメモリの読み出しクロックの
位相差のずれ量を低減して高品質の画像を実現すること
ができる。また、クロックのディレイ量を調整すること
により、第2ビーム以降のラインメモリのリードクロッ
クとリードリセット信号のセットアップタイムやホール
ドタイムにマージンを大きくすることができるので、異
常画像を防止することができる。
As described above, according to the first aspect of the invention, the read clock of the line memory for the first beam is frequency-synchronized and frequency-divided based on the synchronization detection signal of the first beam. At the same time, for the read clocks of the line memories of the other beams, the synchronization detection signal of the first beam is delayed by the scanning time interval in the main scanning direction by the light emitting elements to perform phase synchronization, and this clock is further delayed. Since the frequency division is performed, it is possible to reduce the deviation amount of the phase difference of the read clock of each line memory and realize a high quality image. Further, by adjusting the clock delay amount, it is possible to increase the margin in the setup time and hold time of the read clock and the read reset signal of the line memory after the second beam, so that it is possible to prevent abnormal images. .

【0031】請求項2記載の発明によれば、第1ビーム
の同期検知信号に基づいて他の発光素子用のn−1個の
ダミー同期検知信号を生成すると共に、n個のラインメ
モリのライトリセットを第1ビームの同期検知信号によ
り行い、n個のラインメモリのライトを第1ビームの同
期検知信号とn−1個のダミー同期検知信号に基づいて
トグル動作させるので、簡単な回路で実現することがで
きる。
According to the second aspect of the present invention, the n-1 dummy sync detection signals for the other light emitting elements are generated based on the sync detection signal of the first beam, and the n line memories are written. The reset is performed by the sync detection signal of the first beam, and the write of the n line memories is toggled based on the sync detection signal of the first beam and the n-1 dummy sync detection signals. can do.

【0032】請求項3記載の発明によれば、n個のライ
ンメモリのライトクロックを位相同期し、分周してリー
ドクロックを生成するので、簡単な回路で実現すること
ができる。
According to the third aspect of the present invention, the write clocks of the n line memories are phase-synchronized and frequency-divided to generate the read clock, which can be realized by a simple circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係るマルチビーム画像形成装置の一実
施形態を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a multi-beam image forming apparatus according to the present invention.

【図2】図1の2つのレーザダイオードの配置位置を示
す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an arrangement position of two laser diodes in FIG.

【図3】図1のマルチビーム画像形成装置における2つ
のレーザビームの副走査方向の走査位置を示す説明図で
ある。
3 is an explanatory diagram showing scanning positions in the sub-scanning direction of two laser beams in the multi-beam image forming apparatus of FIG.

【図4】図1のマルチビーム画像形成装置における2つ
のレーザビームの主走査方向の走査位置を示す説明図で
ある。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing scanning positions in the main scanning direction of two laser beams in the multi-beam image forming apparatus of FIG.

【図5】図1のマルチビーム画像形成装置の同期検知回
路を示す回路図である。
5 is a circuit diagram showing a synchronization detection circuit of the multi-beam image forming apparatus of FIG.

【図6】図5の同期検知回路により検知される同期検知
信号を示す説明図である。
6 is an explanatory diagram showing a synchronization detection signal detected by the synchronization detection circuit of FIG.

【図7】図1のマルチビーム画像形成装置の概略構成を
示すブロック図である。
7 is a block diagram showing a schematic configuration of the multi-beam image forming apparatus of FIG.

【図8】図7のASICの構成を詳細に示すブロック図
である。
FIG. 8 is a block diagram showing in detail the configuration of the ASIC of FIG.

【図9】図8のダミー同期検知信号発生回路を詳細に示
すブロック図である。
9 is a block diagram showing in detail the dummy synchronization detection signal generating circuit of FIG.

【図10】図8のASICの主要信号を示すタイミング
チャートである。
10 is a timing chart showing main signals of the ASIC of FIG.

【図11】図8のLCLR発生回路を詳細に示すブロッ
ク図である。
11 is a block diagram showing the LCLR generation circuit of FIG. 8 in detail.

【図12】図11のLCLR信号を示すタイミングチャ
ートである。
12 is a timing chart showing the LCLR signal of FIG.

【図13】図8のASIC内のリードイネーブル信号発
生回路を詳細に示すブロック図である。
13 is a block diagram showing in detail a read enable signal generating circuit in the ASIC of FIG.

【図14】図8のASIC内の要部回路を詳細に示すブ
ロック図である。
FIG. 14 is a block diagram showing in detail a main circuit in the ASIC of FIG.

【図15】図14の位相同期回路の一例を詳細に示すブ
ロック図である。
15 is a block diagram showing an example of the phase locked loop circuit of FIG. 14 in detail.

