JP3458701B2 - Electronic component and method of manufacturing the same - Google Patents
Electronic component and method of manufacturing the sameInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば積層セラミ
ックコンデンサのような電子部品及びその製造方法に関
し、より詳細には、電子部品素体の外表面に形成された
外部電極の構造が改良された電子部品及びその製造方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component such as a monolithic ceramic capacitor and a method of manufacturing the same, and more specifically, the structure of an external electrode formed on the outer surface of an electronic component body is improved. The present invention relates to an electronic component and a manufacturing method thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】図3に、従来の積層コンデンサの一例を
示す。積層コンデンサ21では、誘電体セラミックスよ
りなるセラミック焼結体22内に複数の内部電極23a
〜23dがセラミック層を介して厚み方向に重なり合う
ように配置されている。内部電極23a,23bは端面
22aに、内部電極23b,23dは端面22bに引き
出されている。端面22a,22bには、外部電極2
4,25がそれぞれ形成されている。2. Description of the Related Art FIG. 3 shows an example of a conventional multilayer capacitor. In the multilayer capacitor 21, a plurality of internal electrodes 23a are provided in a ceramic sintered body 22 made of dielectric ceramics.
.About.23d are arranged so as to overlap each other in the thickness direction via the ceramic layer. The internal electrodes 23a and 23b are drawn to the end face 22a, and the internal electrodes 23b and 23d are drawn to the end face 22b. The external electrodes 2 are provided on the end faces 22a and 22b.
4 and 25 are formed respectively.
【0003】外部電極24,25は、導電性に優れたA
g層24a,25a上にNi層24b,25b及び半田
付け性に優れたSn層24c,25cを形成した構造を
有する。The external electrodes 24 and 25 are made of A having excellent conductivity.
It has a structure in which Ni layers 24b and 25b and Sn layers 24c and 25c having excellent solderability are formed on the g layers 24a and 25a.
【0004】Ag層24a,25aは、Agペーストを
塗布し、焼き付けることにより形成されている。Ag層
24a,25aは、導電性に優れているものの、半田付
けに際し半田と接触されると、半田食われを引き起こ
す。そのため、Ag層24a,25aの外表面が、半田
食われを生じないNi層24b,25bにより被覆され
ている。Ni層24b,25bは、通常、電解メッキに
より形成されている。The Ag layers 24a and 25a are formed by applying an Ag paste and baking it. Although the Ag layers 24a and 25a have excellent conductivity, they contact the solder during soldering, causing solder erosion. Therefore, the outer surfaces of the Ag layers 24a and 25a are covered with the Ni layers 24b and 25b that do not cause solder erosion. The Ni layers 24b and 25b are usually formed by electrolytic plating.
【0005】Ni層24b,25bは、半田に対する濡
れ性が低く、半田付け性が良好ではない。従って、上記
Sn層24c,25cが半田付け性を高めるために形成
されている。Sn層24c,25cは、主として電解メ
ッキ法により形成されている。また、Sn層24c,2
5cに代えて、同じく半田付け性に優れた、Sn−Pb
合金よりなる金属層を用いることも多い。The Ni layers 24b and 25b have low solder wettability, and the solderability is not good. Therefore, the Sn layers 24c and 25c are formed to improve solderability. The Sn layers 24c and 25c are mainly formed by electrolytic plating. In addition, the Sn layers 24c, 2
In place of 5c, Sn-Pb, which also has excellent solderability,
A metal layer made of an alloy is often used.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】積層コンデンサ21の
ように3層構造の外部電極24,25を有する電子部品
では、高温・多湿下で使用されると、外部電極24,2
5の表面に位置しているSn層24c,25cやSn−
Pb層中のSnがイオン化し、電界方向に移動し、イオ
ンマイグレーションを引き起こすという問題があった。In the electronic component having the three-layered external electrodes 24, 25 like the multilayer capacitor 21, the external electrodes 24, 2 are used when used under high temperature and high humidity.
Sn layers 24c, 25c and Sn- located on the surface of
There was a problem that Sn in the Pb layer was ionized and moved in the direction of the electric field to cause ion migration.
【0007】上記イオンマイグレーションにより外部電
極24,25の表面層の金属イオンがセラミック焼結体
22の表面に移動すると、絶縁抵抗の低下などの問題が
生じる。特に、近年、電子部品の小型化に伴い、セラミ
ック焼結体22の寸法も小さくなってきている。従っ
て、外部電極24,25と相手方の電位に接続される内
部電極や外部電極との間の距離が小さくなってきてお
り、上記イオンマイグレーションが生じた場合、絶縁抵
抗が著しく低下したり、甚だしき場合には、セラミック
焼結体22が破壊したりするおそれがあった。When the metal ions in the surface layers of the external electrodes 24 and 25 move to the surface of the ceramic sintered body 22 due to the above-mentioned ion migration, problems such as a decrease in insulation resistance occur. Particularly, in recent years, the size of the ceramic sintered body 22 has been reduced along with the downsizing of electronic components. Therefore, when the distance between the external electrodes 24 and 25 and the internal electrode or the external electrode connected to the other party's potential is decreasing, and when the above-mentioned ion migration occurs, the insulation resistance is remarkably reduced or is extremely large. However, the ceramic sintered body 22 may be broken.
