JP3490381B2 - 被膜形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、気相反応によって
成膜やエッチング等の各種プラズマ処理を行うプラズマ
処理装置およびプラズマ処理方法に関する。特に本発明
は、テープ状やフィルム状の基体（例えば磁気テープ）
に対して成膜や表面処理等のプラズマ処理を行う装置の
構成に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気テープ等のテープ状ある
いはフィルム状の基体の表面に保護膜として炭素膜等を
成膜する技術が知られている。このような技術の一例を
図３に示す。図３には、円筒状の電極であるキャンロー
ル１０３、該キャンロール１０３が回転することによ
り、移送されるテープ状あるいはフィルム状の基体１１
５、一方の電極である平板電極３００、平板電極３００
にマッチングボックス１０７とブロッキングコンデンサ
ー１０６を介して高周波電力を供給する高周波電源１０
８が示されている。基体１１５は、送り出しローラー１
１３から送り出され、ガイドローラー１０４を介してキ
ャンロール１０３に移送される。そしてキャンロール１
０３と電極３００との間で行われる高周波放電によって
基体１１５の表面には炭素被膜が成膜される。原料ガス
は、ガス供給系１０２から供給される。炭素被膜を成膜
する場合には、エチレン等の炭化水素気体の原料ガスが
用いられる。

【０００３】成膜の終わった基体１１５は、ガイドロー
ラー１０４を経て、巻取りローラー１１４に巻き取られ
る。基体１１５の表面に行われる炭素被膜の成膜は、基
体を移送しながら連続的に行われる。図３に示す装置
は、送り出しローラー１１３が配置された送り出し室１
１１と巻取りローラー１１４が配置された巻取り室１１
２とを大気圧状態とし、成膜が行われる室１０１を減圧
状態とするため、バッファ室１１０を設け、差動排気シ
ステムとした例である。チャンバー１００を構成する材
料は、普通ステンレスやアルミニウムが用いられる。１
０９は成膜室１０１の排気を行うための排気ポンプであ
る。１１６は、バッファ室の排気を行うための排気ポン
プである。

【０００４】一方の電極を構成するキャンロール１０３
は、図面の奥行き方向または手前方向が長手方向となる
円筒状であり、接地されている。即ち、平板電極３００
がカソード電極、キャンロール１０３がアノード電極と
なる。

【０００５】図３に示すような構成において、基体１１
５として磁気テープ等の長尺ものを用いた場合、その生
産性を高めるためにできるだけ基体の移送速度を大きく
する必要がある。しかし基体１１５の移送速度を大きく
した場合、基体１１５の表面に成膜される膜厚が薄くな
るという問題が生じる。また、表面保護膜として炭素被
膜またはその他被膜を用いようとする場合、その密着性
が問題となる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以下に示す
事項の少なくとも一つの課題を解決し、生産性の高いプ
ラズマ処理システムを得ることを目的とする。 （１）成膜速度を大きくする。 （２） 密着性の高い膜質を実現する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、１つの一方の
電極と前記１つの一方の電極と対する複数の他方の電極
を反応室に設け、前記１つの一方の電極と前記複数の他
方の電極の間に磁性材料を有する基体を移送し、前記反
応室に原料ガスを導入し、前記複数の他方の電極に高周
波電力を供給し、前記原料ガスをプラズマ化し、前記基
体に炭素膜を形成する被膜形成方法であって、前記１つ
の一方の電極と前記複数の他方の電極との間の距離を前
記基体を移送する方向に沿って減少させることを特徴と
する。

【０００８】また、他の本発明は、１つの一方の電極と
前記１つの一方の電極と対する複数の他方の電極を反応
室に設け、前記１つの一方の電極と前記複数の他方の電
極の間に磁性材料を有する基体を移送し、前記反応室に
原料ガスを導入し、前記複数の他方の電極に高周波電力
を供給し、前記原料ガスをプラズマ化し、前記基体に炭
素膜を形成する被膜形成方法であって、前記複数の他方
の電極の面積を前記基体を移送する方向に沿って減少さ
せることを特徴とする。

