JP3398151B2 - 液晶混合物中に用いるためのディスコチック化合物 - Google Patents
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Description
晶材料及び液晶装置への使用に係わる。
しばしばネマチック及び/またはスメクチック中間相に
よって特徴付けられる。しかし、通常円盤状の分子構造
を特徴とする幾つかの公知化合物も存在する。これらの
化合物はディスコチック化合物と呼称され、異方性中間
相によって特徴付けられ得る。
Chandrasekhar及びG.S.Ranganath,Rep.Prog.Phys.53,p
p.57−87,1990に記載されているベンゼン、トルキセン
(truxene)、メタロフタロシアニン及びトリフェニレ
ンをベースとし得る。Nguyen Huu Tinh等(Mol.Crys
t.Liq.Cryst.,Vol.68,pp.101−111,1981)は2,3,6,7,1
0,11トリフェニレンn−アルコキシ(及びn−アルキ
ル)エステルについて述べている。C.Vauchier等(Mol.
Cryst.Liq.Cryst.,Vol.66,pp.103−114,1981)も、トリ
フェニレンの2,3,6,7,10,11n−アルコキシベンゾエート
及びn−アルコキシテトラフルオロ置換ベンゾエートに
ついて述べている。
に独立にCOO、OCO、CH2O及びOCH2の中から選択され、m
はZ1〜6それぞれに存在する置換基の数を規定し、か
つ互いに独立に0〜5の中から選択され、Z1〜6それ
ぞれに存在する各置換基のXは互いに独立にアルキル
(直鎖、分枝鎖及びキラル)、アルコキシ(直鎖、分枝
鎖またはキラル)、アルカノイル(直鎖、分枝鎖または
キラル)、アルケニル(直鎖、分枝鎖またはキラル)、
ハロゲン、ハロゲノアルキル(直鎖、分枝鎖及びキラ
ル)及びCNの中から選択され、 ただしZ1〜6のうちの少なくとも1個は少なくとも1
個の置換基Xを有し、また 例外としてZ1〜6それぞれのmが1である場合はZ
1〜6それぞれのYはCOOであり、かつXはZ1〜6そ
れぞれのYに対してパラ位に位置するn−アルキルまた
はn−アルコキシであり、同様にZ1〜6それぞれのm
が5である場合はZ1〜6それぞれのYはCOOであり、
かつZ1〜6それぞれのXは、Yに対してパラ位に位置
するものにはn−アルコキシ、他の総ての置換基にはフ
ッ素が選択される〕の2,3,6,7,10,11トリフェニレンデ
ィスコチック化合物を提供する。
から選択される場合、当該置換基は好ましくはC1〜20
を有する。
及び/または液晶材料中での有用性に基づく。
ましい構造は次のとおりである: 〔式中Xjはアルキル、アルコキシ、ハロゲン(好ましく
はフッ素)及びCNの中から選択される〕。
を適当なトリフェニレンビフェノールと反応させること
によって製造し得る。トリフェニレンフェノールの製造
は公知である(例えばN.H.Tinh等,Mol.Cryst.Liq.Crys
t.,Vol.68,pp.101−111,1981)。適当に置換した安息香
酸は、当業者に明らかな合成経路から製造可能である。
含有させ得、その際混合物は少なくとも二つの化合物を
含有する。典型的な混合物には複数の式Iの化合物から
成る混合物が含まれ、かつ少なくとも一つの式Iの化合
物と、少なくとも一つの式I以外の化合物とから成る混
合物も含まれる。ディスコチック液晶材料において室温
液晶相を実現するため、並びに相配列及び転移温度を制
御するためにはドナー−アクセプター混合物、及び個々
の化合物の融点より低い融点を有する混合物が望まし
