JP3433138B2 - ポリテトラフルオロエチレン薄膜及びその作製方法 - Google Patents
ポリテトラフルオロエチレン薄膜及びその作製方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリテトラフルオ
ロエチレン薄膜の作製方法に関し、特に、分子鎖の長軸
方向が下地表面に対してほぼ垂直であるポリテトラフル
オロエチレン薄膜の作製方法に関する。
ロエチレン薄膜の作製方法に関し、特に、分子鎖の長軸
方向が下地表面に対してほぼ垂直であるポリテトラフル
オロエチレン薄膜の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機薄膜の光電気特性、非線形光学特性
等の研究が盛んに行われている。有機薄膜を構成する各
分子の機能を有効に利用するために、各分子を一定方向
に規則的に配列させることが好ましい。このため、分子
配向性を制御できる薄膜作製技術の確立が望まれてい
る。
等の研究が盛んに行われている。有機薄膜を構成する各
分子の機能を有効に利用するために、各分子を一定方向
に規則的に配列させることが好ましい。このため、分子
配向性を制御できる薄膜作製技術の確立が望まれてい
る。
【０００３】有機化合物の蒸着膜の分子配向性は、基板
となる結晶の種類、成長時の基板温度、蒸着速度等に依
存することが知られている。一般に、イオン性結晶の基
板の上に有機薄膜を蒸着する場合には、基板の結晶構造
の対称性を反映して、２回回転対称や４回回転対称構造
を持つ配向膜が得られることが多い。有機薄膜を用いた
光素子や記録素子を実現するためには、対称構造配向膜
よりもむしろ一軸配向膜の方が適している。このため、
一軸配向膜の作製技術の確立が重要となる。
となる結晶の種類、成長時の基板温度、蒸着速度等に依
存することが知られている。一般に、イオン性結晶の基
板の上に有機薄膜を蒸着する場合には、基板の結晶構造
の対称性を反映して、２回回転対称や４回回転対称構造
を持つ配向膜が得られることが多い。有機薄膜を用いた
光素子や記録素子を実現するためには、対称構造配向膜
よりもむしろ一軸配向膜の方が適している。このため、
一軸配向膜の作製技術の確立が重要となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】分子鎖の長軸が基板表
面に対して平行に配向したポリテトラフルオロエチレン
（ＰＴＦＥ）膜の作製方法は、従来から知られている。
ところが、分子鎖の長軸が基板面に対してほぼ垂直に立
っているＰＴＦＥ膜を作製する技術は知られていない。
垂直配向したＰＴＦＥ膜上に有機薄膜を形成すると、そ
の有機薄膜は一軸配向し、薄膜の光電気特性や非線形光
学特性が向上すると思われる。
面に対して平行に配向したポリテトラフルオロエチレン
（ＰＴＦＥ）膜の作製方法は、従来から知られている。
ところが、分子鎖の長軸が基板面に対してほぼ垂直に立
っているＰＴＦＥ膜を作製する技術は知られていない。
垂直配向したＰＴＦＥ膜上に有機薄膜を形成すると、そ
の有機薄膜は一軸配向し、薄膜の光電気特性や非線形光
学特性が向上すると思われる。
【０００５】本発明の目的は、分子鎖の長軸方向が下地
表面に対して立っているＰＴＦＥ膜及びその製造方法を
提供することである。
表面に対して立っているＰＴＦＥ膜及びその製造方法を
提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、下地部材と、前記下地部材の表面上に形成され、分
子鎖の長軸方向が下地表面に対してほぼ垂直であるポリ
テトラフルオロエチレン膜とを有する部材が提供され
る。
と、下地部材と、前記下地部材の表面上に形成され、分
子鎖の長軸方向が下地表面に対してほぼ垂直であるポリ
テトラフルオロエチレン膜とを有する部材が提供され
る。
【０００７】分子鎖の長軸方向が下地表面に対してほぼ
垂直であるポリテトラフルオロエチレン膜は、一軸配向
と考えることができる。その上に有機薄膜を形成する
