JP3497331B2 - 光ディスク基板及び光記録再生方法及び光ディスク - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、トラッキング用の
グルーブ及びランドを有し、このグルーブ及びランドを
アドレス情報に応じて蛇行させた光ディスク基板及び光
ディスクの光記録再生方法及び光ディスクに関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクに対してアドレス情報を設け
る方法はいろいろとあるが、高密度化の要求からトラッ
キング用のグルーブそのものにアドレス情報をもたせる
方法、即ちトラッキング用のグルーブを蛇行させ、トラ
ッキング信号から蛇行周波数成分を取り出すことにより
アドレス情報を求める方法が提案され、さらに、特開平
５−３１４５３８号公報においては、ランド／グルーブ
両方に記録可能とするために、グルーブの一方の側壁だ
けをアドレス情報に応じて蛇行させ、グルーブ幅の倍よ
りも小さい光スポットにより片側だけを読み出し、アド
レス情報を求める方法が提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光ディスクでは、非常に高密度での情報記録が可能にな
るものの、ランド及びグルーブの幅が場所によって異な
るため、ビームスポットがオフセットする可能性がある
上に、オフセットを修復しにくいという問題がある。

【０００４】また、ランド及びグルーブの幅が場所によ
って異なることにより、反射率が変化するため、情報再
生信号が劣化するなどの問題がある。

【０００５】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであって、品質の高い情報再生信号を与えるこ
とのできる光ディスク基板及び光記録再生方法及び光デ
ィスクを提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】（１）請求項１に記載の
光ディスク基板は、トラッキング用のグルーブ及びラン
ドを有する光ディスク基板において、グルーブ及びラン
ドが、その側壁の一方のみが、一定の蛇行振幅が周期的
に繰り返される波形となるように曲線状に蛇行し、か
つ、該側壁の蛇行形状に基づく蛇行周波数がアドレス情
報となっている第１の領域と、両方の側壁が蛇行してい
ない第２の領域と、を有してなることを特徴としてい
る。

【０００７】本構成によれば、第１の領域においてビー
ムスポットがオフセットした場合でも、第２の領域でそ
のオフセットを修復できる。

【０００８】また、第２の領域のみに情報を記録するよ
うにすれば、情報記録部分におけるランド及びグルーブ
の幅が均一となるため、反射率が一定となり、情報再生
信号が安定化する。さらに、この場合、アドレス情報を
記録する第１の領域と情報を記録する第２の領域とが分
離しているため、従来のように側壁の蛇行周波数を記録
情報の記録周波数よりもかなり低く設定しておく必要が
なくなる。従って、第１の領域における側壁の蛇行周波
数を第２の領域における情報の記録周波数並に高めて、
第１の領域の大きさを低減することができる。

【０００９】また、蛇行形状を曲線状のものとしている
ため、樹脂で光ディスク基板を製造する時に、樹脂が流
れ込み易くなり、成形性が向上する。

【００１０】さらに、蛇行形状が曲線状になっているた
め、その蛇行部分（第１の領域）からアドレス情報を読
み出す際に、高周波ノイズが生じにくくなり、確実にア
ドレス情報を読み出すことが可能となる。これは、本願
のように、一部分のみにアドレス情報を記録しておく場
合には、非常に重要である。

【００１１】（２）上記光ディスク基板は、グルーブ深
さが、λ／６ｎ近傍〔基板の屈折率：ｎ、記録波長：
λ〕に設定されてなるものであってもよい。

【００１２】上記構成によれば、トラック間のクロスト
ーク（隣接トラック信号からの回り込みノイズ）を低減
でき、高密度化が可能になる。

【００１３】（３）上記記載の光ディスク基板は、請求
項１に記載の光ディスク基板において、グルーブ深さ
が、λ／８ｎ近傍〔基板の屈折率：ｎ、記録波長：λ〕
に設定されてなるものであってもよい。

【００１４】上記構成によれば、トラッキング信号が最
大となり、安定したトラック追従が可能となる。

【００１５】（４）上記光ディスク基板は、請求項１に
記載の光ディスク基板において、グルーブ深さが、λ／
１０ｎ近傍〔基板の屈折率：ｎ、記録波長：λ〕に設定
されてなるものであってもよい。

