JP3424493B2

JP3424493B2 - レーザダイオードモジュール

Info

Publication number: JP3424493B2
Application number: JP10001397A
Authority: JP
Inventors: 高行小野寺
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1997-04-17
Filing date: 1997-04-17
Publication date: 2003-07-07
Anticipated expiration: 2017-04-17
Also published as: JPH10294522A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光ファイバ通信
等において、電気信号を光信号に変換するレーザダイオ
ードモジュールに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１４は、例えばＩＥＥＥＰＨＯＴＯ
ＮＩＣＳＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹＬＥＴＴＥＲＳ，Ｖ
ＯＬ．２，ＮＯ．１２，８９６，ＤＥＣＥＭＢＥＲ１９
９０に掲載されている従来の電界吸収型光変調器を用い
たレーザダイオードモジュールの構成図である。１は電
界吸収型光変調器付レーザダイオード（以降単に電界吸
収型光変調器と示す）、２Ｄは抵抗、４はマイクロスト
リップライン、６は電界吸収型光変調器の背面出力を受
光するモニタ用フォトダイオード、７はレーザダイオー
ドモジュール内部の温度を検出するためのサーミスタ抵
抗、８は電界吸収型光変調器１の温度を一定に保つため
の熱電素子、９は１〜８までの部品を封入しておく気密
パッケージ、１０は電界吸収型光変調器１からの出力光
を伝送するための光ファイバ、１１はレーザダイオード
モジュールに電気信号を給電するための信号ピン、１２
は電界吸収型光変調器の出力光を光ファイバへ結合させ
るための光学系である。

【０００３】簡単にするために、図１６で示した従来の
実施例のうち信号の給電系の電気の等価回路の部分を図
１５に示す。従来のレーザダイオードモジュールの信号
の給電は、レーザダイオードモジュールの信号ピン１１
と電界吸収型光変調器１とはマイクロストリップライン
４を介して接続され、上記電界吸収型光変調器１には並
列にレーザダイオードモジュールの入力インピーダンス
を整合させるための抵抗２Ｄが接続されている。電界吸
収型光変調器１は電気的な等価回路ではコンデンサで表
されるため、十分にインピーダンスが高いので前記電界
吸収型光変調器に並列に抵抗２Ｄを接続することによっ
てレーザダイオードモジュールの入力インピーダンスは
前記抵抗２Ｄの抵抗値で表される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】電界吸収型光変調器１
の一般的な駆動条件は、典型的な値として変調電圧が０
Ｖ／−２Ｖ程度で駆動されるが、例えばＪＯＵＮＡＬ
ＯＦＬＩＧＨＴＷＡＶＥＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ，Ｖ
ＯＬ．１４，ＮＯ．９，ＳＥＰＴＥＭＢＥＲ１９９６
にて示されているとおり、電界吸収型光変調器１の単位
長さあたりの抵抗値が７５０Ω・μｍで表わされる。バ
イアス電圧が０Ｖ付近では電気抵抗が１００Ω程度であ
る。一方で、バイアス電圧−２Ｖ付近では１０００Ω以
上の抵抗値を有する。

【０００５】従来の実装方法では、並列に接続されてい
る抵抗２Ｄの抵抗値５０Ωに対し電界吸収型光変調器１
の抵抗値が十分大きな抵抗を有している場合についての
み、レーザダイオードモジュールの入力インピーダンス
の値が望ましい５０Ωになる。バイアス電圧が０Ｖ付近
では、電界吸収型光変調器１の抵抗値は５０Ωに対して
同じ程度であり、レーザダイオードモジュールの入力イ
ンピーダンスの値が５０Ωよりも小さくなることは明ら
かである。

【０００６】このときは、電界吸収型光変調器１を駆動
するための交流出力源の出力インピーダンスが一般的に
５０Ωにとられているため、インピーダンスのミスマッ
チが生じ、電気信号の反射が生じる。

【０００７】このように、従来のような入力インピーダ
ンスの取り方では、上記のようにバイアス電圧が０Ｖ付
近で電界吸収型光変調器１の電気抵抗が小さいことは考
慮されていないため、バイアス電圧が０Ｖ付近でレーザ
ダイオードモジュールの入力インピーダンスの低下を招
くため、交流出力源の出力インピーダンスとの整合を取
ることは困難であった。

