JP3416899B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JP3416899B2 JP3416899B2 JP02237696A JP2237696A JP3416899B2 JP 3416899 B2 JP3416899 B2 JP 3416899B2 JP 02237696 A JP02237696 A JP 02237696A JP 2237696 A JP2237696 A JP 2237696A JP 3416899 B2 JP3416899 B2 JP 3416899B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信に用いる半
導体レーザに関する。
導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から光通信の分野では、その伝送路
である光ファイバの損失が小さい波長１．３μｍから
１．６５μｍの領域の半導体レーザが光源として用いら
れている。そして、これらの半導体レーザにはＧａＩｎ
ＡｓＰ半導体混晶が用いられ、信頼性を含め良好な特性
が得られている。一方、通信に供せられる情報量が膨大
になるにつれて、従来の一個の波長を使う光通信方式か
ら、多数の波長を使って通信情報量を増大させる波長多
重通信方式が注目を集めている。この場合、波長は時間
経過に対して常に一定である必要がある。しかし、Ｇａ
ＩｎＡｓＰ半導体レーザは周囲の温度変動にしたがっ
て、その波長が変動するという欠点を持っている。その
ために、波長多重通信方式にＧａＩｎＡｓＰ半導体レー
ザを用いる場合、その温度を一定とするためペルチエ素
子上に搭載する必要があるけれども、このような構成は
装置全体の寸法を大きくし、また生産コストを上昇させ
てしまうという問題点があった。
である光ファイバの損失が小さい波長１．３μｍから
１．６５μｍの領域の半導体レーザが光源として用いら
れている。そして、これらの半導体レーザにはＧａＩｎ
ＡｓＰ半導体混晶が用いられ、信頼性を含め良好な特性
が得られている。一方、通信に供せられる情報量が膨大
になるにつれて、従来の一個の波長を使う光通信方式か
ら、多数の波長を使って通信情報量を増大させる波長多
重通信方式が注目を集めている。この場合、波長は時間
経過に対して常に一定である必要がある。しかし、Ｇａ
ＩｎＡｓＰ半導体レーザは周囲の温度変動にしたがっ
て、その波長が変動するという欠点を持っている。その
ために、波長多重通信方式にＧａＩｎＡｓＰ半導体レー
ザを用いる場合、その温度を一定とするためペルチエ素
子上に搭載する必要があるけれども、このような構成は
装置全体の寸法を大きくし、また生産コストを上昇させ
てしまうという問題点があった。
【０００３】この問題点を改善するために、発振波長が
温度変動によらず一定である半導体レーザを用いること
が提案されている。例えば、特願平７−１１９７１７号
では、Ｈｇ0.4 Ｃｄ0.6 Ｔｅ混晶のように、そのバンド
・ギャップ幅が、温度が変化しても一定である材料を半
導体レーザの活性層に用いることによって、発振波長が
温度変動によらず一定である半導体レーザを構成する。
温度変動によらず一定である半導体レーザを用いること
が提案されている。例えば、特願平７−１１９７１７号
では、Ｈｇ0.4 Ｃｄ0.6 Ｔｅ混晶のように、そのバンド
・ギャップ幅が、温度が変化しても一定である材料を半
導体レーザの活性層に用いることによって、発振波長が
温度変動によらず一定である半導体レーザを構成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特願平７−１
１９７１７号に開示されているＨｇＣｄＴｅ混晶やＨｇ
ＣｄＳｅ混晶は結晶成長が難しく、高性能の半導体レー
ザを歩留りよく作製することは、きわめて困難である。
１９７１７号に開示されているＨｇＣｄＴｅ混晶やＨｇ
ＣｄＳｅ混晶は結晶成長が難しく、高性能の半導体レー
ザを歩留りよく作製することは、きわめて困難である。
【０００５】したがって、本発明は以上の点に鑑みてな
されたものであり、温度変動に対して波長が一定の半導
体レーザを再現性よく得ることを目的とする。
されたものであり、温度変動に対して波長が一定の半導
体レーザを再現性よく得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は半導体レーザの活性層や光ガイド層に温度
が変化しても、そのバンド・ギャップ幅が変化しない半
導体材料を用いる。
に、本発明は半導体レーザの活性層や光ガイド層に温度
が変化しても、そのバンド・ギャップ幅が変化しない半
導体材料を用いる。
【０００７】すなわち、請求項１記載の発明では、Ｉｎ
Ｐ基板上に形成され、１．３μｍから１．６５μｍの波
長帯で使用される半導体レーザであって、Ｔｌを含みＩ
ｎＰと格子整合するIII-Ｖ族半導体混晶からなる活性層
と、Ｔｌを含みまたは含まずＩｎＰと格子整合するIII-
Ｖ族半導体混晶からなる他の層とを有する二重ヘテロ構
造を有し、前記Ｔｌを含みＩｎＰと格子整合するIII-Ｖ
族半導体混晶は、少なくともＧａまたはＡｌの何れか一
方を含む混晶であることを特徴とする。好ましくは、前
記Ｔｌを含みＩｎＰと格子整合するIII-Ｖ族半導体混晶
はＧａ １−ｘ−ｙ Ｉｎ ｘ Ｔｌ ｙ Ｐ（但し１−ｘ−ｙ＞
０）、Ａｌ １−ｘ−ｙ Ｉｎ ｘ Ｔｌ ｙ Ａｓ（但し１−ｘ−
ｙ＞０）、またはＡｌ １−ｘ−ｙ−ｚ Ｇａ ｘ Ｉｎ ｙ Ｔｌ
ｚ Ｐ １−ｕ Ａｓ ｕ （但し１−ｘ−ｙ−ｚ＞０、かつ、ｘ
＞０）である。
Ｐ基板上に形成され、１．３μｍから１．６５μｍの波
長帯で使用される半導体レーザであって、Ｔｌを含みＩ
ｎＰと格子整合するIII-Ｖ族半導体混晶からなる活性層
と、Ｔｌを含みまたは含まずＩｎＰと格子整合するIII-
Ｖ族半導体混晶からなる他の層とを有する二重ヘテロ構
造を有し、前記Ｔｌを含みＩｎＰと格子整合するIII-Ｖ
族半導体混晶は、少なくともＧａまたはＡｌの何れか一
方を含む混晶であることを特徴とする。好ましくは、前
記Ｔｌを含みＩｎＰと格子整合するIII-Ｖ族半導体混晶
はＧａ １−ｘ−ｙ Ｉｎ ｘ Ｔｌ ｙ Ｐ（但し１−ｘ−ｙ＞
０）、Ａｌ １−ｘ−ｙ Ｉｎ ｘ Ｔｌ ｙ Ａｓ（但し１−ｘ−
ｙ＞０）、またはＡｌ １−ｘ−ｙ−ｚ Ｇａ ｘ Ｉｎ ｙ Ｔｌ
ｚ Ｐ １−ｕ Ａｓ ｕ （但し１−ｘ−ｙ−ｚ＞０、かつ、ｘ
＞０）である。
【０００８】また、請求項５に記載の発明は、ＩｎＰ基
板上に形成され、１．３μｍから１．６５μｍの波長帯
で使用される半導体レーザであって、活性層としてＴｌ
を含みＩｎＰと略格子整合するIII-Ｖ族半導体混晶から
なる井戸層と、Ｔｌを含みまたは含まずＩｎＰと略格子
整合するIII-Ｖ族半導体混晶からなる障壁層とを有する
量子井戸構造を有し、前記Ｔｌを含みＩｎＰと略格子整
合するIII-Ｖ族半導体混晶は、少なくともＧａまたはＡ
ｌの何れか一方を含む混晶であることを特徴とする。好
ましくは、前記Ｔｌを含みＩｎＰと略格子整合するIII-
Ｖ族半導体混晶はＧａ １−ｘ−ｙ Ｉｎ ｘ Ｔｌ ｙ Ｐ（但し
１−ｘ−ｙ＞０）、Ａｌ １−ｘ−ｙ Ｉｎ ｘ Ｔｌ ｙ Ａｓ
（但し１−ｘ−ｙ＞０）、またはＡｌ １−ｘ−ｙ−ｚ Ｇ
ａ ｘ Ｉｎ ｙ Ｔｌ ｚ Ｐ １−ｕ Ａｓ ｕ （但し１−ｘ−ｙ−ｚ
＞０、かつ、ｘ＞０）である。
板上に形成され、１．３μｍから１．６５μｍの波長帯
で使用される半導体レーザであって、活性層としてＴｌ
を含みＩｎＰと略格子整合するIII-Ｖ族半導体混晶から
なる井戸層と、Ｔｌを含みまたは含まずＩｎＰと略格子
整合するIII-Ｖ族半導体混晶からなる障壁層とを有する
量子井戸構造を有し、前記Ｔｌを含みＩｎＰと略格子整
合するIII-Ｖ族半導体混晶は、少なくともＧａまたはＡ
ｌの何れか一方を含む混晶であることを特徴とする。好
ましくは、前記Ｔｌを含みＩｎＰと略格子整合するIII-
Ｖ族半導体混晶はＧａ １−ｘ−ｙ Ｉｎ ｘ Ｔｌ ｙ Ｐ（但し
１−ｘ−ｙ＞０）、Ａｌ １−ｘ−ｙ Ｉｎ ｘ Ｔｌ ｙ Ａｓ
（但し１−ｘ−ｙ＞０）、またはＡｌ １−ｘ−ｙ−ｚ Ｇ
ａ ｘ Ｉｎ ｙ Ｔｌ ｚ Ｐ １−ｕ Ａｓ ｕ （但し１−ｘ−ｙ−ｚ
＞０、かつ、ｘ＞０）である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の半導体レーザは、１．３
