JP3483983B2 - レーザ・エッチング停止可能な多層電子回路パッケージ - Google Patents
レーザ・エッチング停止可能な多層電子回路パッケージInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気的相互接続の目的
のために複数の内部回路面間でレーザ光による融除（本
明細書では切除とも言う）作用を使用して穴を開けられ
たブランド・バイアを有する多層回路ハッケージ及びそ
の製造方法に関する。
のために複数の内部回路面間でレーザ光による融除（本
明細書では切除とも言う）作用を使用して穴を開けられ
たブランド・バイアを有する多層回路ハッケージ及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層回路基板及び多層回路カードの製作
では、構造体の１つの層から他の層にバイア及びスルー
・ホールのようなパッセージを形成する必要がある。こ
のようなパッセージは、機械的、化学的に或いは回路基
板の材料を気化または焼失させるために様々な波長のレ
ーザを使用して形成される。ブラインド・バイアは、基
板或いはカードを完全には貫通しない通路である。ブラ
インド・バイアの形成後、金属のような材料がバイアの
表面に付着され、バイアに接続された２つの層の間で電
気的接続、電源接続或いはアース接続を与える。言い換
えると、ブラインド・バイアは多層構造体内の内部電気
的接続を与える接合金属のめっきのために形成される。
では、構造体の１つの層から他の層にバイア及びスルー
・ホールのようなパッセージを形成する必要がある。こ
のようなパッセージは、機械的、化学的に或いは回路基
板の材料を気化または焼失させるために様々な波長のレ
ーザを使用して形成される。ブラインド・バイアは、基
板或いはカードを完全には貫通しない通路である。ブラ
インド・バイアの形成後、金属のような材料がバイアの
表面に付着され、バイアに接続された２つの層の間で電
気的接続、電源接続或いはアース接続を与える。言い換
えると、ブラインド・バイアは多層構造体内の内部電気
的接続を与える接合金属のめっきのために形成される。
【０００３】レーザは、一般にインタプレーナの電気的
相互接続を得るために絶縁性の多層構造体の高分子誘電
体を通って金属端子領域まで、ブラインド・バイアの穴
を開けるために使用される。これらの多層構造体は、一
般に構造体の両面に積層化された同じ高分子誘電体の材
料の複数の層を含み、バイアはどちらの面にも形成され
る。このようなブラインド・バイアの穴開けにおいてレ
ーザと内部の金属端子領域との間で実行される位置決め
は、多層構造体のオペラビリティに重大な影響を与え
る。位置ずれの発生は端子領域に隣接する誘電体の材料
の切除となり、更に内部の金属面まで切除し、その後の
めっきにおいて電気的短絡を引き起こす可能性がある。
相互接続を得るために絶縁性の多層構造体の高分子誘電
体を通って金属端子領域まで、ブラインド・バイアの穴
を開けるために使用される。これらの多層構造体は、一
般に構造体の両面に積層化された同じ高分子誘電体の材
料の複数の層を含み、バイアはどちらの面にも形成され
る。このようなブラインド・バイアの穴開けにおいてレ
ーザと内部の金属端子領域との間で実行される位置決め
は、多層構造体のオペラビリティに重大な影響を与え
る。位置ずれの発生は端子領域に隣接する誘電体の材料
の切除となり、更に内部の金属面まで切除し、その後の
めっきにおいて電気的短絡を引き起こす可能性がある。
【０００４】前述のブラインド・バイア及び多層構造体
の完全な形成を複雑にしているのは、コア及び接合レベ
ルの誘電層のような連続する誘電層が、通常、同じ誘電
体の材料で形成されることにある。一方、同じ誘電体の
材料の使用は、両方の層に対して、例えばエクサイマ・
レーザによる穴開けのような同一の穴開け技術を使用で
きる、ある種の処理における利点があるが、位置ずれが
存在する場合は問題を誘発する。下側にある端子領域へ
のブラインド・バイアの穴開けの際に位置ずれが生じた
場合、内部のコア・レベルの誘電体に対する望ましくな
い不具合が生じる。かなりの位置ずれがある場合、レー
ザによって開けられるブラインド・バイアはパッケージ
内の回路層で止まらず、レーザは構造体を貫通して下に
ある金属層まで穴開けを続ける。位置ずれはパッケージ
の無欠性に潜在的に有害である。これはその後のめっき
における接合金属と電源面間において電気的短絡を生む
からである。
の完全な形成を複雑にしているのは、コア及び接合レベ
ルの誘電層のような連続する誘電層が、通常、同じ誘電
体の材料で形成されることにある。一方、同じ誘電体の
材料の使用は、両方の層に対して、例えばエクサイマ・
レーザによる穴開けのような同一の穴開け技術を使用で
きる、ある種の処理における利点があるが、位置ずれが
存在する場合は問題を誘発する。下側にある端子領域へ
のブラインド・バイアの穴開けの際に位置ずれが生じた
場合、内部のコア・レベルの誘電体に対する望ましくな
い不具合が生じる。かなりの位置ずれがある場合、レー
ザによって開けられるブラインド・バイアはパッケージ
内の回路層で止まらず、レーザは構造体を貫通して下に
ある金属層まで穴開けを続ける。位置ずれはパッケージ
の無欠性に潜在的に有害である。これはその後のめっき
における接合金属と電源面間において電気的短絡を生む
からである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は高密度構造の
製作に、設計上考慮した材料及び製作方法を提供するこ
とによって、構造体の電気的及び機械的無欠性を犠牲せ
ずに位置ずれの問題を取り除き、従来技術に存在する問
題を解決する。
製作に、設計上考慮した材料及び製作方法を提供するこ
とによって、構造体の電気的及び機械的無欠性を犠牲せ
ずに位置ずれの問題を取り除き、従来技術に存在する問
題を解決する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】それ故に本発明は少なく
とも１つの導電面、レーザ光の切除波長に対する第１の
吸光度を持つ第１の有機高分子誘電体の材料、及びレー
ザ光の切除波長に対する第２の吸光度を持つ第２の有機
高分子誘電体の材料を有し、第１及び第２の吸光度が互
いに異なる多層電子回路パッケージを提供する。第１及
び第２の有機高分子材料のうちの一方の材料よりなる第