【０００８】また、電界吸収型光変調器１の電気的な等
価回路はコンデンサで表わされ、一般的なコンデンサに
パルス電圧で駆動した場合のコンデンサ両端に印加され
る電圧の時間変化を図１６に示す。図１６の縦軸はコン
デンサの両端に印加される電圧を示し、横軸は時間を示
している。この図１６から明らかなとおり、パルス電圧
で駆動した場合にも、コンデンサの容量とそれに付随す
る電気の抵抗の積で表わされるＣＲ時定数に依存して立
ち上がり時間が遅れることが良く知られている。このた
め、電界吸収型光変調器１からの出力波形にも印加電圧
に対するパルス波形の立ち上がりの遅れが生じる。

【０００９】この発明においては、バイアス電圧による
電界吸収型光変調器１のインピーダンス変動を補償する
とともに波形の立ち上がりの遅延を補償するための抵
抗、ダイオード及びワイアからなる回路をレーザダイオ
ードモジュール内部の電気の信号線路に取りつけること
によって、バイアス電圧の広い範囲にわたって入力イン
ピーダンスの値を安定に保たせ、出力波形の立ち上がり
時間の改善をはかり、電気信号をより正確に光信号へ変
換するための電気回路を提供することを目的としてい
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】第１の発明に係わるレー
ザダイオードモジュールは、ダイオード３と第１の抵抗
２Ａとが直列に接続された回路と、この直列回路に並列
に電界吸収型光変調器１と第２の抵抗２Ｂとがそれぞれ
並列に接続された回路構成のものである。

【００１１】また、第２の発明に係わるレーザダイオー
ドモジュールは、ダイオード３と抵抗２Ｃとが直列に接
続された回路と、この直列回路に電界吸収型光変調器１
が並列に接続された回路構成のものである。

【００１２】また、第３の発明に係わるレーザダイオー
ドモジュールは、ダイオード３と第１の抵抗２Ａとが直
列に接続された回路に、第１のワイア５Ａと電界吸収型
光変調器１との直列回路が並列に接続され、かつ、第２
のワイア５Ｂと第２の抵抗２Ｂとの直列回路が電界吸収
型光変調器１に並列に接続された回路構成のものであ
る。

【００１３】また、第４の発明に係わるレーザダイオー
ドモジュールは、ダイオード３と抵抗２Ｃとが直列に接
続された回路と、この直列回路にワイア５Ｃと電界吸収
型光変調器１との直列回路が並列に接続された回路構成
のものである。

【００１４】また、第５の発明に係わるレーザダイオー
ドモジュールは、第１の抵抗２Ａと第２の抵抗２Ｂとが
それぞれ５０Ω以上５００Ω以下で実装されたものであ
る。

【００１５】また、第６の発明に係わるレーザダイオー
ドモジュールは、抵抗２Ｃが４０Ω以上６０Ω以下で実
装されたものである。

【００１６】また、第７の発明に係わるレーザダイオー
ドモジュールは、電界吸収型光変調器１と、０．５ｍｍ
以上の第２のワイア５Ｂと抵抗２Ｄとの直列回路が並列
に接続され、気密パッケージ９の信号ピン１１に接続さ
れたマイクロストリップライン４に対し、０．５ｍｍ以
上の第１のワイア５Ａを介し前記並列回路が接続された
回路構成のものである。

【００１７】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１を示し、
図２にその電気の等価回路を示す。レーザダイオードモ
ジュール内で、１は電界吸収型光変調器、２Ａ、２Ｂは
それぞれ第１の抵抗、第２の抵抗、３はダイオードであ
る。ダイオード３のカソード側はマイクロストリップラ
イン４を介し気密パッケージ９の信号ピン１１と接続さ
れ、ダイオード３のアノード側は第１の抵抗２Ａを介し
気密パッケージ９のグランドに接続されている。ダイオ
ード３と第１の抵抗２Ａの直列回路には、電界吸収型光
変調器１と第２の抵抗２Ｂとがそれぞれ並列に接続され
ている。

【００１８】まず、電界吸収型光変調器１のバイアス電
圧が０Ｖ付近の状態を考える。バイアス電圧が０Ｖ付近
のとき電界吸収型光変調器１の電気抵抗の大きさを、例
えば１００Ωとした場合には、この電界吸収型光変調器
１と並列に接続されている第２の抵抗２Ｂの大きさが１
００Ωであれば、この電界吸収型光変調器１と第２の抵
抗２Ｂの並列回路の抵抗値は５０Ωである。

