JP3462643B2 - Substrate edge processing equipment - Google Patents

Substrate edge processing equipment

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JP3462643B2
JP3462643B2 JP29873295A JP29873295A JP3462643B2 JP 3462643 B2 JP3462643 B2 JP 3462643B2 JP 29873295 A JP29873295 A JP 29873295A JP 29873295 A JP29873295 A JP 29873295A JP 3462643 B2 JP3462643 B2 JP 3462643B2
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Japan
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substrate
cleaning liquid
nozzle
edge
gas injection
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幸治 木▲崎▼
陽平 間宮
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジスト塗
布液、感光性ポリイミド樹脂、カラーフィルター用の染
色剤などの薄膜が表面に形成された液晶用のガラス基
板、フォトマスク用のガラス基板、あるいは半導体ウェ
ハなどの基板を対象とし、これら基板の端縁に形成され
た薄膜を取り除くための基板端縁処理装置に関するもの
である。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a glass substrate for a liquid crystal, a glass substrate for a photomask, or a glass substrate for a photomask, on the surface of which a thin film such as a photoresist coating solution, a photosensitive polyimide resin, or a dyeing agent for a color filter is formed. The present invention relates to a substrate edge processing apparatus for substrates such as semiconductor wafers and for removing thin films formed on the edges of these substrates.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、例えば液晶表示器の製造工程にお
いて、表面にレジストの塗布された角形基板に対し、そ
の端縁に形成された不要薄膜を洗浄液で溶解して除去す
る処理が施される。不要薄膜を溶解除去する装置(基板
端縁処理装置)としては、特開平5−175117号公
報、特開平6−349729号公報、特開平7−378
04号公報等に開示されたものが知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a manufacturing process of a liquid crystal display, for example, a rectangular substrate having a surface coated with a resist is subjected to a treatment for dissolving and removing an unnecessary thin film formed on an edge thereof with a cleaning liquid. . As an apparatus (substrate edge processing apparatus) for dissolving and removing the unnecessary thin film, JP-A-5-175117, JP-A-6-349729, and JP-A-7-378 are used.
The one disclosed in Japanese Patent Publication No. 04, etc. is known.

【0003】これらの公報に記載された装置は、水平姿
勢が維持された基板表面または表裏面の側端縁に洗浄液
を供給する洗浄液吐出ノズルと、これら洗浄液吐出ノズ
ルに対応して設けられた洗浄液を外方に吹き飛ばすガス
噴射ノズルと、吹き飛ばされた洗浄液を捕捉して吸引す
る吸引手段と、上記各洗浄液吐出ノズルおよびガス噴射
ノズルを基板端縁に沿って移動または揺動させる移動機
構とを備えて形成されている。
The apparatuses described in these publications are cleaning liquid discharge nozzles for supplying a cleaning liquid to the side edges of the front surface or the front and back surfaces of a substrate whose horizontal posture is maintained, and the cleaning liquid provided corresponding to these cleaning liquid discharge nozzles. A gas injection nozzle that blows away the cleaning liquid to the outside, suction means that captures and sucks the blown cleaning liquid, and a moving mechanism that moves or rocks each of the cleaning liquid discharge nozzles and the gas injection nozzle along the edge of the substrate. Is formed.

【0004】そして、基板の端縁を上記洗浄液吐出ノズ
ルおよびガス噴射ノズルに対向させた状態でそれに洗浄
液およびガスを供給しながら各ノズルを移動機構の駆動
によって基板端縁に沿って移動または揺動させることに
より、端縁に形成された不要薄膜を洗浄液に順次溶解さ
せるとともに、ガス噴射ノズルからの気流によって不要
薄膜を溶かした洗浄液を吹き飛ばし、これを吸引手段に
吸引させて基板の端縁の薄膜を洗浄除去するようにして
いる。
Then, each nozzle is moved or swung along the edge of the substrate by driving the moving mechanism while supplying the cleaning liquid and gas to the cleaning liquid discharge nozzle and the gas injection nozzle while the edge of the substrate is opposed to the nozzle. By doing so, the unnecessary thin film formed on the edge is sequentially dissolved in the cleaning liquid, and the cleaning liquid in which the unnecessary thin film is melted is blown off by the air flow from the gas injection nozzle, and the suction means is sucked to suck the thin film at the edge of the substrate. Are to be removed by washing.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
基板端縁処理装置においては、洗浄液吐出ノズルから洗
浄液の吐出と、ガス噴射ノズルからのガスの噴射とを同
時に行っているため、基板の端縁に向けて吐出された洗
浄液がガスの気流に妨害され、基板の端縁の不要薄膜に
洗浄液を十分に供給することができなくなるという問題
点が発生する。
By the way, in the above-mentioned conventional substrate edge processing apparatus, since the cleaning liquid is ejected from the cleaning liquid ejection nozzle and the gas is ejected from the gas ejection nozzle at the same time, the substrate edge is processed. The cleaning liquid discharged toward the edge is obstructed by the gas flow, which causes a problem that the cleaning liquid cannot be sufficiently supplied to the unnecessary thin film on the edge of the substrate.

【0006】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、基板の端縁の不要薄膜に洗
浄液を十分に供給することができる基板端縁処理装置を
提供することを目的としている。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and provides a substrate edge processing apparatus capable of sufficiently supplying a cleaning liquid to an unnecessary thin film at the edge of a substrate. It is an object.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
表面に薄膜が形成された基板の端縁の不要薄膜を除去す
る基板端縁処理装置において、基板を水平姿勢で保持す
る基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板の
面側端縁に向けて洗浄液を吐出するように位置設定され
洗浄液吐出ノズルと、基板の端縁に供給された洗浄液
を吸引する吸引手段と、基板保持手段に保持された基板
の裏面側端縁に向けてガスを噴射するように位置設定さ
、基板の裏面側端縁に付着した洗浄液を基板の端縁よ
り外方に吹き飛ばすガス噴射ノズルと、上記吸引手段の
吸引動作状態で洗浄液吐出ノズルにより洗浄液を吐出
、その後に洗浄液吐出ノズルからの洗浄液の吐出を停
止するとともにガス噴射ノズルによりガスを噴射するよ
うに制御する制御手段と、を有していることを特徴とす
るものである。
The invention according to claim 1 is
In the substrate edge processing apparatus for removing an unnecessary film in the edge of the substrate on which a thin film is formed on the surface, a substrate holding means for holding the substrate in a horizontal attitude, the table of the substrate held by the substrate holding means
Positioned so that the cleaning liquid is discharged toward the edge on the surface side.
Cleaning liquid discharge nozzle and a suction means for sucking the cleaning liquid supplied to the edge of the substrate, the substrate held by the substrate holding means
Positioned to inject gas toward the rear edge of the
It is a gas injection nozzle to blow the cleaning liquid adhering to the back surface side edge of the substrate outward from the edge of the substrate, discharging the cleaning liquid by the cleaning liquid discharge nozzle in the suction operation state of the suction means, from the cleaning liquid discharge nozzle after the Stop the discharge of cleaning liquid
And a control unit that controls the gas injection nozzle to inject the gas and to inject the gas.

【0008】この発明によれば、基板を基板保持手段に
保持させた状態で洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液
を基板の表面側端縁に吐出することにより、基板端縁に
形成された不要薄膜は洗浄液に溶解する。上記洗浄液吐
出ノズルからの洗浄液の吐出に同期して吸引手段を駆動
させるとともに、ガス噴射ノズルからガスを噴射するこ
とにより、基板の裏面側端縁にまわり込んだ洗浄液はガ
ス噴射ノズルからの気流に吹き飛ばされ、吸引手段によ
って吸引される。
According to the present invention, the unnecessary thin film formed on the edge of the substrate is discharged by ejecting the cleaning liquid from the ejection port of the cleaning liquid ejection nozzle to the front surface side edge of the substrate while the substrate is held by the substrate holding means. Dissolves in the cleaning solution. By driving the suction means in synchronism with the discharge of the cleaning liquid from the cleaning liquid discharge nozzle, and by injecting the gas from the gas injection nozzle, the cleaning liquid wrapping around the back side edge of the substrate becomes the air flow from the gas injection nozzle. It is blown off and sucked by the suction means.

【0009】そして、制御手段の制御によって洗浄液吐
出ノズルからの洗浄液の吐出が終わってからガス噴射ノ
ズルからガスが噴射されるため、洗浄液吐出ノズルから
吐出された洗浄液が、ガス噴射ノズルから噴射されたガ
スに妨害されることはなく、基板の端縁の不要薄膜に洗
浄液を十分に供給することができるようになる。
Since the gas is ejected from the gas injection nozzle after the ejection of the cleaning liquid from the cleaning liquid ejection nozzle is completed by the control of the control means, the cleaning liquid ejected from the cleaning liquid ejection nozzle is ejected from the gas ejection nozzle. The cleaning liquid can be sufficiently supplied to the unnecessary thin film on the edge of the substrate without being disturbed by the gas.

【0010】また、基板の表面側端縁に向けて洗浄液を
吐出する一方、基板の裏面側端縁に向けてガスを噴射す
るように分担することにより、洗浄液吐出ノズルおよび
ガス噴射ノズルを基板の表裏面側の双方に設けることの
ない簡単な構成が実現した上で、基板の端縁に付着した
不要薄膜を確実に除去することができるようになる。ま
た、簡単な構成でありながら、効率よく端縁処理を施し
得るようになり、従来と比較して使用する洗浄液および
ガスの量が削減され、生産コストを低減することが可能
になる。
Further , while the cleaning liquid is ejected toward the front surface side edge of the substrate and the gas is ejected toward the rear surface side edge of the substrate , the cleaning liquid ejection nozzle and the gas ejection nozzle are provided to the substrate. It is possible to surely remove the unnecessary thin film attached to the edge of the substrate while realizing a simple structure that is not provided on both the front and back sides. Further, although the structure is simple, the edge treatment can be performed efficiently, the amount of the cleaning liquid and the gas used can be reduced, and the production cost can be reduced, as compared with the conventional case.

【0011】請求項2記載の発明は、表面に薄膜が形成
された基板の端縁の不要薄膜を除去する基板端縁処理装
置において、 基板を水平姿勢で保持する基板保持手段
と、 基板保持手段に保持された基板の端縁に向けて洗浄
液を吐出する洗浄液吐出ノズルと、 基板の端縁に供給さ
れた洗浄液を吸引する吸引手段と、 基板の端縁に付着し
た洗浄液を基板の端縁より外方に吹き飛ばすガス噴射ノ
ズルと、 洗浄液吐出ノズル、吸引手段およびガス噴射手
段とを備えたノズルデッキと、 このノズルデッキを基板
に対して進退させるノズルデッキ進退手段と、 洗浄液吐
出ノズルによる洗浄液の吐出、吸引手段による洗浄液の
吸引、ガス噴射ノズルによるガスの噴射およびノズルデ
ッキ進退手段によるノズルデッキの進退を制御する制御
手段とが備えられ、 上記ノズルデッキ進退手段は、ノズ
ルデッキを、洗浄液吐出ノズルが洗浄液を洗浄液を基板
端縁に向けて吐出する洗浄液吐出位置と、この位置より
後退した、ガス噴射ノズルがガスを噴射するガス噴射位
置との間で進退させるように構成され、 上記制御手段
は、上記吸引手段の吸引動作状態で洗浄液吐出ノズルに
より洗浄液を吐出し、その後に洗浄液吐出ノズルからの
洗浄液の吐出を停止するとともにガス噴射ノズルにより
ガスを噴射するように制御するものであることを特徴と
するものである。
According to a second aspect of the invention, a thin film is formed on the surface.
Edge processing device for removing unnecessary thin film on the edge of the formed substrate
In location, substrate holding means for holding the substrate in a horizontal posture
And cleaning toward the edge of the substrate held by the substrate holding means.
The cleaning liquid discharge nozzle that discharges the liquid and the liquid supplied to the edge of the substrate.
Cleaning liquid and suction means for sucking that, attached to the edge of the substrate
Gas spray nozzle that blows away the cleaning liquid to the outside of the edge of the substrate.
Clou, cleaning liquid discharge nozzle, suction means and gas injection hand
Nozzle deck with steps and this nozzle deck as a substrate
A nozzle deck moving means for advancing and retracting with respect to the cleaning liquid ejection
Discharge of the cleaning liquid by the discharge nozzle,
Suction, gas injection by gas injection nozzle and nozzle
Control to control the advancing / retreating of the nozzle deck by the kick advancing / retreating means
Means and the nozzle deck advancing / retreating means are
The cleaning liquid discharge nozzle supplies the cleaning liquid to the deck
The cleaning liquid discharge position that discharges toward the edge and from this position
Gas injection position at which the gas injection nozzle injects gas
The control means is configured to move back and forth between
To the cleaning liquid discharge nozzle in the suction operation state of the suction means.
More cleaning liquid, and then the cleaning liquid discharge nozzle
By stopping the discharge of the cleaning liquid and using the gas injection nozzle
And it is characterized in der Rukoto controls to inject the gas.

【0012】請求項3記載の発明は、請求項2記載の基
板端縁処理装置において、ガス噴射ノズルは、ガス噴射
管と、このガス噴射管の本体上部から上方に向けて突出
した水平方向に延びる前方ノズル板と、この前方ノズル
板より高さ寸法が若干低い後方ノズル板とで形成され、
これら両ノズル板間に水平方向に延びるガス噴射口が形
成されていることを特徴とするものである。
The invention according to claim 3 is the group according to claim 2.
In the plate edge processing device, the gas injection nozzle is a gas injection
Pipe and project upward from the upper part of the body of this gas injection pipe
Front nozzle plate that extends horizontally and this front nozzle
It is formed with a rear nozzle plate whose height dimension is slightly lower than the plate,
A gas injection port extending horizontally between these nozzle plates is formed.
It is characterized by being made.

【0013】この発明によれば、基板の端縁に付着した
洗浄液の吸引を停止したのちノズルデッキを後退させる
と、前方ノズル板が基板の裏面側端縁の先端に到達した
時点で、その上縁部が基板端縁の裏面から垂下している
残留液滴に接触し、しかもノズルデッキの後退によって
それを掻き取る状態になる。そして、前方ノズル板上縁
部で掻き取られた残留液滴は、ガス噴射ノズルから噴射
されるガスによって吹き飛ばされるため、基板の端縁は
残留した洗浄液で汚染されることが確実に防止される。
According to the present invention, the toner adheres to the edge of the substrate.
Stop suction of the cleaning liquid and then retract the nozzle deck.
And the front nozzle plate reached the tip of the back side edge of the substrate.
At that point, its upper edge is hanging from the backside of the board edge.
Contact with the remaining droplets, and by retracting the nozzle deck
It will be in a state of scraping it. And the upper edge of the front nozzle plate
Residual liquid droplets scraped off at the nozzle are jetted from the gas jet nozzle.
The edges of the substrate are
It is reliably prevented from being contaminated with the residual cleaning liquid.

【0014】請求項4記載の発明は、請求項2または3
記載の基板端縁処理装置において、上記洗浄液吐出ノズ
ルは、基板の表面側端縁に向けて洗浄液を吐出するよう
に位 置設定され、上記ガス噴射ノズルは、基板の裏面側
端縁に向けてガスを噴射するように位置設定されている
ことを特徴とするものである。
The invention according to claim 4 is the invention according to claim 2 or 3.
In the substrate edge processing device described, the cleaning liquid discharge nozzle
So that the cleaning liquid is discharged toward the front edge of the substrate.
Second place is location setting, the gas injection nozzle, the back surface side of the substrate
Positioned to inject gas towards the edge
It is characterized by that.

【0015】この発明によれば、基板の表面側端縁に向
けて洗浄液を吐出する一方、基板の裏面側端縁に向けて
ガスを噴射するように流体の基板への供給をその種類に
応じて分担することにより、洗浄液吐出ノズルおよびガ
ス噴射ノズルを基板の表裏面側の双方に設けることのな
い簡単な構成が実現した上で、基板の端縁に付着した不
要薄膜を確実に除去することができるようになる。ま
た、簡単な構成でありながら、効率よく端縁処理を施し
得るようになり、従来と比較して使用する洗浄液および
ガスの量が削減され、生産コストを低減することが可能
になる。
According to the present invention, the front surface side edge of the substrate is oriented.
Of the cleaning liquid while ejecting the cleaning liquid toward the rear edge of the substrate.
The kind of supply of fluid to the substrate like jetting gas
The cleaning liquid discharge nozzle and gas
Do not install spray nozzles on both the front and back sides of the board.
In addition to achieving a simple structure,
The thin film required can be reliably removed. Well
In addition, it has a simple structure and is efficiently edge-treated.
Cleaning solution used compared to the conventional method and
Amount of gas is reduced and production cost can be reduced
become.

【0016】請求項5記載の発明は、請求項4記載の基
板端縁処理装置において、ガス噴射ノズルが洗浄液噴射
ノズルよりも基板の中心側に向けてより多く突出してい
ることを特徴とするものである。
The invention according to claim 5 is based on the invention according to claim 4.
In the plate edge processing device, the gas injection nozzle injects the cleaning liquid
Projected more toward the center of the board than the nozzle
It is characterized by that.

【0017】この発明によれば、洗浄液吐出ノズルから
洗浄液が吐出されても、洗浄液吐出のずるとガス噴射ノ
ズルとは水平方向に位置ずれしているため、吐出された
洗浄液がガス噴射ノズルに向かうことはなく、洗浄液が
ガス噴射ノズルから噴射されたガスに煽られたり、ガス
噴射ノズルに衝突することがなく、これらに起因した洗
浄液の跳ね返りなどによる基板の汚染が確実に防止され
る。
According to this invention, from the cleaning liquid discharge nozzle
Even if the cleaning liquid is discharged, the gas injection
Discharged due to horizontal misalignment with chewing
The cleaning liquid does not go to the gas injection nozzle,
The gas sprayed from the gas spray nozzles is
It does not collide with the injection nozzle, and
The contamination of the substrate due to splashing of the cleaning solution is reliably prevented.
It

【0018】請求項6記載の発明は、表面に薄膜が形成
された基板の端縁の不要薄膜を除去する基板端縁処理装
置において、 基板を水平姿勢で保持する基板保持手段
と、 基板保持手段に保持された基板の端縁に向けて洗浄
液を吐出する洗浄液吐出ノズルと、 基板の端縁に供給さ
れた洗浄液を吸引する吸引手段と、 基板の端縁に付着し
た洗浄液を基板の端縁より外方に吹き飛ばすガス噴射ノ
ズルと、 上記吸引手段の吸引動作状態で洗浄液吐出ノズ
ルにより洗浄液を吐出し、その後に洗浄液吐出ノズルか
らの洗浄液の吐出を停止するとともにガス噴射ノズルに
よりガスを噴射するように制御する制御手段とを有し、
上記ガス噴射ノズルは、分割された複数のガス噴射管に
それぞれ形成されていることを特徴とするものである。
In a sixth aspect of the invention, a thin film is formed on the surface.
Edge processing device for removing unnecessary thin film on the edge of the formed substrate
In location, substrate holding means for holding the substrate in a horizontal posture
And cleaning toward the edge of the substrate held by the substrate holding means.
The cleaning liquid discharge nozzle that discharges the liquid and the liquid supplied to the edge of the substrate.
Cleaning liquid and suction means for sucking that, attached to the edge of the substrate
Gas spray nozzle that blows away the cleaning liquid to the outside of the edge of the substrate.
The slur and the cleaning liquid discharge nozzle in the suction operation state of the suction means.
To discharge the cleaning liquid, and then
Stop the discharge of cleaning liquid from
And a control means for controlling to inject more gas,
The gas injection nozzle is divided into multiple gas injection pipes.
It is characterized in that each is formed.

【0019】この発明によれば、ガス噴射管が複数に分
割されているため、ガス噴射管内の圧力分布がより均等
になり、これによってガス噴射ノズルによるガス噴射力
のバラツキが小さくなり、基板の端縁の洗浄液を均等に
吹き飛ばすことが可能になり、液滴の残留が確実に防止
される。
According to the present invention, the gas injection pipe is divided into a plurality of parts.
Because it is split, the pressure distribution in the gas injection pipe is more even
The gas injection force by the gas injection nozzle becomes
Variation is reduced and the cleaning liquid on the edge of the substrate is evenly distributed.
It is possible to blow it off, and it is possible to reliably prevent the remaining droplets.
To be done.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】図1は、本発明に係る基板端縁処
理装置の適用された基板処理装置の一例を示す略平面
図であり、図2は、図1に示す基板処理装置の断面図で
ある。これらの図に示すように、基板処理装置1は、基
板Bの外周を囲繞する基板包囲容器2、この基板包囲容
器2内で基板Bを支持して回転させ、かつ、必要に応じ
て昇降させる基板支持機構3、この基板支持機構3に支
持された基板Bの表面に塗布液を供給する塗布液供給手
段4、および基板端縁処理装置5を備えた基本構成を有
している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Figure 1 is a schematic substantially plan view showing an example of the applied substrate processing apparatus of the substrate edge processing apparatus according to the present invention, FIG. 2, the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 FIG. As shown in these drawings, the substrate processing apparatus 1 includes a substrate enclosing container 2 that surrounds the outer periphery of the substrate B, supports the substrate B in the substrate enclosing container 2, rotates the substrate B, and raises and lowers it as necessary. It has a basic structure including a substrate support mechanism 3, a coating liquid supply means 4 for supplying a coating liquid to the surface of the substrate B supported by the substrate support mechanism 3, and a substrate edge processing device 5.

【0021】上記基板Bとしては、液晶用のガラス基
板、フォトマスク用のガラス基板、あるいは半導体ウェ
ハ基板などを挙げることができる。また、塗布液として
は、フォトレジスト液、感光性ポリイミド樹脂、カラー
フィルター用の染色剤などが用いられる。そして、上記
基板端縁処理装置5は、基板Bの端縁に形成された上記
塗布液に起因する不要薄膜を除去するものである。
Examples of the substrate B include a glass substrate for liquid crystal, a glass substrate for photomask, a semiconductor wafer substrate and the like. Further, as the coating liquid, a photoresist liquid, a photosensitive polyimide resin, a dyeing agent for a color filter or the like is used. The substrate edge processing device 5 removes the unnecessary thin film formed on the edge of the substrate B due to the coating liquid.

【0022】上記基板包囲容器2は、上方が開放した偏
平な容器からなり、円形の底板21、この底板21の外
周縁部に径方向に延設された環状溝部22、この環状溝
部22の外周縁部から上窄みで斜め上方に突設された環
状堰部23を具備している。上記環状溝部22の底部は
底板21より低位に位置設定されているとともに、上記
環状堰部23の上縁部は底板21よりも高位に位置設定
されている。そして、底板21の上部にはこの環状堰部
23に囲繞された基板収納空間20が形成され、この基
板収納空間20に処理すべき基板Bが収容されるように
なっている。
The substrate surrounding container 2 is composed of a flat container having an open upper side, and has a circular bottom plate 21, an annular groove portion 22 radially extending on an outer peripheral edge portion of the bottom plate 21, and an outside of the annular groove portion 22. An annular weir portion 23 is provided so as to project obliquely upward from the peripheral portion with an upward constriction. The bottom portion of the annular groove portion 22 is positioned lower than the bottom plate 21, and the upper edge portion of the annular dam portion 23 is positioned higher than the bottom plate 21. A substrate storage space 20 surrounded by the annular weir portion 23 is formed on the upper portion of the bottom plate 21, and the substrate B to be processed is stored in the substrate storage space 20.

【0023】上記環状溝部22の適所にはドレンパイプ
221が接続されている。塗布液は、上記塗布液供給手
段4から基板Bに供給され、基板Bの回転で飛ばされた
余剰分が環状堰部23に捕捉され、環状溝部22に捕集
されたのち上記ドレンパイプ221を通って系外に排出
されるようになっている。
A drain pipe 221 is connected to an appropriate position of the annular groove portion 22. The coating liquid is supplied from the coating liquid supply means 4 to the substrate B, and the excess portion of the substrate B which is blown off by the rotation of the substrate B is captured by the annular weir portion 23 and collected in the annular groove portion 22 and then the drain pipe 221. It is designed to be discharged through the system.

【0024】上記基板支持機構3は、基板包囲容器2の
底板21の中心部分を上下方向に貫通した支持軸31、
この支持軸31の上端部に固定された水平姿勢の回転支
持板32、および上記支持軸31の下部に設けられた回
転昇降機構33(図2)を具備している。上記回転昇降
機構33は、図略の駆動手段が内装され、この駆動手段
の駆動によって上記支持軸31を回転させたり昇降させ
たりするものである。
The substrate support mechanism 3 has a support shaft 31 which vertically penetrates the central portion of the bottom plate 21 of the substrate surrounding container 2.
It is provided with a horizontal rotation support plate 32 fixed to the upper end of the support shaft 31, and a rotary lifting mechanism 33 (FIG. 2) provided below the support shaft 31. The rotation elevating mechanism 33 has a drive means (not shown) incorporated therein, and drives the drive means to rotate or elevate the support shaft 31.

【0025】また、上記回転支持板32は、その表面に
載置された基板Bを、周方向の移動が規制された状態で
支持するものであり、基板Bをこの回転支持板32に対
して給排するときには、図2に実線で示すように上記回
転昇降機構33の駆動による支持軸31の上昇によって
上方位置に押し上げられ、基板Bを回転させるときには
図2に二点鎖線で示すように基板収納空間20内の下部
に引き下げられるようになっている。そして基板Bは、
回転支持板32の下降により基板収納空間20内に装填
された状態で回転昇降機構33の回転駆動によって回転
するようになっている。
The rotation support plate 32 supports the substrate B placed on the surface thereof in a state where movement in the circumferential direction is restricted, and the substrate B is supported with respect to the rotation support plate 32. When feeding / discharging, as shown by the solid line in FIG. 2, the support shaft 31 is lifted up by the drive of the above-mentioned rotary elevating mechanism 33 and pushed up to the upper position, and when rotating the substrate B, as shown by the chain double-dashed line in FIG. It can be pulled down to the lower part of the storage space 20. And the substrate B is
When the rotation support plate 32 is lowered, the rotation support plate 32 is rotated and driven by the rotation lifting mechanism 33 while being loaded in the substrate storage space 20.

【0026】上記塗布液供給手段4は、基板包囲容器2
の近傍に立設された垂直軸41、この垂直軸41回りに
回動自在に軸支された回動アーム42、およびこの回動
アーム42の先端部に設けられた塗布液吐出ノズル43
とを備えている。この塗布液吐出ノズル43の吐出口は
下方に向けられている。上記回動アーム42は、塗布液
吐出ノズル43が回転支持板32上の基板Bの中心部分
に対向した塗布液供給位置と、基板包囲容器2の脇にそ
れた待機位置とに切り換え可能になっている。また、上
記塗布液吐出ノズル43には、塗布液タンク44に貯留
されている塗布液が塗布液ポンプ45の駆動によって供
給されるようにしている。
The coating liquid supply means 4 is a substrate enclosing container 2
Vertical shaft 41 standing near the vertical shaft 41, a rotary arm 42 rotatably supported around the vertical shaft 41, and a coating liquid discharge nozzle 43 provided at the tip of the rotary arm 42.
It has and. The discharge port of the coating liquid discharge nozzle 43 is directed downward. The rotating arm 42 can be switched between a coating liquid supply position where the coating liquid discharge nozzle 43 faces the central portion of the substrate B on the rotation support plate 32 and a standby position which is offset to the side of the substrate surrounding container 2. ing. Further, the coating liquid stored in the coating liquid tank 44 is supplied to the coating liquid discharge nozzle 43 by driving the coating liquid pump 45.

【0027】上記基板処理装置1の構成によれば、先の
工程で所定の処理が施された基板Bを上方位置にある回
転支持板32にセッティングし、その後、回転昇降機構
33の駆動により回転支持板32を下降させることによ
って回転支持板32は図2に二点鎖線で示す下方位置に
下降し、これによって基板Bは基板収納空間20内に装
填された状態になる。
According to the configuration of the substrate processing apparatus 1, the substrate B, which has been subjected to the predetermined processing in the previous step, is set on the rotation support plate 32 located at the upper position, and then rotated by the rotation lifting mechanism 33. By lowering the support plate 32, the rotary support plate 32 is lowered to the lower position shown by the chain double-dashed line in FIG. 2, whereby the substrate B is loaded in the substrate storage space 20.

【0028】この状態で塗布液供給手段4(図1)の回
動アーム42を垂直軸41回りに時計方向に回動し、塗
布液吐出ノズル43を基板Bの中心部分に対向させたの
ち、塗布液ポンプ45を駆動して塗布液吐出ノズル43
から塗布液を吐出させ、それを基板Bの表面の中心部分
に供給する。ついで回転昇降機構33の駆動によって支
持軸31を回転させる。そうすると、基板Bの表面に吐
出された塗布液は、遠心力によって基板B径方向に拡
散し、これによって基板Bの表面に塗布液の塗布による
均一な薄膜が形成された状態になる。
In this state, the rotating arm 42 of the coating liquid supply means 4 (FIG. 1) is rotated clockwise around the vertical axis 41 so that the coating liquid discharge nozzle 43 faces the central portion of the substrate B. The coating liquid discharge nozzle 43 is driven by driving the coating liquid pump 45.
The coating liquid is discharged from the substrate and is supplied to the central portion of the surface of the substrate B. Then, the support shaft 31 is rotated by driving the rotary elevating mechanism 33. Then, the coating liquid discharged onto the surface of the substrate B is diffused in the radial direction of the substrate B due to the centrifugal force, whereby a uniform thin film is formed on the surface of the substrate B by coating the coating liquid.

【0029】そして、基板Bの縁部から外方に飛び出し
た余分な塗布液は、基板包囲容器2の環状堰部23に捕
捉され、下方に流下して環状溝部22内を流れ、ドレン
パイプ221から系外に導出される。そして、所定時間
経過後、基板Bの回転を停止し、回転昇降機構33の駆
動によって支持軸31を上昇させ、基板Bを上方位置に
押し上げる。この状態で基板Bの表面全面に塗布液の薄
膜が形成された状態になっている。
Then, the excess coating liquid that has flown outward from the edge of the substrate B is trapped by the annular dam portion 23 of the substrate surrounding container 2, flows downward and flows in the annular groove portion 22, and the drain pipe 221. Is derived out of the system. Then, after a lapse of a predetermined time, the rotation of the substrate B is stopped, the support shaft 31 is raised by driving the rotation lifting mechanism 33, and the substrate B is pushed up to the upper position. In this state, a thin film of the coating liquid is formed on the entire surface of the substrate B.

【0030】図3は、基板処理装置1によって薄膜が形
成された直後の基板Bを示す一部切欠き斜視図である。
この図に示すように、基板処理装置1によって薄膜形成
処理が施された直後には、基板Bには、表面と端縁部と
裏面側縁部とに薄膜B0が形成された状態になってい
る。なお、基板Bの表面以外の端縁部および裏面側縁部
に薄膜が形成されるのは、基板Bの表面に供給された塗
布液がまわり込むからである。
FIG. 3 is a partially cutaway perspective view showing the substrate B immediately after the thin film is formed by the substrate processing apparatus 1.
As shown in this figure, immediately after the thin film forming process is performed by the substrate processing apparatus 1, the substrate B is in a state where the thin film B0 is formed on the front surface, the edge portion, and the back surface side edge portion. There is. The reason why the thin film is formed on the edge portion other than the surface of the substrate B and the edge portion on the back surface side is that the coating liquid supplied to the surface of the substrate B wraps around.

【0031】ところで、基板Bに形成される薄膜B0の
うち、実際に有効な部分は、一点鎖線で囲んだ中央部分
の有効薄膜B1だけであり、この有効薄膜B1の外方に
存在するものが、いわゆる不要薄膜B2である。
By the way, of the thin film B0 formed on the substrate B, the only effective part is the effective thin film B1 in the central portion surrounded by the alternate long and short dash line, and the effective thin film B1 exists outside the effective thin film B1. The so-called unnecessary thin film B2.

【0032】この不要薄膜B2は、基板Bの表面側端縁
に形成された表面側不要薄膜B3と、基板Bの端縁部に
形成された端縁部不要薄膜B4と、基板Bの裏面側端縁
に形成された裏面側不要薄膜B5とからなり、いずれも
基板Bの機能には関わりはなく、逆にこのような不要薄
膜B2が存在した状態では、以後の基板Bの処理工程で
種々の不都合が生じることから、本発明に係る基板端縁
処理装置5で不要薄膜B2を洗浄除去するようにしてい
る。なお、本明細書では、上記表面側端縁と、端縁部
と、裏面側端縁とを合わせて端縁と呼んでいる。
The unnecessary thin film B2 includes a front surface unnecessary thin film B3 formed at the front surface side edge of the substrate B, an edge unnecessary thin film B4 formed at the edge of the substrate B, and a rear surface side of the substrate B. The unnecessary thin film B5 on the back surface side formed on the edge does not relate to the function of the substrate B. On the contrary, in the state where such an unnecessary thin film B2 is present, various processes are performed in subsequent substrate B processing steps. Therefore, the unnecessary thin film B2 is cleaned and removed by the substrate edge processing apparatus 5 according to the present invention. In this specification, the front surface side edge, the edge portion, and the back surface side edge are collectively referred to as an edge.

【0033】そして、上記基板端縁処理装置5は、図1
および図2に示すように、先端側が基板Bの端縁に外嵌
される互いに対向して設けられた一対のノズルデッキ5
1、および基板Bに対してこれらノズルデッキ51を進
退させる一対のノズルデッキ進退手段55を備えてい
る。このノズルデッキ進退手段55は、ノズルデッキ5
1を、基板Bに洗浄処理を施す処理位置と、基板Bから
離間した待機位置との間で進退させるためのものであ
る。
The substrate edge processing apparatus 5 is shown in FIG.
As shown in FIG. 2 and FIG. 2, the pair of nozzle decks 5 whose front ends are externally fitted to the edge of the substrate B and which are provided to face each other
1 and a pair of nozzle deck advancing / retreating means 55 for advancing / retreating the nozzle deck 51 with respect to the substrate B. The nozzle deck advancing / retreating means 55 is used for the nozzle deck 5
1 is for moving back and forth between the processing position where the substrate B is subjected to the cleaning process and the standby position separated from the substrate B.

【0034】また、このノズルデッキ進退手段55は、
後述する洗浄液吐出ノズル53aが洗浄液を吐出する洗
浄液吐出位置と、この位置よりも後退した位置であり、
ガス吐出ノズル54aがガスを噴射するガス噴射位置と
の間でのノズルデッキ51の進退をも行い得るようにな
っている。
Further, the nozzle deck advancing / retreating means 55 is
A cleaning liquid discharge nozzle 53a, which will be described later, discharges the cleaning liquid, and a position retracted from this position.
The nozzle deck 51 can be moved back and forth between the gas discharge nozzle 54a and the gas injection position where the gas is injected.

【0035】上記ノズルデッキ進退手段55は、先端側
がノズルデッキ51に接続されたリンク機構56と、こ
のリンク機構56を動作させ、かつ、基板Bを平行に揺
動させ得る駆動部57とから構成され、駆動部57の駆
動によってリンク機構56が所定のリンク運動を行うよ
うになっている。
The nozzle deck advancing / retreating means 55 is composed of a link mechanism 56 whose tip side is connected to the nozzle deck 51, and a drive section 57 for operating the link mechanism 56 and swinging the substrate B in parallel. The drive mechanism 57 drives the link mechanism 56 to perform a predetermined link motion.

【0036】上記各リンク機構56は、等長の4本のリ
ンク腕56aの2本ずつが屈折可能に軸支されて形成さ
れている。これらリンク腕56aは、2本ずつの各々の
先端側がノズルデッキ51に回動可能に軸支されている
とともに、基端側が駆動部57に連結され、駆動部57
の駆動による屈伸運動によって上方位置にある基板Bに
対して進退するようになっている。
Each of the link mechanisms 56 is formed such that two of four equal-length link arms 56a are axially supported so as to be bendable. Each of the link arms 56a is pivotally supported by the nozzle deck 51 on the tip side of each two links, and the base end side of the link arms 56a is connected to the drive section 57.
By the bending and stretching movements by the driving of, the substrate B is moved forward and backward with respect to the upper position.

【0037】上記ノズルデッキ51は、回転昇降機構3
3の駆動によって上方位置(塗布液供給位置)に位置し
た基板Bと同一の高さに設定されている。また、ノズル
デッキ51は、その長さ寸法が基板Bの長辺よりも若干
長く設定され、上記ノズルデッキ進退手段55による一
度の進退操作で基板B端縁の全長に亘って対応すること
ができるようになっている。
The nozzle deck 51 is composed of a rotary lifting mechanism 3
It is set to the same height as the substrate B located at the upper position (coating liquid supply position) by the driving of No. 3. Further, the length dimension of the nozzle deck 51 is set to be slightly longer than the long side of the substrate B, and it is possible to cope with the entire length of the edge of the substrate B by one advance / retreat operation by the nozzle deck advance / retreat means 55. It is like this.

【0038】図4は、ノズルデッキ51の第1実施形態
を示す斜視図であり、図5は、その一部切欠き部分拡大
斜視図である。これらの図に示すように、ノズルデッキ
51は、水平方向に延びる吸引管(吸引手段)52、こ
の吸引管52の前方(図4の左方)上部に平行に設けら
れた洗浄液供給管53、および上記吸引管52の前方下
部に上記洗浄液供給管53に対向して設けられたガス噴
射管54を有している。本実施形態においては、上記吸
引管52が本発明に係るノズル支持手段の役割を果たし
ている。
FIG. 4 is a perspective view showing a first embodiment of the nozzle deck 51, and FIG. 5 is a partially cutaway enlarged perspective view thereof. As shown in these drawings, the nozzle deck 51 includes a suction pipe (suction means) 52 extending in the horizontal direction, a cleaning liquid supply pipe 53 provided in parallel to the front upper part (left side in FIG. 4) of the suction pipe 52, A gas injection pipe 54 is provided at the lower front portion of the suction pipe 52 so as to face the cleaning liquid supply pipe 53. In the present embodiment, the suction pipe 52 serves as the nozzle support means according to the present invention.

【0039】上記洗浄液供給管53は、その下部に長手
方向に亘って複数の洗浄液吐出口53b(図5)が等ピ
ッチで穿設された洗浄液吐出ノズル53aを有している
とともに、上記ガス噴射管54の上部には長手方向に穿
設された長孔状のガス噴射口54bを有するガス噴射ノ
ズル54aが装着されている。そして、上記洗浄液吐出
ノズル53aとガス噴射ノズル54aとは、洗浄液吐出
口53bとガス噴射口54bとが互いに対向するように
位置設定されているとともに、これら両ノズル53a,
54aの先端部間に基板Bの端縁を離間状態で嵌挿し得
る隙間が設けられ、この隙間によって吸引管52内に向
かう水平方向に延びた長尺開口58が形成されている。
The cleaning liquid supply pipe 53 has a cleaning liquid discharge nozzle 53a in which a plurality of cleaning liquid discharge ports 53b (FIG. 5) are formed in the lower portion in the longitudinal direction at equal pitches, and the gas injection is performed. A gas injection nozzle 54a having a long-hole-shaped gas injection port 54b bored in the longitudinal direction is attached to the upper portion of the pipe 54. The cleaning liquid discharge nozzle 53a and the gas injection nozzle 54a are positioned such that the cleaning liquid discharge port 53b and the gas injection port 54b face each other, and both of these nozzles 53a,
A gap into which the edge of the substrate B can be fitted in a separated state is provided between the tip ends of the 54a, and a long opening 58 extending in the horizontal direction toward the inside of the suction tube 52 is formed by this gap.

【0040】なお、本実施形態においては、ガス噴射ノ
ズル54aのガス噴射口54bは長孔状に形成されてい
るが、本発明は、それが長孔状に形成されることに限定
されるものではなく、複数のガス噴射孔をガス噴射ノズ
ル54aの長手方向の全長に亘って並設してもよい。
In this embodiment, the gas injection port 54b of the gas injection nozzle 54a is formed in a long hole shape, but the present invention is not limited to the long hole shape. Instead, a plurality of gas injection holes may be arranged in parallel over the entire length in the longitudinal direction of the gas injection nozzle 54a.

【0041】上記吸引管52には、図1および図4に示
すように、その両側端底部に吸引支管52aが接続さ
れ、さらにこれら吸引支管52aには可撓管52bが接
続されている。この可撓管52bの下流端は所定の配管
およびバッファタンク59aを介して吸引ブロワ59に
接続され、この吸引ブロワ59の駆動によって外気が上
記長尺開口58から吸引管52内に吸引され、吸引支管
52a、可撓管52b、バッファタンク59aおよび吸
引ブロワ59を通って系外に導出されるようになってい
る。なお、上記バッファタンク59aは、吸引管52に
よって吸引された吸引物を気液分離するためのものであ
り、ここで分離された洗浄液は別途バッファタンク59
aから抜き出され、洗浄液の取り除かれた外気のみが吸
引ブロワ59から系外に排出されるようにしている。
As shown in FIGS. 1 and 4 , the suction pipes 52 are connected to the suction branch pipes 52a at the bottoms of both side ends thereof, and the flexible pipes 52b are connected to the suction branch pipes 52a. The downstream end of the flexible tube 52b is connected to a suction blower 59 via a predetermined pipe and a buffer tank 59a. By driving the suction blower 59, outside air is sucked into the suction tube 52 through the elongated opening 58, and is sucked. It is configured to be led out of the system through the branch pipe 52a, the flexible pipe 52b, the buffer tank 59a, and the suction blower 59. The buffer tank 59a is for separating the suctioned substance sucked by the suction pipe 52 into gas and liquid, and the cleaning liquid separated here is separately stored in the buffer tank 59a.
Only the outside air extracted from a and having the cleaning liquid removed is discharged from the suction blower 59 to the outside of the system.

【0042】本実施形態においては、上記吸引ブロワ5
9の直上流側には第1制御弁81が設けられている。こ
の第1制御弁81を閉止することによって、吸引ブロワ
59を駆動した状態であっても、吸引管(溶解物吸引手
段)52による吸引動作が停止されるようになってい
る。そして本実施形態では、基板処理装置1の稼働中は
吸引ブロワ59は常に運転され、制御手段80からの制
御信号による第1制御弁81の開閉動作によって吸引管
52による吸引および吸引停止の切り換えを行うように
している。
In this embodiment, the suction blower 5 is used.
A first control valve 81 is provided immediately upstream of 9. By closing the first control valve 81, the suction operation by the suction pipe (dissolved substance suction means) 52 is stopped even when the suction blower 59 is driven. In the present embodiment, the suction blower 59 is always operated during the operation of the substrate processing apparatus 1, and the suction pipe 52 switches between suction and suction stop by the opening / closing operation of the first control valve 81 according to the control signal from the control means 80. I am trying to do it.

【0043】また、洗浄液供給管53に洗浄液を供給す
るための洗浄液タンク61が設けられている。洗浄液タ
ンク61には、内部に高圧窒素ガスNを導入する窒素配
管が設けられ、この配管を介して洗浄液タンク61内に
貯供給される高圧窒素ガスNの圧力によって洗浄液が押
し出され、これによって洗浄液が塗布液吐出ノズル43
から吐出されるようになっている。上記窒素配管にはレ
ギュレータ62が設けられているとともに、このレギュ
レータ62に圧力計63が設けられ、この圧力計63に
よって高圧窒素ガスNの圧力管理を行うようにしてい
る。また、上記洗浄液タンク61には内部が異常高圧に
なった場合に開弁する安全弁64が設けられ、これによ
って安全を期している。
Further , the cleaning liquid is supplied to the cleaning liquid supply pipe 53.
A cleaning liquid tank 61 is provided for this purpose. Cleaning liquid
The tank 61, internal nitrogen pipe for introducing high-pressure nitrogen gas N is provided, the cleaning liquid is pushed out by the pressure of the high pressure nitrogen gas N is savings supplied into the cleaning liquid tank 61 through the pipe, whereby the cleaning liquid Coating liquid discharge nozzle 43
It is designed to be discharged from. A regulator 62 is provided in the nitrogen pipe, and a pressure gauge 63 is provided in the regulator 62, and the pressure gauge 63 controls the pressure of the high-pressure nitrogen gas N. Further, the cleaning liquid tank 61 is provided with a safety valve 64 that opens when the inside pressure becomes abnormally high, thereby ensuring safety.

【0044】本実施形態においては、洗浄液タンク61
の直下流側に第2制御弁82が設けられ、この第2制御
弁82を開閉操作することによって洗浄液供給管53へ
の洗浄液の供給と供給停止との切り換え操作が行い得る
ようにしている。そして本実施形態では、制御手段80
からの制御信号による第2制御弁82の開閉動作によっ
て洗浄液供給管53への洗浄液の供給および供給停止の
切り換えが行われるようにしている。
In the present embodiment, the cleaning liquid tank 61
A second control valve 82 is provided on the immediate downstream side thereof, and by opening / closing the second control valve 82, switching operation between supply and stop of supply of the cleaning liquid to the cleaning liquid supply pipe 53 can be performed. And in this embodiment, the control means 80
The opening / closing operation of the second control valve 82 in response to the control signal from is used to switch between supplying and stopping the supply of the cleaning liquid to the cleaning liquid supply pipe 53.

