JP3418084B2 - 機器又は素子の取り付け位置及び配置方向決定方法 - Google Patents
機器又は素子の取り付け位置及び配置方向決定方法Info
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- JP3418084B2 JP3418084B2 JP09318497A JP9318497A JP3418084B2 JP 3418084 B2 JP3418084 B2 JP 3418084B2 JP 09318497 A JP09318497 A JP 09318497A JP 9318497 A JP9318497 A JP 9318497A JP 3418084 B2 JP3418084 B2 JP 3418084B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、機器又は素子の取
り付け位置及び配置方向決定方法に関し、特に磁界の影
響を受ける場所に機器や素子を配置するときに磁界によ
る誤動作を防止し得る機器又は素子の取り付け位置及び
配置方向決定方法に関する。
り付け位置及び配置方向決定方法に関し、特に磁界の影
響を受ける場所に機器や素子を配置するときに磁界によ
る誤動作を防止し得る機器又は素子の取り付け位置及び
配置方向決定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】モータやソレノイドコイルを利用したバ
ルブなど磁界や磁力を利用した機器や素子は極めて多種
多様に存在し、種々の装置を構成する主要な部品であっ
たり、周辺機器（素子）あるいは関連機器（素子）であ
ったりする。これらの機器や素子は磁力や磁気誘導を用
いているため、外部から強力な磁界が与えられると、本
来の正常な動作ができなくなり、誤動作することがあ
る。そこで、磁界の影響を受けることのないように、こ
れらの機器や素子を磁気シールドしたり、磁界が強くな
い場所に配置するなどの対策がとられていた。
ルブなど磁界や磁力を利用した機器や素子は極めて多種
多様に存在し、種々の装置を構成する主要な部品であっ
たり、周辺機器（素子）あるいは関連機器（素子）であ
ったりする。これらの機器や素子は磁力や磁気誘導を用
いているため、外部から強力な磁界が与えられると、本
来の正常な動作ができなくなり、誤動作することがあ
る。そこで、磁界の影響を受けることのないように、こ
れらの機器や素子を磁気シールドしたり、磁界が強くな
い場所に配置するなどの対策がとられていた。
【０００３】ところで、単結晶成長装置では、原料融液
の対流を抑制して均質な単結晶を得るために、ＭＣＺ法
（磁界印加チョクラルスキー法）が用いられることがあ
り、例えば、特開昭５９−１９９５９７号公報、特開昭
６０−１６８９１号公報、特公平２−１００９３６号公
報に示されるように原料融液に磁界を印加して単結晶の
品質を向上させようとする種々の技術が示されている。
の対流を抑制して均質な単結晶を得るために、ＭＣＺ法
（磁界印加チョクラルスキー法）が用いられることがあ
り、例えば、特開昭５９−１９９５９７号公報、特開昭
６０−１６８９１号公報、特公平２−１００９３６号公
報に示されるように原料融液に磁界を印加して単結晶の
品質を向上させようとする種々の技術が示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】かかるＭＣＺ法では、
単結晶成長装置の石英るつぼの周辺に相当強力な磁界を
印加するよう構成されている。したがって、単結晶成長
装置に配置される、種々の駆動装置の主要構成部品であ
るモータや、各種センサ、各種バルブなどが磁界の影響
を受けて誤動作しないよう、その配置位置を吟味する必
要があった。また、前述のように、必要に応じて磁気シ
ールドを施したりしていた。また、かかる磁気シールド
を高価なパーマロイ合金などで作るため、コスト上昇の
一因となっていた。また、必要な機器や素子を磁界から
遠ざけるために、これらを磁界発生装置から極めて遠く
配置すると、単結晶成長装置の操作性に影響を与え、更
にかかる分散した複数の機器や素子はメンテナンスが面
倒であるという問題があった。
単結晶成長装置の石英るつぼの周辺に相当強力な磁界を
印加するよう構成されている。したがって、単結晶成長
装置に配置される、種々の駆動装置の主要構成部品であ
るモータや、各種センサ、各種バルブなどが磁界の影響
を受けて誤動作しないよう、その配置位置を吟味する必
要があった。また、前述のように、必要に応じて磁気シ
ールドを施したりしていた。また、かかる磁気シールド
を高価なパーマロイ合金などで作るため、コスト上昇の
一因となっていた。また、必要な機器や素子を磁界から
遠ざけるために、これらを磁界発生装置から極めて遠く
配置すると、単結晶成長装置の操作性に影響を与え、更
にかかる分散した複数の機器や素子はメンテナンスが面
倒であるという問題があった。
【０００５】したがって、本発明はコストの上昇を抑
え、操作性が良好で、メンテナンス上の問題が少ない機
器又は素子の取り付け位置及び配置方向決定方法を提供
することを目的とする。
え、操作性が良好で、メンテナンス上の問題が少ない機
器又は素子の取り付け位置及び配置方向決定方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では磁気を発生する装置と共に用いる機器又