【００１９】一方、図３に一般的なダイオードの順電圧
−電流特性を示す。図３の横軸、縦軸はそれぞれダイオ
ードに印加される順電圧と順電流を示している。図３か
ら明らかなように、印加電圧が０．４Ｖ以下では電流の
値は極端に小さいことからその電気抵抗は５０Ωに対し
十分大きい。一方、印加電圧が０．４Ｖ以上では、流れ
る電流の値は急激に大きくなることからその電気抵抗は
急激に小さくなり、５０Ωに対しても十分小さくなる。
バイアス電圧が０Ｖ付近では、ダイオード３の抵抗値は
十分大きいため、レーザダイオードモジュールの入力イ
ンピーダンスの値は電界吸収型光変調器１と第２の抵抗
２Ｂの並列回路の抵抗値で表わされ、５０Ωとなること
は明らかである。

【００２０】電界吸収型光変調器１のバイアス電圧が−
２Ｖとなった場合には、電界吸収型光変調器１の電気抵
抗の大きさは１０００Ω以上の電気抵抗を有し、望まし
い入力インピーダンス５０Ωに対し十分大きい。またダ
イオード３は、信号ピン１１側にカソードが接続されて
いるため、バイアス電圧が−２Ｖ加えられたときダイオ
ード３には順方向の電圧が加えられる。従って、図３の
特性からダイオード３の抵抗値は５０Ωに対し十分小さ
くなり、ダイオード３と第１の抵抗２Ａとが直列接続さ
れた回路の抵抗値はほぼ第１の抵抗２Ａの抵抗値で表わ
される。

【００２１】バイアス電圧−２Ｖ付近の状態では、この
実施の形態の入力インピーダンスの値は、第１の抵抗２
Ａと第２の抵抗２Ｂの並列回路の抵抗値で表わされるた
め、第２の抵抗２Ｂの値を１００Ωとした場合は、第１
の抵抗２Ａの値も１００Ωと設定すれば、バイアス電圧
に依存せずレーザダイオードモジュールの入力インピー
ダンスを望ましい値の５０Ωとすることができる。

【００２２】入力インピーダンスの値を安定に保つこと
が可能であれば、電界吸収型光変調器１を駆動するため
の交流出力源との間で信号の多重反射が生じることを防
ぐことができ、出力信号は十分な波形品質を得ることが
できる。

【００２３】実施の形態２．図４はこの発明の実施の形
態２を示し、図５にその電気の等価回路を示す。レーザ
ダイオードモジュール内で、１は電界吸収型光変調器、
２Ｃは抵抗、３はダイオードである。ダイオード３と抵
抗２Ｃとは直列に接続され、この直列回路に電界吸収型
光変調器１が並列に接続され、ダイオードは気密パッケ
ージの信号ピン１１とはマイクロストリップライン４を
介し接続されている。

【００２４】まず、電界吸収型光変調器１のバイアス電
圧が０Ｖ付近の状態を考える。バイアス電圧が０Ｖ付近
のとき電界吸収型光変調器１の電気抵抗の大きさは電界
吸収型光変調器の長さにも依存するが、例えば５０Ω程
度の大きさであった場合を考える。図３に示すダイオー
ド３の電圧−電流特性から明らかなように印加電圧が０
Ｖ付近での電気抵抗の値は５０Ωに対し十分大きいた
め、このダイオード３と抵抗２Ｃの直列回路の抵抗も５
０Ωに対し十分大きい。したがって、この実施の形態の
場合のバイアス電圧０Ｖ付近での入力インピーダンスは
電界吸収型光変調器１の電気抵抗の値の５０Ωに整合が
とれることが明らかである。

【００２５】電界吸収型光変調器１のバイアス電圧が−
２Ｖ程度となった場合には、電界吸収型光変調器１の電
気抵抗の大きさは１０００Ω以上の電気抵抗を有し、望
ましい入力インピーダンス５０Ωに対し十分大きい。ま
たダイオード３は信号ピン１１側にカソードが接続され
ているため、バイアス電圧が−２Ｖ加えられたときはダ
イオード３には順方向の電圧が加えられる。図３の特性
からダイオード３のバイアス電圧−２Ｖのときの抵抗値
は５０Ωに対し十分小さいため、ダイオード３と抵抗２
Ｃとの直列回路の抵抗値は抵抗２Ｃの抵抗値で表わされ
る。