い。
化合物を含有する混合物の液晶装置への使用を包含す
る。液晶装置には典型的には、線形及び非線形の電気
的、光学的及び電気光学的装置、磁気光学的装置、並び
に温度変化及び全圧または分圧変化などの刺激に対して
応答する装置が含まれる。
造のための合成経路を第1図〜第7図に示す。第8図〜
第12図は化合物の重量%を温度に対して示す相図であ
る。第13図は液晶装置の説明図である。
−4−オクチルオキシ−3−メチルベンゾエートの製造 ステップ1.1 ヘキサメトキシトリフェニレンの製造 クロラニル(64g;0.26mol)と、ベラトロール(14.4
g;0.104mol)と、稀釈硫酸(70% v/v;200m)とを窒
素下に攪拌しつつ加え合わせた。反応混合物を8日間放
置した。フラスコの中味を氷(1)上へ注ぎ、更に3
の水で稀釈した。固体を濾別した。生成物を、まず1
の水及び100mのメタノール中に再懸濁させてから濾
別した。この操作を、500mのメタノール及び50mの
水を用いて繰り返し、最後は1のメタノールで行なっ
た。その後、生成物を濾別して乾燥した。得られた物質
をクロロホルム中に取って濾過し、この操作を数回繰り
返した。一つに合わせたクロロホルム抽出物を蒸発さ
せ、固体を3×100mのトルエンと共に攪拌し、濾別
し、風乾した。次に、固体を3×100mのアセトンと共
に攪拌し、濾別し、風乾した。粗生成物を20gのシリカ
(Merck 60H、ART7736)と共に100mのクロロホルム
中に懸濁させた。得られたスラリーを、1容の円筒形
分液漏斗内のシリカ(60H;80g)のカラムに加え、クロ
ロホルムで溶離した。集めた画分を等量のトルエン及び
等量の3倍のメタノールと共に攪拌した。沈澱したヘキ
サメトキシトリフェニレンを濾別した。
g;0.034mol)を乾燥ジクロロメタン(100m)中のヘキ
サメトキシトリフェニレン(2g;0.0049mol)に、乾燥窒
素雰囲気下に−80℃において添加した。混合物を一晩室
温に加温した。水を添加し、ジクロロメタンを減圧下に
除去した。粗生成物を濾別した。水からの再結晶によっ
てヘキサヒドロキシトリフェニレンを精製した。
に溶解させたo−クレゾール(21.6g;0.2mol)に氷(30
0g)を添加した。次に無水酢酸(30.6g;0.3mol)を添加
し、混合物を1分間振盪した。生成物をエーテル中に抽
出し、その後減圧蒸留によって精製した。
ノンの製造 氷中で冷却した、無水塩化アルミニウム(42.6g;0.32
mol)を乾燥ニトロベンゼン(250m)中に懸濁させた
懸濁液に乾燥ニトロベンゼン(125m)中のステップ1.
3の化合物(24.7g;0.16mol)を攪拌しつつ滴下し加え
た。混合物を室温に加温し、攪拌を10時間継続した。次
に、混合物を氷及び濃塩酸(100m)上へ注ぎ、0.5時
間攪拌した。有機層を分離し、水性層をクロロホルムと
共に振盪した。一つに合わせた有機層をブラインで洗浄
し、その後溶媒(クロロホルム及びニトロベンゼン)が
もはや留出しなくなるまで水蒸気蒸留した。得られた粗
生成物をクロロホルム中に抽出し、無水硫酸マグネシウ
ムで脱水した。クロロホルムを除去した後、酢酸エチル
と石油留分(沸点60〜80℃)との1:1混合物からの再結
晶によって標記メチルケトンを精製した。
フェノンの製造 炭酸カリウム(22.77g;0.165mol)をブタノン(110m
)中に懸濁させた懸濁液にステップ1.4の化合物(5g;
0.033mol)を攪拌しつつ添加した。次に、ブロモオクタ
ン(6.76g;0.035mol)を滴下し加えた。混合物を還流下