と、一軸配向の有機薄膜を得ることができる。
垂直であるポリテトラフルオロエチレン膜は、一軸配向
と考えることができる。その上に有機薄膜を形成する
と、一軸配向の有機薄膜を得ることができる。
【０００８】本発明の他の観点によると、真空容器内
に、下地部材とポリテトラフルオロエチレン母材を配置
し、該真空容器内を排気する工程と、前記下地部材を、
２５０〜３３０℃の範囲内の温度まで加熱する工程と、
前記ポリテトラフルオロエチレン母材をヒータで加熱し
てその一部を蒸発させ、前記下地部材の表面上にポリテ
トラフルオロエチレンからなる薄膜を形成する工程とを
有するポリテトラフルオロエチレン薄膜の作製方法が提
供される。
に、下地部材とポリテトラフルオロエチレン母材を配置
し、該真空容器内を排気する工程と、前記下地部材を、
２５０〜３３０℃の範囲内の温度まで加熱する工程と、
前記ポリテトラフルオロエチレン母材をヒータで加熱し
てその一部を蒸発させ、前記下地部材の表面上にポリテ
トラフルオロエチレンからなる薄膜を形成する工程とを
有するポリテトラフルオロエチレン薄膜の作製方法が提
供される。
【０００９】下地基板の温度を２５０〜３３０℃として
真空蒸着すると、分子鎖の長軸方向が基板面に対してほ
ぼ垂直になったＰＴＦＥ膜が得られる。
真空蒸着すると、分子鎖の長軸方向が基板面に対してほ
ぼ垂直になったＰＴＦＥ膜が得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施例で使われ
るＰＴＦＥ膜作製装置の概略図を示す。成膜チャンバ１
０内に、ターゲット保持台１１が配置されている。ター
ゲット保持台１１に対向する位置に基板保持台１４が配
置されている。両者の間隔は約３ｃｍである。ターゲッ
ト保持台１１にＰＴＦＥの母材（ターゲット）１２が保
持される。ターゲット保持台１１内に配置されたヒータ
１３により母材１２が加熱される。基板保持台１４に下
地基板１５が保持される。基板保持台１４内に配置され
たヒータ１６により、下地基板１５が加熱される。
るＰＴＦＥ膜作製装置の概略図を示す。成膜チャンバ１
０内に、ターゲット保持台１１が配置されている。ター
ゲット保持台１１に対向する位置に基板保持台１４が配
置されている。両者の間隔は約３ｃｍである。ターゲッ
ト保持台１１にＰＴＦＥの母材（ターゲット）１２が保
持される。ターゲット保持台１１内に配置されたヒータ
１３により母材１２が加熱される。基板保持台１４に下
地基板１５が保持される。基板保持台１４内に配置され
たヒータ１６により、下地基板１５が加熱される。
【００１１】母材１２から約１０ｃｍの位置に、水晶振
動子型の膜厚計１７が配置されている。膜厚計１７は、
堆積するＰＴＦＥ膜の厚さを常時観測することができ
る。排気管１８を介して成膜チャンバ１０内が真空排気
される。
動子型の膜厚計１７が配置されている。膜厚計１７は、
堆積するＰＴＦＥ膜の厚さを常時観測することができ
る。排気管１８を介して成膜チャンバ１０内が真空排気
される。
【００１２】次に、実施例によるＰＴＦＥ膜の作製方法
について説明する。基板保持台１４で下地基板１５を保
持し、ターゲット保持台１１でＰＴＦＥ母材１２を保持
する。実施例で用いた下地基板１５は、厚さ４００μｍ
のシリコン基板である。成膜チャンバ１０内を、圧力１
×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気し、下地基板１５を加熱
する。下地基板１５の温度は、７０℃〜２６５℃の範囲
とした。ＰＴＦＥ母材１２を５５０℃まで加熱する。Ｐ
ＴＦＥ母材１２の一部が蒸発し、下地基板１５の表面上
にＰＴＦＥ膜が堆積する。
について説明する。基板保持台１４で下地基板１５を保
持し、ターゲット保持台１１でＰＴＦＥ母材１２を保持
する。実施例で用いた下地基板１５は、厚さ４００μｍ
のシリコン基板である。成膜チャンバ１０内を、圧力１
×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気し、下地基板１５を加熱