【0008】本発明の目的は、複数の金属層を積層して
なる外部電極を有する電子部品であって、イオンマイグ
レーションに起因する絶縁抵抗の低下や電子部品素体の
破壊等が生じ難い、信頼性に優れた電子部品及びその製
造方法を提供することにある。An object of the present invention is an electronic component having an external electrode formed by laminating a plurality of metal layers, which is less likely to cause a decrease in insulation resistance or destruction of an electronic component element body due to ion migration, which is reliable. An object of the present invention is to provide an electronic component having excellent properties and a manufacturing method thereof.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、電子部品素体の表面に、第1,第2の外部電極がそ
れぞれ形成されている電子部品であって、第1,第2の
外部電極が、ベース層としての第1の金属層と、第1の
金属層上に形成されており、相対的にマイグレーション
が生じ難い金属よりなる第2の金属層と、第2の金属層
上に形成されており、かつ第2の金属層に比べて半田付
け性に優れた金属よりなる第3の金属層とを備え、第2
の金属層がNiからなり、前記第1,第2の外部電極の
うち、少なくとも一方において、該電極の、他方の外部
電極と対向する端縁近傍において第2の金属層が露出す
るように、第3の金属層が前記端縁には至らないように
形成されていることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided an electronic component in which first and second external electrodes are formed on a surface of an electronic component body, respectively. The second external electrode is formed on the first metal layer as the base layer and the first metal layer, and the second metal layer made of a metal in which migration is relatively hard to occur, and the second metal A third metal layer formed on the layer and having a solderability superior to that of the second metal layer .
The metal layer of Ni is made of Ni , and the second metal layer is exposed in at least one of the first and second external electrodes in the vicinity of the edge of the electrode facing the other external electrode, It is characterized in that the third metal layer is formed so as not to reach the edge.
【0010】また、本発明では、前記第3の金属層が端
縁に至らないように形成されている外部電極において、
当該外部電極の前記端縁と、当該外部電極の形成されて
いる端面から最も外側に位置する電極部分との距離をE
としたときに、前記第2の金属層の露出している部分の
第1,第2の端面を結ぶ方向に沿う長さdが、距離Eの
10%〜40%の範囲とされている。Further , according to the present invention, in the external electrode formed so that the third metal layer does not reach the edge,
The distance between the edge of the external electrode and the electrode portion located on the outermost side from the end surface on which the external electrode is formed is E
In this case, the length d of the exposed portion of the second metal layer along the direction connecting the first and second end faces is within the range of 10% to 40% of the distance E.
【0011】請求項2に記載の発明では、上記電子部品
素体がセラミック素体により構成されており、該セラミ
ック素体内に第1または第2の外部電極に接続されてい
る複数の内部電極が形成されており、それによって積層
セラミック電子部品が構成されている。According to a second aspect of the present invention, the electronic component body is formed of a ceramic body, and a plurality of internal electrodes connected to the first or second external electrode are provided in the ceramic body. Formed, thereby forming a monolithic ceramic electronic component.
【0012】請求項3に記載の発明は、請求項1に記載
の発明に係る電子部品の製造方法であって、電子部品素
体の表面に、第1,第2の外部電極を形成するための第
1の金属層を形成する工程と、前記第1の金属層上に、
かつ第1の金属層が形成されている領域の端縁に至るよ
うに、相対的にマイグレーションが生じ難い金属として
Niよりなる第2の金属層を形成する工程と、第2の金
属層上に、第2の金属層に比べて半田付け性に優れた金
属を用い、かつ第2の金属層の、少なくとも他方側の第
2の金属層と対向する端縁近傍が露出するように、該端
縁に至らないように第3の金属層を形成する工程とを備
えることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electronic component according to the first aspect of the present invention, wherein the first and second external electrodes are formed on the surface of the electronic component body. And forming a first metal layer on the first metal layer,
And to reach the edge of the region where the first metal layer is formed, as a hard metal occurs relatively migration
A step of forming a second metal layer made of Ni , and using a metal having a soldering property superior to that of the second metal layer on the second metal layer, and at least the other of the second metal layers And a step of forming a third metal layer so as to expose the vicinity of the edge facing the second metal layer on the side so as not to reach the edge.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の非限定的な実施例
を挙げることにより、本発明を明らかにする。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be made clear by giving non-limiting examples of the present invention.
【0014】図1及び図2は、本発明の一実施例に係る
積層コンデンサを示す断面図及び斜視図である。積層コ
ンデンサ1は、特に限定されるわけではないが、チタン
酸バリウム系セラミックスのような誘電体セラミックス
よりなるセラミック焼結体2を用いて構成されている。
セラミック焼結体2は、直方体状の形状を有する。1 and 2 are a sectional view and a perspective view showing a multilayer capacitor according to an embodiment of the present invention. Although not particularly limited, the multilayer capacitor 1 is configured by using a ceramic sintered body 2 made of a dielectric ceramic such as barium titanate ceramics.
