JP3440348B2 - Continuous plating method and continuous plating apparatus - Google Patents
Continuous plating method and continuous plating apparatusInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は，連続めっき方法および
連続めっき装置に関するもので、特に、シート状ないし
フープ状の金属板に面付けされて形成された半導体装置
用のリードフレーム製品に対し、連続的に部分めっきを
行う方法および装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a continuous plating method and a continuous plating apparatus, and more particularly to a lead frame product for a semiconductor device formed by facing a sheet-shaped or hoop-shaped metal plate, The present invention relates to a method and an apparatus for continuously performing partial plating.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、樹脂封止型の半導体装置の組
立部材として用いられる（単層）リードフレームは、プ
レス法もしくはエッチング法により形成され、一般には
図５に示すように、半導体素子を搭載するためのダイパ
ッド５２と、ダイパッドの周囲に設けられた半導体素子
と結線するためのインナーリード５３と、該インナーリ
ードに連続して外部回路との結線を行うためのアウター
リード５４、樹脂封止する際のダムとなるダムバー５
５、リードフレーム５０全体を支持するフレーム（枠）
部５６等を備えている。このようなリードフレーム（単
層リードフレーム）は、通常、コバール、４２合金（４
２％ニッケル−鉄合金）、銅系合金のような導電性に優
れた金属を用いており、ダイパッドに半導体素子を搭載
後、半導体素子とインナーリード先端部とを金などのワ
イヤで結線を行う。このために、半導体素子搭載側に導
電性に優れ、該ワイヤとの結合力を備えた部分銀めっき
をインナーリード先端部に施すのが一般的である。2. Description of the Related Art Conventionally, a (single-layer) lead frame used as an assembly member of a resin-sealed semiconductor device is formed by a pressing method or an etching method. Generally, as shown in FIG. A die pad 52 for mounting, an inner lead 53 for connecting to a semiconductor element provided around the die pad, an outer lead 54 for connecting to an external circuit continuously to the inner lead, and resin sealing. Dam bar 5 that becomes a dam when doing
5. Frame that supports the entire lead frame 50
The unit 56 and the like are provided. Such a lead frame (single-layer lead frame) is usually manufactured by Kovar, 42 alloy (4
2% nickel-iron alloy), copper-based alloy, etc. are used, and after the semiconductor element is mounted on the die pad, the semiconductor element and the inner lead tip are connected with a wire such as gold. . For this reason, it is general that the tip of the inner lead is subjected to partial silver plating, which has excellent conductivity on the semiconductor element mounting side and has a binding force with the wire.
【０００３】この部分銀めっきは、通常は、図４（イ）
に示すようにして行われていた。先ず、エッチング加工
等により外形加工された４個１組みからなる１連リード
フレーム４０を、めっき液を吐出するノズル４１の吐出
口４１Ａ上に、その開口部４３がくるようにして配置さ
れためっき治具４２上に、めっき治具４２の位置合わせ
用のピン４４により位置決めして置く。（図４（イ）
（ａ））
尚、ここで用いられる１連リードフレーム４０は、リー
ドフレーム４個を列状に面付けしたものであるが、通常
は、３〜１０個程度のリードフレームを１列ないし２列
に面つけしたものを１連リードフレームと言っている。
めっき治具４２は、図４（ロ）に平面図を示すように、
所定の開口部４３をもち、１連リードフレーム４０に設
けられたピン穴に嵌合する位置合わせ用のピン４４を設
けており、ピン４４を上側にしてめっき治具４２上に置
かれる。次いで、図４（イ）（ｂ）に示すように、１連
リードフレーム４０上から押さえ治具４５により所定の
圧で１連リードフレーム４０をめっき治具４２に押さえ
つけて、１連リードフレーム４０がめっき治具４２に密
着するように固定する。これにより、１連リードフレー
ム４０の、めっき治具４２のメッキ開口部４３に対応す
部分のみがめっき液側に露出した状態となる。次いで、
図４（イ）（ｃ）に示すように、１連リードフレーム４
０に向かいノズル４１からめっき液４６を噴出させる。
ノズル４１は、白金もしくはステンレス製で中心部が空
洞となっている。この際、ノズル４１側がアノード電極
（陽極）、１連リードフレーム４０側がカソード電極
（陰極）となるよう電気的に接続し、１連リードフレー
ム４０（陰極）とノズル４１（陽極）との間に、所定の
電圧を印加し、所定時間通電する。このようにして、通
常はリードフレームの所定箇所に銀めっきを形成してい
た。尚、銀めっき液としては、通常、中性に近いシアン
浴を用いる。This partial silver plating is usually performed by the method shown in FIG.
It was done as shown in. First, plating is performed by arranging a single lead frame 40 consisting of a set of four pieces that have been externally processed by etching, etc., on the discharge port 41A of the nozzle 41 that discharges the plating solution so that the opening 43 is located. The plating jig 42 is positioned and placed on the jig 42 by the positioning pins 44 of the plating jig 42. (Figure 4 (a)
(A)) The single lead frame 40 used here is formed by arranging four lead frames in a row, but normally, about 3 to 10 lead frames are arranged in one or two rows. The one that is attached to is called a single lead frame.
The plating jig 42 has a plan view as shown in FIG.
