JP3406233B2 - 光重合性組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、光重合性組成物に
関し、特に基板との密着性に優れるとともに、焼き飛び
性が高く、良好な形状を有するパターンが形成できる光
重合性組成物に関する。 【０００２】 【従来技術】従来から光重合性組成物は、製版用レジス
ト、微細加工用レジスト、感光性塗料のワニス、ガラス
の接着剤など幅広く使用されている。かかる光重合性組
成物は、高分子バインダー、光重合性単量体及び光重合
開始剤を含有する組成物であるのが一般的であるが、中
でも光重合性単量体がアクリル酸、メタクリル酸、２−
ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチル
メタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリメタクリレートなどのア
クリル系化合物である光重合性組成物は電子部品製造な
どの微細加工用レジストとして好ましく使用されてい
る。 【０００３】上記アクリル系光重合性単量体を含有する
光重合性組成物を用いた微細加工は、光重合性組成物か
らなるパターンを基板上に形成したのち、そのパターン
をマスクとして基板を加工するいわゆるリソグラリフィ
処理が普通であるが、近年、この微細加工技術が一段と
進展し、より微細な加工が要望されるようになってきた
のに伴い、光重合性組成物に要求される特性も感度、解
像性とともに、基板との密着性、基板の加工後に不用と
なった残存パターンを除去するための焼成による焼き飛
び性も要求されるようになってきた。従来の高分子バイ
ンダー、アクリル系化合物及び光重合開始剤を含有する
光重合性組成物は、感度、解像性などに優れているが、
基板との密着性、焼き飛び性が十分でなく、これら特性
にも優れた光重合性組成物の提供が熱望されていた。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者等は、鋭意研究を続けた結果、光重合性単量体
として特定のサリチル酸エステル及びフタル酸ジエステ
ルを用いることで、基板との密着性に優れるとともに、
焼き飛び性の高い光重合性組成物が得られることを見出
し、本発明を完成したものである。 【０００５】すなわち、本発明は、感度、解像性に優
れ、かつ基板との密着性、焼き飛び性にも優れた光重合
性組成物を提供することを目的とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、（Ａ）高分子バインダー、（Ｂ）光重合性単量体
及び（Ｃ）光重合開始剤を含有する光重合性組成物にお
いて、前記（Ｂ）光重合性単量体が一般式化２ 【０００７】 【化２】 （式中、Ｒ¹は、置換基を有してもよい炭素数２〜５の
アルキレン基（該置換基は水酸基、ハロゲン原子、水酸
基を有してもよい炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１
〜５のアルコキシ基、−ＯＣＯＮＨＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＯ
ＣＲ²＝ＣＨ₂、−（ＣＨ₂ＯＣＯＣＲ²＝ＣＨ₂）_mで、ｍ
は１または２である。）または−ＣＨ₂Ｏ−基を示し、
ｎは２〜１０の整数を示し、Ｒ²は、水素原子、水酸基
を有してもよい炭素数１〜５のアルキル基を示す。）で
表される官能基を１乃至５個有するサリチル酸エステル
及びフタル酸ジエステルから選ばれる少なくとも１種で
あることを特徴とする光重合性組成物に係る。 【０００８】以下、本発明を詳細に述べる。本発明の光
重合性組成物は、上述のとおり（Ａ）高分子バインダ
ー、（Ｂ）光重合性単量体及び（Ｃ）光重合開始剤を含
有する光重合性組成物であるが、前記（Ａ）成分として
は、具体的にヒドロキシプロピルセルロース、エチルヒ
ドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチル
セルロースフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセル
ロースアセテートから選ばれるセルロース誘導体を挙げ
ることができる。前記セルロース誘導体は単独でもまた
２種以上を組合せて使用してもよい。また、それ以外
に、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、メ
タクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エ
チル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリ
ル酸イソブチル、メタクリル酸イソブチル、フマル酸モ
ノメチル、フマル酸モノエチル、フマル酸モノプロピ
ル、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マ
レイン酸モノプロピル、ソルビン酸、ヒドロキシメチル
アクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２
−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプ
ロピルメタクリレート、ヒドロキノンモノアクリレー
ト、ヒドロキノンモノメタクリレート、ヒドロキノンジ
アクリレート、ヒドロキノンジ２−ヒドロキシエチルア
クリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２
−ヒドロキシプロピルメタクリレート、Ｎ−ブチルアク