The ceramic sintered body 2 has a rectangular parallelepiped shape.
【0015】セラミック焼結体2内には、セラミック層
を介して厚み方向に重なり合うように、複数の内部電極
3a〜3dが形成されている。内部電極3a,3cは、
セラミック焼結体2の第1の端面2aに引き出されてい
る。内部電極3b,3dは、端面2aと対向している第
2の端面2bに引き出されている。Inside the ceramic sintered body 2, a plurality of internal electrodes 3a to 3d are formed so as to overlap each other in the thickness direction with a ceramic layer interposed therebetween. The internal electrodes 3a and 3c are
It is drawn out to the first end surface 2 a of the ceramic sintered body 2. The internal electrodes 3b and 3d are drawn out to the second end surface 2b facing the end surface 2a.
【0016】すなわち、セラミック焼結体2及びその内
部の構成については、従来から公知の積層コンデンサと
同様とされている。本実施例の積層コンデンサ1の特徴
は、第1,第2の外部電極4,5にある。That is, the ceramic sintered body 2 and the internal structure thereof are the same as those of conventionally known multilayer capacitors. The feature of the multilayer capacitor 1 of this embodiment resides in the first and second external electrodes 4 and 5.
【0017】第1,第2の外部電極4,5は、端面2
a,2bを覆うように形成されている。もっとも、外部
電極4,5は、端面2a,2bだけでなく、上面2c、
下面2d及び側面2e,2fにも至るように形成されて
いる。The first and second external electrodes 4 and 5 have an end face 2
It is formed so as to cover a and 2b. However, the external electrodes 4 and 5 are not limited to the end surfaces 2a and 2b, but the upper surface 2c,
It is formed so as to reach the lower surface 2d and the side surfaces 2e and 2f.
【0018】また、外部電極4,5は、それぞれ、セラ
ミック焼結体2の外表面に第1の金属層4a,5a、第
2の金属層4b,5b及び第3の金属層4c,5cを順
に形成した構造を有する。The external electrodes 4 and 5 have first metal layers 4a and 5a, second metal layers 4b and 5b, and third metal layers 4c and 5c on the outer surface of the ceramic sintered body 2, respectively. It has a structure formed in order.
【0019】第1の金属層4a,5aは、Agを含有す
る導電ペーストを塗布し、焼き付けることにより形成さ
れている。もっとも、第1の金属4a,5aについて
は、Cuなどの他の導電性に優れた金属を含む導電ペー
ストを塗布し、焼き付けることにより形成されてもよ
い。また、第1の金属層4a,5aの形成方法について
も、導電ペーストの塗布焼付け法に決定されず、メッ
キ、スパッタリング等の他の方法を採用してもよい。The first metal layers 4a and 5a are formed by applying a conductive paste containing Ag and baking it. However, the first metals 4a and 5a may be formed by applying a conductive paste containing another metal having excellent conductivity such as Cu and baking the same. Further, the method for forming the first metal layers 4a and 5a is not limited to the conductive paste coating and baking method, and other methods such as plating and sputtering may be adopted.
【0020】第1の金属層4a,5aの半田食われを防
止するために、第2の金属層4b,5bが形成されてい
る。第2の金属層4b,5bは、第1の金属層4a,5
aの半田食われを防止し得る材料で構成されることが必
要であり、かつ第3の金属層4c,5cに対して相対的
にマイグレーションが生じ難い金属により構成されてい
る。このような第2の金属層4b,5bは、Niからな
る。本実施例では、Niを電解メッキすることにより第
2の金属層4b,5bが形成されている。Second metal layers 4b and 5b are formed in order to prevent solder erosion of the first metal layers 4a and 5a. The second metal layers 4b and 5b are the first metal layers 4a and 5b.
It is necessary to be composed of a material that can prevent solder erosion of a, and to be composed of a metal that is less likely to migrate with respect to the third metal layers 4c and 5c. Such second metal layers 4b and 5b are made of Ni.
It In this embodiment, the second metal layers 4b and 5b are formed by electrolytically plating Ni.
【0021】上記第2の金属層4b,5bは、第1の金
属層のセラミック焼結体2の上面2c、下面2d及び側
面2e,2fに至る外部電極端縁4d,5dに至るよう
に形成されている。すなわち、第2の金属層4b,5b
は、第1の金属層4a,5aの外表面を全て被覆するよ
うに形成されている。The second metal layers 4b and 5b are formed so as to reach the upper surface 2c and the lower surface 2d of the ceramic sintered body 2 of the first metal layer and the external electrode edges 4d and 5d reaching the side surfaces 2e and 2f. Has been done. That is, the second metal layers 4b and 5b
Are formed so as to cover all the outer surfaces of the first metal layers 4a and 5a.
