JP3499631B2 - 半導体波長変換素子 - Google Patents
半導体波長変換素子Info
- Publication number
- JP3499631B2 JP3499631B2 JP04201495A JP4201495A JP3499631B2 JP 3499631 B2 JP3499631 B2 JP 3499631B2 JP 04201495 A JP04201495 A JP 04201495A JP 4201495 A JP4201495 A JP 4201495A JP 3499631 B2 JP3499631 B2 JP 3499631B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- layer
- band
- wavelength conversion
- optical waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、波長変換に四光波混合
を利用した半導体波長変換素子に関する。
を利用した半導体波長変換素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ、低損失光ファイバ、光フ
ァイバ増幅器、高速集積回路などのオプトエレクトロニ
クス関連技術の発展により、毎秒１０ギガビットという
大量の情報を長距離伝送することが可能となった。
ァイバ増幅器、高速集積回路などのオプトエレクトロニ
クス関連技術の発展により、毎秒１０ギガビットという
大量の情報を長距離伝送することが可能となった。
【０００３】しかし、来るべきマルチメディア時代にお
いては、一般の末端利用者も高精細映像情報など大量の
情報をリアルタイムで利用することになるので、さらに
大容量の情報を伝送・処理できるインフラストラクチャ
ーの構築が必要になる。
いては、一般の末端利用者も高精細映像情報など大量の
情報をリアルタイムで利用することになるので、さらに
大容量の情報を伝送・処理できるインフラストラクチャ
ーの構築が必要になる。
【０００４】光ファイバの広帯域特性を生かして大容量
の情報の伝送・処理を行うには、光周波数多重技術を用
いるのが妥当と考えられる。大規模で効率的な光周波数
多重ネットワークの実現に向けて、光電変換を行うこと
なしに直接光周波数を変えられる波長変換素子の実用化
が望まれている。波長変換素子は、超高速パルスを用い
た光時間多重伝送システムにおいて、特定のタイミング
の信号を波長変換して選択する光デマルチプレクサにも
応用される。
の情報の伝送・処理を行うには、光周波数多重技術を用
いるのが妥当と考えられる。大規模で効率的な光周波数
多重ネットワークの実現に向けて、光電変換を行うこと
なしに直接光周波数を変えられる波長変換素子の実用化
が望まれている。波長変換素子は、超高速パルスを用い
た光時間多重伝送システムにおいて、特定のタイミング
の信号を波長変換して選択する光デマルチプレクサにも
応用される。
【０００５】このような目的で用いられる波長変換素子
に要請される特性としては、波長変換帯域が広いこと、
帯域内の任意の波長間の変換ができること、高速の変調
信号に追従すること、変換効率が高いことなどが挙げら
れる。このような要請に沿う波長変換素子として、進行
波型半導体レーザ増幅器の四光波混合を波長変換に用い
た半導体波長変換素子の開発が進められている。
に要請される特性としては、波長変換帯域が広いこと、
帯域内の任意の波長間の変換ができること、高速の変調
信号に追従すること、変換効率が高いことなどが挙げら
れる。このような要請に沿う波長変換素子として、進行
波型半導体レーザ増幅器の四光波混合を波長変換に用い
た半導体波長変換素子の開発が進められている。
【０００６】図８は、進行波型半導体レーザ増幅器の四
光波混合を波長変換に用いた従来の半導体波長変換素子
からなる波長変換システムを示す図である。図中、各段
階における光スペクトルも示してある。
光波混合を波長変換に用いた従来の半導体波長変換素子
からなる波長変換システムを示す図である。図中、各段
階における光スペクトルも示してある。
【０００７】半導体波長変換素子は、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層７４をｐ型ＩｎＰクラッド層７５とｎ型クラッド層
の機能を兼用するｎ型ＩｎＰ基板７１とで挟んだダブル
ヘテロ構造の半導体光導波路と、活性層７４に電流を注
入するための電極８１，８２と、半導体光導波路の両端
面における光反射を防止するための反射防止膜８３とか
ら構成されている。
性層７４をｐ型ＩｎＰクラッド層７５とｎ型クラッド層
の機能を兼用するｎ型ＩｎＰ基板７１とで挟んだダブル
ヘテロ構造の半導体光導波路と、活性層７４に電流を注
入するための電極８１，８２と、半導体光導波路の両端
面における光反射を防止するための反射防止膜８３とか
ら構成されている。
【０００８】このように構成された半導体波長変換素子
によれば、活性層７４に高密度に注入されたキャリアの
反転分布により誘導放出利得が生じるので、半導体光導
波路を伝搬する利得帯域内の波長の光は増幅される。ま
た、両端面には反射防止膜８３が形成されているので、
高電流注入条件下でもレーザ発振は抑制され、高利得の
光増幅が可能となる。
によれば、活性層７４に高密度に注入されたキャリアの
反転分布により誘導放出利得が生じるので、半導体光導
波路を伝搬する利得帯域内の波長の光は増幅される。ま
た、両端面には反射防止膜８３が形成されているので、
高電流注入条件下でもレーザ発振は抑制され、高利得の
光増幅が可能となる。
【０００９】利得帯域内の角周波数ω1 の励起光と角周
波数ω2 の信号光を合波して、この半導体波長変換素子
に入射すると、半導体光導波路内部には、励起光と信号
光とのビートにより、角周波数Ω＝ω1 −ω2 の光電界
強度変化が生じる。
波数ω2 の信号光を合波して、この半導体波長変換素子
に入射すると、半導体光導波路内部には、励起光と信号
光とのビートにより、角周波数Ω＝ω1 −ω2 の光電界
強度変化が生じる。
【００１０】このとき、ＩｎＧａＡｓＰ活性層７４の内
部の光電界強度に対する利得や屈折率の非線形応答のた
め、角周波数ωの光は角周波数Ωで強度変調や位相変調
を受けることになり、角周波数ω±ｎΩ（ｎは整数）の
成分を生じることになる。
部の光電界強度に対する利得や屈折率の非線形応答のた
め、角周波数ωの光は角周波数Ωで強度変調や位相変調
を受けることになり、角周波数ω±ｎΩ（ｎは整数）の
成分を生じることになる。
【００１１】いま、入力端ｚ＝０における励起光パワー
Ｐ1 （０）が信号光パワーＰ2 （０）より遥かに大きい
ものとすると、出力端ｚ＝ｌにおいて角周波数ω1 の励
起光と角周波数ω2 の信号光との他に、角周波数ω3
（＝ω1 ＋Ω）の共役光が現れるので、角周波数ω3 の
共役光のみを狭帯域光フィルタ８４で選択して取り出
す。通常、共役光の出力パワーは小さいので、光増幅器
８５により増幅してから用いられる。
Ｐ1 （０）が信号光パワーＰ2 （０）より遥かに大きい
ものとすると、出力端ｚ＝ｌにおいて角周波数ω1 の励
起光と角周波数ω2 の信号光との他に、角周波数ω3
（＝ω1 ＋Ω）の共役光が現れるので、角周波数ω3 の
共役光のみを狭帯域光フィルタ８４で選択して取り出
す。通常、共役光の出力パワーは小さいので、光増幅器
８５により増幅してから用いられる。
【００１２】信号光の強度や周波数が変調されている場
合は、共役光も強度や周波数が変調された状態で出力さ
れるので、信号の搬送波である光の波長変換が行われた
ことになる。ただし、共役光のスペクトルは元の信号光
と反転している。
合は、共役光も強度や周波数が変調された状態で出力さ
れるので、信号の搬送波である光の波長変換が行われた
ことになる。ただし、共役光のスペクトルは元の信号光
と反転している。
【００１３】この現象は、ω3 ＝ω1 ＋ω1 −ω2 の四
光波混合として説明される。ω1 はω2 より大きくても
小さくても良く、ω1 をチューニングすることにより、
帯域内の任意の波長に信号を変換することができる。
Ｊ．Ｚｈｏｕ，ｅｔ ａｌ．，ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎ
ｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．６，Ｎ
ｏ．１，ｐｐ．５０−５２，１９９４によれば、変換効
率ηはｄＢ表示で、
光波混合として説明される。ω1 はω2 より大きくても
小さくても良く、ω1 をチューニングすることにより、
帯域内の任意の波長に信号を変換することができる。
Ｊ．Ｚｈｏｕ，ｅｔ ａｌ．，ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎ
ｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．６，Ｎ
ｏ．１，ｐｐ．５０−５２，１９９４によれば、変換効
率ηはｄＢ表示で、
【００１４】
【数１】
で与えられる。