【0045】従って、ノズルデッキ51の長尺開口58
が基板Bの端縁に外嵌された状態で第2制御弁82を開
通し、かつ、吸引ブロワ59を駆動することにより、洗
浄液タンク61内の洗浄液は洗浄液供給管53内に供給
され、洗浄液吐出ノズル53aの吐出口53bから基板
Bの表面側端縁に向けて吐出され、基板Bの不要薄膜B
2を洗浄したのち外気に同伴して吸引管52内に吸引さ
れ、系外に排出されることになる。
Therefore, the long opening 58 of the nozzle deck 51 is formed.
By opening the second control valve 82 and driving the suction blower 59 in a state where the cleaning liquid is fitted onto the edge of the substrate B, the cleaning liquid in the cleaning liquid tank 61 is supplied to the cleaning liquid supply pipe 53, and the cleaning liquid is supplied. The unnecessary thin film B on the substrate B is discharged from the discharge port 53b of the discharge nozzle 53a toward the front surface side edge of the substrate B.
After cleaning 2, the air is entrained in the outside air, sucked into the suction pipe 52, and discharged outside the system.

【0046】上記ガス噴射管54にはジョイント部材5
4cを介して吸引ホース71が接続されているととも
に、この吸引ホース71の上流端はガスボンベ72に接
続されている。本実施形態ではガスボンベ72内には高
圧窒素が封入されている。そして、基板Bの端縁を長尺
開口58に嵌挿した状態でガスボンベ72内のガスをガ
ス噴射管54に供給することによりガスボンベ72内の
ガスがガス噴射ノズル54aのガス噴射口54bから吐
出され、これによって基板Bの裏面側端縁にまわり込ん
だ洗浄液が吹き飛ばされることになる。
A joint member 5 is attached to the gas injection pipe 54.
A suction hose 71 is connected via 4c, and the upstream end of this suction hose 71 is connected to a gas cylinder 72. In this embodiment, the gas cylinder 72 is filled with high-pressure nitrogen. Then, the gas in the gas cylinder 72 is supplied to the gas injection pipe 54 in a state where the edge of the substrate B is fitted in the elongated opening 58, so that the gas in the gas cylinder 72 is discharged from the gas injection port 54b of the gas injection nozzle 54a. As a result, the cleaning liquid that has flown around the back surface side edge of the substrate B is blown off.

【0047】本実施形態においては、ガスボンベ72の
直下流側に第3制御弁83が設けられ、この第3制御弁
83を開閉操作することによってガスの吐出と吐出停止
との切り換え操作が行い得るようにしている。そして本
実施形態では、制御手段80からの制御信号により第3
制御弁83の開閉動作を行うようにしている。
In the present embodiment, a third control valve 83 is provided immediately downstream of the gas cylinder 72, and by switching the third control valve 83, switching operation between gas discharge and discharge stop can be performed. I am trying. Then, in the present embodiment, the third signal is generated by the control signal from the control means 80.
The control valve 83 is opened and closed.

【0048】上記洗浄液は、塗布液を溶解し得る洗浄液
が用いられる。塗布液がフォトレジスト液である場合
は、洗浄液は、アセトン、メチルエチルケトン等のケト
ン類や、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類や、ト
ルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素や、四
塩化炭素、トリクロルエチレン等のハロゲン化炭化水素
などが用いられる。また、塗布液が染色剤である場合
は、洗浄液は、30〜60℃の温湯や、メタノール、エ
タノール、プロパノール等の低級アルコールや、アセト
ンなどが用いられる。
As the above cleaning liquid, a cleaning liquid capable of dissolving the coating liquid is used. When the coating liquid is a photoresist liquid, the cleaning liquid should be ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, esters such as ethyl acetate and butyl acetate, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and benzene, and carbon tetrachloride. Halogenated hydrocarbons such as trichloroethylene are used. When the coating liquid is a stain, the cleaning liquid may be hot water at 30 to 60 ° C., lower alcohol such as methanol, ethanol, propanol, or acetone.

【0049】図6は、基板端縁処理装置5による基板端
縁処理の一例を示すタイムチャートである。また、図7
は、上記タイムチャートに対応した基板端縁処理装置5
の作用を説明するための説明図であり、(イ)はタイム
チャートのt1〜t2時点の状態、(ロ)は同t2〜t
3時点の状態、(ハ)は同t3〜t4時点の前半の状
態、(ニ)は同t3〜t4時点の後半の状態、(ホ)は
同t5時点以降の状態をそれぞれ示している。
FIG. 6 is a time chart showing an example of substrate edge processing by the substrate edge processing apparatus 5. Also, FIG.
Is a substrate edge processing device 5 corresponding to the above time chart.
FIG. 4A is an explanatory diagram for explaining the action of the above, in which (a) is the state at time t1 to t2 of the time chart, and (b) is t2 to t.
The state at three time points, (c) shows the first half state at the same time points t3 to t4, (d) shows the latter half state at the same time points t3 to t4, and (e) shows the state after the same t5 time point.

【0050】まず、図7の(イ)においては(t1〜t
2時点)、ノズルデッキ51の前進によって基板Bの端
縁がノズルデッキ51の長尺開口58内に嵌挿され、制
御手段80からの制御信号により第1制御弁81(図
5)が開弁され、この開弁によって外気が吸引管52に
吸引されている状態になっている。そしてt2時点にな
ると、図7の(ロ)に示すように、制御手段80からの
制御信号によって第2制御弁82(図5)が開弁され、
これによる洗浄液吐出口53bから吐出された洗浄液に
よって基板Bの表面側端縁に形成されている表面側不要
薄膜B3が溶解される。
First, in (a) of FIG. 7, (t1 to t
(2 time point), the edge of the substrate B is inserted into the elongated opening 58 of the nozzle deck 51 by the forward movement of the nozzle deck 51, and the first control valve 81 (FIG. 5) is opened by the control signal from the control means 80. The outside air is sucked into the suction pipe 52 by this valve opening. Then, at time t2, as shown in (b) of FIG. 7, the second control valve 82 (FIG. 5) is opened by the control signal from the control means 80,
The cleaning liquid discharged from the cleaning liquid discharge port 53b thereby dissolves the front surface unnecessary thin film B3 formed on the front surface side edge of the substrate B.

【0051】溶解した不要薄膜を含む洗浄液は長尺開口
58から吸引管52内に向かう気流に同伴して吸引管5
2内に吸引される。これによって基板Bの表面側縁に形
成されていた表面側不要薄膜B3は除去される。また、
洗浄液吐出ノズル53aから吐出された洗浄液は、基板
Bの端縁部および裏面側端縁にもまわり込むため、これ
らの部分に形成されていた端縁部不要薄膜B4および裏
面側不要薄膜B5も除去される。しかしながら、この状
態では、基板の端縁部が気流の死角になっているため、
この部分に洗浄液の液滴(端縁部液滴B6)が付着した
状態になる。この端縁部液滴B6は容易になくならな
い。
The cleaning liquid containing the dissolved unnecessary thin film is entrained in the air flow from the long opening 58 into the suction pipe 52, and the suction pipe 5
2 is sucked into. As a result, the front surface unnecessary thin film B3 formed on the front surface side edge of the substrate B is removed. Also,
Since the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid discharge nozzle 53a also wraps around the edge portion and the back surface side edge of the substrate B, the edge unnecessary thin film B4 and the back surface unnecessary thin film B5 formed on these portions are also removed. To be done. However, in this state, the edge of the substrate is a blind spot of the air flow,
A droplet of the cleaning liquid (edge edge droplet B6) is attached to this portion. The edge droplet B6 does not disappear easily.

【0052】ついで図6のタイムチャートのt3時点に
なると、図7の(ハ)に示すように、制御手段80から
の制御信号によって第2制御弁82(図5)が閉弁され
るとともに、第3制御弁83が開弁される。これによっ
て洗浄液供給管53からの洗浄液の吐出が停止されると
ともに、ガス噴射管54の吐出口54bからガスが噴射
される。この状態で制御手段80からの制御信号によっ
てノズルデッキ進退手段55(図1)を駆動させること
により白抜き矢印で示すように吸引管52が後退を開始
する。
At time t3 in the time chart of FIG. 6, the second control valve 82 (FIG. 5) is closed by the control signal from the control means 80, as shown in (c) of FIG. The third control valve 83 is opened. As a result, the discharge of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe 53 is stopped and the gas is injected from the discharge port 54b of the gas injection pipe 54. In this state, the nozzle deck advancing / retreating means 55 (FIG. 1) is driven by the control signal from the control means 80, so that the suction pipe 52 starts to retreat as shown by an outline arrow.

【0053】そして、吸引管52の後退によってガス噴
射口54bが基板Bの端縁部に対向した位置に到達する
と、図7の(ニ)に示すように、ガス噴射口54bから
噴射される噴射気流によって裏面側不要薄膜B5が吹き
飛ばされ、これによって従来除去し得なかった基板Bの
端縁部の液滴が除去される。そして、t4時点になると
第3制御弁83が閉弁され、これによってt3〜t4時
点間は吸引管52内に外気のみが吸引される状態にな
り、この間に洗浄後の基板B端縁の乾燥処理が施され
る。
When the gas injection port 54b reaches the position facing the edge of the substrate B due to the retreat of the suction pipe 52, the injection injected from the gas injection port 54b as shown in FIG. 7D. The back surface unnecessary thin film B5 is blown off by the air flow, and thereby the liquid droplets on the edge portion of the substrate B which could not be conventionally removed are removed. Then, at time t4, the third control valve 83 is closed, whereby only the outside air is sucked into the suction pipe 52 during time t3 to t4, and during this time, the edge of the substrate B after cleaning is dried. Processing is performed.

【0054】そして、t5時点になると第1制御弁81
が閉弁され、その後、吸引管52が最後退位置にまで後
退され、図7の(ホ)に示すように、この時点では基板
Bの端縁には洗浄液の液滴がまったく残留していない状
態になり、基板Bの互いに対向した端縁の洗浄処理が済
まされる。その後、基板Bを90°回転させて残りの2
辺の端縁の洗浄処理を同様に施すことにより、1枚の基
板Bの端縁処理が完了する。
Then, at time t5, the first control valve 81
Is closed, and then the suction pipe 52 is retracted to the most retracted position, and as shown in (e) of FIG. 7, at this point, no droplet of the cleaning liquid remains on the edge of the substrate B. Then, the cleaning process is performed on the opposite edges of the substrate B. After that, the substrate B is rotated by 90 ° and the remaining 2
By similarly performing the cleaning processing of the edge of the side, the edge processing of one substrate B is completed.

【0055】図8は、ノズルデッキ51aの第2実施形
態を示す斜視図である。この実施形態においては、ガス
噴射管540は、3分割された左方吸引管541、中央
吸引管542および右方吸引管543から形成されてい
る。これら各吸引管541,542,543は、それぞ
れ他とは独立したガス噴射ノズル54aおよびジョイン
ト部材54cを有しており、各ジョイント部材54cは
それぞれ吸引ホース71を介してガスボンベ72に接続
されている。その他の構成は第1実施形態のノズルデッ
キ51と同様である。
FIG. 8 is a perspective view showing a second embodiment of the nozzle deck 51a. In this embodiment, the gas injection pipe 540 is composed of a left suction pipe 541, a central suction pipe 542 and a right suction pipe 543 which are divided into three parts. Each of these suction pipes 541, 542, 543 has a gas injection nozzle 54a and a joint member 54c which are independent of the others, and each joint member 54c is connected to a gas cylinder 72 via a suction hose 71. . Other configurations are similar to those of the nozzle deck 51 of the first embodiment.

【0056】このノズルデッキ51aによれば、ガス噴
射管540が3分割されているため、ガス噴射管540
内の圧力分布がより均等になり、これによってガス噴射
ノズル54aによるガス噴射力のバラツキが小さくな
り、基板Bの端縁の洗浄液を均等に吹き飛ばすことが可
能になり、液滴の残留が確実に防止される。
According to this nozzle deck 51a, since the gas injection pipe 540 is divided into three, the gas injection pipe 540
The pressure distribution in the inside becomes more uniform, which reduces the variation in the gas injection force of the gas injection nozzle 54a, makes it possible to evenly blow off the cleaning liquid on the edge of the substrate B, and ensure that the droplets remain. To be prevented.

【0057】図9は、ノズルデッキ51bの第3実施形
態を示す図であり、(イ)は斜視図、(ロ)は(イ)の
A−A線断面図であって、ノズルデッキ51bが最先端
まで前進して基板Bの端縁に外嵌した状態、(ハ)は同
断面図であって、ノズルデッキ51が引き戻されつつあ
る状態をそれぞれ示している。
9A and 9B are views showing a third embodiment of the nozzle deck 51b. FIG. 9A is a perspective view and FIG. 9B is a sectional view taken along the line AA of FIG. The state where the nozzle deck 51 is being pulled back is shown in a state where the nozzle deck 51 is being pulled back, the state where the nozzle deck 51 is advanced to the most front end and is fitted onto the edge of the substrate B.

【0058】この実施形態のノズルデッキ51bにおい
ては、ガス噴射ノズル544aが、ガス噴射管544の
本体上部から上方に突出した水平方向に延びる前方ノズ
ル板544bと、この前方ノズル板544bよりも高さ
寸法が若干低い後方ノズル板544cとで形成され、こ
れら両ノズル板544b,544c間に水平方向に延び
るガス噴射口54bが形成されている。
In the nozzle deck 51b of this embodiment, the gas injection nozzle 544a has a front nozzle plate 544b extending upward from the upper portion of the main body of the gas injection pipe 544 and extending horizontally, and a height higher than the front nozzle plate 544b. A rear nozzle plate 544c having a slightly smaller size is formed, and a gas injection port 54b extending in the horizontal direction is formed between the two nozzle plates 544b and 544c.

【0059】そして、図9の(ロ)に示すように、上記
前方ノズル板544bは、ノズルデッキ51bの前進に
より基板Bが長尺開口58に嵌挿された状態で、その上
縁部が基板Bの裏面に近接するように寸法設定されてい
る。その他の構成は上記第1実施形態のノズルデッキ5
1と同じである。
Then, as shown in FIG. 9B, the front nozzle plate 544b has the upper edge portion of the substrate B fitted in the elongated opening 58 by the forward movement of the nozzle deck 51b. The size is set so as to be close to the back surface of B. The other structure is the nozzle deck 5 of the first embodiment.
Same as 1.

【0060】第3実施形態のノズルデッキ51bによれ
ば、吸引管52による基板Bの端縁に付着した洗浄液の
吸引を停止したのち吸引管52を後退させると、図9の
(ハ)に示すように、前方ノズル板544bが基板Bの
裏面側端縁の先端に到達した時点で、その上縁部が基板
Bの裏面から垂下している裏面部残留液滴B7に接触
し、しかも吸引管52の後退によってそれを掻き取る状
態になる。そして、前方ノズル板544bの上縁部で掻
き取られた裏面部残留液滴B7は、ガス噴射口54bか
ら噴射されるガスによって吹き飛ばされるため、基板B
の端縁は残留した洗浄液で汚染されることが確実に防止
される。
According to the nozzle deck 51b of the third embodiment, when suction of the cleaning liquid adhering to the edge of the substrate B by the suction pipe 52 is stopped and then the suction pipe 52 is retracted, it is shown in FIG. Thus, when the front nozzle plate 544b reaches the tip of the rear surface side edge of the substrate B, its upper edge portion contacts the rear surface residual liquid droplet B7 hanging from the rear surface of the substrate B, and the suction tube The retreat of 52 puts it in a scraping state. Then, the rear surface residual liquid droplet B7 scraped off by the upper edge portion of the front nozzle plate 544b is blown off by the gas ejected from the gas ejection port 54b.
The edges of the are reliably prevented from being contaminated with residual cleaning liquid.

【0061】図10は、ノズルデッキ51cの第4実施
形態を示す図であり、(イ)は斜視図、(ロ)は(イ)
のA−A線断面図であって、ノズルデッキ51bが最先
端まで前進して基板Bの端縁に外嵌した状態、(ハ)は
同断面図であって、ノズルデッキ51が引き戻されつつ
ある状態をそれぞれ示している。
FIG. 10 is a view showing a fourth embodiment of the nozzle deck 51c, (a) is a perspective view and (b) is (a).
6A is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1, in which the nozzle deck 51b is advanced to the leading edge and externally fitted to the edge of the substrate B, and (C) is the same cross-sectional view showing the nozzle deck 51 being pulled back. Each state is shown.

【0062】この実施形態においては、吸引管521の
底部521aの幅寸法が天井部521bの幅寸法よりも
幅広に設定されている。従って、上記底部521aの先
端縁部に形成されたガス噴射管54は、上記天井部52
1bの先端縁部に形成された洗浄液供給管53よりも基
板Bの中心側に向けてより多く突出した状態になってい
る。その他の構成は上記第1実施形態のノズルデッキ5
1と同じである。
In this embodiment, the width dimension of the bottom portion 521a of the suction pipe 521 is set wider than the width dimension of the ceiling portion 521b. Therefore, the gas injection pipe 54 formed at the tip edge portion of the bottom portion 521a is provided with the ceiling portion 52.
It is in a state of protruding more toward the center side of the substrate B than the cleaning liquid supply pipe 53 formed at the tip edge portion of 1b. The other structure is the nozzle deck 5 of the first embodiment.
Same as 1.

【0063】第4実施形態のノズルデッキ51cによれ
ば、図10の(ロ)に示すように、吸引管521により
基板Bの端縁に付着した洗浄液を吸引することによって
基板Bの端縁部には端縁部液滴B6が形成される。この
状態でノズルデッキ51cを後退させると、ガス噴射ノ
ズル54aが上記裏面部残留液滴B7に対向した時点で
は、図10の(ハ)に示すように、洗浄液吐出ノズル5
3aと基板Bの端縁部との間には大きな幅寸法の隙間5
22が形成された状態になる。
According to the nozzle deck 51c of the fourth embodiment, as shown in FIG. 10B, the cleaning liquid adhering to the edge of the substrate B is sucked by the suction pipe 521, so that the edge of the substrate B is sucked. An edge droplet B6 is formed on the edge. When the nozzle deck 51c is retracted in this state, at the time when the gas injection nozzle 54a faces the back surface residual liquid droplet B7, as shown in FIG.
A gap 5 having a large width is provided between 3a and the edge of the substrate B.
22 is formed.

【0064】従って、この状態で洗浄液供給管53の洗
浄液吐出ノズル53aから洗浄液が吐出されても、洗浄
液吐出口53bとガス噴射口54bとは水平方向に位置
ずれしているため、洗浄液吐出口53bからの洗浄液が
ガス噴射口54bに向かうことはなく、洗浄液がガス噴
射口54bから吐出されたガスに煽られたり、ガス噴射
ノズル54aに衝突することがなく、これらに起因した
洗浄液の跳ね返りなどによる基板Bの汚染が確実に防止
される。
Therefore, even if the cleaning liquid is ejected from the cleaning liquid ejection nozzle 53a of the cleaning liquid supply pipe 53 in this state, the cleaning liquid ejection port 53b and the gas ejection port 54b are displaced in the horizontal direction, and therefore the cleaning liquid ejection port 53b. The cleaning liquid does not go to the gas injection port 54b, the cleaning liquid is not agitated by the gas discharged from the gas injection port 54b, and does not collide with the gas injection nozzle 54a. The contamination of the substrate B is surely prevented.

【0065】本発明の基板端縁処理装置は、以上詳述し
たように、ノズルデッキ51,51a,51b,51c
が、吸引管52,521とこの吸引管52,521の前
方上下に相互に離間状態で設けられた洗浄液供給管53
およびガス噴射管54,540,544とから形成さ
れ、これら洗浄液供給管53とガス噴射管54,54
0,544との間に形成された長尺開口58に基板Bの
端縁を嵌挿した状態で洗浄液供給管53から供給される
洗浄液で不要薄膜B2を溶解除去するようにしている。
As described in detail above, the substrate edge processing apparatus of the present invention has nozzle decks 51, 51a, 51b, 51c.
However, the suction pipes 52, 521 and the cleaning liquid supply pipe 53 provided above and below the suction pipes 52, 521 so as to be separated from each other
And the gas injection pipes 54, 540, 544, and the cleaning liquid supply pipe 53 and the gas injection pipes 54, 54.
The unnecessary thin film B2 is dissolved and removed by the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply pipe 53 in a state where the end edge of the substrate B is fitted into the long opening 58 formed between the thin film B and the substrate 0,544.

【0066】そして、上記吸引管52,521によって
吸引し得なかった裏面部残留液滴B7を、基板Bの裏面
側端縁に対応するように設けられたガス噴射管54,5
40,544からのガス噴射によって吹き飛ばすように
しているため、従来の吸引管のみで洗浄液を吸引する方
式や、基板Bの表裏において基板Bの中心寄りに設けら
れた気体吐出ノズルから噴射される気体で吸引管内に吹
き飛ばす方式では取り除き得なかった裏面部残留液滴B
7が略完全に吸引除去され、基板Bに確実な端縁処理を
施す上で極めて好都合である。
Then, the back surface residual liquid droplets B7 that could not be sucked by the suction tubes 52 and 521 are provided so as to correspond to the back surface side edge of the substrate B.
Since it is blown off by the gas injection from 40 and 544, the method of sucking the cleaning liquid only by the conventional suction tube, or the gas ejected from the gas ejection nozzles provided on the front and back of the substrate B near the center of the substrate B Residual liquid droplets B on the back surface that could not be removed by the method of blowing into the suction tube with
7 is almost completely sucked and removed, which is extremely convenient for performing a reliable edge treatment on the substrate B.

【0067】本発明は、上記の実施形態に限定されるも
のではなく、以下の実施形態をも採用し得るものであ
る。 (1)上記の実施形態においては、ノズルデッキ51,
51a,51b,51cは基板Bの長辺寸法よりも若干
長い長尺のものが採用されているが、かかる長尺のノズ
ルデッキを用いる代りに基板Bの辺よりも短いノズルデ
ッキを採用し、このノズルデッキを基板Bの端縁に沿っ
て移動させながら不要薄膜B2の除去処理を行うように
してもよい。 (2)上記の実施形態においては、洗浄液供給管53は
基板Bの表面側端縁にのみ洗浄液を供給するようにして
いるが、基板Bの裏面側端縁を対象とした洗浄液供給管
を配設し、これによって基板Bの裏面にも洗浄液を供給
するようにしてもよい。こうすることによって基板Bの
裏面にまわり込んだ塗布液による裏面側不要薄膜B5が
確実に溶解される。 (3)上記の実施形態において、基板Bの端縁がノズル
デッキ51の長尺開口58にセットされた状態で、ノズ
ルデッキ51を水平方向に揺動させるようにしてもよ
い。こうすることにより、気流によって端縁部液滴B6
に加わる力の方向が上記揺動に伴って変化し、端縁部液
滴B6が水平方向に振動することになるため、この振動
によって端縁部液滴B6はより吹き飛ばされ易くなる。 (4)上記実施形態の基板端縁処理装置5は、主に、フ
ォトレジスト塗布液、感光性ポリイミド樹脂、カラーフ
ィルター用の染色剤などの薄膜が表面に形成された液晶
用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、あるい
は半導体ウェハなどの基板Bの端縁に形成された不要薄
膜B2を取り除くために適用されるが、本発明はこのよ
うな不要薄膜除去のみの用途に限定されるものではな
く、現像前の基板Bの端縁に供給される現像液を洗浄液
とみなし、この現像液によって基板Bの端縁部分を現像
処理するいわゆる現像促進処理にも好適に適用可能であ
る。 (5)上記の実施形態においては、ノズルデッキ51の
上方側に洗浄液吐出ノズル53aが、同下方側にガス噴
射ノズル54aが設けられているが、これらに加えてノ
ズルデッキ51の下方側に洗浄液吐出ノズルを設けても
よいし、同上方側にガス噴射ノズルを設けてもよい。さ
らにノズルデッキ51の上下方側双方に洗浄液吐出ノズ
ルおよびガス噴射ノズルの双方を設けるようにしてもよ
い。但し、洗浄液吐出ノズルおよびガス噴射ノズルをノ
ズルデッキ51の上方側または下方側に並設するとき
は、ガス噴射ノズルを洗浄液吐出ノズルよりも基板Bの
中心側に設けるようにする必要がある。
The present invention is not limited to the above embodiment, but the following embodiments can be adopted. (1) In the above embodiment, the nozzle deck 51,
51a, 51b and 51c are long ones slightly longer than the long side dimension of the substrate B. Instead of using such a long nozzle deck, a nozzle deck shorter than the side of the substrate B is adopted. The unnecessary thin film B2 may be removed while moving the nozzle deck along the edge of the substrate B. (2) In the above embodiment, the cleaning liquid supply pipe 53 supplies the cleaning liquid only to the front surface side edge of the substrate B, but the cleaning liquid supply pipe for the rear surface side edge of the substrate B is arranged. The cleaning liquid may be supplied also to the back surface of the substrate B by this. By doing so, the unnecessary thin film B5 on the back surface side is surely dissolved by the coating liquid that has flowed around the back surface of the substrate B. (3) In the above embodiment, the nozzle deck 51 may be horizontally swung with the edge of the substrate B set in the long opening 58 of the nozzle deck 51. By doing so, the liquid droplet B6 on the edge is generated by the air flow.
The direction of the force applied to the edge portion changes with the above-described swing, and the edge portion droplet B6 vibrates in the horizontal direction. Therefore, the edge droplet B6 is more easily blown off by this vibration. (4) The substrate edge processing device 5 of the above-described embodiment mainly includes a glass substrate for liquid crystal having a thin film such as a photoresist coating solution, a photosensitive polyimide resin, and a dyeing agent for a color filter formed on its surface, It is applied to remove the unnecessary thin film B2 formed on the edge of the substrate B such as a glass substrate for a mask or a semiconductor wafer, but the present invention is not limited to such an unnecessary thin film removal application. Instead, the developer supplied to the edge of the substrate B before the development is regarded as a cleaning liquid, and the developer can be suitably applied to the so-called development acceleration treatment in which the edge of the substrate B is subjected to the development treatment. (5) In the above embodiment, the cleaning liquid discharge nozzle 53a is provided on the upper side of the nozzle deck 51 and the gas injection nozzle 54a is provided on the lower side thereof, but in addition to these, the cleaning liquid is provided on the lower side of the nozzle deck 51. A discharge nozzle may be provided, or a gas injection nozzle may be provided on the upper side. Further, both the cleaning liquid discharge nozzle and the gas injection nozzle may be provided on both upper and lower sides of the nozzle deck 51. However, when the cleaning liquid discharge nozzle and the gas injection nozzle are arranged side by side on the upper side or the lower side of the nozzle deck 51, the gas injection nozzle needs to be provided closer to the center side of the substrate B than the cleaning liquid discharge nozzle.

【0068】[0068]

【発明の効果】上記請求項1記載の基板端縁処理装置
は、表面に薄膜が形成された基板の端縁の不要薄膜を除
去する基板端縁処理装置において、基板を水平姿勢で保
持する基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板
の端縁に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルと、
基板の端縁に供給された洗浄液を吸引する吸引手段と、
基板の端縁に付着した洗浄液を基板の端縁より外方に吹
き飛ばすガス噴射ノズルと、吸引手段の吸引動作状態で
洗浄液吐出ノズルにより洗浄液を吐出した後にガス噴射
ノズルによりガスが噴射するように制御する制御手段と
を有してなるものであるため、基板を基板保持手段に保
持させた状態で洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を
基板の表面側端縁に吐出することにより、基板端縁に形
成された不要薄膜は洗浄液に溶解する。上記洗浄液吐出
ノズルからの洗浄液の吐出に同期して吸引手段を駆動さ
せるとともに、ガス噴射ノズルからガスを噴射すること
により、基板の裏面側端縁にまわり込んだ洗浄液はガス
噴射ノズルからの気流に吹き飛ばされ、吸引手段によっ
て吸引される。
The substrate edge processing apparatus according to claim 1 is a substrate edge processing apparatus for removing an unnecessary thin film at an edge of a substrate having a thin film formed on the surface thereof. Holding means, a cleaning liquid discharge nozzle for discharging the cleaning liquid toward the edge of the substrate held by the substrate holding means,
Suction means for sucking the cleaning liquid supplied to the edge of the substrate,
A gas injection nozzle that blows the cleaning liquid adhering to the edge of the substrate outward from the edge of the substrate, and a control that the gas is injected by the gas injection nozzle after the cleaning liquid is discharged by the cleaning liquid discharge nozzle in the suction operation state of the suction means. Since the substrate is held by the substrate holding means, the cleaning liquid is ejected from the ejection port of the cleaning liquid ejection nozzle to the front surface side edge of the substrate. The formed unnecessary thin film dissolves in the cleaning liquid. By driving the suction means in synchronism with the discharge of the cleaning liquid from the cleaning liquid discharge nozzle and injecting the gas from the gas injection nozzle, the cleaning liquid wrapping around the back side edge of the substrate becomes an air stream from the gas injection nozzle. It is blown off and sucked by the suction means.

【0069】そして、制御手段の制御によって洗浄液吐
出ノズルからの洗浄液の吐出が終わってからガス噴射ノ
ズルからガスが噴射されるため、洗浄液吐出ノズルから
吐出された洗浄液が、ガス噴射ノズルから噴射されたガ
スに妨害されることはなく、基板の端縁の不要薄膜に洗
浄液を十分に供給することができるようになる。
Since the gas is jetted from the gas jet nozzle after the washing liquid has been discharged from the washing liquid discharge nozzle under the control of the control means, the washing liquid discharged from the washing liquid discharge nozzle is jetted from the gas jet nozzle. The cleaning liquid can be sufficiently supplied to the unnecessary thin film on the edge of the substrate without being disturbed by the gas.

【0070】また、洗浄液吐出ノズルは、基板の表面側
端縁に向けて洗浄液を吐出するように位置設定され、ガ
ス噴射ノズルは、基板の裏面側端縁に向けてガスを噴射
するように位置設定されているため、洗浄液吐出ノズル
およびガス噴射ノズルを基板の表裏面側の双方に設ける
ことのない簡単な構成が実現した上で、基板の端縁に付
着した不要薄膜を確実に除去することができるようにな
る。また、簡単な構成でありながら、効率よく端縁処理
を施し得るようになり、従来と比較して使用する洗浄液
およびガスの量が削減され、生産コストを低減すること
が可能になる。
[0070] Further, the cleaning liquid discharge nozzle is positioned is set to eject a cleaning liquid toward the surface side edge of the substrate, the gas injection nozzle, positioned so as to inject gas toward the back face side end edge of the substrate Since it is set, the cleaning liquid discharge nozzle and the gas injection nozzle are not provided on both the front and back sides of the substrate, and a simple structure is realized, and the unnecessary thin film attached to the edge of the substrate is surely removed. Will be able to. Further, although the structure is simple, the edge treatment can be performed efficiently, the amount of the cleaning liquid and the gas used can be reduced, and the production cost can be reduced, as compared with the conventional case.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る基板端縁処理装置の適用された基
板処理装置の一例を示す略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a substrate processing apparatus to which a substrate edge processing apparatus according to the present invention is applied.

【図2】図1の基板処理装置の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of the substrate processing apparatus of FIG.

【図3】基板処理装置によって薄膜が形成された直後の
基板を示す一部切欠き斜視図である。
FIG. 3 is a partially cutaway perspective view showing a substrate immediately after a thin film is formed by the substrate processing apparatus.

【図4】ノズルデッキの第1実施形態を示す斜視図であ
る。
FIG. 4 is a perspective view showing a first embodiment of a nozzle deck.

【図5】図4に示すノズルデッキの一部切欠き部分拡大
斜視図である。
5 is a partially cutaway enlarged perspective view of the nozzle deck shown in FIG. 4. FIG.

【図6】基板端縁処理装置による基板端縁処理の一例を
示すタイムチャートである。
FIG. 6 is a time chart showing an example of substrate edge processing by the substrate edge processing apparatus.

【図7】図6のタイムチャートに対応した基板端縁処理
装置の作用を説明するための説明図であり、(イ)はタ
イムチャートのt1〜t2時点の状態、(ロ)は同t2
〜t3時点の状態、(ハ)は同t3〜t4時点の前半の
状態、(ニ)は同t3〜t4時点の後半の状態、(ホ)
は同t5時点以降の状態をそれぞれ示している。
7A and 7B are explanatory diagrams for explaining the operation of the substrate edge processing apparatus corresponding to the time chart of FIG. 6, where (A) is the state at the time points t1 to t2 of the time chart, and (B) is the same t2.
~ State at time t3, (c) is the first half state at time t3 to t4, (d) is the second half state at time t3 to t4, (e)
Indicate the states after the time t5.

【図8】ノズルデッキの第2実施形態を示す斜視図であ
る。
FIG. 8 is a perspective view showing a second embodiment of a nozzle deck.

【図9】ノズルデッキの第3実施形態を示す図であり、
(イ)は斜視図、(ロ)および(ハ)は(イ)のA−A
線断面図であって、(ロ)はノズルデッキが最先端まで
前進して基板の端縁に外嵌した状態、(ハ)は吸引管が
引き戻されつつある状態をそれぞれ示している。
FIG. 9 is a view showing a third embodiment of the nozzle deck,
(A) is a perspective view, (b) and (c) are A-A of (a)
FIG. 4B is a sectional view taken along the line, in which (B) shows a state in which the nozzle deck has advanced to the leading edge and is fitted onto the end edge of the substrate, and (C) shows a state in which the suction tube is being pulled back.