【００２６】したがって、バイアス電圧−２Ｖ付近の状
態では、抵抗２Ｃの抵抗値を５０Ωに設定すれば、バイ
アス電圧に依存せずレーザダイオードモジュールの入力
インピーダンスを５０Ωとすることができる。

【００２７】入力インピーダンスの値をバイアス電圧に
よらず安定に保つことが可能であれば、電界吸収型光変
調器１を駆動するための交流出力源との間で信号の多重
反射が生じることを防ぐことができ、出力信号は十分な
波形品質を得ることができる。

【００２８】実施の形態３．図６はこの発明の実施の形
態３を示し、図７にその電気の等価回路を示す。レーザ
ダイオードモジュール内で、１は電界吸収型光変調器、
２Ａ、２Ｂはそれぞれ第１の抵抗、第２の抵抗、３はダ
イオード、５Ａ、５Ｂはそれぞれ第１のワイア、第２の
ワイアである。ダイオード３のカソード側はマイクロス
トリップライン４を介し気密パッケージの信号ピン１１
に接続され、ダイオード３のアノード側は第１の抵抗２
Ａを介し気密パッケージ９のグランドに接続されてい
る。ダイオード３と第１の抵抗２Ａの直列回路には、第
１のワイア５Ａと電界吸収型光変調器１との直列回路が
並列に接続され、第２のワイア５Ｂと第２の抵抗２Ｂの
直列回路が電界吸収型光変調器１に並列に接続されてい
る。

【００２９】第１の抵抗２Ａ、第２の抵抗２Ｂ、ダイオ
ード３の働きにより実施の形態１と同様に電界吸収型光
変調器１のバイアス電圧に依存せず、入力インピーダン
スの値を安定に保つことができる。

【００３０】また、この実施の形態のようにインダクタ
ンスの効果により、その周波数応答特性の高周波での応
答強度を強めることができる。第１のワイア５Ａと第２
のワイア５Ｂをともに１ｍｍとして接続させたときの周
波数応答特性を図８に示す。図８では横軸を周波数を示
しており、一目盛２ＧＨｚである。また、縦軸は応答強
度を示しており、一目盛３ｄＢである。図８から明らか
なとおり、０ＧＨｚの強度と比較し高周波領域で応答強
度が大きくなる。

【００３１】また、この第１のワイア５Ａと第２のワイ
ア５Ｂを接続させたときに電界吸収型光変調器１を駆動
させた場合の印加電圧の時間変化を図９に示す。図９の
横軸は時間であり、縦軸は印加電圧を示している。図１
６に示す一般的なコンデンサに印加される電圧の立ち上
がり部分に比べ、図９に示されるコンデンサに印加され
る電圧の立ち上がり時間は明らかに短くなっている。こ
のことは、電界吸収型光変調器１をパルス電圧駆動させ
た場合の出力光の立ち上がり時間を短くできることを示
している。この原因は第１のワイア５Ａと第２のワイア
５Ｂを接続させたことにより、高周波での応答強度が大
きくなった結果である。

【００３２】したがって、ダイオード３、第１の抵抗２
Ａおよび第２の抵抗２Ｂを付加することで入力インピー
ダンスの値を安定に保つことが可能であれば、電界吸収
型光変調器１を駆動するための交流出力源との間で信号
の多重反射が生じることを防ぐことができる。また、第
１のワイア５Ａとワイア５Ｂを接続させることによって
光強度のパルス応答波形の立ち上がり時間を短くするこ
とができるので、出力信号は十分な波形品質を得ること
ができる。

【００３３】実施の形態４．図１０はこの発明の実施の
形態４を示し、図１１にその電気の等価回路を示す。レ
ーザダイオードモジュール内で、１は電界吸収型光変調
器、２Ｃは抵抗、３はダイオード、５Ｃはワイアであ
る。ダイオード３と抵抗２Ｃとは直列に接続され、この
直列回路に電界吸収型光変調器１がワイア５Ｃを介し並
列に接続されている。