は素子を取り付けるに際し、装置の発生する磁束による
装置の周辺の磁界分布を、磁束方向と磁界強度として測
定するかあるいは予測し、配置すべき機器又は素子の磁
界に対する最大感度方向又は最小感度方向と、正常に動
作する許容磁界強度とをあらかじめ測定するかあるいは
当該機器又は素子の種類又は名称から一義的に与え、機
器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は最小感度方
向と、正常に動作する許容磁界強度とを基に、測定又は
予測された磁束方向と磁界強度とを参照して機器又は素
子の取り付け位置と配置方向を決定するようにしてい
る。
め、本発明では磁気を発生する装置と共に用いる機器又
は素子を取り付けるに際し、装置の発生する磁束による
装置の周辺の磁界分布を、磁束方向と磁界強度として測
定するかあるいは予測し、配置すべき機器又は素子の磁
界に対する最大感度方向又は最小感度方向と、正常に動
作する許容磁界強度とをあらかじめ測定するかあるいは
当該機器又は素子の種類又は名称から一義的に与え、機
器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は最小感度方
向と、正常に動作する許容磁界強度とを基に、測定又は
予測された磁束方向と磁界強度とを参照して機器又は素
子の取り付け位置と配置方向を決定するようにしてい
る。
【０００７】すなわち本発明によれば、磁気を発生する
装置と共に用いる機器又は素子を取り付けるに際し、前
記装置の発生する磁束による前記装置の周辺の磁界分布
を、磁束方向と磁界強度として測定するステップと、配
置すべき機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は
最小感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とをあら
かじめ測定するステップと、前記機器又は素子の磁界に
対する最大感度方向又は最小感度方向と、正常に動作す
る許容磁界強度とを基に、前記測定された磁束方向と磁
界強度とを参照して前記機器又は素子の取り付け位置と
配置方向を決定するステップとを、有する機器又は素子
の取り付け位置及び配置方向決定方法が提供される。
装置と共に用いる機器又は素子を取り付けるに際し、前
記装置の発生する磁束による前記装置の周辺の磁界分布
を、磁束方向と磁界強度として測定するステップと、配
置すべき機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は
最小感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とをあら
かじめ測定するステップと、前記機器又は素子の磁界に
対する最大感度方向又は最小感度方向と、正常に動作す
る許容磁界強度とを基に、前記測定された磁束方向と磁
界強度とを参照して前記機器又は素子の取り付け位置と
配置方向を決定するステップとを、有する機器又は素子
の取り付け位置及び配置方向決定方法が提供される。
【０００８】また本発明によれば、磁気を発生する装置
と共に用いる機器又は素子を取り付けるに際し、前記装
置の発生する磁束による前記装置の周辺の磁界分布を、
磁束方向と磁界強度として測定するステップと、配置す
べき機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は最小
感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを、当該機
器又は素子の種類又は名称から一義的に与えるステップ
と、前記機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は
最小感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを基
に、前記測定された磁束方向と磁界強度とを参照して前
記機器又は素子の取り付け位置と配置方向を決定するス
テップとを、有する機器又は素子の取り付け位置及び配
置方向決定方法が提供される。
と共に用いる機器又は素子を取り付けるに際し、前記装
置の発生する磁束による前記装置の周辺の磁界分布を、
磁束方向と磁界強度として測定するステップと、配置す
べき機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は最小
感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを、当該機
器又は素子の種類又は名称から一義的に与えるステップ
と、前記機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は
最小感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを基
に、前記測定された磁束方向と磁界強度とを参照して前
記機器又は素子の取り付け位置と配置方向を決定するス
テップとを、有する機器又は素子の取り付け位置及び配
置方向決定方法が提供される。
【０００９】また本発明によれば、磁気を発生する装置
と共に用いる機器又は素子を取り付けるに際し、前記装
置の発生する磁束による前記装置の周辺の磁界分布を、
磁束方向と磁界強度として予測するステップと、配置す
べき機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は最小
感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とをあらかじ
め測定するステップと、前記機器又は素子の磁界に対す
る最大感度方向又は最小感度方向と、正常に動作する許
容磁界強度とを基に、前記測定された磁束方向と磁界強
度とを参照して前記機器又は素子の取り付け位置と配置
方向を決定するステップとを、有する機器又は素子の取
り付け位置及び配置方向決定方法が提供される。
と共に用いる機器又は素子を取り付けるに際し、前記装
置の発生する磁束による前記装置の周辺の磁界分布を、
磁束方向と磁界強度として予測するステップと、配置す
べき機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は最小
感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とをあらかじ
め測定するステップと、前記機器又は素子の磁界に対す
る最大感度方向又は最小感度方向と、正常に動作する許
容磁界強度とを基に、前記測定された磁束方向と磁界強
度とを参照して前記機器又は素子の取り付け位置と配置
方向を決定するステップとを、有する機器又は素子の取
り付け位置及び配置方向決定方法が提供される。
【００１０】また本発明によれば、磁気を発生する装置
と共に用いる機器又は素子を取り付けるに際し、前記装
置の発生する磁束による前記装置の周辺の磁界分布を、
磁束方向と磁界強度として予測するステップと、配置す
べき機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は最小
感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを、当該機
器又は素子の種類又は名称から一義的に与えるステップ
と、前記機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は
最小感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを基
に、前記測定された磁束方向と磁界強度とを参照して前
記機器又は素子の取り付け位置と配置方向を決定するス
テップとを、有する機器又は素子の取り付け位置及び配
置方向決定方法が提供される。
と共に用いる機器又は素子を取り付けるに際し、前記装
置の発生する磁束による前記装置の周辺の磁界分布を、
磁束方向と磁界強度として予測するステップと、配置す
べき機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は最小
感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを、当該機
器又は素子の種類又は名称から一義的に与えるステップ
と、前記機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は
最小感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを基
に、前記測定された磁束方向と磁界強度とを参照して前
記機器又は素子の取り付け位置と配置方向を決定するス
テップとを、有する機器又は素子の取り付け位置及び配
置方向決定方法が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
ましい実施の形態について説明する。図１は本発明に係
る機器又は素子の取り付け位置及び配置方向決定方法の
適用される単結晶成長装置を示す断面図である。いわゆ
るＭＣＺ引上げ法では、原料融液に磁界を加えている
が、かかる単結晶成長装置には、図示省略の各種ソレノ
イドバルブ、リミットスイッチ、モータや回転バルブな
どが配されている。なお、図１中、単結晶成長（製造）
装置３０は、耐圧気密チャンバ３２、石英るつぼ３４、
ペディスタル３６、ヒータ３８、磁界発生装置４０など
を有している。
ましい実施の形態について説明する。図１は本発明に係
る機器又は素子の取り付け位置及び配置方向決定方法の
適用される単結晶成長装置を示す断面図である。いわゆ
るＭＣＺ引上げ法では、原料融液に磁界を加えている
が、かかる単結晶成長装置には、図示省略の各種ソレノ
イドバルブ、リミットスイッチ、モータや回転バルブな
どが配されている。なお、図１中、単結晶成長（製造）
装置３０は、耐圧気密チャンバ３２、石英るつぼ３４、
ペディスタル３６、ヒータ３８、磁界発生装置４０など
を有している。
【００１２】図２はソレノイドバルブ１０と外部磁界の
関係を示す模式図である。ソレノイドバルブ１０はバル
ブを開閉するプランジャ１２と、これを駆動するコイル
１４を有している。いま、ソレノイドバルブ１０の軸に
平行な方向の磁束ＭＦＰと軸に直交する方向の磁束ＭＦ
Ｎを順次与えて、あるいはソレノイドバルブ１０をかか
る磁界に順次配置して、磁界強度を低い値から高くして
いき、ソレノイドバルブ１０が正常に動作する範囲を知
ることができる。コイルの発生する磁力によって、バル
ブの開閉を行うもの、例えばマスフローコントローラな
