JP3446343B2 - Ｖ溝構造を有する半導体発光装置 - Google Patents
Ｖ溝構造を有する半導体発光装置Info
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- JP3446343B2 JP3446343B2 JP26283794A JP26283794A JP3446343B2 JP 3446343 B2 JP3446343 B2 JP 3446343B2 JP 26283794 A JP26283794 A JP 26283794A JP 26283794 A JP26283794 A JP 26283794A JP 3446343 B2 JP3446343 B2 JP 3446343B2
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Description
【０００１】
【発明の利用分野】本発明は半導体装置、好ましくは量
子効果を用いた半導体装置に関する。
子効果を用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】量子井戸、量子細線、量子箱等の量子マ
イクロ構造を有する半導体装置は、特に半導体発光装置
として特に好適に用いられ、電子と正孔の量子化効果に
よって、低しきい値電流、高変調帯域、高コヒーレンス
特性等において、優れた特性が得られている。
イクロ構造を有する半導体装置は、特に半導体発光装置
として特に好適に用いられ、電子と正孔の量子化効果に
よって、低しきい値電流、高変調帯域、高コヒーレンス
特性等において、優れた特性が得られている。
【０００３】そして量子細線の作成方法としては、量子
井戸構造を作っておいてから、電子線露光等による微細
なフォトリソグラフィー法とイオンビームによる垂直エ
ッチングを組み合わせて用いて細線を形成する方法や、
図４に示す基板上にＶ字形状の溝を設け、この後に断面
がＶ字になる溝（以下、「Ｖ溝」という）形状を有する
基板全面にダブルヘテロ構造を成長させる方法が行われ
ている。
井戸構造を作っておいてから、電子線露光等による微細
なフォトリソグラフィー法とイオンビームによる垂直エ
ッチングを組み合わせて用いて細線を形成する方法や、
図４に示す基板上にＶ字形状の溝を設け、この後に断面
がＶ字になる溝（以下、「Ｖ溝」という）形状を有する
基板全面にダブルヘテロ構造を成長させる方法が行われ
ている。
【０００４】
【発明が解決すべき課題】しかし、量子細線は微少な領
域であるために、レーザ構造に応用しても、出射面での
光密度が非常に大きくなりやすくなり、非常に微弱な光
出力しか得ることができないとういう問題が生じてしま
っている。また、前者の方法は、加工による溝側壁の損
傷が大きく、細線の品質は劣ったものになりやすい。一
方後者は、成長速度の方位依存性を利用し、量子細線を
選択的に行うことができるが、Ｖ溝を形成しようとする
部分の組成によっては、形成したＶ溝の底が丸みを帯び
てしまったり、あるいはウェットエッチングのさいに、
エッチング表面に酸化膜が形成されてしまったり、不純
物で汚染されてしまったり、あるいはエッチングによ
り、Ｖ溝の底が丸まってしまったりすることがある。
域であるために、レーザ構造に応用しても、出射面での
光密度が非常に大きくなりやすくなり、非常に微弱な光
出力しか得ることができないとういう問題が生じてしま
っている。また、前者の方法は、加工による溝側壁の損
傷が大きく、細線の品質は劣ったものになりやすい。一
方後者は、成長速度の方位依存性を利用し、量子細線を
選択的に行うことができるが、Ｖ溝を形成しようとする
部分の組成によっては、形成したＶ溝の底が丸みを帯び
てしまったり、あるいはウェットエッチングのさいに、
エッチング表面に酸化膜が形成されてしまったり、不純
物で汚染されてしまったり、あるいはエッチングによ
り、Ｖ溝の底が丸まってしまったりすることがある。
【０００５】このため、品質のよい量子細線を、容易に
得られる構造が望まれている。又、半導体装置の効率の