A positioning pin 44 having a predetermined opening 43 and fitted into a pin hole provided in the single lead frame 40 is provided, and the pin 44 is placed on the plating jig 42 with its upper side. Next, as shown in FIGS. 4A and 4B, the single lead frame 40 is pressed against the plating jig 42 from above the single lead frame 40 with a predetermined pressure by the pressing jig 45, and the single lead frame 40 is pressed. Are fixed so as to be in close contact with the plating jig 42. As a result, only the portion of the single lead frame 40 corresponding to the plating opening 43 of the plating jig 42 is exposed to the plating solution side. Then
As shown in FIGS. 4A and 4C, the single lead frame 4
The plating solution 46 is ejected from the nozzle 41 toward 0.
The nozzle 41 is made of platinum or stainless steel and has a hollow central portion. At this time, the nozzle 41 side is electrically connected so as to be the anode electrode (anode) and the one lead frame 40 side is the cathode electrode (cathode), and the one lead frame 40 (cathode) and the nozzle 41 (anode) are connected. , Applying a predetermined voltage and energizing for a predetermined time. In this way, the silver plating is usually formed on a predetermined portion of the lead frame. As the silver plating solution, a near neutral cyan bath is usually used.
【０００４】近年は、上記従来の方法における治具によ
るマスキングに換え、めっき液への耐性を備えた感光性
レジストを用いてめっきのマスキングを行う方法も検討
され始めてきた。この方法場合、例えば、以下のように
して部分めっきをしていた。先ず、電着レジストを用い
て１連リードフレーム全体を被覆し、所定のマスキング
形状が形成されている露光用マスクを介して露光を行
い、所定の現像液にて不要な部分を溶かし、乾燥を行
い、該電着レジストにより１連リードフレームを所定形
状にマスキングする。次いで、１連リードフレームの外
枠部分をクランプし電気的導通をはかった後、一般的な
前処理工程を施し、めっき液にリードフレーム全体を浸
漬し、所定の時間めっきを行う。次いで、めっき付着終
了後に、電着レジストを剥離する。In recent years, instead of masking with a jig in the above-mentioned conventional method, a method of masking plating using a photosensitive resist having resistance to a plating solution has begun to be studied. In this method, for example, partial plating was performed as follows. First, the entire single lead frame is covered with an electrodeposition resist, exposed through an exposure mask having a predetermined masking shape, and an unnecessary portion is melted with a predetermined developing solution and dried. Then, the continuous lead frame is masked into a predetermined shape by the electrodeposition resist. Next, after the outer frame portion of the single lead frame is clamped to establish electrical conduction, a general pretreatment process is performed, the entire lead frame is immersed in a plating solution, and plating is performed for a predetermined time. Next, the electrodeposition resist is peeled off after the plating is completed.
【０００５】しかしながら、上記従来のめっき治具によ
るマスキングを行う方法の場合は、
部分めっきは１連単位に限られる。
リードフレームの品種毎に異なった開口部が形成さ
れためっき治具を作製する必要がある。
１連単位のめっきでは生産効率も悪いが、この方式
で仮にシート単位で複数連のリードフレームを一度にめ
っきしようとしても治具作製の費用が飛躍的に上がり、
治具作製の日数も大きくかかってしまう。
生産性を向上させるため、フープ状の金属板にリー
ドフレームを多数面つけした状態で連続的にめっきを行
う、フープめっきのように、連続的に材料を供給するよ
うなラインを作製しようとした場合も、このめっき方法
が間欠めっきであり、対応できない。
生産性向上とコストの低減が難しい。
めっきの品質を考慮した場合、位置決めピンによっ
て位置合わせを行い上下の治具により１連リードフレー
ムを挾み押さえた後めっきを行うため、めっき位置精
度、めっき厚均一性などのめっき品質が作製された治具
の精度や取り付けの精度に影響を受け易い。更に、銀め
っきの裏面への付着、側面への付着がある。
という問題がある。However, in the case of the conventional method of masking with a plating jig, the partial plating is limited to a single unit. It is necessary to produce a plating jig in which different openings are formed for each type of lead frame. Although the production efficiency is poor with plating in units of one unit, even if this method is used to plate multiple units of lead frames at once, the cost of jig production will increase dramatically.
It takes a lot of days to make a jig. In order to improve productivity, we tried to make a line that continuously feeds material such as hoop plating, in which plating is continuously performed with many lead frames attached to a hoop-shaped metal plate. Even in this case, this plating method is intermittent plating and cannot be applied. It is difficult to improve productivity and reduce costs. When the quality of plating is taken into consideration, positioning is performed with positioning pins, and plating is performed after holding the single lead frame between the upper and lower jigs, so plating quality such as plating position accuracy and plating thickness uniformity is created. It is easily affected by the accuracy of the jig and the accuracy of mounting. Furthermore, there is adhesion on the back surface of the silver plating and adhesion on the side surface. There is a problem.