どはソレノイドバルブ１０と同様に扱うことができる。
関係を示す模式図である。ソレノイドバルブ１０はバル
ブを開閉するプランジャ１２と、これを駆動するコイル
１４を有している。いま、ソレノイドバルブ１０の軸に
平行な方向の磁束ＭＦＰと軸に直交する方向の磁束ＭＦ
Ｎを順次与えて、あるいはソレノイドバルブ１０をかか
る磁界に順次配置して、磁界強度を低い値から高くして
いき、ソレノイドバルブ１０が正常に動作する範囲を知
ることができる。コイルの発生する磁力によって、バル
ブの開閉を行うもの、例えばマスフローコントローラな
どはソレノイドバルブ１０と同様に扱うことができる。
【００１３】図３は回転バルブ１８と外部磁界の関係を
示す模式図であり、また図４は誘導式リミットスイッチ
２２と外部磁界の関係を示す模式図である。図３におい
て２０は回転軸、図４において２４は誘導式リミットス
イッチ２２のセンサとしての指向性を示す方向（最大感
度方向）を軸方向として示している。図２の場合と同様
に、回転バルブ１８と誘導式リミットスイッチ２２のそ
れぞれの軸に平行な方向の磁束ＭＦＰと軸に直交する方
向の磁束ＭＦＮを順次与えて、あるいは回転バルブ１
８、誘導式リミットスイッチ２２をかかる磁界に順次配
置して、磁界強度を低い値から高くしていき、回転バル
ブ１８、誘導式リミットスイッチ２２が正常に動作する
範囲を知ることができる。接近する磁性体を渦電流の発
生によって検知する方式の誘導式リミットセンサなどは
誘導式リミットスイッチ２２と同様に扱うことができ
る。
示す模式図であり、また図４は誘導式リミットスイッチ
２２と外部磁界の関係を示す模式図である。図３におい
て２０は回転軸、図４において２４は誘導式リミットス
イッチ２２のセンサとしての指向性を示す方向（最大感
度方向）を軸方向として示している。図２の場合と同様
に、回転バルブ１８と誘導式リミットスイッチ２２のそ
れぞれの軸に平行な方向の磁束ＭＦＰと軸に直交する方
向の磁束ＭＦＮを順次与えて、あるいは回転バルブ１
８、誘導式リミットスイッチ２２をかかる磁界に順次配
置して、磁界強度を低い値から高くしていき、回転バル
ブ１８、誘導式リミットスイッチ２２が正常に動作する
範囲を知ることができる。接近する磁性体を渦電流の発
生によって検知する方式の誘導式リミットセンサなどは
誘導式リミットスイッチ２２と同様に扱うことができ
る。
【００１４】また図５はディスク型モータ２６と外部磁
界の関係を示す模式図である。図５において２７は回転
子、２８は固定子、２９は回転軸である。ディスク型モ
ータ２６の場合は、固定子２８と回転子２７が作用し合
う面（図５の紙面に垂直な面）に直交する方向の磁束Ｍ
ＦＮには最大感度を示し、固定子２８と回転子２７が作
用し合う面に平行な方向の磁束ＭＦＰには最小低感度を
示す。図２の場合と同様に、固定子２８と回転子２７が
作用し合う面に平行な方向の磁束ＭＦＰとこの面に直交
する方向の磁束ＭＦＮを順次与えて、あるいはディスク
型モータ２６をかかる磁界に配置して、磁界強度を低い
値から高くしていき、ディスク型モータ２６が正常に動
作する範囲を知ることができる。
界の関係を示す模式図である。図５において２７は回転
子、２８は固定子、２９は回転軸である。ディスク型モ
ータ２６の場合は、固定子２８と回転子２７が作用し合
う面（図５の紙面に垂直な面）に直交する方向の磁束Ｍ
ＦＮには最大感度を示し、固定子２８と回転子２７が作
用し合う面に平行な方向の磁束ＭＦＰには最小低感度を
示す。図２の場合と同様に、固定子２８と回転子２７が
作用し合う面に平行な方向の磁束ＭＦＰとこの面に直交
する方向の磁束ＭＦＮを順次与えて、あるいはディスク
型モータ２６をかかる磁界に配置して、磁界強度を低い
値から高くしていき、ディスク型モータ２６が正常に動
作する範囲を知ることができる。
【００１５】なお、一般のモータが上記回転バルブ１８
の場合と同様に回転軸に平行な方向が最小感度方向であ
るのに対して、ディスク型モータ２６は回転軸に平行な
方向が最大感度方向であることから、これら両者を単に
モータとしてとらえると適切な配置方向を誤ることとな
る。そこで、モータや回転バルブ類については、回転軸
を基準にするのではなく、上記ディスクモータ２６で検
討したように、固定子と回転子（すなわち界磁と電機
子）が作用し合う面（作用面）を基準にすると都合がよ
い。なお、ディスクモータ２６のように回転子２７と固
定子２８が軸方向に対峙しているのではなく、回転子と
固定子が半径方向に対峙している通常の構造のモータな
どの場合は、作用面は円筒面であり、回転軸と平行であ
る。
の場合と同様に回転軸に平行な方向が最小感度方向であ
るのに対して、ディスク型モータ２６は回転軸に平行な
方向が最大感度方向であることから、これら両者を単に
モータとしてとらえると適切な配置方向を誤ることとな
る。そこで、モータや回転バルブ類については、回転軸
を基準にするのではなく、上記ディスクモータ２６で検
討したように、固定子と回転子（すなわち界磁と電機
子）が作用し合う面（作用面）を基準にすると都合がよ
い。なお、ディスクモータ２６のように回転子２７と固
定子２８が軸方向に対峙しているのではなく、回転子と
固定子が半径方向に対峙している通常の構造のモータな
どの場合は、作用面は円筒面であり、回転軸と平行であ
る。
【００１６】上記手法により下記のような機器・素子を