１の層が上記導電面の少なくとも１つの表面上に設けら
れ、他方の材料の第２の層が第１の層上に設けられる。
とも１つの導電面、レーザ光の切除波長に対する第１の
吸光度を持つ第１の有機高分子誘電体の材料、及びレー
ザ光の切除波長に対する第２の吸光度を持つ第２の有機
高分子誘電体の材料を有し、第１及び第２の吸光度が互
いに異なる多層電子回路パッケージを提供する。第１及
び第２の有機高分子材料のうちの一方の材料よりなる第
１の層が上記導電面の少なくとも１つの表面上に設けら
れ、他方の材料の第２の層が第１の層上に設けられる。
【０００７】
【実施例】本発明の理解を助けるために先ず図１−３に
関して従来例を説明する。図１に示される典型的な多層
高密度構造体は、両面を誘電体の材料層２によって積層
されて囲まれた金属層１を有する。金属層１はカード全
体に付加された様々な構成要素に電気を伝える。誘電体
はまた誘電体に取り付けられた様々な構成要素に対する
絶縁体として使われる。誘電体は、様々な伝導層を絶縁
するために使われる。誘電層２中にバイア・ホールの形
成後、他の金属層３がこのホールを通してめっきにより
形成される。
関して従来例を説明する。図１に示される典型的な多層
高密度構造体は、両面を誘電体の材料層２によって積層
されて囲まれた金属層１を有する。金属層１はカード全
体に付加された様々な構成要素に電気を伝える。誘電体
はまた誘電体に取り付けられた様々な構成要素に対する
絶縁体として使われる。誘電体は、様々な伝導層を絶縁
するために使われる。誘電層２中にバイア・ホールの形
成後、他の金属層３がこのホールを通してめっきにより
形成される。
【０００８】図２は、元の構造体の両面に誘電体の材料
層４をさらに積層して付加した図１の構造体を示す。図
２においては、誘電層２中に予め形成したバイア・ホー
ルに整合して誘電層４に穴開けされるべきブラインド・
バイアの許容できる位置が示されている。
層４をさらに積層して付加した図１の構造体を示す。図
２においては、誘電層２中に予め形成したバイア・ホー
ルに整合して誘電層４に穴開けされるべきブラインド・
バイアの許容できる位置が示されている。
【０００９】図２に示される一般的な多層高密度構造体
において、２つの誘電層２及び４は同じ材料で典型的に
形成される。隣り合う層の形成に同じ誘電体の材料を使
用することには構造的及び機械的にある種の利点があ
る。しかしながら、同様のホール形成技術がアセンブリ
に実施される場合、問題がある。この問題は、特にレー
ザがホールの形成に使用される場合に顕著である。非常
に正確且つ連続的なモニタなしでは、レーザが２つの誘
電層の間の境界に近づく場合、どの位置でレーザをオフ
にするかを知ることはできない。
において、２つの誘電層２及び４は同じ材料で典型的に
形成される。隣り合う層の形成に同じ誘電体の材料を使
用することには構造的及び機械的にある種の利点があ
る。しかしながら、同様のホール形成技術がアセンブリ
に実施される場合、問題がある。この問題は、特にレー
ザがホールの形成に使用される場合に顕著である。非常
に正確且つ連続的なモニタなしでは、レーザが２つの誘
電層の間の境界に近づく場合、どの位置でレーザをオフ
にするかを知ることはできない。
【００１０】複数の層が同じ誘電体の材料から形成され
ることにより、ホールの形成プロセスは両方の層から材
料を切除することになる。言い換えると、誘電体の材料
が貫通方向に一様であるならば、誘電体の材料は単一の
材料から成る単一のプライとして処理される。もし、位
置ずれが生ずると、通常、下側にある端子領域へのブラ
インド・バイアの穴開けにおいて、内部のコア・レベル
の誘電体層まで到達するというような望ましくないこと
が生ずる。
ることにより、ホールの形成プロセスは両方の層から材
料を切除することになる。言い換えると、誘電体の材料
が貫通方向に一様であるならば、誘電体の材料は単一の
材料から成る単一のプライとして処理される。もし、位
置ずれが生ずると、通常、下側にある端子領域へのブラ
インド・バイアの穴開けにおいて、内部のコア・レベル
の誘電体層まで到達するというような望ましくないこと
が生ずる。
【００１１】図３に見られるように、この位置ずれは誘
電層２の切除につながる。全体の領域は他の金属層とし
てめっきされ、付着された金属は図３の矢印で示された
領域６の下にある金属のコアと接続される。後で行われ
るブラインド・バイア及び金属層間のコンタクト上への
めっきは電気的短絡を導く。
電層２の切除につながる。全体の領域は他の金属層とし
てめっきされ、付着された金属は図３の矢印で示された
領域６の下にある金属のコアと接続される。後で行われ
るブラインド・バイア及び金属層間のコンタクト上への
めっきは電気的短絡を導く。
【００１２】本発明は、同じ高分子誘電体の材料の２つ
の層を使用するよりも、異なる吸光度を持つ高分子誘電
体の層を用いる。本発明では使用される２つの高分子材
料の層が異なる光学特性を持つことに意義がある。実際
に高分子材料は、エレクトロニック・パッケージの誘電
体構成要素として本発明での使用が妥当である限り、他
の全ての物理的特性は本質的に同一である。
の層を使用するよりも、異なる吸光度を持つ高分子誘電
体の層を用いる。本発明では使用される２つの高分子材
料の層が異なる光学特性を持つことに意義がある。実際
に高分子材料は、エレクトロニック・パッケージの誘電
体構成要素として本発明での使用が妥当である限り、他
の全ての物理的特性は本質的に同一である。
【００１３】図５及び図６で非常に簡潔に示されている
ように本発明は２つの隣接する誘電層７及び８を有す
る。誘電層７の吸光度はα（ｎ1、λ）及び誘電層８の
吸光度はα（ｎ2、λ）であり、ｎはクロモスフォア・
コンセントレーション（chromosphore concentratio
n）、及びλは入射光（例えば、レーザ）の照射の波長
である。本発明では図６で示されるように両誘電体層の
吸光度α（ｎ1、λ）及びα（ｎ2、λ）が相違すること
が必要である。誘電層８は金属層の両面に直接に接し、
誘電層７は外側で誘電層８に直接に接する。誘電層のホ
ールの形成に使用されるレーザ或いは他の方法は、図６
の矢印で示されるように、誘電層７にインパクトを与え
る。
ように本発明は２つの隣接する誘電層７及び８を有す
る。誘電層７の吸光度はα（ｎ1、λ）及び誘電層８の
吸光度はα（ｎ2、λ）であり、ｎはクロモスフォア・