【０００９】また、他の本発明は、反応室に１つの円筒
形の回転体と前記１つの円筒形の回転体に対する複数の
電極とを設け、前記１つの円筒形の回転体と前記複数の
電極の間に磁性材料を有する基体を移送し、前記反応室
に原料ガスを導入し、前記複数の電極に高周波電力を供
給し、前記原料ガスをプラズマ化し、前記処理された基
体に炭素膜を形成する被膜形成方法であって、前記１つ
の円筒形の回転体と前記複数の電極との距離を前記基体
を移送する方向に沿って減少させることを特徴とする。

【００１０】また、他の本発明は、反応室に１つの円筒
形の回転体と前記１つの円筒形の回転体に対する複数の
電極とを設け、前記１つの円筒形の回転体と前記複数の
電極の間に磁性材料を有する基体を移送し、前記反応室
に原料ガスを導入し、前記複数の電極に高周波電力を供
給し、前記原料ガスをプラズマ化し、前記処理された基
体に炭素膜を形成する被膜形成方法であって、前記複数
の電極の面積を前記基体を移送する方向に沿って減少さ
せることを特徴とする。

【００１１】

【作用】円筒状を有した１つの一方の電極に対向させ
て、複数の他方の電極を設けることで、両電極間で行わ
れるプラズマ反応の効率を実質的に高めることができ
る。特に円筒状を有した１つの一方の電極に沿ってテー
プ状あるいはフィルム状の基体を移送させ、該基体上に
連続して成膜を行っていく構成において、実質的な成膜
速度を他方の電極の数に比例して高めることができる。

【００１２】また、１つの一方の電極に対して他方の電
極を複数設け、１つの一方の電極と前記複数の他方の電
極との距離を基体を移送する方向に沿って減少させる構
成をとり、炭素被膜を成膜した場合、基体表面に近い部
分から膜の表面に向かって徐々にその硬度が高い膜質と
することができる。このような膜は、基体との密着性が
高く、しかもその表面が硬い炭素被膜となる。

【００１３】また、１つの一方の電極に対して他方の電
極を複数設け、他方の電極の面積を基体を移送する方向
に沿って減少させる構成をとり、炭素被膜を成膜した場
合、基体表面に近い部分から膜の表面に向かって徐々に
その硬度が高い膜質とすることができる。このような膜
は、基体側に行くほど柔らかく、基体との密着性に優
れ、同時に表面にいくほど硬質で耐磨耗性に優れた炭素
被膜となる。

【００１４】

【実施例】以下に実施例を示す。以下の実施例において
は、テープ状またはフィルム状の基体に炭素被膜を成膜
する例を示す。しかし基体としては他の材料を用いても
よいことはいうまでもない。また以下に示す実施例にお
いては、一方の電極を円筒状のものとしたが、円筒状で
はなく平板型電極としてもよい。

【００１５】〔実施例１〕 本実施例は、図１に示す構成において、複数の電極１０
５それぞれにおいて、キャンロール１０３との間隔を異
ならせて設けた例である。図６に本実施例の電極部分を
拡大した概略図を示す。図６には、チャンバーや排気装
置が示されていないが、図６に示されていない構成、あ
るいは特に説明しない構成は、図１に示されている物と
同様である。

【００１６】図６に示す構成では、電極４００から電極
４０４にかけて、キャンロール１０３との距離Ｘ_１〜Ｘ
_５を順次小さくしていく構成としている。

【００１７】キャンロール１０３と電極４００〜４０４
のそれぞれとは、それぞれ一対の電極を形成している。
即ち、共通の一方の電極であるキャンロール１０３と、
複数の他方の電極４００〜４０４とは、それぞれ一対の
電極を構成している。