【００１６】上記構成によれば、再生信号が大きくな
り、安定した再生信号特性を与えることが可能となる。

【００１７】（５）請求項１に記載の光ディスク基板
は、請求項１に記載の光ディスク基板において、グルー
ブ深さが、λ／３ｎ以上〔基板の屈折率：ｎ、記録波
長：λ〕に設定されてなることを特徴としている。

【００１８】上記構成によれば、情報の消去時に照射す
る光ビームの強度が強い場合にも、隣のトラックに記録
された情報を誤って消去してしまうこと（クロスイレー
ス）がなくなり、光ビーム強度の制御が容易となる。

【００１９】（６）請求項３に記載の光記録再生方法
は、一方の側壁のみが、一定の蛇行振幅が周期的に繰り
返される波形となるように曲線状に蛇行し、かつ、該側
壁の蛇行形状に基づく蛇行周波数がアドレス情報となっ
ている第１の領域と、両方の側壁が蛇行していない第２
の領域と、を有するグルーブ及びランドの形成された光
ディスクに対する光記録再生方法であって、前記第２の
領域のみに、情報の記録、再生、消去の少なくとも一つ
を行うことを特徴としている。

【００２０】上記構成によれば、情報記録部分における
ランド及びグルーブの幅が均一となるため、反射率が一
定となり、情報再生信号が安定化する。

【００２１】さらに、アドレス情報を記録する第１の領
域と情報を記録する第２の領域とが分離しているため、
従来のように側壁の蛇行周波数を記録情報の記録周波数
よりもかなり低く設定しておく必要がなくなる。従っ
て、第１の領域における側壁の蛇行周波数を第２の領域
における情報の記録周波数並に高めて、第１の領域の大
きさを低減することができる。

【００２２】（７）請求項４に記載の光ディスクは、一
方の側壁のみが、一定の蛇行振幅が周期的に繰り返され
る波形となるように曲線状に蛇行し、かつ、該側壁の蛇
行形状に基づく蛇行周波数がアドレス情報となっている
第１の領域と、両方の側壁が蛇行していない第２の領域
と、を有するグルーブ及びランドの形成されたものであ
る。この構成によれば、第１の領域においてビームスポ
ットがオフセット下場合でも、第２の領域でそのオフセ
ットを修復できる。また、第２の領域のみに情報を記録
するようにすれば、情報再生信号を安定化できる。

【００２３】

【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕 本発明の光ディスク基板の一実施の形態について図１〜
図５に基づいて説明すれば、以下のとおりである。

【００２４】本実施の形態に用いられる光ディスク基板
５には、図１の平面図、図２の半径方向断面図に示すよ
うに、一方の側壁１ａが蛇行したトラッキング用のグル
ーブ１が形成されている領域と、蛇行していない領域１
ｂとが形成されている。グルーブ１は螺旋状もしくは同
心円状に形成され、グルーブ１・１間のエリアはランド
２と呼ばれ、ランド２の幅はグルーブ１の幅とほぼ等し
くなるよう設定されている。

【００２５】側壁１ａはアドレス情報に応じて光ディス
ク基板５及び光ディスクの半径方向に蛇行しており、そ
の蛇行周波数は、トラッキングサーボ系の追従周波数よ
りも高く、記録周波数よりも低い周波数に設定されてい
る。

【００２６】記録再生用光スポット４をグルーブ１に追
従させるか、ランド２に追従させるかは、トラッキング
信号の極性を反転することによって容易に選択できる。
トラッキング信号は例えばプッシュプル法によって得ら
れる。アドレス情報はトラック信号から側壁１ａの蛇行
周波数の成分を取り出すことによって求められる。