する。下地基板１５の温度は、７０℃〜２６５℃の範囲
とした。ＰＴＦＥ母材１２を５５０℃まで加熱する。Ｐ
ＴＦＥ母材１２の一部が蒸発し、下地基板１５の表面上
にＰＴＦＥ膜が堆積する。
【００１３】下地基板１５の表面上に堆積したＰＴＦＥ
膜を、赤外吸光分光により分析した。以下、分析結果に
ついて説明する。
膜を、赤外吸光分光により分析した。以下、分析結果に
ついて説明する。
【００１４】図２は、基板温度２６０℃で成膜したＰＴ
ＦＥ膜の赤外線吸収スペクトルを示す。図中の曲線ａ
は、赤外線の入射角を基板に対して８０°とした場合の
吸収スペクトルを示し、曲線ｂは、赤外線を垂直入射し
た場合（入射角が０°の場合）の吸収スペクトルを示
す。
ＦＥ膜の赤外線吸収スペクトルを示す。図中の曲線ａ
は、赤外線の入射角を基板に対して８０°とした場合の
吸収スペクトルを示し、曲線ｂは、赤外線を垂直入射し
た場合（入射角が０°の場合）の吸収スペクトルを示
す。
【００１５】曲線ａの波数約６４４ｃｍ-1に現れている
ピーク（Ａ２（２）バンドのピーク）及び波数約５２９
ｃｍ-1に現れているピーク（Ａ２（３）バンドのピー
ク）は、分子鎖の長軸方向に平行な振動に起因する吸収
に対応する。曲線ｂに現れているＡ２（２）及びＡ２
（３）バンドのピークは、非常に小さい。曲線ａ及びｂ
から、分子鎖の長軸方向が基板面に対してほぼ垂直に立
っていることがわかる。
ピーク（Ａ２（２）バンドのピーク）及び波数約５２９
ｃｍ-1に現れているピーク（Ａ２（３）バンドのピー
ク）は、分子鎖の長軸方向に平行な振動に起因する吸収
に対応する。曲線ｂに現れているＡ２（２）及びＡ２
（３）バンドのピークは、非常に小さい。曲線ａ及びｂ
から、分子鎖の長軸方向が基板面に対してほぼ垂直に立
っていることがわかる。
【００１６】また、Ａ２（３）バンドのピークが、伸び
きり鎖結晶構造を持つＰＴＦＥ膜のＡ２（３）バンドの
ピーク（波数５２９ｃｍ-1）に比べて、短波長側にシフ
ト（ブルーシフト）している。これは、得られたＰＴＦ
Ｅ膜が、折りたたみ鎖結晶構造を持っていることを意味
する。
きり鎖結晶構造を持つＰＴＦＥ膜のＡ２（３）バンドの
ピーク（波数５２９ｃｍ-1）に比べて、短波長側にシフ
ト（ブルーシフト）している。これは、得られたＰＴＦ
Ｅ膜が、折りたたみ鎖結晶構造を持っていることを意味
する。
【００１７】波数１１６０ｃｍ-1に現れているピーク
（Ｅ１（３）バンドのピーク）は、分子鎖の長軸に垂直
な方向の振動に起因する吸収である。赤外線を垂直入射
した場合のＡ２（２）バンドのピークの高さに対するＥ
１（３）バンドのピークの高さの比（Ｅ１（３）／Ａ２
（２））により、分子鎖の垂直配向度を評価することが
できる。
（Ｅ１（３）バンドのピーク）は、分子鎖の長軸に垂直
な方向の振動に起因する吸収である。赤外線を垂直入射
した場合のＡ２（２）バンドのピークの高さに対するＥ
１（３）バンドのピークの高さの比（Ｅ１（３）／Ａ２
（２））により、分子鎖の垂直配向度を評価することが
できる。
【００１８】図３は、得られたＰＴＦＥ膜の分子鎖の垂
直配向度の基板温度依存性を示す。横軸は、成膜時の基
板温度を単位℃で表す。図中の白丸記号は、Ａ２（２）
バンドのピークの高さに対するＥ１（３）バンドのピー
クの高さの比（Ｅ１（３）／Ａ２（２））を示し、その
値を右縦軸に表す。図中の三角記号は、Ａ２（３）バン
ドのピークが現れる波数を示し、その値を左縦軸に単位
ｃｍ-1で表す。
直配向度の基板温度依存性を示す。横軸は、成膜時の基
板温度を単位℃で表す。図中の白丸記号は、Ａ２（２）
バンドのピークの高さに対するＥ１（３）バンドのピー
クの高さの比（Ｅ１（３）／Ａ２（２））を示し、その
値を右縦軸に表す。図中の三角記号は、Ａ２（３）バン
ドのピークが現れる波数を示し、その値を左縦軸に単位
ｃｍ-1で表す。
【００１９】基板温度が２００℃を超えると、基板温度
が高くなるに従ってピーク高の比（Ｅ１（３）／Ａ２
（２））が大きくなる。これは、基板温度が高くなるに
従って、分子鎖の垂直配向の傾向が強くなっていること
