JP3390023B2 - 粒子線機器用の高電圧供給ユニット - Google Patents
粒子線機器用の高電圧供給ユニットInfo
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- electrodes
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/248—Components associated with high voltage supply
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Insulators (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば粒子線機器のた
めの、真空域中に高電圧を供給するための高電圧供給ユ
ニットであって、高電圧電極と、当該高電圧電極を取り
囲み真空域と境を接する表面を有する絶縁体と、該絶縁
体を取り囲む、低電位におかれている外部電極とを有し
ている高電圧供給ユニットに関する。
めの、真空域中に高電圧を供給するための高電圧供給ユ
ニットであって、高電圧電極と、当該高電圧電極を取り
囲み真空域と境を接する表面を有する絶縁体と、該絶縁
体を取り囲む、低電位におかれている外部電極とを有し
ている高電圧供給ユニットに関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように粒子線機器には、電子顕微
鏡やイオン顕微鏡並びに電子線機器等が属している。
鏡やイオン顕微鏡並びに電子線機器等が属している。
【０００３】電子顕微鏡および電子線機器においては、
カソードが負の高電位を有しており、この電位は、アー
ス電位にあるケーシングに対して十分良好に絶縁されな
ければならない。この場合電位差が大きいため、絶縁体
を有する高電圧供給ユニットの構成が重要である。
カソードが負の高電位を有しており、この電位は、アー
ス電位にあるケーシングに対して十分良好に絶縁されな
ければならない。この場合電位差が大きいため、絶縁体
を有する高電圧供給ユニットの構成が重要である。
【０００４】ドイツ連邦共和国特許第３０２９６２４号
明細書から、次のような高電圧供給ユニットが公知であ
る。すなわち真空域と境を接している絶縁体表面が、高
電圧電極の段状拡大部の始端部に当接しており、さらに
前記絶縁体表面は、高電圧電極と次のような角度を形成
している。すなわち段状拡大部の開始部において、高電
圧電極の段状拡大部を形成する部分間の成す角度のほぼ
半分の大きさの角度である。このようにして、真空域と
隣接する絶縁体表面においてより有利な電位分布が達成
され、それによって絶縁体表面におけるいわゆるマイク
ロ放電の発生が阻止される。
明細書から、次のような高電圧供給ユニットが公知であ
る。すなわち真空域と境を接している絶縁体表面が、高
電圧電極の段状拡大部の始端部に当接しており、さらに
前記絶縁体表面は、高電圧電極と次のような角度を形成
している。すなわち段状拡大部の開始部において、高電
圧電極の段状拡大部を形成する部分間の成す角度のほぼ
半分の大きさの角度である。このようにして、真空域と
隣接する絶縁体表面においてより有利な電位分布が達成
され、それによって絶縁体表面におけるいわゆるマイク
ロ放電の発生が阻止される。
【０００５】しかしながらこのようにして達成される改
善も、特に今日、より高度な解像能力を達成するために
使用されているより高い高電圧の高性能電子顕微鏡にお
いて、さらに高まる要求を十分に満たすものではない。
このように高まる要求は、より大きな間隔距離とそれに
基づくより大きなケーシング寸法によってしか満たされ
なくなるであろう。しかしながらそのためにはコストと
必要スペースが著しく増大してしまう。
善も、特に今日、より高度な解像能力を達成するために
使用されているより高い高電圧の高性能電子顕微鏡にお
いて、さらに高まる要求を十分に満たすものではない。
このように高まる要求は、より大きな間隔距離とそれに
基づくより大きなケーシング寸法によってしか満たされ
なくなるであろう。しかしながらそのためにはコストと
