JP3431659B2 - 触媒回収方法および装置 - Google Patents
触媒回収方法および装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、三フッ化ホウ素系触媒
の回収方法および装置に関する。
の回収方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】三フッ化ホウ素は、アルキル化、異性
化、重合、分解、脱水等種々の反応の触媒として広範囲
に使用されている。触媒として使用される三フッ化ホウ
素は、ほとんどが助触媒との錯体として、過剰量の三フ
ッ化ホウ素と共に使用されており、三フッ化ホウ素の回
収は種々の方法により試みられてきた。それらの方法の
うち、最も実用的なものの一つとして、三フッ化ホウ素
と助触媒との錯体を加熱分解して三フッ化ホウ素を回収
する方法が挙げられる。
化、重合、分解、脱水等種々の反応の触媒として広範囲
に使用されている。触媒として使用される三フッ化ホウ
素は、ほとんどが助触媒との錯体として、過剰量の三フ
ッ化ホウ素と共に使用されており、三フッ化ホウ素の回
収は種々の方法により試みられてきた。それらの方法の
うち、最も実用的なものの一つとして、三フッ化ホウ素
と助触媒との錯体を加熱分解して三フッ化ホウ素を回収
する方法が挙げられる。
【０００３】そして、このようにして回収した三フッ化
ホウ素ガスを再使用する方法として、三フッ化ホウ素を
助触媒と錯化させてから反応器へ戻す方法がある（例え
ば特開昭４９−１１８０４号公報など参照）。
ホウ素ガスを再使用する方法として、三フッ化ホウ素を
助触媒と錯化させてから反応器へ戻す方法がある（例え
ば特開昭４９−１１８０４号公報など参照）。
【０００４】
【発明が解決しようする課題】回収した三フッ化ホウ素
を助触媒と接触させて錯体を形成させる特開昭４９−１
１８０４号公報などに記載の上述の方法では、錯化を完
全に行なうためには三フッ化ホウ素を過剰に用いる必要
があり、余剰の三フッ化ホウ素を廃棄せざるを得なかっ
た。また得られた再生触媒が不純物を含むという欠点が
あった。
を助触媒と接触させて錯体を形成させる特開昭４９−１
１８０４号公報などに記載の上述の方法では、錯化を完
全に行なうためには三フッ化ホウ素を過剰に用いる必要
があり、余剰の三フッ化ホウ素を廃棄せざるを得なかっ
た。また得られた再生触媒が不純物を含むという欠点が
あった。
【０００５】従って本発明の目的は、三フッ化ホウ素を
高純度、高回収率で回収する方法および装置を提供する
ことにある。
高純度、高回収率で回収する方法および装置を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を解
決するためになされたものであり、三フッ化ホウ素と助
触媒との錯体を含む三フッ化ホウ素系触媒を用いる反応
系で生成する反応混合物から三フッ化ホウ素を回収する
方法において、前記反応混合物を加熱槽において加熱し
て三フッ化ホウ素含有ガスを発生させる工程(1) と、三
フッ化ホウ素ガスを、三フッ化ホウ素に対して過剰の助
触媒と第１の接触槽において接触させて三フッ化ホウ素
と助触媒との錯体を形成させる工程(2) と、前記工程
(2) から排出される三フッ化ホウ素と助触媒との錯体お
よび余剰の助触媒とを含む混合物に三フッ化ホウ素ガス
を、前記第１の接触槽と直列に連結された１以上の第２
の触媒槽において接触させて三フッ化ホウ素と助触媒と
の錯体をさらに形成させる工程(3) と、を必須工程とし
て含み、前記加熱槽で発生する三フッ化ホウ素含有ガス
を前記三フッ化ホウ素ガスとして前記第１の接触槽およ
び第２の接触槽の少なくとも一方に導入することを特徴
とする触媒回収方法を要旨とする。
決するためになされたものであり、三フッ化ホウ素と助
触媒との錯体を含む三フッ化ホウ素系触媒を用いる反応
系で生成する反応混合物から三フッ化ホウ素を回収する
方法において、前記反応混合物を加熱槽において加熱し
て三フッ化ホウ素含有ガスを発生させる工程(1) と、三
フッ化ホウ素ガスを、三フッ化ホウ素に対して過剰の助
触媒と第１の接触槽において接触させて三フッ化ホウ素
と助触媒との錯体を形成させる工程(2) と、前記工程
(2) から排出される三フッ化ホウ素と助触媒との錯体お
よび余剰の助触媒とを含む混合物に三フッ化ホウ素ガス
を、前記第１の接触槽と直列に連結された１以上の第２
の触媒槽において接触させて三フッ化ホウ素と助触媒と
の錯体をさらに形成させる工程(3) と、を必須工程とし