を意味する。基板温度を２５０℃以上にして成膜する
と、垂直配向の十分な効果が得られるであろう。また、
基板温度を３３０℃よりも高くすると、一旦付着したＰ
ＴＦＥ分子が再蒸発してしまうため、薄膜の形成が困難
である。
が高くなるに従ってピーク高の比（Ｅ１（３）／Ａ２
（２））が大きくなる。これは、基板温度が高くなるに
従って、分子鎖の垂直配向の傾向が強くなっていること
を意味する。基板温度を２５０℃以上にして成膜する
と、垂直配向の十分な効果が得られるであろう。また、
基板温度を３３０℃よりも高くすると、一旦付着したＰ
ＴＦＥ分子が再蒸発してしまうため、薄膜の形成が困難
である。
【００２０】なお、ピーク高の比（Ｅ１（３）／Ａ２
（２））が１２以上である場合には、分子鎖の長軸方向
が基板面に対してほぼ垂直であるといえるであろう。
（２））が１２以上である場合には、分子鎖の長軸方向
が基板面に対してほぼ垂直であるといえるであろう。
【００２１】また、基板温度が２００℃を超えると、基
板温度が高くなるに従ってＡ２（３）バンドのピークが
ブルーシフトしている。これは、分子鎖が折りたたみ構
造を有することを意味し、分子鎖が垂直配向している明
瞭な証拠となる。
板温度が高くなるに従ってＡ２（３）バンドのピークが
ブルーシフトしている。これは、分子鎖が折りたたみ構
造を有することを意味し、分子鎖が垂直配向している明
瞭な証拠となる。
【００２２】上記実施例では、真空加熱蒸着によりＰＴ
ＦＥ膜を形成する場合を説明した。その他、シンクロト
ロン放射（ＳＲ）光によるアブレーションを用いてＰＴ
ＦＥ膜を形成することもできる。
ＦＥ膜を形成する場合を説明した。その他、シンクロト
ロン放射（ＳＲ）光によるアブレーションを用いてＰＴ
ＦＥ膜を形成することもできる。
【００２３】図４に、ＳＲ光によるアブレーションを利
用した薄膜作製装置の概略図を示す。薄膜作成装置の主
な構成は、成膜チャンバ１０、ゲートバルブチャンバ２
０、スリットチャンバ３０及びＳＲ光源チャンバ４０を
含む。
用した薄膜作製装置の概略図を示す。薄膜作成装置の主
な構成は、成膜チャンバ１０、ゲートバルブチャンバ２
０、スリットチャンバ３０及びＳＲ光源チャンバ４０を
含む。
【００２４】成膜チャンバ１０、ゲートバルブチャンバ
２０、及びスリットチャンバ３０が、ＳＲ光源チャンバ
４０に連続空間を構成するように接続されている。ＳＲ
光源チャンバ内の電子軌道４１を周回する電子から発す
るＳＲ光４２が、スリットチャンバ３０及びゲートバル
ブチャンバ２０を通って成膜チャンバ１０内に導入され
る。
２０、及びスリットチャンバ３０が、ＳＲ光源チャンバ
４０に連続空間を構成するように接続されている。ＳＲ
光源チャンバ内の電子軌道４１を周回する電子から発す
るＳＲ光４２が、スリットチャンバ３０及びゲートバル
ブチャンバ２０を通って成膜チャンバ１０内に導入され
る。
【００２５】ＳＲ光源チャンバ４０内は、１０-9ｔｏｒ
ｒ以下の高真空に保たれている。ＳＲ光源チャンバ４０
には、電子軌道４１を周回する電子の蓄積電流値を制御
する手段が設けられており、発生するＳＲ光の光量を制
御することができる。さらに、ＳＲ光源チャンバ４０に
は、電子軌道４１の電流値を制御する手段が設けられて
おり、目的とするターゲットのアブレーションを起こす
のに最適な波長を選択することができる。たとえば、磁
場を変えることにより、電子エネルギを変えることがで
きる。
ｒ以下の高真空に保たれている。ＳＲ光源チャンバ４０
には、電子軌道４１を周回する電子の蓄積電流値を制御
する手段が設けられており、発生するＳＲ光の光量を制
御することができる。さらに、ＳＲ光源チャンバ４０に
は、電子軌道４１の電流値を制御する手段が設けられて
おり、目的とするターゲットのアブレーションを起こす
のに最適な波長を選択することができる。たとえば、磁
場を変えることにより、電子エネルギを変えることがで
きる。
【００２６】電子軌道４１は、たとえば円形軌道を有
し、発生するＳＲ光は平板状形状である。ＳＲ光の一