【図10】ノズルデッキの第4実施形態を示す図であ
り、(イ)は斜視図、(ロ)および(ハ)は(イ)のB
−B線断面図であって、(ロ)はノズルデッキが最先端
まで前進して基板の端縁に外嵌した状態、(ハ)は吸引
管が引き戻されつつある状態をそれぞれ示している。
FIG. 10 is a view showing a fourth embodiment of the nozzle deck, (a) is a perspective view, and (b) and (c) are B of (a).
7B is a cross-sectional view taken along the line B, in which (B) shows a state in which the nozzle deck has advanced to the leading edge and is fitted onto the edge of the substrate, and (C) shows a state in which the suction tube is being pulled back.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板処理装置 2 基板包囲容器 21 底板 22 環状溝部 23 環状堰部 3 基板支持機構 31 支持軸 32 回転支持板 33 回転昇降機構 4 塗布液供給手段 41 垂直軸 42 回動アーム 43 塗布液吐出ノズル 44 塗布液タンク 45 塗布液ポンプ 5 基板端縁処理装置 51 ノズルデッキ 52,521 吸引管 53 洗浄液供給管 53a 洗浄液吐出ノズ
ル 53b 洗浄液吐出口 54,540,544
ガス噴射管 541 左方吸引管 542 中央吸引管 543 右方吸引管 54a,544a ガス
噴射ノズル 544b 前方ノズル板 544c 後方ノズル板 54b ガス噴射口 54c ジョイント部材 55 ノズルデッキ進退手段 56 リンク機構 56a リンク腕 57 駆動部 58 長尺開口 59 吸引ブロワ 61 洗浄液タンク 62 レギュレータ 71 吸引ホース 72 ガスボンベ 80 制御手段 81 第1制御弁 82 第2制御弁 83 第3制御弁 B 基板 B0 薄膜 B1 有効薄膜 B2 不要薄膜 B3 表面側不要薄膜 B4 端縁部不要薄膜 B5 裏面側不要薄膜 B6 端縁部液滴 B7 裏面部残留液滴
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 2 Substrate surrounding container 21 Bottom plate 22 Annular groove 23 Annular weir 3 Substrate supporting mechanism 31 Support shaft 32 Rotating supporting plate 33 Rotating lifting mechanism 4 Coating liquid supply means 41 Vertical shaft 42 Rotating arm 43 Coating liquid discharge nozzle 44 Coating liquid tank 45 Coating liquid pump 5 Substrate edge processing device 51 Nozzle deck 52,521 Suction pipe 53 Cleaning liquid supply pipe 53a Cleaning liquid discharge nozzle 53b Cleaning liquid discharge port 54,540,544
Gas injection pipe 541 Left suction pipe 542 Central suction pipe 543 Right suction pipe 54a, 544a Gas injection nozzle 544b Front nozzle plate 544c Rear nozzle plate 54b Gas injection port 54c Joint member 55 Nozzle deck advancing / retreating means 56 Link mechanism 56a Link arm 57 Drive unit 58 Long opening 59 Suction blower 61 Cleaning liquid tank 62 Regulator 71 Suction hose 72 Gas cylinder 80 Control means 81 First control valve 82 Second control valve 83 Third control valve B Substrate B0 Thin film B1 Effective thin film B2 Unnecessary thin film B3 Surface side Unnecessary thin film B4 Edge unnecessary thin film B5 Back side unnecessary thin film B6 Edge liquid drop B7 Back surface residual liquid drop

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−273075(JP,A) 特開 平7−106240(JP,A) 特開 平6−335666(JP,A) 特開 平6−196401(JP,A) 特開 平5−166720(JP,A) 特開 平1−298720(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-7-273075 (JP, A) JP-A-7-106240 (JP, A) JP-A-6-335666 (JP, A) JP-A-6- 196401 (JP, A) JP-A-5-166720 (JP, A) JP-A-1-298720 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 表面に薄膜が形成された基板の端縁の不
要薄膜を除去する基板端縁処理装置において、 基板を水平姿勢で保持する基板保持手段と、 基板保持手段に保持された基板の表面側端縁に向けて洗
浄液を吐出するように位置設定された洗浄液吐出ノズル
と、 基板の端縁に供給された洗浄液を吸引する吸引手段と、基板保持手段に保持された基板の裏面側端縁に向けてガ
スを噴射するように位置設定され 、基板の裏面側端縁に
付着した洗浄液を基板の端縁より外方に吹き飛ばすガス
噴射ノズルと、 上記吸引手段の吸引動作状態で、洗浄液吐出ノズルによ
り洗浄液を吐出し、その後に洗浄液吐出ノズルからの洗
浄液の吐出を停止するとともにガス噴射ノズルによりガ
スを噴射するように制御する制御手段と、 を有していることを特徴とする基板端縁処理装置。
1. A substrate edge processing apparatus for removing an unnecessary thin film at an edge of a substrate having a thin film formed on a surface thereof, wherein a substrate holding means for holding the substrate in a horizontal posture, and a substrate holding means for holding the substrate A cleaning liquid discharge nozzle positioned to discharge the cleaning liquid toward the front side edge, a suction means for sucking the cleaning liquid supplied to the edge of the substrate, and a back side edge of the substrate held by the substrate holding means Toward the edge
Is positioned such that inject scan, and a gas injection nozzle to blow outwards from the rear side edge washing solution of the substrate attached to the edge of the substrate, in the suction operation state of the suction means, the wash solution discharge nozzle ejecting cleaning liquid, washing of the cleaning liquid discharge nozzle after the
A substrate edge processing device, comprising: a control unit that controls to stop the discharge of the purified liquid and to inject a gas by a gas injection nozzle.
【請求項2】 表面に薄膜が形成された基板の端縁の不
要薄膜を除去する基板端縁処理装置において、 基板を水平姿勢で保持する基板保持手段と、 基板保持手段に保持された基板の端縁に向けて洗浄液を
吐出する洗浄液吐出ノズルと、 基板の端縁に供給された洗浄液を吸引する吸引手段と、 基板の端縁に付着した洗浄液を基板の端縁より外方に吹
き飛ばすガス噴射ノズルと、 洗浄液吐出ノズル、吸引手段およびガス噴射手段とを備
えたノズルデッキと、 このノズルデッキを基板に対して進退させるノズルデッ
キ進退手段と、 洗浄液吐出ノズルによる洗浄液の吐出、吸引手段による
洗浄液の吸引、ガス噴射ノズルによるガスの噴射および
ノズルデッキ進退手段によるノズルデッキの進退を制御
する制御手段とが備えられ、 上記ノズルデッキ進退手段は、ノズルデッキを、洗浄液
吐出ノズルが洗浄液を洗浄液を基板端縁に向けて吐出す
る洗浄液吐出位置と、この位置より後退した、ガス噴射
ノズルがガスを噴射するガス噴射位置との間で進退させ
るように構成され、 上記制御手段は、上記吸引手段の吸引動作状態で洗浄液
吐出ノズルにより洗浄液を吐出し、その後に洗浄液吐出
ノズルからの洗浄液の吐出を停止するとともにガス噴射
ノズルによりガスを噴射するように制御するものである
ことを特徴とする基板端縁処理装置。
2. An edge of a substrate having a thin film formed on its surface
In a substrate edge processing apparatus for removing a thin film required, a cleaning liquid is directed toward a substrate holding means for holding the substrate in a horizontal posture and an edge of the substrate held by the substrate holding means.
A cleaning liquid discharge nozzle for discharging, a suction means for sucking the cleaning liquid supplied to the edge of the substrate, and a cleaning liquid adhering to the edge of the substrate to the outside of the edge of the substrate.
Equipped with a gas injection nozzle for blowing off, a cleaning liquid discharge nozzle, a suction means and a gas injection means
And the nozzle deck that moves this nozzle deck back and forth with respect to the board.
By means of advancing / retreating means, discharge of cleaning liquid by the cleaning liquid discharge nozzle, and suction means
Suction of cleaning liquid, injection of gas by gas injection nozzle and
Control of nozzle deck advance / retreat by nozzle deck advance / retreat means
The nozzle deck advancing / retreating means controls the nozzle deck
The discharge nozzle discharges the cleaning liquid toward the edge of the substrate.
Cleaning liquid discharge position and gas injection backward from this position
Move the nozzle back and forth with respect to the gas injection position where the gas is injected.
The control means is configured to wash the cleaning liquid in the suction operation state of the suction means.
Discharge the cleaning liquid from the discharge nozzle, and then discharge the cleaning liquid
Discharge of cleaning liquid from the nozzle and gas injection
It controls to inject gas with a nozzle.
A substrate edge processing device characterized by the above.
【請求項3】3. 請求項2記載の基板端縁処理装置においIn the substrate edge processing apparatus according to claim 2,
て、ガス噴射ノズルは、ガス噴射管と、このガス噴射管The gas injection nozzle is a gas injection pipe and this gas injection pipe.
の本体上部から上方に向けて突出した水平方向に延びるExtends horizontally from the top of the body, protruding upward
前方ノズル板と、この前方ノズル板より高さ寸法が若干The front nozzle plate and the height of the front nozzle plate are slightly
低い後方ノズル板とで形成され、これら両ノズル板間にIt is formed with a lower rear nozzle plate and between these two nozzle plates
水平方向に延びるガス噴射口が形成されていることを特A special feature is that a gas injection port extending in the horizontal direction is formed.
徴とする基板端縁処理装置。Board edge processing equipment to be considered.
【請求項4】4. 請求項2または3記載の基板端縁処理装The substrate edge processing device according to claim 2 or 3.
置において、上記洗浄液吐出ノズルは、基板の表面側端The cleaning liquid discharge nozzle is located at the end on the front surface side of the substrate.
縁に向けて洗浄液を吐出するように位置設定され、上記Positioned so that the cleaning liquid is discharged toward the edge,
ガス噴射ノズルは、基板の裏面側端縁に向けてガスを噴The gas injection nozzle injects gas toward the back side edge of the substrate.
射するように位置設定されていることを特徴とする基板A substrate characterized by being positioned so as to project
端縁処理装置。Edge processing device.
【請求項5】5. 請求項4記載の基板端縁処理装置においIn the substrate edge processing device according to claim 4,
て、ガス噴射ノズルが洗浄液噴射ノズルよりも基板の中The gas injection nozzle is inside the substrate more than the cleaning liquid injection nozzle.
心側に向けてより多く突出していることを特徴とする基A base characterized by protruding more toward the inner side
板端縁処理装置。Plate edge processing equipment.
【請求項6】6. 表面に薄膜が形成された基板の端縁の不The edge of a substrate with a thin film on the surface
要薄膜を除去する基板端縁処理装置において、In a substrate edge processing device that removes thin films required, 基板を水平姿勢で保持する基板保持手段と、Substrate holding means for holding the substrate in a horizontal posture, 基板保持手段に保持された基板の端縁に向けて洗浄液をThe cleaning liquid is directed toward the edge of the substrate held by the substrate holding means.
吐出する洗浄液吐出ノズルと、Cleaning liquid discharge nozzle to discharge, 基板の端縁に供給された洗浄液を吸引する吸引手段と、Suction means for sucking the cleaning liquid supplied to the edge of the substrate, 基板の端縁に付着した洗浄液を基板の端縁より外方に吹The cleaning liquid adhering to the edge of the substrate is blown outward from the edge of the substrate.
き飛ばすガス噴射ノズルと、A gas injection nozzle to blow off, 上記吸引手段の吸引動作状態で洗浄液吐出ノズルによりWith the cleaning liquid discharge nozzle in the suction operation state of the suction means
洗浄液を吐出し、そのDischarge the cleaning liquid and 後に洗浄液吐出ノズルからの洗浄After cleaning from the cleaning liquid discharge nozzle
液の吐出を停止するとともにガス噴射ノズルによりガスStop the liquid discharge and use the gas injection nozzle
を噴射するように制御する制御手段とを有し、And a control means for controlling so as to inject, 上記ガス噴射ノズルは、分割された複数のガス噴射管にThe gas injection nozzle is divided into multiple gas injection pipes.
それぞれ形成されていることを特徴とする基板端縁処理Substrate edge processing characterized by being formed respectively
装置。apparatus.
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