例として測定して、次の表１に示す結果が得られた。
例として測定して、次の表１に示す結果が得られた。
【００１７】
【表１】
機器・素子の種類と配置方向 正常動作範囲
ソレノイドバルブ方式のバルブ類
軸方向を磁束方向に直交させたとき ７００ガウス以下
軸方向を磁束方向に平行にしたとき １００ガウス以下
誘導式リミットスイッチ類
軸方向を磁束方向に直交させたとき ９００ガウス以下
軸方向を磁束方向に平行にしたとき ８００ガウス以下
モータや回転バルブ類
作用面を磁束方向に直交させたとき １１００ガウス以下
作用面を磁束方向に平行にしたとき ２９００ガウス以下
【００１８】この結果から、ソレノイドバルブ方式のバ
ルブ類は、ソレノイドコイルの軸方向を磁束方向に直交
させ、モータや回転バルブ類は、その作用面が磁束方向
と平行になるように、さらに誘導式リミットスイッチ類
は、スイッチの軸方向を磁束方向に直交させるようにそ
れぞれ配置することが最も外部磁束の影響を受けないこ
とがわかる。これらの方向は最小感度方向であり、機器
や素子の種類や名称から一義的に定まるので、あらかじ
め機器や素子の種類や名称と、その最小感度方向を表な
どにしておき、単結晶成長装置の製造、組み立て時や修
理時に適用する。また、上記結果の磁界強度から、これ
らの機器や素子が正常に動作する許容磁界強度がわかる
ので、実際に配置する予定の位置にて磁界強度をガウス
メータを用いて測定するか、あるいは、計算により予測
しておく。もし、当該機器や素子の配置する予定の位置
での実測又は予測の磁界強度が最小感度方向に対する許
容置を上回るときは、取り付け位置自体を変更する必要
がある。
ルブ類は、ソレノイドコイルの軸方向を磁束方向に直交
させ、モータや回転バルブ類は、その作用面が磁束方向
と平行になるように、さらに誘導式リミットスイッチ類
は、スイッチの軸方向を磁束方向に直交させるようにそ
れぞれ配置することが最も外部磁束の影響を受けないこ
とがわかる。これらの方向は最小感度方向であり、機器
や素子の種類や名称から一義的に定まるので、あらかじ
め機器や素子の種類や名称と、その最小感度方向を表な
どにしておき、単結晶成長装置の製造、組み立て時や修
理時に適用する。また、上記結果の磁界強度から、これ
らの機器や素子が正常に動作する許容磁界強度がわかる
ので、実際に配置する予定の位置にて磁界強度をガウス
メータを用いて測定するか、あるいは、計算により予測
しておく。もし、当該機器や素子の配置する予定の位置
での実測又は予測の磁界強度が最小感度方向に対する許
容置を上回るときは、取り付け位置自体を変更する必要
がある。
【００１９】このようにして、各機器や素子の取り付け
位置と方向を決定することができ、その結果、これらの
機器や素子は外部磁界の悪影響を受けることなく、正常
に動作し、その本来の機能を発揮することができる。な
お、本発明は強力な磁界の生じるＭＣＺ法による単結晶
引上げ装置に適用できるのみならず、その他の磁界の影
響を受ける可能性のるあらゆる装置、乗物、場所に適用
可能である。
位置と方向を決定することができ、その結果、これらの
機器や素子は外部磁界の悪影響を受けることなく、正常
に動作し、その本来の機能を発揮することができる。な
お、本発明は強力な磁界の生じるＭＣＺ法による単結晶
引上げ装置に適用できるのみならず、その他の磁界の影
響を受ける可能性のるあらゆる装置、乗物、場所に適用
可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、磁
気を発生する装置と共に用いる機器又は素子を取り付け
るに際し、装置の発生する磁束による装置の周辺の磁界
分布を、磁束方向と磁界強度として測定するかあるいは
予測し、配置すべき機器又は素子の磁界に対する最大感
度方向又は最小感度方向と、正常に動作する許容磁界強
度とをあらかじめ測定するかあるいは当該機器又は素子
の種類又は名称から一義的に与え、機器又は素子の磁界
に対する最大感度方向又は最小感度方向と、正常に動作
する許容磁界強度とを基に、測定又は予測された磁束方
向と磁界強度とを参照して機器又は素子の取り付け位置
と配置方向を決定するようにしているので、これらの機
器や素子が磁界の影響を受けて誤動作しないよう、高価
な磁気シールドを施す必要がなくなり、機器や素子を磁
界から遠ざけるために、これらを磁界発生装置から極め
て遠く配置することによる操作性への影響や分散した複
数の機器や素子の面倒なメンテナンスの問題が生じな
い。
気を発生する装置と共に用いる機器又は素子を取り付け
るに際し、装置の発生する磁束による装置の周辺の磁界
分布を、磁束方向と磁界強度として測定するかあるいは
予測し、配置すべき機器又は素子の磁界に対する最大感
度方向又は最小感度方向と、正常に動作する許容磁界強
度とをあらかじめ測定するかあるいは当該機器又は素子
の種類又は名称から一義的に与え、機器又は素子の磁界
に対する最大感度方向又は最小感度方向と、正常に動作
する許容磁界強度とを基に、測定又は予測された磁束方
向と磁界強度とを参照して機器又は素子の取り付け位置
と配置方向を決定するようにしているので、これらの機
器や素子が磁界の影響を受けて誤動作しないよう、高価
な磁気シールドを施す必要がなくなり、機器や素子を磁
界から遠ざけるために、これらを磁界発生装置から極め
て遠く配置することによる操作性への影響や分散した複