【００１５】ここで、Ｇ［ｄＢ］は増幅器の利得、Ｉp
［ｄＢ］は励起光パワーで１０ｌｏｇ10Ｐ1 （０）に等
しく、Ｃm とτm （ｍ＝１，２，３）はそれぞれ四光波
混合の原因となる三つの主要な寄与の複素結合係数と時
定数である。
［ｄＢ］は励起光パワーで１０ｌｏｇ10Ｐ1 （０）に等
しく、Ｃm とτm （ｍ＝１，２，３）はそれぞれ四光波
混合の原因となる三つの主要な寄与の複素結合係数と時
定数である。
【００１６】変換効率ηは増幅利得Ｇの三乗と励起光パ
ワーＩp の二乗に比例するため、変換効率ηは大きな値
となる。四光波混合の原因となる主要な機構は、キャリ
ア密度変化（ｍ＝１）、キャリア・ヒーティング（ｎ＝
２）およびスペクトラル・ホール・バーニング（ｍ＝
３）の三つである。
ワーＩp の二乗に比例するため、変換効率ηは大きな値
となる。四光波混合の原因となる主要な機構は、キャリ
ア密度変化（ｍ＝１）、キャリア・ヒーティング（ｎ＝
２）およびスペクトラル・ホール・バーニング（ｍ＝
３）の三つである。
【００１７】キャリア密度変化による四光波混合は、誘
導放出により光電界の強い部分でキャリアが減少して、
利得が減少したり、屈折率が変化したりすることにより
生じる。その時定数は誘導放出も考慮した実効的なキャ
リア寿命で支配される。
導放出により光電界の強い部分でキャリアが減少して、
利得が減少したり、屈折率が変化したりすることにより
生じる。その時定数は誘導放出も考慮した実効的なキャ
リア寿命で支配される。
【００１８】キャリア・ヒーティングは、バンド内光吸
収や誘導放出などの影響でキャリア温度が変化し、利得
や屈折率が変化することにより生じる。その時定数は、
キャリアのエネルギ分布がフォノンとの非弾性衝突など
により格子温度のエネルギ分布に緩和する時間で支配さ
れる。
収や誘導放出などの影響でキャリア温度が変化し、利得
や屈折率が変化することにより生じる。その時定数は、
キャリアのエネルギ分布がフォノンとの非弾性衝突など
により格子温度のエネルギ分布に緩和する時間で支配さ
れる。
【００１９】スペクトラル・ホール・バーニングは、誘
導放出やバンド内光吸収などの影響でキャリアのエネル
ギ分布がフェルミ分布からずれて、利得や屈折率が変化
することにより生じる。その時定数は、キャリア同士の
衝突などでエネルギ分布がフェルミ分布に緩和する時間
で支配される。
導放出やバンド内光吸収などの影響でキャリアのエネル
ギ分布がフェルミ分布からずれて、利得や屈折率が変化
することにより生じる。その時定数は、キャリア同士の
衝突などでエネルギ分布がフェルミ分布に緩和する時間
で支配される。
【００２０】図９は、前記文献に示されている伸張歪Ｉ
ｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ進行波型半導体レーザ増幅
器の波長変換効率ηのΩ依存性である。四角印はω2 ＞
ω3の場合、丸印はω2 ＜ω3 の場合であり、３．４Ｔ
Ｈｚ（波長差２７ｎｍ）の広範囲に渡る波長変換が実現
されている。
ｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ進行波型半導体レーザ増幅
器の波長変換効率ηのΩ依存性である。四角印はω2 ＞
ω3の場合、丸印はω2 ＜ω3 の場合であり、３．４Ｔ
Ｈｚ（波長差２７ｎｍ）の広範囲に渡る波長変換が実現
されている。
【００２１】式（Ｉ）へのフィッティングより、Ｃ1 ＝
０．２４ｅ-i1.30、τ1 ＝２００ｐｓ、Ｃ2 ＝０．００
２７ｅi1.30 、τ2 ＝６５０ｆｓ、Ｃ3 ＝０．０００４
８ｅi1.53 、τ3 ＝５０ｆｓが得られている。
０．２４ｅ-i1.30、τ1 ＝２００ｐｓ、Ｃ2 ＝０．００
２７ｅi1.30 、τ2 ＝６５０ｆｓ、Ｃ3 ＝０．０００４
８ｅi1.53 、τ3 ＝５０ｆｓが得られている。
【００２２】時定数τ1 、τ2 、τ3 に相当するカット
オフ周波数（波長差）は、それぞれ８００ＭＨｚ（０．
００６４ｎｍ）、２４０ＧＨｚ（１．９ｎｍ）、３．４
ＴＨｚ（２７ｎｍ）である。
オフ周波数（波長差）は、それぞれ８００ＭＨｚ（０．
００６４ｎｍ）、２４０ＧＨｚ（１．９ｎｍ）、３．４
ＴＨｚ（２７ｎｍ）である。
【００２３】また、図９において、点線は２０ｄＢ／ｄ
ｅｃの傾きを示しており、キャリア密度変化のみが原因
と仮定すると、変換効率ηはこの傾きに沿って低下する
ことになる。波長シフト量１ｎｍ付近から上の膨らみは
キャリア・ヒーティングの寄与、２０ｎｍ前後の傾きの
変化はスペクトラル・ホール・バーニングの寄与であ
る。１〜１０ｎｍ程度の波長シフトで重要なのはキャリ
ア・ヒーティングの寄与であるが、Ｃ2 の絶対値が十分
に大きくないため、変換効率としては−５０ｄＢから−
６５ｄＢの値にとどまっている。
ｅｃの傾きを示しており、キャリア密度変化のみが原因
と仮定すると、変換効率ηはこの傾きに沿って低下する
ことになる。波長シフト量１ｎｍ付近から上の膨らみは
キャリア・ヒーティングの寄与、２０ｎｍ前後の傾きの
変化はスペクトラル・ホール・バーニングの寄与であ
る。１〜１０ｎｍ程度の波長シフトで重要なのはキャリ
ア・ヒーティングの寄与であるが、Ｃ2 の絶対値が十分
に大きくないため、変換効率としては−５０ｄＢから−
６５ｄＢの値にとどまっている。
【００２４】すなわち、従来の進行波型半導体レーザ増
幅器の四光波混合を用いた半導体波長変換素子による波
長変換では、キャリア・ヒーティングによる非線形性に
より波長差１０ｎｍ以上の広帯域の変換が可能である
が、キャリア・ヒーティングによる非線形性がそれほど
大きくないために、波長差１ｎｍ以上の波長変換では変
換効率が低いという問題があった。
幅器の四光波混合を用いた半導体波長変換素子による波
長変換では、キャリア・ヒーティングによる非線形性に
より波長差１０ｎｍ以上の広帯域の変換が可能である
が、キャリア・ヒーティングによる非線形性がそれほど
大きくないために、波長差１ｎｍ以上の波長変換では変
換効率が低いという問題があった。
【００２５】換言すれば、波長差１ｎｍ以上の波長変換
では、共役光のパワーは、励起光のパワー、信号光のパ
ワーおよび半導体レーザ増幅器の雑音レベルに対して低
い値となる。具体的には、共役光のパワーは、信号光の
出力パワーより２０ｄＢ程度、励起光出力パワーよりも
４０ｄＢ程度低くなる。また、ＡＥＳ（Amplified Spon
taneous Emission）ノイズレベルと共役光パワーレベル
との差も高々２０ｄＢ程度しかとれなかった。
では、共役光のパワーは、励起光のパワー、信号光のパ
ワーおよび半導体レーザ増幅器の雑音レベルに対して低
い値となる。具体的には、共役光のパワーは、信号光の
出力パワーより２０ｄＢ程度、励起光出力パワーよりも
４０ｄＢ程度低くなる。また、ＡＥＳ（Amplified Spon
taneous Emission）ノイズレベルと共役光パワーレベル
との差も高々２０ｄＢ程度しかとれなかった。
【００２６】この結果、出射光（ω1 ，ω2 ，ω3 ）か
ら共役成分（ω3 ）のみを選択する狭帯域光フィルタ８
４の消光比に対するスペックが厳しくなるうえ、信号対
雑音比（Ｓ／Ｎ比）が悪くなるという問題が生じる。
ら共役成分（ω3 ）のみを選択する狭帯域光フィルタ８
４の消光比に対するスペックが厳しくなるうえ、信号対
雑音比（Ｓ／Ｎ比）が悪くなるという問題が生じる。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来の進
行波型半導体レーザ増幅器の四光波混合を用いた半導体
波長変換素子は、キャリア・ヒーティングによる非線形
性がそれほど大きくないので、波長差１ｎｍ以上の波長
変換では変換効率が低いという問題があった。また、こ
のような問題により、狭帯域光フィルタの消光比に対す
るスペックが厳しくなったり、Ｓ／Ｎ比が悪くなるとい
う問題も起きていた。本発明は、上記事情を考慮してな
されたもので、その目的とするところは、従来よりも、
変換効率の高い半導体波長変換素子を提供することにあ
る。
行波型半導体レーザ増幅器の四光波混合を用いた半導体
波長変換素子は、キャリア・ヒーティングによる非線形
性がそれほど大きくないので、波長差１ｎｍ以上の波長
変換では変換効率が低いという問題があった。また、こ
のような問題により、狭帯域光フィルタの消光比に対す
るスペックが厳しくなったり、Ｓ／Ｎ比が悪くなるとい
う問題も起きていた。本発明は、上記事情を考慮してな
されたもので、その目的とするところは、従来よりも、
変換効率の高い半導体波長変換素子を提供することにあ
る。
【００２８】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、バンド
内吸収の共鳴波長が進行波型半導体レーザ増幅器の利得
帯域内に設定された半導体層を有する半導体光導波路を
用いることにより、変換効率を高めることにある。
内吸収の共鳴波長が進行波型半導体レーザ増幅器の利得
帯域内に設定された半導体層を有する半導体光導波路を
用いることにより、変換効率を高めることにある。
【００２９】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明に係る