て含み、前記加熱槽で発生する三フッ化ホウ素含有ガス
を前記三フッ化ホウ素ガスとして前記第１の接触槽およ
び第２の接触槽の少なくとも一方に導入することを特徴
とする触媒回収方法を要旨とする。
【０００７】また本発明は、三フッ化ホウ素と助触媒と
の錯体を含む三フッ化ホウ素系触媒を用いる反応系で生
成する反応混合物から三フッ化ホウ素を回収する装置に
おいて、前記反応混合物を加熱して三フッ化ホウ素含有
ガスを発生させるための加熱槽と、三フッ化ホウ素ガス
を、三フッ化ホウ素に対して過剰の助触媒と接触させて
三フッ化ホウ素と助触媒との錯体を形成させるための第
１の接触槽と、第１の接触槽から排出される三フッ化ホ
ウ素と助触媒との錯体および余剰の助触媒を含む混合物
に三フッ化ホウ素を接触させて三フッ化ホウ素と助触媒
との錯体をさらに形成させるための、前記第１の接触槽
に直列に連結された１以上の第２の接触槽と、を含み、
前記加熱槽で発生する三フッ化ホウ素含有ガスを前記三
フッ化ホウ素ガスとして第１の接触槽および第２の接触
槽の少なくとも一方に供給する手段を有する手段を有す
ることを特徴とする触媒回収装置を要旨とする。
の錯体を含む三フッ化ホウ素系触媒を用いる反応系で生
成する反応混合物から三フッ化ホウ素を回収する装置に
おいて、前記反応混合物を加熱して三フッ化ホウ素含有
ガスを発生させるための加熱槽と、三フッ化ホウ素ガス
を、三フッ化ホウ素に対して過剰の助触媒と接触させて
三フッ化ホウ素と助触媒との錯体を形成させるための第
１の接触槽と、第１の接触槽から排出される三フッ化ホ
ウ素と助触媒との錯体および余剰の助触媒を含む混合物
に三フッ化ホウ素を接触させて三フッ化ホウ素と助触媒
との錯体をさらに形成させるための、前記第１の接触槽
に直列に連結された１以上の第２の接触槽と、を含み、
前記加熱槽で発生する三フッ化ホウ素含有ガスを前記三
フッ化ホウ素ガスとして第１の接触槽および第２の接触
槽の少なくとも一方に供給する手段を有する手段を有す
ることを特徴とする触媒回収装置を要旨とする。
【０００８】本発明の方法において、処理に供されるも
のは、三フッ化ホウ素と助触媒との錯体を含む触媒を用
いる反応系で生成する反応混合物である。ここに反応混
合物としては、三フッ化ホウ素と助触媒との錯体を含む
触媒を用いてアルキル化、異性化、重合、分解、脱水等
の反応を行なった後に得られる反応混合物が挙げられ
る。なお、三フッ化ホウ素と錯体を形成する助触媒とし
ては、水、アルコール、カルボン酸、エーテル、酸無水
物、エステル、ケトン、アルデヒドなどが挙げられる。
のは、三フッ化ホウ素と助触媒との錯体を含む触媒を用
いる反応系で生成する反応混合物である。ここに反応混
合物としては、三フッ化ホウ素と助触媒との錯体を含む
触媒を用いてアルキル化、異性化、重合、分解、脱水等
の反応を行なった後に得られる反応混合物が挙げられ
る。なお、三フッ化ホウ素と錯体を形成する助触媒とし
ては、水、アルコール、カルボン酸、エーテル、酸無水
物、エステル、ケトン、アルデヒドなどが挙げられる。
【０００９】本発明の方法においては、先ず上記反応混
合物を加熱槽において加熱して、三フッ化ホウ素含有ガ
スを発生させる工程(1) を行なう。この工程(1) におい
て、加熱は１１０〜１５５℃の温度範囲で行なうのが好
ましい。その理由は、温度が１１０℃未満であると、三
フッ化ホウ素と助触媒との錯体の分解が不十分となり、
また温度が１５５℃を超えても三フッ化ホウ素の回収率
が殆ど上昇しないばかりでなく、三フッ化ホウ素の純度
が低下するためである。特に好ましい加熱温度は１２０
〜１５５℃である。また加熱時間は加熱温にもよるが通
常０．０５時間以上、特に０．５時間以上が好ましい。
反応混合物の劣化などが生じない程度に加熱を行なう。
５時間以下の時間で加熱を行なうのが通常である。
合物を加熱槽において加熱して、三フッ化ホウ素含有ガ
スを発生させる工程(1) を行なう。この工程(1) におい
て、加熱は１１０〜１５５℃の温度範囲で行なうのが好
ましい。その理由は、温度が１１０℃未満であると、三
フッ化ホウ素と助触媒との錯体の分解が不十分となり、
また温度が１５５℃を超えても三フッ化ホウ素の回収率
が殆ど上昇しないばかりでなく、三フッ化ホウ素の純度
が低下するためである。特に好ましい加熱温度は１２０
〜１５５℃である。また加熱時間は加熱温にもよるが通
常０．０５時間以上、特に０．５時間以上が好ましい。
反応混合物の劣化などが生じない程度に加熱を行なう。
５時間以下の時間で加熱を行なうのが通常である。
【００１０】この工程(1) において加熱処理により生成
