JP3483698B2 - Wafer support for vertical semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
Wafer support for vertical semiconductor manufacturing equipmentInfo
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- wafer
- semiconductor manufacturing
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、縦型半導体製造装
置におけるウエハ支持具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、特開平０７−０４５６９１号公報に開示される
ものがあった。
【０００３】上記文献に開示される従来の縦型半導体製
造装置のウエハ支持具によれば、ウエハホルダと称され
るＳｉＣ製支持板を設置し、ウエハの自重を分散して保
持することができ、１０００℃以上の高温に加熱して
も、ウエハのスリップや割れ、欠けが生じ難くなるよう
にしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の装置では、ＳｉＣを機械的に加工し、ウエハと
接触する平面を形成するため、面内に突起状のピットが
できてしまい、ウエハとウエハホルダは点接触すること
になり、ここからウエハの自重応力によるスリップが導
入されてしまうという問題点があった。
【０００５】本発明は、上記問題点を除去し、ウエハ支
持具のウエハと接触する平面を滑らかにして、ウエハと
平面接触をさせることにより、ウエハの自重応力による
スリップを防止するとともに、ウエハ自重を分散して支
え、自重ストレスを軽減できる縦型半導体製造装置のウ
エハ支持具を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、
（１）縦型半導体製造装置のウエハ支持具において、ボ
ート支持部に馬蹄形状のサファイア製プレートを設置
し、該馬蹄形状のサファイア製プレートのウエハとの接
触面を鏡面加工するとともに、前記馬蹄形状のサファイ
ア製プレートから中央部に延びる突出部を形成するよう
にしたものである。
【０００７】したがって、鏡面研磨したサファイア製プ
レートでウエハを受けることにより、ウエハを点接触で
支えることがなくなり、スリップフリーとなる。
【０００８】また、ウエハ周辺部を面で支えることか
ら、ウエハ自重を分散して支えることができ、自重スト
レスを軽減できる。
【０００９】さらに、ウエハ中央部を支える部分にもサ
ファイア製プレートを配置することにより、ウエハ自重
による、中央部の凹みを防止することができる。
【００１０】これにより、上記の効果に加えて、ウエハ
の自重変形に起因するウエハとサファイア製プレートと
の点接触が回避でき、スリップの導入原因を排除でき
る。
【００１１】また、多くのウエハ接触面が得られ、ウエ
ハ自重を一層分散することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。
【００１３】図１は本発明の第１実施例を示すＳｉＣボ
ートに設置したサファイア製プレートの平面図、図２は
図１のＡ−Ａ線断面図、図３は本発明の第１実施例を示
す縦型半導体製造装置のウエハ支持具の全体斜視図であ
る。
【００１４】これらの図に示すように、ＳｉＣボートの
支柱１にＳｉＣのボート支持部２を設け、フラットネス
１μｍ以下の鏡面に研磨した馬蹄形状のサファイア製プ
レート４を置き、この鏡面全体でウエハを受ける。人工
サファイアは融点２０５０℃、強度７０００ｋｇ／ｃｍ
2と耐熱性・強度とも十分高温熱処理に耐えられる。Ｓ
ｉＣのボート支持部２には、図２に示すように、内側の
先端部に突起３ａからなる位置決め部３を設け、サファ
イア製プレート４の落下等を防止する。
【００１５】このように構成されたサファイア製プレー
ト４を、図３に示すような、縦型半導体製造装置に棚の
ように形成されるＳｉＣボートのボート支持部２にセッ
トする。
【００１６】上記したように、この実施例によれば、鏡
面研磨したサファイア製プレートでウエハを受けること
により、ウエハを点接触で支えることがなくなり、スリ
ップフリーとなる。また、ウエハ周辺部を面で支えるこ
とから、ウエハ自重を分散して支えることができ、自重
ストレスを軽減できる。
【００１７】図４は本発明の第２実施例を示すＳｉＣボ
ートに設置したサファイア製プレートの平面図、図５は
図４のＢ−Ｂ線断面図である。なお、第１実施例と同じ
部分には同じ番号を付してその説明は省略する。
【００１８】これらの図に示すように、フラットネス１
μｍ以下の鏡面に研磨した馬蹄形状のサファイア製プレ
ート１１は、その馬蹄形状のサファイア製プレート１１
から中央部に延びる突出部１２を形成している。この突
出部１２でウエハの中央部を支えるようにする。
【００１９】このように構成したので、第２実施例によ
れば、ウエハ中央部を支える部分にもサファイア製プレ
ートを配置することにより、ウエハ自重による、中央部
の凹みを防止することができる。
【００２０】これにより、上記第１実施例の効果に加え
て、ウエハの自重変形に起因するウエハとサファイア製
プレートとの点接触が回避でき、スリップの導入原因を
排除できる。
【００２１】また、上記第１実施例よりさらに、多くの
ウエハ接触面が得られ、ウエハ自重を一層分散すること
ができる。
【００２２】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。
【００２４】（１）本発明によれば、鏡面研磨したサフ
ァイア製プレートでウエハを受けることにより、ウエハ
を点接触で支えることがなくなり、スリップフリーとな
る。
【００２５】また、ウエハ周辺部を面で支えることか
ら、ウエハ自重を分散して支えることができ、自重スト
レスを軽減できる。
【００２６】さらに、ウエハ中央部を支える部分にもサ
ファイア製プレートを配置することにより、ウエハ自重
による、中央部の凹みを防止することができる。
【００２７】これにより、上記した効果に加えて、ウエ
ハの自重変形に起因するウエハとサファイア製プレート
との点接触が回避でき、スリップの導入原因を排除でき
る。
【００２８】また、多くのウエハ接触面が得られ、ウエ
ハ自重を一層分散することができる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer support in a vertical semiconductor manufacturing apparatus. [0002] Conventionally, techniques in such a field include:
For example, there is one disclosed in JP-A-07-045691. According to the wafer support of the conventional vertical semiconductor manufacturing apparatus disclosed in the above-mentioned document, a SiC support plate called a wafer holder can be installed, and the weight of the wafer can be dispersed and held. Even if the wafer is heated to a high temperature of 1000 ° C. or more, slip, crack and chipping of the wafer are hardly generated. [0004] However, in the above-described conventional apparatus, since the SiC is mechanically processed to form a plane that comes into contact with the wafer, a protruding pit is formed in the plane. Then, the wafer and the wafer holder come into point contact with each other, and there is a problem that a slip due to the weight stress of the wafer is introduced from this point. The present invention eliminates the above problems, smoothes the plane of the wafer support that makes contact with the wafer, and makes plane contact with the wafer, thereby preventing slip due to the weight of the wafer and reducing the weight of the wafer. It is an object of the present invention to provide a wafer support for a vertical type semiconductor manufacturing apparatus capable of dispersing, supporting and reducing the weight stress. According to the present invention, in order to achieve the above object, (1) a horseshoe-shaped sapphire plate is installed on a boat support in a wafer support of a vertical semiconductor manufacturing apparatus. The surface of the horseshoe-shaped sapphire plate that contacts the wafer is mirror-finished , and the horseshoe-shaped sapphire plate is mirror-finished.
A protruding portion extending from the plate to the center is formed . [0007] Therefore, by receiving the wafer on the mirror-polished sapphire plate, the wafer is no longer supported by point contact, and slip-free. Further, since the peripheral portion of the wafer is supported by the surface, the wafer's own weight can be dispersed and supported, and the self-weight stress can be reduced. Further, by disposing the sapphire plate also at the portion supporting the central portion of the wafer, it is possible to prevent the central portion from being dented due to the weight of the wafer. [0010] Thus, in addition to the effect of the above SL, point contact between the wafer and the sapphire plate due to the self-weight deformation of the wafer can be avoided, thereby eliminating the introduction cause slip. Further, many wafer contact surface is obtained, the wafer own weight can be further dispersed. Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a sapphire plate installed on a SiC boat showing a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. 1, and FIG. 3 is a first embodiment of the present invention. FIG. 3 is an overall perspective view of a wafer support of the vertical semiconductor manufacturing apparatus, showing the above. As shown in these figures, an SiC boat support 2 is provided on a support 1 of a SiC boat, and a horseshoe-shaped sapphire plate 4 polished to a mirror surface having a flatness of 1 μm or less is placed. Receive. Artificial sapphire has a melting point of 2050 ° C and a strength of 7000 kg / cm
2 , both heat resistance and strength can withstand high temperature heat treatment. S
As shown in FIG. 2, the iC boat support 2 is provided with a positioning portion 3 having a protrusion 3 a at an inner end portion to prevent the sapphire plate 4 from falling. The sapphire plate 4 configured as described above is set on the boat support 2 of a SiC boat formed like a shelf in a vertical semiconductor manufacturing apparatus as shown in FIG. As described above, according to this embodiment, since the wafer is received by the mirror-polished sapphire plate, the wafer is not supported by point contact, and slip-free. Further, since the peripheral portion of the wafer is supported by the surface, the wafer's own weight can be dispersed and supported, and the self-weight stress can be reduced. FIG. 4 is a plan view of a sapphire plate installed on a SiC boat according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a sectional view taken along line BB of FIG. The same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. As shown in these figures, the flatness 1
The horseshoe-shaped sapphire plate 11 polished to a mirror surface of μm or less is
And a protruding portion 12 extending from the center to the central portion. The projection 12 supports the central portion of the wafer. With this configuration, according to the second embodiment, the sapphire plate is also provided at the portion supporting the central portion of the wafer, thereby preventing the central portion from being dented by the weight of the wafer. Thus, in addition to the effects of the first embodiment, point contact between the wafer and the sapphire plate caused by the deformation of the wafer under its own weight can be avoided, and the cause of slip can be eliminated. Further, more wafer contact surfaces can be obtained than