【００３４】抵抗２Ｃ、ダイオード３の働きにより、実
施の形態２と同様に電界吸収型光変調器１のバイアス電
圧に依存せず、入力インピーダンスの値を安定に保つこ
とができる。また、ワイア５Ｃによるインダクタンスの
効果により実施の形態３で述べたように、高周波での応
答強度を大きくする効果が現われ、光強度のパルス応答
波形の立ち上がり時間を短くすることができるので、出
力信号は十分な波形品質を得ることができる。

【００３５】実施の形態５．電界吸収型光変調器１のバ
イアス電圧０Ｖ付近での抵抗値は、小さいものでは５０
Ωから、大きなものでは入力インピーダンス５０Ωに対
し十分大きな値を考えることができる。ダイオード３の
抵抗値はバイアス電圧が０Ｖ付近では図３のダイオード
の電圧−電流特性から５０Ωに対し十分大きいと考えら
れるので、ダイオード３と第１の抵抗２Ａの直列回路の
抵抗値は十分大きい。電界吸収型光変調器１の抵抗が５
０Ω程度の場合、入力インピーダンスの値を５０Ωに保
つためには、第２の抵抗２Ｂの抵抗値は５０Ωに対し十
分大きな抵抗値が望まれる。したがって、ここでは５０
Ωの十倍の抵抗値が必要と考え、５００Ωの抵抗値が望
まれる。

【００３６】一方で、同じくバイアス電圧０Ｖの場合に
おいて、電界吸収型光変調器１の抵抗が５０Ωに対し十
分大きな値を持つときには、ダイオード３と第１の抵抗
２Ａの直列回路の抵抗値が５０Ωに対し十分大きいこと
から、入力インピーダンスの値を５０Ωに保つために
は、第２の抵抗２Ｂの抵抗値は５０Ωが望まれる。

【００３７】バイアス電圧の値が−２Ｖ程度の場合は、
電界吸収型光変調器１の抵抗は５０Ωに対し十分大きな
電気抵抗の値を持つ。また、ダイオード３には順電圧が
２Ｖ印加されるため、図３から明らかなように抵抗値は
５０Ωに対し十分小さな値を持つ。したがって、入力イ
ンピーダンスの値を５０Ωに保つには、第２の抵抗２Ｂ
は上記のとおり５０Ωに設定されたときは、第１の抵抗
２Ａの抵抗値は５０Ωに対し十分大きな抵抗値が必要と
なる。ここでは５０Ωの十倍の抵抗値と考え、５００Ω
の値が必要となる。

【００３８】一方で、同じくバイアス電圧の値が−２Ｖ
程度の場合において、第２の抵抗２Ｂが５０Ωの抵抗値
に対し十分大きな抵抗値で設定されているときは、ダイ
オード３は上述のとおり５０Ωに対し十分小さな抵抗に
なっているため、それと直列に接続された第１の抵抗２
Ａは所望の入力インピーダンス５０Ωに設定することで
レーザダイオードモジュールの入力インピーダンスの値
も５０Ωに設定することができる。

【００３９】したがって、第１の抵抗２Ａを５０Ω以上
５００Ω以下に、同じく第２の抵抗２Ｂを５０Ω以上５
００Ω以下に設定することで、入力インピーダンスの値
を安定に保つことが可能となる。それによって電界吸収
型光変調器１を駆動するための交流出力源との間で信号
の多重反射を防ぐことができ、出力信号は十分な波形品
質を保つことができる。

【００４０】実施の形態６．電界吸収型光変調器１のバ
イアス電圧０Ｖ付近での抵抗値は、小さいものでは５０
Ω程度のものがある。ダイオードの一般的な電圧−電流
特性を示した図３から明らかなとおり、ダイオード３の
抵抗値は５０Ωに対し十分大きいと考えられるので、電
界吸収型光変調器１と並列に接続されているダイオード
３と抵抗２Ｃとの直列回路の入力インピーダンスに対す
る影響は無視することができる。

【００４１】電界吸収型光変調器１の抵抗が５０Ω程度
の場合には、この電界吸収型光変調器１の抵抗値のみで
入力インピーダンス５０Ωを満足している。

【００４２】バイアス電圧の値が−２Ｖ程度の場合に
は、電界吸収型光変調器１の抵抗は５０Ωに対し十分大
きな電気抵抗の値を持つ。また、ダイオード３には順電
圧が印加されるため、図３の電圧−電流特性から明らか
なとおり、その電気抵抗は５０Ωに対して十分小さな値
を持つ。したがって、入力インピーダンスの値を５０Ω
に保つには抵抗２Ｃの値は５０Ωの抵抗が必要となる。
ただし、ダイオード３の抵抗値のばらつきが最大１０Ω
程度を見込むことができるので、抵抗２Ｃの値は５０±
１０Ωの程度が必要となる。