【００１８】炭素被膜の成膜において、一対の電極間の
間隔を広くすれば、その膜の硬度を低くすることがで
き、一対の電極間の間隔を狭くすれば、その膜の硬度を
高くすることができることが、本発明者らの知見として
得られている。

【００１９】従って、１１５で示されるテープ状あるい
はフィルム状の基体を矢印で示す方向に移送し、一方の
電極であるキャンロール１０３と他方の電極である平板
電極４００〜４０４との間で炭素被膜を成膜した場合、
キャンロール１０３と平板電極４００との間で比較的硬
度の低い炭素被膜を成膜し、基体１１５が移送されるに
従って順次硬度の高い炭素被膜を成膜する構成とするこ
とができる。

【００２０】こうして、基体との密着性が高く、しかも
その表面が硬い炭素被膜をテープ状あるいはフィルム状
の基体表面に連続して成膜することができる。

【００２１】以下に成膜例の条件を示す。また電極の寸
法は図１に示す参考例１の場合と同様である。 成膜圧力 １Ｔｏｒｒ 原料ガス Ｃ_２Ｈ_４／Ｈ_２ ＝３０００／１０００ＳＣＣＭ 電源出力(１３．５６ＭＨｚ) ５ｋＷ Ｘ_１＝１８ｍｍ Ｘ_２＝１５ｍｍ Ｘ_３＝１２ｍｍ Ｘ_４＝９ｍｍ Ｘ_５＝６ｍｍ 移送速度８０ｍ／分 上記の条件で成膜を行うことによって、およそ１５０Å
の膜厚に密着性がよく、同時に耐磨耗性に優れた炭素被
膜を形成することができる。

【００２２】図６に示す構成においては、複数配置され
た電極４００〜４０４を平板電極としたが、これら電極
４００〜４０４を図２に示すような所定の曲率を有する
構成としてもよい。即ち、キャンロール１０３と各電極
との距離が場所に寄らず概略一定の値となるように、電
極４００〜４０４に曲率を与えてもよい。

【００２３】図６に示す構成においては、電極４００〜
４０４に接続される電源を共通なものとし、供給される
高周波電力とその周波数を同一なものとした。しかし、
図４や図５に示すように電極４００〜４０４に独立に電
源を接続する構成としてもよい。

【００２４】〔実施例２〕 本実施例は、参考例１（図１参照）に示すような構成に
おいて、複数配置された電極１０５の面積をそれぞれ異
ならせた構成を特徴とする。図１に示すように、複数の
電極に対して共通の電源１０８を設けた場合、各電極に
は概略同じ電力が配分される。放電の強さに関係するパ
ラメータは、電力密度（電極に供給されるパワーを電極
面積で割った値）であるので、図１に示すような場合に
各電極の面積を変化させることで、放電の強さは各電極
において異なることになる。

【００２５】従って、テープ状あるいはフィルム状の基
体１１５が移送される方向に向かって、５つ配置されて
いる電極１０５の面積を徐々に小さくしていった場合、
放電に際する電力密度を基体１１５が移送される方向に
向かって５段階に渡り徐々に大きくしていく構成を実現
できる。

【００２６】そして、基体１１５を移送させながら炭素
被膜の成膜を行うことで、基体側から徐々にその硬度を
高くした炭素被膜を成膜することができる。換言すれ
ば、基体側に行くほど柔らかく、基体との密着性に優
れ、同時に表面にいくほど硬質で耐磨耗性に優れた炭素
被膜を得ることができる。

【００２７】〔参考例１〕 本参考例は、磁気テープの表面に炭素膜を成膜するため
のものである。図１に本参考例の概要を示す。図１にお
いて、１００はステンレスで構成された真空チャンバー
であり内部の反応室１０１を減圧状態にすることができ
る。反応室１０１を減圧状態とするには、排気ポンプ１
０９を動作させることによって行われる。反応室１０１
には、原料ガスとしてメタンガスと水素ガスとが供給系
１０２から供給される。炭素膜の成膜は、磁気テープ１
１５の表面に行われる。磁気テープ１１５の表面には、
予め磁性材料が蒸着やスパッタ法によって層状に形成さ
れているポリイミド等の樹脂材料を用いる。

【００２８】この磁気テープ１１５は、送り出しロール
１１３から送り出され、ガイドローラー１０４を介して
キャンロール１０３に導かれる。キャンロール１０３が
回転することによって、磁気テープ１１５は移送される
ことになる。そしてキャンロール１０３と複数設けられ
た電極１０５との間に形成される気相反応空間におい
て、磁性材料が予め形成された磁気テープ１１５の表面
に炭素膜が形成される。

【００２９】成膜が行われた磁気テープは、ガイドロー
ラー１０４を経て、巻取りロール１１４に巻き取られ
る。送り出しロール１１３が配置されている送り出し室
１１１、及び巻取りロール１１４が配置されている巻取
り室１１２とは、常圧に保持されている。これらの室と
減圧状態に保たれる反応室１０１とは、バッファ室１１
０を介して連結されている。バッファ室１１０は、排気
ポンプ１１６によって、反応室１０１と常圧である室１
１１、１１２との中間の圧力に保たれる。このバッファ
室は、反応室１０１と室１１１、１１２との間の圧力差
を緩和させるためのものである。図１においては、各１
つのバッファ室を設けた例が示されているが、バッファ
室の数をさらに多くしてもよい。

【００３０】キャンロール１０３は、図面の奥行き方向
または手前方向が長手方向となる円筒形状であり、その
長さは磁気テープ１１５の幅より大きいことが必要とさ
れる。電極１０５は平板電極であり、図面の奥行き方向
または図面手前方向に長手方向を有する長方形を有して
いる。その長さは、キャンロール１０３の長さと同じで
ある。

【００３１】複数の電極１０５には、高周波電源１０８
より１３．５６ＭＨｚの高周波電力が、マッチングボッ
クス１０７とブロッキングコンデンサー１０６を介して
供給される。

【００３２】図１に示す構成においては、キャンロール
１０３の直径は６５０ｍｍであり、その長さは９００ｍ
ｍである。また平板電極１０５は幅は９０ｍｍ、長さは
９００ｍｍの長方形を有している。そしてこの平板電極
１０５は５つ設けられている。またキャンロール１０３
と平板電極の中心部との距離は８ｍｍである。このキャ
ンロール１０３と平板電極の中心部との距離は、１０ｍ
ｍ以下とすることが望ましい。このことは高い成膜速度
や高い硬度を有する炭素被膜を得るために極めて重要な
事項である。

【００３３】以下に成膜条件の例を示す。以下における
例は、磁気テープ１１５として、その表面に磁性材料が
０．２ｍｍの厚さに蒸着された幅７００ｍｍ、長さ５ｋ
ｍのポリイミドフィルムを用いる場合の例である。 原料ガス エチレン／水素＝３０００／１０００ｓｃｃｍ 高周波電力 ５ｋＷ（１３．５６ＭＨｚ） 成膜圧力 １Ｔｏｒｒ なお磁気テープ１１３の移送速度は１００ｍ／分であ
る。

【００３４】〔参考例２〕 図１に示す構成においては、キャンロール１０３を接地
する構成を示した。これは、キャンロール１０３に高周
波電源を接続させた場合、導電体である磁性材料がその
表面に形成されたテープ状あるいはフィルム状の基体に
高周波が乗ることになり、成膜の安定性や安全性に問題
が生じるからである。しかし、基体に絶縁体を用いるの
であれば、キャンロール１０３に高周波電源を接続し、
複数設けられた平板電極１０５を接地する構成としても
よい。即ち、キャンロール１０３をカソード電極とし、
複数設けられた平板電極１０５をアノード電極としても
よい。