数の機器や素子の面倒なメンテナンスの問題が生じな
い。
【図１】本発明に係る機器又は素子の取り付け位置及び
配置方向決定方法の適用される単結晶成長装置を示す断
面図である。
配置方向決定方法の適用される単結晶成長装置を示す断
面図である。
【図２】ソレノイドバルブと外部磁界の関係を示す模式
図である。
図である。
【図３】回転バルブと外部磁界の関係を示す模式図であ
る。
る。
【図４】リミットスイッチと外部磁界の関係を示す模式
図である。
図である。
【図５】ディスク型モータと外部磁界の関係を示す模式
図である。
図である。
１０ ソレノイドバルブ
１２ プランジャ
１４ コイル
１８ 回転バルブ
２０ 回転バルブの回転軸
２２ リミットスイッチ
２４ 最大感度方向
２６ ディスク型モータ
２７ 回転子
２８ 固定子
２９ ディスク型モータの回転軸
３０ 単結晶成長（製造）装置
３２ 耐圧気密チャンバ
３４ 石英るつぼ
３６ ペディスタル
３８ ヒータ
４０ 磁界発生装置
ＭＦＰ 軸に平行な方向の磁束（固定子と回転子が作用
し合う面に平行な方向の磁束） ＭＦＮ 軸に直交する方向の磁束（固定子と回転子が作
用し合う面に直交する方向の磁束）
し合う面に平行な方向の磁束） ＭＦＮ 軸に直交する方向の磁束（固定子と回転子が作
用し合う面に直交する方向の磁束）
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(56)参考文献 特開 昭60−16891（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−199597（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−195595（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−208887（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01F 7/06
Claims (7)
- 【請求項１】 磁気を発生する装置と共に用いる機器又
は素子を取り付けるに際し、 前記装置の発生する磁束による前記装置の周辺の磁界分
布を、磁束方向と磁界強度として測定するステップと、 配置すべき機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又
は最小感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とをあ
らかじめ測定するステップと、 前記機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は最小
感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを基に、前
記測定された磁束方向と磁界強度とを参照して前記機器
又は素子の取り付け位置と配置方向を決定するステップ
とを、 有する機器又は素子の取り付け位置及び配置方向決定方
法。 - 【請求項２】 磁気を発生する装置と共に用いる機器又
は素子を取り付けるに際し、 前記装置の発生する磁束による前記装置の周辺の磁界分
布を、磁束方向と磁界強度として測定するステップと、 配置すべき機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又
は最小感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを、
当該機器又は素子の種類又は名称から一義的に与えるス
テップと、 前記機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は最小
感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを基に、前
記測定された磁束方向と磁界強度とを参照して前記機器
又は素子の取り付け位置と配置方向を決定するステップ
とを、 有する機器又は素子の取り付け位置及び配置方向決定方
法。 - 【請求項３】 磁気を発生する装置と共に用いる機器又
は素子を取り付けるに際し、 前記装置の発生する磁束による前記装置の周辺の磁界分
布を、磁束方向と磁界強度として予測するステップと、 配置すべき機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又
は最小感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とをあ
らかじめ測定するステップと、 前記機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は最小
感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを基に、前
記測定された磁束方向と磁界強度とを参照して前記機器
又は素子の取り付け位置と配置方向を決定するステップ
とを、 有する機器又は素子の取り付け位置及び配置方向決定方
法。 - 【請求項４】 磁気を発生する装置と共に用いる機器又
は素子を取り付けるに際し、 前記装置の発生する磁束による前記装置の周辺の磁界分