μｍから１．６５μｍの波長帯で使用される半導体レー
ザであって、Ｔｌ（タリウム）を含むIII-V 族半導体混
晶からなる活性層と、Ｔｌを含むまたは含まないIII-V
族半導体混晶からなる他の層（クラッド層等）とを有す
る二重ヘテロ構造か、あるいは活性層としてＴｌを含む
III-V族半導体混晶からなる井戸層と、Ｔｌを含むまた
は含まないIII-V 族半導体混晶からなる障壁層とを有す
る量子井戸構造からなる。すなわち、本発明によれば、
温度が変化してもそのバンド・ギャップ幅が変化しない
Ｔｌを含む半導体材料を少なくとも活性層に用いること
により、そのレーザ発振波長を温度変化にかかわらず再
現性よく一定とする。
μｍから１．６５μｍの波長帯で使用される半導体レー
ザであって、Ｔｌ（タリウム）を含むIII-V 族半導体混
晶からなる活性層と、Ｔｌを含むまたは含まないIII-V
族半導体混晶からなる他の層（クラッド層等）とを有す
る二重ヘテロ構造か、あるいは活性層としてＴｌを含む
III-V族半導体混晶からなる井戸層と、Ｔｌを含むまた
は含まないIII-V 族半導体混晶からなる障壁層とを有す
る量子井戸構造からなる。すなわち、本発明によれば、
温度が変化してもそのバンド・ギャップ幅が変化しない
Ｔｌを含む半導体材料を少なくとも活性層に用いること
により、そのレーザ発振波長を温度変化にかかわらず再
現性よく一定とする。
【００１０】以下、本発明を図面に示す実施例に基づき
詳細に説明する。図１は本発明にもとづく半導体レーザ
の一例を説明するための断面図である。図中、参照符号
１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型Ｇａ1-x'-y' Ｉｎx'Ｔｌ
y'Ｐ光ガイド層、３はノンドープのＧａ1-x-y Ｉｎx Ｔ
ｌy Ｐ活性層、４はｐ型Ｇａ1-x'-y' Ｉｎx'Ｔｌy'Ｐ光
ガイド層、５はｐ型ＩｎＰクラッド層、６はｐ+ 型Ｉｎ
ＧａＡｓキャップ層、７はｎ型電極、そして８はｐ型電
極を示している。この半導体レーザは、ＧａＡｓレーザ
でよく知られている光キャリア分離閉じ込め型構造を適
用したものである。したがって、この構造によって定し
きい値のレーザが実現できる。
詳細に説明する。図１は本発明にもとづく半導体レーザ
の一例を説明するための断面図である。図中、参照符号
１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型Ｇａ1-x'-y' Ｉｎx'Ｔｌ
y'Ｐ光ガイド層、３はノンドープのＧａ1-x-y Ｉｎx Ｔ
ｌy Ｐ活性層、４はｐ型Ｇａ1-x'-y' Ｉｎx'Ｔｌy'Ｐ光
ガイド層、５はｐ型ＩｎＰクラッド層、６はｐ+ 型Ｉｎ
ＧａＡｓキャップ層、７はｎ型電極、そして８はｐ型電
極を示している。この半導体レーザは、ＧａＡｓレーザ
でよく知られている光キャリア分離閉じ込め型構造を適
用したものである。したがって、この構造によって定し
きい値のレーザが実現できる。
【００１１】ここで、活性層や光ガイド層に用いたＧａ
1-x-y Ｉｎx Ｔｌy Ｐ混晶は、組成によりそのバンド・
ギャップが異なる。図２に、この混晶系の格子定数とバ
ンド・ギャップの関係を示すが、この図より、波長が
１．２μｍから１．６５μｍに対応し、その格子定数が
ＩｎＰに等しい混晶が得られることがわかる。このよう
な組成の混晶を活性層や光ガイド層に用いることによ
り、発振波長１．３μｍから１．６５μｍの半導体レー
ザを得ることができる。そして、この波長を与えるＧａ
1-x-y Ｉｎx Ｔｌy Ｐ混晶のバンド・ギャップは特異な
性質を持つことがわかった。当業者によく知られたＧａ
ＡｓやＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ等の III-V半導体は温度
が上昇するとそのバンド・ギャップは小さくなるが、こ
のＧａ1-x-y Ｉｎx Ｔｌy Ｐ混晶のそれは、温度が上昇
しても一定のままである。この原因は、この混晶を構成
するＴｌＰは負のバンド・ギャップを持っており、その
構成に寄与している電子の波動関数は、通常の正のバン
ド・ギャップを形成しているものと伝導帯、価電子帯が
逆になっているからである。つまり、Ｔｌを含むIII-V
族混晶の価電子帯、伝導帯を形成する電子の波動関数
は、逆の性質が入り交じったものとなり、温度変化に対
してバンド・ギャップが一定となる、と考えられる。
1-x-y Ｉｎx Ｔｌy Ｐ混晶は、組成によりそのバンド・
ギャップが異なる。図２に、この混晶系の格子定数とバ
ンド・ギャップの関係を示すが、この図より、波長が
１．２μｍから１．６５μｍに対応し、その格子定数が
ＩｎＰに等しい混晶が得られることがわかる。このよう
な組成の混晶を活性層や光ガイド層に用いることによ
り、発振波長１．３μｍから１．６５μｍの半導体レー
ザを得ることができる。そして、この波長を与えるＧａ
1-x-y Ｉｎx Ｔｌy Ｐ混晶のバンド・ギャップは特異な
性質を持つことがわかった。当業者によく知られたＧａ
ＡｓやＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ等の III-V半導体は温度
が上昇するとそのバンド・ギャップは小さくなるが、こ
のＧａ1-x-y Ｉｎx Ｔｌy Ｐ混晶のそれは、温度が上昇
しても一定のままである。この原因は、この混晶を構成
するＴｌＰは負のバンド・ギャップを持っており、その
構成に寄与している電子の波動関数は、通常の正のバン
ド・ギャップを形成しているものと伝導帯、価電子帯が
逆になっているからである。つまり、Ｔｌを含むIII-V
族混晶の価電子帯、伝導帯を形成する電子の波動関数
は、逆の性質が入り交じったものとなり、温度変化に対
してバンド・ギャップが一定となる、と考えられる。
【００１２】このようにして得られた波長１．３μｍか
ら１．６５μｍの半導体レーザは、その活性層や光ガイ
ド層のバンド・ギャップが温度により変化しないので、
温度によらず、同じ発振波長を与える。実際の応用にお
いては、図１中、参照符号４で示したｐ型Ｇａ1-x-y Ｉ
ｎx Ｔｌy Ｐ光ガイド層上に回折格子を形成した分布期
間型半導体レーザを使うことになる。分布帰還型レーザ
では単一波長のレーザが実現でき、回折格子のピッチを
ずらすことによって、任意の波長で発振し、温度によら
ず一定波長を維持する半導体レーザを得ることができる
ので、波長多重を利用した光通信システムに対して有用
である。
ら１．６５μｍの半導体レーザは、その活性層や光ガイ
ド層のバンド・ギャップが温度により変化しないので、
温度によらず、同じ発振波長を与える。実際の応用にお
いては、図１中、参照符号４で示したｐ型Ｇａ1-x-y Ｉ
ｎx Ｔｌy Ｐ光ガイド層上に回折格子を形成した分布期
間型半導体レーザを使うことになる。分布帰還型レーザ
では単一波長のレーザが実現でき、回折格子のピッチを
ずらすことによって、任意の波長で発振し、温度によら
ず一定波長を維持する半導体レーザを得ることができる
ので、波長多重を利用した光通信システムに対して有用
である。
【００１３】本発明の第２の実施例は、構造は図１に示
した第１の実施例と同じであるが、そこに使う活性層、
光ガイド層をＡｌ1-x-y Ｉｎx Ｔｌy Ａｓ混晶で形成す
るものである。図３に、この混晶系の格子定数とバンド
・ギャップの関係を示すが、波長が１．２μｍから１．
６５μｍに対応し、その格子定数がＩｎＰに等しい混晶
が得られることがわかる。このようにＡｌ1-x-y Ｉｎx
Ｔｌy Ａｓ混晶を用いても第一の実施例と同じく、波長
が温度にかかわらず一定の半導体レーザを得ることがで
きる。
した第１の実施例と同じであるが、そこに使う活性層、
光ガイド層をＡｌ1-x-y Ｉｎx Ｔｌy Ａｓ混晶で形成す
るものである。図３に、この混晶系の格子定数とバンド
・ギャップの関係を示すが、波長が１．２μｍから１．
６５μｍに対応し、その格子定数がＩｎＰに等しい混晶
が得られることがわかる。このようにＡｌ1-x-y Ｉｎx
Ｔｌy Ａｓ混晶を用いても第一の実施例と同じく、波長
が温度にかかわらず一定の半導体レーザを得ることがで
きる。
【００１４】以上の説明においては、活性層や光ガイド
層には、Ｇａ１−ｘ−ｙＩｎｘＴｌｙＰあるいはＡｌ
１−ｘ−ｙＩｎｘＴｌｙＡｓ混晶を用いていたが、その
かわりに同じ材料を用いた量子井戸構造とすることがで