【００４３】上記の様に抵抗２Ｃの抵抗値４０Ωから６
０Ωに設定することで、入力インピーダンスの値を安定
に保つことが可能である。そのため、電界吸収型光変調
器１を駆動するための交流出力源との間で信号の多重反
射が生じることを防ぐことができ、出力信号は十分な波
形品質を得ることができる。

【００４４】実施の形態７．図１２はこの発明の実施の
形態７を示し、図１３にその電気の等価回路を示す。レ
ーザダイオードモジュール内で、１は電界吸収型光変調
器、２Ｄは抵抗、５Ａは第１のワイア、５Ｂは第２のワ
イアである。第２のワイア５Ｂと抵抗２Ｄは直列に接続
され、この直列回路が電界吸収型光変調器１に並列に接
続されている。また、電界吸収型光変調器１は第１のワ
イア５Ａを介し、マイクロストリップライン４に接続さ
れる。

【００４５】実施の形態３で述べたように、第１のワイ
ア５Ａ、第２のワイア５Ｂのインダクタンスの効果によ
って電界吸収型光変調器１をパルス電圧駆動させた場合
の出力光の立ち上がり時間を短くすることができるの
で、出力波形の立ち上がり時間を改善することが可能と
なっているため、より高い波形品質を保つことができ、
受信側の受信感度を高めることができる。

【００４６】

【発明の効果】第１の発明によれば、ダイオードと第１
の抵抗を直列に接続した回路に、並列に電界吸収型光変
調器と第２の抵抗をそれぞれ並列に接続することによっ
てバイアス電圧によらず、入力インピーダンスの値を安
定に保ち、電気の入力信号に対する反射を抑制すること
が可能である。

【００４７】また、第２の発明によれば、ダイオードと
抵抗を直列に接続した回路に、並列に電界吸収型光変調
器を並列に接続することによってバイアス電圧によら
ず、入力インピーダンスの値を安定に保ち、電気の入力
信号に対する反射を抑制することが可能である。

【００４８】また、第３の発明によれば、ダイオードと
第１の抵抗を直列に接続した回路に、並列に第１のワイ
アと電界吸収型光変調器との直列回路を並列に接続し、
かつ第２のワイアと第２の抵抗との直列回路を電界吸収
型光変調器に並列に接続することによってバイアス電圧
によらず、入力インピーダンスの値を安定に保つことで
電気の入力信号に対する反射を抑制できる。また、これ
と同時に電界吸収型光変調器をパルス駆動するとき立ち
上がり時間を短くすることが可能である。

【００４９】また、第４の発明によれば、ダイオードと
抵抗を直列に接続した回路に、並列に第１のワイアと電
界吸収型光変調器との直列回路を並列に接続することに
よってバイアス電圧によらず、入力インピーダンスの値
を安定に保つことで電気の入力信号に対する反射を抑制
できる。また、これと同時に電界吸収型光変調器をパル
ス駆動するとき立ち上がり時間を短くすることが可能で
ある。

【００５０】また、第５の発明によれば、第１の発明に
おいて、第１の抵抗を５０Ω以上５００Ω以下に、第２
の抵抗を５０Ω以上５００Ω以下に設定することよっ
て、バイアス電圧によらず、入力インピーダンスの値を
安定に保ち、電気の入力信号に対する反射を抑制するこ
とが可能である。

【００５１】また、第６の発明によれば、第３の発明に
おいて、抵抗を４０Ω以上６０Ω以下に設定することよ
って、バイアス電圧によらず、入力インピーダンスの値
を安定に保ち、電気の入力信号に対する反射を抑制する
ことが可能である。

【００５２】また、第７の発明によれば、電界吸収型光
変調器とマイクロストリップラインとを第１のワイアを
介し接続し、電界吸収型光変調器に並列に第２のワイア
と抵抗との直列回路を並列に接続することで、電界吸収
型光変調器をパルス駆動するとき立ち上がり時間を速く
することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１のレーザダイオード
モジュールの構成説明図である。