コンセントレーション（chromosphore concentratio
n）、及びλは入射光（例えば、レーザ）の照射の波長
である。本発明では図６で示されるように両誘電体層の
吸光度α（ｎ1、λ）及びα（ｎ2、λ）が相違すること
が必要である。誘電層８は金属層の両面に直接に接し、
誘電層７は外側で誘電層８に直接に接する。誘電層のホ
ールの形成に使用されるレーザ或いは他の方法は、図６
の矢印で示されるように、誘電層７にインパクトを与え
る。
【００１４】図６で示される例では、ＵＶエクサイマ・
レーザがブラインド・バイアの形成に使用される。所定
の光波長の誘電体の吸光度により、レーザのインパクト
を受けた誘電層７はレーザによって切除されるか、或い
は気化される。本発明の構造体によれば誘電体の材料に
開けられたホールの深さは簡単且つ正確に調整できる。
誘電層７は、特定の光波長に反応するので誘電層上で光
の衝突を受けた後、切除される。レーザによってインパ
クトされた領域の誘電層７の切除後、誘電層８は露光さ
れるが、誘電層８を形成する材料が特定の波長に対して
相対的に無反応なのでレーザによる誘電体の材料の切除
は終了する。
レーザがブラインド・バイアの形成に使用される。所定
の光波長の誘電体の吸光度により、レーザのインパクト
を受けた誘電層７はレーザによって切除されるか、或い
は気化される。本発明の構造体によれば誘電体の材料に
開けられたホールの深さは簡単且つ正確に調整できる。
誘電層７は、特定の光波長に反応するので誘電層上で光
の衝突を受けた後、切除される。レーザによってインパ
クトされた領域の誘電層７の切除後、誘電層８は露光さ
れるが、誘電層８を形成する材料が特定の波長に対して
相対的に無反応なのでレーザによる誘電体の材料の切除
は終了する。
【００１５】表１は３０８ｎｍの波長で作動するエクサ
イマ・レーザを使用する場合、本発明の好適な態様に従
って交互の誘電層を形成するのに使用される２種類の材
料の例である。リストは単なる例である。異なる吸光度
を持つ任意の数の誘電体の材料が本発明に従って使用さ
れる。タイプＡ及びタイプＢは、図６で示される誘電体
Ａ及び誘電体Ｂを意味する。
イマ・レーザを使用する場合、本発明の好適な態様に従
って交互の誘電層を形成するのに使用される２種類の材
料の例である。リストは単なる例である。異なる吸光度
を持つ任意の数の誘電体の材料が本発明に従って使用さ
れる。タイプＡ及びタイプＢは、図６で示される誘電体
Ａ及び誘電体Ｂを意味する。
【表１】タイプＡ
１ａ
ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、或いはＦＥ
Ｐ（フッ素化エチレン・プロピレン共重合体）、或いは
ＰＦＡ（ポリテトラフルオロエチレン−過フルオロビニ
ルエーテル）共重合体或いは他の様々なＴＥＦＬＯＮ型
の高分子。 ２ａ 非結晶のシリカ粒子充填のＰＴＦＥ。 ３ａ ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）。 タイプＢ １ｂ ポリイミドのような吸収ドーパントで充填されたＰＴＦ
Ｅ。 ２ｂ 様々な吸収粒子で充填されたＰＴＦＥ。 ２ｂ’ 様々な吸収粒子及び非吸収粒子で充填されたＰＴＦＥ。 ３ｂ 様々な任意の粒子及びポリイミドで充填されたＰＴＦ
Ｅ。
Ｐ（フッ素化エチレン・プロピレン共重合体）、或いは
ＰＦＡ（ポリテトラフルオロエチレン−過フルオロビニ
ルエーテル）共重合体或いは他の様々なＴＥＦＬＯＮ型
の高分子。 ２ａ 非結晶のシリカ粒子充填のＰＴＦＥ。 ３ａ ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）。 タイプＢ １ｂ ポリイミドのような吸収ドーパントで充填されたＰＴＦ
Ｅ。 ２ｂ 様々な吸収粒子で充填されたＰＴＦＥ。 ２ｂ’ 様々な吸収粒子及び非吸収粒子で充填されたＰＴＦＥ。 ３ｂ 様々な任意の粒子及びポリイミドで充填されたＰＴＦ
Ｅ。
【００１６】異なる非吸光性の光特性である材料の使用
は、レーザと材料の異なる相互作用を与える。例えばコ
ア・レベルの誘電体は、タイプＡとして表１にリストさ
れたグループの材料から選ばれる。これらの材料は光を
吸収しない材料の例であり、従って３０８ｎｍのような
エクサイマ・レーザの波長で穴をあけることはできな
い。表１でタイプＡとしてリストされた材料は、コア・
レベル誘電体として、あるいはタイプＡの材料の上に形
成された層の上に置かれる誘電体のホールの形成にエク
サイマ・レーザが使用される場合の他の層の誘電体とし
ての使用に適する。
は、レーザと材料の異なる相互作用を与える。例えばコ
ア・レベルの誘電体は、タイプＡとして表１にリストさ
れたグループの材料から選ばれる。これらの材料は光を
吸収しない材料の例であり、従って３０８ｎｍのような
エクサイマ・レーザの波長で穴をあけることはできな
い。表１でタイプＡとしてリストされた材料は、コア・
レベル誘電体として、あるいはタイプＡの材料の上に形
成された層の上に置かれる誘電体のホールの形成にエク
サイマ・レーザが使用される場合の他の層の誘電体とし
ての使用に適する。
【００１７】本発明で使用される光吸収粒子は、とりわ
け、適当な発色団（chromophores）を持つポリマ、例え
ば共役結合をもつポリマであり、そのため紫外線をよく
吸収する。波長３０８ｎｍで光を吸収しないガラス粒子
は、例えばＭｉｎ−ｕ−ｓｉｌ（米国シリカ）或いは同
等の粒子を含む。
け、適当な発色団（chromophores）を持つポリマ、例え
ば共役結合をもつポリマであり、そのため紫外線をよく
吸収する。波長３０８ｎｍで光を吸収しないガラス粒子
は、例えばＭｉｎ−ｕ−ｓｉｌ（米国シリカ）或いは同
等の粒子を含む。
【００１８】他の代替プロセス或いは方法には、ＣＯ2
レーザ、せん孔機或いはドリルなどがタイプＡの材料の
ホールの形成に使用される。リストされているタイプＡ
及びタイプＢの材料は例であり、これに限定されるわけ
ではない。上下に配置される層の光吸収特性が異なれ
ば、任意の材料を使用できる。必要なことは、２つの材
料が異なる吸光特性を持つことだけである。
レーザ、せん孔機或いはドリルなどがタイプＡの材料の
ホールの形成に使用される。リストされているタイプＡ
及びタイプＢの材料は例であり、これに限定されるわけ
ではない。上下に配置される層の光吸収特性が異なれ