向上もまた現在の課題である。
得られる構造が望まれている。又、半導体装置の効率の
向上もまた現在の課題である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、鋭
意研究の結果、かかる課題が、特定の構造により解決さ
れることを見いだし本発明に到達した。すなわち本発明
の目的は、品質のよい量子細線を有する半導体装置を提
供することであり、かかる目的は、半導体基板又は半導
体基板上に成長させたエピタキシャル成長層の少なくと
も一部に断面がＶ字になる溝を有し、該Ｖ字になる溝の
底の部分に活性層を設け、該活性層がクラッド層により
挟み込まれた構造を有し、該活性層と該クラッド層との
間に、屈折率が該活性層よりも小さくかつクラッッド層
よりも大きい光ガイド層を形成した半導体装置。より好
ましくは、該活性層と接するＶ溝内及びＶ溝外のクラッ
ド層の導電型がお互いに異なる前記半導体装置、該Ｖ溝
内クラッド層と該光ガイド層が同一の導電型である前記
半導体装置、該活性層が量子井戸構造を有する前記半導
体装置、該Ｖ字になる溝の斜面で接しているＶ字構造の
内側と外側のクラッド層を有し、該外側のクラッド層の
エネルギーギャップが、該内側のクラッド層のエネルギ
ーギャップより大きくなっている構造を有する前記半導
体装置、該Ｖ字になる溝の斜面が、｛１１１｝Ｂ面であ
る前記半導体装置、Ｖ字になる溝が、気相エッチングに
より形成された前記半導体装置等により、容易に達成さ
れる。
意研究の結果、かかる課題が、特定の構造により解決さ
れることを見いだし本発明に到達した。すなわち本発明
の目的は、品質のよい量子細線を有する半導体装置を提
供することであり、かかる目的は、半導体基板又は半導
体基板上に成長させたエピタキシャル成長層の少なくと
も一部に断面がＶ字になる溝を有し、該Ｖ字になる溝の
底の部分に活性層を設け、該活性層がクラッド層により
挟み込まれた構造を有し、該活性層と該クラッド層との
間に、屈折率が該活性層よりも小さくかつクラッッド層
よりも大きい光ガイド層を形成した半導体装置。より好
ましくは、該活性層と接するＶ溝内及びＶ溝外のクラッ
ド層の導電型がお互いに異なる前記半導体装置、該Ｖ溝
内クラッド層と該光ガイド層が同一の導電型である前記
半導体装置、該活性層が量子井戸構造を有する前記半導
体装置、該Ｖ字になる溝の斜面で接しているＶ字構造の
内側と外側のクラッド層を有し、該外側のクラッド層の
エネルギーギャップが、該内側のクラッド層のエネルギ
ーギャップより大きくなっている構造を有する前記半導
体装置、該Ｖ字になる溝の斜面が、｛１１１｝Ｂ面であ
る前記半導体装置、Ｖ字になる溝が、気相エッチングに
より形成された前記半導体装置等により、容易に達成さ
れる。
【０００７】以下に本発明を詳細に説明する。本発明の
半導体装置の構造は、III−Ｖ族化合物半導体、II−VI
族化合物半導体等に好適に使用できる。そして本発明の
構造は、活性領域内でのキャリアの伝導を利用した電子
素子として好適に用いられるが、特に好適には発光半導
体装置として用いられる。
半導体装置の構造は、III−Ｖ族化合物半導体、II−VI
族化合物半導体等に好適に使用できる。そして本発明の
構造は、活性領域内でのキャリアの伝導を利用した電子
素子として好適に用いられるが、特に好適には発光半導
体装置として用いられる。
【０００８】本発明の半導体装置の構造を、実施例で作
成したIII−Ｖ族の（１００）面ＧａＡｓ基板上に成長
させた図１の装置の説明図を用いて説明する。（１０
０）面を用いたのは、Ｖ溝の対称性や直進性によって量
子井戸の対称性や直進性が影響を受けるため、この点で
最も有利である方位を選んだためであるが、極端に量子
井戸の対称性や直進性が影響を受けない限り、任意の方
向の基板を用いることができる。もちろんオフアングル
方向についても同様のことが言える。本発明のＶ溝は、
基板又は基板上に成長したエピタキシャル層に設けられ
る。そして、Ｖ溝の方向は、＜１１０＞方向から１０°
以下が好ましく、より好ましくは５°以下である。１０