リレート、Ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルアク
リート、イソブチルメタクリレート、２−エチルヘキシ
ルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、
ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、ベン
ジルメタクリレート、フェノキシアクリレート、フェノ
キシメタクリレート、イソボルニルアクリレート、イソ
ボルニルメタクリレート、エチレングリコールジメタク
リレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ト
リエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレ
ングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコー
ルジメタクリレート、ブチレングリコールジメタクリレ
ート、プロピレングリコールジアクリレート、プロピレ
ングリコールジメタクリレート、トリメチロールエタン
トリアクリレート、トリメチロールエタントリメタクリ
レート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ト
リメチロールプロパントリメタクリレート、テトラメチ
ロールプロパンテトラアクリレート、テトラメチロール
プロパンテトラメタクリレート、１，６−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタ
クリレート、カルドエポキシジアクリレート、グリシジ
ルメタクリレート、グリシジルメタクリレートエチレン
グリコールジアクリレート、これら例示化合物の（メ
タ）アクリレートをフマレートに代えたフマル酸エステ
ル、マレエートに代えたマレイン酸エステル、クロトネ
ートに代えたクロトン酸エステル、イタコネートに代え
たイタコン酸エステル、ウレタンメタクリレート、スチ
レン、アクリルアミド、メタクリルアミド、アクリロニ
トリル、メタクリロニトリルなどの重合体又は共重合体
を（Ａ）成分に含有させることができる。前記高分子バ
インダーは単独でもまた２種以上を組合せて使用しても
よい。 【０００９】上記高分子バインダーの含有量は、（Ａ）
高分子バインダー、（Ｂ）光重合性単量体及び（Ｃ）光
重合開始剤の総和１００重量部中、１０〜９５重量部の
範囲で含有することができる。 【００１０】また、（Ｂ）光重合性単量体は、一般式化
３ 【００１１】 【化３】 （式中、Ｒ¹は、置換基を有してもよい炭素数２〜１０
のアルキレン基（該置換基は水酸基、ハロゲン原子、水
酸基を有してもよい炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数１〜１０のアルコキシ基、−ＯＣＯＮＨＯＣＨ₂ＣＨ₂
ＯＣＯＣＲ²＝ＣＨ₂、−（ＣＨ₂ＯＣＯＣＲ²＝ＣＨ₂）_m
で、ｍは１または２である。）または−ＣＨ₂Ｏ−基を
示し、ｎは２〜１０の整数を示し、Ｒ²は、水素原子、
水酸基を有してもよい炭素数１〜１０のアルキル基を示
す。）で表される官能基を１乃至５個有するサリチル酸
エステル及びフタル酸ジエステルから選ばれる少なくと
も１種であるが、（Ｂ）光重合性単量体を含有すること
で光重合性組成物で形成したパターンの基板との密着性
がよい上に、焼き飛び性も優れ、精密加工を良好に行う
ことができる。前記一般式化３で表される官能基を２乃
至５個有するサリチル酸エステル及びフタル酸ジエステ
ルのうちサリチル酸エステルの具体例としては、化４の
化合物が挙げられ、 【００１２】 【化４】 また、フタル酸ジエステルとしては、具体的に化５〜１
０の化合物を挙げることができる。 【００１３】 【化５】 【００１４】 【化６】 【００１５】 【化７】 【００１６】 【化８】 【００１７】 【化９】 【００１８】 【化１０】 【００１９】 【化１１】 【００２０】上記（Ｂ）光重合性単量体の含有量は、
（Ａ）高分子バインダー、（Ｂ）光重合性単量体及び
（Ｃ）光重合開始剤の総和１００重量部中、２０〜９５
重量部の範囲で含有することができる。（Ｂ）光重合性
単量体が前記範囲未満では、光重合性組成物の向上が望
めず、また前記範囲を超えると焼き飛び性が悪くなり好
ましくない。 【００２１】本発明の光重合性組成物は、上記（Ｂ）光
重合性単量体以外に、塗膜特性を向上させるため公知の
光重合性単量体を本発明の目的を損なわない範囲内で含
有できる。前記光重合性単量体としては、例えばエチレ
ングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメ
タクリレート、トリエチレングリコールジアクリレー
ト、トリエチレングリコールジメタクリレート、トリメ
チロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプ
ロパントリメタクリレート、トリメチロールエタントリ
アクリレート、トリメチロールエタントリメタクリレー
ト、トリメチロールエタントリメタクリレート、ペンタ
エリスリトールジアクリレート、ペンタエリスリトール
ジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレ
ート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペン
タエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリ
トールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトール
テトラアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラメ
タクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレ
ート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタ
エリスリトールヘキサメタクリレート、グリセロールア
クリレート、グリセロールメタクリレート、カルドエポ
キシジアクリレート、これら例示化合物の（メタ）アク
リレートをフマレートに代えたフマル酸エステル、イタ
コネートに代えたイタコン酸エステル、マレエートに代
えたマレイン酸エステルなどが挙げられる。 【００２２】上記塗膜形成能を有する光重合性単量体の
含有量は、（Ａ）高分子バインダー、（Ｂ）光重合性単
量体及び（Ｃ）光重合開始剤の総和１００重量部中、０
〜９５重量部の範囲で含有することができる。 【００２３】さらに、光重合開始剤としては、２，４−
ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メト
キシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリ
クロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）フェ
ニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチ
ル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニ
ル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル
−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル
−ｓ−トリアジン、ビス（シクロペンタジエニル）−ビ
ス〔２，６−ジフルオロ−３−（ピル−１−イル）フェ
ニル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス
〔２，６−ジフルオロ−２−（ピル−１−イル）フェニ
ル〕チタン、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス
（２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル）チタ
ン、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス〔２，５−ジ
フルオロ−３−（ピル−１−イル）フェニル〕チタン、
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２
−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、
２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２
−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２
−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）
−ブタン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１
−フェニルプロパン−１−オン、２，４，６−トリメチ
ルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、１−〔４
−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル〕−２−ヒドロ
キシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２，４−
ジエチルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサン
トン、２−クロロチオキサントン、１−クロロ−４−プ
ロポキシチオキサントン、３，３−ジメチル−４−メト
キシベンゾフェノン、ベンゾフェノン、１−（４−イソ
プロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロ
パン−１−オン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−
ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−ベン
ゾイル−４’−メチルジメチルスルフィド、４−ジメチ
ルアミノ安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸メチ
ル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチル
アミノ安息香酸ブチル、４−ジメチルアミノ安息香酸−
２−エチルヘキシル、４−ジメチルアミノ安息香酸−２
−イソアミル、２，２−ジエトキシアセトフェノン、ベ
ンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチ
ルアセタール、１−フェニル−１，２−プロパンジオン
−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ｏ−ベン
ゾイル安息香酸メチル、ビス（４−ジメチルアミノフェ
ニル）ケトン、４，４’−ビスジエチルアミノベンゾフ
ェノン、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエー
テル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロ
ピルエーテル、ベンゾイン−ｎ−ブチルエーテル、ベン
ゾインイソブチルエーテル、ｐ−ジメチルアミノアセト
フェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセトフェ
ノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、
チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソ
プロピルチオキサントン、ジベンゾスベロン、α，α−
ジクロロ−４−フェノキシアセトフェノン、ペンチル−
４−ジメチルアミノベンゾエート、２−（ｏ−クロロフ
ェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾリル二量体など
を挙げることができる。前記光重合開始剤は単独でもま
たは２種以上を組合せても使用できる。 【００２４】上記光重合開始剤の含有量は、（Ａ）高分
子バインダー、（Ｂ）光重合性単量体及び（Ｃ）光重合
開始剤の総和１００重量部中、０．１〜３０重量部の範
囲で含有することができる。 【００２５】本発明の光重合性組成物は、その使用にあ
たって前記（Ａ）高分子バインダー、（Ｂ）光重合性単
量体及び（Ｃ）光重合開始剤を水に分散または有機溶剤
に溶解して使用するが、前記有機溶剤としては具体的に
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、２−メトキシブチルアセテート、３−メト
キシブチルアセテート、４−メトキシブチルアセテー
ト、２−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−
メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−エチル−
３−メトキシブチルアセテート、２−エトキシブチルア
セテート、４−エトキシブチルアセテート、４−プロポ
キシブチルアセテート、２−メトキシペンチルアセテー
トなどが挙げられる。前記有機溶剤は単独でもまたは２
種以上を組合せても使用できる。 【００２６】本発明の光重合性組成物は、用途に応じ
て、液状のまま基板上に塗布するか、または基板上にス
クリーン印刷するかなどの方法で適用されるが、特に電
子部品の製造等の精密加工を必要とする場合には、この
光重合性組成物を可撓性フィルム上に塗布、乾燥して形
成した感光性フィルムを用いるのがよい。前記感光性フ
ィルムは、例えば膜厚１５〜１２５μｍのポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
カーボネート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂フィルム
からなる可撓性フィルムに、溶剤に溶解または水に分散
した光重合性組成物をアプリケーター、バーコーター、
ワイヤーバーコーター、ロールコーター、カーテンフロ
ーコーターなどを用いて乾燥膜厚１０〜１００μｍとな
るように塗布し、乾燥することで形成できる。また、必
要に応じて、未使用時に感光層を安定に保護するため離
型フィルムを貼着するのもよい。この離型フィルムとし
ては、シリコーンをコーティングまたは焼き付けした厚
さ１５〜１２５μｍ程度のポリエチレンテレフタレート
フィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィ
ルムなどが好適である。 【００２７】次に、本発明の光重合性組成物の使用方法
について説明すると、本発明の光重合性組成物を有機溶
剤に溶解して得られた塗布液を、ガラス基板上に塗布、
乾燥して光重合性層を形成し、それに紫外線、エキシマ
レーザー、Ｘ線、電子線などの活性線を、マスクを介し
て照射し画像露光し、次いで汎用のアルカリ現像液又は
水を用いて現像処理を施し、未照射部を溶解除去してガ
ラス基板上にパターンを形成させる。前記現像に用いら
れるアルカリ現像液のアルカリ成分としては、リチウ
ム、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属の水酸化
物、炭酸塩、重炭酸塩、リン酸塩、ピロリン酸塩、ベン
ジルアミン、ブチルアミンなどの第１級アミン、ジメチ
ルアミン、ジベンジルアミン、ジエタノールアミンなど
の第２級アミン、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ン、トリエタノールアミンなどの第３級アミン、モロホ
リン、ピペラジン、ピリジンなどの環状アミン、エチレ
ンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのポリアミ
ン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルア
ンモニウムヒドロキシド、トリメチルフェニルベンジル
アンモニウムヒドロキシドナドのアンモニウムヒドロキ
シド類、トリメチルスルホニウムヒドロキシド類、トリ
メチルスルホニウムヒドロキシド、ジエチルメチルスル
ホニウムヒドロキシド、ジメチルベンジルスルホニウム
ヒドロキシドなどのスルホニウムヒドロキシド類、コリ
ン、ケイ酸塩含有緩衝液などが挙げられる。 【００２８】 【発明の実施の形態】次に本発明の実施例について述べ
るがこれによって本発明はなんら限定されるものではな