in the first embodiment, and the weight of the wafer can be further dispersed. It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but various modifications are possible based on the spirit of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention. As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (1) According to the present invention, since the wafer is received by the mirror-polished sapphire plate, the wafer is no longer supported by point contact, and slip-free. Further, since the peripheral portion of the wafer is supported by the surface, the wafer's own weight can be dispersed and supported, and the self-weight stress can be reduced. Further, by disposing the sapphire plate also at the portion supporting the central portion of the wafer, it is possible to prevent the central portion from being dented due to the weight of the wafer. Thus, in addition to the above effects, point contact between the wafer and the sapphire plate due to the deformation of the wafer under its own weight can be avoided, and the cause of slip can be eliminated. Further, many wafer contact surface is obtained, the wafer own weight can be further dispersed.
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示すＳｉＣボートに設置
したサファイア製プレートの平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】本発明の第１実施例を示す縦型半導体製造装置
のウエハ支持具の全体斜視図である。
【図４】本発明の第２実施例を示すＳｉＣボートに設置
したサファイア製プレートの平面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ線断面図である。
【符号の説明】
１ ＳｉＣボートの支柱
２ ＳｉＣのボート支持部
３ 位置決め部
３ａ 突起
４，１１ サファイア製プレート（表面を鏡面に研
磨）
１２ 突出部BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a plan view of a sapphire plate installed on a SiC boat showing a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. FIG. 3 is an overall perspective view of a wafer support of the vertical semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4 is a plan view of a sapphire plate installed on a SiC boat according to a second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a sectional view taken along line BB of FIG. 4; [Description of Signs] 1 Support column of SiC boat 2 Boat support portion of SiC 3 Positioning portion 3a Projection 4, 11 Sapphire plate (surface polished to a mirror surface) 12 Projection portion
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/22 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/22
Claims (1)
具において、 ボート支持部に馬蹄形状のサファイア製プレートを設置
し、該馬蹄形状のサファイア製プレートのウエハとの接
触面を鏡面加工するとともに、前記馬蹄形状のサファイ
ア製プレートから中央部に延びる突出部を形成してなる
縦型半導体製造装置のウエハ支持具。(1) A wafer support in a vertical semiconductor manufacturing apparatus, wherein a horseshoe-shaped sapphire plate is provided on a boat support, and a wafer of the horseshoe-shaped sapphire plate is mounted on the boat support. The contact surface is mirror-finished and the horseshoe-shaped sapphire
A wafer support for a vertical semiconductor manufacturing apparatus having a protruding portion extending from the plate to the center .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7081096A JP3483698B2 (en) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | Wafer support for vertical semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7081096A JP3483698B2 (en) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | Wafer support for vertical semiconductor manufacturing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260295A JPH09260295A (en) | 1997-10-03 |
| JP3483698B2 true JP3483698B2 (en) | 2004-01-06 |
Family
ID=13442305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7081096A Expired - Fee Related JP3483698B2 (en) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | Wafer support for vertical semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3483698B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1091391A1 (en) * | 1999-10-05 | 2001-04-11 | SICO Produktions- und Handelsges.m.b.H. | Wafers holding boat |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP7081096A patent/JP3483698B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09260295A (en) | 1997-10-03 |
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