する三フッ化ホウ素含有ガスは、三フッ化ホウ素を主成
分とし、少量の反応原料、反応生成物およびこれらの分
解物を含む。
する三フッ化ホウ素含有ガスは、三フッ化ホウ素を主成
分とし、少量の反応原料、反応生成物およびこれらの分
解物を含む。
【００１１】本発明の方法においては、次に、三フッ化
ホウ素ガスを過剰の助触媒と第１の接触槽において接触
させて三フッ化ホウ素と助触媒との錯体を形成させる工
程(2) を実施する。この工程(2) において助触媒を三フ
ッ化ホウ素よりも過剰に用いたのは、三フッ化ホウ素含
有ガス中の三フッ化ホウ素を完全に錯化し、三フッ化ホ
ウ素がリークしないようにするためである。従って三フ
ッ化ホウ素／助触媒のモル比は、１．００未満であり、
特に０．９６以下であるのが好ましい。この工程(2) は
気泡塔や撹拌槽などを用いて行なわれるが、撹拌槽にお
いて行なわれるのが好ましい。
ホウ素ガスを過剰の助触媒と第１の接触槽において接触
させて三フッ化ホウ素と助触媒との錯体を形成させる工
程(2) を実施する。この工程(2) において助触媒を三フ
ッ化ホウ素よりも過剰に用いたのは、三フッ化ホウ素含
有ガス中の三フッ化ホウ素を完全に錯化し、三フッ化ホ
ウ素がリークしないようにするためである。従って三フ
ッ化ホウ素／助触媒のモル比は、１．００未満であり、
特に０．９６以下であるのが好ましい。この工程(2) は
気泡塔や撹拌槽などを用いて行なわれるが、撹拌槽にお
いて行なわれるのが好ましい。
【００１２】この工程(2) において三フッ化ホウ素と助
触媒の反応は瞬時に行なわれるので、反応時間に特別の
制限はない。また反応温度も、錯体の触媒活性に影響し
ない温度であれば特別の制限はない。
触媒の反応は瞬時に行なわれるので、反応時間に特別の
制限はない。また反応温度も、錯体の触媒活性に影響し
ない温度であれば特別の制限はない。
【００１３】工程(2) において第１の接触槽に導入され
る三フッ化ホウ素ガスとしては、前記工程(1) で得られ
た三フッ化ホウ素含有ガスおよび／またはそれ以外の給
源からの三フッ化ホウ素ガス（例えばフレッシュ三フッ
化ホウ素ガス）が挙げられるが、前者を用いるのが好ま
しい。
る三フッ化ホウ素ガスとしては、前記工程(1) で得られ
た三フッ化ホウ素含有ガスおよび／またはそれ以外の給
源からの三フッ化ホウ素ガス（例えばフレッシュ三フッ
化ホウ素ガス）が挙げられるが、前者を用いるのが好ま
しい。
【００１４】本発明の方法においては、次に、前記工程
(2) から排出される三フッ化ホウ素と助触媒との錯体お
よび余剰の助触媒を含む混合物に三フッ化ホウ素ガスを
１以上の接触槽において接触させて三フッ化ホウ素と助
触媒との錯体をさらに形成させる工程(3) を実施する。
(2) から排出される三フッ化ホウ素と助触媒との錯体お
よび余剰の助触媒を含む混合物に三フッ化ホウ素ガスを
１以上の接触槽において接触させて三フッ化ホウ素と助
触媒との錯体をさらに形成させる工程(3) を実施する。
【００１５】工程(3) において第２の接触槽に導入され
る三フッ化ホウ素ガスとしては、前記工程(1) で得られ
た三フッ化ホウ素含有ガスおよび／またはそれ以外の給
源からの三フッ化ホウ素ガス（例えばフレッシュ三フッ
化ホウ素ガス）が用いられる。
る三フッ化ホウ素ガスとしては、前記工程(1) で得られ
た三フッ化ホウ素含有ガスおよび／またはそれ以外の給
源からの三フッ化ホウ素ガス（例えばフレッシュ三フッ
化ホウ素ガス）が用いられる。
【００１６】この工程(3) において三フッ化ホウ素は、
残存する助触媒よりも過剰に供給するのが好ましい。そ
の理由は、三フッ化ホウ素を過剰量用いると、三フッ化
ホウ素と残存助触媒が完全に錯化し、余剰の三フッ化ホ
ウ素は、前記工程(2) を行なうための第１の接触槽に循
環させることができるからである。
残存する助触媒よりも過剰に供給するのが好ましい。そ
の理由は、三フッ化ホウ素を過剰量用いると、三フッ化
ホウ素と残存助触媒が完全に錯化し、余剰の三フッ化ホ
ウ素は、前記工程(2) を行なうための第１の接触槽に循
環させることができるからである。
【００１７】この工程(3) は単一の接触槽で行なっても
よく、複数の接触槽で行なってもよいが、複数の接触槽
を用いた場合、下流の接触槽から排出される余剰の三フ
ッ化ホウ素を上流の接触槽に循環させることもできる。
よく、複数の接触槽で行なってもよいが、複数の接触槽
を用いた場合、下流の接触槽から排出される余剰の三フ
ッ化ホウ素を上流の接触槽に循環させることもできる。
【００１８】なお、この工程(3) における反応温度、反