布を、磁束方向と磁界強度として予測するステップと、 配置すべき機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又
は最小感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを、
当該機器又は素子の種類又は名称から一義的に与えるス
テップと、 前記機器又は素子の磁界に対する最大感度方向又は最小
感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを基に、前
記測定された磁束方向と磁界強度とを参照して前記機器
又は素子の取り付け位置と配置方向を決定するステップ
とを、 有する機器又は素子の取り付け位置及び配置方向決定方
法。 - 【請求項５】 前記磁界に対する最大感度方向又は最小
感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを、当該機
器又は素子の名称から一義的に与えるステップ中、前記
最小感度方向を、ソレノイド方式のバルブ類のときは、
その軸方向とする請求項２又は４記載の機器又は素子の
取り付け位置及び配置方向決定方法。 - 【請求項６】 前記磁界に対する最大感度方向又は最小
感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを、当該機
器又は素子の名称から一義的に与えるステップ中、前記
最小感度方向を、誘導式リミットスイッチ類のときは、
その軸方向とする請求項２又は４記載の機器又は素子の
取り付け位置及び配置方向決定方法。 - 【請求項７】 前記磁界に対する最大感度方向又は最小
感度方向と、正常に動作する許容磁界強度とを、当該機
器又は素子の名称から一義的に与えるステップ中、前記
最小感度方向を、モータ又は回転バルブ類のときは、そ
の固定子と回転子が作用し合う面と直交する方向とする
請求項２又は４記載の機器又は素子の取り付け位置及び
配置方向決定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09318497A JP3418084B2 (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 機器又は素子の取り付け位置及び配置方向決定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09318497A JP3418084B2 (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 機器又は素子の取り付け位置及び配置方向決定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270237A JPH10270237A (ja) | 1998-10-09 |
| JP3418084B2 true JP3418084B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=14075499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09318497A Expired - Fee Related JP3418084B2 (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 機器又は素子の取り付け位置及び配置方向決定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3418084B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011016414A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Honda Motor Co Ltd | ハイブリッド式鞍乗り型車両 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59199597A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶製造装置 |
| JPS59195595A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-06 | Sony Corp | 結晶成長装置 |
| JPS6016891A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁界印加結晶製造方法および磁界印加結晶製造装置 |
| JP2567539B2 (ja) * | 1992-01-30 | 1996-12-25 | 信越半導体株式会社 | Ｆｚ法シリコン単結晶棒の成長方法及び装置 |
-
1997
- 1997-03-27 JP JP09318497A patent/JP3418084B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10270237A (ja) | 1998-10-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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