半導体波長変換素子は、二つのクラッド層により活性層
を挟持してなる半導体光導波路からなる進行波型半導体
レーザ増幅器を有し、前記半導体光導波路内における四
光波混合により前記半導体光導波路に入射した光と角周
波数が異なる光を生成するものであって、前記半導体光
導波路はバンド内吸収の共鳴波長が前記進行波型半導体
レーザ増幅器の利得帯域内に設定された前記活性層より
も禁制帯幅が大きい材料からなる半導体層を有し、か
つ、前記半導体層と前記活性層とは近接積層され、一体
の光導波路を構成していることを特徴とする。
半導体波長変換素子は、二つのクラッド層により活性層
を挟持してなる半導体光導波路からなる進行波型半導体
レーザ増幅器を有し、前記半導体光導波路内における四
光波混合により前記半導体光導波路に入射した光と角周
波数が異なる光を生成するものであって、前記半導体光
導波路はバンド内吸収の共鳴波長が前記進行波型半導体
レーザ増幅器の利得帯域内に設定された前記活性層より
も禁制帯幅が大きい材料からなる半導体層を有し、か
つ、前記半導体層と前記活性層とは近接積層され、一体
の光導波路を構成していることを特徴とする。
【００３０】ここで、上記半導体層は、半導体光導波路
を導波される光のパワー分布領域の中にあれば、活性層
自体であっても、クラッド層の一部であっても、また、
活性層ともクラッド層とも異なる別の半導体層であって
もよい。
を導波される光のパワー分布領域の中にあれば、活性層
自体であっても、クラッド層の一部であっても、また、
活性層ともクラッド層とも異なる別の半導体層であって
もよい。
【００３１】バンド内共鳴吸収の具体例としては、重い
正孔帯や軽い正孔帯からスピン軌道分離帯への価電子帯
間吸収、量子井戸における伝導帯や価電子帯のサブバン
ド間吸収があげられる。
正孔帯や軽い正孔帯からスピン軌道分離帯への価電子帯
間吸収、量子井戸における伝導帯や価電子帯のサブバン
ド間吸収があげられる。
【００３２】四光波混合とは、非線形媒質中で三つの入
力光を混合させて、第４の出力光を生じさせる非線形過
程である。三つの入力波は、二つの励起光と信号光とか
らなる。二つの励起光は同じでも良い。この場合、入力
光の実質的な数は２となる。
力光を混合させて、第４の出力光を生じさせる非線形過
程である。三つの入力波は、二つの励起光と信号光とか
らなる。二つの励起光は同じでも良い。この場合、入力
光の実質的な数は２となる。
【００３３】具体的には、例えば、進行波型半導体レー
ザ増幅器の利得波長帯域内にある第１の角周波数ω1 の
光と第２の角周波数ω2 ＝ω1 −Ω（Ωはゼロでない）
の光とを入射したときに、半導体光導波路内の四光波混
合により、第３の角周波数ω3 ＝ω1 ＋Ωの光が生成さ
れ、出力される。
ザ増幅器の利得波長帯域内にある第１の角周波数ω1 の
光と第２の角周波数ω2 ＝ω1 −Ω（Ωはゼロでない）
の光とを入射したときに、半導体光導波路内の四光波混
合により、第３の角周波数ω3 ＝ω1 ＋Ωの光が生成さ
れ、出力される。
【００３４】
【作用】伝導帯や価電子帯のサブバンド間遷移や、価電
子帯間遷移のようなバンド内遷移（バンド内吸収）によ
る非線形感受率は、バンド間遷移による非線形感受率よ
り大きい。
子帯間遷移のようなバンド内遷移（バンド内吸収）によ
る非線形感受率は、バンド間遷移による非線形感受率よ
り大きい。
【００３５】ここで、入射光の波長がバンド内吸収の共
鳴波長と一致している場合、バンド内共鳴吸収でバンド
内のキャリア・エネルギ分布が大きく変化し、吸収係数
や屈折率も大きく変化するので、バンド内共鳴吸収のな
い場合のキャリア・ヒーティングによる変換効率（＝α
×複素結合係数 α：係数）よりも大きな値を有する変
換効率が得られる。
鳴波長と一致している場合、バンド内共鳴吸収でバンド
内のキャリア・エネルギ分布が大きく変化し、吸収係数
や屈折率も大きく変化するので、バンド内共鳴吸収のな
い場合のキャリア・ヒーティングによる変換効率（＝α
×複素結合係数 α：係数）よりも大きな値を有する変
換効率が得られる。
【００３６】したがって、バンド内吸収の共鳴波長が進
行波型半導体レーザ増幅器の利得帯域内に設定された半
導体層を有する半導体光導波路を用いた本発明に係る半
導体波長変換素子によれば、バンド内共鳴吸収のない場
合の従来の半導体波長変換素子よりも高い変換効率が得
られる。
行波型半導体レーザ増幅器の利得帯域内に設定された半
導体層を有する半導体光導波路を用いた本発明に係る半
導体波長変換素子によれば、バンド内共鳴吸収のない場
合の従来の半導体波長変換素子よりも高い変換効率が得
られる。
【００３７】また、バンド内吸収で高いレベルに励起さ
れたキャリアが元のレベルに戻る緩和の機構は以下の通
りである。すなわち、フォノンとの衝突を介した低いレ
ベルの高いエネルギ状態への遷移過程、キャリア同士の
衝突によるフェルミ分布への緩和過程、フォノンとの衝
突によりキャリア温度が格子温度に緩和する過程などか
らなる。
れたキャリアが元のレベルに戻る緩和の機構は以下の通
りである。すなわち、フォノンとの衝突を介した低いレ
ベルの高いエネルギ状態への遷移過程、キャリア同士の
衝突によるフェルミ分布への緩和過程、フォノンとの衝
突によりキャリア温度が格子温度に緩和する過程などか
らなる。
【００３８】これらの緩和過程はスペクトラル・ホール
バーニングとキャリア・ヒーティングの緩和と基本的に
同じである。その緩和時間は上記過程で最も遅いキャリ
ア・ヒーティングの緩和時間で支配され、数百フェムト
秒からピコ秒程度という短い時間である。
バーニングとキャリア・ヒーティングの緩和と基本的に
同じである。その緩和時間は上記過程で最も遅いキャリ
ア・ヒーティングの緩和時間で支配され、数百フェムト
秒からピコ秒程度という短い時間である。
【００３９】したがって、励起光と信号光との波長差が
大きくなっても、つまり、高帯域にわたって、変換効率
の低下は穏やかなものとなる。よって、本発明によれ
ば、高効率・広帯域の波長変換を行える半導体波長変換
素子を実現できるようになる。
大きくなっても、つまり、高帯域にわたって、変換効率
の低下は穏やかなものとなる。よって、本発明によれ
ば、高効率・広帯域の波長変換を行える半導体波長変換
素子を実現できるようになる。
【００４０】
【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。 （第１の実施例）図１は、本発明の第１の実施例に係る
進行波型半導体レーザ増幅器の四光波混合を波長変換に
用いた半導体波長変換素子の一部を切欠して示す斜視図
である。
る。 （第１の実施例）図１は、本発明の第１の実施例に係る
進行波型半導体レーザ増幅器の四光波混合を波長変換に
用いた半導体波長変換素子の一部を切欠して示す斜視図
である。
【００４１】図中、１はｎ型クラッド層を兼ねるｎ型Ｉ
ｎＰ基板を示しており、このｎ型ＩｎＰ基板１にはスト
ライプ状の半導体光導波路２が形成されている。この半
導体光導波路２は、ｎ型クラッド層（ｎ型ＩｎＰ基板
１）と、アンドープＩｎＧａＡｓＰ光導波層３と、アン
ドープ歪ＩｎＧａＡｓ／歪ＡｌＡｓ量子井戸からなる歪
量子井戸活性層４と、ＩｎＧａＡｓＰ光導波層５と、ｐ
型ＩｎＰクラッド層６とが順次積層された構造になって
いる。また、ｐ型ＩｎＰクラッド層６上にはｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰオーミック・コンタクト層７が設けられてい
る。
ｎＰ基板を示しており、このｎ型ＩｎＰ基板１にはスト
ライプ状の半導体光導波路２が形成されている。この半
導体光導波路２は、ｎ型クラッド層（ｎ型ＩｎＰ基板
１）と、アンドープＩｎＧａＡｓＰ光導波層３と、アン
ドープ歪ＩｎＧａＡｓ／歪ＡｌＡｓ量子井戸からなる歪
量子井戸活性層４と、ＩｎＧａＡｓＰ光導波層５と、ｐ
型ＩｎＰクラッド層６とが順次積層された構造になって
いる。また、ｐ型ＩｎＰクラッド層６上にはｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰオーミック・コンタクト層７が設けられてい
る。
【００４２】半導体光導波路２の両横には、電流を半導
体光導波路２に狭窄するためのｐ型ＩｎＰ層８とｎ型Ｉ
ｎＰ層９からなる埋込み層が形成されている。また、ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰオーミック・コンタクト層７の上部、
ＩｎＰ基板１の下部には、それぞれ、ｐ側オーミック電
極１１、ｎ側オーミック電極１２が形成されている。入
出射端面には反射防止膜１３が被着されており、これに
より、端面反射率は０．１％以下に抑えられている。
体光導波路２に狭窄するためのｐ型ＩｎＰ層８とｎ型Ｉ
ｎＰ層９からなる埋込み層が形成されている。また、ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰオーミック・コンタクト層７の上部、
ＩｎＰ基板１の下部には、それぞれ、ｐ側オーミック電
極１１、ｎ側オーミック電極１２が形成されている。入
