JP3395247B2 - 窒化ケイ素系焼結体 - Google Patents
窒化ケイ素系焼結体Info
- Publication number
- JP3395247B2 JP3395247B2 JP11785193A JP11785193A JP3395247B2 JP 3395247 B2 JP3395247 B2 JP 3395247B2 JP 11785193 A JP11785193 A JP 11785193A JP 11785193 A JP11785193 A JP 11785193A JP 3395247 B2 JP3395247 B2 JP 3395247B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- sintered body
- crystal grains
- strength
- dispersed particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、室温において優れ
た機械的強度を有し且つそのバラツキが小さく、生産性
及びコスト的にも優れた窒化ケイ素系焼結体に関する。
た機械的強度を有し且つそのバラツキが小さく、生産性
及びコスト的にも優れた窒化ケイ素系焼結体に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化ケイ素は、強度、破壊靭性値、耐食
性、耐摩耗性、耐熱衝撃性、耐酸化性等においてバラン
スのとれた材料であるため、切削工具をはじめ摺動部品
その他の機械構造材料として広い範囲で利用されている
が、強度面においても信頼性においても金属材料に劣る
という問題があった。
性、耐摩耗性、耐熱衝撃性、耐酸化性等においてバラン
スのとれた材料であるため、切削工具をはじめ摺動部品
その他の機械構造材料として広い範囲で利用されている
が、強度面においても信頼性においても金属材料に劣る
という問題があった。
【０００３】かかる窒化ケイ素系焼結体における強度劣
化の原因の一つとして、焼結体組織内部に存在する粒界
相の問題がある。この粒界相は、窒化ケイ素の焼結に不
可欠な焼結助剤に由来するガラス質からなり、一般に窒
化ケイ素のマトリックスと比べ脆性であるため、粒界相
に応力集中を受けると破壊し易く、窒化ケイ素系焼結体
の強度劣化の主要な原因となっている。
化の原因の一つとして、焼結体組織内部に存在する粒界
相の問題がある。この粒界相は、窒化ケイ素の焼結に不
可欠な焼結助剤に由来するガラス質からなり、一般に窒
化ケイ素のマトリックスと比べ脆性であるため、粒界相
に応力集中を受けると破壊し易く、窒化ケイ素系焼結体
の強度劣化の主要な原因となっている。
【０００４】このため、窒化ケイ素系焼結体の粒界相を
低減させることによって、強度向上を図る種々の方法が
試みられてきた。例えば、特開平３−１１７３１５号公
報には、α−Ｓｉ３Ｎ４の柱状結晶粒とβ−Ｓｉ３Ｎ４
の等軸状結晶粒からなる微細な組織とし、粒界相の厚さ
を低減させる方法が開示されている。しかし、α結晶粒
を微細にするためには、原料粉末にα率の高い微細なＳ
ｉ３Ｎ４粉末を使用する必要があり、コスト高になる欠
点があった。又、焼結中にβ率を高めなければ優れた強
度特性が得られないことから、焼結中にβ結晶粒の大き
さも２μｍ以上となってしまうため、組織の微細化だけ
で粒界相を低減するには限界があった。
低減させることによって、強度向上を図る種々の方法が
試みられてきた。例えば、特開平３−１１７３１５号公
報には、α−Ｓｉ３Ｎ４の柱状結晶粒とβ−Ｓｉ３Ｎ４
の等軸状結晶粒からなる微細な組織とし、粒界相の厚さ
を低減させる方法が開示されている。しかし、α結晶粒
を微細にするためには、原料粉末にα率の高い微細なＳ
ｉ３Ｎ４粉末を使用する必要があり、コスト高になる欠
点があった。又、焼結中にβ率を高めなければ優れた強
度特性が得られないことから、焼結中にβ結晶粒の大き
さも２μｍ以上となってしまうため、組織の微細化だけ
で粒界相を低減するには限界があった。
【０００５】又、特開昭６１−９１０６５号公報や特開
平２−４４０６号公報に開示されるように、等軸結晶粒
のα’−サイアロン（一般式Ｍｘ(Ｓｉ,Ａｌ)１２(Ｏ,
Ｎ)１６であり、Ｍ＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｌｉ及び希土類元
素）と、柱状結晶粒のβ’−サイアロンとを組み合わせ
る方法も知られている。しかし、これらの方法も上記公
報に記載された実施例によれば、曲げ強度が１００ｋｇ
／ｍｍ２を安定して超える焼結体はいずれもホットプレ
ス法によって製造されたものであり、工業的に安定して
高い強度特性を得るに至っていない。
平２−４４０６号公報に開示されるように、等軸結晶粒
のα’−サイアロン（一般式Ｍｘ(Ｓｉ,Ａｌ)１２(Ｏ,
Ｎ)１６であり、Ｍ＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｌｉ及び希土類元
素）と、柱状結晶粒のβ’−サイアロンとを組み合わせ
る方法も知られている。しかし、これらの方法も上記公
報に記載された実施例によれば、曲げ強度が１００ｋｇ
／ｍｍ２を安定して超える焼結体はいずれもホットプレ
ス法によって製造されたものであり、工業的に安定して
高い強度特性を得るに至っていない。
【０００６】窒化ケイ素の焼結体組織中に微細な異種粒
子を分散複合させることにより、強度の向上を図る試み
も行われている。例えば、特開平４−２０２０５９号公
報に記載の方法では、短軸径が０.０５〜３μｍでアス
ペクト比が３〜２０の柱状窒化ケイ素又はサイアロン
に、１〜５００ｎｍの微粒子を分散させている。しか
し、その実施例に示された強度は最高１６７ｋｇ／ｍｍ
２であるものの、粗大な窒化ケイ素を含むことがあるた
め強度劣化を招き易く、従ってワイブル係数は９程度に
過ぎず、安定して高い強度特性を得ることができない欠
点があった。
子を分散複合させることにより、強度の向上を図る試み
も行われている。例えば、特開平４−２０２０５９号公
報に記載の方法では、短軸径が０.０５〜３μｍでアス
ペクト比が３〜２０の柱状窒化ケイ素又はサイアロン
に、１〜５００ｎｍの微粒子を分散させている。しか
し、その実施例に示された強度は最高１６７ｋｇ／ｍｍ
２であるものの、粗大な窒化ケイ素を含むことがあるた
め強度劣化を招き易く、従ってワイブル係数は９程度に
過ぎず、安定して高い強度特性を得ることができない欠
点があった。
【０００７】又、特開平４−２９５０５６号公報には、
柱状窒化ケイ素の粒界相に異種粒子を分散させる方法が
開示されている。しかしながら、この場合の窒化ケイ素
は、短軸径が最大２〜３.５μｍ及び長軸径が１０〜１
４μｍにも達するので、マトリックス自身が破壊源とな
り、実施例の強度は最高で１５８ｋｇ／ｍｍ２に過ぎ
ず、又焼成温度も１８００℃以上であることから、生産
性及びコストの面でも満足できるものではなかった。
柱状窒化ケイ素の粒界相に異種粒子を分散させる方法が
開示されている。しかしながら、この場合の窒化ケイ素
は、短軸径が最大２〜３.５μｍ及び長軸径が１０〜１
４μｍにも達するので、マトリックス自身が破壊源とな
り、実施例の強度は最高で１５８ｋｇ／ｍｍ２に過ぎ
ず、又焼成温度も１８００℃以上であることから、生産
性及びコストの面でも満足できるものではなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
の事情に鑑み、機械部品用構造材料として十分な強度を
備え且つ強度のバラツキが少なく、高い信頼性を有する
と共に、生産性及びコストの面においても優れた窒化ケ
イ素系焼結体を提供することを目的とする。
の事情に鑑み、機械部品用構造材料として十分な強度を
備え且つ強度のバラツキが少なく、高い信頼性を有する
と共に、生産性及びコストの面においても優れた窒化ケ
イ素系焼結体を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明が提供する窒化ケイ素系焼結体は、Ｓｉ３Ｎ
４及び／又はサイアロンの柱状結晶粒及び等軸状結晶粒
と、これらの結晶粒の間に存在する粒界相と、粒界相中
に分散したＺｒ、Ｈｆ、Ｖ又はＣｒの化合物からなる分
散粒子とから構成され、前記柱状結晶粒の平均短軸径が
０.３μｍ以下及び平均長軸径が５μｍ以下であり、等
軸状結晶粒の平均粒径が０.５μｍ以下であり、分散粒
子の平均粒径が０.１μｍ以下であって、分散粒子の体
積が他の焼結体組織の全体積を１としたとき０.０５体
積％以上であることを特徴とする。
め、本発明が提供する窒化ケイ素系焼結体は、Ｓｉ３Ｎ
４及び／又はサイアロンの柱状結晶粒及び等軸状結晶粒
と、これらの結晶粒の間に存在する粒界相と、粒界相中
に分散したＺｒ、Ｈｆ、Ｖ又はＣｒの化合物からなる分
散粒子とから構成され、前記柱状結晶粒の平均短軸径が
０.３μｍ以下及び平均長軸径が５μｍ以下であり、等
軸状結晶粒の平均粒径が０.５μｍ以下であり、分散粒
子の平均粒径が０.１μｍ以下であって、分散粒子の体
積が他の焼結体組織の全体積を１としたとき０.０５体
積％以上であることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明においては、窒化ケイ素系
焼結体における強度劣化の原因となる粒界相の相対的量
を低減させるために、窒化ケイ素やサイアロンの柱状結
晶粒と等軸状結晶粒とを組み合わせて充填させるだけで
なく、これらの結晶粒の間に存在する粒界相中に分散粒
子を分散させることによって、粒界相の表面積が増加し
て相対的にガラス相の量が減少している。加えて、粒界
相に微細な分散粒子を含ませることで、組織全体の粒成
長が抑制される作用効果が認められ、柱状結晶粒と等軸
状結晶粒の大きさが制御されて微細で均一な組織を得る
ことができる。
焼結体における強度劣化の原因となる粒界相の相対的量
を低減させるために、窒化ケイ素やサイアロンの柱状結
晶粒と等軸状結晶粒とを組み合わせて充填させるだけで
なく、これらの結晶粒の間に存在する粒界相中に分散粒
子を分散させることによって、粒界相の表面積が増加し
て相対的にガラス相の量が減少している。加えて、粒界
相に微細な分散粒子を含ませることで、組織全体の粒成
長が抑制される作用効果が認められ、柱状結晶粒と等軸
状結晶粒の大きさが制御されて微細で均一な組織を得る
ことができる。
【００１１】この結果、本発明の窒化ケイ素系焼結体で
は、窒化ケイ素やサイアロンの柱状結晶粒と等軸状結晶
粒が微細且つ均一化され、同時に粒界相の量の低減によ
り粒界での脆性を低減化することができるので、ＪＩＳ
Ｒ １６０１に準拠した室温での３点曲げ強度におい
て常に１６０ｋｇ／ｍｍ２以上の強度が安定して得られ
る。又、本発明の窒化ケイ素系焼結体は切削性に優れ、
切削工具としても非常に有用であることが判った。
は、窒化ケイ素やサイアロンの柱状結晶粒と等軸状結晶
粒が微細且つ均一化され、同時に粒界相の量の低減によ
り粒界での脆性を低減化することができるので、ＪＩＳ
Ｒ １６０１に準拠した室温での３点曲げ強度におい
て常に１６０ｋｇ／ｍｍ２以上の強度が安定して得られ
る。又、本発明の窒化ケイ素系焼結体は切削性に優れ、
切削工具としても非常に有用であることが判った。
【００１２】このような優れた強度を安定して得るため
には、Ｓｉ３Ｎ４及び／又はサイサロンの柱状結晶粒
（β結晶）と等軸状結晶粒（α結晶）の両者を含み、柱
状結晶粒の平均短軸径が０.３μｍ以下及び平均長軸径
が５μｍ以下であり、等軸状結晶粒の平均粒径が０.５
μｍ以下であることが必要である。これらの結晶粒の平
均粒径がそれぞれの上限値を超える場合には、組織が不
均一になって大きな結晶粒自体が破壊源となったり、柱
状結晶粒と等軸状結晶粒の充填密度の低下を招いたり、
粒界相の厚さが大きくなったりするため、焼結体の強度
が劣化するからである。
には、Ｓｉ３Ｎ４及び／又はサイサロンの柱状結晶粒
（β結晶）と等軸状結晶粒（α結晶）の両者を含み、柱
状結晶粒の平均短軸径が０.３μｍ以下及び平均長軸径
が５μｍ以下であり、等軸状結晶粒の平均粒径が０.５
μｍ以下であることが必要である。これらの結晶粒の平
均粒径がそれぞれの上限値を超える場合には、組織が不
均一になって大きな結晶粒自体が破壊源となったり、柱
状結晶粒と等軸状結晶粒の充填密度の低下を招いたり、
粒界相の厚さが大きくなったりするため、焼結体の強度
が劣化するからである。
【００１３】粒界相に分散される分散粒子は、平均粒径
が０.１μｍ以下であり、且つ分散粒子の体積が他の焼
結体組織の全体積を１としたとき０.０５体積以上を占
めることが必要である。分散粒子の平均粒径が０.１μ
ｍより大きくなると、粒界相に存在する以外に、３重点
や等軸結晶粒と同じ大きさで存在する量が多くなり、粒
界相のガラス相の相対的量を低減させることができず、
しかも組織全体の粒成長も大きくなるので、所望の強度
が得られない。
が０.１μｍ以下であり、且つ分散粒子の体積が他の焼
結体組織の全体積を１としたとき０.０５体積以上を占
めることが必要である。分散粒子の平均粒径が０.１μ
ｍより大きくなると、粒界相に存在する以外に、３重点
や等軸結晶粒と同じ大きさで存在する量が多くなり、粒
界相のガラス相の相対的量を低減させることができず、
しかも組織全体の粒成長も大きくなるので、所望の強度
が得られない。
【００１４】又、分散粒子の体積が他の焼結体組織の全
体積を１としたとき０.０５体積％未満では、ガラス相
の低減される量が極めて少ないため、やはり所望の強度
を達成することができない。しかし、分散粒子の体積が
多くなると必然的にその平均粒径も大きくなるので、平
均粒径が０.１μｍを超えない程度に分散粒子の体積を
抑える必要があることは言うまでもない。
体積を１としたとき０.０５体積％未満では、ガラス相
の低減される量が極めて少ないため、やはり所望の強度
を達成することができない。しかし、分散粒子の体積が
多くなると必然的にその平均粒径も大きくなるので、平
均粒径が０.１μｍを超えない程度に分散粒子の体積を
抑える必要があることは言うまでもない。
【００１５】かかる分散粒子は、窒化ケイ素又はサイア
ロン以外の化合物であって、例えば、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｃｒの化合物であってよい。尚、焼結体中におけるこれ
らの化合物は、Ｘ線回析法による測定によれば、少なく
とも窒化物を含んでいることが認められる。
ロン以外の化合物であって、例えば、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｃｒの化合物であってよい。尚、焼結体中におけるこれ
らの化合物は、Ｘ線回析法による測定によれば、少なく
とも窒化物を含んでいることが認められる。
【００１６】本発明の窒化ケイ素系焼結体を得るために
は、原料の窒化ケイ素粉末の表面に存在するＳｉＯ２と
反応して、できるだけ低温で液相を形成する焼結助剤、
例えばＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣｅＯ２、Ｃａ
Ｏ、スピネル等を使用し、Ｎ２ガス等の非酸化性雰囲気
中において１６５０℃以下の温度で焼結する。更に、得
られた焼結体を非酸化性の加圧雰囲気中で２次焼結し、
緻密化することが好ましい。２次焼結は１次焼結に連続
して行ってもよいし、１次焼結後一旦室温に冷却してか
ら２次焼結を行ってもよい。
は、原料の窒化ケイ素粉末の表面に存在するＳｉＯ２と
反応して、できるだけ低温で液相を形成する焼結助剤、
例えばＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣｅＯ２、Ｃａ
Ｏ、スピネル等を使用し、Ｎ２ガス等の非酸化性雰囲気
中において１６５０℃以下の温度で焼結する。更に、得
られた焼結体を非酸化性の加圧雰囲気中で２次焼結し、
緻密化することが好ましい。２次焼結は１次焼結に連続
して行ってもよいし、１次焼結後一旦室温に冷却してか
ら２次焼結を行ってもよい。
【００１７】本発明では、分散粒子であるＺｒ、Ｈｆ、
Ｖ、又はＣｒの窒化物を含む化合物等は、その窒化物粉
末自体を出発原料としてもよいが、焼結中に当該化合物
を生成するような他の化合物の粉末、例えばＺｒＯ２の
ような酸化物粉末を出発原料とすることが望ましい。
Ｖ、又はＣｒの窒化物を含む化合物等は、その窒化物粉
末自体を出発原料としてもよいが、焼結中に当該化合物
を生成するような他の化合物の粉末、例えばＺｒＯ２の
ような酸化物粉末を出発原料とすることが望ましい。
【００１８】尚、本発明においては、分散粒子が焼結時
に粒成長抑制作用を果すので、原料の窒化ケイ素粉末と
してα率が高く且つ微細で高価な粉末を使用しなくて
も、窒化ケイ素の柱状のβ結晶粒と等軸状のα結晶粒の
微細で均一な組織を得ることができる。又、焼結温度が
１６５０℃以下と低いので、窒化ケイ素の昇華分解を抑
えるために用いる加圧雰囲気中で焼結を行う必要がな
く、大量生産に適したプッシャー式やベルト式の連続焼
結炉等を用いることが可能である。更に、熱間静水圧プ
レス（ＨＩＰ）焼結を用いなくても、容易に高強度の焼
結体を得ることができる。従って、本発明の窒化ケイ素
系焼結体は、生産性及びコストの面においても優れたも
のである。
に粒成長抑制作用を果すので、原料の窒化ケイ素粉末と
してα率が高く且つ微細で高価な粉末を使用しなくて
も、窒化ケイ素の柱状のβ結晶粒と等軸状のα結晶粒の
微細で均一な組織を得ることができる。又、焼結温度が
１６５０℃以下と低いので、窒化ケイ素の昇華分解を抑
えるために用いる加圧雰囲気中で焼結を行う必要がな
く、大量生産に適したプッシャー式やベルト式の連続焼
結炉等を用いることが可能である。更に、熱間静水圧プ
レス（ＨＩＰ）焼結を用いなくても、容易に高強度の焼
結体を得ることができる。従って、本発明の窒化ケイ素
系焼結体は、生産性及びコストの面においても優れたも
のである。
【００１９】
【実施例】実施例１
市販されている平均粒径０.７μｍで、α率８５％のＳ
ｉ３Ｎ４粉末と、焼結助剤としてＹ２Ｏ３粉末、Ａｌ２
Ｏ３粉末及びＭｇＯ粉末を、それぞれ下記表１に示す割
合で配合し、更に分散粒子の原料としてＺｒＯ２粉末、
ＨｆＯ２粉末、Ｖ２Ｏ３粉末又はＣｒ２Ｏ３粉末を、同
じく下記表１に示す割合で配合した。尚、表１に示した
上記添加酸化物の体積％は、他の組織全体を１としたと
きの窒化物に換算した値である。
ｉ３Ｎ４粉末と、焼結助剤としてＹ２Ｏ３粉末、Ａｌ２
Ｏ３粉末及びＭｇＯ粉末を、それぞれ下記表１に示す割
合で配合し、更に分散粒子の原料としてＺｒＯ２粉末、
ＨｆＯ２粉末、Ｖ２Ｏ３粉末又はＣｒ２Ｏ３粉末を、同
じく下記表１に示す割合で配合した。尚、表１に示した
上記添加酸化物の体積％は、他の組織全体を１としたと
きの窒化物に換算した値である。
【００２０】得られた各粉末を１気圧のＮ２ガス雰囲気
中において１５００℃で４時間１次焼結し、引き続いて
１０００気圧のＮ２ガス雰囲気中において１６００℃で
１時間の２次焼結を実施した。
中において１５００℃で４時間１次焼結し、引き続いて
１０００気圧のＮ２ガス雰囲気中において１６００℃で
１時間の２次焼結を実施した。
【００２１】
【表１】
【００２２】得られた各焼結体について、相対密度を求
めると共に、Ｘ線回折法により柱状のα（α’を含む）
結晶とβ（β’を含む）結晶のピーク比の高さから両結
晶のα：β比を求めた。更に、各焼結体の任意の一断面
をラッピング加工した後、８０℃のＨＦ：ＨＮＯ３＝
２：１のエッチング液により３０分エッチング処理し、
倍率５０００倍の走査型電子顕微鏡で観察することによ
り、各結晶の平均粒径を求めた。又、分散粒子の平均粒
径も、同様にして走査型電子顕微鏡観察により求めた。
これらの結果を下記表２に示した。
めると共に、Ｘ線回折法により柱状のα（α’を含む）
結晶とβ（β’を含む）結晶のピーク比の高さから両結
晶のα：β比を求めた。更に、各焼結体の任意の一断面
をラッピング加工した後、８０℃のＨＦ：ＨＮＯ３＝
２：１のエッチング液により３０分エッチング処理し、
倍率５０００倍の走査型電子顕微鏡で観察することによ
り、各結晶の平均粒径を求めた。又、分散粒子の平均粒
径も、同様にして走査型電子顕微鏡観察により求めた。
これらの結果を下記表２に示した。
【００２３】
【表２】
【００２４】又、各焼結体から３×４×４０ｍｍの抗折
試験片を各１５本ずつ切り出し、＃８００のダイヤモン
ド砥石により研削加工仕上げを行った後、ＪＩＳ Ｒ
１６０１に準拠した室温での３点曲げ強度試験を実施し
て、平均曲げ強度とワイブル係数を測定した。これらの
結果を下記表３に示した。
試験片を各１５本ずつ切り出し、＃８００のダイヤモン
ド砥石により研削加工仕上げを行った後、ＪＩＳ Ｒ
１６０１に準拠した室温での３点曲げ強度試験を実施し
て、平均曲げ強度とワイブル係数を測定した。これらの
結果を下記表３に示した。
【００２５】
【表３】
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、室温における３点曲げ
強度が平均１６０ｋｇ／ｍｍ２以上の優れた機械的強度
を有し、しかも強度のバラツキが少なく、信頼性の高い
窒化ケイ素系焼結体を提供することができる。又、この
窒化ケイ素系焼結体は、生産性に優れ且つコスト面でも
非常に有利である。
強度が平均１６０ｋｇ／ｍｍ２以上の優れた機械的強度
を有し、しかも強度のバラツキが少なく、信頼性の高い
窒化ケイ素系焼結体を提供することができる。又、この
窒化ケイ素系焼結体は、生産性に優れ且つコスト面でも
非常に有利である。
【００２７】かかる本発明の窒化ケイ素系焼結体は、特
に室温における強度が要求される分野において従来の金
属材料に代わる機械構造用材料として期待されるほか、
切削工具用材料としても極めて有用である。
に室温における強度が要求される分野において従来の金
属材料に代わる機械構造用材料として期待されるほか、
切削工具用材料としても極めて有用である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 山川 晃
兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住
友電気工業株式会社 伊丹製作所内
(56)参考文献 特開 平５−58742（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−100370（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−271358（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/584
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｓｉ３Ｎ４及び／又はサイアロンの柱状
結晶粒及び等軸状結晶粒と、これらの結晶粒の間に存在
する粒界相と、粒界相中に分散したＺｒ、Ｈｆ、Ｖ又は
Ｃｒの化合物からなる分散粒子とから構成され、前記柱
状結晶粒の平均短軸径が０.３μｍ以下及び平均長軸径
が５μｍ以下であり、等軸状結晶粒の平均粒径が０.５
μｍ以下であり、分散粒子の平均粒径が０.１μｍ以下
であって、分散粒子の体積が他の焼結体組織の全体積を
１としたとき０.０５体積％以上であることを特徴とす
る窒化ケイ素系焼結体。 - 【請求項２】 ＪＩＳ Ｒ １６０１に準拠する室温で
の３点曲げ強度が１６０ｋｇ／ｍｍ２以上であることを
特徴とする、請求項１に記載の窒化ケイ素系焼結体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11785193A JP3395247B2 (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 窒化ケイ素系焼結体 |
| US08/138,346 US5424256A (en) | 1993-03-17 | 1993-10-18 | Silicon nitride sintered body |
| EP93117039A EP0615963B1 (en) | 1993-03-17 | 1993-10-21 | Silicon nitride sintered body |
| DE69317254T DE69317254T2 (de) | 1993-03-17 | 1993-10-21 | Siliciumnitrid-Sinterkörper |
| SG1996005175A SG43189A1 (en) | 1993-03-17 | 1993-10-21 | Silicon nitride sintered body |
| KR1019930026821A KR970001266B1 (ko) | 1993-03-17 | 1993-12-08 | 질화규소소결체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11785193A JP3395247B2 (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 窒化ケイ素系焼結体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06305837A JPH06305837A (ja) | 1994-11-01 |
| JP3395247B2 true JP3395247B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=14721860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11785193A Expired - Fee Related JP3395247B2 (ja) | 1993-03-17 | 1993-04-21 | 窒化ケイ素系焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3395247B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0987037A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-03-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 窒化ケイ素質焼結体とその製造方法 |
| JP4571728B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2010-10-27 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素焼結体及びその製造方法 |
| JP5362758B2 (ja) * | 2000-03-16 | 2013-12-11 | 株式会社東芝 | 耐摩耗性部材 |
| JP4744704B2 (ja) * | 2000-03-16 | 2011-08-10 | 株式会社東芝 | 耐摩耗性部材の製造方法 |
| JP2001294479A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ベアリング用セラミックボール及びそれを用いたセラミックボールベアリング |
| JP4671524B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2011-04-20 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体の製造方法 |
| JP5275744B2 (ja) * | 2008-05-19 | 2013-08-28 | 日本特殊陶業株式会社 | 切削インサート、窒化珪素切削工具、切削インサートに用いられる窒化珪素焼結体の製造方法 |
| WO2016092016A1 (de) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | Ceramtec Gmbh | α/ß-SIALON MIT VERBESSERTER SINTERAKTIVITÄT UND HOHER KANTENBESTÄNDIGKEIT |
-
1993
- 1993-04-21 JP JP11785193A patent/JP3395247B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06305837A (ja) | 1994-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0589411B1 (en) | Silicon nitride sintered body and process for producing the same | |
| EP0589997B1 (en) | High toughness-high strength sintered silicon nitride | |
| KR970001266B1 (ko) | 질화규소소결체 | |
| JP3395247B2 (ja) | 窒化ケイ素系焼結体 | |
| US5204297A (en) | Silicon nitride sintered body and process for producing the same | |
| US5622905A (en) | Silicon nitride based sintered body | |
| EP0631997B1 (en) | Silicon nitride based sintered body and method for producing the same | |
| JP3145470B2 (ja) | 炭化タングステン−アルミナ質焼結体およびその製法 | |
| US5637540A (en) | Sintered silicon nitride of high toughness, strength and reliability | |
| JPH07223865A (ja) | 窒化ケイ素系焼結体及びその製造方法 | |
| EP0454780B1 (en) | Super tough monolithic silicon nitride | |
| CA2078169C (en) | Silicon nitride sintered body | |
| JP3137405B2 (ja) | 窒化珪素基セラミックスの製造法 | |
| JP2597774B2 (ja) | 窒化ケイ素系焼結体およびその製造方法 | |
| US5698156A (en) | Method of producing a silicon nitride based sintered body | |
| JP3143992B2 (ja) | 窒化ケイ素系焼結体 | |
| JPH06271358A (ja) | 窒化珪素系焼結体 | |
| JPH0812443A (ja) | 超塑性窒化ケイ素焼結体 | |
| WO1993021129A1 (en) | Sintered silicon nitride of high toughness, strength and reliability | |
| JPH0840776A (ja) | Ｓｉ３Ｎ４／ＢＮを基にした焼結された物質及びそれらの製造方法 | |
| JP2742621B2 (ja) | 高靭性窒化珪素質焼結体 | |
| JPS61295271A (ja) | チタン化合物基高硬度焼結体 | |
| JPH0379308B2 (ja) | ||
| JPH0558739A (ja) | 窒化ケイ素系焼結体およびその製造法 | |
| JPH05124867A (ja) | 窒化ケイ素系焼結体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090207 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090207 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100207 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110207 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |