JP3465567B2 - タンタルシリコンナイトライド薄膜形成用スパッタリングターゲット材 - Google Patents
タンタルシリコンナイトライド薄膜形成用スパッタリングターゲット材Info
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- JP3465567B2 JP3465567B2 JP00225098A JP225098A JP3465567B2 JP 3465567 B2 JP3465567 B2 JP 3465567B2 JP 00225098 A JP00225098 A JP 00225098A JP 225098 A JP225098 A JP 225098A JP 3465567 B2 JP3465567 B2 JP 3465567B2
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- Japan
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- thin film
- target material
- tasi
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、反応性スパッタ
リング法によりタンタルシリコンナイトライド［以下、
組成式：（ＴａＳｉy ）Ｎz で示す。ただし、原子比で
ｙ：０．１〜０．７５、ｚ：０．８〜２．７を満足す
る］薄膜を形成するに際して、構成成分の膜面上の局部
的（位置的）バラツキがきわめて小さい（ＴａＳｉy ）
Ｎz 薄膜を形成することができるスパッタリングターゲ
ット材（以下、単にターゲット材と云う）に関するもの
である。 【０００２】 【従来の技術】従来、一般に、（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜
が、図１に概略要部縦断面図で示されるように、例えば
半導体記憶素子におけるＰｔ電極と多結晶Ｓｉプラグの
間に反応防止バリア層として設けられていることはよく
知られている。また、上記（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜が、
図３に概略説明図で示される通り、反応性スパッタリン
グ装置にて、ターゲット材として溶融多結晶Ｓｉターゲ
ット材と焼結金属Ｔａターゲット材を用い、減圧不活性
ガス雰囲気中、この両ターゲット材の表面をそれぞれス
パッタしてＴａおよびＳｉを所定割合で蒸発させ、雰囲
気中にＡｒと共に導入した窒素ガスと反応させて（Ｔａ
Ｓｉy ）Ｎz を形成し、これを基体表面に蒸着させるこ
とにより形成されることも知られている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】一方、近年の半導体装
置の高集積化および大容量化はめざましく、これに伴
い、基板表面に蒸着形成される（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜
は大面積化の傾向になるのが避けられず、このように
（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜が大面積化した場合、上記のタ
ーゲット材として溶融多結晶Ｓｉターゲット材と焼結金
属Ｔａターゲット材を並列使用する従来スパッタリング
法では、（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜の構成成分であるＴａ
およびＳｉに膜面上局部的バラツキが生じ易く、このバ
ラツキは（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜のもつ特性が局部的に
バラツク結果となり、半導体装置の製造上問題となるも
のである。 【０００４】 【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、特に大面積化した（ＴａＳｉ
y ）Ｎz 薄膜におけるＴａおよびＳｉの膜面上の局部的
バラツキを低減すべく、ターゲット材に着目し、研究を
行った結果、原料粉末として、タンタルシリサイド粉末
と金属Ｔａ粉末を用い、これを所定の割合に配合し、混
合した後、カーボンモールド内に充填し、真空中、ある
いは不活性ガス雰囲気中、温度：１７５０〜１９５０
℃、圧力：１０〜５０ＭＰａの条件でホットプレスする
ことにより、組織上実質的にタンタルシリサイド相と金
属Ｔａ相からなり、前記タンタルシリサイド相の割合が
電子プローブＸ線マイクロアナライザーによる組織写真
で観察して３３〜９２面積％を占め、さらに理論密度比
（相対密度）が９０％以上、すなわち気孔の占める割合
が１０容量％以下にして、全体組成を組成式：ＴａＳｉ
x で現した場合、ｘ値が原子比で０．１〜０．６５を満
足する焼結体を製造し、この焼結体を、反応性スパッタ
リング法にて（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜を形成するに際し
て、ターゲット材として用いると、基体表面に形成され
た（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜におけるＴａとＳｉの膜面上
の局部的バラツキが、これを大面積化した場合にもきわ
めて小さくなるという研究結果を得たのである。 【０００５】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、タンタルシリサイド粉末と金属
Ｔａ粉末からなる混合粉末のホットプレス焼結体にし
て、組織上実質的にタンタルシリサイド相と金属Ｔａ相
からなり、前記タンタルシリサイド相の割合が電子プロ
ーブＸ線マイクロアナライザーによる組織写真で観察し
て３３〜９２面積％を占め、さらに理論密度比（相対密
度）が９０％以上、すなわち気孔の占める割合が１０容
量％以下にして、全体組成を組成式：ＴａＳｉxで現し
た場合、ｘ値が原子比で０．１〜０．６５を満足するホ
ットプレス焼結体で構成してなる、構成成分であるＴａ
およびＳｉの膜面上の局部的（位置的）バラツキがきわ
めて小さい（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜を形成することがで
きるターゲット材に特徴を有するものである。 【０００６】つぎに、この発明のターゲット材を構成す
るホットプレス焼結体において、タンタルシリサイド相
の割合、理論密度比、および全体組成を示す組成式：Ｔ
ａＳｉx のｘ値を上記の通りに限定した理由を説明す
る。 （ａ）タンタルシリサイド相の割合 その割合が３３面積％未満になると、（ＴａＳｉy ）Ｎ
z 薄膜における構成成分の局部的バラツキの抑制効果に
低下傾向が現れるようになり、一方その割合が９２面積
％を越えると成膜速度が急激に低下するようになること
から、その割合を３３〜９２面積％、望ましくは５０〜
８０面積％と定めた。 【０００７】（ｂ）理論密度比 理論密度比が９０％未満になると、相対的に気孔の割合
が増加し、これがスパッタリング時にパーテクル発生の
原因となるばかりでなく、気孔成分が薄膜中に介在する
ようになって薄膜特性が著しく損なわれるようになるこ
とから、理論密度比を９０％以上、望ましくは９５％以
上と定めた。 【０００８】（ｃ）組成式：ＴａＳｉx のｘ値 ｘ値は、上記の通り薄膜の組成式：（ＴａＳｉy ）Ｎz
におけるｙ値およびｚ値、すなわち前記薄膜が必要とす
る特性を具備するために定められたｙ値およびｚ値に応
じて変化させるものであり、したがってその値が０．１
未満でも、また０．６５を越えても薄膜におけるｙ値お
よびｚ値は上記の所定値、すなわちｙ：０．１〜０．７
５、ｚ：０．８〜２．７の範囲から外れてしまい、所望
の特性を薄膜に確保することができなくなることから、
ｘ値を０．１〜０．６５、望ましくは０．１５〜０．５
０と定めた。 【０００９】 【発明の実施の形態】つぎに、この発明のターゲット材
を実施例により具体的に説明する。原料粉末として、そ
れぞれ表１に示される平均粒径をもった、組成式：Ｔａ
Ｓｉ2 のタンタルシリサイド粉末と金属Ｔａ粉末を用意
し、これら原料粉末を同じく表１に示される割合に配合
し、ボールミルで１２時間混合し、乾燥した後、この混
合粉末を２５０ｍｍの外径を有し、キャビテイ寸法が直
径：１３０ｍｍ×深さ：６０ｍｍのカーボンモールド内
に充填し、真空中、あるいは不活性ガス雰囲気中、温
度：１７５０〜１９５０℃の範囲内の所定の温度で、圧
力：２０〜３０ＭＰａの範囲内の所定の圧力を１時間付
与する条件でホットプレスして焼結体とし、このホット
プレス焼結体の表面部にカーボンとの反応により生成し
た黄色のＴａＣ層を除去する目的も兼ねて、ダイヤモン
ド砥石を用いて、これの表面部を研磨加工し、直径：１
２５ｍｍ×厚さ：５ｍｍの寸法に仕上げることにより円
板状の本発明ターゲット材１〜８をそれぞれ製造した。
この結果得られた本発明ターゲット材１〜８について、
その任意断面を、電子プローブＸ線マイクロアナライザ
ーを用いて組織観察したところ、いずれも基本的にタン
タルシリサイド相と金属Ｔａ相からなることが確認さ
れ、かつこれの画像解析により前記タンタルシリサイド