応時間などの条件は前記工程(2) における条件と基本的
に同一である。
応時間などの条件は前記工程(2) における条件と基本的
に同一である。
【００１９】次に本発明の触媒回収装置を図１を参照し
ながら説明する。本発明の触媒回収装置は、基本的には
加熱槽１と、第１の接触槽２と、１以上の第２の接触槽
３とからなる。
ながら説明する。本発明の触媒回収装置は、基本的には
加熱槽１と、第１の接触槽２と、１以上の第２の接触槽
３とからなる。
【００２０】加熱槽１は、反応槽４からライン１１経由
で供給された反応混合物を加熱し反応混合物中の三フッ
化ホウ素と助触媒との錯体を分解して三フッ化ホウ素含
有ガスを発生させるためのものである。加熱槽１は撹拌
機５を備えているのが好ましい。図１において、この加
熱槽１において発生した三フッ化ホウ素含有ガスがライ
ン１２，１３を経由し、第１の接触槽２に供給されてい
るが、第１の接触槽２に供給される三フッ化ホウ素ガス
は、その他の給源からの三フッ化ホウ素ガス（例えばラ
イン１７，２４経由のフレッシュ三フッ化ホウ素ガス）
でもよい。なお、三フッ化ホウ素除去後の反応生成物は
加熱槽１の底部から抜き出される。
で供給された反応混合物を加熱し反応混合物中の三フッ
化ホウ素と助触媒との錯体を分解して三フッ化ホウ素含
有ガスを発生させるためのものである。加熱槽１は撹拌
機５を備えているのが好ましい。図１において、この加
熱槽１において発生した三フッ化ホウ素含有ガスがライ
ン１２，１３を経由し、第１の接触槽２に供給されてい
るが、第１の接触槽２に供給される三フッ化ホウ素ガス
は、その他の給源からの三フッ化ホウ素ガス（例えばラ
イン１７，２４経由のフレッシュ三フッ化ホウ素ガス）
でもよい。なお、三フッ化ホウ素除去後の反応生成物は
加熱槽１の底部から抜き出される。
【００２１】第１の接触槽２は、三フッ化ホウ素ガスを
受け入れ、三フッ化ホウ素を、ライン１４経由で供給さ
れた助触媒と接触させて三フッ化ホウ素と助触媒との錯
体を形成するためのものである。第１の接触槽２は撹拌
機６を備えているのが好ましい。上述のように、供給さ
れる助触媒の量は三フッ化ホウ素よりも過剰とし、三フ
ッ化ホウ素／助触媒のモル比が１．００未満とする。特
に好ましい三フッ化ホウ素／助触媒のモル比は０．９６
以下である。
受け入れ、三フッ化ホウ素を、ライン１４経由で供給さ
れた助触媒と接触させて三フッ化ホウ素と助触媒との錯
体を形成するためのものである。第１の接触槽２は撹拌
機６を備えているのが好ましい。上述のように、供給さ
れる助触媒の量は三フッ化ホウ素よりも過剰とし、三フ
ッ化ホウ素／助触媒のモル比が１．００未満とする。特
に好ましい三フッ化ホウ素／助触媒のモル比は０．９６
以下である。
【００２２】第１の接触槽２で形成された、三フッ化ホ
ウ素と助触媒との錯体および余剰の助触媒を含む混合物
はライン１５経由で、第２の接触槽３に送られ、一方、
ライン１６からはオフガスが排出される。
ウ素と助触媒との錯体および余剰の助触媒を含む混合物
はライン１５経由で、第２の接触槽３に送られ、一方、
ライン１６からはオフガスが排出される。
【００２３】１以上の第２の接触槽３は、第１の接触槽
２からの前記混合物を受け入れ、同時に供給される三フ
ッ化ホウ素と接触させて三フッ化ホウ素と助触媒との錯
体をさらに形成するためのものであり、第１の接触槽と
直列に連結されている。第２の接触槽３は撹拌機７を備
えているのが好ましい。図１においては、ライン１７，
１８経由でフレッシュな三フッ化ホウ素ガスを第２の接
触槽３に供給したが、加熱槽１からの三フッ化ホウ素含
有ガスや、他の給源からの三フッ化ホウ素ガスを第２の
接触槽に供給してもよい。第２の接触槽３に供給される
三フッ化ホウ素は前記混合物中の助触媒よりも過剰量で
あり、余剰の三フッ化ホウ素はライン２０，１３経由で
第１の接触槽２に循環される。第２の接触槽２は複数槽
でも良く、この場合には、下流側の接触槽を出た三フッ
化ホウ素ガスを上流側の接触槽に循環させることもでき
る。
２からの前記混合物を受け入れ、同時に供給される三フ
ッ化ホウ素と接触させて三フッ化ホウ素と助触媒との錯
体をさらに形成するためのものであり、第１の接触槽と
直列に連結されている。第２の接触槽３は撹拌機７を備
えているのが好ましい。図１においては、ライン１７，
１８経由でフレッシュな三フッ化ホウ素ガスを第２の接
触槽３に供給したが、加熱槽１からの三フッ化ホウ素含
有ガスや、他の給源からの三フッ化ホウ素ガスを第２の
接触槽に供給してもよい。第２の接触槽３に供給される