【０００６】また、上記電着レジストを用いマスキング
する方法の場合は、マスキング用の治具が不要で、生産
性向上のための１枚のシートに多数リードフレームを面
つけしたシート単位のマスキングも可能であるが、現状
は浸漬によりめっきが行われており、よほどめっき液の
噴流速度を大きくしないとめっき時間がかかってしまう
不利がある。現状の浸漬によるめっきで、噴流速度を大
きくした場合には、シート状やフープ状態でめっきする
と金属板のバタツキ、変形が生じる恐れがある為、この
電着レジストを用いマスキングする方法であって、シー
トめっき、フープめっきをする方法はまだ開発されてい
ない。Further, in the case of the masking method using the above-mentioned electrodeposition resist, a masking jig is not required, and masking in sheet units in which a large number of lead frames are attached to one sheet for improving productivity is also possible. Although it is possible, plating is currently performed by immersion, and there is a disadvantage that it takes a long time unless the jet speed of the plating solution is increased. In the current plating by immersion, when the jet speed is increased, flapping of the metal plate may occur when plating in a sheet shape or a hoop state, so a method of masking using this electrodeposition resist, Sheet plating and hoop plating methods have not been developed yet.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】このように、治具によ
るマスキングを行う方法の場合は生産性、コスト面、品
質面で問題があり、電着レジストを用いマスキングする
方法の場合にも、品質面、量産性の面でも問題がなる。
本発明は、これらの問題を解決するためのものである。
詳しくは、マスキング用の治具を用いず、電着レジスト
等の耐めっき液性をもつマスク材料によりマスキングを
行い、且つ、シート状もしくはフープ状にした状態でリ
ードフレームを連続的にめっきしようとするものであ
り、短納期、低コスト化を図れるめっき方法、装置を提
供しようとするものである。As described above, the method of masking with a jig has problems in productivity, cost, and quality, and the method of masking with an electrodeposition resist also has a problem in quality. In terms of productivity and mass productivity.
The present invention is intended to solve these problems.
Specifically, without using a jig for masking, masking with a masking material having plating solution resistance such as electrodeposition resist, and trying to continuously plate the lead frame in a sheet or hoop shape. Therefore, the present invention aims to provide a plating method and apparatus which can achieve a short delivery time and a low cost.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の連続めっき方法
は、エッチング加工等により、製品が形成されているシ
ート状もしくはフープ状の金属板に対し、製品の所定の
箇所に電着レジスト等によりマスキングを施した後に、
金属板を保持する板状の保持板に沿わせ、連続的ないし
間欠的に搬送しながらめっきを施す連続めっき方法であ
って、金属板に接した状態でめっき液が充満しためっき
液充満領域を形成し、且つ金属板面側にめっき液を所定
の量だけ流しながら、めっき液充満領域内にメッシュ状
の陽極電極を設け、該金属板を陰極電極として両電極間
に電圧を印加し、製品の所定の箇所にめっきを施すこと
を特徴とするものである。そして、上記において、金属
板を保持板上に載せ、且つ、めっき液充満領域を金属板
上に形成することを特徴とするものである。そして、上
記の製品が半導体装置用のリードフレームであり、金属
板に複数個、面付けされて形成されていることを特徴と
するものである。また、本発明の連続めっき装置は、エ
ッチング加工等により、製品が形成されているシート状
もしくはフープ状の金属板に対し、製品の所定の箇所に
電着レジスト等によりマスキングを施し、金属板を保持
する板状の保持板に沿わせ、連続的ないし間欠的に搬送
しながらめっきを施す部分めっき装置であって、少なく
とも、該金属板に接した状態でめっき液の充満しためっ
き液充満領域を形成し、且つ金属板面側にめっき液を所
定の量だけ流すためのカバー部と、該カバー部内にめっ
き液を供給するための吐出口と、カバー部内のめっき液
充満領域に相当する位置にメッシュ状の陽極電極と、カ
バー部外に金属板面に接し金属板を陰極電極とするため
の陰極電極とを備えたことを特徴とするものである。そ
して、上記において、金属板を保持板上に載せ、且つ、
めっき液充満領域を金属板上に形成していることを特徴
とするものである。そして、上記の製品が半導体装置用
のリードフレームであり、金属板に複数個、面付けされ
て形成されていることを特徴とするものである。The continuous plating method of the present invention uses a sheet-like or hoop-like metal plate on which a product is formed by etching or the like by applying an electrodeposition resist or the like to a predetermined portion of the product. After masking,
A continuous plating method that performs plating continuously or intermittently along a plate-shaped holding plate that holds a metal plate, and provides a plating solution-filled area filled with the plating solution in contact with the metal plate. Forming and flowing a predetermined amount of the plating solution on the metal plate surface side, a mesh-shaped anode electrode is provided in the plating solution-filled region, and a voltage is applied between both electrodes by using the metal plate as a cathode electrode. It is characterized in that plating is applied to a predetermined portion of the. Then, in the above, the metal plate is placed on the holding plate, and the plating solution filled region is formed on the metal plate. The above-mentioned product is a lead frame for a semiconductor device, and is characterized in that it is formed by being attached to a plurality of metal plates. Further, the continuous plating apparatus of the present invention, by etching or the like, a sheet-shaped or hoop-shaped metal plate on which a product is formed is masked at a predetermined portion of the product with an electrodeposition resist or the like to form a metal plate. A partial plating apparatus that performs plating while continuously or intermittently conveying along a plate-shaped holding plate for holding, and at least a plating solution-filled region filled with a plating solution in a state of being in contact with the metal plate. A cover part for forming a predetermined amount of the plating solution on the metal plate surface side, a discharge port for supplying the plating solution into the cover part, and a position corresponding to the plating solution filling area in the cover part. It is characterized in that a mesh-shaped anode electrode and a cathode electrode for contacting the surface of the metal plate and making the metal plate a cathode electrode are provided outside the cover portion. Then, in the above, the metal plate is placed on the holding plate, and
The plating liquid filled region is formed on the metal plate. The above-mentioned product is a lead frame for a semiconductor device, and is characterized in that it is formed by being attached to a plurality of metal plates.