ば、任意の材料を使用できる。必要なことは、２つの材
料が異なる吸光特性を持つことだけである。
【００１９】図５及び図６で示される内側の誘電層８
は、表１のタイプＡの材料から形成され、外側の誘電層
７は表１のタイプＢの材料から形成される。上記材料は
エクサイマ・レーザ波長で切除される。この構成を用い
ることにより、誘電層７を通るブラインド・バイアのエ
クサイマ・レーザによる穴開けの際に、許容範囲以下で
不満足な位置合わせが生じている場合でも、構造体に対
する不利な電気的影響は生じない。また、３０８ｎｍの
エクサイマ・レーザの場合は、表１のタイプＡを内側層
として、タイプＢを外側層として使用するのが好ましい
が、例えばポリテトラフルオロエチレンは１０６００ｎ
ｍの波長に吸収性を有して除去可能であるから、１０６
００ｎｍの波長のレーザ光を用いる場合は、ポリテトラ
フルオロエチレンを外側層として、タイプＢを内側層と
して使用することも可能である。
は、表１のタイプＡの材料から形成され、外側の誘電層
７は表１のタイプＢの材料から形成される。上記材料は
エクサイマ・レーザ波長で切除される。この構成を用い
ることにより、誘電層７を通るブラインド・バイアのエ
クサイマ・レーザによる穴開けの際に、許容範囲以下で
不満足な位置合わせが生じている場合でも、構造体に対
する不利な電気的影響は生じない。また、３０８ｎｍの
エクサイマ・レーザの場合は、表１のタイプＡを内側層
として、タイプＢを外側層として使用するのが好ましい
が、例えばポリテトラフルオロエチレンは１０６００ｎ
ｍの波長に吸収性を有して除去可能であるから、１０６
００ｎｍの波長のレーザ光を用いる場合は、ポリテトラ
フルオロエチレンを外側層として、タイプＢを内側層と
して使用することも可能である。
【００２０】異なる吸光度特性を有するこのような材料
の使用の結果が図４で示される。図３とは異なり、図４
の同様の種類の材料で形成された２つの誘電層におい
て、誘電層７の切除は内側の誘電層８を切除することに
はならない。従って図４で示された実施例で生じる電気
的短絡は発生の可能性が無くなる。
の使用の結果が図４で示される。図３とは異なり、図４
の同様の種類の材料で形成された２つの誘電層におい
て、誘電層７の切除は内側の誘電層８を切除することに
はならない。従って図４で示された実施例で生じる電気
的短絡は発生の可能性が無くなる。
【００２１】２つの層の形成に使用される材料は同様の
光波長に対する同じ吸光度を持たないが、同様の機械
的、熱的、化学的、電気的及び他のこのような特性を持
つのが好ましい。例えばＰＴＦＥ（誘電層８）とポリイ
ミドがドープされたＰＴＦＥ（誘電層７）、或いはシリ
カ粒子充填のＰＴＦＥ（誘電層８）とポリイミドがドー
プされたシリカ粒子充填のＰＴＦＥ（誘電層７）及びポ
リイミドがドープされたガラス充填のＰＴＦＥ（誘電層
７）が使用される。ドーパント・ポリイミドの濃度は前
述の特性に影響しないようにできるだけ低いのがよい。
このようなドーパントの濃度は、重量比で約５％のポリ
イミド或いはそれ以下である。外側の誘電層の穴開け中
における位置合わせを容易にするに加えて、コア製作の
ための表１のタイプＡの材料の使用は、図１で示される
コア・レベルの表面における短絡の修理のためにエクサ
イマ・レーザを使用しての金属の除去を容易にする。
光波長に対する同じ吸光度を持たないが、同様の機械
的、熱的、化学的、電気的及び他のこのような特性を持
つのが好ましい。例えばＰＴＦＥ（誘電層８）とポリイ
ミドがドープされたＰＴＦＥ（誘電層７）、或いはシリ
カ粒子充填のＰＴＦＥ（誘電層８）とポリイミドがドー
プされたシリカ粒子充填のＰＴＦＥ（誘電層７）及びポ
リイミドがドープされたガラス充填のＰＴＦＥ（誘電層
７）が使用される。ドーパント・ポリイミドの濃度は前
述の特性に影響しないようにできるだけ低いのがよい。
このようなドーパントの濃度は、重量比で約５％のポリ
イミド或いはそれ以下である。外側の誘電層の穴開け中
における位置合わせを容易にするに加えて、コア製作の
ための表１のタイプＡの材料の使用は、図１で示される
コア・レベルの表面における短絡の修理のためにエクサ
イマ・レーザを使用しての金属の除去を容易にする。
【００２２】表２は、表１のタイプＡ及びタイプＢの様
々な材料での異なる穴開け率を示す。使用されるエクサ
イマ・レーザの操作は、誘電体表面において１パルス
（フルエンス）当たりの単位面積におけるエネルギは、
波長３０８ｎｍにおいて１２ジュール／ｃｍ2である。
々な材料での異なる穴開け率を示す。使用されるエクサ
イマ・レーザの操作は、誘電体表面において１パルス
（フルエンス）当たりの単位面積におけるエネルギは、
波長３０８ｎｍにおいて１２ジュール／ｃｍ2である。
【表２】材料 穴開け率（ミクロン／パルス）
タイプＡ
ＰＴＦＥ ０
シリカ粒子充填のＰＴＦＥ ＜０．５
タイプＢ
ＰＴＦＥにおいて重量比０．５％のポリイミド ５．０
ＰＴＦＥにおいて重量比５．０％のポリイミド ３．５
ポリイミドの付加または無しで様々な吸収粒子充填のＰ
ＴＦＥ ３．０乃至４．０
ＴＦＥ ３．０乃至４．０
【００２３】波長３０８ｎｍでフルエンス１２Ｊ／ｃｍ
2のエクサイマ・レーザを使用し、１００パルスで厚さ
２ミル（約５０．８／１０００ｍｍ）のシリカ粒子充填
ＰＴＦＥ（表１の誘電体２ａ）にレーザ照射したとこ
ろ、材料はほとんどエッチングされなかった。表１のサ
ンプル材料２ｂである吸収ガラス粒子充填のＰＴＦＥに
レーザパルスを照射したところ、この材料はわずか１６
回のパルスで穴開け、ほとんど完全でクリーンなホール
が材料を貫通して形成された。
2のエクサイマ・レーザを使用し、１００パルスで厚さ
２ミル（約５０．８／１０００ｍｍ）のシリカ粒子充填
ＰＴＦＥ（表１の誘電体２ａ）にレーザ照射したとこ
ろ、材料はほとんどエッチングされなかった。表１のサ
ンプル材料２ｂである吸収ガラス粒子充填のＰＴＦＥに
レーザパルスを照射したところ、この材料はわずか１６
回のパルスで穴開け、ほとんど完全でクリーンなホール
が材料を貫通して形成された。
【００２４】本発明は、また多層電子回路パッケージを
形成する方法を含む。好適には多層電子回路パッケージ
の少なくとも１つの層は、電気的導電性の面を有する。
伝導層の１つまたは２つ或いは全ての表面は、第１の有
機高分子誘電体の材料で付着される。第１の層は、例え
ば表１のタイプＡの材料から選択される。第１の有機高
分子材料は、レーザ光の切除用の波長に対する第１の吸
光度を持つのが好ましい。
形成する方法を含む。好適には多層電子回路パッケージ
の少なくとも１つの層は、電気的導電性の面を有する。
伝導層の１つまたは２つ或いは全ての表面は、第１の有
機高分子誘電体の材料で付着される。第１の層は、例え
ば表１のタイプＡの材料から選択される。第１の有機高
分子材料は、レーザ光の切除用の波長に対する第１の吸
光度を持つのが好ましい。
【００２５】誘電体の第１の層が置かれた後、端子領域
を有する回路が該第１の層上に付着される。誘電体の第
１の層及び何れかの回路が付着された上に、第２の有機
高分子誘電体の材料の第２の層が付着される。好適には
第２の有機高分子材料は、同一のレーザ切除波長におい
て第１の誘電層の第１の吸光度とは異なる第２の吸光度
を持つ。レーザ切除波長を使用して、第２の層を形成す
る材料を切除することによって、バイアが第２の誘電層
を貫通し、回路層まで形成される。次に導電性の材料が
バイアの表面に付着される。
を有する回路が該第１の層上に付着される。誘電体の第
１の層及び何れかの回路が付着された上に、第２の有機
高分子誘電体の材料の第２の層が付着される。好適には
第２の有機高分子材料は、同一のレーザ切除波長におい
て第１の誘電層の第１の吸光度とは異なる第２の吸光度
を持つ。レーザ切除波長を使用して、第２の層を形成す
る材料を切除することによって、バイアが第２の誘電層
を貫通し、回路層まで形成される。次に導電性の材料が
バイアの表面に付着される。
【００２６】誘電体の材料が、様々な層のバイア或いは
他のパッセージの形成プロセスにもとづいて、何れかの
順序で伝導層上に付着される。せん孔機のようなレーザ
以外の手段を使用して誘電層を貫通するパッセージを形
成することもできる。加えて、プロセスはレーザ光の何
れかの特定の波長に限定されない。
他のパッセージの形成プロセスにもとづいて、何れかの
順序で伝導層上に付着される。せん孔機のようなレーザ
以外の手段を使用して誘電層を貫通するパッセージを形
成することもできる。加えて、プロセスはレーザ光の何
れかの特定の波長に限定されない。
【００２７】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００２８】（１）少なくとも１つの導電面と、レーザ
光の切除波長に対する第１の吸光度を有する第１の有機
高分子誘電体の材料と、上記レーザ光の切除波長に対す
る第２の吸光度を有する第２の有機高分子誘電体の材料
とを有し、上記第１及び第２の吸光度は互いに異なり、
上記第１及び第２の有機高分子材料の一方の材料よりな
る第１の層が、上記導電面の少なくとも１つの表面上に
設けられ、他方の材料の第２の層が、上記第１の層に設
けられている、多層電子回路パッケージ。 （２）上記第１の有機高分子誘電体の材料は、ポリテト
ラフルオロエチレンと、シリカ粒子で充填されたポリテ
トラフルオロエチレンとから成るグループから選択さ
れ、及び上記第２の有機高分子誘電体の材料は、吸収ド
ーパントで充填されたポリテトラフルオロエチレンと、
吸収粒子で充填されたポリテトラフルオロエチレンと、
ガラス粒子及びポリイミドで充填されたポリテトラフル
オロエチレンとから成るグループから選択される、上記
（１）記載の多層電子回路パッケージ。 （３）上記ドーパントはポリテトラフルオロエチレンの
ポリイミド、ポリメタクリル酸メチルのＴＩＮＵＶＩ
Ｎ、或いはポリメタクリル酸メチルのピレンである、上
記（２）記載の多層電子回路パッケージ。 （４）上記吸収粒子は例えば共役結合のような適当な発
色団グループを有する高分子から成るグループから選択
される、上記（２）記載の多層電子回路パッケージ。 （５）上記ガラス粒子は、例えばＭｉｎ−Ｕ−ｓｉｌ
（米国のシリカ）或いは同等の粒子から成るグループか
ら選択される、上記（２）記載の多層電子回路パッケー
ジ。 （６）上記第１の有機高分子誘電体の材料は、レーザ光
の１０６００ｎｍの切除波長に対する吸光度を有するポ
リテトラフルオロエチレンであり、上記第２の有機高分
子誘電体の材料は、レーザ光の３０８ｎｍの切除波長に
対する吸光度を有するポリイミドがドープされたポリテ
トラフルオロエチレンである、上記（１）記載の多層電
子回路パッケージ。 （７）第２の電気的導電性の面は、上記有機高分子誘電
体の材料の上記第２の層を少なくとも部分的にオーバレ
イする、上記（１）記載の多層電子回路パッケージ。 （８）回路の層は有機高分子誘電体の材料の上記第１の
層にオーバレイし、有機高分子誘電体の材料の上記第２
の層は上記第１の層及び上記回路の層にオーバレイす
る、上記（１）記載の多層電子回路パッケージ。 （９）ａ）導電性の面の一主表面に、レーザ光の切除波
長に対して第１の吸光度を有する第１の有機高分子誘電
体材料の第１の層を付着するステップと、 ｂ）上記第１の層上に端子領域を含む回路を形成するス
テップと、 ｃ）上記回路上に、レーザ切除波長で上記第１の吸光度
とは異なる第２の吸光度を有する有機高分子誘電体材料
の第２の層を付着するステップと、 ｄ）上記レーザ切除波長で上記第２の層を貫通して上記
回路までバイアを形成するステップと、を有する、多層
電子回路パッケージの形成方法。 （１０）上記第１の有機高分子誘電体の材料は、ポリテ
トラフルオロエチレンと、シリカ粒子で充填されたポリ
テトラフルオロエチレンとから成るグループから選択さ
れ、及び上記第２の有機高分子誘電体の材料は、吸収ド
ーパントで充填されたポリテトラフルオロエチレンと、
吸収粒子で充填されたポリテトラフルオロエチレンと、
ガラス粒子及びポリイミドで充填されたポリテトラフル
オロエチレンとから成るグループから選択される、上記
（９）記載の多層電子回路パッケージの形成方法。 （１１）上記ドーパントは、ポリテトラフルオロエチレ
ンのポリイミド、ポリメタクリル酸メチルのＴＩＮＵＶ
ＩＮ、或いはポリメタクリル酸メチルのピレンである、
上記（１０）記載の多層電子回路パッケージの形成方
法。 （１２）上記吸収粒子は、例えば共役結合のような適当
な発色団グループを有する高分子から成るグループから
選択される、上記（１０）記載の多層電子回路パッケー
ジの形成方法。 （１３）上記ガラス粒子は、例えばＭｉｎ−Ｕ−ｓｉｌ
（米国のシリカ）或いは同等のシリカから成るグループ
から選択される、上記（１０）記載の多層電子回路パッ
ケージの形成方法。 （１４）上記第１の有機高分子誘電体の材料は、レーザ