【００２７】即ち、記録再生用光スポット４を例えばグ
ルーブ１に追従させると、蛇行周波数がトラッキング系
の追従周波数よりも高いので、記録再生用光スポット４
は、グルーブ１の平均幅のほぼ中心線４ａ上をトラッキ
ングする。このため、グルーブ１の蛇行振幅の半分に等
しいトラッキング誤差が常に生じている。したがって、
トラッキング信号からこれを取り出せば、蛇行周波数の
信号成分が得られる。記録再生用光スポット４をランド
２に追従させる場合についても同様である。尚、ここで
は、上記のように、蛇行周波数は記録周波数よりも低い
周波数に設定されているため、記録情報とアドレス情報
とを分離することが可能となる。

【００２８】トラッキング誤差は蛇行振幅の半分になる
ので、両壁が蛇行している場合と同じ信号成分を得るた
めには、蛇行振幅を倍にする必要があるが、グルーブ１
の幅／ランド２の幅＝０．８μｍ／０．８μｍの場合の
信号の大きさが、１．２μｍ／０．４μｍ、１．３μｍ
／０．３μｍ、１．１μｍ／０．５μｍの場合に比べ
て、それぞれ１．４倍、１．８倍、１．２倍となるの
で、実際の蛇行振幅はそれぞれ約１．４（＝２／１．
４）倍、１．１（＝２／１．８）倍、１．２（＝２／
１．２）倍でよい。

【００２９】従って、両壁が蛇行している場合の蛇行振
幅が±３０ｎｍの場合には、ほぼ同じ大きさの蛇行周波
数の信号成分を取り出すためには、蛇行振幅を±３５ｎ
ｍから±５０ｎｍの範囲に設定すればよい。

【００３０】本実施の形態の光ディスク基板５では、記
録再生用光スポット４の直径をトラックピッチよりも大
きく、かつ、トラックピッチの２倍よりも小さくするこ
とにより、２つの蛇行した側壁１ａ、１ａに同時に当た
ることがなく、正確なアドレス情報が得られる。

【００３１】また、グルーブ１に対応したアドレス情報
は、このグルーブ１の側壁１ａ側に隣接したランド２の
アドレス情報と同一になるが、トラッキング信号の極性
を反転することによって容易に選択できるので、特定の
トラックを指定することは容易である。

【００３２】以上の実施の形態では、トラッキング信号
から蛇行周波数の信号成分を取り出しているが、光ディ
スクからの反射光の光量変化から蛇行周波数の信号成分
を取り出してもよい。即ち、グルーブ１の幅あるいはラ
ンド２の幅が狭くなっていると反射光が弱くなり、広く
なっていると反射光が強くなる。従って、記録再生用光
スポット４の反射光の光量変化を取り出せば、蛇行周波
数の信号成分を得ることができる。

【００３３】次に、上記の光ディスク基板５の製造プロ
セスについて図３（ａ）〜図３（ｅ）に基づいて説明す
れば、以下の通りである。

【００３４】（ａ）ガラス基板５の片面にフォトレジス
ト６を塗布する。

【００３５】（ｂ）レーザー光を対物レンズ７によって
フォトレジスト６上に集光し、フォトレジスト６を所望
のグルーブ１のパターンに感光させる。

【００３６】（ｃ）現像することにより、感光させたフ
ォトレジスト６を除去し、残ったフォトレジスト６によ
り所望のパターンを形成する。

【００３７】（ｄ）ドライエッチングもしくはウエット
エッチングにより、ガラス基板５、フォトレジスト６を
エッチングし、ガラス基板５に所望のパターンを形成す
る。

【００３８】（ｅ）残ったフォトレジストをアッシング
により除去する。

【００３９】さらに、上記のフォトレジスト６をグルー
ブ１ａのパターンに感光させる装置を図４に示す。

【００４０】フォトレジスト６を感光させるためのレー
ザー光源１１ａと、対物レンズ７のフォーカス用レーザ
ー光源１１ｂを備えており、レーザー光源１１ａには、
例えばＡｒレーザーが使用され、レーザー光源１１ｂに
は、例えばＨｅ−Ｎｅレーザーが使用される。