【０００９】尚、上記における金属板とは、例えばシー
ト状の場合、図３に示すリードフレームシート１０のよ
うなものを言っており、製品（リードフレーム１０Ａ）
１個が、ないし製品が複数個面付けされたものが、一部
分（繋ぎ部３１）で金属板であるリードフレームシート
１０の枠部３２等に連結された状態のものを言ってお
り、連結部（繋ぎ部３１）を切り離して最終的には使用
する。図３の場合は、繋ぎ部３１を切り離すことにより
製品４個１組となるが、この後の半導体装置作製におい
ては、この製品４個１組の状態で半導体素子を搭載し、
樹脂モールド等を行うのである。In the case of a sheet, for example, the metal plate referred to above means a lead frame sheet 10 shown in FIG. 3, which is a product (lead frame 10A).
One or a product on which a plurality of products are attached is partially connected (connecting portion 31) to the frame portion 32 or the like of the lead frame sheet 10 which is a metal plate. The (connecting portion 31) is separated and finally used. In the case of FIG. 3, the product is made into a set of four by separating the connecting portion 31, but in the subsequent semiconductor device fabrication, the semiconductor element is mounted in the state of the product of four sets,
Resin molding or the like is performed.
【００１０】[0010]
【作用】本発明の連続めっき方法、上記のような構成に
することにより、従来の、治具によるマスキングを行う
方法の場合の生産性、コスト面、品質面での問題、及び
従来の電着レジストを用いマスキングする方法の場合に
おける品質面、量産性の面での問題を解決するものであ
る。詳しくは、エッチング加工等により、製品が形成さ
れているシート状もしくはフープ状の金属板を連続的に
処理することにより、量産性に対応できるものとしてい
る。そして、金属板を保持する板状の保持板に沿わせて
いることにより、金属板の位置を所望の位置に保持でき
るものとしている。そしてまた、該金属板に接した状態
で、めっき液の充満した領域を形成し、且つ金属板面側
にめっき液を所定の量だけ流しながら、めっき液充満領
域内にメッシュ状の陽極電極を設け、該金属板を陰極電
極として両電極間に電圧を印加し、製品の所定の箇所に
めっきを施こしていることより、浸漬めっきに比べ大き
く、比較的高い、具体的には数Ａ／ｄｍ2 程度の密度の
電流値を得てめっきをすることを可能としている。ま
た、これにより、連続処理を可能としている。そして、
金属板を保持板上に載せ、且つ、めっき液充満領域を金
属板上に形成することにより、めっき液充満領域の形成
とめっき液を所定の量だけ流すことを簡単にできるもの
とし、且つ、後続する検査工程等にも対応し易くしてい
る。特に、製品が半導体装置用のリードフレームであ
り、金属板に複数個、面付けされて形成されている場合
には、従来の方法に比べ、生産性、品質面で優れた方法
となる。本発明の連続めっき装置は、上記本発明の連続
めっき方法を実施できる装置で、結果的に従来の部分め
っき方法に比べ品質的にも生産性でも優れた部分めっき
方法の実施を可能としている。そして、金属板を保持板
上に載せ、且つ、めっき液充満領域を金属板上に形成し
たことにより装置全体を簡単にできるものとしている。
特に、製品が半導体装置用のリードフレームであり、金
属板に複数個、面付けされて形成されている場合には、
特に有効な装置と言える。The continuous plating method of the present invention, which has the above-described structure, has problems in productivity, cost and quality in the case of the conventional method of masking with a jig, and the conventional electrodeposition. It solves problems in terms of quality and mass productivity in the case of a masking method using a resist. Specifically, it is possible to cope with mass productivity by continuously processing a sheet-shaped or hoop-shaped metal plate on which a product is formed by etching or the like. The position of the metal plate can be held at a desired position by being arranged along the plate-shaped holding plate that holds the metal plate. Further, in a state of being in contact with the metal plate, a region filled with the plating solution is formed, and a predetermined amount of the plating solution is allowed to flow on the metal plate surface side to form a mesh-shaped anode electrode in the plating solution filled region. Since the metal plate is provided as a cathode electrode and a voltage is applied between both electrodes to plate a predetermined part of the product, it is larger than the immersion plating and relatively high, specifically several A / It is possible to obtain a current value with a density of about dm 2 for plating. Further, this enables continuous processing. And
By placing the metal plate on the holding plate and forming the plating solution filled area on the metal plate, it is possible to easily form the plating solution filled area and to flow the plating solution by a predetermined amount, and, It is easy to handle subsequent inspection processes. In particular, when the product is a lead frame for a semiconductor device and a plurality of metal plates are formed by imposition on a metal plate, the method is superior in productivity and quality to the conventional method. The continuous plating apparatus of the present invention is an apparatus capable of carrying out the above continuous plating method of the present invention, and as a result, it is possible to carry out a partial plating method which is superior in quality and productivity as compared with the conventional partial plating method. By placing the metal plate on the holding plate and forming the plating solution filled region on the metal plate, the entire apparatus can be simplified.
Particularly when the product is a lead frame for a semiconductor device and a plurality of metal plates are formed by imposition,
It can be said that it is a particularly effective device.