【００３５】〔参考例３〕 本参考例は、図１に示す構成において、平板電極１０５
を平板ではなく、Ｒ（曲率）をもたせた構成としたこと
を特徴とする。図２に本参考例の構成を示す。図２にお
いて、図１と同じ符号は図１と同じ部分を示す。図２に
示す構成において図１と異なるのは、２００で示される
電極部分である。この電極２００は、キャンロール１０
３の曲面に対応させた曲率を有している。本参考例にお
いても参考例１と同様に電極２００は５つ配置されてい
る。

【００３６】２００で示される電極は、キャンロール１
０３の表面に対して概略同心円の関係になるように配置
されている。即ち、キャンロール１０３の中心と所定の
曲率を有した複数の電極２００で構成される円の中心と
は概略同一になるように構成されている。従って、キャ
ンロール１０３の表面と複数の電極２００との間の距離
はどこでも概略一定となっている。

【００３７】図２の２００で示すような形状の電極とす
ることによって、接地された電極であるキャンロール１
０３と高周波電源１０８に接続された複数の電極２００
との間の距離を一定または概略一定とすることができ、
安定した放電を起こすことができる。

【００３８】〔参考例４〕 本参考例は、参考例１（図１参照）に示す構成におい
て、複数設けられている電極１０５のそれぞれに独立し
た電源を接続した例である。本参考例の構成を図４に示
す。図４に示す符号で図１と同じものは図１に示すもの
と同様である。

【００３９】図４に示すように、電極４００〜４０４に
は、それぞれ独立した電源４１５〜４１９がマッチング
ボックス４１０〜４１４、ブロッキングコンデンサー４
０５〜４０９を介して接続されている。

【００４０】電源４１５〜４１９は、順にその出力が大
きくなるように構成されている。基体である磁気テープ
１１５は、電極４００から電極４０４へと順次通過して
いく。従ってこの場合、磁気テープ１１５の表面には徐
々に強い放電パワーで成膜が行われていく状態が実現さ
れる。

【００４１】炭素の被膜の成膜において、放電パワーを
強くすると高い硬度を有する膜質を得ることができ、逆
に放電パワーを小さくすると低い硬度を有する膜質が得
られることが本発明者らの実験により判明している。従
って、この場合、磁気テープ表面には、徐々に硬い膜が
成膜されていくことになる。

【００４２】また本発明者らの知見によれば、硬度の低
い膜質は基体との密着性に優れ、硬度の高い膜質は耐磨
耗性に優れている。しかし、硬度が低い膜質は耐磨耗性
が低く、硬度の高い膜は基体との密着性が悪いので、基
体から剥がれやすいという問題がある。

【００４３】この問題を解決するための方法として、基
体と接する部分の膜質を低硬度とし、その表面を高硬度
とした傾斜構造を有した炭素被膜を実現する方法があ
る。こうすることで、基体と接する部分を低硬度とする
ことによって、高い密着性を実現し、同時にその表面を
高硬度とすることによって、高い耐磨耗性を実現するこ
とができる。

【００４４】以下に成膜例を示す。ここでは、基体であ
る磁気テープ１１５として、幅７００ｍｍでその表面
（炭素膜が成膜される面側）に磁性材料が蒸着されたも
のを用いる。以下の成膜条件を示す。なお電源の周波数
は、全て１３．５６ＭＨｚとする。 成膜圧力 １Ｔｏｒｒ 移送速度 ８０ｍ／分 原料ガス Ｃ_２Ｈ_４／Ｈ_２ ＝３０００／１０００ＳＣＣＭ 電極間隔 ８ｍｍ 電源４１５の出力 ７００Ｗ 電源４１６の出力 ９００Ｗ 電源４１７の出力 １１００Ｗ 電源４１８の出力 １３００Ｗ 電源４１９の出力 １５００Ｗ 上記のような条件で成膜を行うことにより、およそ１５
０Åの厚さに炭素被膜を成膜することができる。上記の
ような条件で成膜を行うことにより、基体側から順次硬
度の高い炭素被膜を連続的に成膜することができる。そ
して、密着性と耐磨耗性に優れた炭素被膜を成膜するこ
とができる。

【００４５】上記の例では、基体である磁気テープ１１
５は移送される方向、即ち複数の電極４００〜４０４が
配置された方向に向かって、それぞれの電極４００〜４
０４に供給される電力を大きくした。しかし、電力値の
変化のさせ方は上記例に限定されるものではない。例え
ば、表面層のみを硬い膜質とした場合には、４０３と４
０４あるいは４０４に供給される電力値を大きなものと
すればよい。

【００４６】〔参考例５〕 本参考例は、図４に示す構成において、電極４００〜４
０４を所定の曲率を有するものとした例である。図５に
本参考例の構成を示す。図５において図４と同じ符号は
図４に示すものと同様の箇所を示す。

【００４７】電極５００〜５０４は同じ曲率を有してい
る。これら電極５００〜５０４で構成される曲面は、一
方の電極であるキャンロール１０３の表面で構成される
曲面（円柱の表面）と概略同心円の関係にある。即ち、
電極５００〜５０４で構成される曲面（円柱）の中心
と、一方の電極であるキャンロール１０３の表面で構成
される曲面（円柱の表面）の中心とは概略同一である。
従って、キャンロール１０３と電極５００〜５０４との
間隔は場所に関係無く、概略一定なものとなる。

【００４８】本参考例の構成を採用することで安定した
放電を行うことができる。なお、動作の方法について
は、参考例４に説明したのと同様である。

【００４９】〔参考例６〕 本参考例は、図７に示すように、複数設けられた電極４
００〜４０４に共通の電源６００からそれぞれ異なるマ
ッチングボックス４１０〜４１４、ブロッキングコンデ
ンサー４０５〜４０９を介して高周波電力を供給する例
である。

【００５０】ブロッキングコンデンサー４０５〜４０９
を同じものとし、マッチングボックス４１０〜４１４を
同じマッチング条件とした場合、各電極４００〜４０４
に供給される電力値は、概略同じものとなる。しかし、
各マッチングボックスにおいてマッチング条件を異なら
せた場合、電極４００〜４０４に供給される電力値はマ
ッチング条件に応じて異なることになる。

【００５１】例えば、マッチングボックス４１４におけ
るマッチング条件を反射波０の状態（完全にインピーダ
ンスマッチングがとれた状態）とし、４１３〜４１０に
いくに従って、徐々にそのマッチング条件をずらしてい
った場合、各電極に供給される高周波電力の実効値は、
電極４０４から電極４００にいくに従って、徐々にその
値が小さなものとなる。即ち、共通の電源を用いて、各
電極に少しづつ異なるパワーの高周波電力を供給するこ
とができる。

【００５２】本参考例のような構成を採用することによ
り、図４に示した場合と同様の作用効果を得ることがで
きる。

【００５３】

【発明の効果】１つの一方の電極に対して他方の電極を
複数設け、１つの一方の電極と複数の他方の電極との距
離を基体を移送する方向に沿って減少させることによっ
て、成膜速度を高めることができるとともに、基体との
密着性を高めることができる。

【００５４】また、１つの一方の電極に対して他方の電
極を複数設け、他方の電極の面積を基体を移送する方向
に沿って減少させることによって、成膜速度を高めるこ
とができるとともに、基体との密着性を高めることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 参考例の概略の構成を示す。