【0022】第3の金属層4c,5cは、半田付け性を
高めるために設けられており、本実施例ではSnを電気
メッキすることにより形成されている。なお、第3の金
属層4c,5cについては、Snに限定されず、Sn−
Pb合金のような半田付け性に優れた適宜の金属材料に
より構成することができる。The third metal layers 4c and 5c are provided to improve solderability, and in this embodiment, they are formed by electroplating Sn. The third metal layers 4c and 5c are not limited to Sn, but Sn-
It can be made of an appropriate metal material having excellent solderability such as Pb alloy.
【0023】本実施例の特徴は、第3の金属層4c,5
cが、第1,第2の外部電極4,5のセラミック焼結体
2の上面2c、2d及び両側面2e,2fに至っている
部分の端縁4d,5d近傍において第2の金属層4b,
5bが露出するように、該端縁4d,5dには至らない
ように形成されていることにある。The feature of this embodiment is that the third metal layers 4c and 5 are formed.
c is the upper surface 2c, 2d of the ceramic sintered body 2 of the first and second external electrodes 4, 5, and the second metal layer 4b, in the vicinity of the edges 4d, 5d reaching the both side surfaces 2e, 2f.
It is formed so as not to reach the end edges 4d and 5d so that 5b is exposed.
【0024】すなわち、図1に示されているように、第
2の金属層4b,5bの互いに対向し合っている端縁4
d,5d近傍部分が、第3の金属層4c,5cで被覆さ
れておらず露出されている。That is, as shown in FIG. 1, the edges 4 of the second metal layers 4b, 5b facing each other.
The portions near d and 5d are not covered with the third metal layers 4c and 5c and are exposed.
【0025】本実施例では、実使用時に、電界が例えば
第3の金属層4cと、他方電位に接続される外部電極5
や内部電極3bとの間に加わったとしても、第3の金属
層4cを構成しているSnのイオンマイグレーションに
よるSnイオンのセラミック焼結体2への移動が確実に
抑制される。In this embodiment, in actual use, the electric field is, for example, the third metal layer 4c and the external electrode 5 connected to the other potential.
And the internal electrode 3b, the movement of Sn ions to the ceramic sintered body 2 due to the ion migration of Sn forming the third metal layer 4c is reliably suppressed.
【0026】上記のように、第3の金属層4c,5cの
端縁が、対向する外部電極4,5の端縁4d,5dに至
らないように形成されていることにより、Snのイオン
マイグレーションを抑制し得るのは、以下の理由による
と考えられる。As described above, since the edges of the third metal layers 4c and 5c are formed so as not to reach the edges 4d and 5d of the external electrodes 4 and 5 which face each other, the ion migration of Sn is caused. It is considered that the above can be suppressed for the following reason.
【0027】すなわち、イオンマイグレーションは、水
が介在されてイオン化したSnが電位差によって他方電
位側に移動する現象である。いま、外部電極4におい
て、第3の金属層4cの外表面の矢印Aで示す位置にお
いて、水もしくは水分の付着によりSnがイオン化した
とする。しかしながら、矢印A〜Cで示す部分の電位は
同じであるため、矢印Aの位置で析出したSnイオン
は、矢印Bで示す位置の方向には移動しない。また、た
とえSnイオンが矢印Bで示す位置まで移動したとして
も、第2の金属層4bの露出している部分では、露出し
ている表面のいずれの部分においても同じ電位となるた
め、矢印Bで示す位置から矢印Cで示す位置への移動も
起こり難い。従って、第3の金属層4c上において析出
したSnイオンのマイグレーションを確実に抑制するこ
とができる。That is, the ion migration is a phenomenon in which ionized Sn mediated by water moves to the other potential side due to the potential difference. Now, in the external electrode 4, it is assumed that Sn is ionized by the adhesion of water or water at the position indicated by the arrow A on the outer surface of the third metal layer 4c. However, since the potentials of the portions indicated by arrows A to C are the same, the Sn ions deposited at the position of arrow A do not move in the direction of the position indicated by arrow B. Even if the Sn ions move to the position indicated by arrow B, the exposed portion of the second metal layer 4b has the same potential on any exposed surface. The movement from the position indicated by to the position indicated by arrow C is unlikely to occur. Therefore, the migration of Sn ions deposited on the third metal layer 4c can be reliably suppressed.
【0028】なお、Niは、イオンマイグレーションを
生じ難いため、第2の金属層4b,5bが第1の金属層
4a,5aの端縁に至るように形成されていたとして
も、Niイオンのイオンマイグレーションはほとんど生
じない。Since Ni hardly causes ion migration, even if the second metal layers 4b, 5b are formed so as to reach the edges of the first metal layers 4a, 5a, Ni ion ions Migration rarely occurs.