に24時間攪拌した。固体を濾別し、溶媒の半分を除去し
た。その後、溶液を水中へ注ぎ、生成物を酢酸エチル中
に抽出した。一つに合わせた抽出物を水酸化ナトリウム
水溶液(5%)、次いで水で洗浄した。抽出物を無水硫
酸マグネシウムで脱水後、減圧蒸留によって標記メチル
ケトンを精製した。
酸の製造 臭素(12.8g;0.08mol)を水酸化ナトリウム(8g;0.2m
ol)の水溶液(38m)に溶解させることにより、−10
〜0℃において次亜臭素酸ナトリウム溶液を製造した。
この溶液を、ステップ1.5の化合物(3g;0.0115mol)の
ジオキサン溶液(125m)に攪拌しつつ添加した。添加
の間中及びその後の20分間温度を60〜70℃に維持した。
過剰な次の亜臭素酸塩をメタ重亜硫酸ナトリウムで破壊
した。反応混合物に水を添加し、白色の沈澱物を濾別
し、その後溶液を濃塩酸で酸性化した。沈澱物を濾別
し、水で数回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで脱水し
た。エタノールからの再結晶によって標記酸を精製し
た。
キサ−4−オクチルオキシ−3−メチルベンゾエートの
製造 ステップ1.6の化合物(10g;0.038mol)及びジメチル
ホルムアミド(5滴)を乾燥ジクロロメタン(100m)
に溶解させ、乾燥ジクロロメタン(10m)中の塩化オ
キサリル(9.6g;0.076mol)を滴下し加えた。混合物を
室温で一晩攪拌した。過剰な塩化オキサリル及びジクロ
ロメタンを真空下に除去し(60℃)、その後直ちに残留
酸塩化物を用いてエステルを製造した。無水ピリジン
(100m)中のステップ1.2の化合物(0.6g;0.0019mo
l)に3−メチル−4−オクチルオキシベンゾイルクロ
リド(0.038mol)を添加した。混合物を攪拌しつつ160
℃で2時間加熱し、その後濃塩酸(50m)と砕氷(500
m)との混合物上へ注いだ。粗生成物をエーテル中に
抽出し、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで脱水し
た。溶媒を除去し、生成物をフラッシュカラムクロマト
グラフィー(溶離剤ジクロロメタン)とこれに続くエタ
ノールからの再結晶とによって精製した。
−4−デシルオキシ−3−フルオロベンゾエートの製造 ステップ2.1 4−ブロモ−1−デシルオキシ−2−フ
ルオロベンゼンの製造 4−ブロモ−2−フルオロフェノール及び炭酸カリウ
ムの攪拌還流溶液に1−ブロモデカンのブタノン溶液を
滴下し加えた。攪拌混合物を還流下に24時間加熱した。
炭酸カリウムを濾別し、溶媒を除去した。生成物を130
℃及び0.05mmHgで蒸留した。
酸の製造 ステップ2.1の化合物の乾燥THF溶液を攪拌及び冷却
(−78℃)し、これにn−ブチルリチウムの溶液を滴下
し加えた。混合物を40分間上記条件下に維持し、その後
乾燥エーテル及びcardiceのスラリー中へ注いだ。溶液
を36% HClで酸性化し、水で洗浄し、脱水した(硫酸
マグネシウム)。溶媒を除去して白色の固体を得た。
キサ−4−デシルオキシ−3−フルオロベンゾエートの
製造 ステップ2.2の化合物及びジメチルホルムアミドを乾
燥ジクロロメタンに溶解させた。塩化オキサリルの乾燥
ジクロロメタン溶液を滴下し加えた。反応混合物を一晩
放置し、その後溶媒及び過剰な塩化オキサリルを除去し
た。残留酸塩化物を直ちに用いた。乾燥ピリジン中の前
記酸塩化物にステップ1.2の化合物を160℃において添加
し、これを還流下に2時間加熱した。反応混合物を冷却
し、36% HClと氷との混合物中へ注いだ。粗生成物を