【００４１】レーザー光源１１ａからのレーザー光は、
ノイズ抑制装置１２ａにより光ノイズが低減された後、
ミラー１９、２０で反射され、ビームスプリッタ３１に
よって２分割され、それぞれ、光変調器２２ａ、２２ｂ
に入射する。光変調器２２ａ、２２ｂとしては、例えば
音響光学素子を用いることができ、その場合、光変調器
２２ａ、２２ｂの前後に集束レンズ２１ａ、２１ｂを配
置する。

【００４２】光変調器２２ａを通ったレーザー光は光偏
向器２３に入射した後、プリズムミラー３３で直角方向
に反射される。光偏向器２３としては、例えば、電気光
学素子、あるいは音響光学素子を用いることができ、レ
ーザー光の進行方向を変えることができる。一方、光変
調器２２ｂを通ったレーザー光は（１／２）波長板３２
に入射し、レーザー光の偏光面が９０度回転される。

【００４３】さらに、レーザー光はビームエキスパンダ
ー２４によって適当なビーム径に拡大され、２色ミラー
１５によって対物レンズ７に入射する。そして、対物レ
ンズ７によってガラス基板５上のフォトレジスト６に感
光用光スポット３として集光される。

【００４４】尚、上記の光変調器２２ａ、２２ｂ、光偏
向器２３、ビームエキスパンダー２４は、それぞれ、ド
ライバー２５ａ、２５ｂ、２６、２７により制御されて
いる。

【００４５】一方、レーザー光源１１ｂからのレーザー
光は、ノイズ抑制装置１２ｂにより光ノイズが低減され
た後、偏光ビームスプリッター１３、（１／４）波長板
１４、２色ミラー１５を通り、対物レンズ７によってガ
ラス基板５上のフォトレジスト６に集光される。

【００４６】その反射光は、対物レンズ７により再び集
光され、２色ミラー１５、（１／４）波長板１４、偏光
ビームスプリッター１３を通り、対物レンズ１６及びシ
リンドリカルレンズ１７によって光検出器１８に集光さ
れる。光検出器１８からの信号に基づいて、フォーカス
サーボ系が対物レンズ７をフォーカス方向に駆動し、ス
ピンドルモーターで回転しているガラス基板５上のフォ
トレジスト６に対物レンズ７の焦点が合わされる。

【００４７】上記の構成において、まず光ビームスポッ
トの位置決めを行う。すなわち、２本の光スポットが半
径方向に所定の平均距離だけ離れた位置に配置されるよ
うに、ドライバー２６により、光偏向器２３に印加され
る直流電圧の大きさと、プリズムミラー３３のセッティ
ング角度とが調整される。その後、グルーブの一方の側
壁だけがアドレス情報に応じて蛇行している領域でのみ
上記の直流電圧に蛇行周波数の信号電圧を重畳させた電
圧をドライバー２６により光偏向器２３に印加する。こ
れによりグルーブの一方の側壁だけがアドレス情報に応
じて蛇行している領域を形成することができる。

【００４８】なお、ドライバー２５ａ、２５ｂにより、
光変調器２２ａ、２２ｂに電圧を印加することにより、
光スポットをオン・オフすることができる。

【００４９】また、本実施の形態の光ディスク基板５
は、上記のもの限らず、図５（ａ）〜図５（ｆ）のプロ
セスで作成したスタンパーを用いて、射出成型もしくは
射出圧縮成型によるプラスチック樹脂からなるものでも
よい。

【００５０】（ａ）ガラス基板５の片面にフォトレジス
ト６を塗布する。

【００５１】（ｂ）レーザー光を対物レンズ７によって
フォトレジスト６上に集光し、フォトレジスト６を所望
のグルーブ１のパターンに感光させる。

【００５２】（ｃ）現像することにより、感光させたフ
ォトレジスト６を除去し、残ったフォトレジスト６によ
り所望のパターンを形成する。

【００５３】（ｄ）フォトレジスト６からなるパターン
上に導電性の薄膜８をスパッタ、あるいは、無電解メッ
キなどによって形成する。

【００５４】（ｅ）薄膜８上に金属層９を電鋳などによ
って形成する。

【００５５】（ｆ）ガラス基板５、フォトレジスト６か
ら剥離する。

【００５６】尚、薄膜８の材料には、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｒ
またはその合金、あるいはそれらの複合膜が用いられ、
金属層９の材料にも、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｒまたはその合
金、あるいはそれらの複合膜が用いられる。

【００５７】工程（ｆ）により剥離された薄膜８、金属
層９はスタンパー１０と呼ばれ、このスタンパー１０を
用いて、射出成型もしくは射出圧縮成型によりプラスチ
ックからなる光ディスク基板５が製造される。プラスチ
ック材料には、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、
エチレン樹脂、エステル樹脂、ナイロン樹脂、ＡＰＯな
どの熱可塑性樹脂が用いられる。

【００５８】また、本実施の形態のスタンパー１０の製
造方法は、上記に限らず、一方の側壁１ａが蛇行したマ
スク原盤を作成し、マスク原盤を用いて製造してもよ
い。

【００５９】また、光ディスク基板５の材料、製造方法
は上記のものに限られるものではない。

【００６０】尚、以上では、アドレス情報を側壁の蛇行
周波数の信号成分を取り出すことによって得ているが、
アドレス情報を蛇行の形状、蛇行の個数を読み取ること
によって得ても良い。このようにすれば、製造時に、蛇
行周波数を変化させる必要がなくなり、制御機構が簡易
なものとなる。

【００６１】以上のように、本実施の形態では、図１に
示したように、一方の側壁１ａのみが蛇行している第１
の領域においてビームスポットがオフセットした場合で
も、側壁１ａが蛇行していない第２の領域でそのオフセ
ットを修復できる。

【００６２】また、蛇行形状を曲線状のものとしている
ため、樹脂で光ディスクを製造する時に、樹脂が流れ込
み易くなり、成形性が向上する。

【００６３】さらに、蛇行形状が曲線状になっているた
め、その蛇行部分（第１の領域）からアドレス情報を読
み出す際に、高周波ノイズが生じにくくなり、確実にア
ドレス情報を読み出すことが可能となる。これは、本願
のように、一部分のみにアドレス情報を記録しておく場
合には、非常に重要である。

【００６４】〔実施の形態２〕 本発明の他の光ディスク基板の実施の形態２について図
２に基づいて説明すれば、以下のとおりである。

【００６５】本実施の形態に用いられる光ディスク基板
５は、〔実施の形態１〕の光ディスク基板５と同じ特
徴、基板材料、製造プロセスを有しており、グルーブ深
さ（ランド高さ）が異なるものである。

【００６６】上記の光ディスク基板５のグルーブ深さ
（ランド高さ）は、λ／６ｎ近傍〔基板の屈折率：ｎ、
記録波長：λ〕となっており、グルーブ深さ（ランド高
さ）を変えるには、エッチング比を変更したり、エッチ
ング条件を変えたり、スタンパー１０のグルーブ深さ
（ランド高さ）をλ／６ｎ近傍にするか、成型条件を変
えることにより行う。

【００６７】光ディスク基板５のグルーブ深さ（ランド
高さ）が、λ／６ｎ近傍であると、トラック間のクロス
トーク（隣接トラック信号からの回り込みノイズ）を低
減でき、高密度化が可能になる。

【００６８】〔実施の形態３〕 本発明の他の光ディスク基板の実施の形態について図２
に基づいて説明すれば、以下のとおりである。

【００６９】本実施の形態に用いられる光ディスク基板
５は、〔実施の形態１〕の光ディスク基板５と同じ特
徴、基板材料、製造プロセスを有しており、グルーブ深
さ（ランド高さ）が異なるものである。

【００７０】上記の光ディスク基板５のグルーブ深さ
（ランド高さ）は、λ／８ｎ近傍〔基板の屈折率：ｎ、
記録波長：λ〕となっており、グルーブ深さ（ランド高
さ）を変えるには、エッチング比を変更したり、エッチ
ング条件を変えたり、スタンパー１０のグルーブ深さ
（ランド高さ）をλ／８ｎ近傍にするか、成型条件を変
えることにより行う。