相の占める割合を算出した。また、化学分析により全体
組成を示す組成式：ＴａＳｉx のｘ値を測定した。これ
らの結果を表１に示した。さらに、表１には理論密度比
も合わせて示した。 【００１０】ついで、上記本発明ターゲット材１〜８
を、それぞれＩｎ−１５重量％Ｓｎ合金はんだを用いて
純銅製バッキングプレートにはんだ付けした状態で、図
２に概略縦断面図で示される構造の反応性スパッタリン
グ装置に装入し、 基体：１００ｍｍの直径、０．５ｍｍの厚さを有する単
結晶Ｓｉウエハ（固定）、 基体表面とターゲット材表面間の距離：６０ｍｍ、 基体温度：室温、 減圧不活性ガス雰囲気圧力：１Ｐａ、 Ａｒ／Ｎ2 流量比：８／２、 印加電力：ＲＦ５００Ｗ、 成膜時間：５分、 の条件で上記基体表面に（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜を形成
した。 【００１１】また、比較の目的で、いずれも直径：１２
５ｍｍ×厚さ：５ｍｍの寸法をもった円板状の焼結金属
Ｔａターゲット材および溶融多結晶Ｓｉターゲット材を
従来ターゲット材として用意し、これらの両ターゲット
材を図３の反応性スパッタリング装置に、同じ条件で純
銅製バッキングプレートにはんだ付けした状態で装入
し、 基体：１００ｍｍの直径、０．５ｍｍの厚さを有する単
結晶Ｓｉウエハ（１０ｒｐｍの速度で回転）、 基体表面とターゲット材表面間の距離：６０ｍｍ、 基体温度：室温、 減圧不活性ガス雰囲気圧力：１Ｐａ、 Ａｒ／Ｎ2 流量比：８／２、 印加電力：いずれのターゲット材にもＲＦ５００Ｗ、 成膜時間：５分、 の条件で上記基体表面に（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜を形成
した。 【００１２】このように本発明ターゲット材１〜８およ
び従来ターゲット材を用いて形成された（ＴａＳｉy ）
Ｎz 薄膜の膜厚を蒸着表面全体に亘って任意１５カ所に
ついて測定するすると共に、その部分のＳｉ／Ｔａ原子
比を測定し、この測定結果から最大値および最小値をピ
ックアップすると共に、これらの測定値の平均値を算出
した。この結果を表２に示した。 【００１３】 【表１】 【００１４】 【表２】【００１５】 【発明の効果】表２に示される結果から、本発明ターゲ
ット材１〜８を用いれば、従来ターゲット材を用いた場
合に比して、均一な厚さの（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜を相
対的に速い成膜速度で形成でき、かつ前記薄膜における
ＴａおよびＳｉの膜面上の局部的バラツキがきわめて小
さく、薄膜全体が均質化したものとなっていることが明
らかである。上述のように、この発明のターゲット材に
よれば、構成成分であるＴａおよびＳｉの膜面上の局部
的バラツキがきわめて小さく、しかも膜厚が均一化した
（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜を相対的に速い成膜速度で形成
することができるので、例えば半導体装置の高集積化お
よび大容量化にも十分満足に対応することができるなど
工業上有用な効果がもたらされるものである。
リング法によりタンタルシリコンナイトライド［以下、
組成式：（ＴａＳｉy ）Ｎz で示す。ただし、原子比で
ｙ：０．１〜０．７５、ｚ：０．８〜２．７を満足す
る］薄膜を形成するに際して、構成成分の膜面上の局部
的（位置的）バラツキがきわめて小さい（ＴａＳｉy ）
Ｎz 薄膜を形成することができるスパッタリングターゲ
ット材（以下、単にターゲット材と云う）に関するもの
である。 【０００２】 【従来の技術】従来、一般に、（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜
が、図１に概略要部縦断面図で示されるように、例えば
半導体記憶素子におけるＰｔ電極と多結晶Ｓｉプラグの
間に反応防止バリア層として設けられていることはよく
知られている。また、上記（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜が、
図３に概略説明図で示される通り、反応性スパッタリン
グ装置にて、ターゲット材として溶融多結晶Ｓｉターゲ
ット材と焼結金属Ｔａターゲット材を用い、減圧不活性
ガス雰囲気中、この両ターゲット材の表面をそれぞれス
パッタしてＴａおよびＳｉを所定割合で蒸発させ、雰囲
気中にＡｒと共に導入した窒素ガスと反応させて（Ｔａ
Ｓｉy ）Ｎz を形成し、これを基体表面に蒸着させるこ
とにより形成されることも知られている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】一方、近年の半導体装