い。 【００２９】 【実施例】 実施例１ 下記１〜６の各成分 １．ヒドロキシプロピルセルロース １０重量部 ２．化１２で表わされるサリチル酸エステル 【００３０】 【化１２】 １０重量部 ３．イルガキュア−９０７（チバスペシャリティケミ カルズ社製） ０．５重量部 ４．ジエチルチオキサントン ０．５重量部 ５．ＰＤＰ用青色蛍光体 ４９重量部 ６．３−メチル−３−メトキシブタノール ４０重量部 をよくかきまぜ光重合性組成物溶液を調製した。 【００３１】次いで、上記調製した光重合性組成物溶液
をソーダガラス基板上に、乾燥後の膜厚が３０μｍにな
るように塗布したのち、試験用パターンマスクを介し
て、超高圧水銀灯により１００ｍＪ／ｃｍ²の照射量で
紫外線露光を行った。続いて液温２３℃の水を用いて
１．５ｋｇ／ｃｍ²の噴射圧で、３０秒間のスプレー現
像を行いパターンを形成した。得られたパターンについ
て密着性を評価したところ、残った最小線幅は８０μｍ
であった。 【００３２】また、パターンの焼き飛び性を評価するた
め、昇温スピード１０℃／ｍｉｎで加熱させ、４５０℃
で２０分間保持する焼成処理を施したところ、基板上に
残存するパターンはなく、基板上から完全に除去されて
いることが確認された。 【００３３】実施例２ 実施例１において、サリチル酸エステルに代えて化１４ 【００３４】 【化１３】 で表されるフタル酸ジエステルを使用した以外、実施例
１と同様の操作により調製した光重合性組成物溶液を用
いて、実施例１と同様に密着性の評価を行ったところ、
残った最小線幅は６０μｍであった。 【００３５】また、パターンの焼き飛び性を評価するた
め、実施例１と同様の焼成処理を施したところ、基板上
に残存するパターンはなく、基板上から完全に除去され
ていることが確認された。 【００３６】比較例１ 実施例１で使用したサリチル酸エステルに代えて、ペン
タエリスリトールトリアクリレートを使用した以外、実
施例１と同様の操作により調製した光重合性組成物溶液
を用いて、実施例１と同様に密着性の評価を行ったとこ
ろ、残った最小線幅は１３０μｍであった。 【００３７】また、パターンの焼き飛び性を評価するた
め、実施例１と同様の焼成処理を施したところ、基板上
にはパターンが残存し、焼き飛び性が悪いことが確認さ
れた。 【００３８】 【発明の効果】本発明の光重合成組成物は、感度、解像
性に優れ、かつ基板との密着性、焼き飛び性に優れてい
る。この光重合成組成物は、特に電子部品の製造など精
密加工を必要とする分野において好適に使用できる。

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−118708（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−161438（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−9091（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−56338（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−333846（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−123016（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−148881（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−248627（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−28238（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−262700（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−254033（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−16563（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】（Ａ）高分子バインダー、（Ｂ）光重合性
   単量体及び（Ｃ）光重合開始剤を含有する光重合性組成
   物において、前記（Ａ）成分が少なくともヒドロキシプ
   ロピルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロー
   ス、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート及
   びヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートから
   なる群から選ばれるセルロース誘導体を含む高分子バイ
   ンダーであり、（Ｂ）成分が一般式化１ 【化１】 ［（式中、Ｒ¹は、置換基を有してもよい炭素数２〜１
   ０のアルキレン基（該置換基は水酸基、ハロゲン原子、
   水酸基を有してもよい炭素数１〜５のアルキル基、炭素
   数１〜５のアルコキシ基、−ＯＣＯＮＨＯＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ
   ＣＯＣＲ²＝ＣＨ₂、−（ＣＨ₂ＯＣＯＣＲ²＝ＣＨ₂）
   _mで、ｍは１または２である。）または−ＣＨ₂Ｏ−基を
   示し、ｎは２〜１０の整数を示す。Ｒ²は、水素原子、
   水酸基を有してもよい炭素数１〜５のアルキル基を示
   す。）］で表される官能基を１乃至５個有するサリチル
   酸エステル及びフタル酸ジエステルから選ばれる少なく
   とも１種であることを特徴とする光重合性組成物。