JP3472833B2 - カーボンオニオンの合成法 - Google Patents

カーボンオニオンの合成法

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敬道 小林
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、カーボンオニオン
の合成法に関する。
【0002】
【従来の技術】カーボンオニオンは同心で大きさの異な
るフラーレン分子が重なりあった球形多殻構造をしてお
り、大きさは外径が数十ナノメートル、殻間距離はグラ
ファイトの場合とほぼ同じである。従来、微粒炭素源に
強い電子線を長時間照射したり、炭素の蒸気を蒸着させ
るなど低圧高温状態で主に合成されてきた。他に、爆薬
による衝撃波で炭素微粉からカーボンオニオンが合成さ
れたという報告もある(K.Yamada,H.Kunishige,and A.
B.Sawaoka,Naturwissenschaften,78,450-452(1991)) 。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】これまでに、衝撃板衝
突による衝撃圧縮実験では炭素源がダイヤモンドに変換
した例はあるが、カ-ボンオニオンが合成された例はな
い。本発明は、この方法によりカ-ボンオニオンを合成
することを課題とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、従来の
ように、炭素含有量の高い炭素源を出発原料として用い
たのではなく、化合物(SiC)を出発原料としている
点と衝撃板衝突による平面衝撃波による衝撃圧縮により
カーボンオニオンを合成した点にある。
【0005】すなわち、本発明は、炭化ケイ素粉末を銅
粉末と混合し、その混合物を衝撃波により加圧しカーボ
ンオニオンを合成する方法において、SiC粉末と銅粉
末との加圧形成体に圧力35万気圧以上、温度2700
℃以上の超高圧超高温の衝撃圧縮を利用することを特徴
とするカ-ボンオニオンの合成法である。
【0006】本発明においては、出発原料として炭化ケ
イ素(SiC)粉末を用い、高速に加速した金属衝撃板
を衝突させることにより試料中に衝撃波を発生させ圧縮
する方法(衝撃圧縮)で超高温超高圧状態を作り、分解
したSiCからほぼ純粋な炭素からなるカ-ボンオニオ
ンを多数生成させることができる。高圧合成であるため
殻と殻の間隔は内部に行く程狭くなる。
【0007】ダイヤモンドでも直径数十ナノメートルの
微粒粉末を作ることは可能であるが、本発明のように直
径10〜30ナノメートルのほぼ均一な微粒粉末を作る
ことは難しい。均一なカーボンオニオンの微粒粉末は高
硬度材料の高精度研摩、あるいは潤滑剤としての可能性
がある。また、数千度という高温においてはダイヤモン
ド微粒は粒成長したりグラファイトに転移すると考えら
れるが、カーボンオニオンは低圧高温状態ではダイヤモ
ンドより安定であり、そのような極限環境においても使
用できる可能性がある。
【0008】
【発明の実施の形態】図1に、本発明の方法の概略説明
図を示す。SiC粉末と銅粉末との混合物の加圧形成体
からなる出発原料(2)を回収容器(3)につめ、ネジ
蓋(4)で試料背後から押さえた後、円柱型収納体
(1)に埋め込みターゲットとする。衝撃板(5)を爆
薬で加速しターゲット前面に平行に衝突させる。衝撃圧
は衝撃板の衝突直前の速度を測定してインピーダンスマ
ッチング法で計算する。衝撃温度は多量の銅粉末と試料
が平衡になるとして算出する。
【0009】カーボンオニオンの合成には高温が不可欠
であると考えられている。また炭素化合物を炭素源とし
カーボンオニオンを合成する場合、まず化合物が分解す
る必要がある。特に、高圧では、分解温度が常圧より高
くなりSiCの場合2700℃以上が必要となる。
【0010】用いるSiC粉末はα-SiCまたはβ-S
iCのどちらの場合でも、ほぼ同じ結果が得られる。S
iC粉末と銅粉末との混合物の加圧形成体の密度は6.
0g/cm3から8.9g/cm3が好ましい。密度が6.
0g/cm3より小さすぎると衝撃圧力を充分に上げるこ
とができない。また、金属銅の密度が8.9g/cm3
あるので銅粉末を加圧形成してそれ以上の密度にするの
は困難である。
【0011】この加圧形成体を衝撃圧縮する場合の圧力
は35万気圧以上が好ましい。圧力が35万気圧より低
い場合には、衝撃温度も低くなり化合物の分解温度に達
しないためカーボンオニオンの生成は望めない。圧力の
上限は、カーボンオニオン合成のための必要条件ではな
いが、150万気圧以上の圧力は、衝突速度に限界があ
るので技術的に発生不可能となるので、150万気圧程
度を限度とする。
【0012】SiC粉末と銅粉末との混合比は、銅が5
0重量%程度以上であることが好ましい。銅粉末の混合
比が小さいと試料粒子の周りに充分な量の銅粉が存在せ
ず、均一な衝撃温度及び急冷効果が得られないため衝撃
合成の効率が低下する。逆に、銅粉の割合が高すぎると
生成物の収量が少なくなる。但し、同量の出発物質から
の収率は銅粉の割合がいくら高くても低下するわけでは
ないので、銅が99重量%でも可能である。
【0013】SiC粉末と混合する銅粉末の平均粒子径
の上下限は特に限定されないが、10ミクロン程度以下
5ミクロン程度以上のものを使用すればよい。銅粉の粒
径があまり大きいと試料粒子を密に取り囲むことができ
ず、銅粉を用いる理由である均一温度及び急冷効果を得
ることができなくなりカーボンオニオンの収率が低下す
る。
【0014】
【実施例】実施例1 5重量%SiC粉末を95重量%銅粉末と混合し、ステ
ンレス鋼製回収容器に加圧形成し、つめて加圧成形体と
した。加圧成形体の密度は6.6g/cm3とした。この
容器に秒速4.7kmでステンレス鋼衝撃板(厚さ約3
mm)を衝突させた。発生する衝撃波で加圧成形体を約
120万気圧、6500kまで高圧高温処理した。回収
した生成物を硝酸で処理し銅粉末を除去した。精製した
生成物を電子顕微鏡で観察したところ直径10〜30n
m程度のカーボンオニオンが多数発見された。カーボン
オニオンの中心部にはアモルファス状の炭素の核があ
り、そのまわりを数十層の球形の炭素殻が取り巻いてい
ることがわかった。核の部分にはわずかにケイ素(S
i)が含まれていた。
【0015】
【発明の効果】本発明の方法によれば、一回の衝撃処理
で直径数十ナノメートルのカーボンオニオンを多数合成
できるので、従来の方法より格段に効率的である。大き
さのほぼ均一なカーボンオニオンを大量合成できれば高
硬度材料の高精度研摩、あるいは潤滑剤としての可能性
がある。更に、その焼結体などが可能になれば、ナノス
ケール加工のための研削部品としての応用も考えられ、
ナノテクノロジー関連デバイスとしての可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法の概略説明図である。
フロントページの続き (56)参考文献 Y.B.Li et al,Tran sformation of carb on nanotubes to na noparticles by bal l milling process, carbon,1999年,Vol.37, p.493−497 Vladimir L. et a l,Onion−like carbo n from ultra−dispe rse diamond,Chemic al Physics Letter s,1994年,Vol.222,p.343− 348 K.Yamada et al,Fo rmation Process of Carbyne Produce b y Shock Compressio n,Natur Wissenscha ften,1991年,Vol.78,p. 450−452 Crystal growth of radiating filamen ts of SiC formed b y the conically co nverging shock−wav e technique,Philos ophical Magazine A,1990年,Vol.61,p.943−954 Tatiana Gorelik e t al,Carbon onions produced by laser irradiation of am orphous silicon ca rbide,Chemical Phy sics Letters,2003年,V ol.373,p.642−645 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C01B 31/02 101 JICSTファイル(JOIS)

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 炭化ケイ素粉末を銅粉末と混合し、その
    混合物を衝撃波により加圧しカーボンオニオンを合成す
    る方法において、SiC粉末と銅粉末との加圧形成体に
    圧力35万気圧以上、温度2700℃以上の超高圧超高
    温の衝撃圧縮を行うことを特徴とするカ-ボンオニオン
    の合成法。
  2. 【請求項2】 SiC粉末と銅粉末との混合物の加圧形
    成体の密度が6.0g/cm3から8.9g/cm3であ
    り、この加圧成形体を衝撃圧縮した場合の圧力が35万
    気圧から150万気圧であることを特徴とする請求項1
    に記載のカーボンオニオンの合成法。
  3. 【請求項3】 SiC粉末と銅粉末との混合比は、銅が
    50重量%以上99重量%以下であることを特徴とする
    請求項1に記載のカーボンオニオンの合成法。
  4. 【請求項4】 銅粉末の平均粒子径が10ミクロン以
    下であることことを特徴とする請求項1に記載のカーボ
    ンオニオンの合成法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Crystal growth of radiating filaments of SiC formed by the conically converging shock−wave technique,Philosophical Magazine A,1990年,Vol.61,p.943−954
K.Yamada et al,Formation Process of Carbyne Produce by Shock Compression,Natur Wissenschaften,1991年,Vol.78,p.450−452
Tatiana Gorelik et al,Carbon onions produced by laser irradiation of amorphous silicon carbide,Chemical Physics Letters,2003年,Vol.373,p.642−645
Vladimir L. et al,Onion−like carbon from ultra−disperse diamond,Chemical Physics Letters,1994年,Vol.222,p.343−348
Y.B.Li et al,Transformation of carbon nanotubes to nanoparticles by ball milling process,carbon,1999年,Vol.37,p.493−497

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