JP3403556B2 - ポリ（シアノテレフタリデン）の可溶性前駆体とその作成方法 - Google Patents
ポリ（シアノテレフタリデン）の可溶性前駆体とその作成方法Info
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオードなどの光
電子デバイスに使用する有機ポリマー材料に関し、さら
に詳しくはポリ（フェニレン・ビニレン）誘導体とその
新しい作成方法に関する。
電子デバイスに使用する有機ポリマー材料に関し、さら
に詳しくはポリ（フェニレン・ビニレン）誘導体とその
新しい作成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】無機半導体の発光デバイスと違い、ポリ
マー発光デバイスは一般にシンプルで比較的製造が容易
でしかも安価である。また多様な色や広域デバイスが容
易に得られる。しかし、発光デバイスで使用される先行
技術のポリマーにおける１つの大きな問題は、それらの
ほとんどが比較的量子効率が低いことである。たとえ
ば、ポリ（フェニレン・ビニレン）（ＰＰＶ）は、ＬＥ
Ｄ用途に対して最も研究されているポリマーの一つであ
り、ｎ接点金属電極としてマグネシウムを用いた場合、
エレクトロルミネセンス（ＥＬ）の量子効率は約0.06％
である。そのため、問題は、ポリマーの蛍光効率を向上
させて、ポリマー発光デバイスが実際に役立つものにす
ることである。
マー発光デバイスは一般にシンプルで比較的製造が容易
でしかも安価である。また多様な色や広域デバイスが容
易に得られる。しかし、発光デバイスで使用される先行
技術のポリマーにおける１つの大きな問題は、それらの
ほとんどが比較的量子効率が低いことである。たとえ
ば、ポリ（フェニレン・ビニレン）（ＰＰＶ）は、ＬＥ
Ｄ用途に対して最も研究されているポリマーの一つであ
り、ｎ接点金属電極としてマグネシウムを用いた場合、
エレクトロルミネセンス（ＥＬ）の量子効率は約0.06％
である。そのため、問題は、ポリマーの蛍光効率を向上
させて、ポリマー発光デバイスが実際に役立つものにす
ることである。
【０００３】有機ポリマー、具体的にはポリ（フェニレ
ン・ビニレン）（ＰＰＶ）におけるエレクトロルミネセ
ンスの最初の報告以来、各種のポリマーがエレクトロル
ミネセンスを呈することが示された。しかし、良好なエ
レクトロルミネセント効率を達成するためには、ほとん
どの場合、電子注入接点として、カルシウム，マグネシ
ウム，リチウムなどの仕事関数の低い金属を使用する必
要が認められている。仕事関数の低い金属は通常、空中
劣化を被りやすく、加工や封入が難しいので、加工がし
やすくて環境での安定性が極めて良好なアルミニウムな
どの仕事関数の高い金属を、電子注入接点として使用す
ることができれば、大きな利点となろう。
ン・ビニレン）（ＰＰＶ）におけるエレクトロルミネセ
ンスの最初の報告以来、各種のポリマーがエレクトロル
ミネセンスを呈することが示された。しかし、良好なエ
レクトロルミネセント効率を達成するためには、ほとん
どの場合、電子注入接点として、カルシウム，マグネシ
ウム，リチウムなどの仕事関数の低い金属を使用する必
要が認められている。仕事関数の低い金属は通常、空中
劣化を被りやすく、加工や封入が難しいので、加工がし
やすくて環境での安定性が極めて良好なアルミニウムな
どの仕事関数の高い金属を、電子注入接点として使用す
ることができれば、大きな利点となろう。
【０００４】１９９３年、ケンブリッジ大学のグループ
が、ポリ（シアノテレフタリデン）（ＣＮ−ＰＰＶ）の
いくつかの可溶性誘導体、ジアルコキシＣＮ−ＰＰＶか
ら作られる発光デバイスが、内部エレクトロルミネセン
ト量子効率４％を有すると報告した。さらに重要なこと
は、電子注入接点として、アルミニウムなど、より高い
仕事関数の金属を用いたＬＥＤが、マグネシウム，カル
シウムなど仕事関数の低い金属を用いたものと同じくら
い、電子注入接点としての効率が良いことが認められ
た。ジアルコキシＣＮ−ＰＰＶの高い電子親和力は、ア
ルミニウムからの電子の注入を可能にするものであり、
著しい向上が確信されている。
が、ポリ（シアノテレフタリデン）（ＣＮ−ＰＰＶ）の
いくつかの可溶性誘導体、ジアルコキシＣＮ−ＰＰＶか
ら作られる発光デバイスが、内部エレクトロルミネセン
ト量子効率４％を有すると報告した。さらに重要なこと
は、電子注入接点として、アルミニウムなど、より高い
仕事関数の金属を用いたＬＥＤが、マグネシウム，カル
シウムなど仕事関数の低い金属を用いたものと同じくら
い、電子注入接点としての効率が良いことが認められ
た。ジアルコキシＣＮ−ＰＰＶの高い電子親和力は、ア
ルミニウムからの電子の注入を可能にするものであり、
著しい向上が確信されている。
【０００５】上記先行技術は、安定した接点を有するポ
リマー発光デバイスを開発する上で重要な段階となって
はいるが、ピークが約７１０ｎｍの先行技術のポリマー
の発光は、可視スペクトルでは人間の眼には感知しにく
い領域に入る。このため、先行技術のポリマーは表示目
的に役立てるのが難しい。
リマー発光デバイスを開発する上で重要な段階となって
はいるが、ピークが約７１０ｎｍの先行技術のポリマー
の発光は、可視スペクトルでは人間の眼には感知しにく
い領域に入る。このため、先行技術のポリマーは表示目
的に役立てるのが難しい。
【０００６】この問題は、未ドープ（pristine）ＣＮ−
ＰＰＶを使用して部分的に解決できる。未ドープＣＮ−
ＰＰＶは、電子親和力がさらに高い上に、表示用途にと
ってより望ましい低い発光波長を有する。
ＰＰＶを使用して部分的に解決できる。未ドープＣＮ−
ＰＰＶは、電子親和力がさらに高い上に、表示用途にと
ってより望ましい低い発光波長を有する。
【０００７】ＣＮ−ＰＰＶの作成は、１９６０年に、Le
nzとその共同研究者による、ポリテトラフルオロエチレ
ン（テフロン）の熱的安定性を有するポリマー探索の中
で初めて開示された。ＣＮ−ＰＰＶは５００℃まで熱的
に安定しており、不溶性および不融性を原因とする加工
上の利便性の欠如が、実際の用途の開発を妨げた。
nzとその共同研究者による、ポリテトラフルオロエチレ
ン（テフロン）の熱的安定性を有するポリマー探索の中