三フッ化ホウ素は前記混合物中の助触媒よりも過剰量で
あり、余剰の三フッ化ホウ素はライン２０，１３経由で
第１の接触槽２に循環される。第２の接触槽２は複数槽
でも良く、この場合には、下流側の接触槽を出た三フッ
化ホウ素ガスを上流側の接触槽に循環させることもでき
る。
【００２４】第２の接触槽３の底部から排出される三フ
ッ化ホウ素と助触媒との錯体を含む混合液は通常ライン
２１経由でライン２２に送られ、同ライン２２に同時に
供給される原料と混合されて反応槽４に導入される。反
応槽４には、ライン１７，１９経由でフレッシュな三フ
ッ化ホウ素も反応槽４の液深部に供給され、反応槽４に
おいて三フッ化ホウ素と助触媒との錯体および三フッ化
ホウ素の存在下に原料の反応（アルキル化、異性化、重
合、分解、脱水等）が行なわれる。なお、反応槽４から
排出されるオフガスはライン２３，１３経由で第１の接
触槽２に循環させることもできる。
ッ化ホウ素と助触媒との錯体を含む混合液は通常ライン
２１経由でライン２２に送られ、同ライン２２に同時に
供給される原料と混合されて反応槽４に導入される。反
応槽４には、ライン１７，１９経由でフレッシュな三フ
ッ化ホウ素も反応槽４の液深部に供給され、反応槽４に
おいて三フッ化ホウ素と助触媒との錯体および三フッ化
ホウ素の存在下に原料の反応（アルキル化、異性化、重
合、分解、脱水等）が行なわれる。なお、反応槽４から
排出されるオフガスはライン２３，１３経由で第１の接
触槽２に循環させることもできる。
【００２５】
実施例１
加熱槽、第１の接触槽および単一の第２の接触槽を有す
る触媒回収装置を用いた。三フッ化ホウ素と助触媒ｎ−
ブタノールとの錯体および三フッ化ホウ素からなる触媒
の存在下に１−デセンを重合して得られた反応混合物を
加熱器で１２０℃、滞留時間１時間で加熱し三フッ化ホ
ウ素含有ガスを発生させた。このガスの組成は、三フッ
化ホウ素９２．１重量％，イソブタン５．５重量％、ｎ
−ブタン０．２重量％、イソペンタン１．８重量％、そ
の他０．４重量％であった。
る触媒回収装置を用いた。三フッ化ホウ素と助触媒ｎ−
ブタノールとの錯体および三フッ化ホウ素からなる触媒
の存在下に１−デセンを重合して得られた反応混合物を
加熱器で１２０℃、滞留時間１時間で加熱し三フッ化ホ
ウ素含有ガスを発生させた。このガスの組成は、三フッ
化ホウ素９２．１重量％，イソブタン５．５重量％、ｎ
−ブタン０．２重量％、イソペンタン１．８重量％、そ
の他０．４重量％であった。
【００２６】第１の接触槽には撹拌機を備えた容積２０
０ミリリットルの混合槽を用い、助触媒ｎ−ブタノール
および三フッ化ホウ素とｎ−ブタノールとの錯体組成比
（モル比）２：８の混合液を１００ミリリットル供給し
ておき、加熱槽からの三フッ化ホウ素含有ガスの導入を
開始した。その後、１．５３ミリリットル／min （１モ
ル／ｈｒ）でｎ−ブタノールをさらに供給した。三フッ
化ホウ素／ｎ−ブタノールのモル比は０．８０であっ
た。
０ミリリットルの混合槽を用い、助触媒ｎ−ブタノール
および三フッ化ホウ素とｎ−ブタノールとの錯体組成比
（モル比）２：８の混合液を１００ミリリットル供給し
ておき、加熱槽からの三フッ化ホウ素含有ガスの導入を
開始した。その後、１．５３ミリリットル／min （１モ
ル／ｈｒ）でｎ−ブタノールをさらに供給した。三フッ
化ホウ素／ｎ−ブタノールのモル比は０．８０であっ
た。
【００２７】第１の接触槽内の生成液を液面を制御して
第２の接触槽に供給した。第２の接触槽は第１の接触槽
と同じ容積、構造の混合槽を用い、槽内の液量が１００
ミリリットルに達した後、０．３モル／ｈｒでフレッシ
ュ三フッ化ホウ素の供給を開始した。第２の接触槽から
排出される、余剰の三フッ化ホウ素を含むガスは前記ガ
ス組成を有する加熱槽からの三フッ化ホウ素含有ガスと
混合した。混合ガスは三フッ化ホウ素の量を０．８モル
／ｈｒに調整して第１の接触槽に供給した。第１の接触
槽と第２の接触槽はいずれも内液の温度を２０℃に冷却
し維持した。
第２の接触槽に供給した。第２の接触槽は第１の接触槽
と同じ容積、構造の混合槽を用い、槽内の液量が１００
ミリリットルに達した後、０．３モル／ｈｒでフレッシ
ュ三フッ化ホウ素の供給を開始した。第２の接触槽から
排出される、余剰の三フッ化ホウ素を含むガスは前記ガ
ス組成を有する加熱槽からの三フッ化ホウ素含有ガスと
混合した。混合ガスは三フッ化ホウ素の量を０．８モル
／ｈｒに調整して第１の接触槽に供給した。第１の接触
槽と第２の接触槽はいずれも内液の温度を２０℃に冷却
し維持した。