エーテル中に抽出し、水、重炭酸ナトリウム、水で洗浄
し、脱水した(硫酸マグネシウム)。溶媒を除去して粗
生成物を得、これをベンゼン中で再結晶させた。
−4−デシルオキシ−2,6−ジメチルベンゾエートの製
造 ステップ3.1 1−ブロモ−4−デシルオキシ−2,6−ジ
メチルベンゼンの製造 実験手順をステップ2.1の化合物の製造に関して述べ
たものと同じにした。
l)及び無水炭酸カリウムK2CO3(30.0g;0.2mol)をブタ
ノン(250m)に加えた攪拌還流混合物に1−ブロモデ
カン(11.05g;0.05mol)のブタノン溶液(50m)を滴
下し加えた。攪拌混合物を還流下に24時間加熱した。K2
CO3を濾別し、溶媒を除去した。残留物を蒸留して無色
の液体を得た。
酸の製造 実験手順をステップ2.2の化合物の製造に関して述べ
たものと同じにした。
−ジメチルベンゼン(10.0g;0.029mol)の乾燥THF溶液
(200m)を攪拌及び冷却(−78℃)し、これにn−ブ
チルリチウム(2.9m;ヘキサン中に10.0M;0.029mol)
の溶液を滴下し加えた。攪拌混合物を1時間上記条件下
に維持し、その後固体二酸化炭素及び乾燥エーテルのス
ラリー上へ注いだ。生成物を36% HClで酸性化し、水
で洗浄した。エーテル層を脱水し(MgSO4)、かつ溶媒
を除去して無色の固体を得、これを石油留分(40〜60
℃)から再結晶させた。
キサ−4−デシルオキシ−2,6−ジメチルベンゾエート
の製造 4−デシルオキシ−2,6−ジメチル安息香酸(2.44g;
0.008mol)及びDMF(10滴)の乾燥ジクロロメタン溶液
(100m)を攪拌し、これに塩化オキサリル(1.26g;0.
01mol)の乾燥ジクロロメタン溶液を滴下し加えた。反
応混合物を一晩放置し、その後溶媒を除去した。残留酸
塩化物を、これ以上精製することなく直ちに用いた。
キサヒドロキシトリフェニレン(0.26g;0.0085mol)を
一気に添加し、これを還流(油浴温度>160℃)下に2
時間加熱した。反応混合物を冷却し、濃塩酸と氷との混
合物中へ注いだ。粗生成物をエーテル中に抽出し、水、
NaHCO3水溶液、水で洗浄し、脱水した(MgSO4)。溶媒
を除去し、粗生成物をフラッシュカラムクロマトグラフ
ィーによって精製し、かつエタノール−酢酸エチルから
再結晶させた。
−4−デシルオキシ−3,5−ジメチルベンゾエートの製
造 ステップ4.1 1−ブロモ−4−デシルオキシ−3,5−ジ
メチルベンゼンの製造 実験手順を1−ブロモ−4−デシルオキシ−2,6−ジメ
チルベンゼンの製造に関して述べたものと同じにし(ス
テップ3.1参照)、生成物を蒸留した。
l)、1−ブロモデカン(11.05g;0.05mol)、K2CO3(3
0.0g;0.2mol) 収量:12.0g(88%) 沸点:0.01mmHgで150〜160℃ ステップ4.2 4−デシルオキシ−3,5−ジメチル安息香
酸の製造 実験手順を4−デシルオキシ−2,6−ジメチル安息香
酸の製造に関して述べたものと同じにした(ステップ3.
2参照)。生成物を石油留分(40〜60℃)から再結晶さ
せた。
ゼン(12.0g;0.039mol)、n−ブチルリチウム(3.9m
;ヘキサン中に10.0M;0.039mol) 収量:4.44g(37%) 融点:77〜78℃ ステップ4.3 トリフェニレン−2,3,6,7,10,11−イルヘ
キサ−4−デシルオキシ−3,5−ジメチルベンゾエート
の製造 実験手順をトリフェニレン−2,3,6,7,10,11−イルヘ
キサ−4−デシルオキシ−2,6−ジメチルベンゼゾエー
トの製造に関して述べたものと同じにした(ステップ3.