出射端面には反射防止膜１３が被着されており、これに
より、端面反射率は０．１％以下に抑えられている。
【００４３】この半導体波長変換素子は、下部電極１２
を介して、ヒートシンクと接地を兼ねるＡｕコートＡｌ
Ｎサブマウント付きＣｕマウント（不図示）に搭載さ
れ、ボンディングにより給電ラインと接続されている。
を介して、ヒートシンクと接地を兼ねるＡｕコートＡｌ
Ｎサブマウント付きＣｕマウント（不図示）に搭載さ
れ、ボンディングにより給電ラインと接続されている。
【００４４】そして、この半導体波長変換素子は、入出
力用光ファイバ、この入出力用光ファイバと低損失な光
結合を実現するための非球面レンズ対、光アイソレータ
およびペルチエ冷却器などともにモジュールに組み込ま
れて使われる。
力用光ファイバ、この入出力用光ファイバと低損失な光
結合を実現するための非球面レンズ対、光アイソレータ
およびペルチエ冷却器などともにモジュールに組み込ま
れて使われる。
【００４５】図８の従来の半導体波長変換素子のよう
に、光分合波器、狭帯域光フィルタ、光増幅器などと組
み合わせて用いることで、信号の搬送波である光の波長
変換を行うことができる。
に、光分合波器、狭帯域光フィルタ、光増幅器などと組
み合わせて用いることで、信号の搬送波である光の波長
変換を行うことができる。
【００４６】本実施例の場合、歪量子井戸活性層４が、
バンド内吸収の共鳴波長が進行波型半導体レーザ増幅器
の利得帯域内に設定された半導体層として働く。図２
に、半導体光導波路２を構成する歪量子井戸活性層４の
主要部の伝導帯のバンド構造を示す。
バンド内吸収の共鳴波長が進行波型半導体レーザ増幅器
の利得帯域内に設定された半導体層として働く。図２
に、半導体光導波路２を構成する歪量子井戸活性層４の
主要部の伝導帯のバンド構造を示す。
【００４７】歪量子井戸活性層４は、薄いＩｎＧａＡｓ
井戸層１４が薄い伸張歪ＡｌＡｓ障壁層１５で挾まれた
基本構造を２０周期積層した構造をしている。ＩｎＧａ
Ａｓ井戸層１４の内部には、第１のサブバンド１６，第
２のサブバンド１７が存在している。
井戸層１４が薄い伸張歪ＡｌＡｓ障壁層１５で挾まれた
基本構造を２０周期積層した構造をしている。ＩｎＧａ
Ａｓ井戸層１４の内部には、第１のサブバンド１６，第
２のサブバンド１７が存在している。
【００４８】第１のサブバンド１６から第２のサブバン
ド１７への遷移はパリティ則により許容遷移となる。伸
張歪ＡｌＡｓ障壁層１５が薄いため、各ＩｎＧａＡｓ井
戸層１４のサブバンド１６，１７はトンネリングで結合
し、ミニバンドを形成している。そのサブバンド間遷移
エネルギは約０．８ｅＶ（共鳴波長１．５５μｍ）であ
る。
ド１７への遷移はパリティ則により許容遷移となる。伸
張歪ＡｌＡｓ障壁層１５が薄いため、各ＩｎＧａＡｓ井
戸層１４のサブバンド１６，１７はトンネリングで結合
し、ミニバンドを形成している。そのサブバンド間遷移
エネルギは約０．８ｅＶ（共鳴波長１．５５μｍ）であ
る。
【００４９】このような大きなサブバンド間隔が実現で
きることは、Ｊ．Ｈ．Ｓｍｅｔ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．６４，ｐｐ．９８
６−９８７，１９９４に示されている。
きることは、Ｊ．Ｈ．Ｓｍｅｔ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．６４，ｐｐ．９８
６−９８７，１９９４に示されている。
【００５０】歪量子井戸活性層４には、波長１．５５μ
ｍ付近の光に対して十分な利得を持つように電流が注入
される。このため、第１のサブバンド１６にはトンネリ
ングを介して高密度の電子が注入され、価電子帯には正
孔が注入される。
ｍ付近の光に対して十分な利得を持つように電流が注入
される。このため、第１のサブバンド１６にはトンネリ
ングを介して高密度の電子が注入され、価電子帯には正
孔が注入される。
【００５１】この電子と正孔の反転分布によって、歪量
子井戸活性層４に誘導放出利得が生じ、半導体光導波路
２に入射した波長１．５５μｍ近傍の光が増幅されるこ
とになる。
子井戸活性層４に誘導放出利得が生じ、半導体光導波路
２に入射した波長１．５５μｍ近傍の光が増幅されるこ
とになる。
【００５２】角周波数ω1 の励起光と角周波数ω2 ＝ω
1 −Ωの信号光とが同時に入射すると、従来の進行波型
半導体レーザ増幅器の場合と同様に、ビート周波数Ωで
利得や屈折率が変調され、四光波混合により、角周波数
ω3 ＝ω1 ＋Ωの成分が発生する。従来の半導体波長変
換素子と同様に、外部に設けられた狭帯域光フィルタに
よりω3 成分のみを取り出すことができる。
1 −Ωの信号光とが同時に入射すると、従来の進行波型
半導体レーザ増幅器の場合と同様に、ビート周波数Ωで
利得や屈折率が変調され、四光波混合により、角周波数
ω3 ＝ω1 ＋Ωの成分が発生する。従来の半導体波長変
換素子と同様に、外部に設けられた狭帯域光フィルタに
よりω3 成分のみを取り出すことができる。
【００５３】本実施例では、伝導帯の第１のサブバンド
１６と第２のサブバンド１７の吸収共鳴波長が利得波長
と一致しているため、図３に示すように、第１のサブバ
ンドの電子は半導体光導波路内の光の一部を吸収して第
２のサブバンド１７に励起される。
１６と第２のサブバンド１７の吸収共鳴波長が利得波長
と一致しているため、図３に示すように、第１のサブバ
ンドの電子は半導体光導波路内の光の一部を吸収して第
２のサブバンド１７に励起される。
【００５４】第２のサブバンド１７に励起された電子
は、ごく短時間のうちにフォノンとの衝突を介して第１
のサブバンド１６の高エネルギ状態に遷移する。この高
エネルギ状態の電子は、電子やフォノンとの衝突を繰り
返しながら、元のエネルギの状態に緩和していく（バン
ド内キャリア緩和）。
は、ごく短時間のうちにフォノンとの衝突を介して第１
のサブバンド１６の高エネルギ状態に遷移する。この高
エネルギ状態の電子は、電子やフォノンとの衝突を繰り
返しながら、元のエネルギの状態に緩和していく（バン
ド内キャリア緩和）。
【００５５】このバンド内キャリア緩和過程は、基本的
にスペクトラル・ホールバーニングとキャリア・ヒーテ
ィングの緩和と同じであり、数百フェムト秒から数ピコ
秒の短い時定数を有している。
にスペクトラル・ホールバーニングとキャリア・ヒーテ
ィングの緩和と同じであり、数百フェムト秒から数ピコ
秒の短い時定数を有している。
【００５６】従来の半導体波長変換素子でバンド内のキ
ャリアのエネルギ分布を変調する原因は、誘導放出に伴
うスペクトラル・ホールバーニングを除けば、自由キャ
リア吸収や二光子吸収などの非線形効果のみで、それほ
ど大きな非線形性は現れなかった。
ャリアのエネルギ分布を変調する原因は、誘導放出に伴
うスペクトラル・ホールバーニングを除けば、自由キャ
リア吸収や二光子吸収などの非線形効果のみで、それほ
ど大きな非線形性は現れなかった。
【００５７】これに対して、本実施例のようにバンド内
共鳴吸収が起こる場合は、ビート周波数Ωで光電界強度
が変化すると、それに伴って電子のエネルギ分布が大き
く変化するので、屈折率や利得が大きな変調を受ける。
このバンド内吸収の四光波混合へ寄与（複素結合効率Ｃ
4 、時定数τ4 ）を式（Ｉ）に付加すると、変換効率は
共鳴吸収が起こる場合は、ビート周波数Ωで光電界強度
が変化すると、それに伴って電子のエネルギ分布が大き
く変化するので、屈折率や利得が大きな変調を受ける。
このバンド内吸収の四光波混合へ寄与（複素結合効率Ｃ
4 、時定数τ4 ）を式（Ｉ）に付加すると、変換効率は
【００５８】
【数２】
と表される。
【００５９】この緩和過程は上記のように幾つかの異な
る時定数を持つ過程の複合過程であり、正確にはさらに
第五の寄与（Ｃ5 、τ5 ）などを付加して表すべきもの
である。
る時定数を持つ過程の複合過程であり、正確にはさらに
第五の寄与（Ｃ5 、τ5 ）などを付加して表すべきもの
である。
【００６０】本実施例のように、活性層とサブバンド間
共鳴吸収層が一致している場合は、サブバンド間遷移に
よる新たな寄与と考えずに、バンド内共鳴吸収でＣ2 と
Ｃ3が強調されて大きくなると考えることも可能であ
る。
共鳴吸収層が一致している場合は、サブバンド間遷移に
よる新たな寄与と考えずに、バンド内共鳴吸収でＣ2 と
Ｃ3が強調されて大きくなると考えることも可能であ
る。
【００６１】ここでは説明を単純化するために、バンド
内共鳴吸収で大きくなったキャリア・ヒーティングと同
程度の時定数を持つ成分をＣ4 、τ4 で表すものとす
る。図４に、本実施例（本発明）の半導体波長変換素子
による相対波長変換効率（実線）を、従来の半導体波長
変換素子のそれ（破線）と比較して示す。
内共鳴吸収で大きくなったキャリア・ヒーティングと同
程度の時定数を持つ成分をＣ4 、τ4 で表すものとす
る。図４に、本実施例（本発明）の半導体波長変換素子
による相対波長変換効率（実線）を、従来の半導体波長
変換素子のそれ（破線）と比較して示す。
【００６２】図４から、本発明によれば、波長差が１ｎ
ｍを越えても高い相対波長変換効率が実現されているこ