で初めて開示された。ＣＮ−ＰＰＶは５００℃まで熱的
に安定しており、不溶性および不融性を原因とする加工
上の利便性の欠如が、実際の用途の開発を妨げた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ポリ
（フェニレン・ビニレン）とその誘導体を作成する新し
い前駆体ルート（route ）方法を提供することである。
（フェニレン・ビニレン）とその誘導体を作成する新し
い前駆体ルート（route ）方法を提供することである。
【０００９】本発明のもう一つの目的は、発光デバイス
に使用するＣＮ−ＰＰＶに対して加工可能な新しいクラ
スの前駆体を提供することである。
に使用するＣＮ−ＰＰＶに対して加工可能な新しいクラ
スの前駆体を提供することである。
【００１０】本発明の別の目的は、発光デバイスに使用
するＣＮ−ＰＰＶに対して加工可能な新しいクラスの前
駆体を作成する方法を提供することである。
するＣＮ−ＰＰＶに対して加工可能な新しいクラスの前
駆体を作成する方法を提供することである。
【００１１】本発明のさらなる目的は、安定した電子注
入接点を有する発光デバイスに使用するＣＮ−ＰＰＶに
対して加工可能な新しいクラスの前駆体を提供すること
である。
入接点を有する発光デバイスに使用するＣＮ−ＰＰＶに
対して加工可能な新しいクラスの前駆体を提供すること
である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記およびその他の問
題、ならびに上記およびその他の目的は、ＰＰＶ誘導体
の可溶性前駆体の作成、および可溶性前駆体のＰＰＶ前
駆体への転換を含む、ＰＰＶ誘導体を作成する方法によ
って実質的に解決され、実現される。この転換には、減
圧下での約２５℃から４００℃の温度範囲にわたる熱処
理か、または酸触媒紫外線放射処理のいずれかの実行が
含まれる。
題、ならびに上記およびその他の目的は、ＰＰＶ誘導体
の可溶性前駆体の作成、および可溶性前駆体のＰＰＶ前
駆体への転換を含む、ＰＰＶ誘導体を作成する方法によ
って実質的に解決され、実現される。この転換には、減
圧下での約２５℃から４００℃の温度範囲にわたる熱処
理か、または酸触媒紫外線放射処理のいずれかの実行が
含まれる。
【００１３】上記およびその他の問題、ならびに上記お
よびその他の目的はさらに、基板の平らな表面の上に第
１の導電形を有する第１導電層を形成する段階，ＰＰＶ
誘導体の可溶性前駆体を作成する段階，第１導電層の上
で可溶性前駆体の層を支える段階，可溶性前駆体の層を
ＰＰＶ誘導体に転換する段階，ＰＰＶ誘導体材料層の上
に第２の導電形を有する第２導電層を配置し、第２導電
層がｎ接点として金属を含む段階を含む、有機発光デバ
イスの製造方法によって実質的に解決され、実現され
る。
よびその他の目的はさらに、基板の平らな表面の上に第
１の導電形を有する第１導電層を形成する段階，ＰＰＶ
誘導体の可溶性前駆体を作成する段階，第１導電層の上
で可溶性前駆体の層を支える段階，可溶性前駆体の層を
ＰＰＶ誘導体に転換する段階，ＰＰＶ誘導体材料層の上
に第２の導電形を有する第２導電層を配置し、第２導電
層がｎ接点として金属を含む段階を含む、有機発光デバ
イスの製造方法によって実質的に解決され、実現され
る。
【００１４】上記およびその他の問題、ならびに上記お
よびその他の目的はさらに、第１の導電形を有する第１
導電層，第１導電層の上に配置される第１キャリヤ輸送
材料層，第１キャリヤ輸送材料層の上に発光層として配
置されるＰＰＶ誘導体材料層，およびＰＰＶ誘導体材料
層の上に第２の導電形を有する第２導電層で、第２導電
層はｎ接点として金属を含む第２導電層を含む、有機発
光デバイスにおいて実質的に解決され、実現される。
よびその他の目的はさらに、第１の導電形を有する第１
導電層，第１導電層の上に配置される第１キャリヤ輸送
材料層，第１キャリヤ輸送材料層の上に発光層として配
置されるＰＰＶ誘導体材料層，およびＰＰＶ誘導体材料
層の上に第２の導電形を有する第２導電層で、第２導電
層はｎ接点として金属を含む第２導電層を含む、有機発
光デバイスにおいて実質的に解決され、実現される。
【００１５】
【実施例】ポリ（フェニレン・ビニレン）（ＰＰＶ）と
その誘導体は一般に、熱処理または放射処理によって、
スルホニウム塩前駆ポリマー（２）から合成される。前
駆ポリマー（２）は、arylene-p-bis （メチレン・ハロ
ゲン化スルホニウム）（１）を、水酸化ナトリウムなど
の塩基と、以下に示すような反応で（表示番号を含む）
重合することによって作成される。しかし、シアノ基の
強い電子求引性のために、ＣＮ−ＰＰＶは従来の前駆体
方法によっては得られない。
その誘導体は一般に、熱処理または放射処理によって、
スルホニウム塩前駆ポリマー（２）から合成される。前
駆ポリマー（２）は、arylene-p-bis （メチレン・ハロ
ゲン化スルホニウム）（１）を、水酸化ナトリウムなど
の塩基と、以下に示すような反応で（表示番号を含む）
重合することによって作成される。しかし、シアノ基の
強い電子求引性のために、ＣＮ−ＰＰＶは従来の前駆体
方法によっては得られない。
【００１６】
【化１】
先行技術では、ＣＮ−ＰＰＶとその誘導体は、芳香族ジ
アルデヒド（３）と芳香族ジアセトニトリル（４）のク
ネーベナーゲル凝縮重合作用によって、一般に、以下に
示す（表示番号を含む）反応に従って作成される。
アルデヒド（３）と芳香族ジアセトニトリル（４）のク
ネーベナーゲル凝縮重合作用によって、一般に、以下に
示す（表示番号を含む）反応に従って作成される。
【００１７】
【化２】
ＣＮ−ＰＰＶは加工しにくいポリマーであるので、先行
技術では、有機溶剤に必要な可溶性を達成するために、
長いアルコキシル基はＣＮ−ＰＰＶの骨格鎖に組み込ま
れている。しかし、可溶性の利得と共に、上記アルコキ
シル基はまた、ＣＮ−ＰＰＶの電子構造を変化させ、具
体的にはバンド・ギャップ幅、ＣＮ−ＰＰＶのＨＯＭＯ
およびＬＵＭＯエネルギー・レベルを変化させる。その
結果、ジアルコキシルＣＮ−ＰＰＶの発光がＣＮ−ＰＰ
Ｖに関して、人間の眼に感知しにくい深に赤色領域にシ
フトされる。ＣＮ−ＰＰＶの電子構造を阻害せずに必要
な加工性を得て、光の放射が表示目的で所望の領域に入
るようにすることは明らかに利点があろう。
技術では、有機溶剤に必要な可溶性を達成するために、
長いアルコキシル基はＣＮ−ＰＰＶの骨格鎖に組み込ま
れている。しかし、可溶性の利得と共に、上記アルコキ
シル基はまた、ＣＮ−ＰＰＶの電子構造を変化させ、具
体的にはバンド・ギャップ幅、ＣＮ−ＰＰＶのＨＯＭＯ
およびＬＵＭＯエネルギー・レベルを変化させる。その
結果、ジアルコキシルＣＮ−ＰＰＶの発光がＣＮ−ＰＰ
Ｖに関して、人間の眼に感知しにくい深に赤色領域にシ
フトされる。ＣＮ−ＰＰＶの電子構造を阻害せずに必要
な加工性を得て、光の放射が表示目的で所望の領域に入
るようにすることは明らかに利点があろう。
【００１８】ここに開示する戦略は、新しい前駆体ルー
トの使用であり、これには、加工可能な前駆ポリマーの
作成と、その後の前駆ポリマーから共役ポリマーへの転
換を伴う。前駆ポリマー・ルート方法の利点は、前駆ポ
リマーを、最終的に共役ポリマーに転換される前に、膜
やファイバなど所望の物理的形状に鋳造できることであ
る。そのため、実際の用途向けに加工できない以前の既
知のポリマーも利用できる。
トの使用であり、これには、加工可能な前駆ポリマーの
作成と、その後の前駆ポリマーから共役ポリマーへの転
換を伴う。前駆ポリマー・ルート方法の利点は、前駆ポ
リマーを、最終的に共役ポリマーに転換される前に、膜
やファイバなど所望の物理的形状に鋳造できることであ
る。そのため、実際の用途向けに加工できない以前の既
知のポリマーも利用できる。
【００１９】一般に、前駆ポリマー・ルートを介してＰ
ＰＶ誘導体を作成する新しい方法は、以下の２つの段階
によって構成される：１）前駆ポリマーの作成；２）前
駆ポリマーのＰＰＶ誘導体への転換。
ＰＶ誘導体を作成する新しい方法は、以下の２つの段階
によって構成される：１）前駆ポリマーの作成；２）前
駆ポリマーのＰＰＶ誘導体への転換。
【００２０】前駆ポリマーの作成は、塩基を有するｐ−
キシレン誘導体（１０）の低温での脱プロトン化；芳香
族ジアルデヒド（１１）の添加による中間ポリマーの作
成；有機捕捉試薬を用いて中間ポリマー（１２）を捕捉
して可溶性前駆ポリマー（１３）を形成することを含
む。前駆ポリマーを作成する反応工程を下記のスキーム
Ｉに示す（表示番号を含む）。
キシレン誘導体（１０）の低温での脱プロトン化；芳香
族ジアルデヒド（１１）の添加による中間ポリマーの作
成；有機捕捉試薬を用いて中間ポリマー（１２）を捕捉
して可溶性前駆ポリマー（１３）を形成することを含
む。前駆ポリマーを作成する反応工程を下記のスキーム
Ｉに示す（表示番号を含む）。
【００２１】
【化３】
ここで、ｐは水素、またはシアノ，ニトロ，フルオリド
などの電子求引基である。ＲＸは有機捕捉試薬で、以下
に詳述する。Ｒ1 からＲ8 は、各位置の置き換えの可能
性を表し、それぞれ水素または炭化水素基、またはシア
ノ，ニトロ，ハロゲン，ハロアルキル，ハロアルコキ
シ，アルコキシル，アミド，アミノ，スルホニル，カル
ボニル，オキシカルボニルなどの官能基を表し、Ｒ1 と
Ｒ2 が一緒、Ｒ3 とＲ4 が一緒、Ｒ5 とＲ6 が一緒、Ｒ
7とＲ8 が一緒になって、縮合ベンゾ環を形成できる。
また、ｎは、１個のポリマー分子内の反復単位の平均数
である。
などの電子求引基である。ＲＸは有機捕捉試薬で、以下
に詳述する。Ｒ1 からＲ8 は、各位置の置き換えの可能
性を表し、それぞれ水素または炭化水素基、またはシア
ノ，ニトロ，ハロゲン，ハロアルキル，ハロアルコキ
シ，アルコキシル，アミド，アミノ，スルホニル，カル
ボニル，オキシカルボニルなどの官能基を表し、Ｒ1 と
Ｒ2 が一緒、Ｒ3 とＲ4 が一緒、Ｒ5 とＲ6 が一緒、Ｒ
7とＲ8 が一緒になって、縮合ベンゾ環を形成できる。
また、ｎは、１個のポリマー分子内の反復単位の平均数
である。
【００２２】ｐ−キシレン誘導体の脱プロトン化に使用
される塩基の選択は、個々のｐ−キシレン誘導体の酸性
度に左右される。概して、ｐ−キシレン誘導体の酸性度
が弱いほど、必要な塩基の塩基度が強くなる。一例とし
て、ｐ−キシレン誘導体を脱プロトン化するのに使用で
きる以下の塩基材料は、塩基度を昇順に並べたものであ
る：ＮａＯＨ＜ＲＯＫ＜ＣＨ3 ＳＯ2 ＣＨ2 Ｌｉ＜Ｎａ
ＮＨ2 ＜ＮａＨ＜ＰｈＬｉ＜ＣＨ3 Ｌｉ。ｐ−キシレン
の酸性度は、置換基が、フェニル環またはベンジル位の
いずれかに、ニトロ，シアノ，スルホネート，カルボキ
シル基など電子求引機能を有する場合は低下する。ｐ−
キシレン誘導体の酸性度も、フェニル環内の１つまたは
複数の炭素原子を、窒素などより高い電子親和力を有す
る原子と置き換えることによって低下でき、その結果、
ピリジンまたはピラジン誘導体を生じる。
される塩基の選択は、個々のｐ−キシレン誘導体の酸性
度に左右される。概して、ｐ−キシレン誘導体の酸性度
が弱いほど、必要な塩基の塩基度が強くなる。一例とし
て、ｐ−キシレン誘導体を脱プロトン化するのに使用で
きる以下の塩基材料は、塩基度を昇順に並べたものであ
る：ＮａＯＨ＜ＲＯＫ＜ＣＨ3 ＳＯ2 ＣＨ2 Ｌｉ＜Ｎａ
ＮＨ2 ＜ＮａＨ＜ＰｈＬｉ＜ＣＨ3 Ｌｉ。ｐ−キシレン
の酸性度は、置換基が、フェニル環またはベンジル位の
いずれかに、ニトロ，シアノ，スルホネート，カルボキ
シル基など電子求引機能を有する場合は低下する。ｐ−
キシレン誘導体の酸性度も、フェニル環内の１つまたは
複数の炭素原子を、窒素などより高い電子親和力を有す
る原子と置き換えることによって低下でき、その結果、
ピリジンまたはピラジン誘導体を生じる。
【００２３】重合温度は、不溶性の共役ポリマーの発生
をもたらす中間材料の反応がほとんどなくなるように制
御される。一般に、重合温度は、約０℃以下が好まし
い。
をもたらす中間材料の反応がほとんどなくなるように制
御される。一般に、重合温度は、約０℃以下が好まし
い。
【００２４】有機捕捉試薬ＲＸはたとえば、無水カルボ
ン酸，カルボン酸塩化物，アルキル・スルホニル・クロ
リド，カルボン酸エステル，またはキサントゲン酸エス
テルを含む。利用できる有機捕捉試薬の２，３の具体例
を挙げると、無水酢酸，トリフルオロ無水酢酸，酢酸塩
（acetic chloride ），メタンスルホニル・クロリド，
二硫化炭素／よう化メチルである。有機捕捉試薬の選択
は、結果として生じる前駆ポリマーの所望の溶解度、お
よび有機捕捉試薬（ＲＸ）と中間ポリマー（１２）との
反応によって形成されるエステル脱離基が、前駆ポリマ
ーを完全共役ＰＰＶ誘導体に転換する工程で排除しやす
いことによって決まる。
ン酸，カルボン酸塩化物，アルキル・スルホニル・クロ
リド，カルボン酸エステル，またはキサントゲン酸エス
テルを含む。利用できる有機捕捉試薬の２，３の具体例
を挙げると、無水酢酸，トリフルオロ無水酢酸，酢酸塩
（acetic chloride ），メタンスルホニル・クロリド，
二硫化炭素／よう化メチルである。有機捕捉試薬の選択
は、結果として生じる前駆ポリマーの所望の溶解度、お
よび有機捕捉試薬（ＲＸ）と中間ポリマー（１２）との
反応によって形成されるエステル脱離基が、前駆ポリマ
ーを完全共役ＰＰＶ誘導体に転換する工程で排除しやす
いことによって決まる。
【００２５】前駆ポリマーは一般に、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド，ジメチルスルホキシド，Ｎ−メチルピロ
リドン，ヘキサメチル燐酸トリアミドなど極性非プロト
ン溶媒に溶け、テトラヒドロフラン，ジメトキシエタ
ン，ジエチレン・グリコール・ジメチルエーテルなどの
エーテル非プロトン性溶媒にも一部溶ける。また、前駆
ポリマーは、１）水を入れたテトラヒドロフラン溶液、
２）水を入れたＮ−メチルピロリドン；３）メタノール
を入れたＮ−メチルピロリドンに、連続沈澱させること
によって精製され、ついで、大量のメタノール，エチル
・エーテルで洗浄される。
ホルムアミド，ジメチルスルホキシド，Ｎ−メチルピロ
リドン，ヘキサメチル燐酸トリアミドなど極性非プロト
ン溶媒に溶け、テトラヒドロフラン，ジメトキシエタ
ン，ジエチレン・グリコール・ジメチルエーテルなどの
エーテル非プロトン性溶媒にも一部溶ける。また、前駆
ポリマーは、１）水を入れたテトラヒドロフラン溶液、
２）水を入れたＮ−メチルピロリドン；３）メタノール
を入れたＮ−メチルピロリドンに、連続沈澱させること
によって精製され、ついで、大量のメタノール，エチル
・エーテルで洗浄される。
【００２６】前駆ポリマー（１３）の転換は、熱処理、
または酸触媒による紫外線放射処理によって実施され
る。この化学反応プロセスを下記のスキームＩＩに示
す。
または酸触媒による紫外線放射処理によって実施され
る。この化学反応プロセスを下記のスキームＩＩに示
す。
【００２７】
【化４】
ここで、可溶性前駆ポリマー（１３）はスキームＩから
のものでＲ1 からＲ8 ，Ｐ，ＲおよびｎはスキームＩと
同一である。
のものでＲ1 からＲ8 ，Ｐ，ＲおよびｎはスキームＩと
同一である。
【００２８】熱処理において、転換温度は、前駆ポリマ
ー内のエステル脱離基に依存して、約２５℃から４００
℃の範囲をとり、エステル脱離基は、前駆ポリマーの作
成において有機捕捉試薬（ＲＸ）によって形成される。
好適な転換温度は約１２０℃から３００℃である。転換
温度が１２０℃より低い場合には、前駆ポリマーは通
常、エステル脱離基の早期排除により室温では安定しな
い。他方、転換温度が３００℃以上の場合には、エステ
ル脱離基は通常、転換の間に完全には排除されず、結果
として、部分的な共役誘導体を生じる。加えて、高温
（＞３００℃）のプロセスは、有機半導体デバイスの製
造を複雑化する。それは、関与する有機材料が通常、温
度許容度に限界があるためである。
ー内のエステル脱離基に依存して、約２５℃から４００
℃の範囲をとり、エステル脱離基は、前駆ポリマーの作
成において有機捕捉試薬（ＲＸ）によって形成される。
好適な転換温度は約１２０℃から３００℃である。転換
温度が１２０℃より低い場合には、前駆ポリマーは通
常、エステル脱離基の早期排除により室温では安定しな
い。他方、転換温度が３００℃以上の場合には、エステ
ル脱離基は通常、転換の間に完全には排除されず、結果
として、部分的な共役誘導体を生じる。加えて、高温
（＞３００℃）のプロセスは、有機半導体デバイスの製
造を複雑化する。それは、関与する有機材料が通常、温
度許容度に限界があるためである。
【００２９】上記実施例で概説した新しい前駆体ルート
は、ＣＮ−ＰＰＶなど、電子求引基を有するＰＰＶ誘導
体の作成に特に有用である。電子求引基を有するＰＰＶ
誘導体は通常、高い電子親和力を有し、そのため、有機
発光デバイスにおいて、電子注入材料および電子輸送材
料として使用するのに適している。一般に、新規の前駆
体ルートによって作成されるポリマーは、先行技術のス
ルホニウム前駆体ルートからは作成できない。たとえ、
一部のポリマーがクネーベナーゲル縮合重合作用によっ
て作成できても、加工しにくいポリマーしか得られな
い。
は、ＣＮ−ＰＰＶなど、電子求引基を有するＰＰＶ誘導
体の作成に特に有用である。電子求引基を有するＰＰＶ
誘導体は通常、高い電子親和力を有し、そのため、有機
発光デバイスにおいて、電子注入材料および電子輸送材
料として使用するのに適している。一般に、新規の前駆
体ルートによって作成されるポリマーは、先行技術のス
ルホニウム前駆体ルートからは作成できない。たとえ、
一部のポリマーがクネーベナーゲル縮合重合作用によっ
て作成できても、加工しにくいポリマーしか得られな
い。
【００３０】ＰＰＶ誘導体の合成のために、上記の前駆
体ルートに従うことによって、有機溶剤に溶ける新しい
クラスのＣＮ−ＰＰＶの前駆体が提供される。下記のス
キームＩＩＩを参照して、ＣＮ−ＰＰＶ前駆体の新しい
合成手法が、具体例を用いて説明される。等量のテレフ
タルアルデヒドとｐ−フェニレンジアセトニトリルは、
以下のように、縮合重合作用を受ける。
体ルートに従うことによって、有機溶剤に溶ける新しい
クラスのＣＮ−ＰＰＶの前駆体が提供される。下記のス
キームＩＩＩを参照して、ＣＮ−ＰＰＶ前駆体の新しい
合成手法が、具体例を用いて説明される。等量のテレフ
タルアルデヒドとｐ−フェニレンジアセトニトリルは、
以下のように、縮合重合作用を受ける。
【００３１】
【化５】
重合作用は、０℃以下の温度でテトラヒドロフラン溶液
中に、ｔ−ブトキサイド・カリウムなどの塩基材料が存
在する中で進行する；中間ポリマー（２１）は、スキー
ムＩＩＩでＲＸとして表示される有機捕捉試薬を多量に
添加することによって捕捉され、前駆ポリマー（２２）
を提供する。ＣＮ−ＰＰＶ前駆体合成のための塩基と捕
捉試薬の選択の原理は、スキームＩで述べたことと同じ
である。捕捉試薬の例を２，３挙げると、無水酢酸，ト
リフルオロ無水酢酸，ＣＳ2 ／ＣＨ3 Ｉなどがある。
中に、ｔ−ブトキサイド・カリウムなどの塩基材料が存
在する中で進行する；中間ポリマー（２１）は、スキー
ムＩＩＩでＲＸとして表示される有機捕捉試薬を多量に
添加することによって捕捉され、前駆ポリマー（２２）
を提供する。ＣＮ−ＰＰＶ前駆体合成のための塩基と捕
捉試薬の選択の原理は、スキームＩで述べたことと同じ
である。捕捉試薬の例を２，３挙げると、無水酢酸，ト
リフルオロ無水酢酸，ＣＳ2 ／ＣＨ3 Ｉなどがある。
【００３２】前駆ポリマー（２２）は、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド，ジメチルスルホキシド，Ｎ−メチルピ
ロリディノンなどの極性非プロトン性溶媒に溶け、また
テトラヒドロフラン，ジメトキシエタン，ジエチレン・
グリコール・ジメチルエーテルなどのエーテルの非プロ
トン性溶媒に部分的に溶ける。前駆ポリマー（２２）の
膜は、極性またはエーテルの非プロトン性溶媒溶液の１
つから、基板の上に回転コーティングされて、スキーム
ＩＶに示すように、高温の真空状態でＣＮ−ＰＰＶに転
換される。
ルアセトアミド，ジメチルスルホキシド，Ｎ−メチルピ
ロリディノンなどの極性非プロトン性溶媒に溶け、また
テトラヒドロフラン，ジメトキシエタン，ジエチレン・
グリコール・ジメチルエーテルなどのエーテルの非プロ
トン性溶媒に部分的に溶ける。前駆ポリマー（２２）の
膜は、極性またはエーテルの非プロトン性溶媒溶液の１
つから、基板の上に回転コーティングされて、スキーム
ＩＶに示すように、高温の真空状態でＣＮ−ＰＰＶに転
換される。
【００３３】
【化６】
本発明はまた、アルミニウムなど安定した金属接点を有
する有機発光デバイスにおける、前述の実施例の前駆体
ルート方法に由来するＣＮ−ＰＰＶの使用も含む。
する有機発光デバイスにおける、前述の実施例の前駆体
ルート方法に由来するＣＮ−ＰＰＶの使用も含む。
【００３４】具体的に図を参照して、発光デバイス（Ｌ
ＥＤ）１１０は、簡略化された断面図である。一般にＬ
ＥＤ１１０は基板１１１を含み、基板はこの実施例で
は、比較的平らな上部表面を有するガラス板である。導
電層１１２は、基板１１１の平らな表面の上に蒸着され
て、比較的一様な電気接点を形成する。正孔輸送材料か
ら成る層１１３は、導電層１１２の表面上に蒸着され
る。本発明の前駆体方法によって得られるＰＰＶ誘電体
層１１４は、層１１３の表面上に蒸着される。ついで、
第２導電層１１５が、層１１４の上部表面の上に蒸着さ
れて、第２電気接点を形成する。
ＥＤ）１１０は、簡略化された断面図である。一般にＬ
ＥＤ１１０は基板１１１を含み、基板はこの実施例で
は、比較的平らな上部表面を有するガラス板である。導
電層１１２は、基板１１１の平らな表面の上に蒸着され
て、比較的一様な電気接点を形成する。正孔輸送材料か
ら成る層１１３は、導電層１１２の表面上に蒸着され
る。本発明の前駆体方法によって得られるＰＰＶ誘電体
層１１４は、層１１３の表面上に蒸着される。ついで、
第２導電層１１５が、層１１４の上部表面の上に蒸着さ
れて、第２電気接点を形成する。
【００３５】この実施例において、層１１４は、本発明
の前駆体の方法によって得られるＰＰＶ誘導体から構成
されるので、導電層１１５は比較的高い仕事関数の金属
で形成でき、この実施例ではアルミニウムである。なじ
みの薄い仕事関数の低いいくつかの金属よりも寧ろアル
ミニウムを使用できることは、デバイス製造プロセスを
大幅に単純化する。
の前駆体の方法によって得られるＰＰＶ誘導体から構成
されるので、導電層１１５は比較的高い仕事関数の金属
で形成でき、この実施例ではアルミニウムである。なじ
みの薄い仕事関数の低いいくつかの金属よりも寧ろアル
ミニウムを使用できることは、デバイス製造プロセスを
大幅に単純化する。
【００３６】ポリマー層１１４内で生じる光は、層１１
３，１１２，および基板１１１または層１１４を通して
放射できると理解すべきであるが、本発明の実施例で
は、導電層１１２は、導電ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、
indium-tin-oxide（ＩＴＯ）などの有機もしくは非有機
導体によって形成され、これらは、可視光線を実質的に
透過し、放射光が、図では基板１１１を通して下方に存
在するようにする。
３，１１２，および基板１１１または層１１４を通して
放射できると理解すべきであるが、本発明の実施例で
は、導電層１１２は、導電ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、
indium-tin-oxide（ＩＴＯ）などの有機もしくは非有機
導体によって形成され、これらは、可視光線を実質的に
透過し、放射光が、図では基板１１１を通して下方に存
在するようにする。
【００３７】また、図では、ＬＥＤ１１０は、ポテンシ
ャル・ソース（potential source）１１７によって、層
１１２と１１５の間に電位が印加される。この実施例で
は、導電層１１２はＰ形接点であり、導電層１１５はＮ
形接点である。ポテンシャル・ソース１１７の負端子
は、導電層１１５と電気的に接続され、正端子は導電層
１１２と接続される。電子はＮ形接点から蛍光ＰＰＶ誘
導体層１１４に注入され、Ｐ形接点から注入される正孔
は層１１３を通して、蛍光ＰＰＶ誘導体層１１４へと輸
送され、ここで、電子と正孔が再結合した後、フォトン
が放射される。
ャル・ソース（potential source）１１７によって、層
１１２と１１５の間に電位が印加される。この実施例で
は、導電層１１２はＰ形接点であり、導電層１１５はＮ
形接点である。ポテンシャル・ソース１１７の負端子
は、導電層１１５と電気的に接続され、正端子は導電層
１１２と接続される。電子はＮ形接点から蛍光ＰＰＶ誘
導体層１１４に注入され、Ｐ形接点から注入される正孔
は層１１３を通して、蛍光ＰＰＶ誘導体層１１４へと輸
送され、ここで、電子と正孔が再結合した後、フォトン
が放射される。
【００３８】一般に、有機正孔輸送材料層１１３は選択
的なものであることを理解されたい。しかしながら、有
機ＬＥＤ１１０が層１１３を省くことによって変更され
る場合には、デバイスは依然動作するが、動作効率は低
下する。
的なものであることを理解されたい。しかしながら、有
機ＬＥＤ１１０が層１１３を省くことによって変更され
る場合には、デバイスは依然動作するが、動作効率は低
下する。
【００３９】例
本発明はさらに以下の例によって説明される。これら
は、本発明の具体的実施例を表すことを意図したもので
あるが、その適用範囲を限定するものではない。
は、本発明の具体的実施例を表すことを意図したもので
あるが、その適用範囲を限定するものではない。
【００４０】例１
前駆ポリマー（２２）（Ｒ＝ＣＨ3 ＣＯ) のアセテート
誘導体の以下の合成を使用すれば、（２２）のすべての
カルボン酸エステル誘導体を作成できる。
誘導体の以下の合成を使用すれば、（２２）のすべての
カルボン酸エステル誘導体を作成できる。
【００４１】３００ｍＬの乾燥テトラヒドロフラン中の
４０ｍｍｏｌのｔ−ブトキサイド・カリウム（Eastman
Kodak Company ）溶液は、１５分間アルゴンでパージ
（purge ）され、一方、ドライ・アイス／シクロヘキサ
ノン浴で−３０から−４０℃に冷却される。この溶液に
は、アルゴンの下で２５ｍＬの乾燥テトラヒドロフラン
中の２０ｍｍｏｌの１，４ーフェニレン・ジアセトニト
リル（Aldrich ChemicalCompany）の溶液が添加され
る。この反応混合物は暗褐色に変わる。反応混合物は半
時間−３０から−４０℃で撹拌された後、これに、アル
ゴン下で撹拌しながら、テトラヒドロフラン２０ｍＬの
中の２０ｍｍｏｌのテレフタルアルデヒド（Fluka Chem
ical Company）の溶液がシリンジで添加される。結果の
混合物は、２時間にわたり−３０から−４０℃で重合さ
せる。最後に、８ｍＬの無水酢酸（Fisher Scientific
company ）がこの重合混合物に添加される。反応混合物
は一晩撹拌させておく。その間、反応温度は室温まで徐
々に上昇する。反応混合物は、４００ｍＬの脱イオン水
を入れたビーカーの中に注ぎ入れられる。ろ過によって
収集された黄色っぽい個体は、４００ｍＬの脱イオン水
と４００ｍＬの２ープロパノールによって連続的に洗浄
される。粗ポリマーはさらに、最少量のテトラヒドロフ
ラン（少量のＮ−メチル−２−ピロリドンをポリマーの
溶解を促進するために添加してもよい）の中に再度溶か
し、脱イオン水に再度沈澱させることによって精製され
る。ろ過によって収集された最終ポリマーは、メタノー
ル，エチル・エーテルで洗浄され、真空状態で乾燥され
て７０から８０％の収量を得る。
４０ｍｍｏｌのｔ−ブトキサイド・カリウム（Eastman
Kodak Company ）溶液は、１５分間アルゴンでパージ
（purge ）され、一方、ドライ・アイス／シクロヘキサ
ノン浴で−３０から−４０℃に冷却される。この溶液に
は、アルゴンの下で２５ｍＬの乾燥テトラヒドロフラン
中の２０ｍｍｏｌの１，４ーフェニレン・ジアセトニト
リル（Aldrich ChemicalCompany）の溶液が添加され
る。この反応混合物は暗褐色に変わる。反応混合物は半
時間−３０から−４０℃で撹拌された後、これに、アル
ゴン下で撹拌しながら、テトラヒドロフラン２０ｍＬの
中の２０ｍｍｏｌのテレフタルアルデヒド（Fluka Chem
ical Company）の溶液がシリンジで添加される。結果の
混合物は、２時間にわたり−３０から−４０℃で重合さ
せる。最後に、８ｍＬの無水酢酸（Fisher Scientific
company ）がこの重合混合物に添加される。反応混合物
は一晩撹拌させておく。その間、反応温度は室温まで徐
々に上昇する。反応混合物は、４００ｍＬの脱イオン水
を入れたビーカーの中に注ぎ入れられる。ろ過によって
収集された黄色っぽい個体は、４００ｍＬの脱イオン水
と４００ｍＬの２ープロパノールによって連続的に洗浄
される。粗ポリマーはさらに、最少量のテトラヒドロフ
ラン（少量のＮ−メチル−２−ピロリドンをポリマーの
溶解を促進するために添加してもよい）の中に再度溶か
し、脱イオン水に再度沈澱させることによって精製され
る。ろ過によって収集された最終ポリマーは、メタノー
ル，エチル・エーテルで洗浄され、真空状態で乾燥され
て７０から８０％の収量を得る。
【００４２】前駆ポリマーの構造は、赤外Ｈ1 とＣ13Ｎ
ＭＲや紫外・可視分光法、元素分析データによって確認
される。 例２ 前駆ポリマー（２２）（Ｒ＝ＣＨ3 ＳＣＳ）のメチル・
キサントゲン酸塩誘導体の以下の合成を使用して、（２
２）のすべての他のキサントゲン酸エステル誘導体を作
成できる。
ＭＲや紫外・可視分光法、元素分析データによって確認
される。 例２ 前駆ポリマー（２２）（Ｒ＝ＣＨ3 ＳＣＳ）のメチル・
キサントゲン酸塩誘導体の以下の合成を使用して、（２
２）のすべての他のキサントゲン酸エステル誘導体を作
成できる。
【００４３】３００ｍＬの乾燥テトラヒドロフラン中の
４０ｍｍｏｌのｔ−ブトキサイドの溶液（Eastman Koda
k Comapany）は、１５分間アルゴンでパージ（purge ）
され、一方、ドライ・アイス／シクロヘキサノン浴で−
３０から−４０℃に冷却される。この溶液に、アルゴン
の下で２５ｍＬの乾燥テトラヒドロフラン中の２０ｍｍ
ｏｌの１，４−フェニレン・ジアセトニトリル（Aldric
h Chemical Company）の溶液が添加される。反応混合物
は暗褐色に変わる。この反応混合物が半時間で−３０か
ら−４０℃で撹拌された後、アルゴン下で撹拌しなが
ら、シリンジを通して、２０ｍＬのテトラヒドロフラン
の中の２０ｍｍｏｌのテレフタルアルデヒド（Fluka Ch
emical Company）の溶液が添加される。結果の混合物
は、２時間にわたり−３０から−４０℃で重合させ、そ
の後、５０ｍｍｏｌの二硫化炭素（Aldrich Chemical C
ompany）が添加される。反応混合物は煉瓦色に変わり、
２時間にわたり室温で撹拌させておく。最後に、５０ｍ
ｍｏｌのよう化メチル（Aldrich Chemical Company）が
反応混合物に添加される。この反応は室温で一晩撹拌さ
れる。明るい褐色の溶液が得られる。反応混合物はつい
で、６００ｍＬの脱イオン水が入っているビーカーの中
に注ぎ入れられる。ろ過によって収集される黄色っぽい
オレンジ色の個体は、４００ｍＬの脱イオン水と４００
ｍＬの２ープロパノールによって連続して洗浄される。
粗ポリマーはさらに、微量のテトラヒドロフラン（少量
のＮ−メチル−２−ピロリドンを添加してポリマーの溶
解を促進してもよい）の中に再度溶かし、脱イオン水に
再度沈澱させることによって精製される。ろ過によって
収集される最終ポリマーは、メタノール，エチル・エー
テルで洗浄され、真空下で乾燥されて８０％の収量を得
る。
４０ｍｍｏｌのｔ−ブトキサイドの溶液（Eastman Koda
k Comapany）は、１５分間アルゴンでパージ（purge ）
され、一方、ドライ・アイス／シクロヘキサノン浴で−
３０から−４０℃に冷却される。この溶液に、アルゴン
の下で２５ｍＬの乾燥テトラヒドロフラン中の２０ｍｍ
ｏｌの１，４−フェニレン・ジアセトニトリル（Aldric
h Chemical Company）の溶液が添加される。反応混合物
は暗褐色に変わる。この反応混合物が半時間で−３０か
ら−４０℃で撹拌された後、アルゴン下で撹拌しなが
ら、シリンジを通して、２０ｍＬのテトラヒドロフラン
の中の２０ｍｍｏｌのテレフタルアルデヒド（Fluka Ch
emical Company）の溶液が添加される。結果の混合物
は、２時間にわたり−３０から−４０℃で重合させ、そ
の後、５０ｍｍｏｌの二硫化炭素（Aldrich Chemical C
ompany）が添加される。反応混合物は煉瓦色に変わり、
２時間にわたり室温で撹拌させておく。最後に、５０ｍ
ｍｏｌのよう化メチル（Aldrich Chemical Company）が
反応混合物に添加される。この反応は室温で一晩撹拌さ
れる。明るい褐色の溶液が得られる。反応混合物はつい
で、６００ｍＬの脱イオン水が入っているビーカーの中
に注ぎ入れられる。ろ過によって収集される黄色っぽい
オレンジ色の個体は、４００ｍＬの脱イオン水と４００
ｍＬの２ープロパノールによって連続して洗浄される。
粗ポリマーはさらに、微量のテトラヒドロフラン（少量
のＮ−メチル−２−ピロリドンを添加してポリマーの溶
解を促進してもよい）の中に再度溶かし、脱イオン水に
再度沈澱させることによって精製される。ろ過によって
収集される最終ポリマーは、メタノール，エチル・エー
テルで洗浄され、真空下で乾燥されて８０％の収量を得
る。
【００４４】前駆ポリマーの構造は、赤外Ｈ1 およびＣ
13ＮＭＲや紫外・可視分光法、元素分析データによって
確認される。 例３ 前駆ポリマー（２２）（Ｒ＝ＣＨ3 ＣＯ）のアセテート
誘導体をＣＮ−ＰＰＶに転換する以下の条件は、前駆ポ
リマー（２２）のほとんどのエステル誘導体の転換に対
応できる。
13ＮＭＲや紫外・可視分光法、元素分析データによって
確認される。 例３ 前駆ポリマー（２２）（Ｒ＝ＣＨ3 ＣＯ）のアセテート
誘導体をＣＮ−ＰＰＶに転換する以下の条件は、前駆ポ
リマー（２２）のほとんどのエステル誘導体の転換に対
応できる。
【００４５】前駆ポリマー（２２）のアセテート誘導体
の膜は、Ｎーメチル−２−ピロリドン中の前駆体４％溶
液を１０００ｒｐｍで４０秒間、ついで、５０００ｒｐ
ｍで２分間回転コーティングすることによって、厚さ約
９００オングストロームとなる。
の膜は、Ｎーメチル−２−ピロリドン中の前駆体４％溶
液を１０００ｒｐｍで４０秒間、ついで、５０００ｒｐ
ｍで２分間回転コーティングすることによって、厚さ約
９００オングストロームとなる。
【００４６】この転換を実施するには、この膜を減圧下
の真空オーブン内で加熱する。前駆ポリマーのアセテー
ト・エステルのＣＮ−ＰＰＶへの完全な転換には、温度
が２８０℃から３００℃、−１０-5から１０-6torr真空
で４時間を必要とする。この転換温度は、前駆ポリマー
（２２）のキサントゲン酸エステル誘導体の場合には、
２００℃以下に低下できる。
の真空オーブン内で加熱する。前駆ポリマーのアセテー
ト・エステルのＣＮ−ＰＰＶへの完全な転換には、温度
が２８０℃から３００℃、−１０-5から１０-6torr真空
で４時間を必要とする。この転換温度は、前駆ポリマー
（２２）のキサントゲン酸エステル誘導体の場合には、
２００℃以下に低下できる。
【００４７】前駆ポリマーの構造は、赤外紫外・可視分
光法や元素分析によって確認される。前駆ポリマーのア
セテート・エステルを１０-6torr真空下で３００℃で熱
処理して得られるＣＮ−ＰＰＶは、ホトルミネセンス・
スペクトルで約６３０ｎｍ近辺にピーク放射を有する。
ストーク・シフト（stork shift ）は異常に大きく、約
０．８ｅｖである。 例４ 有機ＥＬデバイスは以下の方法で製造される。
光法や元素分析によって確認される。前駆ポリマーのア
セテート・エステルを１０-6torr真空下で３００℃で熱
処理して得られるＣＮ−ＰＰＶは、ホトルミネセンス・
スペクトルで約６３０ｎｍ近辺にピーク放射を有する。
ストーク・シフト（stork shift ）は異常に大きく、約
０．８ｅｖである。 例４ 有機ＥＬデバイスは以下の方法で製造される。
【００４８】（ａ）indium tin oxide（ＩＴＯ）コーテ
ッド・ガラス基板は、商業洗剤により超音波洗浄され、
脱イオン水ですすがれ、２−プロパノールとアセトンで
脱脂され、ろ過した窒素をブローすることによって乾燥
される。
ッド・ガラス基板は、商業洗剤により超音波洗浄され、
脱イオン水ですすがれ、２−プロパノールとアセトンで
脱脂され、ろ過した窒素をブローすることによって乾燥
される。
【００４９】（ｂ）ＩＴＯ層の上に、ＰＰＶスルホニウ
ム前駆ポリマーの膜の熱処理によって、３００オングス
トロームのＰＰＶの正孔輸送層が蒸着され、これは、メ
タノール溶液から回転コーティングによって得られる。
ム前駆ポリマーの膜の熱処理によって、３００オングス
トロームのＰＰＶの正孔輸送層が蒸着され、これは、メ
タノール溶液から回転コーティングによって得られる。
【００５０】（ｃ）電子輸送・放射層としての９００オ
ングストロームのＣＮ−ＰＰＶ層は、前駆ポリマーのア
セテート・エステル膜の熱処理によって、ＰＰＶ層の上
に蒸着され、これは、Ｎ−メチルピロリドン溶液から回
転コーティングによって得られる。
ングストロームのＣＮ−ＰＰＶ層は、前駆ポリマーのア
セテート・エステル膜の熱処理によって、ＰＰＶ層の上
に蒸着され、これは、Ｎ−メチルピロリドン溶液から回
転コーティングによって得られる。
【００５１】（ｄ）発光層の上には、２０００オングス
トロームのアルミニウムが蒸着されて、有機ＥＬデバイ
スを完成する。
トロームのアルミニウムが蒸着されて、有機ＥＬデバイ
スを完成する。
【００５２】動作において、オレンジ赤色光が、アルミ
ニウム層とＩＴＯ層の間にかけられたちょうど１４Ｖの
順バイアスのところで、裸眼で見えるようになる。この
デバイスは、測定量子効率（電子当りのフォトン数）が
０．１％で、輝度は７００ｃｄ／ｍ2 である。 例５ 有機ＥＬデバイスは、例４の記載と同様の方法で構築さ
れるが、ＰＰＶの正孔輸送層が省かれる点が異なる。
ニウム層とＩＴＯ層の間にかけられたちょうど１４Ｖの
順バイアスのところで、裸眼で見えるようになる。この
デバイスは、測定量子効率（電子当りのフォトン数）が
０．１％で、輝度は７００ｃｄ／ｍ2 である。 例５ 有機ＥＬデバイスは、例４の記載と同様の方法で構築さ
れるが、ＰＰＶの正孔輸送層が省かれる点が異なる。
【００５３】動作において、オレンジ赤色光は、アルミ
ニウム層とＩＴＯ層の間にかけられた１６Ｖの順バイア
スのところで裸眼で見えるようになる。デバイスは測定
量子効率（電子当りのフォトン数）が０．０６％で輝度
は６００ｃｄ／ｍ2 である。
ニウム層とＩＴＯ層の間にかけられた１６Ｖの順バイア
スのところで裸眼で見えるようになる。デバイスは測定
量子効率（電子当りのフォトン数）が０．０６％で輝度
は６００ｃｄ／ｍ2 である。
【００５４】このため、ポリ（フェニレン・ビニレン）
とその誘導体を作成する新しい前駆体ルート方法が開示
される。さらに、新しい前駆体ルートは、発光デバイス
に使用するＣＮ−ＰＰＶにとって新しいクラスの加工可
能な前駆体と、発光デバイスにおいて加工可能な新しい
クラスのＣＮ−ＰＰＶの前駆体の新しい作成方法を提供
する。また、発光デバイスにおいてＣＮ−ＰＰＶの新し
い加工可能な前駆体を利用することによって、比較的高
い仕事関数の金属が電子注入接点として利用でき、この
金属は、（空中劣化を通常被りやすく、加工・封入が難
しい仕事関数の低い）以前必要とされた金属に代わっ
て、容易に加工しやすく、周囲に対する安定性が大幅に
向上している。そのため、新しい前駆体ルート方法と、
発光デバイスにおけるＣＮ−ＰＰＶに対する新しいクラ
スの加工可能前駆体は、製造を簡素化し、効率を向上さ
せる。
とその誘導体を作成する新しい前駆体ルート方法が開示
される。さらに、新しい前駆体ルートは、発光デバイス
に使用するＣＮ−ＰＰＶにとって新しいクラスの加工可
能な前駆体と、発光デバイスにおいて加工可能な新しい
クラスのＣＮ−ＰＰＶの前駆体の新しい作成方法を提供
する。また、発光デバイスにおいてＣＮ−ＰＰＶの新し
い加工可能な前駆体を利用することによって、比較的高
い仕事関数の金属が電子注入接点として利用でき、この
金属は、（空中劣化を通常被りやすく、加工・封入が難
しい仕事関数の低い）以前必要とされた金属に代わっ
て、容易に加工しやすく、周囲に対する安定性が大幅に
向上している。そのため、新しい前駆体ルート方法と、
発光デバイスにおけるＣＮ−ＰＰＶに対する新しいクラ
スの加工可能前駆体は、製造を簡素化し、効率を向上さ
せる。
１つだけの図は、本発明による発光ダイオードの簡略化
した断面図を示す。
した断面図を示す。
１１０ 発光デバイス（ＬＥＤ）
１１１ 基板
１１２ 導電層
１１３ キャリヤ輸送材料層
１１４ ＰＰＶ誘導体層
１１５ 第２導電層
１１７ ポテンシャル・ソース
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08G 61/02
ＷＰＩ／Ｌ（ＱＵＥＳＴＥＬ)
Claims (2)
- 【請求項１】 以下の式を有するＰＰＶ誘導体の可溶性
前駆体を作成する段階； 【化１】 前記可溶性前駆体を以下の式を有するＰＰＶ誘導体に転
換する段階； 【化２】 によって構成されるＰＰＶ誘導体を作成する方法であっ
て、 ｐは水素、またはシアノ，ニトロ，フルオリドなどの電
子求引基であり、 Ｒ 1 からＲ 8 は、各位置の置き換えの可能性を表し、そ
れぞれ水素または炭化水素基、またはシアノ，ニトロ，
ハロゲン，ハロアルキル，ハロアルコキシ，アルコキシ
ル，アミド，アミノ，スルホニル，カルボニル，オキシ
カルボニルなどの官能基を表し、 Ｒ 1 とＲ 2 が一緒、Ｒ 3 とＲ 4 が一緒、Ｒ 5 とＲ 6 が一
緒、Ｒ 7 とＲ 8 が一緒になって、縮合ベンゾ環を形成で
き、 ｎは、１個のポリマー分子内の反復単位の平均数であ
る、方法。 - 【請求項２】 実質的に平らな表面を有する基板（１１
１）を設ける段階； 前記基板の前記平らな表面の上に第１導電形を有する第
１導電層（１１２）を形成する段階； および以下の式を有するＰＰＶ誘導体の可溶性前駆体を
作成する段階； 【化３】 前記第１導電層の上に、前記可溶性前駆体の層（１１
４）を支持する段階； 前記可溶性前駆体層を以下の式を有するＰＰＶ誘導体に
転換する段階； 【化４】 および前記ＰＰＶ誘導体材料層の上に第２導電形を有す
る第２導電層（１１５）を配置する段階； によって構成される有機発光デバイスを製造する方法で
あって、 ｐは水素、またはシアノ，ニトロ，フルオリドなどの電
子求引基であり、 Ｒ 1 からＲ 8 は、各位置の置き換えの可能性を表し、そ
れぞれ水素または炭化水素基、またはシアノ，ニトロ，
ハロゲン，ハロアルキル，ハロアルコキシ，アルコキシ
ル，アミド，アミノ，スルホニル，カルボニル，オキシ
カルボニルなど の官能基を表し、 Ｒ 1 とＲ 2 が一緒、Ｒ 3 とＲ 4 が一緒、Ｒ 5 とＲ 6 が一
緒、Ｒ 7 とＲ 8 が一緒になって、縮合ベンゾ環を形成で
き、 ｎは、１個のポリマー分子内の反復単位の平均数であ
る、方法。
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