JP3468560B2 - 軟磁性薄膜 - Google Patents
軟磁性薄膜Info
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- JP3468560B2 JP3468560B2 JP33091893A JP33091893A JP3468560B2 JP 3468560 B2 JP3468560 B2 JP 3468560B2 JP 33091893 A JP33091893 A JP 33091893A JP 33091893 A JP33091893 A JP 33091893A JP 3468560 B2 JP3468560 B2 JP 3468560B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，高い飽和磁束密度と良
好な耐食性，軟磁気特性を有する軟磁性薄膜に関する。
好な耐食性，軟磁気特性を有する軟磁性薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年，磁気記録の高密度化の要求に従っ
て，磁気記録媒体の高保磁力化が精力的に進められてい
る．このような磁気記録媒体に十分な記録を行うために
は，高い飽和磁束密度を持った磁気ヘッドコア材料が必
要となる。
て，磁気記録媒体の高保磁力化が精力的に進められてい
る．このような磁気記録媒体に十分な記録を行うために
は，高い飽和磁束密度を持った磁気ヘッドコア材料が必
要となる。
【０００３】現在，高飽和磁束密度を有する事を目的と
して開発されている磁気ヘッド材料はＦｅ−Ａｌ，Ｆｅ
−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金，Ｆｅ−Ｃｏ合金，Ｆｅ
−Ｚｒ−Ｎ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ等，いずれもＦｅを主成分
とする組成で構成された合金の軟磁性薄膜が多い。
して開発されている磁気ヘッド材料はＦｅ−Ａｌ，Ｆｅ
−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金，Ｆｅ−Ｃｏ合金，Ｆｅ
−Ｚｒ−Ｎ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ等，いずれもＦｅを主成分
とする組成で構成された合金の軟磁性薄膜が多い。
【０００４】しかし，これらＦｅ系合金薄膜を磁気ヘッ
ドとして使用すると，高温多湿状態では水分の作用で腐
食が発生したり、あるいはテープから浸出する液によっ
て腐食したり，または海岸地方で使用する場合には塩水
による腐食を生じるといった等、耐食性の問題が存在し
ていた。
ドとして使用すると，高温多湿状態では水分の作用で腐
食が発生したり、あるいはテープから浸出する液によっ
て腐食したり，または海岸地方で使用する場合には塩水
による腐食を生じるといった等、耐食性の問題が存在し
ていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このＦｅ系合金の磁気
ヘッド材料の耐食性を向上させるため，種々の合金元素
の添加が試みられているが，十分な耐食性を得るために
は、必要な添加元素の量を多くせねばならず，その材料
の特徴である飽和磁束密度の低下の割合が大きく，且つ
軟磁気特性も悪化させるという問題が存在していた。
ヘッド材料の耐食性を向上させるため，種々の合金元素
の添加が試みられているが，十分な耐食性を得るために
は、必要な添加元素の量を多くせねばならず，その材料
の特徴である飽和磁束密度の低下の割合が大きく，且つ
軟磁気特性も悪化させるという問題が存在していた。
【０００６】そこで，高飽和磁束密度，及び良好な軟磁
気特性を維持したまま，十分な耐食性を有しているＦｅ
系合金の磁気ヘッドが求められている。本発明は前記従
来の問題点を解決するため，優れた耐食性を有するとと
もに，更に優れた軟磁気特性と高飽和磁束密度を有する
軟磁性薄膜を提供することを目的とする。
気特性を維持したまま，十分な耐食性を有しているＦｅ
系合金の磁気ヘッドが求められている。本発明は前記従
来の問題点を解決するため，優れた耐食性を有するとと
もに，更に優れた軟磁気特性と高飽和磁束密度を有する
軟磁性薄膜を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の軟磁性薄膜は、前記式（１）〜（８）で表
される原子比組成を有するものである。すなわち、種々