とが分かる。つまり、本発明によれば、従来よりも、広
帯域で、高効率な波長変換を実現することができる。こ
れは、本発明の場合、複素結合効率Ｃ4 の絶対値が大き
く、つまり、変換効率が高く、かつ緩和時間τ4 がτ緩
衝時間2 と同程度であるからである。もちろん、信号が
数十Ｇｂ／ｓ以上の高速変調されていても応答するし、
１ｐｓ前後の短光制御パルスによる光時分割多重信号の
光デマルチプレクシングにも用いることができる。
ｍを越えても高い相対波長変換効率が実現されているこ
とが分かる。つまり、本発明によれば、従来よりも、広
帯域で、高効率な波長変換を実現することができる。こ
れは、本発明の場合、複素結合効率Ｃ4 の絶対値が大き
く、つまり、変換効率が高く、かつ緩和時間τ4 がτ緩
衝時間2 と同程度であるからである。もちろん、信号が
数十Ｇｂ／ｓ以上の高速変調されていても応答するし、
１ｐｓ前後の短光制御パルスによる光時分割多重信号の
光デマルチプレクシングにも用いることができる。
【００６３】サブバンド間遷移は、通常、ＴＭモードに
対して許容、ＴＥモードに対して禁止遷移となるが、大
きなエネルギの遷移の場合、伝導帯の分散曲線の放物線
からのずれや歪みによる対称性の低下などにより、ＴＥ
モードに対しても吸収が観測されることが知られてい
る。
対して許容、ＴＥモードに対して禁止遷移となるが、大
きなエネルギの遷移の場合、伝導帯の分散曲線の放物線
からのずれや歪みによる対称性の低下などにより、ＴＥ
モードに対しても吸収が観測されることが知られてい
る。
【００６４】したがって、励起光、信号光、共役光の偏
波として様々な組み合わせが可能であり、好ましい吸収
係数や非線形感受率を選ぶことができる。偏波が直交し
た光を組み合わせると、光の合分波に偏波カプラを利用
でき、便利である。
波として様々な組み合わせが可能であり、好ましい吸収
係数や非線形感受率を選ぶことができる。偏波が直交し
た光を組み合わせると、光の合分波に偏波カプラを利用
でき、便利である。
【００６５】伝導帯の各サブバンドの量子井戸に平行な
波数に対するエネルギ分散曲線はほぼ平行なので、サブ
バンド間吸収のスペクトル半値幅は狭いのが普通であ
る。しかし、本実施例の量子井戸ではミニバンドの形成
で半値幅が広がっているうえ、分散曲線の放物線からの
ずれもあり、使用する波長範囲に渡って十分な共鳴吸収
が実現される。
波数に対するエネルギ分散曲線はほぼ平行なので、サブ
バンド間吸収のスペクトル半値幅は狭いのが普通であ
る。しかし、本実施例の量子井戸ではミニバンドの形成
で半値幅が広がっているうえ、分散曲線の放物線からの
ずれもあり、使用する波長範囲に渡って十分な共鳴吸収
が実現される。
【００６６】なお、サブバンド間吸収により、半導体レ
ーザ増幅器としての正味の利得は減少するが、この影響
は外部に光増幅器を接続することで補償することができ
る。以上述べたように、本実施例の半導体波長変換素子
によれば、高い変換効率が実現できる。この結果、従来
の半導体波長変換素子では大きかった励起光と共役光と
の間のレベル差、信号光と共役光との間のレベル差は小
さくなり、半導体レーザ増幅器の雑音と共役光との間の
レベル差は大きくなる。したがって、本実施例によれ
ば、狭帯域光フィルタの消光比に対するスペックが緩や
かになり、また、Ｓ／Ｎ比も高くなる。 （第２の実施例）図５は、本発明の第２の実施例に係る
進行波型半導体レーザ増幅器の四光波混合を波長変換に
用いた半導体波長変換素子の一部を切欠して示す斜視図
である。
ーザ増幅器としての正味の利得は減少するが、この影響
は外部に光増幅器を接続することで補償することができ
る。以上述べたように、本実施例の半導体波長変換素子
によれば、高い変換効率が実現できる。この結果、従来
の半導体波長変換素子では大きかった励起光と共役光と
の間のレベル差、信号光と共役光との間のレベル差は小
さくなり、半導体レーザ増幅器の雑音と共役光との間の
レベル差は大きくなる。したがって、本実施例によれ
ば、狭帯域光フィルタの消光比に対するスペックが緩や
かになり、また、Ｓ／Ｎ比も高くなる。 （第２の実施例）図５は、本発明の第２の実施例に係る
進行波型半導体レーザ増幅器の四光波混合を波長変換に
用いた半導体波長変換素子の一部を切欠して示す斜視図
である。
【００６７】本実施例の半導体波長変換素子は、ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層４４への電流注入経路の外に、半導体光
導波路４２の一部になるように、ｎ型ＧａＮ／ＡｌＮ量
子井戸からなるサブバンド間遷移共鳴吸収層３２を形成
したものである。
ａＡｓＰ活性層４４への電流注入経路の外に、半導体光
導波路４２の一部になるように、ｎ型ＧａＮ／ＡｌＮ量
子井戸からなるサブバンド間遷移共鳴吸収層３２を形成
したものである。
【００６８】ｐ型ＩｎＰ基板４１には、ストライプ状の
半導体光導波路４２が形成されている。すなわち、この
半導体光導波路４２は、下部クラッド層を兼ねるＩｎＰ
基板４１、ｐ- 型ＩｎＧａＡｓＰ光導波層４３、アンド
ープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸活性層４
４、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波層４５、アンドープＩｎ
ＧａＮ層３１、ｎ型ＧａＮ／ＡｌＮ量子井戸からなるサ
ブバンド間遷移共鳴吸収層３２、上部クラッド層として
のアンドープＡｌＧａＮ層３３が順次積層された構造を
している。
半導体光導波路４２が形成されている。すなわち、この
半導体光導波路４２は、下部クラッド層を兼ねるＩｎＰ
基板４１、ｐ- 型ＩｎＧａＡｓＰ光導波層４３、アンド
ープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸活性層４
４、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波層４５、アンドープＩｎ
ＧａＮ層３１、ｎ型ＧａＮ／ＡｌＮ量子井戸からなるサ
ブバンド間遷移共鳴吸収層３２、上部クラッド層として
のアンドープＡｌＧａＮ層３３が順次積層された構造を
している。
【００６９】半導体光導波路４２の外部は、ｎ型ＩｎＰ
層４８とｐ型ＩｎＰ層４９とからなる電流狭窄層、およ
び活性層４４の側面に接触するように積層されたｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層４７により囲まれている。
層４８とｐ型ＩｎＰ層４９とからなる電流狭窄層、およ
び活性層４４の側面に接触するように積層されたｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層４７により囲まれている。
【００７０】半導体光導波路４２の両側面には溝３５が
形成されており、リッジ型の半導体光導波路を構成して
いる。また、上部と下部にはそれぞれ上部オーミック電
極３６，下部オーミック電極３７が設けられている。
形成されており、リッジ型の半導体光導波路を構成して
いる。また、上部と下部にはそれぞれ上部オーミック電
極３６，下部オーミック電極３７が設けられている。
【００７１】入出射端面には反射防止膜３８が形成され
ており、半導体光導波路４２が端面まで届いていない、
いわゆる窓構造との組み合わせにより、端面反射率は
０．０１％以下に抑えられている。
ており、半導体光導波路４２が端面まで届いていない、
いわゆる窓構造との組み合わせにより、端面反射率は
０．０１％以下に抑えられている。
【００７２】このような素子構造は、例えば、以下のよ
うにして形成することができる。まず、ｐ- 型ＩｎＧａ
ＡｓＰ光導波層４３、アンドープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧ
ａＡｓＰ量子井戸活性層４４、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光導
波層４５がエピタキシャル成長された第１の基板を用意
する。
うにして形成することができる。まず、ｐ- 型ＩｎＧａ
ＡｓＰ光導波層４３、アンドープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧ
ａＡｓＰ量子井戸活性層４４、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光導
波層４５がエピタキシャル成長された第１の基板を用意
する。
【００７３】また、これとは別に、サファイヤなどから
なる第２の基板３０上に、ＺｎＯ層を介して、ＩｎＧａ
Ｎ層３１、サブバンド間遷移共鳴吸収層３２、ＡｌＧａ
Ｎ層３３からなる窒化物エピタキシャル多層膜を形成す
る。
なる第２の基板３０上に、ＺｎＯ層を介して、ＩｎＧａ
Ｎ層３１、サブバンド間遷移共鳴吸収層３２、ＡｌＧａ
Ｎ層３３からなる窒化物エピタキシャル多層膜を形成す
る。
【００７４】次に、ＺｎＯ層の選択エッチングにより第
２の基板と窒化物エピタキシャル多層膜を分離する。こ