【0029】好ましくは、外部電極4を代表して説明す
ると、外部電極4の上記端縁4dと、外部電極4の形成
されている端面2aから端面外方の最も外側に位置する
電極部分との距離をEとしたとき、第2の金属層4bの
露出している部分の第1,第2の端面2a,2bを結ぶ
方向に沿う長さdは、距離Eの10〜40%の範囲とさ
れる。この割合が10%未満の場合には、第2の金属層
の一部を露出させて、第3の外部電極の端縁が外部電極
4の端縁4dに至らないように形成しても、イオンマイ
グレーションを抑制する効果が十分に得られないことが
あり、40%を超えると、Niよりなる第2の金属層4
bの露出面積が多くなり、半田付け性が低下し、プリン
ト回路基板などに表面実装されたときに、半田により確
実に接合され得ないことがある。Preferably, the external electrode 4 will be described as a representative. The above-mentioned edge 4d of the external electrode 4 and the outermost electrode portion outside the end surface 2a where the external electrode 4 is formed are located. When the distance is E, the length d of the exposed portion of the second metal layer 4b along the direction connecting the first and second end faces 2a and 2b is in the range of 10 to 40% of the distance E. To be done. When this ratio is less than 10%, a part of the second metal layer is exposed so that the edge of the third external electrode does not reach the edge 4d of the external electrode 4, The effect of suppressing ion migration may not be sufficiently obtained, and when it exceeds 40%, the second metal layer 4 made of Ni is formed.
In some cases, the exposed area of b becomes large, the solderability deteriorates, and when it is surface-mounted on a printed circuit board or the like, it cannot be reliably joined by solder.
【0030】なお、第2の外部電極5についても、第1
の外部電極4と同様に構成される。もっとも、第1,第
2の外部電極の双方において、第3の金属層4c,5c
が端縁4d,5dに至らないように形成される必要は必
ずしもなく、少なくとも一方においてのみ、上記のよう
に構成されていてもよい。すなわち、外部電極の他方の
外部電極と対向されている端縁近傍において第2の金属
層が、第3の金属層で覆われないようにされておりさえ
すればよい。As for the second external electrode 5, the first external electrode 5
The external electrode 4 has the same structure. However, the third metal layers 4c and 5c are formed on both the first and second external electrodes.
Need not be formed so as not to reach the edges 4d and 5d, and at least one of them may be configured as described above. That is, it is sufficient that the second metal layer is not covered with the third metal layer in the vicinity of the edge of the external electrode facing the other external electrode.
【0031】また、本発明に係る電子部品では、第1,
第2の外部電極以外に、さらに他の外部電極が設けられ
ていてもよく、付加的に設けられる他の外部電極につい
ても、上記と同様に構成されてもよい。Further, in the electronic component according to the present invention,
Other external electrodes may be provided in addition to the second external electrode, and other external electrodes additionally provided may be configured in the same manner as described above.
【0032】また、上記実施例では、電子部品素体とし
てセラミック焼結体2を用いたが、電子部品素体につい
てもセラミックス以外の材料からなるものであってもよ
い。さらに、内部電極3a〜3dを有する積層型の電子
部品に限らず、内部電極を有しない電子部品にも本発明
を適用することができる。Further, although the ceramic sintered body 2 is used as the electronic component body in the above embodiment, the electronic component body may be made of a material other than ceramics. Further, the present invention can be applied to not only the laminated electronic component having the internal electrodes 3a to 3d but also the electronic component having no internal electrode.
【0033】また、コンデンサに限定されず、LC部
品、抵抗素子などの様々な電子部品に本発明を適用する
ことができる。次に、上記実施例の具体的な実験例を説
明すると共に、その製造方法を明らかにする。The present invention can be applied to various electronic parts such as LC parts and resistance elements without being limited to capacitors. Next, a concrete experimental example of the above-described embodiment will be described and a manufacturing method thereof will be clarified.
【0034】(第1の実験例)BaTiO3 を主成分と
する誘電体セラミックスと、Pdからなる内部電極とを
用い、周知のセラミック積層一体焼成技術を用いて図1
に示したセラミック焼結体2を得た。このセラミック焼
結体2の端面2a,2bを覆うように、Agを含有する
導電ペーストを塗布し、焼き付けることにより、0.0
5〜0.2mmの厚みの第1,第2の金属層4a,5a
を形成した。(First Experimental Example) A dielectric ceramic containing BaTiO 3 as a main component and an internal electrode made of Pd were used, and a well-known ceramic laminated monolithic technique was used.
The ceramic sintered body 2 shown in was obtained. By applying a conductive paste containing Ag so as to cover the end faces 2a, 2b of the ceramic sintered body 2 and baking it,
First and second metal layers 4a, 5a having a thickness of 5 to 0.2 mm
Was formed.
【0035】次に、第1の金属層4a,5aの表面に、
ワット浴を用いた電解メッキ法により1.2〜1.5μ
mの厚みのNi膜よりなる第2の金属層4b,5bを形
成した。Next, on the surfaces of the first metal layers 4a and 5a,
1.2-1.5μ by electrolytic plating method using Watt bath
Second metal layers 4b and 5b made of a Ni film having a thickness of m were formed.
【0036】次に、第2の金属層4b,5b上に、マス
ク剤としてのアクリル樹脂塗料をコーティングした。し
かる後、第3の金属層4c,5cが形成される領域上の
アクリル樹脂膜を溶剤により洗い流した。Next, an acrylic resin paint as a masking agent was coated on the second metal layers 4b and 5b. After that, the acrylic resin film on the regions where the third metal layers 4c and 5c are formed was washed away with a solvent.