の添加元素を飽和磁束密度を殆ど低下させない微小量か
ら１０atom% オーダーまで加えたＦｅ系磁性薄膜の耐食
性，軟磁気特性を評価した結果，ＶとＣｒとを複合添加
した薄膜，及びＮｉとＣｒとを複合添加した薄膜におい
て，比較的少ない添加量に対しても高飽和磁束密度を維
持しつつ，高い耐食性，良好な軟磁気特性を有すること
を見いだした。
め、本発明の軟磁性薄膜は、前記式（１）〜（８）で表
される原子比組成を有するものである。すなわち、種々
の添加元素を飽和磁束密度を殆ど低下させない微小量か
ら１０atom% オーダーまで加えたＦｅ系磁性薄膜の耐食
性，軟磁気特性を評価した結果，ＶとＣｒとを複合添加
した薄膜，及びＮｉとＣｒとを複合添加した薄膜におい
て，比較的少ない添加量に対しても高飽和磁束密度を維
持しつつ，高い耐食性，良好な軟磁気特性を有すること
を見いだした。
【０００８】Ｃｒ、Ｖ及びＮｉは、単独添加によっても
耐食性は向上するが、それらの元素から構成される今回
の組合せによる複合添加により耐食性及び軟磁気特性は
著しく向上する。
耐食性は向上するが、それらの元素から構成される今回
の組合せによる複合添加により耐食性及び軟磁気特性は
著しく向上する。
【０００９】
【作用】前記した本発明の軟磁性薄膜の構成によれば、
Ｖ及びＣｒ、またはＮｉ及びＣｒを複合添加したＦｅを
主成分とする合金組成から構成される。これらの添加元
素を複合で含有することによって、著しく耐食性が向上
する。これは、ＣｒとＶあるいはＮｉが同時に固溶する
ことによって大気中、あるいは水溶液中で自然に緻密に
生成された不動態皮膜が形成されて著しく耐食性が向上
するものと考えられる。また一方、これらの添加元素を
複合で含有することによって、軟磁気特性の向上、特に
高い実効透磁率が得られる。
Ｖ及びＣｒ、またはＮｉ及びＣｒを複合添加したＦｅを
主成分とする合金組成から構成される。これらの添加元
素を複合で含有することによって、著しく耐食性が向上
する。これは、ＣｒとＶあるいはＮｉが同時に固溶する
ことによって大気中、あるいは水溶液中で自然に緻密に
生成された不動態皮膜が形成されて著しく耐食性が向上
するものと考えられる。また一方、これらの添加元素を
複合で含有することによって、軟磁気特性の向上、特に
高い実効透磁率が得られる。
【００１０】以上の通り本発明の軟磁性膜は、前記式
（１）〜（８）で表される原子比組成、すなわちＦｅを
主成分とする合金に対し、少量のＶとＣｒあるいはＮｉ
とＣｒを添加することにより、耐食性の向上と高飽和磁
束密度、及び良好な軟磁気特性をあわせもつ膜を得る事
ができる。
（１）〜（８）で表される原子比組成、すなわちＦｅを
主成分とする合金に対し、少量のＶとＣｒあるいはＮｉ
とＣｒを添加することにより、耐食性の向上と高飽和磁
束密度、及び良好な軟磁気特性をあわせもつ膜を得る事
ができる。
【００１１】
【実施例】以下実施例を用いて本発明をさらに具体的に
説明する。まず、添加元素の成分組成を限定した理由を
説明する。Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ａｌ合金、及びＦｅ
−Ｓｉ−Ａｌ合金において飽和磁束密度を１．５［Ｔ］
以上を確保するためには、少なくともＳｉ＜１７atom%
、Ａｌ＜１７atom% である必要があるが、同様に合計
の非磁性元素量も１８atom% 越えて含有する場合には、
１．５［Ｔ］以上の飽和磁束密度を得ることが困難とな
り、さらに良好な軟磁気特性を維持するために、添加元
素の含有量の上限範囲をＶ＜４atom% 、Ｃｒ＜４atom%
とした。同様に、Ｎｉを添加する場合は、軟磁気特性を
維持するためＮｉ＜８atom% とした。一方、０．５atom
% 以下の含有量の場合には、はっきりした耐食性の向上
をいずれの場合においても確認できなかったので、０．
５atom% ＜Ｖ，０．５atom% ＜Ｃｒ、０．５atom% ＜Ｎ
ｉの範囲とした。
説明する。まず、添加元素の成分組成を限定した理由を
説明する。Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ａｌ合金、及びＦｅ
−Ｓｉ−Ａｌ合金において飽和磁束密度を１．５［Ｔ］
以上を確保するためには、少なくともＳｉ＜１７atom%
、Ａｌ＜１７atom% である必要があるが、同様に合計
の非磁性元素量も１８atom% 越えて含有する場合には、
１．５［Ｔ］以上の飽和磁束密度を得ることが困難とな
り、さらに良好な軟磁気特性を維持するために、添加元
素の含有量の上限範囲をＶ＜４atom% 、Ｃｒ＜４atom%
とした。同様に、Ｎｉを添加する場合は、軟磁気特性を
維持するためＮｉ＜８atom% とした。一方、０．５atom
% 以下の含有量の場合には、はっきりした耐食性の向上
をいずれの場合においても確認できなかったので、０．
５atom% ＜Ｖ，０．５atom% ＜Ｃｒ、０．５atom% ＜Ｎ
ｉの範囲とした。
【００１２】Ｆｅ−Ｃｏ合金においては、約３５atom%
Ｃｏ組成において、最大の飽和磁束密度、約２．４５
［Ｔ］を有するが、Ｃｏの組成が２０〜８０atom% の範
囲であれば、この合金系の特徴である高飽和磁束密度
（約２［Ｔ］以上）が得られる。よってＣｏ含有量は上
記の範囲とした。
Ｃｏ組成において、最大の飽和磁束密度、約２．４５
［Ｔ］を有するが、Ｃｏの組成が２０〜８０atom% の範
囲であれば、この合金系の特徴である高飽和磁束密度
（約２［Ｔ］以上）が得られる。よってＣｏ含有量は上
記の範囲とした。
【００１３】また、Ｆｅを主成分としてＯあるいはＮを
含む系：Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ，Ｆｅ−Ｓｉ
−Ａｌ−Ｏ等においてはＮ：３〜１５atom% ，Ｏ：０．
５〜１５atom% の範囲において低磁歪を含めた良好な軟
磁気特性及び１．５［Ｔ］以上の高飽和磁束密度を合わ
せ持つことができる。よって、この組成領域の膜に対し
て複合添加をすることによって優れた耐食性をあわせも
つ磁性膜を得ることができる。
含む系：Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ，Ｆｅ−Ｓｉ
−Ａｌ−Ｏ等においてはＮ：３〜１５atom% ，Ｏ：０．
５〜１５atom% の範囲において低磁歪を含めた良好な軟
磁気特性及び１．５［Ｔ］以上の高飽和磁束密度を合わ
せ持つことができる。よって、この組成領域の膜に対し
て複合添加をすることによって優れた耐食性をあわせも
つ磁性膜を得ることができる。
【００１４】製膜は、ＤＣマグネトロンスパッタリング
機を用いてガラス基板上に行った。基板温度を２００
℃、Ａｒ圧：２ｍＴｏｒｒ、Ｐｏｗｅｒ：２００Ｗ、膜
厚３μｍとした。得られた膜は１×１０-6Torrの真空中
で、５５０℃、２ｈｒアニールを行った。
機を用いてガラス基板上に行った。基板温度を２００
℃、Ａｒ圧：２ｍＴｏｒｒ、Ｐｏｗｅｒ：２００Ｗ、膜
厚３μｍとした。得られた膜は１×１０-6Torrの真空中
で、５５０℃、２ｈｒアニールを行った。
【００１５】飽和磁束密度はＶＳＭ、抗磁力はＭＨルー
プトレーサーにより測定し、実効透磁率は８の字コイル
法により、1mOe、1MHz に於ける値を測定した。膜の腐食
性は、室温にて、水中及び１[N] のＮａＣｌ水溶液にそ
れぞれ48時間浸し腐食状態を調べた。
プトレーサーにより測定し、実効透磁率は８の字コイル
法により、1mOe、1MHz に於ける値を測定した。膜の腐食
性は、室温にて、水中及び１[N] のＮａＣｌ水溶液にそ
れぞれ48時間浸し腐食状態を調べた。
【００１６】以下実施例中に示す組成は、ＩＣＰ、ＸＭ
Ａの分析を組み合わせて評価した。 （実施例１）Ｖ及びＣｒを複合添加した磁性薄膜の優位
性を検証するために以下の実験を行った。Ｆｅ−Ｓｉ
系，Ｆｅ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｃｏ系
の各種合金ターゲットの組成につき、それぞれにＣｒ，
Ｖの量を変化させながら添加し磁性膜を形成した。ま
た、第３添加元素の影響や他の複合添加の組合せも検討
するためＮｂ、Ｚｒの添加も行った。表１及び２に組
成、表３及び４に軟磁気特性及び耐食性の結果を示す。
Ａの分析を組み合わせて評価した。 （実施例１）Ｖ及びＣｒを複合添加した磁性薄膜の優位
性を検証するために以下の実験を行った。Ｆｅ−Ｓｉ
系，Ｆｅ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｃｏ系
の各種合金ターゲットの組成につき、それぞれにＣｒ，
Ｖの量を変化させながら添加し磁性膜を形成した。ま
た、第３添加元素の影響や他の複合添加の組合せも検討
するためＮｂ、Ｚｒの添加も行った。表１及び２に組
成、表３及び４に軟磁気特性及び耐食性の結果を示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】
【表３】
【００２０】
【表４】
【００２１】これらの結果より、各Fe系合金薄膜の同一
添加量を施した試料に於て（飽和磁束密度はいずれも1.
7[T]前後) 、Ｖ及びＣｒの複合添加の耐食性での、単独
添加及び他の組合せによる複合添加に対する優位性のみ
ならず、軟磁気特性における優位性も確認された。
添加量を施した試料に於て（飽和磁束密度はいずれも1.
7[T]前後) 、Ｖ及びＣｒの複合添加の耐食性での、単独
添加及び他の組合せによる複合添加に対する優位性のみ
ならず、軟磁気特性における優位性も確認された。
【００２２】なお、Ｖ及びＣｒの添加効果が現れる下限
の量は、今回の結果よりそれぞれ０．３atom% ，０．５
atom% とした。添加量の上限は、飽和磁束密度の値が
１．５［Ｔ］以上になる領域として、それぞれ４atom%
以下とした。
の量は、今回の結果よりそれぞれ０．３atom% ，０．５
atom% とした。添加量の上限は、飽和磁束密度の値が
１．５［Ｔ］以上になる領域として、それぞれ４atom%
以下とした。
【００２３】一方、本発明におけるＶ及びＣｒの複合添
加の他、一般的に耐食性に有効であることが知られてい
る元素（本実施例ではＮｂ）をさらに添加しても、複合
添加が損なわれないことが確認された。
加の他、一般的に耐食性に有効であることが知られてい
る元素（本実施例ではＮｂ）をさらに添加しても、複合
添加が損なわれないことが確認された。
【００２４】なお，Ａｒ圧：2mtorrに対し，Ｏ2 圧：0.
1mTorrを加えた条件で同様に作製されたＯ2 濃度：３at
om% を含有する磁性膜においても，Ｖ及びＣｒの軟磁気
特性及び耐食性に於ける複合添加の優位性が確認され
た。
1mTorrを加えた条件で同様に作製されたＯ2 濃度：３at
om% を含有する磁性膜においても，Ｖ及びＣｒの軟磁気
特性及び耐食性に於ける複合添加の優位性が確認され
た。
【００２５】（実施例２）Ｎｉ及びＣｒを複合添加した
磁性薄膜の優位性を検証するために以下の実験を行っ
た。Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｃｏ系の各種合金ター
ゲットの組成につき、それぞれにＣｒ，Ｎｉを量を変化
させながら添加し磁性膜を形成した。表５に組成、表６
に軟磁気特性及び耐食性の結果を示す。
磁性薄膜の優位性を検証するために以下の実験を行っ
た。Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｃｏ系の各種合金ター
ゲットの組成につき、それぞれにＣｒ，Ｎｉを量を変化
させながら添加し磁性膜を形成した。表５に組成、表６
に軟磁気特性及び耐食性の結果を示す。
【００２６】
【表５】
【００２７】
【表６】
【００２８】この結果より、Fe-Si-Al合金薄膜及びFe-C
o 合金薄膜に於て、実施例１と同様にＮｉ及びＣｒの複
合添加の耐食性での優位性があることがわかる。この組
合せの場合、磁性金属Ｎｉを含む添加であるため飽和磁
束密度の低下を添加量に対して小さく抑えられる特徴が
あり、且つ軟磁気特性も同時に向上させられる。有効な
添加量の範囲は、Ｎｉ＞０．５atom% であることが確認
された。また，同様にＮｉ，Ｃｒ以外の添加元素をさら
に加えても複合添加は損なわれなかった。
o 合金薄膜に於て、実施例１と同様にＮｉ及びＣｒの複
合添加の耐食性での優位性があることがわかる。この組
合せの場合、磁性金属Ｎｉを含む添加であるため飽和磁
束密度の低下を添加量に対して小さく抑えられる特徴が
あり、且つ軟磁気特性も同時に向上させられる。有効な
添加量の範囲は、Ｎｉ＞０．５atom% であることが確認
された。また，同様にＮｉ，Ｃｒ以外の添加元素をさら
に加えても複合添加は損なわれなかった。
【００２９】なお、Ｆｅ−５ｗｔ％Ａｌ、Ｆｅ−６．０
ｗｔ％Ｓｉ合金に於いても、ＣｒとＮｉの複合添加の耐
食性に及ぼす優位性が同様に確認された。 （実施例３）複合添加した磁性薄膜の優位性を窒化磁性
膜、酸化磁性膜等に於いても、検証するために以下の実
験を行った。Ｆｅ−Ｚｒ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系の各種
合金ターゲットの組成につき、それぞれにＣｒ，Ｖを量
を変化させながら添加し磁性膜を形成した。
ｗｔ％Ｓｉ合金に於いても、ＣｒとＮｉの複合添加の耐
食性に及ぼす優位性が同様に確認された。 （実施例３）複合添加した磁性薄膜の優位性を窒化磁性
膜、酸化磁性膜等に於いても、検証するために以下の実
験を行った。Ｆｅ−Ｚｒ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系の各種
合金ターゲットの組成につき、それぞれにＣｒ，Ｖを量
を変化させながら添加し磁性膜を形成した。
【００３０】形成方法は、Ａｒガス中に窒素ガスあるい
は酸素ガス、それらの混合ガスを導入し、全圧１０mTor
r 、活性ガス分圧対全圧比（ＰＮ2 ／Ｐtotal ）３％、
投入電力２００ＷでＲＦスパッタ法によりおこなった。
表７に組成、表８に軟磁気特性及び耐食性の結果を示
す。
は酸素ガス、それらの混合ガスを導入し、全圧１０mTor
r 、活性ガス分圧対全圧比（ＰＮ2 ／Ｐtotal ）３％、
投入電力２００ＷでＲＦスパッタ法によりおこなった。
表７に組成、表８に軟磁気特性及び耐食性の結果を示
す。
【００３１】
【表７】
【００３２】
【表８】
【００３３】この結果から、無添加の薄膜に於て塩水中
で点状に発生していた錆をＣｒとＶの複合添加で効果的
に抑制できることが確認された。更に，この効果は酸化
もしくは酸窒化した磁性膜において適用されることが確
認された。尚、ＮｉとＣｒの複合添加した酸化もしくは
窒化した磁性膜においても耐食性及び軟磁気特性に於て
優位性が得られていることが確認されている。
で点状に発生していた錆をＣｒとＶの複合添加で効果的
に抑制できることが確認された。更に，この効果は酸化
もしくは酸窒化した磁性膜において適用されることが確
認された。尚、ＮｉとＣｒの複合添加した酸化もしくは
窒化した磁性膜においても耐食性及び軟磁気特性に於て
優位性が得られていることが確認されている。
【００３４】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明の軟磁性膜
は、前記式（１）〜（８）で表される原子比組成、すな
わちＦｅを主成分とする合金に対し、少量のＶとＣｒま
たはＮｉとＣｒを添加することにより、耐食性の向上と
高飽和磁束密度、及び良好な軟磁気特性をあわせもつ膜
を得る事ができる。
は、前記式（１）〜（８）で表される原子比組成、すな
わちＦｅを主成分とする合金に対し、少量のＶとＣｒま
たはＮｉとＣｒを添加することにより、耐食性の向上と
高飽和磁束密度、及び良好な軟磁気特性をあわせもつ膜
を得る事ができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 釘宮 公一
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(56)参考文献 特開 平４−252006（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−8605（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−8604（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−216308（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−37109（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−219448（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−29143（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−151172（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01F 10/00 - 10/32
H01F 41/14 - 41/34
C22C 38/00 303
C23C 14/14
G11B 5/31 - 5/325
Claims (8)
- 【請求項１】 下記式（１）で表される原子比組成を有
する軟磁性薄膜。 式（１） ＦｅａＭｂＶｃＣｒｄ（但し、ａ，ｂ，ｃ，
ｄは各々ａｔｏｍ％を示し、ＭはＳｉ、Ａｌから選ばれ
る少なくとも一つの元素を示し、ａ≧８２、０．２≦ｂ
≦１７、０．３≦ｃ≦８、０．５≦ｄ≦４、ａ＋ｂ＋ｃ
＋ｄ＝１００である。） - 【請求項２】 下記式（２）で表される原子比組成を有
する軟磁性薄膜。 式（２） ＦｅａＭｂＮｉｃＣｒｄ（但し、ａ，ｂ，
ｃ，ｄは各々ａｔｏｍ％を示し、ＭはＳｉ、Ａｌから選
ばれる少なくとも一つの元素を示し、ａ≧８２、０．２
≦ｂ≦１７、０．５≦ｃ≦８、０．５≦ｄ≦４、ａ＋ｂ
＋ｃ＋ｄ＝１００である。） - 【請求項３】 下記式（３）で表される原子比組成を有
する軟磁性薄膜。 式（３） （Ｆｅ１―ｘＣｏｘ）ａＶｂＣｒｃ（但し、
ａ，ｂ，ｃは各々ａｔｏｍ％を示し、０．２≦ｘ≦０．
８、ａ≧９２、０．３≦ｂ≦４、０．５≦ｃ≦４、ａ＋
ｂ＋ｃ＝１００である。） - 【請求項４】 下記式（４）で表される原子比組成を有
する軟磁性薄膜。 式（４） （Ｆｅ１―ｘＣｏｘ）ａＮｉｂＣｒｃ（但
し、ａ，ｂ，ｃは各々ａｔｏｍ％を示し、０．２≦ｘ≦
０．８、ａ≧９２、０．５≦ｂ≦４、０．５≦ｃ≦４、
ａ＋ｂ＋ｃ＝１００である。） - 【請求項５】 下記式（５）で表される原子比組成を有
する軟磁性薄膜。 式（５） ＦｅａＭｂＶｃＣｒｄＮｅ（但し、ａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅは各々ａｔｏｍ％を示し、ＭはＧａを除くＴ
ａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂから選ばれる少なくとも一
種の元素を示し、ａ≧７５、０．４≦ｂ≦１５、０．３
≦ｃ≦４、０．３≦ｄ≦４、３≦ｅ≦１５、ａ＋ｂ＋ｃ
＋ｄ＋ｅ＝１００である。） - 【請求項６】 下記式（６）で表される原子比組成を有
する軟磁性薄膜。 式（６） ＦｅａＭｂＶｃＣｒｄＯｅ（但し、ａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅは各々ａｔｏｍ％を示し、ＭはＧａを除くＳ
ｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂから選ばれる
少なくとも一種の元素を示し、ａ≧７５、０．４≦ｂ≦
１５、０．３≦ｃ≦４、０．３≦ｄ≦４、０．５≦ｅ≦
１５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００である。） - 【請求項７】 下記式（７）で表される原子比組成を有
する軟磁性薄膜。 式（７） ＦｅａＭｂＮｉｃＣｒｄＯｅ（但し、ａ，
ｂ，ｃ，ｄ，ｅは各々ａｔｏｍ％を示し、ＭはＧａを除
くＳｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂから選ば
れる少なくとも一種の元素を示し、ａ≧７５、０．４≦
ｂ≦１５、０．５≦ｃ≦４、０．３≦ｄ≦４、０．５≦
ｅ≦１５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００である。） - 【請求項８】 下記式（８）で表される原子比組成を有
する軟磁性薄膜。 式（８） ＦｅａＭｂＶｃＣｒｄＮｅＯｆ（但し、ａ，
ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆは各々ａｔｏｍ％を示し、ＭはＧａ
を除くＳｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂから
選ばれる少なくとも一種の元素を示し、ａ≧７５、０．
４≦ｂ≦１５、０．３≦ｃ≦４、０．３≦ｄ≦４、３≦
ｅ≦１５、０．５≦ｆ≦５，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝
１００である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33091893A JP3468560B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33091893A JP3468560B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 軟磁性薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192920A JPH07192920A (ja) | 1995-07-28 |
| JP3468560B2 true JP3468560B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=18237923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33091893A Expired - Fee Related JP3468560B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3468560B2 (ja) |
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1993
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