【００１１】[0011]
【実施例】本発明の連続めっき装置の実施例を図１に基
づいて説明する。図１は、本実施例連続めっき装置の概
略構成を示した図である。図１中、１は吐出口、２はカ
バー、３はめっき液充満領域、４はメッシュ、５は保持
板、７は整流板、８は陰極電極、８Ａは金属ブラシ、１
０リードフレームシートである。本実施例では、図３に
示すようにエッチング加工にて、面付けされ形成されて
いるＡ４サイズ、板厚０．１５ｍｍのリードフレームシ
ート１０を用いた。図３では詳細は省略してあるが、各
リードフレーム１０Ａはインナーリードないしアウター
リードのピン数が１６０のものであり、リードフレーム
シート１０は、めっきすべき所定の箇所のみ開口するよ
うに、電着レジストにてパターニングされている。尚、
図３中、３１は繋ぎ部、３２はフレーム（枠）部、３３
はピン穴である。本実施例の連続めっき装置は、図１に
示すように、吐出口１からめっき液を所定量流し込み、
保持板５上に固定されたリードフレームシート１０とカ
バー２との間から流出させ、且つ、リードフレームシー
ト１０とカバー２とでめっき液充満領域を形成しなが
ら、陽極電極であるメッシュ４と陰極電極８との間に所
定電圧をかけ、所定の電流密度で電流を流し、リードフ
レームシート１０の、パターニングされた電着レジスト
の開口部にめっきするものである。EXAMPLE An example of the continuous plating apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of the continuous plating apparatus of this embodiment. In FIG. 1, 1 is a discharge port, 2 is a cover, 3 is a plating solution filled region, 4 is a mesh, 5 is a holding plate, 7 is a rectifying plate, 8 is a cathode electrode, 8A is a metal brush, 1
0 lead frame sheet. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the lead frame sheet 10 having an A4 size and a plate thickness of 0.15 mm, which is formed by imposition by etching, was used. Although not shown in detail in FIG. 3, each lead frame 10A has inner leads or outer leads with a pin number of 160, and the lead frame sheet 10 is electrically charged so that only predetermined portions to be plated are opened. It is patterned with a resist. still,
In FIG. 3, 31 is a connecting portion, 32 is a frame portion, 33
Is a pin hole. The continuous plating apparatus of the present embodiment, as shown in FIG.
While flowing out from between the lead frame sheet 10 and the cover 2 fixed on the holding plate 5 and forming a plating solution filled region with the lead frame sheet 10 and the cover 2, the mesh 4 as the anode electrode and the cathode A predetermined voltage is applied between the electrode 8 and the electrode 8 to cause a current to flow at a predetermined current density to plate the opening of the patterned electrodeposition resist of the lead frame sheet 10.
【００１２】図１は、リードフレームシート１０を１枚
ずつ、めっきするものであるが、本実施例装置は枚葉
（シート状）のめっきに限定はされない。本実施例装置
は、装置全体のサイズおよび流れるめっき液の量、陽極
電極であるメッシュ４と陰極電極８にかける電圧等のめ
っき条件を適当に設定することにより、フープ状の金属
板に、エッチング等によりリードフレーム等の製品を面
付け加工したものに対しても、電着レジスト塗布し、所
定のマスク版等を用い露光、現像等の処理を経て、所定
の形状にパターニングしたものを連続的に所定のスピー
ドで走行させながら、各リードフレームの所定の部分に
めっきを行うことができる。In FIG. 1, the lead frame sheets 10 are plated one by one, but the apparatus of this embodiment is not limited to single-wafer (sheet-shaped) plating. In the apparatus of this embodiment, the hoop-shaped metal plate is etched by appropriately setting the plating conditions such as the size of the entire apparatus, the amount of the plating solution flowing, the voltage applied to the mesh 4 as the anode electrode and the cathode electrode 8. For products such as lead frames that have been surface-processed, apply electro-deposition resist, perform exposure, development, etc. using a specified mask plate, then pattern into a specified shape continuously. It is possible to perform plating on a predetermined portion of each lead frame while traveling at a predetermined speed.
【００１３】整流板７は吐出口１から流れ込むめっき液
を受け止めるもので、めっき液充満領域３への流れ込む
めっき液の影響を緩和するものである。金属ブラシ８Ａ
はリードフレームシート１０全体を陰極としてめっきを
行うためカソード８とリードフレームシート１０との導
通をとるもので、電着レジストに入り込みリードフレー
ムシート１０の金属部に接する。陽極電極であるメッシ
ュ４はカバー２のめっき液充満領域３内にはいるよう
に、比較的リードフレームシート１０に近い側に設けら
れており、Ｔｉ−Ｐｔ（チタン、白金）からなる。本実
施例装置においてはメッシュ４の材質としてＴｉ−Ｐｔ
を用いたが、材質としては他にステンレス等があげられ
る。尚、基本的にはリードフレームシート１０へのめっ
きが均一に行うために陽極電極をメッシュとしている。
保持板５はリードフレームシート１０を保持し、カバー
２との間隔を所定の間隔に維持するとともに、リードフ
レームシート１０を移動する際の移動台となる。本実施
例装置においては、９０ｍｍ×６０ｍｍ×２ｍｍのポリ
塩化ビニル板を保持板５とした。めっき液充満領域３を
形成するにはリードフレームシート１０とカバー２との
間隔は、狭い程良いが、リードフレームシート１０を移
動させることが必要であるため、本実施例装置において
は間隔をほぼ２ｍｍとした。保持板５の材質として、他
にポリプロピレンが挙げられる。カバー２は、リードフ
レームシート１０とともにめっき液充満領域を形成する
ものであり、本実施例装置においては、耐熱ポリ塩化ビ
ニルを用いた。カバー２の材質としては、他にポリプロ
ピレン等８０°Ｃ程度までの耐熱性が有り、耐めっき液
性を有するものが好ましい。また、吐出口１はめっき液
をカバー２内へ流し込むものであり、本実施例装置にお
いては耐熱ポリ塩化ビニルを用いたが、材質としては、
他にポリプロピレン等が挙げられる。The current plate 7 receives the plating solution flowing from the discharge port 1 and reduces the influence of the plating solution flowing into the plating solution filled region 3. Metal brush 8A
Since the whole lead frame sheet 10 is used as a cathode for plating, the cathode 8 and the lead frame sheet 10 are electrically connected to each other and enter the electrodeposition resist to contact the metal portion of the lead frame sheet 10. The mesh 4, which is an anode electrode, is provided on the side relatively close to the lead frame sheet 10 so as to be in the plating solution filled region 3 of the cover 2, and is made of Ti—Pt (titanium, platinum). In the apparatus of this embodiment, the material of the mesh 4 is Ti-Pt.