【0037】しかる後、アクリル樹脂膜が洗い流された
領域において、第2の金属層4b,5b上に、ワット浴
を用いた電解メッキによりSnをメッキし、2.2〜
2.5μmの厚みの第3の金属層4c,5cを形成し
た。次に、外表面に残存しているアクリル樹脂膜を、溶
剤を用いて洗い流し、積層コンデンサ1を得た。Then, in the area where the acrylic resin film was washed off, Sn was plated on the second metal layers 4b and 5b by electrolytic plating using a Watt bath to 2.2.
The third metal layers 4c and 5c having a thickness of 2.5 μm were formed. Next, the acrylic resin film remaining on the outer surface was washed off with a solvent to obtain a multilayer capacitor 1.
【0038】なお、上記のようにして得た積層コンデン
サの寸法は、1.6×0.8×0.8mmであり、図1
における距離dは、50μm、距離Eは、0.5mmで
あった。The dimensions of the multilayer capacitor obtained as described above are 1.6 × 0.8 × 0.8 mm, and
The distance d was 50 μm, and the distance E was 0.5 mm.
【0039】比較のために、第3の金属層を第2の金属
層の全面を被覆するように形成したことを除いては、上
記実施例と同様にして従来の積層コンデンサ21(図3
参照)を作製した。For comparison, the conventional multilayer capacitor 21 (see FIG. 3) is used in the same manner as in the above embodiment except that the third metal layer is formed so as to cover the entire surface of the second metal layer.
Reference) was prepared.
【0040】上記実施例の積層コンデンサ及び従来例の
積層コンデンサについて、温度85℃及び相対湿度90
〜95%の環境下で、100Vの直流電圧を印加し、湿
中負荷試験を行った。この湿中負荷試験における各積層
コンデンサ1万個あたりにおいて発生した不良品数を下
記の表1に示す。Regarding the multilayer capacitor of the above embodiment and the conventional multilayer capacitor, the temperature was 85 ° C. and the relative humidity was 90.
Under a 95% environment, a DC voltage of 100 V was applied and a humidity and medium load test was performed. Table 1 below shows the number of defective products per 10,000 multilayer capacitors in this wet and medium load test.
【0041】[0041]
【表1】 [Table 1]
【0042】なお、表1における不良品数は、外部電極
間の絶縁が不良になった積層コンデンサの数を示す。表
1から明らかなように、従来例では、2000時間経過
後に1万個あたり1個の不良品が発生し、4000時間
経過後には1万個あたり3個の不良品が発生したのに対
し、実施例の積層コンデンサでは、4000時間経過後
においても不良品の発生は皆無であった。従って、本実
施例の積層コンデンサによれば、従来例の積層コンデン
サ21に比べて、高温高湿度下における信頼性を高め得
ることがわかる。The number of defective products in Table 1 indicates the number of multilayer capacitors in which insulation between external electrodes is defective. As is clear from Table 1, in the conventional example, one defective product per 10,000 units was generated after 2000 hours, and three defective products per 10,000 units were generated after 4000 hours. In the multilayer capacitor of the example, no defective product was generated even after 4000 hours had passed. Therefore, according to the multilayer capacitor of the present embodiment, it can be seen that the reliability under high temperature and high humidity can be improved as compared with the multilayer capacitor 21 of the conventional example.
【0043】また、4000時間経過後に不良となった
従来例の積層コンデンサ3個について、分解し、内部を
観察したところ、3個のうち2個の不良品において、S
nイオンのマイグレーションによるためか、セラミック
焼結体にクラックが発生していることが認められた。Further, three multilayer capacitors of the conventional example which became defective after the lapse of 4000 hours were disassembled and the inside was observed. In two out of three defective products, S
It was confirmed that cracks were generated in the ceramic sintered body probably because of migration of n ions.
【0044】(第2の実験例)次に、第2の実験例を説
明する。上記実施例に従って、但し、外形が1.0×
0.5×厚み0.5mmの積層コンデンサと、1.6×
0.8×厚み0.8mmの2種類の積層コンデンサを作
製した。また、各積層コンデンサにおいて、さらに、第
2の金属層4b,5bの露出幅、すなわち距離dを異な
らせたものを種々作製した。もっとも、外部電極4,5
の上記端縁4d,5dと第1,第2の端面を結ぶ方向最
外側部分との間の距離Eについては、それぞれ、下記の
表2に示すように、0.3mm及び0.5mmに設定し
た。(Second Experimental Example) Next, a second experimental example will be described. According to the above example, except that the outer shape is 1.0 ×
0.5 x 0.5 mm multilayer capacitor, 1.6 x
Two types of multilayer capacitors having a size of 0.8 × 0.8 mm were manufactured. In addition, various laminated capacitors were produced in which the exposed widths of the second metal layers 4b and 5b, that is, the distance d was made different. However, external electrodes 4, 5
The distance E between the above-mentioned end edges 4d, 5d and the outermost portion in the direction connecting the first and second end surfaces is set to 0.3 mm and 0.5 mm, respectively, as shown in Table 2 below. did.