置の高集積化および大容量化はめざましく、これに伴
い、基板表面に蒸着形成される（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜
は大面積化の傾向になるのが避けられず、このように
（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜が大面積化した場合、上記のタ
ーゲット材として溶融多結晶Ｓｉターゲット材と焼結金
属Ｔａターゲット材を並列使用する従来スパッタリング
法では、（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜の構成成分であるＴａ
およびＳｉに膜面上局部的バラツキが生じ易く、このバ
ラツキは（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜のもつ特性が局部的に
バラツク結果となり、半導体装置の製造上問題となるも
のである。 【０００４】 【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、特に大面積化した（ＴａＳｉ
y ）Ｎz 薄膜におけるＴａおよびＳｉの膜面上の局部的
バラツキを低減すべく、ターゲット材に着目し、研究を
行った結果、原料粉末として、タンタルシリサイド粉末
と金属Ｔａ粉末を用い、これを所定の割合に配合し、混
合した後、カーボンモールド内に充填し、真空中、ある
いは不活性ガス雰囲気中、温度：１７５０〜１９５０
℃、圧力：１０〜５０ＭＰａの条件でホットプレスする
ことにより、組織上実質的にタンタルシリサイド相と金
属Ｔａ相からなり、前記タンタルシリサイド相の割合が
電子プローブＸ線マイクロアナライザーによる組織写真
で観察して３３〜９２面積％を占め、さらに理論密度比
（相対密度）が９０％以上、すなわち気孔の占める割合
が１０容量％以下にして、全体組成を組成式：ＴａＳｉ
x で現した場合、ｘ値が原子比で０．１〜０．６５を満
足する焼結体を製造し、この焼結体を、反応性スパッタ
リング法にて（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜を形成するに際し
て、ターゲット材として用いると、基体表面に形成され
た（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜におけるＴａとＳｉの膜面上
の局部的バラツキが、これを大面積化した場合にもきわ
めて小さくなるという研究結果を得たのである。 【０００５】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、タンタルシリサイド粉末と金属
Ｔａ粉末からなる混合粉末のホットプレス焼結体にし
て、組織上実質的にタンタルシリサイド相と金属Ｔａ相
からなり、前記タンタルシリサイド相の割合が電子プロ
ーブＸ線マイクロアナライザーによる組織写真で観察し
て３３〜９２面積％を占め、さらに理論密度比（相対密
度）が９０％以上、すなわち気孔の占める割合が１０容
量％以下にして、全体組成を組成式：ＴａＳｉxで現し
た場合、ｘ値が原子比で０．１〜０．６５を満足するホ
ットプレス焼結体で構成してなる、構成成分であるＴａ
およびＳｉの膜面上の局部的（位置的）バラツキがきわ
めて小さい（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜を形成することがで
きるターゲット材に特徴を有するものである。 【０００６】つぎに、この発明のターゲット材を構成す
るホットプレス焼結体において、タンタルシリサイド相
の割合、理論密度比、および全体組成を示す組成式：Ｔ
ａＳｉx のｘ値を上記の通りに限定した理由を説明す
る。 （ａ）タンタルシリサイド相の割合 その割合が３３面積％未満になると、（ＴａＳｉy ）Ｎ
z 薄膜における構成成分の局部的バラツキの抑制効果に
低下傾向が現れるようになり、一方その割合が９２面積
％を越えると成膜速度が急激に低下するようになること
から、その割合を３３〜９２面積％、望ましくは５０〜
８０面積％と定めた。 【０００７】（ｂ）理論密度比 理論密度比が９０％未満になると、相対的に気孔の割合
が増加し、これがスパッタリング時にパーテクル発生の
原因となるばかりでなく、気孔成分が薄膜中に介在する
ようになって薄膜特性が著しく損なわれるようになるこ
とから、理論密度比を９０％以上、望ましくは９５％以
上と定めた。 【０００８】（ｃ）組成式：ＴａＳｉx のｘ値 ｘ値は、上記の通り薄膜の組成式：（ＴａＳｉy ）Ｎz
におけるｙ値およびｚ値、すなわち前記薄膜が必要とす
る特性を具備するために定められたｙ値およびｚ値に応
じて変化させるものであり、したがってその値が０．１
未満でも、また０．６５を越えても薄膜におけるｙ値お
よびｚ値は上記の所定値、すなわちｙ：０．１〜０．７
５、ｚ：０．８〜２．７の範囲から外れてしまい、所望
の特性を薄膜に確保することができなくなることから、
ｘ値を０．１〜０．６５、望ましくは０．１５〜０．５
０と定めた。 【０００９】 【発明の実施の形態】つぎに、この発明のターゲット材
を実施例により具体的に説明する。原料粉末として、そ
れぞれ表１に示される平均粒径をもった、組成式：Ｔａ
Ｓｉ2 のタンタルシリサイド粉末と金属Ｔａ粉末を用意
し、これら原料粉末を同じく表１に示される割合に配合
し、ボールミルで１２時間混合し、乾燥した後、この混
合粉末を２５０ｍｍの外径を有し、キャビテイ寸法が直
径：１３０ｍｍ×深さ：６０ｍｍのカーボンモールド内
に充填し、真空中、あるいは不活性ガス雰囲気中、温
度：１７５０〜１９５０℃の範囲内の所定の温度で、圧
力：２０〜３０ＭＰａの範囲内の所定の圧力を１時間付
与する条件でホットプレスして焼結体とし、このホット
プレス焼結体の表面部にカーボンとの反応により生成し
た黄色のＴａＣ層を除去する目的も兼ねて、ダイヤモン
ド砥石を用いて、これの表面部を研磨加工し、直径：１
２５ｍｍ×厚さ：５ｍｍの寸法に仕上げることにより円
板状の本発明ターゲット材１〜８をそれぞれ製造した。
この結果得られた本発明ターゲット材１〜８について、
その任意断面を、電子プローブＸ線マイクロアナライザ
ーを用いて組織観察したところ、いずれも基本的にタン
タルシリサイド相と金属Ｔａ相からなることが確認さ
れ、かつこれの画像解析により前記タンタルシリサイド
相の占める割合を算出した。また、化学分析により全体
組成を示す組成式：ＴａＳｉx のｘ値を測定した。これ
らの結果を表１に示した。さらに、表１には理論密度比
も合わせて示した。 【００１０】ついで、上記本発明ターゲット材１〜８
を、それぞれＩｎ−１５重量％Ｓｎ合金はんだを用いて
純銅製バッキングプレートにはんだ付けした状態で、図
２に概略縦断面図で示される構造の反応性スパッタリン
グ装置に装入し、 基体：１００ｍｍの直径、０．５ｍｍの厚さを有する単
結晶Ｓｉウエハ（固定）、 基体表面とターゲット材表面間の距離：６０ｍｍ、 基体温度：室温、 減圧不活性ガス雰囲気圧力：１Ｐａ、 Ａｒ／Ｎ2 流量比：８／２、 印加電力：ＲＦ５００Ｗ、 成膜時間：５分、 の条件で上記基体表面に（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜を形成
した。 【００１１】また、比較の目的で、いずれも直径：１２
５ｍｍ×厚さ：５ｍｍの寸法をもった円板状の焼結金属
Ｔａターゲット材および溶融多結晶Ｓｉターゲット材を
従来ターゲット材として用意し、これらの両ターゲット
材を図３の反応性スパッタリング装置に、同じ条件で純
銅製バッキングプレートにはんだ付けした状態で装入
し、 基体：１００ｍｍの直径、０．５ｍｍの厚さを有する単
結晶Ｓｉウエハ（１０ｒｐｍの速度で回転）、 基体表面とターゲット材表面間の距離：６０ｍｍ、 基体温度：室温、 減圧不活性ガス雰囲気圧力：１Ｐａ、 Ａｒ／Ｎ2 流量比：８／２、 印加電力：いずれのターゲット材にもＲＦ５００Ｗ、 成膜時間：５分、 の条件で上記基体表面に（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜を形成
した。 【００１２】このように本発明ターゲット材１〜８およ
び従来ターゲット材を用いて形成された（ＴａＳｉy ）
Ｎz 薄膜の膜厚を蒸着表面全体に亘って任意１５カ所に
ついて測定するすると共に、その部分のＳｉ／Ｔａ原子
比を測定し、この測定結果から最大値および最小値をピ
ックアップすると共に、これらの測定値の平均値を算出
した。この結果を表２に示した。 【００１３】 【表１】 【００１４】 【表２】【００１５】 【発明の効果】表２に示される結果から、本発明ターゲ
ット材１〜８を用いれば、従来ターゲット材を用いた場
合に比して、均一な厚さの（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜を相
対的に速い成膜速度で形成でき、かつ前記薄膜における
ＴａおよびＳｉの膜面上の局部的バラツキがきわめて小
さく、薄膜全体が均質化したものとなっていることが明
らかである。上述のように、この発明のターゲット材に
よれば、構成成分であるＴａおよびＳｉの膜面上の局部
的バラツキがきわめて小さく、しかも膜厚が均一化した
（ＴａＳｉy ）Ｎz 薄膜を相対的に速い成膜速度で形成
することができるので、例えば半導体装置の高集積化お
よび大容量化にも十分満足に対応することができるなど
工業上有用な効果がもたらされるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体記憶素子の概略要部縦断面図である。
【図２】反応性スパッタリング装置を例示する概略縦断
面図である。 【図３】他の形式の反応性スパッタリング装置を例示す
る概略縦断面図である。
面図である。 【図３】他の形式の反応性スパッタリング装置を例示す
る概略縦断面図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
// Ｃ２２Ｃ 1/05 Ｃ２２Ｃ 1/05 Ｚ
(56)参考文献 特開 平11−6060（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 14/00 - 14/58
C22C 27/02 103
H01L 21/285
H01L 21/31
H01L 21/318
C22C 1/05
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 タンタルシリサイド粉末と金属Ｔａ粉末
からなる混合粉末のホットプレス焼結体にして、組織上
実質的にタンタルシリサイド相と金属Ｔａ相からなり、
かつ前記タンタルシリサイド相の割合が電子プローブＸ
線マイクロアナライザーによる組織写真で観察して３３
〜９２面積％を占め、さらに９０％以上の理論密度比を
有すると共に、全体組成を組成式：ＴａＳｉx で現した
場合、ｘ値が原子比で０．１〜０．６５を満足するホッ
トプレス焼結体で構成したことを特徴とするタンタルシ
リコンナイトライド薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00225098A JP3465567B2 (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | タンタルシリコンナイトライド薄膜形成用スパッタリングターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00225098A JP3465567B2 (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | タンタルシリコンナイトライド薄膜形成用スパッタリングターゲット材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11200025A JPH11200025A (ja) | 1999-07-27 |
| JP3465567B2 true JP3465567B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=11524124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00225098A Expired - Fee Related JP3465567B2 (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | タンタルシリコンナイトライド薄膜形成用スパッタリングターゲット材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3465567B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG172268A1 (en) | 2009-04-17 | 2011-07-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Barrier film for semiconductor wiring, sintered compact sputtering target and method of producing the sputtering target |
-
1998
- 1998-01-08 JP JP00225098A patent/JP3465567B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11200025A (ja) | 1999-07-27 |
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