【図２】 参考例の概略の構成を示す。

【図３】 従来の例の構成を示す。

【図４】 参考例の概略の構成を示す。

【図５】 参考例の概略の構成を示す。

【図６】 実施例の概略の構成を示す。

【図７】 参考例の概略の構成を示す。

【符号の説明】

１００・・・・・・チャンバー １０２・・・・・・ガス供給系 １０３・・・・・・キャンロール（電極） １０４・・・・・・ガイドローラー １０５・・・・・・電極 １０６・・・・・・ブロッキングコンデンサー １０７・・・・・・マッチングボックス １０８・・・・・・高周波電源 １０９、１１６・・排気ポンプ １１０・・・・・・バッファー室 １１１・・・・・・送り出し室 １１２・・・・・・巻取り室 １１３・・・・・・送りだしロール １１４・・・・・・巻き取りロール １１５・・・・・・テープ状あるいはフィルム状の基体 ２００・・・・・・電極 ３００・・・・・・電極 ４００〜４０４・・電極 ４０５〜４０９・・ブロッキングコンデンサー ４１０〜４１４・・マッチングボックス ４１５〜４１９・・高周波電源 ５００〜５０４・・電極 ６００・・・・・・高周波電源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 - 21/31 H05H 1/46

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】１つの一方の電極と前記１つの一方の電極
   と対する複数の他方の電極を反応室に設け、 前記１つの一方の電極と前記複数の他方の電極の間に磁
   性材料を有する基体を移送し、 前記反応室に原料ガスを導入し、 前記複数の他方の電極に高周波電力を供給し、 前記原料ガスをプラズマ化し、 前記基体に炭素膜を形成する被膜形成方法であって、 前記１つの一方の電極と前記複数の他方の電極との間の
   距離を前記基体を移送する方向に沿って減少させること
   を特徴とする被膜形成方法。
2. 【請求項２】１つの一方の電極と前記１つの一方の電極
   と対する複数の他方の電極を反応室に設け、 前記１つの一方の電極と前記複数の他方の電極の間に磁
   性材料を有する基体を移送し、 前記反応室に原料ガスを導入し、 前記複数の他方の電極に高周波電力を供給し、 前記原料ガスをプラズマ化し、 前記基体に炭素膜を形成する被膜形成方法であって、 前記複数の他方の電極の面積を前記基体を移送する方向
   に沿って減少させることを特徴とする被膜形成方法。
3. 【請求項３】反応室に１つの円筒形の回転体と前記１つ
   の円筒形の回転体に対する複数の電極とを設け、 前記１つの円筒形の回転体と前記複数の電極の間に磁性
   材料を有する基体を移送し、 前記反応室に原料ガスを導入し、 前記複数の電極に高周波電力を供給し、 前記原料ガスをプラズマ化し、 前記処理された基体に炭素膜を形成する被膜形成方法で
   あって、 前記１つの円筒形の回転体と前記複数の電極との距離を
   前記基体を移送する方向に沿って減少させることを特徴
   とする被膜形成方法。
4. 【請求項４】反応室に１つの円筒形の回転体と前記１つ
   の円筒形の回転体に対する複数の電極とを設け、 前記１つの円筒形の回転体と前記複数の電極の間に磁性
   材料を有する基体を移送し、 前記反応室に原料ガスを導入し、 前記複数の電極に高周波電力を供給し、 前記原料ガスをプラズマ化し、 前記処理された基体に炭素膜を形成する被膜形成方法で
   あって、 前記複数の電極の面積を前記基体を移送する方向に沿っ
   て減少させることを特徴とする被膜形成方法。
5. 【請求項５】前記磁性材料を有する基体は有機樹脂から
   なることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記
   載の被膜形成方法。
6. 【請求項６】前記有機樹脂はポリイミドからなることを
   特徴とする請求項５に記載の被膜形成方法。
7. 【請求項７】前記原料ガスは水素とエチレンとを有する
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載の
   被膜形成方法。
8. 【請求項８】前記原料ガスは水素とメタンとを有するこ
   とを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載の被
   膜形成方法。
9. 【請求項９】前記一方の電極と前記複数の他方の電極と
   の間の距離は１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求
   項１または２に記載の被膜形成方法。
10. 【請求項１０】前記円筒形の回転体と前記複数の電極と
    の間の距離は１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求
    項３または４に記載の被膜形成方法。
11. 【請求項１１】前記基体の表面から前記炭素膜の表面に
    向かって徐々にその硬度が高い膜を形成することを特徴
    とする請求項１乃至１０のいずれか一に記載の被膜形成
    方法。