【0045】上記のようにして得られた試料番号1〜1
1の各積層コンデンサについて、実験例1の場合と同様
に湿中負荷試験を行い、絶縁抵抗値が109 Ωを下回る
場合を不良品とした。また、湿中負荷試験における経過
時間に応じた不良品の数を測定した。結果を下記の表2
に併せて示す。Sample Nos. 1 to 1 obtained as described above
For each of the multilayer capacitors of No. 1 as described in Experimental Example 1, a humidity and medium load test was performed, and a case where the insulation resistance value was less than 10 9 Ω was determined to be a defective product. In addition, the number of defective products was measured according to the elapsed time in the humidity and humidity load test. The results are shown in Table 2 below.
Are also shown.
【0046】さらに、ガラスエポキシ基板に、各積層コ
ンデンサを半田付けした後、積層コンデンサの側面をピ
ンで押し、積層コンデンサがガラスエポキシ基板から外
れた際の応力を測定し、接合強度を評価した。結果を下
記の表2に併せて示す。Further, after soldering each laminated capacitor to a glass epoxy substrate, the side surface of the laminated capacitor was pressed with a pin, the stress when the laminated capacitor was disengaged from the glass epoxy substrate was measured, and the bonding strength was evaluated. The results are also shown in Table 2 below.
【0047】[0047]
【表2】 [Table 2]
【0048】表2から明らかなように、第2の金属層4
b,5bを全く露出させなかった従来品(試料番号1及
び6)では、累積故障数(湿中負荷試験における400
0時間経過後の不良品数)が6個と3個であったのに対
し、実施例に相当する試料番号2〜5及び7〜11で
は、4000時間経過後においてほとんど不良品が発生
しておらず、2000時間経過後では不良品は皆無であ
った。As is clear from Table 2, the second metal layer 4
In the conventional products (Sample Nos. 1 and 6) in which b and 5b were not exposed at all, the cumulative number of failures (400 in the wet and medium load test)
The number of defective products after the lapse of 0 hours was 6 and 3, whereas in the sample numbers 2 to 5 and 7 to 11 corresponding to the examples, almost all defective products were generated after 4000 hours. After 2000 hours, no defective products were found.
【0049】特に、距離dの距離Eに対する割合が10
%以上の場合には、湿中負荷試験において4000時間
経過した時点においても、不良品の発生は皆無であっ
た。また、ガラスエポキシ基板に積層コンデンサを半田
付けして測定された上記接合強度評価においては、d/
Eの割合が40%以下の場合、十分な接合強度を有する
ことが認められた。従って、好ましくは、d/Eの割合
を、10〜40%の範囲とすることにより、イオンマイ
グレーションに伴う信頼性の低下を抑制することができ
ると共に、基板に対して十分な強度で接合し得ることが
わかる。In particular, the ratio of the distance d to the distance E is 10
When it was at least%, no defective product was found even after 4000 hours had passed in the wet and medium load test. In addition, in the above-mentioned joint strength evaluation measured by soldering a laminated capacitor to a glass epoxy substrate, d /
It was confirmed that when the ratio of E was 40% or less, the bonding strength was sufficient. Therefore, preferably, by setting the ratio of d / E to be in the range of 10 to 40%, it is possible to suppress the decrease in reliability due to ion migration and to bond the substrate with sufficient strength. I understand.
【0050】[0050]
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、第1,
第2の外部電極のうち少なくとも一方において、該電極
の、他方の外部電極と対向している端縁近傍において、
第2の金属層が露出するように、第3の金属層が該端縁
には至らないように形成されており、第2の金属層がマ
イグレーションが生じ難い金属、すなわちNiにより構
成されているため、第3の金属層を構成している金属イ
オンのマイグレーションを効果的に抑制することができ
る。従って、高温・高湿下で使用されたとしても、第3
の金属層を構成している金属のイオンマイグレーション
に起因する、絶縁抵抗の低下等が生じ難く、信頼性に優
れた電子部品を提供することができる。According to the invention described in claim 1,
In at least one of the second external electrodes, near the edge of the electrode facing the other external electrode,
The third metal layer is formed so as not to reach the edge so that the second metal layer is exposed, and the second metal layer is made of a metal that does not easily cause migration , that is, Ni . Therefore, it is possible to effectively suppress the migration of the metal ions forming the third metal layer. Therefore, even if it is used under high temperature and high humidity,
It is possible to provide an electronic component having excellent reliability, which is unlikely to cause a decrease in insulation resistance or the like due to ion migration of the metal forming the metal layer.
【0051】また、外部電極の端縁と、外部電極の形成
されている端面から最も外側に位置する電極部分との間
の距離をEとしたときに、第2の金属層の露出している
部分の第1,第2の端面を結ぶ方向に沿う長さdが、距
離Eの10〜40%の範囲とされているので、上記第3
の金属層を構成している金属のイオンマイグレーション
をより一層確実に抑制することができると共に、半田付
けによる接合強度が良好な電子部品を提供することがで
きる。[0051] Also, the edge of the external electrode, when the distance between the electrode portion located outermost from the end face which is formed in the external electrode and E, are exposed in the second metal layer Since the length d along the direction connecting the first and second end faces of the portion is set in the range of 10 to 40% of the distance E,
It is possible to more reliably suppress ion migration of the metal forming the metal layer, and it is possible to provide an electronic component having good bonding strength by soldering.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】本発明の一実施例に係る電子部品としての積層
コンデンサを示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing a multilayer capacitor as an electronic component according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1に示した積層コンデンサの外観を示す斜視
図。FIG. 2 is a perspective view showing the appearance of the multilayer capacitor shown in FIG.
【図3】従来の積層コンデンサの一例を示す断面図。FIG. 3 is a sectional view showing an example of a conventional multilayer capacitor.
1…積層コンデンサ 2…電子部品素体としてのセラミック焼結体 2a,2b…第1,第2の端面 2c…上面 2d…下面 2e,2f…側面 4,5…第1,第2の外部電極 4a,5a…第1の金属層 4b,5b…第2の金属層 4c,5c…第3の金属層 4d,5d…端縁 1. Multilayer capacitor 2 ... Ceramic sintered body as an electronic component body 2a, 2b ... First and second end faces 2c ... top surface 2d ... bottom surface 2e, 2f ... Sides 4, 5 ... First and second external electrodes 4a, 5a ... First metal layer 4b, 5b ... Second metal layer 4c, 5c ... Third metal layer 4d, 5d ... Edges
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−330173(JP,A) 特開 平3−218613(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01G 4/00 - 4/42 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) References JP-A-8-330173 (JP, A) JP-A-3-218613 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01G 4/00-4/42
Claims (3)
部電極がそれぞれ形成されている電子部品であって、 第1,第2の外部電極が、ベース層としての第1の金属
層と、第1の金属層上に形成されており、相対的にマイ
グレーションが生じ難い金属よりなる第2の金属層と、
第2の金属層上に形成されており、かつ第2の金属層に
比べて半田付け性に優れた金属よりなる第3の金属層と
を備え、第2の金属層がNiからなり、 前記第1,第2の外部電極のうち、少なくとも一方にお
いて、該電極の、他方の外部電極と対向する端縁近傍に
おいて第2の金属層が露出するように、第3の金属層が
前記端縁には至らないように形成されており、前記第3
の金属層が端縁に至らないように形成されている外部電
極において、当該外部電極の前記端縁と、当該外部電極
の形成されている端面から最も外側に位置する電極部分
との距離をEとしたときに、前記第2の金属層の露出し
ている部分の第1,第2の端面を結ぶ方向に沿う長さd
が、距離Eの10%〜40%の範囲とされていることを
特徴とする電子部品。1. An electronic component in which first and second external electrodes are respectively formed on the surface of an electronic component element body, wherein the first and second external electrodes are first base layers. A metal layer, and a second metal layer formed on the first metal layer and made of a metal in which migration is relatively unlikely to occur,
A third metal layer formed on the second metal layer and having a solderability superior to that of the second metal layer, wherein the second metal layer is made of Ni; In at least one of the first and second external electrodes, the third metal layer has the edge so that the second metal layer is exposed in the vicinity of the edge of the electrode facing the other external electrode. It is formed so as not to lead to the third
The external power supply is formed so that the metal layer of
At the pole, the edge of the external electrode and the external electrode
The electrode part located on the outermost side from the end face where the
Exposing the second metal layer when the distance from
Length d along the direction connecting the first and second end faces of the portion
Is in the range of 10% to 40% of the distance E.
り、該セラミック素体内に第1または第2の外部電極に
接続されている複数の内部電極が形成されている積層セ
ラミック電子部品である、請求項1に記載の電子部品。2. A multilayer ceramic electronic component, wherein the electronic component body is a ceramic body, and a plurality of internal electrodes connected to the first or second external electrodes are formed in the ceramic body. The electronic component according to claim 1.
製造方法であって、 電子部品素体の表面に、第1,第2の外部電極を形成す
るための第1の金属層を形成する工程と、 前記第1の金属層上に、かつ第1の金属層が形成されて
いる領域の端縁に至るように、相対的にマイグレーショ
ンが生じ難い金属としてNiよりなる第2の金属層を形
成する工程と、 第2の金属層上に、第2の金属層に比べて半田付け性に
優れた金属を用い、かつ第2の金属層の、少なくとも他
方側の第2の金属層と対向する端縁近傍が露出するよう
に、該端縁に至らないように第3の金属層を形成する工
程とを備えることを特徴とする、電子部品の製造方法。3. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein a first metal layer for forming first and second external electrodes is formed on the surface of the electronic component body. A step of forming, and a second metal made of Ni as a metal on which migration is relatively unlikely to occur on the first metal layer so as to reach an edge of a region where the first metal layer is formed. A step of forming a layer, and a second metal layer at least on the other side of the second metal layer, the metal being superior in solderability to the second metal layer is used on the second metal layer. And a step of forming a third metal layer so as to expose the vicinity of an edge facing the edge metal and not reach the edge.
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