【００２８】第１の接触槽の液を分析したところ、助触
媒であるｎ−ブタノールの８０％が三フッ化ホウ素と錯
化しており、イソブタンが０．５重量％含まれていた。
また、第２の接触槽の液を分析したところ、助触媒の１
００％が錯化しており、錯化されていないｎ−ブタノー
ルは含まれていなかった。イソブタンは０．５重量％含
まれていた。第１の接触槽からの廃ガスも分析したが、
三フッ化ホウ素は検出されず、回収三フッ化ホウ素化含
有ガス中の不純物のみが検出された。
媒であるｎ−ブタノールの８０％が三フッ化ホウ素と錯
化しており、イソブタンが０．５重量％含まれていた。
また、第２の接触槽の液を分析したところ、助触媒の１
００％が錯化しており、錯化されていないｎ−ブタノー
ルは含まれていなかった。イソブタンは０．５重量％含
まれていた。第１の接触槽からの廃ガスも分析したが、
三フッ化ホウ素は検出されず、回収三フッ化ホウ素化含
有ガス中の不純物のみが検出された。
【００２９】第１の接触槽と第２の接触槽におけるｎ−
ブタノールの錯化率、三フッ化ホウ素漏出率、イソブタ
ン溶解量を測定した。その結果を表１に示す。
ブタノールの錯化率、三フッ化ホウ素漏出率、イソブタ
ン溶解量を測定した。その結果を表１に示す。
【００３０】実施例２
第１の接触槽に、助触媒ｎ−ブタノールおよび三フッ化
ホウ素とｎ−ブタノールとの錯体組成比（モル比）１：
９の混合液を１００ミリリットル供給しておき、第２の
接触槽から排出される、余剰の三フッ化ホウ素を含むガ
スを前記ガス組成を有する加熱槽からの三フッ化ホウ素
含有ガスと混合し、混合ガス中の三フッ化ホウ素の量を
０．９モル／ｈｒに調整し第１の接触槽に供給した。他
は、実施例１と同様にして三フッ化ホウ素の回収および
触媒の再生を行なった。結果を表１に示す。
ホウ素とｎ−ブタノールとの錯体組成比（モル比）１：
９の混合液を１００ミリリットル供給しておき、第２の
接触槽から排出される、余剰の三フッ化ホウ素を含むガ
スを前記ガス組成を有する加熱槽からの三フッ化ホウ素
含有ガスと混合し、混合ガス中の三フッ化ホウ素の量を
０．９モル／ｈｒに調整し第１の接触槽に供給した。他
は、実施例１と同様にして三フッ化ホウ素の回収および
触媒の再生を行なった。結果を表１に示す。
【００３１】実施例３
第１の接触槽に、助触媒ｎ−ブタノールおよび三フッ化
ホウ素とｎ−ブタノールとの錯体組成比（モル比）０．
４：９．６の混合液を１００ミリリットル供給してお
き、第２の接触槽から排出される、余剰の三フッ化ホウ
素を含むガスを前記ガス組成を有する加熱槽からの三フ
ッ化ホウ素含有ガスと混合し、混合ガス中の三フッ化ホ
ウ素の量を０．９６モル／ｈｒに調整し第１の接触槽に
供給した。他は、実施例１と同様にして三フッ化ホウ素
の回収および触媒の再生を行なった。結果を表１に示
す。
ホウ素とｎ−ブタノールとの錯体組成比（モル比）０．
４：９．６の混合液を１００ミリリットル供給してお
き、第２の接触槽から排出される、余剰の三フッ化ホウ
素を含むガスを前記ガス組成を有する加熱槽からの三フ
ッ化ホウ素含有ガスと混合し、混合ガス中の三フッ化ホ
ウ素の量を０．９６モル／ｈｒに調整し第１の接触槽に
供給した。他は、実施例１と同様にして三フッ化ホウ素
の回収および触媒の再生を行なった。結果を表１に示
す。
【００３２】比較例１，２，３
加熱槽と単一の接触槽のみを有する触媒回収装置を用い
た。実施例１と同一の反応混合物を加熱器で実施例１と
同一の条件下に加熱して三フッ化ホウ素含有ガスを発生
させた。一方、１．５３ミリリットル／min （１モル／
ｈｒ）のｎ−ブタノールを供給し、また４０ミリリット
ル／min （０．１モル／ｈｒ）、８０ミリリットル／mi
n （０．２モル／ｈｒ）、１０４ミリリットル／min
（０．２６モル／ｈｒ）のフレッシュ三フッ化ホウ素と
３０５ミリリットル／min （０．７モル／ｈｒ）の、加
熱器で回収された三フッ化ホウ素含有ガスを混合して供
給した。ここに三フッ化ホウ素の流量（ミリリットル／
min ）は１気圧２５℃の値である（後記比較例４，５に
おいても同様である）。接触槽内の液量は、１００ミリ
リットルに達した後、液面を制御してこの液量に維持し
た。結果を表１に示す。
た。実施例１と同一の反応混合物を加熱器で実施例１と
同一の条件下に加熱して三フッ化ホウ素含有ガスを発生
させた。一方、１．５３ミリリットル／min （１モル／
ｈｒ）のｎ−ブタノールを供給し、また４０ミリリット
ル／min （０．１モル／ｈｒ）、８０ミリリットル／mi
n （０．２モル／ｈｒ）、１０４ミリリットル／min
（０．２６モル／ｈｒ）のフレッシュ三フッ化ホウ素と
３０５ミリリットル／min （０．７モル／ｈｒ）の、加
熱器で回収された三フッ化ホウ素含有ガスを混合して供
給した。ここに三フッ化ホウ素の流量（ミリリットル／
min ）は１気圧２５℃の値である（後記比較例４，５に
おいても同様である）。接触槽内の液量は、１００ミリ
リットルに達した後、液面を制御してこの液量に維持し
た。結果を表１に示す。
【００３３】比較例４，５
１２０ミリリットル／min （０．３０モル／ｈｒ）、１
３６ミリリットル／min （０．３４モル／ｈｒ）のフレ
ッシュ三フッ化ホウ素を導入した他は、比較例１と同様
にして三フッ化ホウ素の回収を行った。結果を表１に示
す。
３６ミリリットル／min （０．３４モル／ｈｒ）のフレ
ッシュ三フッ化ホウ素を導入した他は、比較例１と同様
にして三フッ化ホウ素の回収を行った。結果を表１に示
す。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１より、第１の接触槽と第２の接触槽を
用いた実施例１〜３においては、ｎ−ブタノール錯化率
１００％、三フッ化ホウ素漏出率０％、錯体イソブタン
溶解量０．５ｗｔ％であり、廃ガス中の三フッ化ホウ素
の漏出がなく、かつ再生触媒が高純度であるという優れ
た結果が得られた。
用いた実施例１〜３においては、ｎ−ブタノール錯化率
１００％、三フッ化ホウ素漏出率０％、錯体イソブタン
溶解量０．５ｗｔ％であり、廃ガス中の三フッ化ホウ素
の漏出がなく、かつ再生触媒が高純度であるという優れ
た結果が得られた。
【００３６】これに対して単一の接触槽を用いた比較例
１〜５では、三フッ化ホウ素／ｎ−ブタノールのモル比
を０．９６以下にすると、三フッ化ホウ素漏出率は０％
であるが、未錯化のｎ−ブタノールが存在し、錯体イソ
ブタン溶解量が０．９〜１．８ｗｔ％と増え（比較例１
〜３）、同モル比を０．９６よりも大きくすると、三フ
ッ化ホウ素漏出率３〜６％となり、廃ガス中に三フッ化
ホウ素が漏出した（比較例４〜５）。
１〜５では、三フッ化ホウ素／ｎ−ブタノールのモル比
を０．９６以下にすると、三フッ化ホウ素漏出率は０％
であるが、未錯化のｎ−ブタノールが存在し、錯体イソ
ブタン溶解量が０．９〜１．８ｗｔ％と増え（比較例１
〜３）、同モル比を０．９６よりも大きくすると、三フ
ッ化ホウ素漏出率３〜６％となり、廃ガス中に三フッ化
ホウ素が漏出した（比較例４〜５）。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、三フッ化ホウ素系触媒
から三フッ化ホウ素を高純度、高回収率で回収し、三フ
ッ化ホウ素系触媒を再生する方法および装置が提供され
た。
から三フッ化ホウ素を高純度、高回収率で回収し、三フ
ッ化ホウ素系触媒を再生する方法および装置が提供され
た。
【図１】本発明の触媒回収、再生装置の一例を示すもの
である。
である。
１ 加熱槽
２ 第１の接触槽
３ 第２の接触槽
４ 反応器
５，６，７ 撹拌機
１１〜２４ ライン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭56−108541（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−126182（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−54037（ＪＰ，Ａ)
特開 昭49−11804（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−20511（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08F 4/12 - 4/14
C08F 6/00 - 6/28
B01J 21/00 - 38/74
Claims (5)
- 【請求項１】 三フッ化ホウ素と助触媒との錯体を含む
三フッ化ホウ素系触媒を用いる反応系で生成する反応混
合物から三フッ化ホウ素を回収する方法において、 前記反応混合物を加熱槽において加熱して三フッ化ホウ
素含有ガスを発生させる工程(1) と、 三フッ化ホウ素ガスを、三フッ化ホウ素に対して過剰の
助触媒と第１の接触槽において接触させて三フッ化ホウ
素と助触媒との錯体を形成させる工程(2) と、 前記工程(2) から排出される三フッ化ホウ素と助触媒と
の錯体および余剰の助触媒とを含む混合物に三フッ化ホ
ウ素ガスを、前記第１の接触槽と直列に連結された１以
上の第２の触媒槽において接触させて三フッ化ホウ素と
助触媒との錯体をさらに形成させる工程(3) と、を必須
工程として含み、前記加熱槽で発生する三フッ化ホウ素
含有ガスを前記三フッ化ホウ素ガスとして前記第１の接
触槽および第２の接触槽の少なくとも一方に導入するこ
とを特徴とする触媒回収方法。 - 【請求項２】 前記加熱槽で発生する三フッ化ホウ素含
有ガスを前記三フッ化ホウ素ガスとして前記第１の接触
槽に導入する、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 余剰の三フッ化ホウ素を含むガスを第２
槽目以降の接触槽から上流側の接触槽に循環し、該接触
槽に存在する助触媒との反応に使用する、請求項１に記
載の方法。 - 【請求項４】 三フッ化ホウ素と助触媒との錯体を含む
三フッ化ホウ素系触媒を用いる反応系で生成する反応混
合物から三フッ化ホウ素を回収する装置において、 前記反応混合物を加熱して三フッ化ホウ素含有ガスを発
生させるための加熱槽と、 三フッ化ホウ素を、三フッ化ホウ素に対して過剰の助触
媒と接触させて三フッ化ホウ素と助触媒との錯体を形成
させるための第１の接触槽と、 第１の接触槽から排出される三フッ化ホウ素と助触媒と
の錯体および余剰の助触媒を含む混合物に三フッ化ホウ
素を接触させて三フッ化ホウ素と助触媒との錯体をさら
に形成させるための、前記第１の接触槽と直列に連結さ
れた１以上の第２の接触槽と、を含み、前記加熱槽で発
生する三フッ化ホウ素含有ガスを前記三フッ化ホウ素ガ
スとして第１の接触槽および第２の接触槽の少なくとも
一方に供給する手段を有することを特徴とする触媒回収
装置。 - 【請求項５】 余剰の三フッ化ホウ素を含むガスを第２
槽目以降の接触槽から上流側の接触槽に循環させるため
のガス排出手段を設けた、請求項４に記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08079793A JP3431659B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 触媒回収方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08079793A JP3431659B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 触媒回収方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06287211A JPH06287211A (ja) | 1994-10-11 |
| JP3431659B2 true JP3431659B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=13728457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08079793A Expired - Fee Related JP3431659B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 触媒回収方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3431659B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1217726A (zh) * | 1997-02-26 | 1999-05-26 | 日本石油化学株式会社 | 三氟化硼配合物的回收方法及利用该方法进行的烯烃低聚物的制造方法 |
| KR100359881B1 (ko) * | 1999-01-30 | 2002-11-04 | 주식회사 엘지화학 | 조촉매를 재사용하는 올레핀 중합 방법 |
-
1993
- 1993-04-07 JP JP08079793A patent/JP3431659B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06287211A (ja) | 1994-10-11 |
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|---|---|---|---|
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|
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