However, other materials such as stainless steel are used. Incidentally, the anode electrode is basically a mesh in order to uniformly plate the lead frame sheet 10.
The holding plate 5 holds the lead frame sheet 10, maintains a predetermined distance from the cover 2, and serves as a moving base when the lead frame sheet 10 is moved. In the apparatus of this embodiment, the holding plate 5 is a polyvinyl chloride plate having a size of 90 mm × 60 mm × 2 mm. The space between the lead frame sheet 10 and the cover 2 is preferably as narrow as possible in order to form the plating solution-filled region 3. However, since the lead frame sheet 10 needs to be moved, the space in the apparatus of this embodiment is almost the same. It was set to 2 mm. Another material for the holding plate 5 is polypropylene. The cover 2 forms a plating solution-filled area together with the lead frame sheet 10. In the apparatus of this embodiment, heat-resistant polyvinyl chloride was used. As the material of the cover 2, other materials such as polypropylene having heat resistance up to about 80 ° C. and resistance to plating solution are preferable. Further, the discharge port 1 is for pouring the plating solution into the cover 2, and in the apparatus of this embodiment, heat-resistant polyvinyl chloride was used.
Other examples include polypropylene and the like.
【００１４】次に、本実施例装置の変形例を、その要部
を示した図２を用いて説明する。図２（ａ）は第一の変
形例を示すものであるが、図１の装置と比べ、整流板７
がないのが特徴である。図２（ｂ）は第二の変形例を示
すものであるが、図１の装置と比べ、整流板７Ｂの構造
が異なり、めっき充満領域３Ｂへの流し込み口も小さく
なっている。図２（ｃ）は第三の変形例を示すものであ
るが、図１の装置の整流板７に換え、整流板７Ｃ１、７
Ｃ２を設けた構造で、吐出口１からめっき液充満領域３
Ｃへのめっき液流し込みの影響を図１の装置に比べ、一
層緩和したものである。Next, a modified example of the apparatus of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2A shows a first modified example, which is different from the device of FIG.
The feature is that there is no. 2B shows a second modified example, but the structure of the current plate 7B is different from that of the apparatus of FIG. 1 and the pouring port into the plating-filled region 3B is also small. FIG. 2C shows a third modification, but instead of the straightening plate 7 of the apparatus shown in FIG.
With the structure with C2, the discharge port 1 to the plating solution filled region 3
The effect of pouring the plating solution onto C is further reduced as compared with the apparatus of FIG.
【００１５】次いで、図１に示す本発明の装置及び前述
したリードフレームシート１０を用い、リードフレーム
の所定箇所に部分めっきした作業例を挙げ、本発明の連
続めっき方法を説明する。先ず、保持板５とともに、リ
ードフレームシート１０をカバーの下部に配置し、リー
ドフレームシート１０とカバー２との間隔を略２ｍｍに
保った状態とした。次いで、吐出口１の手前設けられ
た、めっき液の制御バルブ（図示していない）により、
吐出口１よりめっき液４５を流し込み、図１に示すよう
にめっき液充満領域３を形成した。ここでは、吐出口１
よりめっき液４５をカバー２内へ流入し、めっき液充満
領域を所定の量だけ形成した後、流入量を所定の量と
し、めっき液充満領域を形成しながら、リードフレーム
シート１０とカバー２との間でめっき液を流出させるの
である。図１に示す装置においては流入量が１００リッ
トル／ｍｉｎで、めっき液充満領域３がほぼ一定の液量
に保たれた。リードフレームシート１０とカバー２との
間からは、同じ量のめっき液が流出していることとな
る。一方、カソード８は金属ブラシ８Ａを介してリード
フレームシート１０の金属部と電気的に接触した状態に
しておいた。この状態で、アノード４とカソード８との
間に電圧をかけ、電流密度３０Ａ／ｄｍ2 でめっきを開
始した。アノード電極（陽極）はメッシュ状になってお
り、陰極であるリードフレームシート１０も平面状に対
向しており、めっきは均一に行なわれた。以上の作業に
より、リードフレームシート１０の各リードフレームの
所定の箇所に部分めっきがされたが、従来の治具を用い
マスキングする方法の場合みられた側面や裏面へのめっ
き付着はなく品質的には特に問題がなかった。Next, the continuous plating method of the present invention will be described with reference to an example of work in which a predetermined portion of the lead frame is partially plated using the apparatus of the present invention shown in FIG. 1 and the lead frame sheet 10 described above. First, the lead frame sheet 10 was placed under the cover together with the holding plate 5, and the lead frame sheet 10 and the cover 2 were kept at a distance of about 2 mm. Then, by a control valve (not shown) for the plating solution provided in front of the discharge port 1,
The plating solution 45 was poured from the discharge port 1 to form the plating solution filled region 3 as shown in FIG. Here, the discharge port 1
Further, the plating solution 45 is flown into the cover 2 to form a predetermined amount of the plating solution filled area, and then the inflow amount is set to a predetermined amount, and the lead frame sheet 10 and the cover 2 are formed while forming the plating solution filled area. The plating solution is allowed to flow out between them. In the apparatus shown in FIG. 1, the inflow rate was 100 liters / min, and the plating solution-filled region 3 was maintained at a substantially constant solution rate. The same amount of plating solution flows out between the lead frame sheet 10 and the cover 2. On the other hand, the cathode 8 was kept in electrical contact with the metal portion of the lead frame sheet 10 via the metal brush 8A. In this state, a voltage was applied between the anode 4 and the cathode 8 to start plating at a current density of 30 A / dm 2 . The anode electrode (anode) had a mesh shape, and the lead frame sheet 10 serving as the cathode also faced in a plane, and the plating was performed uniformly. By the above-mentioned work, partial plating was performed on predetermined portions of each lead frame of the lead frame sheet 10. However, there was no adhesion of plating on the side surface or the back surface, which was observed in the conventional masking method using a jig, and the quality was improved. Had no particular problems.