部、たとえば幅数ｃｍ分がスリットチャンバ３０及びゲ
ートバルブチャンバ２０を介して成膜チャンバ１０に導
入される。図においては、ＳＲ光は紙面に平行な平板状
形状を有する。
し、発生するＳＲ光は平板状形状である。ＳＲ光の一
部、たとえば幅数ｃｍ分がスリットチャンバ３０及びゲ
ートバルブチャンバ２０を介して成膜チャンバ１０に導
入される。図においては、ＳＲ光は紙面に平行な平板状
形状を有する。
【００２７】スリットチャンバ３０内に、ＳＲ光の一部
を遮蔽するためのスリットが配置されている。例えば、
直径３ｍｍの円形の貫通孔が設けられたスリットが配置
される。従って、スリットチャンバ３０を通過したＳＲ
光の断面は、直径３ｍｍの円形形状になる。なお、ＳＲ
光の断面は進行するに従って徐々に大きくなるが、スリ
ットチャンバ３０を光源から遠ざけ成膜チャンバ１０に
十分近い位置に配置しているため、成膜チャンバ１０に
導入されるＳＲ光の断面は直径約３ｍｍの円形形状と考
えることができる。
を遮蔽するためのスリットが配置されている。例えば、
直径３ｍｍの円形の貫通孔が設けられたスリットが配置
される。従って、スリットチャンバ３０を通過したＳＲ
光の断面は、直径３ｍｍの円形形状になる。なお、ＳＲ
光の断面は進行するに従って徐々に大きくなるが、スリ
ットチャンバ３０を光源から遠ざけ成膜チャンバ１０に
十分近い位置に配置しているため、成膜チャンバ１０に
導入されるＳＲ光の断面は直径約３ｍｍの円形形状と考
えることができる。
【００２８】成膜チャンバ１０内の構成は、図１に示す
真空蒸着装置の構成と同様であるため、ここでは説明を
省略する。ＰＴＦＥ母材１２とＳＲ光源との距離は３ｍ
である。
真空蒸着装置の構成と同様であるため、ここでは説明を
省略する。ＰＴＦＥ母材１２とＳＲ光源との距離は３ｍ
である。
【００２９】成膜チャンバ１０とスリットチャンバ３０
との間にゲートバルブチャンバ２０が配置されている。
ゲートバルブチャンバ２０内のゲートバルブを閉じるこ
とにより、成膜チャンバ１０内の空間とＳＲ光源チャン
バ４０内の空間とを分離することができる。ゲートバル
ブを閉じ、成膜チャンバ１０内をリークすることによ
り、ＰＴＦＥ母材１２及び下地基板１５を交換すること
ができる。
との間にゲートバルブチャンバ２０が配置されている。
ゲートバルブチャンバ２０内のゲートバルブを閉じるこ
とにより、成膜チャンバ１０内の空間とＳＲ光源チャン
バ４０内の空間とを分離することができる。ゲートバル
ブを閉じ、成膜チャンバ１０内をリークすることによ
り、ＰＴＦＥ母材１２及び下地基板１５を交換すること
ができる。
【００３０】ＰＴＦＥ母材１２がＳＲ光に照射される
と、照射部分がアブレーションされる。ＰＴＦＥ母材１
２の表面でアブレーションが生じるとＰＴＦＥが飛散
し、下地基板１５の表面に堆積する。より詳細な成膜条
件については、特開平９−５９７６５号公報の段落２０
及び２１に記載されている。ＳＲ光によるアブレーショ
ンを利用して作製する場合には、下地基板を加熱しなく
ても、分子鎖の長軸方向が基板面に対してほぼ垂直に立
った配向膜が得られた。
と、照射部分がアブレーションされる。ＰＴＦＥ母材１
２の表面でアブレーションが生じるとＰＴＦＥが飛散
し、下地基板１５の表面に堆積する。より詳細な成膜条
件については、特開平９−５９７６５号公報の段落２０
及び２１に記載されている。ＳＲ光によるアブレーショ
ンを利用して作製する場合には、下地基板を加熱しなく
ても、分子鎖の長軸方向が基板面に対してほぼ垂直に立
った配向膜が得られた。
【００３１】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
分子鎖の長軸方向が基板面に対してほぼ垂直に立ったＰ
ＴＦＥ膜を形成することができる。
分子鎖の長軸方向が基板面に対してほぼ垂直に立ったＰ
ＴＦＥ膜を形成することができる。
【図１】本発明の実施例による成膜方法で使用する真空
蒸着装置の概略図である。
蒸着装置の概略図である。
【図２】得られたＰＴＦＥ膜の赤外線吸収スペクトルを
示すグラフである。
示すグラフである。
【図３】ＰＴＦＥ膜のＡ２（２）バンドのピーク高に対
するＥ１（３）バンドのピーク高の比及びＡ２（３）の
ピークの波数を、基板温度の関数として示すグラフであ
る。
するＥ１（３）バンドのピーク高の比及びＡ２（３）の
ピークの波数を、基板温度の関数として示すグラフであ
る。
【図４】ＳＲ光によるアブレーションを利用した成膜装
置の概略図である。
置の概略図である。
１０ 成膜チャンバ
１１ ターゲット支持手段
１２ ターゲット
１３、１６ ヒータ
１４ 下地基板支持手段
１５ 下地基板
１７ 膜厚計
１８ 排気管
２０ ゲートバルブチャンバ
３０ スリットチャンバ
４０ ＳＲ光源チャンバ
４１ 電子軌道
４２ ＳＲ光
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08J 7/00 - 7/18
C23C 14/12
Claims (2)
- 【請求項１】 下地部材と、前記下地部材の表面上に形
成され、分子鎖の長軸方向が下地表面に対してほぼ垂直
であるポリテトラフルオロエチレン膜とを有する部材。 - 【請求項２】 真空容器内に、下地部材とポリテトラフ
ルオロエチレン母材を配置し、該真空容器内を排気する
工程と、 前記下地部材を、２５０〜３３０℃の範囲内の温度まで
加熱する工程と、 前記ポリテトラフルオロエチレン母材をヒータで加熱し
てその一部を蒸発させ、前記下地部材の表面上にポリテ
トラフルオロエチレンからなる薄膜を形成する工程とを
有するポリテトラフルオロエチレン薄膜の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18563999A JP3433138B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | ポリテトラフルオロエチレン薄膜及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18563999A JP3433138B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | ポリテトラフルオロエチレン薄膜及びその作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001011217A JP2001011217A (ja) | 2001-01-16 |
| JP3433138B2 true JP3433138B2 (ja) | 2003-08-04 |
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ID=16174300
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18563999A Expired - Fee Related JP3433138B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | ポリテトラフルオロエチレン薄膜及びその作製方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3433138B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| CN112297475B (zh) * | 2020-11-05 | 2021-08-03 | 中国长江三峡集团有限公司 | 一种增强基于ptfe膜强度的高温高线压力微共晶方法 |
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1999
- 1999-06-30 JP JP18563999A patent/JP3433138B2/ja not_active Expired - Fee Related
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