必要スペースが著しく増大してしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、公知
の高電圧供給ユニットを次のように改善することであ
る。すなわち空間的な寸法を著しく拡大することなく、
より大きな高電圧に対しても適合するように改良するこ
とである。
の高電圧供給ユニットを次のように改善することであ
る。すなわち空間的な寸法を著しく拡大することなく、
より大きな高電圧に対しても適合するように改良するこ
とである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によ
り、前記高電圧電極も外部電極も、それぞれ１つのくぼ
みを有するように構成されており、ここにおいて、前記
くぼみは、真空域に接している絶縁体表面方向で、高電
圧電極、外部電極からほぼ両電極間間隔距離の１/１０
までの間隔距離を有する、絶縁体、電極、真空がそれぞ
れ相互に密に存在する領域が、前記高電圧電極、前記外
部電極と近似的に等しい電位を有するように構成されて
解決される。
り、前記高電圧電極も外部電極も、それぞれ１つのくぼ
みを有するように構成されており、ここにおいて、前記
くぼみは、真空域に接している絶縁体表面方向で、高電
圧電極、外部電極からほぼ両電極間間隔距離の１/１０
までの間隔距離を有する、絶縁体、電極、真空がそれぞ
れ相互に密に存在する領域が、前記高電圧電極、前記外
部電極と近似的に等しい電位を有するように構成されて
解決される。
【０００８】本発明による有利な構成実施例では、電極
がくぼみを有しており、このくぼみの中には３重領域が
存在している。
がくぼみを有しており、このくぼみの中には３重領域が
存在している。
【０００９】別の構成実施例では、電極は突出部を有し
ており、この突出部の間に３重領域が存在している。
ており、この突出部の間に３重領域が存在している。
【００１０】別の構成実施例では３重の領域は、例えば
リング等の導電部分の間に存在しており、この導電部分
は電極を約２ｃｍまでの間隔で取り囲み、電極と電気的
に接続されている。
リング等の導電部分の間に存在しており、この導電部分
は電極を約２ｃｍまでの間隔で取り囲み、電極と電気的
に接続されている。
【００１１】本発明の別の有利な構成実施例では、絶縁
体の真空域に向いた部分は、充填された鋳造樹脂から成
り、別の部分は可撓性の熱伝導性シリコン鋳込材料から
成っている。
体の真空域に向いた部分は、充填された鋳造樹脂から成
り、別の部分は可撓性の熱伝導性シリコン鋳込材料から
成っている。
【００１２】別の有利な構成実施例では、絶縁体の、真
空域に向いた部分がセラミック部分から成っている。
空域に向いた部分がセラミック部分から成っている。
【００１３】製造技術上の理由から少なくとも外部電極
を少なくとも２つの部分で構成することは有利である。
を少なくとも２つの部分で構成することは有利である。
【００１４】別の有利な構成実施例では、高電圧電極
は、複数の部分から構成されている。
は、複数の部分から構成されている。
【００１５】別の有利な構成実施例では、真空域と境を
接する絶縁体表面と外部電極との間に、丸いループリン
グが配置されている。
接する絶縁体表面と外部電極との間に、丸いループリン
グが配置されている。
【００１６】本発明の別の有利な構成実施例では、セラ
ミック部分は、金属管状部分を介し、鑞付けおよび／ま
たは溶接継手によって電極と真空密にされている。
ミック部分は、金属管状部分を介し、鑞付けおよび／ま
たは溶接継手によって電極と真空密にされている。
【００１７】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づき詳細に説
明する。
明する。
【００１８】図１には電子顕微鏡のカソードヘッドの断
面図が示されている。高電圧電極が１１で示されてお
り、これはウェーネルトの電極とも呼ばれている。この
電極は、絶縁体１２を介して外部電極１３から分離され
ている。外部電極１３は、高電圧電極よりも低い電位に
あり、有利にはアース電位にある。１４は、電子ビーム
生成装置のカソードを概略的に示したものであり、この
電極はほぼ高電圧電極１１と同じ電位である。
面図が示されている。高電圧電極が１１で示されてお
り、これはウェーネルトの電極とも呼ばれている。この
電極は、絶縁体１２を介して外部電極１３から分離され
ている。外部電極１３は、高電圧電極よりも低い電位に
あり、有利にはアース電位にある。１４は、電子ビーム
生成装置のカソードを概略的に示したものであり、この
電極はほぼ高電圧電極１１と同じ電位である。
【００１９】高電圧電極１１は、前記ドイツ連邦共和国
特許明細書から公知の段状の拡大部１１Ｓを有してい
る。、真空域１５と隣接する絶縁体１２の表面１２ｏ
は、段状拡大部１１ｓのほぼ始端部１１ａにおいて始ま
っており、製造技術上の理由から鋭角的な端部は有して
いない。前記ドイツ連邦共和国特許明細書と相違してい
る点は、高電圧電極１１がさらに第２の段状拡大部１１
ｚを有していることであり、その表面は有利には絶縁体
表面１２ｏに対して平行に延在している。しかしながら
このことは次のような場合にはこの限りではない。すな
わち高電圧電極１１の外面においてくぼみ１１ｖが存在
し、このくぼみ１１ｖの内部で絶縁体表面１２ｏが電極
のところで終端しているような場合である。
特許明細書から公知の段状の拡大部１１Ｓを有してい
る。、真空域１５と隣接する絶縁体１２の表面１２ｏ
は、段状拡大部１１ｓのほぼ始端部１１ａにおいて始ま
っており、製造技術上の理由から鋭角的な端部は有して
いない。前記ドイツ連邦共和国特許明細書と相違してい
る点は、高電圧電極１１がさらに第２の段状拡大部１１
ｚを有していることであり、その表面は有利には絶縁体
表面１２ｏに対して平行に延在している。しかしながら
このことは次のような場合にはこの限りではない。すな
わち高電圧電極１１の外面においてくぼみ１１ｖが存在
し、このくぼみ１１ｖの内部で絶縁体表面１２ｏが電極
のところで終端しているような場合である。
【００２０】前記特許明細書から公知の技術と本願との
相違はわずかにしか見えないかもしれないが、しかしな
がらこの相違は著しい効果を奏するものである。くぼみ
の中にさらに段部を構成することによって、、真空域１
５と隣接する絶縁体１２の表面１２ｏが電極１１から、
当該表面１２ｏ方向での電極間隔の約１／１０までの間
隔距離を有している領域の中で、近似的に電極１１の電
位がなお存在する。それによって３重領域１６中では、
（すなわち、絶縁体、電極、真空がそれぞれ相互に密に
存在し、そのためマイクロ放電の発生に対して特にクリ
チカルである）マイクロ放電の発生が、ただの段部の場
合よりも著しく大きな高電圧まで阻止されるものとな
る。
相違はわずかにしか見えないかもしれないが、しかしな
がらこの相違は著しい効果を奏するものである。くぼみ
の中にさらに段部を構成することによって、、真空域１
５と隣接する絶縁体１２の表面１２ｏが電極１１から、
当該表面１２ｏ方向での電極間隔の約１／１０までの間
隔距離を有している領域の中で、近似的に電極１１の電
位がなお存在する。それによって３重領域１６中では、
（すなわち、絶縁体、電極、真空がそれぞれ相互に密に
存在し、そのためマイクロ放電の発生に対して特にクリ
チカルである）マイクロ放電の発生が、ただの段部の場
合よりも著しく大きな高電圧まで阻止されるものとな
る。
【００２１】高電圧電極１１において達成される改善
は、外部電極１３での相応の手段によって補完されるべ
きであり、それによって高電圧供給は全体的に良好な特
性を有するものとなる。このために図１では外部電極１
３も同じようにくぼみ１３ｖを以て構成されており、
（このくぼみの中には絶縁体１２の、真空域１５と隣接
する表面１２ｏが入り込んでいる）そのため外部電極に
接する３重領域１７も同じように次のような領域に存す
る。すなわち近似的に外部電極１３の電位がなお存在す
るような領域である。
は、外部電極１３での相応の手段によって補完されるべ
きであり、それによって高電圧供給は全体的に良好な特
性を有するものとなる。このために図１では外部電極１
３も同じようにくぼみ１３ｖを以て構成されており、
（このくぼみの中には絶縁体１２の、真空域１５と隣接
する表面１２ｏが入り込んでいる）そのため外部電極に
接する３重領域１７も同じように次のような領域に存す
る。すなわち近似的に外部電極１３の電位がなお存在す
るような領域である。
【００２２】製造技術上の理由から、外部電極１３は、
多数の部分１３ｏ，１３ｕから成り、その選定に際して
は、絶縁体１２の外部領域の場合と同じように当該複数
の部分が雰囲気圧力に完全にさらされるという事実を踏
まえて考慮されている。
多数の部分１３ｏ，１３ｕから成り、その選定に際して
は、絶縁体１２の外部領域の場合と同じように当該複数
の部分が雰囲気圧力に完全にさらされるという事実を踏
まえて考慮されている。
【００２３】絶縁体１２は、その下方の、真空域に向い
た部分１２ｖが充填された鋳造樹脂から成っており、そ
れによって十分な強度が達成される。別の上方の部分１
２ａに対しては、可撓性の熱伝導性鋳込材料、例えばシ
リコンが使用されている。この部分１２ａは、下方の部
分１２ｖ、高電圧ケーブル（図示されていない）、ケー
シング、端子部分と密接に結合をしており、この結合に
よって下方の部分１２ｖの絶縁耐力が達成される。高電
圧ケーブル自体は、段状拡大部１１ｓの上部で当該拡大
部と同じ直径でリング状に鋳込まれており、それによっ
て全体的な電位供給に寄与している。
た部分１２ｖが充填された鋳造樹脂から成っており、そ
れによって十分な強度が達成される。別の上方の部分１
２ａに対しては、可撓性の熱伝導性鋳込材料、例えばシ
リコンが使用されている。この部分１２ａは、下方の部
分１２ｖ、高電圧ケーブル（図示されていない）、ケー
シング、端子部分と密接に結合をしており、この結合に
よって下方の部分１２ｖの絶縁耐力が達成される。高電
圧ケーブル自体は、段状拡大部１１ｓの上部で当該拡大
部と同じ直径でリング状に鋳込まれており、それによっ
て全体的な電位供給に寄与している。
【００２４】絶縁体１２の上方部分１２ａの熱伝導性に
よって、加熱されたカソードから熱が逃がされる。この
上方部分１２ａの弾性を介して、異なる熱膨張率によ
り、機械的応力が、僅少に保たれる。円形のループリン
グ１３ｒが、絶縁体１２と、部分１３ｏと１３ｕとで構
成された外部電極１３との間で気密にするために用いら
れている。
よって、加熱されたカソードから熱が逃がされる。この
上方部分１２ａの弾性を介して、異なる熱膨張率によ
り、機械的応力が、僅少に保たれる。円形のループリン
グ１３ｒが、絶縁体１２と、部分１３ｏと１３ｕとで構
成された外部電極１３との間で気密にするために用いら
れている。
【００２５】図２には、本発明による別の構成例が示さ
れており、この構成例でも同じように２つの部分２２
ｏ，２２ａから成る絶縁体２２が使用されている。ここ
ではその中で近似的に電極２１、２３の電位がなお存在
し、３重領域が配置されるような領域２１ｐ，２３ｐが
次のようにして達成される。すなわち電極２１，２３は
突出部２１ｅ，２３ｅを有し、及び／又は導電性部分、
例えばリング２１ｒ，２３ｒは電極２１，２３を約２ｃ
ｍまでの間隔の中で取り囲んでそれと電気的に接続する
ように構成されて達成される。 リングを真空域１５に
配置し、及び／又は突出部を絶縁体２２に配置すること
ももちろん可能である。同じように絶縁体表面において
所定の電位経過を達成するために中間電位を有する付加
的リングを使用することも可能である。
れており、この構成例でも同じように２つの部分２２
ｏ，２２ａから成る絶縁体２２が使用されている。ここ
ではその中で近似的に電極２１、２３の電位がなお存在
し、３重領域が配置されるような領域２１ｐ，２３ｐが
次のようにして達成される。すなわち電極２１，２３は
突出部２１ｅ，２３ｅを有し、及び／又は導電性部分、
例えばリング２１ｒ，２３ｒは電極２１，２３を約２ｃ
ｍまでの間隔の中で取り囲んでそれと電気的に接続する
ように構成されて達成される。 リングを真空域１５に
配置し、及び／又は突出部を絶縁体２２に配置すること
ももちろん可能である。同じように絶縁体表面において
所定の電位経過を達成するために中間電位を有する付加
的リングを使用することも可能である。
【００２６】図３には、次のような実施例が示されてい
る。すなわち絶縁体３２の、真空域１５と隣接する部分
がセラミック部分からなり、その表面３２ｏは非常に良
好な真空技術特性を有しているような構成例である。絶
縁体３２の上方部３２ａは、ここでも可撓性の熱伝導性
鋳込材料であり、この鋳込材料もセラミック部分と電極
３１，３３との間の空隙３１ｓ，３３ｓに充填される。
所望の気密性を得るために円いループリング３１ｒと３
３ｒとが用いられる。この実施例は、次のようなことも
表している。ずなわち高電圧電極３１のくぼみが、はっ
きりと現れたくぼみ３１ｖとして構成され得ることも表
している。
る。すなわち絶縁体３２の、真空域１５と隣接する部分
がセラミック部分からなり、その表面３２ｏは非常に良
好な真空技術特性を有しているような構成例である。絶
縁体３２の上方部３２ａは、ここでも可撓性の熱伝導性
鋳込材料であり、この鋳込材料もセラミック部分と電極
３１，３３との間の空隙３１ｓ，３３ｓに充填される。
所望の気密性を得るために円いループリング３１ｒと３
３ｒとが用いられる。この実施例は、次のようなことも
表している。ずなわち高電圧電極３１のくぼみが、はっ
きりと現れたくぼみ３１ｖとして構成され得ることも表
している。
【００２７】図４では、セラミック部分４２ｋと電極４
１，４３との間の気密性が金属管部分４８，４９によっ
て生じており、この金属管部分４８，４９は公知技術に
よってセラミック部分４２ｋに堅固に鑞付けされ、続い
て電極４１，４３と共に溶接される。溶接後は高電圧電
極の下方部分４１ｕにその上方部４１ｏがねじ止めさ
れ、この２つが共にくぼみ４１ｖを形成する。このくぼ
み４１ｖは、近似的に全体の電極と同じ電位を有してお
り、このくぼみ４１ｖの中にセラミック部分４２ｋの表
面４２ｏが入り込んでいる。
１，４３との間の気密性が金属管部分４８，４９によっ
て生じており、この金属管部分４８，４９は公知技術に
よってセラミック部分４２ｋに堅固に鑞付けされ、続い
て電極４１，４３と共に溶接される。溶接後は高電圧電
極の下方部分４１ｕにその上方部４１ｏがねじ止めさ
れ、この２つが共にくぼみ４１ｖを形成する。このくぼ
み４１ｖは、近似的に全体の電極と同じ電位を有してお
り、このくぼみ４１ｖの中にセラミック部分４２ｋの表
面４２ｏが入り込んでいる。
【００２８】高電圧電極、絶縁体、外部電極を実質的に
回転対称的に構成することは通常行われていることであ
る。なぜならこれは安価に製造できるからである。しか
しながらこのことは重要ではない。上記本願特有の特徴
は、楕円形または矩形状の構成例でも達成されるもので
ある。
回転対称的に構成することは通常行われていることであ
る。なぜならこれは安価に製造できるからである。しか
しながらこのことは重要ではない。上記本願特有の特徴
は、楕円形または矩形状の構成例でも達成されるもので
ある。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、大きな高電圧に対して
も適合し、それにともなって空間的な寸法を著しく拡大
する必要のない、スペースの節約された粒子線機器用高
電圧供給ユニットが実現する。
も適合し、それにともなって空間的な寸法を著しく拡大
する必要のない、スペースの節約された粒子線機器用高
電圧供給ユニットが実現する。
【図１】電極の中にくぼみを有している本発明による実
施例の断面図である。
施例の断面図である。
【図２】電極上に突出部を有し、電極の前方に導電部分
を有した本発明による実施例の断面図である。
を有した本発明による実施例の断面図である。
【図３】絶縁体の、真空域に向いた部分がセラミックで
ある本発明による実施例の断面図である。
ある本発明による実施例の断面図である。
【図４】絶縁体のセラミック部分が金属製の接続部材に
よって電極と気密に接続されている本発明による実施例
の断面図である。
よって電極と気密に接続されている本発明による実施例
の断面図である。
１１ 高電圧電極
１１ｖ くぼみ
１１ｓ 拡大部
１１ｚ 拡大部
１２ 絶縁体
１２ａ 上部
１２ｖ くぼみ
１２ｏ 表面
１３ 電極
１３ｏ 部分
１３ｕ 部分
１４ カソード
１５ 真空域
１６ ３重領域
１７ ３重領域
２１ 電極
２１ｅ 突出部
２１ｐ 領域
２１ｒ リング
２２ 絶縁体
２２ｏ 部分
２２ｕ 部分
２３ 電極
２３ｅ 突出部
２３ｐ 領域
２３ｒ リング
３１ 電極
３１ｒ 円形ループリング
３１ｓ 空隙
３１ｖ くぼみ
３２ 絶縁体
３２ａ 上部
３２ｋ セラミック部分
３２ｏ 表面
３３ 電極
３３ｓ 空隙
３３ｒ 円形ループリング
４１ 電極
４１ｏ 上部
４１ｕ 下部
４１ｖ くぼみ
４２ｋ セラミック部分
４３ 電極
４８ 金属管部分
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ヨハネス ビール
ドイツ連邦共和国 アーレン ツェーベ
ルトシュトラーセ 36
(72)発明者 ハラルト ニーベル
ドイツ連邦共和国 オーバーコッヘン
ヘヴェリウスヴェーク 10
(56)参考文献 特開 昭59−196545（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−196546（ＪＰ，Ａ)
実公 昭43−16531（ＪＰ，Ｙ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 37/248
H01J 37/06
Claims (2)
- 【請求項１】 例えば粒子線機器のための、真空域中に
高電圧を供給するための高電圧供給ユニットであって、
高電圧電極（１１）と、当該高電圧電極（１１）を取り
囲み真空域（１５）と境を接する表面（１２ｏ）を有す
る絶縁体（１２）と、該絶縁体（１２）を取り囲む、低
電位におかれている外部電極（１３）とを有している高
電圧供給ユニットにおいて、 前記高電圧電極（１１）も外部電極（１３）も、それぞ
れ１つのくぼみ（１１ｖないし１３ｖ）を有するように
構成されており、ここにおいて、前記くぼみ（１１ｖ，１３ｖ）は、真空域（１５）に接
している絶縁体（１２）表面（１２ｏ）方向で、高電圧
電極（１１）、外部電極（１３）からほぼ両電極間間隔
距離の１/１０までの間隔距離を有する、絶縁体、電
極、真空がそれぞれ相互に密に存在する領域（三重領域
１６，１７）が、前記高電圧電極（１１）、前記外部電
極（１３）と近似的に等しい電位を有するように構成さ
れている ことを特徴とする高電圧供給ユニット。 - 【請求項２】 例えば粒子線機器のための、真空域中に
高電圧を供給するための高電圧供給ユニットであって、
高電圧電極（２１）と、当該高電圧電極（２１）を取り
囲み真空域（１５）と境を接する表面を有する絶縁体
（２２）と、該絶縁体（２２）を取り囲む、低電位にお
かれている外部電極（２３）とを有している高電圧供給
ユニットにおいて、 前記高電圧電極（２１）も外部電極（２３）も、それぞ
れ１つの突出部（２１ｅないし２３ｅ）を有し、リング
状の導電性部分（２１ｒないし２３ｒ）は、２ｃｍまで
の間隔の中で前記高電圧電極（２１）ないし外部電極
（２３）を取り囲み、それらと電気的に接続されてお
り、ここにおいて、絶縁体、電極、真空がそれぞれ相互
に密に存在する領域（三重領域２６，２７）が、前記電
極（２１，２３）と近似的に等しい電位を有するよう
に、前記突出部（２１ｅないし２３ｅ）または前記リン
グ状の導電性部分（２１ｒないし２３ｒ）が構成されて
いることを特徴とする高電圧供給ユニット。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| DE4016556.6 | 1990-05-23 | ||
| DE4016556A DE4016556A1 (de) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | Hochspannungsdurchfuehrung fuer korpuskularstrahlgeraete |
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|---|---|
| JPH04229542A JPH04229542A (ja) | 1992-08-19 |
| JP3390023B2 true JP3390023B2 (ja) | 2003-03-24 |
Family
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Family Applications (1)
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