【図16】図15の位相同期回路の主要信号を示すタイ
ミングチャートである。
16 is a timing chart showing main signals of the phase locked loop circuit of FIG.

【図17】従来の要部回路を詳細に示すブロック図であ
る。
FIG. 17 is a block diagram showing in detail a conventional main circuit.

【図18】図17の回路により生成されるリードクロッ
クを示すタイミングチャートである。
18 is a timing chart showing a read clock generated by the circuit of FIG.

【図19】図14の回路により生成されるリードクロッ
クを示すタイミングチャートである。
19 is a timing chart showing a read clock generated by the circuit of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

18,19 FIFOメモリ 21 FIFOメモリのライト、リード処理部/1ビー
ム→2ビーム変換部 22 ダミー同期信号発生部/LCLR発生部 23a,23b 位相同期回路 24a,24b 1/2分周回路 25 FF 110,111 遅延回路
18, 19 FIFO memory 21 Write / read processing section of FIFO memory / 1 beam → 2 beam conversion section 22 Dummy synchronization signal generation section / LCLR generation section 23a, 23b Phase synchronization circuit 24a, 24b 1/2 frequency division circuit 25 FF 110 , 111 Delay circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B41J 2/44 G02B 26/10 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) B41J 2/44 G02B 26/10

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 主走査方向にずれて配置され、各画像デ
ータに応じて変調されたビームの出射を各配置位置に応
じて開始するn個の発光素子と、 前記n個の発光素子に対する画像データをそれぞれ記憶
するn個のラインメモリと、 前記n個の発光素子が出射する各ビームを受光して同期
検知信号を出力する1つの同期検知素子と、 前記n個の発光素子の第1の発光素子が出射して前記同
期検知素子により検知された第1ビームの同期検知信号
に基づいてクロックの位相同期を行う第1の位相同期回
路と、 前記第1ビームの同期検知信号を前記発光素子による主
走査方向の走査時間間隔の分だけ遅延する第1の遅延回
路と、 前記第1の遅延回路により遅延された第1ビームの同期
検知信号に基づいて第1の位相同期回路により位相同期
されたクロックの位相同期を行うn−1個の位相同期回
路と、 前記n−1個の位相同期回路により位相同期された各ク
ロックを遅延して他のビーム用のクロックを生成するn
−1個の第2の遅延回路と、 前記第1の位相同期回路と前記第2の遅延回路により生
成された各クロックを1/nに分周してそれぞれ前記n
個のラインメモリのリードクロックを生成するn個の分
周回路と、を備えたマルチビーム画像形成装置。
1. An n-number of light emitting elements, which are arranged in the main scanning direction at different positions to start emission of a beam modulated according to each image data, according to each arrangement position, and images for the n number of light emitting elements. N line memories for respectively storing data, one synchronization detection element for receiving each beam emitted by the n light emitting elements and outputting a synchronization detection signal, and a first of the n light emitting elements A first phase synchronization circuit that performs phase synchronization of a clock based on a synchronization detection signal of a first beam emitted by a light emitting element and detected by the synchronization detection element; and a synchronization detection signal of the first beam for the light emitting element And a first delay circuit that delays by a scanning time interval in the main scanning direction, and a first phase synchronization circuit that performs phase synchronization based on a synchronization detection signal of the first beam delayed by the first delay circuit. Was And the n-1 phase locked loop circuit for locking the phase locked, by delaying each is phase synchronous clock by the (n-1) phase-locked loop for generating a clock for the other beam n
-1 second delay circuit, each of the clocks generated by the first phase locked loop circuit and the second delay circuit is divided into 1 / n, and each of the n
A multi-beam image forming apparatus comprising: n frequency dividing circuits that generate read clocks for a plurality of line memories.
【請求項2】 前記第1ビームの同期検知信号に基づい
て他の発光素子用のn−1個のダミー同期検知信号を生
成すると共に、前記n個のラインメモリのライトリセッ
トを前記第1ビームの同期検知信号により行い、前記n
個のラインメモリのライトを前記第1ビームの同期検知
信号とn−1個のダミー同期検知信号に基づいてトグル
動作させることを特徴とする請求項1記載のマルチビー
ム画像形成装置。
2. An n-1 dummy sync detection signal for another light emitting element is generated based on the sync detection signal of the first beam, and a write reset of the n line memories is performed for the first beam. The sync detection signal of
2. The multi-beam image forming apparatus according to claim 1, wherein the write of the line memory is toggled based on the sync detection signal of the first beam and the n-1 dummy sync detection signals.
【請求項3】 前記位相同期回路は前記n個のラインメ
モリのライトクロックの位相同期を行うことを特徴とす
る請求項1または2記載のマルチビーム画像形成装置。
3. The multi-beam image forming apparatus according to claim 1, wherein the phase synchronization circuit performs phase synchronization of write clocks of the n line memories.
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