光の１０６００ｎｍの切除波長に対する吸光度を有する
ポリテトラフルオロエチレンであり、及び上記第２の有
機高分子誘電体の材料は、レーザ光の３０８ｎｍの切除
波長に対する吸光度を有する、ポリイミドがドープされ
たポリテトラフルオロエチレンである、上記（９）記載
の多層電子回路パッケージの形成方法。 （１５）第２の電気的導電性の面は、上記有機高分子誘
電体の材料の第２の層に少なくとも部分的に付着され
る、上記（９）記載の多層電子回路パッケージの形成方
法。 （１６）少なくとも１つの電気的導電性の面と、上記少
なくとも１つの電気的導電性の面の少なくとも１つの表
面をオーバレイしている、レーザ切除波長で切除不可能
なほど低い吸光度を持つ第１の有機高分子誘電体の材料
の層と、上記第１の層をオーバレイしている、上記波長
で切除可能なほど高い吸光度を持つ第２の有機高分子誘
電体の材料の層と、を有する、多層電子回路パッケー
ジ。 （１７）上記第１の有機高分子誘電体の材料は、ポリテ
トラフルオロエチレンと、シリカ粒子で充填されたポリ
テトラフルオロエチレンとから成るグループから選択さ
れ、及び上記第２の有機高分子誘電体の材料は、吸収ド
ーパントで充填されたポリテトラフルオロエチレンと、
吸収粒子で充填されたポリテトラフルオロエチレンと、
ガラス粒子及びポリイミドで充填されたポリテトラフル
オロエチレンとから成るグループから選択される、上記
（１６）記載の多層電子回路パッケージ。 （１８）上記ドーパントは、ポリテトラフルオロエチレ
ンのポリイミド、ポリメタクリル酸メチルのＴＩＮＵＶ
ＩＮ、或いはポリメタクリル酸メチルのピレンである、
上記（１７）記載の多層電子回路パッケージ。 （１９）上記吸収粒子は、例えば共役結合のような適当
な発色団グループを有する高分子から成るグループから
選択される、上記（１７）記載の多層電子回路パッケー
ジ。 （２０）上記ガラス粒子は、例えばＭｉｎ−Ｕ−ｓｉｌ
（米国のシリカ）或いは同等のシリカから成るグループ
から選択される、上記（１７）記載の多層電子回路パッ
ケージ。 （２１）上記第１の有機高分子誘電体の材料は、レーザ
光の１０６００ｎｍの切除波長に対する吸光度を有する
ポリテトラフルオロエチレンであり、及び上記第２の有
機高分子誘電体の材料は、レーザ光の３０８ｎｍの切除
波長に対する吸光度を有するポリイミドがドープされた
ポリテトラフルオロエチレンである、上記（１６）記載
の多層電池回路パッケージ。 （２２）第２の電気的導電性の面が上記有機高分子誘電
体材料の上記第２の層を少なくとも部分的にオーバレイ
する、上記（１６）記載の多層電子回路パッケージ。 （２３）回路の層は有機高分子誘電体の材料の上記第１
の層にオーバレイし、上記有機高分子誘電体の材料の第
２の層は上記第１の層及び上記回路の層にオーバレイす
る、上記（１６）記載の多層電子回路パッケージ。
光の切除波長に対する第１の吸光度を有する第１の有機
高分子誘電体の材料と、上記レーザ光の切除波長に対す
る第２の吸光度を有する第２の有機高分子誘電体の材料
とを有し、上記第１及び第２の吸光度は互いに異なり、
上記第１及び第２の有機高分子材料の一方の材料よりな
る第１の層が、上記導電面の少なくとも１つの表面上に
設けられ、他方の材料の第２の層が、上記第１の層に設
けられている、多層電子回路パッケージ。 （２）上記第１の有機高分子誘電体の材料は、ポリテト
ラフルオロエチレンと、シリカ粒子で充填されたポリテ
トラフルオロエチレンとから成るグループから選択さ
れ、及び上記第２の有機高分子誘電体の材料は、吸収ド
ーパントで充填されたポリテトラフルオロエチレンと、
吸収粒子で充填されたポリテトラフルオロエチレンと、
ガラス粒子及びポリイミドで充填されたポリテトラフル
オロエチレンとから成るグループから選択される、上記
（１）記載の多層電子回路パッケージ。 （３）上記ドーパントはポリテトラフルオロエチレンの
ポリイミド、ポリメタクリル酸メチルのＴＩＮＵＶＩ
Ｎ、或いはポリメタクリル酸メチルのピレンである、上
記（２）記載の多層電子回路パッケージ。 （４）上記吸収粒子は例えば共役結合のような適当な発
色団グループを有する高分子から成るグループから選択
される、上記（２）記載の多層電子回路パッケージ。 （５）上記ガラス粒子は、例えばＭｉｎ−Ｕ−ｓｉｌ
（米国のシリカ）或いは同等の粒子から成るグループか
ら選択される、上記（２）記載の多層電子回路パッケー
ジ。 （６）上記第１の有機高分子誘電体の材料は、レーザ光
の１０６００ｎｍの切除波長に対する吸光度を有するポ
リテトラフルオロエチレンであり、上記第２の有機高分
子誘電体の材料は、レーザ光の３０８ｎｍの切除波長に
対する吸光度を有するポリイミドがドープされたポリテ
トラフルオロエチレンである、上記（１）記載の多層電
子回路パッケージ。 （７）第２の電気的導電性の面は、上記有機高分子誘電
体の材料の上記第２の層を少なくとも部分的にオーバレ
イする、上記（１）記載の多層電子回路パッケージ。 （８）回路の層は有機高分子誘電体の材料の上記第１の
層にオーバレイし、有機高分子誘電体の材料の上記第２
の層は上記第１の層及び上記回路の層にオーバレイす
る、上記（１）記載の多層電子回路パッケージ。 （９）ａ）導電性の面の一主表面に、レーザ光の切除波
長に対して第１の吸光度を有する第１の有機高分子誘電
体材料の第１の層を付着するステップと、 ｂ）上記第１の層上に端子領域を含む回路を形成するス
テップと、 ｃ）上記回路上に、レーザ切除波長で上記第１の吸光度
とは異なる第２の吸光度を有する有機高分子誘電体材料
の第２の層を付着するステップと、 ｄ）上記レーザ切除波長で上記第２の層を貫通して上記
回路までバイアを形成するステップと、を有する、多層
電子回路パッケージの形成方法。 （１０）上記第１の有機高分子誘電体の材料は、ポリテ
トラフルオロエチレンと、シリカ粒子で充填されたポリ
テトラフルオロエチレンとから成るグループから選択さ
れ、及び上記第２の有機高分子誘電体の材料は、吸収ド
ーパントで充填されたポリテトラフルオロエチレンと、
吸収粒子で充填されたポリテトラフルオロエチレンと、
ガラス粒子及びポリイミドで充填されたポリテトラフル
オロエチレンとから成るグループから選択される、上記
（９）記載の多層電子回路パッケージの形成方法。 （１１）上記ドーパントは、ポリテトラフルオロエチレ
ンのポリイミド、ポリメタクリル酸メチルのＴＩＮＵＶ
ＩＮ、或いはポリメタクリル酸メチルのピレンである、
上記（１０）記載の多層電子回路パッケージの形成方
法。 （１２）上記吸収粒子は、例えば共役結合のような適当
な発色団グループを有する高分子から成るグループから
選択される、上記（１０）記載の多層電子回路パッケー
ジの形成方法。 （１３）上記ガラス粒子は、例えばＭｉｎ−Ｕ−ｓｉｌ
（米国のシリカ）或いは同等のシリカから成るグループ
から選択される、上記（１０）記載の多層電子回路パッ
ケージの形成方法。 （１４）上記第１の有機高分子誘電体の材料は、レーザ
光の１０６００ｎｍの切除波長に対する吸光度を有する
ポリテトラフルオロエチレンであり、及び上記第２の有
機高分子誘電体の材料は、レーザ光の３０８ｎｍの切除
波長に対する吸光度を有する、ポリイミドがドープされ
たポリテトラフルオロエチレンである、上記（９）記載
の多層電子回路パッケージの形成方法。 （１５）第２の電気的導電性の面は、上記有機高分子誘
電体の材料の第２の層に少なくとも部分的に付着され
る、上記（９）記載の多層電子回路パッケージの形成方
法。 （１６）少なくとも１つの電気的導電性の面と、上記少
なくとも１つの電気的導電性の面の少なくとも１つの表
面をオーバレイしている、レーザ切除波長で切除不可能
なほど低い吸光度を持つ第１の有機高分子誘電体の材料
の層と、上記第１の層をオーバレイしている、上記波長
で切除可能なほど高い吸光度を持つ第２の有機高分子誘
電体の材料の層と、を有する、多層電子回路パッケー
ジ。 （１７）上記第１の有機高分子誘電体の材料は、ポリテ
トラフルオロエチレンと、シリカ粒子で充填されたポリ
テトラフルオロエチレンとから成るグループから選択さ
れ、及び上記第２の有機高分子誘電体の材料は、吸収ド
ーパントで充填されたポリテトラフルオロエチレンと、
吸収粒子で充填されたポリテトラフルオロエチレンと、
ガラス粒子及びポリイミドで充填されたポリテトラフル
オロエチレンとから成るグループから選択される、上記
（１６）記載の多層電子回路パッケージ。 （１８）上記ドーパントは、ポリテトラフルオロエチレ
ンのポリイミド、ポリメタクリル酸メチルのＴＩＮＵＶ
ＩＮ、或いはポリメタクリル酸メチルのピレンである、
上記（１７）記載の多層電子回路パッケージ。 （１９）上記吸収粒子は、例えば共役結合のような適当
な発色団グループを有する高分子から成るグループから
選択される、上記（１７）記載の多層電子回路パッケー
ジ。 （２０）上記ガラス粒子は、例えばＭｉｎ−Ｕ−ｓｉｌ
（米国のシリカ）或いは同等のシリカから成るグループ
から選択される、上記（１７）記載の多層電子回路パッ
ケージ。 （２１）上記第１の有機高分子誘電体の材料は、レーザ
光の１０６００ｎｍの切除波長に対する吸光度を有する
ポリテトラフルオロエチレンであり、及び上記第２の有
機高分子誘電体の材料は、レーザ光の３０８ｎｍの切除
波長に対する吸光度を有するポリイミドがドープされた
ポリテトラフルオロエチレンである、上記（１６）記載
の多層電池回路パッケージ。 （２２）第２の電気的導電性の面が上記有機高分子誘電
体材料の上記第２の層を少なくとも部分的にオーバレイ
する、上記（１６）記載の多層電子回路パッケージ。 （２３）回路の層は有機高分子誘電体の材料の上記第１
の層にオーバレイし、上記有機高分子誘電体の材料の第
２の層は上記第１の層及び上記回路の層にオーバレイす
る、上記（１６）記載の多層電子回路パッケージ。
【００２９】
【発明の効果】本発明は高密度構造の製作に、設計考慮
の材料と製作方法とを提供することによって、構造体の
電気的及び機械的無欠性を犠牲にせずに位置ずれの問題
を取り除き、従来技術に存在する問題を解決する方法を
提供する。
の材料と製作方法とを提供することによって、構造体の
電気的及び機械的無欠性を犠牲にせずに位置ずれの問題
を取り除き、従来技術に存在する問題を解決する方法を
提供する。
【図１】高速、高密度のパッケージ製作における典型的
な従来技術の多層カード・アセンブリの断面図である。
な従来技術の多層カード・アセンブリの断面図である。
【図２】適切な位置合わせでホールの形成及びその後の
めっき処理が行われた構造体上に積層される付加の誘電
体の材料の層を有する図１の多層アセンブリの断面図で
ある。
めっき処理が行われた構造体上に積層される付加の誘電
体の材料の層を有する図１の多層アセンブリの断面図で
ある。
【図３】悪い位置合わせでホールの形成及びその後のめ
っき処理が行われた、図１の多層構造体の断面図であ
る。
っき処理が行われた、図１の多層構造体の断面図であ
る。
【図４】本発明の特徴を取り入れ、悪い位置合わせでそ
の後のホールの形成及びその後のめっき処理が行われ
た、図１の多層カード・アセンブリを示す図である。
の後のホールの形成及びその後のめっき処理が行われ
た、図１の多層カード・アセンブリを示す図である。
【図５】本発明の一実施例の簡略化された断面図であ
る。
る。
【図６】誘電層７及び誘電層８が金属層の両面に続けて
積層された本発明の一実施例の簡略化された断面図であ
る。
積層された本発明の一実施例の簡略化された断面図であ
る。
１、３、５ 金属層
２、４、７、８ 誘電層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｌ 23/52 Ｂ
(72)発明者 チャールズ・ロバート・ディビス
アメリカ合衆国12590、ニューヨーク州
ワッピンガーズ・フォールズ、ミナ・ド
ライブ 27
(72)発明者 フランク・ダニエル・エジット
アメリカ合衆国13905、ニューヨーク州
ビンガムトン、カーラダ・ドライブ 27
(72)発明者 ユージーン・ロマン・スカービンコ
アメリカ合衆国13905、ニューヨーク州
ビンガムトン、ジルズ・ストリート ４
(56)参考文献 特開 平４−234198（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−233297（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−237804（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−64448（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−51294（ＪＰ，Ａ)