【００１６】尚、図１に示すような連続めっき装置を用
いてフープ状の金属板に面付けされた製品を連続的に該
金属板を移動しながら部分めっきを行う場合には、それ
にあった、装置サイズ、めっき条件を決める必要があ
る。It should be noted that when a product, which is placed on a hoop-shaped metal plate using a continuous plating apparatus as shown in FIG. It is necessary to determine the equipment size and plating conditions.
【００１７】[0017]
【発明の効果】本発明の連続めっき方法は、上記のよう
に、マスキング用の治具を用いず、シート状もしくはフ
ープ状にした状態でリードフレームを連続的にめっきす
ることを可能とした方法で、短納期、低コスト化が図
れ、且つ品質的にも問題のない、部分めっき方法の提供
を可能としている。詳しくは、マスキング用の治具を用
いていないので、治具作製の納期、治具精度に左右され
ず、且つ、裏面、側面へのめっき付着がないものとして
いる。そして、浸漬めっき方法に比べ高い電流密度を得
ることができ、めっき時間が短縮でき生産効率が高くな
る。また、本発明の連続めっき方法は、治具を用いず、
且つ、被めっき物の搬送を止めることなくめっきを行う
ため、めっき時に発生する気泡を効果的に逃がすことが
可能であり、これに伴う不良低減も可能となる。そし
て、上方からめっきを行う場合には、めっき後の検査工
程が容易に行える。また、本発明の連続めっき装置は、
本発明の連続めっき方法を実際的に実施できる連続めっ
き装置の提供を可能としている。特に、半導体装置用リ
ードフレームをシード状ないしフープ状にエッチング加
工等により面付けして形成したものに対して有効であ
る。As described above, the continuous plating method of the present invention makes it possible to continuously plate a lead frame in a sheet or hoop state without using a masking jig. Therefore, it is possible to provide a partial plating method that can achieve a short delivery time and cost reduction and has no problem in quality. Specifically, since a jig for masking is not used, it is assumed that the delivery of the jig and the accuracy of the jig are not affected, and the plating does not adhere to the back and side surfaces. Further, compared to the immersion plating method, a higher current density can be obtained, the plating time can be shortened, and the production efficiency can be improved. Further, the continuous plating method of the present invention does not use a jig,
In addition, since the plating is performed without stopping the transportation of the object to be plated, it is possible to effectively escape the air bubbles generated during the plating and to reduce the defects accompanying this. When plating is performed from above, the inspection process after plating can be easily performed. Further, the continuous plating apparatus of the present invention,
It is possible to provide a continuous plating apparatus that can actually carry out the continuous plating method of the present invention. In particular, it is effective for a lead frame for a semiconductor device formed by imposing a seed or hoop shape by etching or the like.
【図１】実施例の連続めっき装置の概略図FIG. 1 is a schematic diagram of a continuous plating apparatus according to an embodiment.
【図２】実施例の変形例の図FIG. 2 is a diagram of a modified example of the embodiment.
【図３】面付けされ形成されたリードフレームシートの
図FIG. 3 is a diagram of an impositioned and formed leadframe sheet.
【図４】従来の部分めっき装置の図[Fig. 4] Diagram of a conventional partial plating apparatus
【図５】（単層）リードフレームを説明するための図FIG. 5 is a diagram for explaining a (single layer) lead frame.