のエピタキシャル多層膜を、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波
層４５とアンドープＩｎＧａＮ層３１とが向き合うよう
に、第１の基板に圧着し、水素雰囲気中で高温処理を行
うことにより一体化する。どちらの層３１，４５もＩｎ
を含むため、良好な直接接着が可能である。
２の基板と窒化物エピタキシャル多層膜を分離する。こ
のエピタキシャル多層膜を、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波
層４５とアンドープＩｎＧａＮ層３１とが向き合うよう
に、第１の基板に圧着し、水素雰囲気中で高温処理を行
うことにより一体化する。どちらの層３１，４５もＩｎ
を含むため、良好な直接接着が可能である。
【００７５】この直接接着積層構造をドライ・エッチン
グで半導体光導波路４２の形に加工した後、窒化物エピ
タキシャル多層膜を選択成長マスクとして、埋め込み層
としてのｎ型ＩｎＰ層４８、ｐ型ＩｎＰ層４９およびｎ
型ＩｎＧａＡｓＰ層４７４７をエピタキシャル成長す
る。
グで半導体光導波路４２の形に加工した後、窒化物エピ
タキシャル多層膜を選択成長マスクとして、埋め込み層
としてのｎ型ＩｎＰ層４８、ｐ型ＩｎＰ層４９およびｎ
型ＩｎＧａＡｓＰ層４７４７をエピタキシャル成長す
る。
【００７６】次に、半導体光導波路４２の側面のドライ
エッチングによる溝３５の形成、上部オーミック電極３
６の形成、第１の基板４０の裏面研磨、下部電極３７の
形成、へき開やダイシングによるチップ切り出し、反射
防止膜３８の形成などの工程を経て、図５に示す素子構
造が完成する。
エッチングによる溝３５の形成、上部オーミック電極３
６の形成、第１の基板４０の裏面研磨、下部電極３７の
形成、へき開やダイシングによるチップ切り出し、反射
防止膜３８の形成などの工程を経て、図５に示す素子構
造が完成する。
【００７７】本実施例では、電子は上部オーミック電極
３６からｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層４７やｎ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ光導波層４５を介してアンドープＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ
ＧａＡｓＰ量子井戸活性層４４に注入される。アンドー
プＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸活性層４４の
電流注入時の利得スペクトルのピークは０．８ｅＶ付近
に設定されている。
３６からｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層４７やｎ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ光導波層４５を介してアンドープＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ
ＧａＡｓＰ量子井戸活性層４４に注入される。アンドー
プＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸活性層４４の
電流注入時の利得スペクトルのピークは０．８ｅＶ付近
に設定されている。
【００７８】ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＮの禁制帯幅は
ＩｎＰやＩｎＧａＡｓＰの禁制帯幅よりずっと大きく、
キャリアに対するエネルギ障壁が高いため、キャリアの
注入は起こらない。
ＩｎＰやＩｎＧａＡｓＰの禁制帯幅よりずっと大きく、
キャリアに対するエネルギ障壁が高いため、キャリアの
注入は起こらない。
【００７９】ＧａＮの禁制帯幅が広いため、波長１．５
５μｍの光が入射しても二光子吸収は生じず、ＧａＮ井
戸層のキャリア密度はほとんど変動しない。ＧａＮとＡ
ｌＮの伝導帯バンド不連続が大きいため、伝導帯には深
い量子井戸が形成されている。ＧａＮの伝導帯の底はΓ
1 点であるが、約１ｅＶ上にΓ3 点も存在する。
５μｍの光が入射しても二光子吸収は生じず、ＧａＮ井
戸層のキャリア密度はほとんど変動しない。ＧａＮとＡ
ｌＮの伝導帯バンド不連続が大きいため、伝導帯には深
い量子井戸が形成されている。ＧａＮの伝導帯の底はΓ
1 点であるが、約１ｅＶ上にΓ3 点も存在する。
【００８０】サブバンド間遷移共鳴吸収層３２はｎ型に
ドーピングされているので、光が存在しない状態では、
Γ1 の第１のサブバンドに電子が分布している。本実施
例では、Γ1 の第１のサブバンドとΓ1 の第２のサブバ
ンドとの間のエネルギ差が０．８ｅＶになるように、サ
ブバンド間遷移共鳴吸収層３２の井戸幅が設定されてい
る。しかし、サブバンド間吸収として、Γ1 の第１のサ
ブバンドからΓ1 の高次のサブバンドへの吸収、Γ1 の
第１のサブバンドからΓ3 のサブバンドへの吸収など、
異なる組み合わせのサブバンド間遷移を利用しても良
い。
ドーピングされているので、光が存在しない状態では、
Γ1 の第１のサブバンドに電子が分布している。本実施
例では、Γ1 の第１のサブバンドとΓ1 の第２のサブバ
ンドとの間のエネルギ差が０．８ｅＶになるように、サ
ブバンド間遷移共鳴吸収層３２の井戸幅が設定されてい
る。しかし、サブバンド間吸収として、Γ1 の第１のサ
ブバンドからΓ1 の高次のサブバンドへの吸収、Γ1 の
第１のサブバンドからΓ3 のサブバンドへの吸収など、
異なる組み合わせのサブバンド間遷移を利用しても良
い。
【００８１】光は、量子井戸活性層４４付近に分布ピー
クを持つが一部はサブバンド間遷移共鳴吸収層３２に染
み出すようなモードで導波される。したがって、サブバ
ンド間遷移共鳴吸収層３２の第１のサブバンドの電子
は、導波光の一部を吸収して、第２のサブバンドに励起
される。このとき、導波光の強度に依存して吸収係数や
屈折率が変化するので、四光波混合が生じる。
クを持つが一部はサブバンド間遷移共鳴吸収層３２に染
み出すようなモードで導波される。したがって、サブバ
ンド間遷移共鳴吸収層３２の第１のサブバンドの電子
は、導波光の一部を吸収して、第２のサブバンドに励起
される。このとき、導波光の強度に依存して吸収係数や
屈折率が変化するので、四光波混合が生じる。
【００８２】このように、本実施例の半導体波長変換素
子の動作も、バンド内共鳴吸収が量子井戸活性層４４と
は別に形成されたサブバンド間遷移共鳴吸収層３２で生
じることを除けば、第１の実施例の場合と基本的に同じ
であり、広帯域で高効率の波長変換動作が実現される。 （第３の実施例）図６は、本発明の第３の実施例に係る
進行波型半導体レーザ増幅器の四光波混合を波長変換に
用いた半導体波長変換素子の斜視図である。
子の動作も、バンド内共鳴吸収が量子井戸活性層４４と
は別に形成されたサブバンド間遷移共鳴吸収層３２で生
じることを除けば、第１の実施例の場合と基本的に同じ
であり、広帯域で高効率の波長変換動作が実現される。 （第３の実施例）図６は、本発明の第３の実施例に係る
進行波型半導体レーザ増幅器の四光波混合を波長変換に
用いた半導体波長変換素子の斜視図である。
【００８３】図中、５１はｐ型クラッド層を兼ねるｐ型
ＣｄＴｅ基板を示しており、このｐ型ＣｄＴｅ基板５１
には半導体光導波路５２が形成されている。すなわち、
半導体光導波路５２は、ｐ型クラッド層（ｐ型ＣｄＴｅ
基板）５１と、Ｈｇ0.3 Ｃｄ0.7 Ｔｅ活性層５４、メサ
型のｎ型ＣｄＴｅクラッド層５５が順次積層されてな
り、ｎ型ＣｄＴｅクラッド層５５のストライプ形状によ
り導波路が規定されている。
ＣｄＴｅ基板を示しており、このｐ型ＣｄＴｅ基板５１
には半導体光導波路５２が形成されている。すなわち、
半導体光導波路５２は、ｐ型クラッド層（ｐ型ＣｄＴｅ
基板）５１と、Ｈｇ0.3 Ｃｄ0.7 Ｔｅ活性層５４、メサ
型のｎ型ＣｄＴｅクラッド層５５が順次積層されてな
り、ｎ型ＣｄＴｅクラッド層５５のストライプ形状によ
り導波路が規定されている。
【００８４】半導体光導波路５２の入出射端面には反射
防止膜５３が設けられている。ｎ型ＣｄＴｅクラッド層
５５のメサ部上にはｎ側電極５６が設けられ、ｐ型Ｃｄ
Ｔｅ基板５１にはｐ側電極５７が設けられている。ｎ側
電極５６、ｐ側電極５７によりＨｇ0.3 Ｃｄ0.7 Ｔｅ活
性層５４に電流が注入される。Ｈｇ0.3 Ｃｄ0.7 Ｔｅ活
性層５４は波長１．３μｍ付近に誘導放出利得を有す
る。
防止膜５３が設けられている。ｎ型ＣｄＴｅクラッド層
５５のメサ部上にはｎ側電極５６が設けられ、ｐ型Ｃｄ
Ｔｅ基板５１にはｐ側電極５７が設けられている。ｎ側
電極５６、ｐ側電極５７によりＨｇ0.3 Ｃｄ0.7 Ｔｅ活
性層５４に電流が注入される。Ｈｇ0.3 Ｃｄ0.7 Ｔｅ活
性層５４は波長１．３μｍ付近に誘導放出利得を有す
る。
【００８５】本実施例の場合、Ｈｇ0.3 Ｃｄ0.7 Ｔｅ活
性層５４が、バンド内吸収の共鳴波長が進行波型半導体
レーザ増幅器の利得帯域内に設定された半導体層であ
る。図７に、Ｈｇ1-x Ｃｄx ＴｅのバンドギャップＥｇ
とスピン軌道分離エネルギΔ0 の組成依存性を示す。Ｈ