特表 平５−509198（ＪＰ，Ａ)
米国特許5034801（ＵＳ，Ａ)
米国特許5302547（ＵＳ，Ａ)
ＩＢＭ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＤＩＳ
ＣＬＯＳＵＲＥ ＢＵＬＬＥＴＩＮ，ｖ
ｏｌ．26，ｎｏ．９，Ｆｅｂｒｕａｒｙ
1984 ＮＥＷ ＹＯＲＫ，ＵＳ，ｐａ
ｇｅｓ 4669−4671，ＡＮＯＮＹＭＯＵ
Ｓ’Ａｂｌａｔｉｖｅ Ｐｈｏｔｏｄｅ
ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓ
ｓ ｆｏｒ Ｒｅｐａｉｒ ｏｆ Ｌｉ
ｎｅ Ｓｈｏｒｔｓ’
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05K 3/46
H05K 3/00
H05K 1/03
H01L 23/52
Claims (6)
- 【請求項１】少なくとも１つの導電面と、 上記導電面の少なくとも上面上に亘って付着され、所定
のレーザ光を実質的に吸収しない性質を有する第１の有
機高分子材料の誘電体層と、 上記第１の誘電体層の少なくとも上面上に亘って付着さ
れ、上記レーザ光を吸収して融除される性質を有する第
２の有機高分子材料の誘電体層と、 上記導電面と接触しない位置で上記第１の誘電体層中を
貫通して該誘電体層の上面に延びる導電性の第１の層間
バイアを含む回路領域と、 上記第１の誘電体層の上記上面をストッパとして利用す
る上記レーザ光の融除作用によって上記第１の層間バイ
アからずれた位置で上記第２の誘電体層中を貫通して開
口され、上記回路領域を含む上記第１の誘電体の上記上
面が底面に露出されたブランク・バイア及び該バイアの
上記露出底面を含む全ての面に沿って付着された導電層
を有する第２の層間バイアと、 より成る多層電子回路パッケージ。 - 【請求項２】上記第１の有機高分子材料は、ポリテトラ
フルオロエチレンと、シリカ粒子で充填されたポリテト
ラフルオロエチレンとから成るグループから選択され、
及び上記第２の有機高分子材料は、吸収ドーパントで充
填されたポリテトラフルオロエチレンと、吸収粒子で充
填されたポリテトラフルオロエチレンと、ガラス粒子及
びポリイミドで充填されたポリテトラフルオロエチレン
とから成るグループから選択される、請求項１記載の多
層電子回路パッケージ。 - 【請求項３】上記第１の有機高分子材料は、レーザ光の
１０６００ｎｍの融除作用波長を実質的に吸収するポリ
テトラフルオロエチレンであり、上記第２の有機高分子
材料は、レーザ光の３０８ｎｍの融除作用波長を実質的
に吸収するポリイミドがドープされたポリテトラフルオ
ロエチレンである、請求項１記載の多層電子回路パッケ
ージ。 - 【請求項４】少なくとも１つの層が高分子誘電材料で被
覆された主表面を有する導電性面の層を含む多層電子回
路パッケージを形成する方法であって、 ａ）導電性の面の一主表面に、所定のレーザ光を実質的
に吸収しない性質を有する第１の有機高分子材料の誘電
体層を付着するステップと、 ｂ）上記第１の誘電体層上に端子領域を含む導電回路を
形成するステップと、 ｃ）少なくとも上記端子領域を覆って上記第１の誘電体
層の上に、上記レーザ光を吸収して融除される性質を有
する第２の有機高分子材料の誘電体層を付着するステッ
プと、 ｄ）上記第１の誘電体層の上記上面をストッパとし上記
レーザ光の融除作用を利用して上記端子領域からずれた
位置で上記第２の誘電体層中を貫通して開口され、上記
端子領域を含む上記第１の誘電体層の上記上面が底面に
露出されたブランク・バイアを形成し、該バイアの上記
露出底面を含む全ての面に沿って導電層を付着して層間
バイアを形成するステップと、 を有する、多層電子回路パッケージの形成方法。 - 【請求項５】上記第１の有機高分子材料は、ポリテトラ
フルオロエチレンと、シリカ粒子で充填されたポリテト
ラフルオロエチレンとから成るグループから選択され、
及び上記第２の有機高分子材料は、吸収ドーパントで充
填されたポリテトラフルオロエチレンと、吸収粒子で充
填されたポリテトラフルオロエチレンと、ガラス粒子及
びポリイミドで充填されたポリテトラフルオロエチレン
とから成るグループから選択される、請求項４記載の多
層電子回路パッケージの形成方法。 - 【請求項６】上記第１の有機高分子材料は、レーザ光の
１０６００ｎｍの融除作用波長を実質的に吸収するポリ
テトラフルオロエチレンであり、及び上記第２の有機高
分子材料は、レーザ光の３０８ｎｍの融除作用波長を実
質的に吸収するポリイミドがドープされたポリテトラフ
ルオロエチレンである、請求項４記載の多層電子回路パ
ッケージの形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/253,084 US5536579A (en) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | Design of high density structures with laser etch stop |
| US253084 | 1994-06-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0870186A JPH0870186A (ja) | 1996-03-12 |
| JP3483983B2 true JP3483983B2 (ja) | 2004-01-06 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13523995A Expired - Fee Related JP3483983B2 (ja) | 1994-06-02 | 1995-06-01 | レーザ・エッチング停止可能な多層電子回路パッケージ |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0687009A3 (ja) |
| JP (1) | JP3483983B2 (ja) |
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| CN (1) | CN1116772A (ja) |
| MY (1) | MY117104A (ja) |
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