【００７１】光ディスク基板５のグルーブ深さ（ランド
高さ）が、λ／８ｎ近傍であると、トラッキング信号が
最大となり、安定したトラック追従が可能となる。

【００７２】〔実施の形態４〕 本発明の他の光ディスク基板の実施の形態について図２
に基づいて説明すれば、以下のとおりである。

【００７３】本実施の形態に用いられる光ディスク基板
５は、〔実施の形態１〕の光ディスク基板５と同じ特
徴、基板材料、製造プロセスを有しており、グルーブ深
さ（ランド高さ）が異なるものである。

【００７４】上記の光ディスク基板５のグルーブ深さ
（ランド高さ）は、λ／１０ｎ近傍〔基板の屈折率：
ｎ、記録波長：λ〕となっており、グルーブ深さ（ラン
ド高さ）を変えるには、エッチング比を変更したり、エ
ッチング条件を変えたり、スタンパー１０のグルーブ深
さ（ランド高さ）をλ／１０ｎ近傍にするか、成型条件
を変えることにより行う。

【００７５】光ディスク基板５のグルーブ深さ（ランド
高さ）が、λ／１０ｎ近傍であると、再生信号が大きく
なり、安定した再生信号特性を得ることが可能となる。

【００７６】〔実施の形態５〕 本発明の他の光ディスク基板の実施の形態について図２
に基づいて説明すれば、以下のとおりである。

【００７７】本実施の形態に用いられる光ディスク基板
５は、〔実施の形態１〕の光ディスク基板５と同じ特
徴、基板材料、製造プロセスを有しており、グルーブ深
さ（ランド高さ）が異なるものである。

【００７８】上記の光ディスク基板５のグルーブ深さ
（ランド高さ）は、λ／３ｎ以上〔基板の屈折率：ｎ、
記録波長：λ〕となっており、グルーブ深さ（ランド高
さ）を変えるには、エッチング比を変更したり、エッチ
ング条件を変えたり、スタンパー１０のグルーブ深さ
（ランド高さ）をλ／３ｎ以上にするか、成型条件を変
えることにより行う。

【００７９】光ディスク基板５のグルーブ深さ（ランド
高さ）が、λ／３ｎ以上であると、光ビームの照射強度
が強い場合においても、クロスイレース（情報の消去時
に隣のトラックの記録情報を誤って消してしまうこと）
がなくなり、光ビームの強度制御が容易となり、安定し
た消去動作を行うことが可能となる。

【００８０】〔実施の形態６〕 本発明の光ディスクの実施の形態について図６に基づい
て説明すれば、以下のとおりである。

【００８１】本実施の形態の光ディスクは、図６に示す
ように、〔実施の形態１〕〜〔実施の形態５〕の光ディ
スク基板５上に、光磁気記録層２８ａとオーバーコート
層２９とを順次形成した構成になっている。光磁気記録
層２８ａは、図示していないが、透光性を有する誘電体
層と、磁性層と、保護層と、反射層から構成されてお
り、磁性層は、例えば、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、
ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏな
どの希土類金属−遷移金属合金からなっている。

【００８２】磁性層は、室温からキュリー点まで垂直磁
化となる特性を示す。

【００８３】上記の構成において記録を行う場合、レー
ザー光を照射して磁性層の温度をキュリー点近傍まで昇
温し、磁性層の磁化がゼロもしくは記録磁界で反転する
ような状態にし、例えば、上向きの記録磁界を印加する
ことにより、磁性層の磁化を上向きに揃え、その後、同
じくレーザー光を照射して磁性層の温度をキュリー点近
傍まで昇温し、磁性層の磁化がゼロもしくは記録磁界で
反転するような状態にし、（反対向きの）下向きの記録
磁界を印加することにより、磁性層の磁化を下向きに揃
えることにより記録を行う。