ｇ0.3 Ｃｄ0.7 ＴｅではＥｇ〜Δ0 となっており、その
共鳴波長は約１．３μｍである。この波長の導波光がＨ
ｇ0.3 Ｃｄ0.7 Ｔｅ導波層２４に入射した場合、価電子
帯間の共鳴吸収により正孔のスピン軌道分離帯への励起
が生じる。
性層５４が、バンド内吸収の共鳴波長が進行波型半導体
レーザ増幅器の利得帯域内に設定された半導体層であ
る。図７に、Ｈｇ1-x Ｃｄx ＴｅのバンドギャップＥｇ
とスピン軌道分離エネルギΔ0 の組成依存性を示す。Ｈ
ｇ0.3 Ｃｄ0.7 ＴｅではＥｇ〜Δ0 となっており、その
共鳴波長は約１．３μｍである。この波長の導波光がＨ
ｇ0.3 Ｃｄ0.7 Ｔｅ導波層２４に入射した場合、価電子
帯間の共鳴吸収により正孔のスピン軌道分離帯への励起
が生じる。
【００８６】この系では、ブリルアン帯のΓ点付近にお
ける各価電子帯の有効質量は約０．４ｍ0 で、差が小さ
い（分散曲線が平行に近く結合状態密度が大きい）た
め、吸収係数も大きい。したがって、誘導放出利得によ
る増幅と価電子帯間吸収の両者が同時に生じ、正孔のエ
ネルギ分布の変化に伴って屈折率や利得が大きく変化す
るので、大きな非線形性が生じ、変換効率が高くなる。
ける各価電子帯の有効質量は約０．４ｍ0 で、差が小さ
い（分散曲線が平行に近く結合状態密度が大きい）た
め、吸収係数も大きい。したがって、誘導放出利得によ
る増幅と価電子帯間吸収の両者が同時に生じ、正孔のエ
ネルギ分布の変化に伴って屈折率や利得が大きく変化す
るので、大きな非線形性が生じ、変換効率が高くなる。
【００８７】また、この系では、価電子帯間吸収の緩和
時間も数百フェムト秒と短い。したがって、波長差が大
きくなっても、変換効率の低下は小さい。よって、本実
施例でも、伝導帯サブバンド間遷移を用いた第１の実施
例や第２の実施例と同様に、広帯域で高効率の波長変換
動作を実現することができる。
時間も数百フェムト秒と短い。したがって、波長差が大
きくなっても、変換効率の低下は小さい。よって、本実
施例でも、伝導帯サブバンド間遷移を用いた第１の実施
例や第２の実施例と同様に、広帯域で高効率の波長変換
動作を実現することができる。
【００８８】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではない。例えば、活性層やバンド内共鳴吸収層の材
料や組成や各層の厚さ、半導体光導波路の断面構造など
も、上記実施例に限定されるものではない。素子構造を
変えれば、利得波長、吸収係数、非線形性の大きさ、偏
波特性などを変えることが可能である。
のではない。例えば、活性層やバンド内共鳴吸収層の材
料や組成や各層の厚さ、半導体光導波路の断面構造など
も、上記実施例に限定されるものではない。素子構造を
変えれば、利得波長、吸収係数、非線形性の大きさ、偏
波特性などを変えることが可能である。
【００８９】また、上記実施例では、バンド内吸収の共
鳴波長が進行波型半導体レーザ増幅器の利得帯域内に設
定された半導体層が、活性層自体の場合、活性層ともク
ラッド層とも異なる別の半導体層の場合について説明し
たが、クラッド層の一部であっても良い。要は半導体光
導波路を導波される光のパワー分布領域の中にあれば良
い。
鳴波長が進行波型半導体レーザ増幅器の利得帯域内に設
定された半導体層が、活性層自体の場合、活性層ともク
ラッド層とも異なる別の半導体層の場合について説明し
たが、クラッド層の一部であっても良い。要は半導体光
導波路を導波される光のパワー分布領域の中にあれば良
い。
【００９０】また、半導体波長変換素子は単独の素子で
ある必要はなく、半導体レーザ、光変調器、光スイッ
チ、光合分波器、波長選択素子、受光素子、他の半導体
波長変換素子などと集積化されていても良い。
ある必要はなく、半導体レーザ、光変調器、光スイッ
チ、光合分波器、波長選択素子、受光素子、他の半導体
波長変換素子などと集積化されていても良い。
【００９１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、バ
ンド内吸収の共鳴波長が進行波型半導体レーザ増幅器の
利得帯域内に設定された半導体層を有する半導体光導波
路を用いることにより、広帯域で高効率な半導体波長変
換素子を実現できる。
ンド内吸収の共鳴波長が進行波型半導体レーザ増幅器の
利得帯域内に設定された半導体層を有する半導体光導波
路を用いることにより、広帯域で高効率な半導体波長変
換素子を実現できる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る波長変換に四光波
混合を用いた半導体波長変換素子の一部を切欠して示す
斜視図
混合を用いた半導体波長変換素子の一部を切欠して示す
斜視図
【図２】図１の半導体波長変換素子の半導体光導波路を
構成する歪量子井戸活性層の伝導帯のバンド構造を示す
図
構成する歪量子井戸活性層の伝導帯のバンド構造を示す
図
【図３】図１の半導体波長変換素子のキャリアの状態の
変化を示す図
変化を示す図
【図４】本発明の半導体波長変換素子による相対波長変
換効率を、従来の半導体波長変換素子のそれと比較して
示す図
換効率を、従来の半導体波長変換素子のそれと比較して
示す図
【図５】本発明の第２の実施例に係る波長変換に四光波
混合を用いた半導体波長変換素子の一部を切欠して示す
斜視図
混合を用いた半導体波長変換素子の一部を切欠して示す
斜視図
【図６】本発明の第３の実施例に係る波長変換に四光波
混合を用いた半導体波長変換素子の斜視図
混合を用いた半導体波長変換素子の斜視図
【図７】Ｈｇ1-x Ｃｄx ＴｅのバンドギャップＥｇとス
ピン軌道分離エネルギΔ0 の組成依存性を示す特性図
ピン軌道分離エネルギΔ0 の組成依存性を示す特性図
【図８】従来の四光波混合を用いた半導体波長変換素子
からなる波長変換システムを示す図
からなる波長変換システムを示す図
【図９】伸張歪ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ進行波型
半導体レーザ増幅器の波長変換効率ηのΩ依存性を示す
図
半導体レーザ増幅器の波長変換効率ηのΩ依存性を示す
図
１…ｎ型ＩｎＰ基板
２…半導体光導波路
３…アンドープＩｎＧａＡｓＰ光導波層
４…歪量子井戸活性層
５…ＩｎＧａＡｓＰ光導波層
６…ｐ型ＩｎＰクラッド層
７…ｐ型ＩｎＧａＡｓＰオーミック・コンタクト層
８…ｐ型ＩｎＰ層
９…ｎ型ＩｎＰ層
１１…ｐ側オーミック電極
１２…ｎ側オーミック電極
１３…反射防止膜
１４…ＩｎＧａＡｓ井戸層
１５…伸張歪ＡｌＡｓ障壁層
１６…第１のサブバンド
１７…第２のサブバンド
３１…アンドープＩｎＧａＮ層
３２…サブバンド間遷移共鳴吸収層
３３…アンドープＡｌＧａＮ層
３５…溝
３６…上部オーミック電極
３７…下部オーミック電極
３８…反射防止膜
４１…ｐ型ＩｎＰ基板
４２…半導体光導波路
４３…ｐ- 型ＩｎＧａＡｓＰ光導波層
４４…アンドープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ量子井
戸活性層 ４５…ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波層 ４７…ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層 ４８…ｎ型ＩｎＰ層 ４９…ｐ型ＩｎＰ層 ５１…ｐ型ＣｄＴｅ基板 ５２…半導体光導波路 ５３…反射防止膜 ５４…Ｈｇ0.3 Ｃｄ0.7 Ｔｅ活性層 ５５…ｎ型ＣｄＴｅクラッド層 ５６…ｎ側電極 ５７…ｐ側電極
戸活性層 ４５…ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波層 ４７…ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層 ４８…ｎ型ＩｎＰ層 ４９…ｐ型ＩｎＰ層 ５１…ｐ型ＣｄＴｅ基板 ５２…半導体光導波路 ５３…反射防止膜 ５４…Ｈｇ0.3 Ｃｄ0.7 Ｔｅ活性層 ５５…ｎ型ＣｄＴｅクラッド層 ５６…ｎ側電極 ５７…ｐ側電極
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平２−272433（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−1617（ＪＰ，Ａ)
Ｊｉａｎｈｕｉ Ｚｈｏｕ ｅｔ ａ
ｌ，Ｔｅｒａｈｅｒｔｚ ｆｏｕｒ−ｗ
ａｖｅ ｍｉｘｉｎｇ ｓｐｅｃｔｒｏ
ｓｃｏｐｙ ｆｏｒ ｓｔｕｄｙ ｏｆ
ｕｌｔｒａｆａｓｔ ｄｙｎａｍｉｃ
ｓ ｉｎ ａ ＳＯＡ，Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｌｅｔｔ．，1993年 ８月30日,
ｖｏｌ．63，ｎｏ．９，ｐｐ．1179−
1181
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/35
H01S 3/10
H01S 5/30
Claims (2)
- 【請求項１】 二つのクラッド層により活性層を挟持し
てなる半導体光導波路からなる進行波型半導体レーザ増