きる。すなわち、活性層としてＴｌを含むIII-Ｖ族半導
体混晶からなる井戸層と、Ｔｌを含むまたは含まないII
I-Ｖ族半導体混晶からなる障壁層とを有する量子井戸構
造とする。この場合、量子井戸構造を形成する井戸層や
障壁層はＩｎＰと格子定数が一致している必要はなく、
ミスフィット転位ができない範囲で違っていてもよい。
層には、Ｇａ１−ｘ−ｙＩｎｘＴｌｙＰあるいはＡｌ
１−ｘ−ｙＩｎｘＴｌｙＡｓ混晶を用いていたが、その
かわりに同じ材料を用いた量子井戸構造とすることがで
きる。すなわち、活性層としてＴｌを含むIII-Ｖ族半導
体混晶からなる井戸層と、Ｔｌを含むまたは含まないII
I-Ｖ族半導体混晶からなる障壁層とを有する量子井戸構
造とする。この場合、量子井戸構造を形成する井戸層や
障壁層はＩｎＰと格子定数が一致している必要はなく、
ミスフィット転位ができない範囲で違っていてもよい。
【００１５】さらに、活性層、光ガイド層として、Ｇａ
1-x-y Ｉｎx Ｔｌy Ｐ，Ａｌ1-x-yＩｎx Ｔｌy Ａｓの
混晶であるＡｌ1-x-y-z Ｇａx Ｉｎy ＴｌｚＰ1-u Ａｓ
u を用いることもできる。
1-x-y Ｉｎx Ｔｌy Ｐ，Ａｌ1-x-yＩｎx Ｔｌy Ａｓの
混晶であるＡｌ1-x-y-z Ｇａx Ｉｎy ＴｌｚＰ1-u Ａｓ
u を用いることもできる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明は、温
度が変化してもそのバンド・ギャップ幅が変化しないＴ
ｌを含む半導体材料を少なくとも活性層に用いることに
より、そのレーザ発振波長を温度変化にかかわらず再現
性よく一定とすることができる利点がある。
度が変化してもそのバンド・ギャップ幅が変化しないＴ
ｌを含む半導体材料を少なくとも活性層に用いることに
より、そのレーザ発振波長を温度変化にかかわらず再現
性よく一定とすることができる利点がある。
【図１】本発明の第一の実施例を説明するレーザ層構造
の断面図である。
の断面図である。
【図２】Ｇａ1-x-y Ｉｎx Ｔｌy Ｐ混晶の格子定数とバ
ンド・ギャップの関係図である。
ンド・ギャップの関係図である。
【図３】Ａｌ1-x-y Ｉｎx Ｔｌy Ａｓ混晶の格子定数と
バンド・ギャップの関係図である。
バンド・ギャップの関係図である。
１ ｎ型ＩｎＰ基板
２ ｎ型Ｇａ1-x'-y' Ｉｎx'Ｔｌy'Ｐ光ガイド層
３ ノンドープＧａ1-x-y Ｉｎx Ｔｌy Ｐ活性層
４ ｐ型Ｇａ1-x'-y' Ｉｎx'Ｔｌy'Ｐ光ガイド層
５ ｐ型ＩｎＰクラッド層
６ ｐ+ 型ＩｎＧａＡｓキャップ層
７ ｎ型電極
８ ｐ型電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01S 5/00 - 5/50
H01L 33/00
Claims (8)
- 【請求項１】 ＩｎＰ基板上に形成され、１．３μｍか
ら１．６５μｍの波長帯で使用される半導体レーザであ
って、Ｔｌを含みＩｎＰと格子整合する III-Ｖ族半導体混晶か
らなる活性層と、Ｔｌを含みまたは含まずＩｎＰと格子
整合するIII-Ｖ族半導体混晶からなる他の層とを有する
二重ヘテロ構造を有し、 前記Ｔｌを含みＩｎＰと格子整合するIII-Ｖ族半導体混
晶は、少なくともＧａまたはＡｌの何れか一方を含む混
晶である ことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記Ｔｌを含みＩｎＰと格子整合するII
I-Ｖ族半導体混晶はＧａ１−ｘ−ｙＩｎｘＴｌｙＰ（但
し１−ｘ−ｙ＞０）であることを特徴とする請求項１に
記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記Ｔｌを含みＩｎＰと格子整合するII
I-Ｖ族半導体混晶はＡｌ１−ｘ−ｙＩｎｘＴｌｙＡｓ
（但し１−ｘ−ｙ＞０）であることを特徴とする請求項
１に記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 前記Ｔｌを含みＩｎＰと格子整合するII
I-Ｖ族半導体混晶はＡｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＴ
ｌｚＰ１−ｕＡｓｕ （但し１−ｘ−ｙ−ｚ＞０、かつ、
ｘ＞０）であることを特徴とする請求項１に記載の半導
体レーザ。 - 【請求項５】 ＩｎＰ基板上に形成され、１．３μｍか
ら１．６５μｍの波長帯で使用される半導体レーザであ
って、 活性層としてＴｌを含みＩｎＰと略格子整合するIII-Ｖ
族半導体混晶からなる井戸層と、Ｔｌを含みまたは含ま
ずＩｎＰと略格子整合するIII-Ｖ族半導体混晶からなる
障壁層とを有する量子井戸構造を有し、 前記Ｔｌを含みＩｎＰと略格子整合するIII-Ｖ族半導体
混晶は、少なくともＧａまたはＡｌの何れか一方を含む
混晶である ことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項６】 前記Ｔｌを含みＩｎＰと略格子整合する
III-Ｖ族半導体混晶はＧａ１−ｘ−ｙＩｎｘＴｌｙＰ
（但し１−ｘ−ｙ＞０）であることを特徴とする請求項
５に記載の半導体レーザ。 - 【請求項７】 前記Ｔｌを含みＩｎＰと略格子整合する
III-Ｖ族半導体混晶はＡｌ１−ｘ−ｙＩｎｘＴｌｙＡｓ
（但し１−ｘ−ｙ＞０）であることを特徴とする請求項
５に記載の半導体レーザ。 - 【請求項８】 前記Ｔｌを含みＩｎＰと略格子整合する
III-Ｖ族半導体混晶はＡｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙ
ＴｌｚＰ１−ｕＡｓｕ （但し１−ｘ−ｙ−ｚ＞０、か
つ、ｘ＞０）であることを特徴とする請求項５に記載の
半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02237696A JP3416899B2 (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02237696A JP3416899B2 (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219561A JPH09219561A (ja) | 1997-08-19 |
| JP3416899B2 true JP3416899B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=12080930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02237696A Expired - Fee Related JP3416899B2 (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3416899B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6501776B1 (en) | 1999-01-29 | 2002-12-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Temperature-insensitive semiconductor laser |
| EP1501118B1 (en) | 1999-03-17 | 2009-10-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor base and its manufacturing method, and semiconductor crystal manufacturing method |
| JP2005064080A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-02-08 JP JP02237696A patent/JP3416899B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１９９４年，６５［２１］，ｐ．２７１４−２７１６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09219561A (ja) | 1997-08-19 |
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