【００８４】実際には、レーザー光を変調する光変調記
録方法と記録磁界を変調する磁界変調記録方法がある。

【００８５】これにより、１００万回以上書き換えが可
能な光ディスクである光磁気ディスクとなる。

【００８６】〔実施の形態７〕 本発明の光ディスクの実施の形態について図７に基づい
て説明すれば、以下のとおりである。

【００８７】本実施の形態の光ディスクは、図７に示す
ように、〔実施の形態１〕〜〔実施の形態５〕に記載の
光ディスク基板５上に、相変化型記録層２８ｂとオーバ
ーコート層２９とを順次形成した構成になっている。相
変化型記録層８ｂは、図示していないが、透光性を有す
る誘電体層と、記録層と、保護層と、反射層から構成さ
れており、記録層は、例えば、ＧｅＳｂＴｅなどの相変
化型記録材料からなっている。

【００８８】上記の構成において記録を行う場合、高パ
ワーレーザー光を照射して記録層を非晶質状態にし、低
パワーレーザー光を照射して記録層を結晶質状態にする
ことにより記録を行う。

【００８９】これにより、レーザー光のみで書き換えが
可能な光ディスクである相変化型光ディスクとなる。

【００９０】〔実施の形態８〕 本発明の光ディスクの実施の形態８について図８に基づ
いて説明すれば、以下のとおりである。

【００９１】本実施の形態の光ディスクは、図８に示す
ように、〔実施の形態１〕〜〔実施の形態５〕に記載の
光ディスク基板５上に、光磁気記録層２８ｃとオーバー
コート層２９とを順次形成した構成になっている。光磁
気記録層２８ｃは、図示していないが、透光性を有する
誘電体層と、再生磁性層と、記録磁性層と、反射層から
構成されており、再生磁性層は、例えば、ＧｄＦｅＣ
ｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏなどの希土類金属−遷移金属合
金、記録磁性層は、例えば、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣ
ｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏなどの希土類金属−遷移金属合金からなっている。

【００９２】再生磁性層は、室温から所定温度まで面内
磁化となり、所定温度から垂直磁化となる特性を示し、
記録磁性層は、室温からキュリー点まで垂直磁化となる
特性を示す。

【００９３】上記の構成において記録を行う場合は〔実
施の形態６〕と同じであり、再生は次のように行われ
る。再生磁性層に光ビームが照射されると、照射された
部位の温度分布はガウス分布になるので、光ビームの径
より小さい領域のみの温度が上昇する。この温度上昇に
伴って、温度上昇部位の磁化は、面内磁化から垂直磁化
に移行する。つまり、再生磁性層と記録磁性層の２層間
の交換結合により、記録磁性層の磁化の向きが再生磁性
層に転写される。温度上昇部位が面内磁化から垂直磁化
に移行すると、温度上昇部位のみが磁気光学効果を示す
ようになり、温度上昇部位からの反射光に基づいて記録
磁性層に記録された情報が再生される。

【００９４】そして、光ビームが移動して次の記録ビッ
トを再生するときは、先の再生部位の温度は低下し、垂
直磁化から面内磁化に移行する。これに伴って、この温
度の低下した部位は磁気光学効果を示さなくなり、記録
磁性層に記録された磁化は再生磁性層の面内磁化にマス
クされて再生されなくなる。これにより、雑音の原因で
ある隣接ビットからの信号が混入することがなくなる。

【００９５】以上のように、所定温度以上の温度を有す
る領域のみを再生に関与させるので、光ビームの径より
小さい記録ビットの再生が行え、記録密度は著しく向上
することになる。

【００９６】尚、再生磁性層と、記録磁性層との間に誘
電体層が形成され、再生時の記録磁性層からの漏洩磁界
を用いて、再生磁性層を再生するタイプでもよい。

【００９７】〔実施の形態９〕 本発明の光ディスクの光記録再生方法の実施の形態につ
いて図１に基づいて説明すれば、以下のとおりである。

【００９８】〔実施の形態６〕〜〔実施の形態８〕の光
ディスクにおける情報の記録は、グルーブ１及び／また
はランド２の、側壁１ａの形成された第１の領域と側壁
１ｂの形成された第２の領域の両方に行うことができる
が、側壁１ｂが形成された第２の領域のみに情報を記録
するようにすれば、高密度化の点では劣るものの、情報
を記録する部分におけるランド及び／またはグルーブの
幅が均一となるため、反射率が一定となり、情報再生信
号が安定化する。

