JPH04229542A - 粒子線機器用の高電圧供給ユニット - Google Patents
粒子線機器用の高電圧供給ユニットInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/248—Components associated with high voltage supply
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
めの、真空域中に高電圧を引込むための高電圧供給ユニ
ットであって、高電圧電極と、当該高電圧電極を取り囲
み真空域と隣接する表面を有する絶縁体と、該絶縁体を
取り囲む低電位上の外部電極とを有している高電圧供給
ユニットに関する。
鏡やイオン顕微鏡並びに電子線機器等が属している。
カソードが負の高電位を有しており、この電位は、アー
ス電位にあるケーシングに対して十分良好に絶縁されな
ければならない。この場合電位差が大きいため、絶縁体
を有する高電圧供給ユニットの構成が重要である。
明細書から、次のような高電圧供給ユニットが公知であ
る。すなわち真空域と境を接している絶縁体表面が、高
電圧電極の段状拡大部の始端部に当接しており、さらに
前記絶縁体表面は、高電圧電極と次のような角度を形成
している。すなわち段状拡大部の開始部において、高電
圧電極の段状拡大部を形成する部分間の成す角度のほぼ
半分の大きさの角度である。このようにして、真空域と
隣接する絶縁体表面においてより有利な電位分布が達成
され、それによって絶縁体表面におけるいわゆるマイク
ロ放電の発生が阻止される。
善も、特に今日、より高度な解像能力を達成するために
使用されているより高い高電圧の高性能電子顕微鏡にお
いて、さらに高まる要求を十分に満たすものではない。 このように高まる要求は、より大きな間隔距離とそれに
基づくより大きなケーシング寸法によってしか満たされ
なくなるであろう。しかしながらそのためにはコストと
必要スペースが著しく増大してしまう。
の高電圧供給ユニットを次のように改善することである
。すなわち空間的な寸法を著しく拡大することなく、よ
り大きな高電圧に対しても適合するように改良すること
である。
は、真空域と隣接する絶縁体表面が、当該表面方向での
電極間距離のほぼ1/10までの、電極からの間隔距離
を有しているような領域(3重領域)中では、近似的に
当該2つの電極の電位がなお存在するように、前記電極
が構成されるようにして解決される。真空域に隣接する
絶縁体の表面が電極から約5mmまでの間隔を有してい
る領域は、三重領域と称する事が可能である。なぜなら
ここでは真空域と絶縁体と電極は相互に密に存在してい
るからである。本発明による解決手段は、次のような形
状を両電極に与えることである。すなわち近似的になお
電極の電位を有しているような領域に、前記三重領域が
存在するような形状である。それによってこの領域では
電界強度が最小となり、そのため絶縁体表面のこのよう
なクリチカルな位置においては、マイクロ放電は惹起さ
れない。絶縁体表面における電界強度の経過は、所定の
電極形状に対し、リープマンの網方法によって数値的に
算出され得る。この方法は、P.W.ハウケス著の「磁
性電子レンズ」スプリンガー出版、1982年版の64
頁に別の文献と共に記載されている。
がくぼみを有しており、このくぼみの中には3重領域が
存在している。
ており、この突出部の間に3重領域が存在している。
リング等の導電部分の間に存在しており、この導電部分
は電極を約2cmまでの間隔で取り囲み、電極と電気的
に接続されている。
体の真空域に向いた部分は、充填された鋳造樹脂から成
り、別の部分は可撓性の熱伝導性シリコン鋳込材料から
成っている。
空域に向いた部分がセラミック部分から成っている。
を少なくとも2つの部分で構成することは有利である。
、複数の部分から構成されている。
接する絶縁体表面と外部電極との間に、丸いループリン
グが配置されている。
ミック部分は、金属管状部分を介し、鑞付けおよび/ま
たは溶接継手によって電極と真空密にされている。
明する。
面図が示されている。高電圧電極が11で示されており
、これはウェーネルトの電極とも呼ばれている。この電
極は、絶縁体12を介して外部電極13から分離されて
いる。外部電極13は、高電圧電極よりも低い電位にあ
り、有利にはアース電位にある。14は、電子ビーム生
成装置のカソードを概略的に示したものであり、この電
極はほぼ高電圧電極11と同じ電位である。
特許明細書から公知の段状の拡大部11Sを有している
。、真空域15と隣接する絶縁体12の表面12oは、
段状拡大部11sのほぼ始端部11aにおいて始まって
おり、製造技術上の理由から鋭角的な端部は有していな
い。前記ドイツ連邦共和国特許明細書と相違している点
は、高電圧電極11がさらに第2の段状拡大部11zを
有していることであり、その表面は有利には絶縁体表面
12oに対して平行に延在している。しかしながらこの
ことは次のような場合にはこの限りではない。すなわち
高電圧電極11の外面においてくぼみ11vが存在し、
このくぼみ11vの内部で絶縁体表面12oが電極のと
ころで終端しているような場合である。
相違はわずかにしか見えないかもしれないが、しかしな
がらこの相違は著しい効果を奏するものである。くぼみ
の中にさらに段部を構成することによって、、真空域1
5と隣接する絶縁体12の表面12oが電極11から、
当該表面12o方向での電極間隔の約1/10までの間
隔距離を有している領域の中で、近似的に電極11の電
位がなお存在する。それによって3重領域16中では、
(すなわち、絶縁体、電極、真空がそれぞれ相互に密に
存在し、そのためマイクロ放電の発生に対して特にクリ
チカルである)マイクロ放電の発生が、ただの段部の場
合よりも著しく大きな高電圧まで阻止されるものとなる
。
、外部電極13での相応の手段によって補完されるべき
であり、それによって高電圧供給は全体的に良好な特性
を有するものとなる。このために図1では外部電極13
も同じようにくぼみ13vを以て構成されており、(こ
のくぼみの中には絶縁体12の、真空域15と隣接する
表面12oが入り込んでいる)そのため外部電極に接す
る3重領域17も同じように次のような領域に存する。 すなわち近似的に外部電極13の電位がなお存在するよ
うな領域である。
多数の部分13o,13uから成り、その選定に際して
は、絶縁体12の外部領域の場合と同じように当該複数
の部分が雰囲気圧力に完全にさらされるという事実を踏
まえて考慮されている。
た部分12vが充填された鋳造樹脂から成っており、そ
れによって十分な強度が達成される。別の上方の部分1
2aに対しては、可撓性の熱伝導性鋳込材料、例えばシ
リコンが使用されている。この部分12aは、下方の部
分12v、高電圧ケーブル(図示されていない)、ケー
シング、端子部分と密接に結合をしており、この結合に
よって下方の部分12vの絶縁耐力が達成される。高電
圧ケーブル自体は、段状拡大部11sの上部で当該拡大
部と同じ直径でリング状に鋳込まれており、それによっ
て全体的な電位供給に寄与している。
よって、加熱されたカソードから熱が逃がされる。この
上方部分12aの弾性を介して、異なる熱膨張率により
、機械的応力が、僅少に保たれる。円形のループリング
13rが、絶縁体12と、部分13oと13uとで構成
された外部電極13との間で気密にするために用いられ
ている。
れており、この構成例でも同じように2つの部分22o
,22aから成る絶縁体22が使用されている。ここで
はその中で近似的に電極21、23の電位がなお存在し
、3重領域が配置されるような領域21p,23pが次
のようにして達成される。すなわち電極21,23は突
出部21e,23eを有し、及び/又は導電性部分、例
えばリング21r,23rは電極21,23を約2cm
までの間隔の中で取り囲んでそれと電気的に接続するよ
うに構成されて達成される。 リングを真空域15に
配置し、及び/又は突出部を絶縁体22に配置すること
ももちろん可能である。同じように絶縁体表面において
所定の電位経過を達成するために中間電位を有する付加
的リングを使用することも可能である。
る。すなわち絶縁体32の、真空域15と隣接する部分
がセラミック部分からなり、その表面32oは非常に良
好な真空技術特性を有しているような構成例である。絶
縁体32の上方部32aは、ここでも可撓性の熱伝導性
鋳込材料であり、この鋳込材料もセラミック部分と電極
31,33との間の空隙31s,33sに充填される。 所望の気密性を得るために円いループリング31rと3
3rとが用いられる。この実施例は、次のようなことも
表している。ずなわち高電圧電極31のくぼみが、はっ
きりと現れたくぼみ31vとして構成され得ることも表
している。
1,43との間の気密性が金属管部分48,49によっ
て生じており、この金属管部分48,49は公知技術に
よってセラミック部分42kに堅固に鑞付けされ、続い
て電極41,43と共に溶接される。溶接後は高電圧電
極の下方部分41uにその上方部41oがねじ止めされ
、この2つが共にくぼみ41vを形成する。このくぼみ
41vは、近似的に全体の電極と同じ電位を有しており
、このくぼみ41vの中にセラミック部分42kの表面
42oが入り込んでいる。
回転対称的に構成することは通常行われていることであ
る。なぜならこれは安価に製造できるからである。しか
しながらこのことは重要ではない。上記本願特有の特徴
は、楕円形または矩形状の構成例でも達成されるもので
ある。
も適合し、それにともなって空間的な寸法を著しく拡大
する必要のない、スペースの節約された粒子線機器用高
電圧供給ユニットが実現する。
施例の断面図である。
を有した本発明による実施例の断面図である。
ある本発明による実施例の断面図である。
よって電極と気密に接続されている本発明による実施例
の断面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 例えば粒子線機器のための、真空域中
に高電圧を供給するための高電圧供給ユニットであって
、高電圧電極(11)と、当該高電圧電極(11)を取
り囲み真空域(15)と境を接する表面(12o)を有
する絶縁体(12)と、該絶縁体(12)を取り囲む、
低電位におかれている外部電極(13)とを有している
高電圧供給ユニットにおいて、真空域(15)と隣接す
る絶縁体(12)表面(12o)と、電極(11,13
)との間隔距離が当該表面(12o)方向での電極間距
離のほぼ1/10までの大きさを有しているような領域
(3重領域)中では、近似的に当該2つの電極(11,
13)の電位がなお存在するように、前記電極(11,
13)が構成されていることを特徴とする高電圧供給ユ
ニット。
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