3参照)。
ゼン(4.0g;0.013mol)、塩化オキサリル(3.78g;0.03m
ol)、2,3,6,7,10,11−ヘキサヒドロキシトリフェニレ
ン(0.42g;0.0013mol) 収量:0.28g(11%) 化合物5:トリフェニレン−2,3,6,7,10,11−イルヘキサ
−4−デシルオキシ−2,6−ジフルオロベンゾエートの
製造 この化合物は、化合物2に関して述べたのと同様にし
て合成した。
ゼンの製造 実験手順を1−ブロモ−4−デシルオキシ−3−フル
オロベンゼンの製造に関して述べたものと同じにした
(ステップ2.1参照)。
−ブロモデカン(8.84g;0.04mol) 収量:10.26g(100%) ステップ5.2 4−デシルオキシ−2,6−ジフルオロ安息
香酸の製造 実験手順を4−デシルオキシ−3−フルオロ安息香酸
の製造に関して述べたものと同じにした(ステップ2.2
参照)。
g;0.038mol)、n−BuLi(10.0M;3.8m;0.038mol)、T
HF(200m) 収量:7.7g(64%) ステップ5.3 トリフェニレン−2,3,6,7,10,11−イルヘ
キサ−4−デシルオキシ−2,6−ジフルオロベンゾエー
トの製造 実験手順をトリフェニレン−2,3,6,7,10,11−イルヘ
キサ−4−デシルオキシ−3−フルオロベンゾエートの
製造に関して述べたものと同じにした(ステップ2.3参
照)。
0.024mol)、塩化オキサリル(3.78g;0.03mol)、DMF
(10滴)、ジクロロメタン(100m)、ヘキサヒドロキ
シトリフェニレン(0.77g;0.0024mol)、ピリジン(100
m) 収量:3.00g(60%) 相転移温度(℃):K 138.0 I 化合物6:トリフェニレン−2,3,6,7,10,11−イルヘキサ
−3−デシルオキシベンゾエートの製造 この化合物は、化合物2に関して述べたのと同様にし
て合成した。
製造 3−ヒドロキシ安息香酸(30.0g;0.22mol)と、メタ
ノール(101m)と、濃硫酸(2.7m)とを加え合わ
せ、還流下に4時間加熱した。反応混合物を冷却し、メ
タノールを除去した。粗生成物を真空乾燥し、これ以上
精製せずに用いた。
の製造 メチル−3−ヒドロキシベンゾエート(5.0g;0.033mo
l)及び無水炭酸カリウム(K2CO3;30.0g;0.20mol)をブ
タノン(200m)に加えた攪拌還流混合物に1−ブロモ
デカン(11.05g;0.050mol)のブタノン溶液(50m)を
滴下し加えた。攪拌混合物を還流下に24時間加熱した。
K2CO3を濾別し、溶媒を除去した。残留物を重力カラム
クロマトグラフィー(シリカゲル/ジクロロメタン)に
よって精製して無色の油を得た。
3mol)及び水酸化ナトリウム(6.60g;0.165mol)をメタ
ノール(150m)及び水(15m)に溶解させた溶液を
還流下に2時間加熱した。次に、反応混合物が冷えてか
ら希塩酸(100m)を添加した。粗生成物を濾別し、水
で洗浄し、真空乾燥した。得られた物質を再結晶させて
無色の結晶を得た。
キサ−3−デシルオキシベンゾエートの製造 この化合物の製造方法はステップ3.3での方法と同じ
にした。
−4−デシルオキシ−2−エチル−6−メチルベンゾエ
ートの製造 ステップ7.1 1−デシルオキシ−3−エチル−5−メ
チルベンゼンの製造 実験手順を1−ブロモ−4−デシルオキシ−3−フル
オロベンゼンに関して述べたものと同じにして(ステッ
プ2.1参照)、淡いオレンジ色の油を得た。
l)、1−ブロモデカン(11.05g;0.05mol)、K2CO3(3
0.0g;0.2mol) 収量:9.4g(94%) ステップ7.2 1−ブロモ−4−デシルオキシ−2−エ
チル−6−メチルベンゼンの製造 1−デシルオキシ−3−エチル−5−メチルベンゼン
(9.4g;0.034mol)をクロロホルム(200m)に溶解さ
せた攪拌還流溶液に臭素(5.44g;0.034mol)のクロロホ
ルム溶液(50m)を滴下し加えた。次に、反応混合物
を冷却し、水で洗浄し、脱水した(MgSO4)。溶媒を除
去し、残留物を重力カラムクロマトグラフィー(シリカ
ゲル/ジクロロメタン)によって精製して淡いオレンジ
色の油を得た。
チル安息香酸の製造 実験手順をステップ2.2で合成した化合物の製造に関
して述べたものと同じにした。粗生成物を石油留分(40
〜60℃)から再結晶させて無色の固体を得た。
チルベンゼン(11.57g;0.036mol)、n−BuLi(3.6m;
10.0M;0.036mol)、THF(200m) 収量:4.32g(48%) ステップ7.4 トリフェニレン−2,3,6,7,10,11−イルヘ
キサ−4−デシルオキシ−2−エチル−6−メチルベン
ゾエートの製造 実験手順を化合物2に関して述べたものと同じにした
(ステップ2.3参照)。
(4.32g;0.0135mol)、塩化オキサリル(1.89g;0.015mo
l)、DMF(10滴)、ジクロロメタン(100m)、ヘキサ
ヒドロキシトリフェニレン(0.44g;0.00135mol)、ピリ
ジン(100m) 収量1.15g(40%) 相転移温度(℃):K−ND 70.0 I 表1及び2に式Iの化合物の相転移温度を示すが、そ
の際表1の化合物のZ1〜6はそれぞれ式IIIによって
表わされ、表2の化合物のZ1〜6はそれぞれ式IVによ
って表わされ、またKは結晶質、Dはカラム状相、NDは
ネマチックディスコチック相、ILは等方性液体を意味す
る。表3の化合物のZ1〜6はそれぞれ式Vによって表
わされ、表4のZ1〜6はそれぞれ式VIによって表わさ
れる。Kは結晶質を意味する。Dはカラム状相、NDはネ
マチックディスコチック相、hdは六方不規則格子(hexa
gonal disordered)、ILは等方性液体を意味する。
検査によって求めた。括弧に入れたデータは相転移温度
が示差走査熱量計を用いて求められたことを示す。
ことが可能である。第8図は、化合物 を下記化合物 と混合する場合の前者の化合物の重量%を転移温度に対
して示す相図である。
イルヘキサ−4−オクチルオキシベンゾエート及びトリ
フェニレン−2,3,6,7,10,11−イルヘキサ−4−オクチ
ルオキシ−3,5−ジメチルベンゾエートに関して転移温
度を重量%に対してプロットした二成分相図である。
イルヘキサ−4−オクチルオキシ−3,5−ジメチルベン
ゾエート及びトリフェニレン−2,3,6,7,10,11−イルヘ
キサ−4−ドデシルオキシ−3,5−ジメチルベンゾエー
トに関して転移温度を重量%に対してプロットした二成
分相図である。
イルヘキサ−4−オクチルオキシ−2,6−ジメチルベン
ゾエート及びトリフェニレン−2,3,6,7,10,11−イルヘ
キサ−4−ドデシルオキシ−2,6−ジメチルベンゾエー
トに関して転移温度を重量%に対してプロットした二成
分相図である。
イルヘキサ−4−オクチルオキシ−3,5−ジメチルベン
ゾエート及びトリフェニレン−2,3,6,7,10,11−イルヘ
キサ−4−オクチルオキシ−2,6−ジメチルベンゾエー
トに関して転移温度を重量%に対してプロットした二成
分相図である。
の使用の一例を、第13図を参照して以下に説明する。
レート1及び2から成る。プレート1及び2はその内側
面を、透明な導電電極3及び4によって被覆されてい
る。セルの内側面上には整列層5、6が、液晶材料を構
成する分子の配向がガラスプレート1及び2に対してほ
ぼ平行となり、または僅かな角度を成すように配置され
ている。ディスプレイの種類によっては、整列方向は直
交する。電極3及び4は行電極及び列電極として形成し
得、その場合各列と各行との交点がアドレス可能な素子
もしくはピクセルのxyマトリックスを構成する。例えば
ポリメチルメタクリレートから成るスペーサー7はガラ
スプレート1と2とを、例えば2μmの適当な間隔で分
離する。液晶材料8はガラスプレート1と2との間に、
前記両プレート間の空隙を満たすことにより導入されて
いる。スペーサー7は、既存の技術を用いて真空下に接
着剤9で封止されている。セルの前面及び背面に偏光子
10及び11が配置されている。装置によっては偏光子は1
個しか、または全く必要でない。
合、装置を通過する、例えばタングステン電球からの光
が選択的に透過させられたり遮断されたりして所望の表
示を実現する。反射モードの場合は第二の偏光子11の背
後に、周囲光をセル及び2個の偏光子を通過するように
反射し返す鏡(12)が配置される。鏡を部分的に反射性
とすれば、装置を透過モードと反射モードとの両方で作
動させることができる。
ーを実現する。
Claims (10)
- 【請求項1】式I 〔式中Z1〜6はそれぞれ式II によって表わされ、その際Z1〜6それぞれのYは互い
に独立にCOO、OCO、CH2O及びOCH2の中から選択され、m
はZ1〜6それぞれに存在する置換基の数を規定し、か
つ互いに独立に0〜5の中から選択され、Z1〜6それ
ぞれに存在する各置換基のXは互いに独立にアルキル
(直鎖、分枝鎖及びキラル)、アルコキシ(直鎖、分枝
鎖またはキラル)、アルカノイル(直鎖、分枝鎖または
キラル)、アルケニル(直鎖、分枝鎖またはキラル)、
ハロゲン、ハロゲノアルキル(直鎖、分枝鎖またはキラ
ル)及びCNの中から選択され、 ただしZ1〜6のうちの少なくとも1個は少なくとも1
個の置換基Xを有し、また 例外としてZ1〜6それぞれのmが1である場合はZ
1〜6それぞれのYはCOOであり、かつXはZ1〜6そ
れぞれのYに対してパラ位に位置するn−アルキルまた
はn−アルコキシであり、同様にZ1〜6それぞれのm
が5である場合はZ1〜6それぞれのYはCOOであり、
かつZ1〜6それぞれのXは、Yに対してパラ位に位置
するものにはn−アルコキシ、他の総ての置換基にはフ
ッ素が選択される〕の2,3,6,7,10,11トリフェニレンデ
ィスコチック化合物。 - 【請求項2】Z1〜6それぞれとして同じ置換基が選択
されることを特徴とする請求項1に記載のトリフェニレ
ン。 - 【請求項3】Z1〜6それぞれのYとしてCOOが選択さ
れることを特徴とする請求項1に記載のトリフェニレ
ン。 - 【請求項4】Z1〜6がそれぞれYに対してパラ位に位
置する置換基を有し、Z1〜6それぞれのこの置換基は
アルキル、アルコキシ、フッ素、塩素及びCNの中から選
択されることを特徴とする請求項3に記載のトリフェニ
レン。 - 【請求項5】Z1〜6のうちの少なくとも1個が第二の
置換基を有し、この第二の置換基はCH3、フッ素、塩素
及びCF3の中から選択されることを特徴とする請求項4
に記載のトリフェニレン。 - 【請求項6】Z1〜6のうちの少なくとも1個が3個の
置換基を有し、第二及び第三の置換基はCH3、フッ素、
塩素及びCF3の中から選択され、第二及び第三の置換基
はYに対してオルト位及びメタ位に位置することを特徴
とする請求項4に記載のトリフェニレン。 - 【請求項7】Z1〜6のうちの少なくとも1個が3個の
置換基を有し、第二及び第三の置換基はCH3、フッ素、
塩素及びCF3の中から選択され、第二及び第三の置換基
は共にYに対してメタ位に位置することを特徴とする請
求項4に記載のトリフェニレン。 - 【請求項8】少なくとも二つの化合物を含有し、そのう
ち少なくとも一つの化合物が請求項1に記載のトリフェ
ニレンである液晶混合物。 - 【請求項9】少なくとも二つの化合物を含有し、含有す
る化合物が総て請求項1に記載のトリフェニレンである
液晶混合物。 - 【請求項10】請求項1に記載のトリフェニレンを組み
込まれた液晶装置。
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