【００９９】さらに、第１の領域における側壁の蛇行周
波数を第２の領域における情報の記録周波数並に高める
ことが可能となるため、第１の領域の大きさを低減する
ことができる。

【０１００】なお、記録再生用光スポット４をグルーブ
１に追従させるか、ランド２に追従させるかは、トラッ
キング信号の極性を反転することによって容易に選択で
きる。

【０１０１】

【発明の効果】本発明によれば、側壁の両方が蛇行して
いない第２の領域のみに情報を記録することにより、情
報記録部分におけるランド及びグルーブの幅が均一とな
るため、反射率が一定となり、情報再生信号が安定化す
る。さらに、この場合、アドレス情報を記録する第１の
領域と情報を記録する第２の領域とが分離しているた
め、従来のように側壁の蛇行周波数を記録情報の記録周
波数よりもかなり低く設定しておく必要がなくなる。従
って、第１の領域における側壁の蛇行周波数を第２の領
域における情報の記録周波数並に高めて、第１の領域の
大きさを低減することができる。

【０１０２】また、蛇行形状を曲線状のものとしている
ため、製造時に樹脂が流れ込み易くなり、成形性が向上
する。

【０１０３】さらに、蛇行形状が曲線状になっているた
め、その蛇行部分（第１の領域）からアドレス情報を読
み出す際に、高周波ノイズが生じにくくなり、確実にア
ドレス情報を読み出すことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ディスク基板の一構成例を示す概略
上面模式図である。

【図２】本発明の光ディスク基板の一構成例を示す断面
模式図である。

【図３】図１，２の光ディスク基板の製造プロセスを示
す説明図である。

【図４】図１，２の光ディスク基板の製造装置を示す説
明図である。

【図５】図１，２の光ディスク基板の他の製造プロセス
を示す説明図である。

【図６】本発明の光ディスク基板を利用した光ディスク
の構成を示す断面模式図である。

【図７】本発明の光ディスク基板を利用した他の光ディ
スクの構成を示す断面模式図である。

【図８】本発明の光ディスク基板を利用した他の光ディ
スクの構成を示す断面模式図である。

【図９】従来の光ディスク基板の構成を示す概略上面模
式図である。

【符号の説明】

１ グルーブ ２ ランド ３ 感光用光スポット ４ 記録再生用光スポット ５ ディスク基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 善照 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 広兼 順司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−195939（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−198717（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−102143（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/24

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】トラッキング用のグルーブ及びランドを有
   する光ディスク基板において、 前記グルーブ及び前記ランドは、その側壁の一方のみ
   が、一定の蛇行振幅が周期的に繰り返される波形となる
   ように曲線状に蛇行し、かつ、該側壁の蛇行形状に基づ
   く蛇行周波数がアドレス情報となっている第１の領域
   と、両方の側壁が蛇行していない第２の領域と、を有し
   てなることを特徴とする光ディスク基板。
2. 【請求項２】請求項１に記載の光ディスク基板におい
   て、 前記グルーブ深さが、λ／３ｎ以上〔基板の屈折率：
   ｎ、記録波長：λ〕に設定されてなることを特徴とする
   光ディスク基板。
3. 【請求項３】一方の側壁のみが、一定の蛇行振幅が周期
   的に繰り返される波形となるように曲線状に蛇行し、か
   つ、該側壁の蛇行形状に基づく蛇行周波数がアドレス情
   報となっている第１の領域と、両方の側壁が蛇行してい
   ない第２の領域と、を有するグルーブ及びランドの形成
   された光ディスクに対する光記録再生方法であって、 前記第２の領域のみに、情報の記録、再生、消去の少な
   くとも一つを行うことを特徴とする光ディスクの光記録
   再生方法。
4. 【請求項４】一方の側壁のみが、一定の蛇行振幅が周期
   的に繰り返される波形となるように曲線状に蛇行し、か
   つ、該側壁の蛇行形状に基づく蛇行周波数がアドレス情
   報となっている第１の領域と、両方の側壁が蛇行してい
   ない第２の領域と、を有するグルーブ及びランドの形成
   された光ディスク。