１ 吐出口
２ カバー
３、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ めっき液充満領域
４ アノード（メッシ
ュ）
５ 保持板
７、７Ｂ、７Ｃ１、７Ｃ２ 整流板
８ カソード
８Ａ 金属ブラシ
９ めっき液
１０ リードフレームシー
ト
１０Ａ リードフレーム
３１ 繋ぎ部
３２ フレーム（枠）部
３３ ピン穴
４０ １連リードフレーム
４１ ノズル
４２ めっき治具
４３ 開口部
４４ ピン
４５ 押さえ治具
４６ めっき液
５０ （単層）リードフレー
ム
５２ ダイパッド
５３ インナーリード
５４ アウターリード
５５ ダムバー
５６ フレーム（枠）部1 Discharge Port 2 Cover 3, 3A, 3B, 3C Plating Solution Filled Area 4 Anode (Mesh) 5 Holding Plate 7, 7B, 7C1, 7C2 Rectifying Plate 8 Cathode 8A Metal Brush 9 Plating Solution 10 Lead Frame Sheet 10A Lead Frame 31 Connection Part 32 Frame (frame) Part 33 Pin Hole 40 Single Lead Frame 41 Nozzle 42 Plating Jig 43 Opening 44 Pin 45 Holding Jig 46 Plating Solution 50 (Single Layer) Lead Frame 52 Die Pad 53 Inner Lead 54 Outer Lead 55 Dam Bar 56 frame part
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−297587（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−103095（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−124595（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−114446（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−163298（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−163297（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−54626（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−259170（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−103792（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−153092（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−104693（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−306016（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−295（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−168171（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 5/02 C25D 7/06 C25D 7/12 C25D 17/00 H01L 23/50 Continuation of the front page (56) Reference JP 63-297587 (JP, A) JP 63-103095 (JP, A) JP 61-124595 (JP, A) JP 58-114446 (JP , A) JP 56-163298 (JP, A) JP 56-163297 (JP, A) JP 52-54626 (JP, A) JP 5-259170 (JP, A) JP 4-103792 (JP, A) JP 2-153092 (JP, A) JP 2-104693 (JP, A) JP 1-306016 (JP, A) JP 1-295 (JP, A) A) Actual development Sho 61-168171 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C25D 5/02 C25D 7/06 C25D 7/12 C25D 17/00 H01L 23/50
Claims (6)
れているシート状もしくはフープ状の金属板に対し、製
品の所定の箇所に電着レジスト等によりマスキングを施
した後に、金属板を保持する板状の保持板に沿わせ、連
続的ないし間欠的に搬送しながらめっきを施す連続めっ
き方法であって、金属板に接した状態でめっき液が充満
しためっき液充満領域を形成し、且つ金属板面側にめっ
き液を所定の量だけ流しながら、めっき液充満領域内に
メッシュ状の陽極電極を設け、該金属板を陰極電極とし
て両電極間に電圧を印加し、製品の所定の箇所にめっき
を施すことを特徴とする連続めっき方法。1. A plate for holding a metal plate after a product or a sheet-shaped or hoop-shaped metal plate on which a product has been formed by etching or the like is masked at a predetermined portion of the product with an electrodeposition resist or the like. Is a continuous plating method in which plating is performed along a holding plate in a continuous or intermittent manner, and a plating solution filled region filled with a plating solution is formed in a state of being in contact with a metal plate, and a metal plate A mesh-shaped anode electrode is provided in the plating solution-filled area while flowing a predetermined amount of plating solution on the surface side, and a voltage is applied between both electrodes using the metal plate as a cathode electrode to plate the product at a predetermined location. A continuous plating method, characterized in that
載せ、且つ、めっき液充満領域を金属板上に形成するこ
とを特徴とする連続めっき方法。2. The continuous plating method according to claim 1, wherein the metal plate is placed on the holding plate, and the plating solution filled region is formed on the metal plate.
置用のリードフレームであり、金属板に複数個、面付け
されて形成されていることを特徴とする連続めっき方
法。3. A continuous plating method, wherein the product according to claim 1 is a lead frame for a semiconductor device, and a plurality of the products are formed on a metal plate by imposition.
れているシート状もしくはフープ状の金属板に対し、製
品の所定の箇所に電着レジスト等によりマスキングを施
し、金属板を保持する板状の保持板に沿わせ、連続的な
いし間欠的に搬送しながらめっきを施す部分めっき装置
であって、少なくとも、該金属板に接した状態でめっき
液の充満しためっき液充満領域を形成し、且つ金属板面
側にめっき液を所定の量だけ流すためのカバー部と、該
カバー部内にめっき液を供給するための吐出口と、カバ
ー部内のめっき液充満領域に相当する位置にメッシュ状
の陽極電極と、カバー部外に金属板面に接し金属板を陰
極電極とするための陰極電極とを備えたことを特徴とす
る連続めっき装置。4. A sheet-shaped or hoop-shaped metal plate on which a product is formed by etching or the like is masked at a predetermined portion of the product with an electrodeposition resist or the like to hold the metal plate. A partial plating device that performs plating while being conveyed continuously or intermittently along a holding plate, wherein at least a plating solution-filled region filled with a plating solution is formed in contact with the metal plate, and a metal A cover portion for flowing a predetermined amount of the plating solution on the plate surface side, a discharge port for supplying the plating solution into the cover portion, and a mesh-shaped anode electrode at a position corresponding to the plating solution filled area in the cover portion. And a cathode electrode for contacting the surface of the metal plate and using the metal plate as a cathode electrode outside the cover portion.
載せ、且つ、めっき液充満領域を金属板上に形成してい
ることを特徴とする連続めっき装置。5. The continuous plating apparatus according to claim 4, wherein the metal plate is placed on the holding plate, and the plating solution filled region is formed on the metal plate.
置用のリードフレームであり、金属板に複数個、面付け
されて形成されていることを特徴とする連続めっき装
置。6. A continuous plating apparatus, wherein the product according to any one of claims 4 to 5 is a lead frame for a semiconductor device, which is formed by facing a plurality of metal plates.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12299695A JP3440348B2 (en) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | Continuous plating method and continuous plating apparatus |
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