°を越えて＜１１０＞方向からずれると、Ｖ溝の側面の
状態が、ギザギザの階段状になりやすくあまり好ましく
ない。
成したIII−Ｖ族の（１００）面ＧａＡｓ基板上に成長
させた図１の装置の説明図を用いて説明する。（１０
０）面を用いたのは、Ｖ溝の対称性や直進性によって量
子井戸の対称性や直進性が影響を受けるため、この点で
最も有利である方位を選んだためであるが、極端に量子
井戸の対称性や直進性が影響を受けない限り、任意の方
向の基板を用いることができる。もちろんオフアングル
方向についても同様のことが言える。本発明のＶ溝は、
基板又は基板上に成長したエピタキシャル層に設けられ
る。そして、Ｖ溝の方向は、＜１１０＞方向から１０°
以下が好ましく、より好ましくは５°以下である。１０
°を越えて＜１１０＞方向からずれると、Ｖ溝の側面の
状態が、ギザギザの階段状になりやすくあまり好ましく
ない。
【０００９】そして活性層は、このＶ溝の底の部分に設
けられる。活性層の厚さは、活性層として量子井戸構造
を用いる場合、量子細線として用いるためには２０ｎｍ
以下が好ましいが、５０ｎｍ程度までは使用することが
できる。活性層の組成や導電型については、通常使用さ
れる全てのものが使用でき、特に限定されない。本発明
においては、該活性層がクラッド層により挟み込まれた
構造を有し、該活性層と該クラッド層との間に、屈折率
が該活性層よりも小さくかつクラッッド層よりも大きい
光ガイド層を形成したため、発光特性の優れた量子細線
を作成することができる。
けられる。活性層の厚さは、活性層として量子井戸構造
を用いる場合、量子細線として用いるためには２０ｎｍ
以下が好ましいが、５０ｎｍ程度までは使用することが
できる。活性層の組成や導電型については、通常使用さ
れる全てのものが使用でき、特に限定されない。本発明
においては、該活性層がクラッド層により挟み込まれた
構造を有し、該活性層と該クラッド層との間に、屈折率
が該活性層よりも小さくかつクラッッド層よりも大きい
光ガイド層を形成したため、発光特性の優れた量子細線
を作成することができる。
【００１０】本発明の好ましい態様としては、該活性層
と接するＶ溝内及びＶ溝外のクラッド層の導電型がお互
いに異なる前記半導体装置、該Ｖ溝内クラッド層と該光
ガイド層が同一の導電型である前記半導体装置、そして
本発明の好適な構造の一つは、Ｖ溝の斜面で接している
Ｖ字構造の内側と外側のクラッド層が、該外側のクラッ
ド層のエネルギーギャップが、該内側のクラッド層のエ
ネルギーギャップより大きくなっている関係にあること
であり、このような構造をとることで、電流をＶ溝の底
にある活性層に集中させることができるのでレーザダイ
オード等に特に好適に用いられる。
と接するＶ溝内及びＶ溝外のクラッド層の導電型がお互
いに異なる前記半導体装置、該Ｖ溝内クラッド層と該光
ガイド層が同一の導電型である前記半導体装置、そして
本発明の好適な構造の一つは、Ｖ溝の斜面で接している
Ｖ字構造の内側と外側のクラッド層が、該外側のクラッ
ド層のエネルギーギャップが、該内側のクラッド層のエ
ネルギーギャップより大きくなっている関係にあること
であり、このような構造をとることで、電流をＶ溝の底
にある活性層に集中させることができるのでレーザダイ
オード等に特に好適に用いられる。
【００１１】そしてこのＶ溝の斜面は、｛１１１｝Ｂ面
であることが好ましい。｛１１１｝Ｂ面とは、III−Ｖ
族化合物半導体であればＶ族のみが表面にならぶ｛１１
１｝面になり、II−VI族化合物半導体であればVI族のみ
が表面にならぶ｛１１１｝面になる。これは、一般に
｛１１１｝Ｂ面上には、結晶成長が生じにくく、Ｖ溝の
底から成長を始めることが容易であるためである。
であることが好ましい。｛１１１｝Ｂ面とは、III−Ｖ
族化合物半導体であればＶ族のみが表面にならぶ｛１１
１｝面になり、II−VI族化合物半導体であればVI族のみ
が表面にならぶ｛１１１｝面になる。これは、一般に
｛１１１｝Ｂ面上には、結晶成長が生じにくく、Ｖ溝の
底から成長を始めることが容易であるためである。
【００１２】そして本発明のＶ溝は、気相エッチングに
より形成することが好ましい。これは、従来のようにウ
ェットエッチングでＶ溝を作成すると、Ｖ溝の底が、丸
まった形状になりやすく、また、不純物がエッチング面
に残ったり、酸化膜が形成されたりすると、エッチング
面に接する形で活性層を設けても、品質のよい活性層を
得ることが困難になりやすいためである。
より形成することが好ましい。これは、従来のようにウ
ェットエッチングでＶ溝を作成すると、Ｖ溝の底が、丸
まった形状になりやすく、また、不純物がエッチング面
に残ったり、酸化膜が形成されたりすると、エッチング
面に接する形で活性層を設けても、品質のよい活性層を
得ることが困難になりやすいためである。
【００１３】又、Ｖ溝は逆ピラミッド状のような、長手
方向の長さを持たないような構造でもよいことはいうま
でもない。本発明の構造の好ましい製造方法の１例とし
ては、まず基板上に第１クラッド層となる層をエピタキ
シャル成長させる。このとき用いる成長方法は、有機金
属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）が好ましい。このエピタ
キシャルウェハ表面に、フォトリソグラフィー法等のパ
ターニングプロセスを用いてストライプ状の窒化シリコ
ン膜を形成する。このとき窒化シリコン膜のストライプ
の方向は、＜１１０＞方向であることが好ましい。この
後、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法用のリアクタ内
にエッチングガスを導入することにより、窒化シリコン
膜をマスクとした、第１クラッド層のｉｎ−ｓｉｔｕガ
スエッチングを行い、先端の鋭く尖ったＶ溝を形成し、
そのまま基板を空気中にさらすことなく連続的に量子細
線及び第２クラッド層をＶ溝内に成長させる。このとき
好適なエッチングガスとしては、ＨＣｌが挙げられる。
又、この方法を用いると、不純物がエッチング面に残っ
たり、酸化膜が形成されたりすることがないので、エッ
チング面に直接活性層を成長させても、品質のよい活性
層をえることができる。また、必要に応じて、Ｖ溝内へ
の成長層の最表面にコンタクト層を形成してもよいこと
は言うまでもない。
方向の長さを持たないような構造でもよいことはいうま
でもない。本発明の構造の好ましい製造方法の１例とし
ては、まず基板上に第１クラッド層となる層をエピタキ
シャル成長させる。このとき用いる成長方法は、有機金
属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）が好ましい。このエピタ
キシャルウェハ表面に、フォトリソグラフィー法等のパ
ターニングプロセスを用いてストライプ状の窒化シリコ
ン膜を形成する。このとき窒化シリコン膜のストライプ
の方向は、＜１１０＞方向であることが好ましい。この
後、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法用のリアクタ内
にエッチングガスを導入することにより、窒化シリコン
膜をマスクとした、第１クラッド層のｉｎ−ｓｉｔｕガ
スエッチングを行い、先端の鋭く尖ったＶ溝を形成し、
そのまま基板を空気中にさらすことなく連続的に量子細
線及び第２クラッド層をＶ溝内に成長させる。このとき
好適なエッチングガスとしては、ＨＣｌが挙げられる。
又、この方法を用いると、不純物がエッチング面に残っ
たり、酸化膜が形成されたりすることがないので、エッ
チング面に直接活性層を成長させても、品質のよい活性
層をえることができる。また、必要に応じて、Ｖ溝内へ
の成長層の最表面にコンタクト層を形成してもよいこと
は言うまでもない。
【００１４】以下本発明を実施例を用いて更に詳細に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、実施例に
限定されるものではない。 （実施例１）最初に、ｎ型（１００）ＧａＡｓ基板上
に、ＭＯＣＶＤ法にて、ｎ型ＧａＡｓバッファ層（０.
５μｍ）、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層（３μ
ｍ）、アンドープＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ高抵抗クラッド層
（１μｍ）、アンドープＧａＡｓキャップ層（０.１ｎ
ｍ）をこの順に形成した。このエピ基板の表面に、窒化
シリコンをＰＣＶＤ法で成膜し、これをフォトリソグラ
フィー法で［０１１］方向に伸びる幅１μｍの窒化シリ
コン膜が、１μｍおきに並ぶ形状にマスクした。このマ
スク済のサンプルを再びＭＯＣＶＤ装置にセットした。
セット後、アルシン（ＡｓＨ3）雰囲気下で７００℃ま
で昇温し、それからＨＣｌガスを用いてエッチングを行
い、｛１１１｝Ｂ面を両側側面に有するＶ溝を形成し
た。エッチングを停止した直後に温度を７００℃に維持
したまま、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を供給し、Ｖ
溝内に３ｎｍのＧａＡｓ活性層を形成し、さらにＴＭＧ
と共にトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）も同時に供給
し、５０ｎｍのｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0 .8Ａｓ光ガイド層、１
μｍのｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層を作製し、再
びアルシンとＴＭＧを供給し、０．１μｍのｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層を形成した。この製造プロセスの説明を
図２に示す。このとき、｛１１１｝Ｂ面上は、エピタキ
シャル成長が困難であるため、Ｖ溝の側壁には成長が起
こらず、結果としてＶ溝の底にＧａＡｓの量子細線が、
自己整合的に形成される。又、成長中にもＨＣｌをIII
族原料と同モル程度の１ｓｃｃｍ程度供給することによ
り、窒化シリコン層上に、ＡｌＧａＡｓの多結晶の析出
を防いだ。この成長中にＨＣｌを供給する手法は、特に
ＧａＡｌＡｓ層のアルミニウム組成が０．４以上の時に
好適に用いられ、そして高いアルミニウム組成を有する
ＡｌＧａＡｓの選択成長が可能となるので、活性層への
キャリアの閉じ込めに効果がある。
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、実施例に
限定されるものではない。 （実施例１）最初に、ｎ型（１００）ＧａＡｓ基板上
に、ＭＯＣＶＤ法にて、ｎ型ＧａＡｓバッファ層（０.
５μｍ）、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層（３μ
ｍ）、アンドープＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ高抵抗クラッド層
（１μｍ）、アンドープＧａＡｓキャップ層（０.１ｎ
ｍ）をこの順に形成した。このエピ基板の表面に、窒化
シリコンをＰＣＶＤ法で成膜し、これをフォトリソグラ
フィー法で［０１１］方向に伸びる幅１μｍの窒化シリ
コン膜が、１μｍおきに並ぶ形状にマスクした。このマ
スク済のサンプルを再びＭＯＣＶＤ装置にセットした。
セット後、アルシン（ＡｓＨ3）雰囲気下で７００℃ま
で昇温し、それからＨＣｌガスを用いてエッチングを行
い、｛１１１｝Ｂ面を両側側面に有するＶ溝を形成し
た。エッチングを停止した直後に温度を７００℃に維持
したまま、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を供給し、Ｖ
溝内に３ｎｍのＧａＡｓ活性層を形成し、さらにＴＭＧ
と共にトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）も同時に供給
し、５０ｎｍのｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0 .8Ａｓ光ガイド層、１
μｍのｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層を作製し、再
びアルシンとＴＭＧを供給し、０．１μｍのｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層を形成した。この製造プロセスの説明を
図２に示す。このとき、｛１１１｝Ｂ面上は、エピタキ
シャル成長が困難であるため、Ｖ溝の側壁には成長が起
こらず、結果としてＶ溝の底にＧａＡｓの量子細線が、
自己整合的に形成される。又、成長中にもＨＣｌをIII
族原料と同モル程度の１ｓｃｃｍ程度供給することによ
り、窒化シリコン層上に、ＡｌＧａＡｓの多結晶の析出
を防いだ。この成長中にＨＣｌを供給する手法は、特に
ＧａＡｌＡｓ層のアルミニウム組成が０．４以上の時に
好適に用いられ、そして高いアルミニウム組成を有する
ＡｌＧａＡｓの選択成長が可能となるので、活性層への
キャリアの閉じ込めに効果がある。
【００１５】こうして成長させたサンプルの上下に電極
を形成し、レーザチップに劈開して、レーザ素子を作製
した。図１に示すように、１ｍＡという低しきい値でレ
ーザ発振し、５ｍＷまでの光出力が得られた。これらの
結果は、高品質かつ実用に耐えうる量子細線レーザを作
製できたことを示している。
を形成し、レーザチップに劈開して、レーザ素子を作製
した。図１に示すように、１ｍＡという低しきい値でレ
ーザ発振し、５ｍＷまでの光出力が得られた。これらの
結果は、高品質かつ実用に耐えうる量子細線レーザを作
製できたことを示している。
【００１６】
【発明の効果】本発明により、高品質かつ実用に耐えう
る光出力をだせる量子細線レーザを容易に作製すること
が可能となる。
る光出力をだせる量子細線レーザを容易に作製すること
が可能となる。
【図１】図１は本発明の、実施例にて作成した１態様を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図２】図２は本発明の、実施例に用いた製造プロセス
の説明図である。
の説明図である。
【図３】図３は本発明の、実施例にて作成したレーザ素
子の電流−電圧特性を示す図である。
子の電流−電圧特性を示す図である。
【図４】図４は、従来の量子細線を用いた素子の典型を
示した説明図である。
示した説明図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 後藤 秀樹
茨城県牛久市東猯穴町1000番地 三菱化
学株式会社筑波事業所内
(56)参考文献 特開 平６−232099（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−296083（ＪＰ，Ａ)
14ｔｈ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔ
ｉｏｎａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒ Ｌａｓｅｒ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃ
ｅ，1994年，ｐ．75−76
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01S 5/00 - 5/50
H01L 21/20
H01L 33/00
Claims (6)
- 【請求項１】半導体基板又は半導体基板上に成長させた
エピタキシャル成長層の少なくとも一部に断面がＶ字に
なる溝を有し、該Ｖ字になる溝の底の部分に活性層を設
け、該活性層が、該Ｖ字になる溝の斜面で接しているＶ
字構造の内側と外側のクラッド層により挟み込まれた構
造を有し、該外側のクラッド層のエネルギーギャップ
が、該内側のクラッド層のエネルギーギャップより大き
くなっており、該活性層と該クラッド層との間に、屈折
率が該活性層よりも小さくかつクラッド層よりも大きい
光ガイド層を形成した半導体装置。 - 【請求項２】該活性層と接するＶ溝内及びＶ溝外のクラ
ッド層の導電型がお互いに異なる請求項１記載の半導体
装置。 - 【請求項３】該Ｖ溝内クラッド層と該光ガイド層が同一
の導電型である請求項１又は２記載の半導体装置。 - 【請求項４】該活性層が、量子井戸構造を有する請求項
１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項５】 該Ｖ字になる溝の斜面が、｛１１１｝Ｂ面
である請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項６】 該Ｖ字になる溝が、気相エッチングにより
形成された請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装
置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26283794A JP3446343B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | Ｖ溝構造を有する半導体発光装置 |
| DE69525128T DE69525128T2 (de) | 1994-10-26 | 1995-10-26 | Lichtemittierende Halbleiteranordnung und Herstellungsverfahren |
| EP95307641A EP0709902B1 (en) | 1994-10-26 | 1995-10-26 | Light-emitting semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US08/970,145 US6265733B1 (en) | 1994-10-26 | 1997-11-13 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US09/785,428 US6744066B2 (en) | 1994-10-26 | 2001-02-20 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US09/867,440 US6589807B2 (en) | 1994-10-26 | 2001-05-31 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26283794A JP3446343B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | Ｖ溝構造を有する半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125276A JPH08125276A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3446343B2 true JP3446343B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=17381312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26283794A Expired - Fee Related JP3446343B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | Ｖ溝構造を有する半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3446343B2 (ja) |
-
1994
- 1994-10-26 JP JP26283794A patent/JP3446343B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
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| １４ｔｈ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌａｓｅｒ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，１９９４年，ｐ．７５−７６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08125276A (ja) | 1996-05-17 |
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