【図２】この発明の実施の形態１の構成説明図の電気
回路を示したものである。

【図３】一般的なダイオードの一般的な電圧−電流特
性を示したものである。

【図４】この発明の実施の形態２のレーザダイオード
モジュールの構成説明図である。

【図５】この発明の実施の形態２の構成説明図の電気
回路を示したものである。

【図６】この発明の実施の形態３のレーザダイオード
モジュールの構成説明図である。

【図７】この発明の実施の形態３の構成説明図の電気
回路を示したものである。

【図８】第１のワイアと第２のワイアを付加したとき
のレーザダイオードモジュールの周波数応答特性を示し
たものである。

【図９】第１のワイアと第２のワイアを付加したとき
のレーザダイオードモジュールのパルス電圧を印加した
ときの光出力の時間変化を示したものである。

【図１０】この発明の実施の形態４のレーザダイオー
ドモジュールの構成説明図である。

【図１１】この発明の実施の形態４の構成説明図の電
気回路を示したものである。

【図１２】この発明の実施の形態７のレーザダイオー
ドモジュールの構成説明図である。

【図１３】この発明の実施の形態７の構成説明図の電
気回路を示したものである。

【図１４】従来例のレーザダイオードモジュールの構
成説明図である。

【図１５】従来例の構成説明図の電気の等価回路を示
したものである。

【図１６】従来例のレーザダイオードモジュールの電
圧を印加したときの光出力の時間変化を示したものであ
る。

【符号の説明】

１電界吸収型光変調器、２Ａ第１の抵抗、２Ｂ第
２の抵抗、２Ｃ抵抗、２Ｄ抵抗、３ダイオード、
４マイクロストリップライン、５Ａ第１のワイア、
５Ｂ第２のワイア、５Ｃワイア、６モニタ用フォ
トダイオード、７サーミスタ抵抗、８熱電素子、９
気密パッケージ、１０光ファイバ、１１信号ピ
ン、１２光学系。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】電気の信号入力端子を持つ気密パッケー
ジと、前記気密パッケージ内で、一端が前記気密パッケ
ージの信号ピンに接続されたマイクロストリップライン
と、カソード側が前記マイクロストリップラインの他端
に接続されたダイオードと、一端が前記ダイオードのア
ノード側に接続され、他端が前記気密パッケージのグラ
ンドに接続された第１の抵抗と、前記ダイオードと前記
第１の抵抗との直列回路に、前記ダイオードと逆極性と
なるように並列に接続された電界吸収型光変調器と、前
記電界吸収型光変調器に並列に接続された第２の抵抗
と、前記電界吸収型光変調器の出力光を光ファイバへ結
合させるための光学系を備えたことを特徴とするレーザ
ダイオードモジュール。
【請求項２】電気の信号入力端子を持つ気密パッケー
ジと、前記気密パッケージ内で、一端が気密パッケージ
の信号ピンに接続されたマイクロストリップラインと、
カソード側が前記マイクロストリップラインの他端に接
続されたダイオードと、一端が前記ダイオードのアノー
ド側に接続され、他端が前記気密パッケージのグランド
に接続された抵抗と、前記ダイオードと前記抵抗との直
列回路に、前記ダイオードと逆極性となるように並列に
接続された電界吸収型光変調器と、前記電界吸収型光変
調器の出力光を光ファイバへ結合させるための光学系を
備えたことを特徴とするレーザダイオードモジュール。
【請求項３】マイクロストリップラインと電界吸収型
光変調器とが第１のワイアを介し接続され、第２の抵抗
と前記電界吸収型光変調器とが第２のワイアを介し接続
されたことを特徴とする請求項１記載のレーザダイオー
ドモジュール。
【請求項４】マイクロストリップラインと電界吸収型
光変調器とがワイアを介し接続されたことを特徴とする
請求項２記載のレーザダイオードモジュール。
【請求項５】第１の抵抗の抵抗値が５０Ω以上５００
Ω以下、第２の抵抗の抵抗値が５０Ω以上５００Ω以下
で実装されたことを特徴とする請求項１、または３記載
のレーザダイオードモジュール。
【請求項６】抵抗の抵抗値が４０Ω以上６０Ω以下で
実装されたことを特徴とする請求項２、または４記載の
レーザダイオードモジュール。