幅器を有し、前記半導体光導波路内における四光波混合
により前記半導体光導波路に入射した光と角周波数が異
なる光を生成する半導体波長変換素子であって、前記半
導体光導波路はバンド内吸収の共鳴波長が前記進行波型
半導体レーザ増幅器の利得帯域内に設定された前記活性
層よりも禁制帯幅が大きい材料からなる半導体層を有
し、かつ、前記半導体層と前記活性層とは近接積層さ
れ、一体の光導波路を構成していることを特徴とする半
導体波長変換素子。 - 【請求項２】 前記半導体層はｎ形量子井戸からなるサ
ブバンド間遷移共鳴吸収層であり、前記バンド内吸収は
サブバンド間吸収であることを特徴とする請求項１に記
載の半導体波長変換素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04201495A JP3499631B2 (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | 半導体波長変換素子 |
| US08/526,384 US5754714A (en) | 1994-09-17 | 1995-09-11 | Semiconductor optical waveguide device, optical control type optical switch, and wavelength conversion device |
| FR9510751A FR2724778B1 (fr) | 1994-09-17 | 1995-09-14 | Dispositif a guide d'ondes optique a semiconducteurs, commutateur optique du type a commande optique et dispositif de converstion de longueur d'onde |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04201495A JP3499631B2 (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | 半導体波長変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08240820A JPH08240820A (ja) | 1996-09-17 |
| JP3499631B2 true JP3499631B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=12624328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04201495A Expired - Fee Related JP3499631B2 (ja) | 1994-09-17 | 1995-03-01 | 半導体波長変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3499631B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7081983B2 (en) | 2002-09-19 | 2006-07-25 | Fujitsu Limited | Wavelength conversion device |
-
1995
- 1995-03-01 JP JP04201495A patent/JP3499631B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊｉａｎｈｕｉ Ｚｈｏｕ ｅｔ ａｌ，Ｔｅｒａｈｅｒｔｚ ｆｏｕｒ−ｗａｖｅ ｍｉｘｉｎｇ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ ｓｔｕｄｙ ｏｆ ｕｌｔｒａｆａｓｔ ｄｙｎａｍｉｃｓ ｉｎ ａ ＳＯＡ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１９９３年 ８月３０日，ｖｏｌ．６３，ｎｏ．９，ｐｐ．１１７９−１１８１ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08240820A (ja) | 1996-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5754714A (en) | Semiconductor optical waveguide device, optical control type optical switch, and wavelength conversion device | |
| JP2003202529A (ja) | 半導体光変調器および半導体発光装置および波長可変レーザ装置および多波長レーザ装置および光伝送システム | |
| WO2013151145A1 (ja) | 光半導体装置、半導体レーザモジュールおよび光ファイバ増幅器 | |
| Lee | Recent advances in long-wavelength semiconductor lasers for optical fiber communication | |
| JPH0645585A (ja) | 密結合超格子レーザ−変調器一体化素子 | |
| US8948606B2 (en) | Semiconductor optical amplifier | |
| US6603599B1 (en) | Linear semiconductor optical amplifier with broad area laser | |
| Miller et al. | Tensile-strained InGaAs/InGaAsP quantum-well optical amplifiers with a wide spectral gain region at 1.55 mu m | |
| JP4321970B2 (ja) | 半導体光増幅器およびａｓｅ放射用光源装置および光ゲートアレイおよび波長可変レーザ装置および多波長レーザ装置および光伝送システム | |
| Juodawlkis et al. | Packaged 1.5-$\mu $ m Quantum-Well SOA With 0.8-W Output Power and 5.5-dB Noise Figure | |
| JP4485745B2 (ja) | 光機能素子および光機能装置 | |
| US6728282B2 (en) | Engineering the gain/loss profile of intersubband optical devices having heterogeneous cascades | |
| JP2007219561A (ja) | 半導体発光装置 | |
| US10511150B2 (en) | Wavelength-variable laser | |
| JP3499631B2 (ja) | 半導体波長変換素子 | |
| JP2922160B2 (ja) | 非線形光デバイス | |
| JP3566365B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH08248364A (ja) | 光強度変調素子及び光強度変調素子付き半導体レーザ | |
| JP4794058B2 (ja) | 広帯域光増幅器を備えた光通信ネットワーク | |
| JP3505509B2 (ja) | 半導体発光素子と半導体発光装置及び半導体発光素子の変調方法 | |
| KR20050020059A (ko) | 수평방향 레이징 구조를 갖는 이득 고정 반도체 광증폭기및 그제조방법 | |
| Souli et al. | 20 Gbit/s high-performance integrated MQW TANDEM modulators and amplifier for soliton generation and coding | |
| JPH0697593A (ja) | 半導体光増幅素子 | |
| Hasegawa et al. | Design and fabrication of semiconductor optical amplifier with low noise figure | |
| Yeo et al. | Integration of waveguide-type wavelength demultiplexing photodetectors by the selective intermixing of an InGaAs-InGaAsP quantum-well structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071205 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081205 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |