JP3380638B2 - 液晶パネルの製造方法 - Google Patents
液晶パネルの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタを主
に構成するゲート部と、このゲート部に対する補助容量
部を備えた液晶パネルの製造方法に関するものであり、
さらに詳細には、ゲート側絶縁体層を挟んで、一方の側
面にゲート側シリコン半導体層を、他方の側面に金属よ
りなるゲート電極を有するゲート部を備え、このゲート
側シリコン半導体層と電気的に接続された補助容量側シ
リコン半導体層と、ゲート側絶縁体層と同時に成形さ
れ、且つ補助容量側シリコン半導体層に対する補助容量
側絶縁体層とを有する補助容量部を備えた液晶パネルの
製造方法に関する。
に構成するゲート部と、このゲート部に対する補助容量
部を備えた液晶パネルの製造方法に関するものであり、
さらに詳細には、ゲート側絶縁体層を挟んで、一方の側
面にゲート側シリコン半導体層を、他方の側面に金属よ
りなるゲート電極を有するゲート部を備え、このゲート
側シリコン半導体層と電気的に接続された補助容量側シ
リコン半導体層と、ゲート側絶縁体層と同時に成形さ
れ、且つ補助容量側シリコン半導体層に対する補助容量
側絶縁体層とを有する補助容量部を備えた液晶パネルの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】大型のガラス基板上に駆動回路を内蔵し
た液晶パネルの製造は、今日、高品位テレビ等の実現を
目的として、非常に注目されている。このような液晶パ
ネル等として利用される高性能の薄膜トランジスター
（以下、ＴＦＴと称する）には、駆動制御用にゲート部
が設けられる。一方、アクティブ・マトリックス方式の
液晶パネルでは、電荷が画素容量に保持される。この画
素容量は通常液晶そのものであるが、これだけでは電荷
容量の値が小さく保持動作が不十分であったり、寄生容
量の悪影響を受けることが多い。そこで、高画質化を確
保するために、補助容量部を別に設け、動作をより完全
なものにしている。これらのゲート部と補助容量部とを
備えた液晶パネルの要部の構成を図３に示した。図３に
おいて、図面左側にゲート部２０１が備えられるととも
に、右側に補助容量部２０２が備えられている。ここ
で、ゲート部２０１は、基板５側から、ソース２４、チ
ャネル２６、ドレイン２５を備えるゲート側シリコン半
導体層２１ａとゲート側絶縁体層２２ａ、さらに、この
ゲート側絶縁体層２２ａの上部側にゲート電極２７を備
えている。そして、チャネル２６は、具体的には多結晶
シリコンから構成されている。一方、補助容量部２０２
も同様に、ｎ型多結晶シリコンから成る補助容量側シリ
コン半導体層２１ｂの上部側に補助容量側絶縁体層２２
ｂを備え、この上部側に補助容量部２０２に対する電極
２８を備えている。さらに、図３において、２９は、夫
々、ソース２４、ドレイン２５に対する電極であり、さ
らに上部側に、層間絶縁膜３０が備えられるとともに、
ゲート部２０１の上部側に、光遮蔽膜３１が備えられ、
この光遮蔽膜３１に対応して、ＩＴＯの対向電極３２が
備えられている。ここで、前述のゲート側絶縁体層２２
ａと補助容量側絶縁体層２２ｂとは、それらの位置関係
から同時に膜層形成される場合が多い。従来、これらの
絶縁体層は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）もしくは窒化シ
リコン（ＳｉＮ）により構成されていた。
た液晶パネルの製造は、今日、高品位テレビ等の実現を
目的として、非常に注目されている。このような液晶パ
ネル等として利用される高性能の薄膜トランジスター
（以下、ＴＦＴと称する）には、駆動制御用にゲート部
が設けられる。一方、アクティブ・マトリックス方式の
液晶パネルでは、電荷が画素容量に保持される。この画
素容量は通常液晶そのものであるが、これだけでは電荷
容量の値が小さく保持動作が不十分であったり、寄生容
量の悪影響を受けることが多い。そこで、高画質化を確
保するために、補助容量部を別に設け、動作をより完全
なものにしている。これらのゲート部と補助容量部とを
備えた液晶パネルの要部の構成を図３に示した。図３に
おいて、図面左側にゲート部２０１が備えられるととも
に、右側に補助容量部２０２が備えられている。ここ
で、ゲート部２０１は、基板５側から、ソース２４、チ
ャネル２６、ドレイン２５を備えるゲート側シリコン半
導体層２１ａとゲート側絶縁体層２２ａ、さらに、この
ゲート側絶縁体層２２ａの上部側にゲート電極２７を備
えている。そして、チャネル２６は、具体的には多結晶
シリコンから構成されている。一方、補助容量部２０２
も同様に、ｎ型多結晶シリコンから成る補助容量側シリ
コン半導体層２１ｂの上部側に補助容量側絶縁体層２２
ｂを備え、この上部側に補助容量部２０２に対する電極
２８を備えている。さらに、図３において、２９は、夫
々、ソース２４、ドレイン２５に対する電極であり、さ
らに上部側に、層間絶縁膜３０が備えられるとともに、
ゲート部２０１の上部側に、光遮蔽膜３１が備えられ、
この光遮蔽膜３１に対応して、ＩＴＯの対向電極３２が
備えられている。ここで、前述のゲート側絶縁体層２２
ａと補助容量側絶縁体層２２ｂとは、それらの位置関係
から同時に膜層形成される場合が多い。従来、これらの
絶縁体層は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）もしくは窒化シ
リコン（ＳｉＮ）により構成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】以上の様な構成の、液
晶パネルにあって、その開口率を上げ、パネルを明るく
するためには、補助容量部の面積を小さくすることが有
効である。ここで、従来、この補助容量部の絶縁体層
は、前述の様に、酸化シリコン、窒化シリコン等が用い
られているが、これらの材料は比誘電率が小さいため、
大容量を蓄積するには、比較的、大きな面積が必要とな
る。そこで、この面積を小さくするには、絶縁体層の構
成材料として強誘電体材料であるＰＺＴ等の高誘電率材
料を用いることが有効である。しかしながら、このよう
な構成を取る場合に、ゲート部及び補助容量部に対する
絶縁体層とを同時に形成すると、ゲート部側の高誘電率
材料と半導体との界面は、ゲートとして使用するには、
界面準位密度が高くなり過ぎる。従って、良好がゲート
動作が確保できない。
晶パネルにあって、その開口率を上げ、パネルを明るく
するためには、補助容量部の面積を小さくすることが有
効である。ここで、従来、この補助容量部の絶縁体層
は、前述の様に、酸化シリコン、窒化シリコン等が用い
られているが、これらの材料は比誘電率が小さいため、
大容量を蓄積するには、比較的、大きな面積が必要とな
る。そこで、この面積を小さくするには、絶縁体層の構
成材料として強誘電体材料であるＰＺＴ等の高誘電率材
料を用いることが有効である。しかしながら、このよう
な構成を取る場合に、ゲート部及び補助容量部に対する
絶縁体層とを同時に形成すると、ゲート部側の高誘電率
材料と半導体との界面は、ゲートとして使用するには、
界面準位密度が高くなり過ぎる。従って、良好がゲート
動作が確保できない。
【０００４】本発明はこのような従来の問題点に着目し
てなされたもので、ゲート部と補助容量部とを共に備え
た上記構成の液晶パネルを製造する場合に、その開口率
を向上することができるとともに、絶縁体層を構成する
材料としてＰＺＴ等の高誘電率材料を使用する場合にお
いても、ＴＦＴのチャネルを構成する材料（例えば、多
結晶シリコン）と絶縁体層との界面状態を良好に保こと
ができる液晶パネルの製造方法を得ることにある。
てなされたもので、ゲート部と補助容量部とを共に備え
た上記構成の液晶パネルを製造する場合に、その開口率
を向上することができるとともに、絶縁体層を構成する
材料としてＰＺＴ等の高誘電率材料を使用する場合にお
いても、ＴＦＴのチャネルを構成する材料（例えば、多
結晶シリコン）と絶縁体層との界面状態を良好に保こと
ができる液晶パネルの製造方法を得ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
の本発明による請求項１に係わる液晶パネルの製造方法
の第１の特徴手段は、ゲート側シリコン半導体層及び補
助容量側シリコン半導体層を得た後、両シリコン半導体
層の表面にゲート側絶縁体層及び補助容量側シリコン半
導体層を高誘電率材料で形成する前に、ゲート側シリコ
ン半導体層の表面に酸化シリコン層を形成することにあ
る。さらに、前記第１の特徴手段において、ゲート側シ
リコン半導体層が、光励起気相成長法によって得られる
多結晶シリコン層であることが好ましい。これが、本発
明による請求項２に係わる本願第２の特徴手段である。
上記本願第１あるいは第２の特徴手段において、ゲート
側シリコン半導体層の表面に設けられる酸化シリコン層
が、ゲート側シリコン半導体層の表面を紫外線処理して
得られる層であることが好ましい。これが、請求項３に
係わる本願第３の特徴手段である。上記本願第３の特徴
手段において、光励起気相成長法による前記ゲート側シ
リコン半導体層の形成と前記紫外線処理とを、連続的に
単一の真空過程内でおこなうことが好ましい。これが、
請求項４に係わる本願第４の特徴手段である。
の本発明による請求項１に係わる液晶パネルの製造方法
の第１の特徴手段は、ゲート側シリコン半導体層及び補
助容量側シリコン半導体層を得た後、両シリコン半導体
層の表面にゲート側絶縁体層及び補助容量側シリコン半
導体層を高誘電率材料で形成する前に、ゲート側シリコ
ン半導体層の表面に酸化シリコン層を形成することにあ
る。さらに、前記第１の特徴手段において、ゲート側シ
リコン半導体層が、光励起気相成長法によって得られる
多結晶シリコン層であることが好ましい。これが、本発
明による請求項２に係わる本願第２の特徴手段である。
上記本願第１あるいは第２の特徴手段において、ゲート
側シリコン半導体層の表面に設けられる酸化シリコン層
が、ゲート側シリコン半導体層の表面を紫外線処理して
得られる層であることが好ましい。これが、請求項３に
係わる本願第３の特徴手段である。上記本願第３の特徴
手段において、光励起気相成長法による前記ゲート側シ
リコン半導体層の形成と前記紫外線処理とを、連続的に
単一の真空過程内でおこなうことが好ましい。これが、
請求項４に係わる本願第４の特徴手段である。
【０００６】
【作用】本願の第１の特徴手段においては、ゲート側シ
リコン半導体層及び補助容量側シリコン半導体層を得た
後、これらの半導体層の上部側に、夫々対応する絶縁体
層が形成されるが、これを、高誘電率材料で構成する。
従って、補助容量部の機能に関しては、この容量部を構
成する半導体と高誘電率材料との関係から、小さい面積
で比較的大きな容量を蓄積でき、液晶パネル自体の開口
率を格段に向上させることができる。例えば、従来型の
酸化シリコン等に対してＰＺＴを採用する場合は、面積
は１／１００程度にすることができ、結果的に開口率は
１０％向上する。さて、上記のように、開口率について
は所定の目的を達成できるが、ゲート部に関しては、ゲ
ート側シリコン半導体層とゲート側絶縁体層との界面状
態が問題となる。従って、この問題を解決するために、
本願においては、ゲート側シリコン半導体層の表面に酸
化シリコン層を形成し、ゲート側シリコン半導体層の表
面側に、シリコン半導体と酸化シリコンの界面を得た
後、この酸化シリコンの上部側に高誘電率材料の絶縁体
層を形成する。結果、ゲート部を構成するにふさわしい
界面準位密度が低い界面を備えることとなり、Ｃ−Ｖ特
性も良好なゲート部を得ることができる。
リコン半導体層及び補助容量側シリコン半導体層を得た
後、これらの半導体層の上部側に、夫々対応する絶縁体
層が形成されるが、これを、高誘電率材料で構成する。
従って、補助容量部の機能に関しては、この容量部を構
成する半導体と高誘電率材料との関係から、小さい面積
で比較的大きな容量を蓄積でき、液晶パネル自体の開口
率を格段に向上させることができる。例えば、従来型の
酸化シリコン等に対してＰＺＴを採用する場合は、面積
は１／１００程度にすることができ、結果的に開口率は
１０％向上する。さて、上記のように、開口率について
は所定の目的を達成できるが、ゲート部に関しては、ゲ
ート側シリコン半導体層とゲート側絶縁体層との界面状
態が問題となる。従って、この問題を解決するために、
本願においては、ゲート側シリコン半導体層の表面に酸
化シリコン層を形成し、ゲート側シリコン半導体層の表
面側に、シリコン半導体と酸化シリコンの界面を得た
後、この酸化シリコンの上部側に高誘電率材料の絶縁体
層を形成する。結果、ゲート部を構成するにふさわしい
界面準位密度が低い界面を備えることとなり、Ｃ−Ｖ特
性も良好なゲート部を得ることができる。
【０００７】さらに、本願第２の特徴手段においては、
シリコン半導体層を多結晶シリコンで形成する場合は、
例えば、基板としてガラス基板、樹脂基板等を使用し
て、この基板上に多結晶シリコンを得て、比較的安価
で、大面積の液晶パネルを製造することができる。
シリコン半導体層を多結晶シリコンで形成する場合は、
例えば、基板としてガラス基板、樹脂基板等を使用し
て、この基板上に多結晶シリコンを得て、比較的安価
で、大面積の液晶パネルを製造することができる。
【０００８】さらに、本願第３の特徴手段においては、
シリコン半導体層の形成を光励起気相成長法によってお
こなうとともに、この形成過程に引き続いて、例えば、
酸素、オゾン等の酸化性ガスを基板上に導き、このガス
に紫外線を照射して、ゲート側シリコン半導体層の表面
に酸化シリコン層を形成する。従って、成膜と同様の装
置系を利用して、好ましい酸化処理層を形成することが
できる。さらに、本願第４の特徴手段においては、第３
の特徴手段において、紫外線処理をおこなう場合に、シ
リコン半導体層の形成と処理を連続して、真空状態を維
持したままでおこなう。従って、この場合は、シリコン
半導体層と酸化シリコン層の良好な界面状態を維持でき
るとともに、この液晶パネルにおいては、上記酸化シリ
コン層上に比較的大きな容量の絶縁体層が形成されるた
め、全体として、好ましい特性で、均質な液晶パネルを
得ることができる。
シリコン半導体層の形成を光励起気相成長法によってお
こなうとともに、この形成過程に引き続いて、例えば、
酸素、オゾン等の酸化性ガスを基板上に導き、このガス
に紫外線を照射して、ゲート側シリコン半導体層の表面
に酸化シリコン層を形成する。従って、成膜と同様の装
置系を利用して、好ましい酸化処理層を形成することが
できる。さらに、本願第４の特徴手段においては、第３
の特徴手段において、紫外線処理をおこなう場合に、シ
リコン半導体層の形成と処理を連続して、真空状態を維
持したままでおこなう。従って、この場合は、シリコン
半導体層と酸化シリコン層の良好な界面状態を維持でき
るとともに、この液晶パネルにおいては、上記酸化シリ
コン層上に比較的大きな容量の絶縁体層が形成されるた
め、全体として、好ましい特性で、均質な液晶パネルを
得ることができる。
【０００９】
【発明の効果】従って、本願第１の特徴手段を採用する
と、ゲート部と補助容量部とを共に備えた液晶パネルを
製造する場合に、その開口率を向上することができると
ともに、絶縁体層を構成する材料としてＰＺＴ等の高誘
電率材料を使用する場合においても、ＴＦＴのチャネル
を構成する多結晶シリコンと絶縁体層との界面状態を良
好に保ことができる液晶パネルの製造方法を得ることが
できた。ここで、本願第２の特徴手段を採用すると、比
較的安価で、大面積の液晶パネルを製造することができ
る。さらに、本願第３、４の特徴手段を採用すると、ゲ
ート側シリコン半導体層と酸化シリコン層との界面状態
を良好に保つことが可能となり、全体として液晶パネル
の特性が良好となる。
と、ゲート部と補助容量部とを共に備えた液晶パネルを
製造する場合に、その開口率を向上することができると
ともに、絶縁体層を構成する材料としてＰＺＴ等の高誘
電率材料を使用する場合においても、ＴＦＴのチャネル
を構成する多結晶シリコンと絶縁体層との界面状態を良
好に保ことができる液晶パネルの製造方法を得ることが
できた。ここで、本願第２の特徴手段を採用すると、比
較的安価で、大面積の液晶パネルを製造することができ
る。さらに、本願第３、４の特徴手段を採用すると、ゲ
ート側シリコン半導体層と酸化シリコン層との界面状態
を良好に保つことが可能となり、全体として液晶パネル
の特性が良好となる。
【００１０】
【実施例】本願により液晶パネル２０を製造する場合、
その半導体層２１及び絶縁体層２２は、所謂、光励起気
相成長法によって膜層形成をすることができる。図１、
図２には、工程に対応して、本願の方法が使用される光
励起気相成長装置１の構成が示されており、図３には、
先に説明した様に、液晶パネル２０の要部の構成が示さ
れている。
その半導体層２１及び絶縁体層２２は、所謂、光励起気
相成長法によって膜層形成をすることができる。図１、
図２には、工程に対応して、本願の方法が使用される光
励起気相成長装置１の構成が示されており、図３には、
先に説明した様に、液晶パネル２０の要部の構成が示さ
れている。
【００１１】図１、図２は発明の実施に使用する光励起
気相成長装置１の概略図である。ここで、図１は、半導
体層２１を形成する工程と、この半導体層２１の特定部
位を紫外線処理する工程とに対応した装置構成を示して
おり、図２は、絶縁体層２２を形成する工程に対応した
装置構成を示している。ただし、制御側は同一のものを
示している。装置１は、真空ポンプ２によって所定の真
空度に排気される成長室３内に、サセプタ４に保持され
た基板５（例えばガラス基板；Ｃｏｒｎｉｎｇ７０５
９）が収納されており、加熱機構としてのヒータ６によ
って所定の温度に加熱されるようになっている。この成
長室３に対して、その室３内に原料ガスを供給可能な原
料ガス供給機構７が備えられており、ガス導入管８を経
由して原料ガスを供給するようにしている。一方、成長
室３に対して、基板表面付近のガス雰囲気を励起可能な
励起光９を照射可能な光源１０が備えられている。膜層
形成にあたっては、光源１０からの入射窓１１を通し
て、水平配置の基板表面に対してこれとほぼ平行に、励
起光９を照射する。ここでは、光源１０は、具体的に
は、発振波長が１９３ｎｍであるＡｒＦエキシマレーザ
ーである。この波長の励起光は、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）
を直接励起可能である。即ち、ジシランは約２２０ｎｍ
付近に電子状態励起に伴う光吸収の吸収端を持っている
ため、結晶性シリコンの形成にあたって、ＡｒＦエキシ
マレーザーにより、直接これが励起されて、分子結合の
解離を起こす。
気相成長装置１の概略図である。ここで、図１は、半導
体層２１を形成する工程と、この半導体層２１の特定部
位を紫外線処理する工程とに対応した装置構成を示して
おり、図２は、絶縁体層２２を形成する工程に対応した
装置構成を示している。ただし、制御側は同一のものを
示している。装置１は、真空ポンプ２によって所定の真
空度に排気される成長室３内に、サセプタ４に保持され
た基板５（例えばガラス基板；Ｃｏｒｎｉｎｇ７０５
９）が収納されており、加熱機構としてのヒータ６によ
って所定の温度に加熱されるようになっている。この成
長室３に対して、その室３内に原料ガスを供給可能な原
料ガス供給機構７が備えられており、ガス導入管８を経
由して原料ガスを供給するようにしている。一方、成長
室３に対して、基板表面付近のガス雰囲気を励起可能な
励起光９を照射可能な光源１０が備えられている。膜層
形成にあたっては、光源１０からの入射窓１１を通し
て、水平配置の基板表面に対してこれとほぼ平行に、励
起光９を照射する。ここでは、光源１０は、具体的に
は、発振波長が１９３ｎｍであるＡｒＦエキシマレーザ
ーである。この波長の励起光は、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）
を直接励起可能である。即ち、ジシランは約２２０ｎｍ
付近に電子状態励起に伴う光吸収の吸収端を持っている
ため、結晶性シリコンの形成にあたって、ＡｒＦエキシ
マレーザーにより、直接これが励起されて、分子結合の
解離を起こす。
【００１２】以下さらに、上記の原料ガス供給機構７及
び成膜制御系１００について説明する。この原料ガス供
給機構７としては、ハロゲン化モノシラン単独もしくは
ハロゲン化モノシランとジシランとを組み合わせた第１
原料ガスを供給可能な第１原料ガス供給機構７ａ（図１
に示す）と、強誘電体を光励起気相成長法により形成で
きる、原料ガスの組み合わせである、金属元素として
鉛、ジルコニウム、チタン等を含んだ有機金属化合物と
酸化性ガスを組み合わせた第２原料ガスを供給可能な第
２原料ガス供給機構７ｂ（図２に示す）と、さらに、酸
化性ガスを供給可能な酸化性ガス供給機構７ｃ（図１に
示す）が備えられている。ここで、前記ハロゲン化モノ
シランは、塩化モノシラン（ＳｉＨxＣｌ4-x, ｘ＝０，
１，２，３）、又は弗化モノシラン（ＳｉＨxＦ4-x, ｘ
＝０，１，２，３）等である。前記酸化性ガスとは酸
素、オゾン等である。図１、図２においては、第１原料
ガスとして、ジシランとジクロルモノシランと水素を、
第２原料ガスとしてビス−ジピバロイルメタエート鉛
（Ｐｂ（ＤＰＭ）2）、ジルコニウム テトラ−ｔ−ブ
トキシド（Ｚｒ（Ｏ−ｔ−Ｃ4Ｈ9）4）及びチタニウム
テトラ−ｉ−プロポキシド（Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ
3Ｈ7）4）を、さらに、酸化性ガスとしては酸素を使用
する例を示している。
び成膜制御系１００について説明する。この原料ガス供
給機構７としては、ハロゲン化モノシラン単独もしくは
ハロゲン化モノシランとジシランとを組み合わせた第１
原料ガスを供給可能な第１原料ガス供給機構７ａ（図１
に示す）と、強誘電体を光励起気相成長法により形成で
きる、原料ガスの組み合わせである、金属元素として
鉛、ジルコニウム、チタン等を含んだ有機金属化合物と
酸化性ガスを組み合わせた第２原料ガスを供給可能な第
２原料ガス供給機構７ｂ（図２に示す）と、さらに、酸
化性ガスを供給可能な酸化性ガス供給機構７ｃ（図１に
示す）が備えられている。ここで、前記ハロゲン化モノ
シランは、塩化モノシラン（ＳｉＨxＣｌ4-x, ｘ＝０，
１，２，３）、又は弗化モノシラン（ＳｉＨxＦ4-x, ｘ
＝０，１，２，３）等である。前記酸化性ガスとは酸
素、オゾン等である。図１、図２においては、第１原料
ガスとして、ジシランとジクロルモノシランと水素を、
第２原料ガスとしてビス−ジピバロイルメタエート鉛
（Ｐｂ（ＤＰＭ）2）、ジルコニウム テトラ−ｔ−ブ
トキシド（Ｚｒ（Ｏ−ｔ−Ｃ4Ｈ9）4）及びチタニウム
テトラ−ｉ−プロポキシド（Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ
3Ｈ7）4）を、さらに、酸化性ガスとしては酸素を使用
する例を示している。
【００１３】一方、前記第１原料ガス供給機構７ａよ
り、第１原料ガスをサセプタ４上に載置される基板５の
表面上方に導き、励起光９を照射して、基板５の表面上
に選択的に半導体層２１としての多結晶シリコンを形成
する半導体層形成制御手段１０１と、前記第２原料ガス
供給機構７ｂより、第２原料ガスを前記基板５の上方に
導き、励起光９を照射して、絶縁体層２２としての強誘
電体層を、半導体層２１の上側に形成する絶縁体層形成
制御手段１０２とが備えられている。そして、図１、図
２に示すように、上記２者の手段１０１、１０２に加え
て、前記半導体層形成制御手段１０１による半導体層２
１の形成の後で、前記絶縁体層形成制御手段１０２によ
る絶縁体層２２の形成の前に、基板５の上方空間に酸化
性ガスを導き、この酸化性ガスに紫外光を照射して、多
結晶シリコンの表面に、酸化シリコン層２３を形成する
紫外線処理制御手段１０３を備えている。
り、第１原料ガスをサセプタ４上に載置される基板５の
表面上方に導き、励起光９を照射して、基板５の表面上
に選択的に半導体層２１としての多結晶シリコンを形成
する半導体層形成制御手段１０１と、前記第２原料ガス
供給機構７ｂより、第２原料ガスを前記基板５の上方に
導き、励起光９を照射して、絶縁体層２２としての強誘
電体層を、半導体層２１の上側に形成する絶縁体層形成
制御手段１０２とが備えられている。そして、図１、図
２に示すように、上記２者の手段１０１、１０２に加え
て、前記半導体層形成制御手段１０１による半導体層２
１の形成の後で、前記絶縁体層形成制御手段１０２によ
る絶縁体層２２の形成の前に、基板５の上方空間に酸化
性ガスを導き、この酸化性ガスに紫外光を照射して、多
結晶シリコンの表面に、酸化シリコン層２３を形成する
紫外線処理制御手段１０３を備えている。
【００１４】上記の光励起気相成長装置１を使用して、
製造される液晶パネル２０の要部の構成を、図３に基づ
いて説明する。図示するように、液晶パネル２０には、
図面左側に示すゲート部２０１が備えられるとともに、
図面右側に補助容量部２０２が備えられている。ゲート
部２０１は、基板側から、ソース２４、チャネル２６、
ドレイン２５を備えるゲート側シリコン半導体層２１ａ
とゲート側絶縁体層２２ａ、さらに、このゲート側絶縁
体層２２ａの内部にゲート電極２７を備えている。ここ
で、ソース２４及びドレイン２５はｎ型多結晶シリコン
から構成され、チャネル２６は、多結晶シリコンから構
成されている。製造にあたっては、基板５上の所定部
に、多結晶シリコン膜層が形成されるとともに、トラン
ジスタを構成するために、その一部所定部位に、所望の
特性を得るためのドープ処理が成される。一方、補助容
量部２０２も同様に、ｎ型多結晶シリコンから成る補助
容量側シリコン半導体層２１ｂの上部側に補助容量側絶
縁体層２２ｂを備え、この内部に補助容量部２０２に対
する電極２８を備えている。さらに、２９は、夫々、ソ
ース２４、ドレイン２５に対する電極であり、この電極
２９の上部側に、層間絶縁膜３０が備えられ、ゲート部
２０１の上部側には光遮蔽膜３１が備えられ、この光遮
蔽膜３１に対応して、ＩＴＯの対向電極３２が備えられ
ている。
製造される液晶パネル２０の要部の構成を、図３に基づ
いて説明する。図示するように、液晶パネル２０には、
図面左側に示すゲート部２０１が備えられるとともに、
図面右側に補助容量部２０２が備えられている。ゲート
部２０１は、基板側から、ソース２４、チャネル２６、
ドレイン２５を備えるゲート側シリコン半導体層２１ａ
とゲート側絶縁体層２２ａ、さらに、このゲート側絶縁
体層２２ａの内部にゲート電極２７を備えている。ここ
で、ソース２４及びドレイン２５はｎ型多結晶シリコン
から構成され、チャネル２６は、多結晶シリコンから構
成されている。製造にあたっては、基板５上の所定部
に、多結晶シリコン膜層が形成されるとともに、トラン
ジスタを構成するために、その一部所定部位に、所望の
特性を得るためのドープ処理が成される。一方、補助容
量部２０２も同様に、ｎ型多結晶シリコンから成る補助
容量側シリコン半導体層２１ｂの上部側に補助容量側絶
縁体層２２ｂを備え、この内部に補助容量部２０２に対
する電極２８を備えている。さらに、２９は、夫々、ソ
ース２４、ドレイン２５に対する電極であり、この電極
２９の上部側に、層間絶縁膜３０が備えられ、ゲート部
２０１の上部側には光遮蔽膜３１が備えられ、この光遮
蔽膜３１に対応して、ＩＴＯの対向電極３２が備えられ
ている。
【００１５】さて、本願の手法においては、製造工程
は、以下に詳細に説明する第１工程、紫外線処理工程、
第２工程を備えて構成される。ここで、第１工程及び紫
外線処理工程は、連続的に継続して単一の真空過程内で
行われ、第２工程は、別個の工程として行われる。図１
に示す状態が前者の各工程に於ける状態であり、図２に
示す状態が後者に於ける状態である。さらに、半導体層
に対するドープ処理は、例えばレーザードーピング等の
手法により、別途おこなわれる。
は、以下に詳細に説明する第１工程、紫外線処理工程、
第２工程を備えて構成される。ここで、第１工程及び紫
外線処理工程は、連続的に継続して単一の真空過程内で
行われ、第２工程は、別個の工程として行われる。図１
に示す状態が前者の各工程に於ける状態であり、図２に
示す状態が後者に於ける状態である。さらに、半導体層
に対するドープ処理は、例えばレーザードーピング等の
手法により、別途おこなわれる。
【００１６】以下さらに、具体的に説明する。以下の例
においては、絶縁体層２２としてＰＺＴ層を形成するも
のを示す。 １ 基板上に半導体層を形成する第１工程（半導体層形
成制御手段による） この工程は、半導体層２１（２１ａ、２１ｂ）を形成す
る場合に、ジシラン、ジクロルシランと水素を含む第１
原料ガスを基板５の表面上方に導き、第１原料ガスを光
励起できる波長の励起光を第１原料ガスに照射して、光
励起気相成長法により、基板５の表面上に選択的に多結
晶シリコンを形成する工程である。具体的な実施条件を
以下に箇条書きする。 成膜温度 ２００〜４５０℃ ガス流量 ジシラン ０．５〜 ３ｃｃ／ｍｉｎ ジクロルシラン ５〜 ５０ｃｃ／ｍｉｎ 水素 ２０〜３００ｃｃ／ｍｉｎ 成膜操作圧力 ０．１〜 １０Ｔｏｒｒ レーザー ＡｒＦ（１９３ｎｍ）１０〜１００ｍＪ×１０〜１００Ｈｚ 上記条件の範囲において、結晶性シリコンの形成速度
に、差があるものの、所望の多結晶シリコン膜層を得る
ことができた。各原料ガスの混合比は上記の範囲で選択
することが好ましい。
においては、絶縁体層２２としてＰＺＴ層を形成するも
のを示す。 １ 基板上に半導体層を形成する第１工程（半導体層形
成制御手段による） この工程は、半導体層２１（２１ａ、２１ｂ）を形成す
る場合に、ジシラン、ジクロルシランと水素を含む第１
原料ガスを基板５の表面上方に導き、第１原料ガスを光
励起できる波長の励起光を第１原料ガスに照射して、光
励起気相成長法により、基板５の表面上に選択的に多結
晶シリコンを形成する工程である。具体的な実施条件を
以下に箇条書きする。 成膜温度 ２００〜４５０℃ ガス流量 ジシラン ０．５〜 ３ｃｃ／ｍｉｎ ジクロルシラン ５〜 ５０ｃｃ／ｍｉｎ 水素 ２０〜３００ｃｃ／ｍｉｎ 成膜操作圧力 ０．１〜 １０Ｔｏｒｒ レーザー ＡｒＦ（１９３ｎｍ）１０〜１００ｍＪ×１０〜１００Ｈｚ 上記条件の範囲において、結晶性シリコンの形成速度
に、差があるものの、所望の多結晶シリコン膜層を得る
ことができた。各原料ガスの混合比は上記の範囲で選択
することが好ましい。
【００１７】但し、上記の実施条件において、以下の条
件が最も好ましかった。 成膜温度 ３５０℃ ガス流量 ジシラン ２ｃｃ／ｍｉｎ ジクロルシラン ３０ｃｃ／ｍｉｎ 水素 ２００ｃｃ／ｍｉｎ 成膜操作圧力 ３Ｔｏｒｒ レーザー ＡｒＦ（１９３ｎｍ）３０ｍＪ×１００Ｈｚ
件が最も好ましかった。 成膜温度 ３５０℃ ガス流量 ジシラン ２ｃｃ／ｍｉｎ ジクロルシラン ３０ｃｃ／ｍｉｎ 水素 ２００ｃｃ／ｍｉｎ 成膜操作圧力 ３Ｔｏｒｒ レーザー ＡｒＦ（１９３ｎｍ）３０ｍＪ×１００Ｈｚ
【００１８】２ 半導体層の表面に酸化シリコン層を形
成する紫外線処理工程（紫外線処理制御手段による） この工程は、基板５の、上方空間に酸素を導くととも
に、酸素に紫外光を照射して、半導体層２１の表面に、
酸化シリコン層２３を形成する工程である。実施条件を
以下に箇条書きする。 処理温度 １００〜４５０℃ ガス流量 酸素 １００〜１０００ｃｃ／ｍｉｎ 成膜操作圧力 ０．１〜１００Ｔｏｒｒ レーザー ＡｒＦ（１９３ｎｍ）１０〜１００ｍＪ×１０〜１００Ｈｚ これらの条件の範囲において、半導体層２１の表面に２
ｎｍ深さの酸化シリコン層２３を形成することができ
た。
成する紫外線処理工程（紫外線処理制御手段による） この工程は、基板５の、上方空間に酸素を導くととも
に、酸素に紫外光を照射して、半導体層２１の表面に、
酸化シリコン層２３を形成する工程である。実施条件を
以下に箇条書きする。 処理温度 １００〜４５０℃ ガス流量 酸素 １００〜１０００ｃｃ／ｍｉｎ 成膜操作圧力 ０．１〜１００Ｔｏｒｒ レーザー ＡｒＦ（１９３ｎｍ）１０〜１００ｍＪ×１０〜１００Ｈｚ これらの条件の範囲において、半導体層２１の表面に２
ｎｍ深さの酸化シリコン層２３を形成することができ
た。
【００１９】但し、上記の実施条件において、以下の条
件が最も好ましかった。 処理温度 ３５０℃ ガス流量 酸素 ５００ｃｃ／ｍｉｎ 成膜操作圧力 ３Ｔｏｒｒ レーザー ＡｒＦ（１９３ｎｍ）３０ｍＪ×１００Ｈｚ
件が最も好ましかった。 処理温度 ３５０℃ ガス流量 酸素 ５００ｃｃ／ｍｉｎ 成膜操作圧力 ３Ｔｏｒｒ レーザー ＡｒＦ（１９３ｎｍ）３０ｍＪ×１００Ｈｚ
【００２０】この工程の後、前述のソース２４、ドレイ
ン２５、補助容量側シリコン半導体層２１ｂには、この
部位をｎ型とするためのリン（Ｐ）のドープ処理が成さ
れる。
ン２５、補助容量側シリコン半導体層２１ｂには、この
部位をｎ型とするためのリン（Ｐ）のドープ処理が成さ
れる。
【００２１】３ 半導体層上にＰＺＴの絶縁体層を形成
する第２工程（絶縁体層形成制御手段による） この工程は、以上の工程を経た後、ビス−ジピバロイル
メタエート鉛（Ｐｂ（ＤＰＭ）2）、ジルコニウム テ
トラ−ｔ−ブトキシド（Ｚｒ（Ｏ−ｔ−Ｃ4Ｈ9）4）及
びチタニウム テトラ−ｉ−プロポキシド（Ｔｉ（Ｏ−
ｉ−Ｃ3Ｈ7） 4）及び酸素を組み合わせた第２原料ガス
を、基板５の上方に導き、第２原料ガスを光励起できる
波長の励起光を第２原料ガスに照射して、光励起気相成
長法により、ＰＺＴ層を、半導体層２１の上方側に形成
する工程である。具体的な実施条件を以下に箇条書きす
る。 成膜温度 ３００〜３５０℃ ガス流量 ビス−ジピバロイルメタエート鉛 １〜３０ｃｃ／ｍｉｎ ジルコニウム テトラ−ｔ−ブトキシド １〜３０ｃｃ／ｍｉｎ チタニウム テトラ−ｉ−プロポキシド １〜３０ｃｃ／ｍｉｎ 酸素 ０〜５００ｃｃ／ｍｉｎ 成膜操作圧力 ０．１〜１０Ｔｏｒｒ レーザー ＡｒＦ（１９３ｎｍ）１０〜１００ｍＪ×１０〜１００Ｈｚ これらの条件の範囲において、ＰＺＴ層の形成速度に、
差があるものの、所望の絶縁膜を得ることができた。
する第２工程（絶縁体層形成制御手段による） この工程は、以上の工程を経た後、ビス−ジピバロイル
メタエート鉛（Ｐｂ（ＤＰＭ）2）、ジルコニウム テ
トラ−ｔ−ブトキシド（Ｚｒ（Ｏ−ｔ−Ｃ4Ｈ9）4）及
びチタニウム テトラ−ｉ−プロポキシド（Ｔｉ（Ｏ−
ｉ−Ｃ3Ｈ7） 4）及び酸素を組み合わせた第２原料ガス
を、基板５の上方に導き、第２原料ガスを光励起できる
波長の励起光を第２原料ガスに照射して、光励起気相成
長法により、ＰＺＴ層を、半導体層２１の上方側に形成
する工程である。具体的な実施条件を以下に箇条書きす
る。 成膜温度 ３００〜３５０℃ ガス流量 ビス−ジピバロイルメタエート鉛 １〜３０ｃｃ／ｍｉｎ ジルコニウム テトラ−ｔ−ブトキシド １〜３０ｃｃ／ｍｉｎ チタニウム テトラ−ｉ−プロポキシド １〜３０ｃｃ／ｍｉｎ 酸素 ０〜５００ｃｃ／ｍｉｎ 成膜操作圧力 ０．１〜１０Ｔｏｒｒ レーザー ＡｒＦ（１９３ｎｍ）１０〜１００ｍＪ×１０〜１００Ｈｚ これらの条件の範囲において、ＰＺＴ層の形成速度に、
差があるものの、所望の絶縁膜を得ることができた。
【００２２】但し、上記の実施条件において、以下の条
件が最も好ましかった。 成膜温度 ３２０℃ ガス流量 ビス−ジピバロイルメタエート鉛 ８．０ｃｃ／ｍｉｎ ジルコニウム テトラ−ｔ−ブトキシド ４．０ｃｃ／ｍｉｎ チタニウム テトラ−ｉ−プロポキシド ２．０ｃｃ／ｍｉｎ 酸素 １５０ｃｃ／ｍｉｎ 成膜操作圧力 ２Ｔｏｒｒ レーザー ＡｒＦ（１９３ｎｍ）５０ｍＪ×１００Ｈｚ
件が最も好ましかった。 成膜温度 ３２０℃ ガス流量 ビス−ジピバロイルメタエート鉛 ８．０ｃｃ／ｍｉｎ ジルコニウム テトラ−ｔ−ブトキシド ４．０ｃｃ／ｍｉｎ チタニウム テトラ−ｉ−プロポキシド ２．０ｃｃ／ｍｉｎ 酸素 １５０ｃｃ／ｍｉｎ 成膜操作圧力 ２Ｔｏｒｒ レーザー ＡｒＦ（１９３ｎｍ）５０ｍＪ×１００Ｈｚ
【００２３】以上の工程を経た後、ゲート電極２７を設
けて、ゲート部２０１を構成した。結果、同一の成長室
３内で、供給すべき原料ガス及び形成条件を少々、変化
させるだけで、所望のゲート部を成すＭＩＳ構造を得る
ことができた。本願の手法を採用する場合は、ステップ
カバレージが良好であるとともに、多結晶シリコン層と
絶縁体層との界面準位密度も１×１０11ｃｍ-2ｅＶ-1が
えられていた。そして、ＭＩＳダイオードのＣ−Ｖ特性
に関しても、ＥＣＲ−ＣＶＤで得られる程度の良好な特
性のものが得られた。本願の方法を採用して得られたＭ
ＩＳ構造（ＴＦＴの一部となっている）のＣ−Ｖ特性を
図４に示した。図において、横軸はゲート電圧（Ｖ）で
あり、縦軸は最大容量（Ｃｍａｘ）に対する容量比
（％）を示している。図において、実線が本願のもの
を、破線がＥＣＲ−ＣＶＤによるものを、一点鎖線が、
ゲート部に於けるシリコン半導体層の表面に紫外線処理
（ＵＶ処理と図面上表記）を施さなかったものを示して
いる。これらの状態から判明するように、本願のもの
が、最もシャープな立ち上がりを示しており、良質のゲ
ートが構成されていることが判る。
けて、ゲート部２０１を構成した。結果、同一の成長室
３内で、供給すべき原料ガス及び形成条件を少々、変化
させるだけで、所望のゲート部を成すＭＩＳ構造を得る
ことができた。本願の手法を採用する場合は、ステップ
カバレージが良好であるとともに、多結晶シリコン層と
絶縁体層との界面準位密度も１×１０11ｃｍ-2ｅＶ-1が
えられていた。そして、ＭＩＳダイオードのＣ−Ｖ特性
に関しても、ＥＣＲ−ＣＶＤで得られる程度の良好な特
性のものが得られた。本願の方法を採用して得られたＭ
ＩＳ構造（ＴＦＴの一部となっている）のＣ−Ｖ特性を
図４に示した。図において、横軸はゲート電圧（Ｖ）で
あり、縦軸は最大容量（Ｃｍａｘ）に対する容量比
（％）を示している。図において、実線が本願のもの
を、破線がＥＣＲ−ＣＶＤによるものを、一点鎖線が、
ゲート部に於けるシリコン半導体層の表面に紫外線処理
（ＵＶ処理と図面上表記）を施さなかったものを示して
いる。これらの状態から判明するように、本願のもの
が、最もシャープな立ち上がりを示しており、良質のゲ
ートが構成されていることが判る。
【００２４】〔別実施例〕上記の実施例においては、多
結晶シリコンを得る場合に、ジシランとジクロルシラン
と水素を組み合わせて第１原料ガスとしたが、形成速度
を問題にしなければ、ジクロルシランに代表されるハロ
ゲン化シランと水素の組み合わせでも、これを励起・分
解してハロゲンラジカルを系内に得て、これにより不純
物、不正配位置シリコン等をエッチングしながら、形成
をおこなうことも可能である。ハロゲン化シランとして
は、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨ2Ｆ2、ＳｉＣｌ4等を使用で
き、これらの励起光としては、波長１５７ｎｍ、１７２
ｎｍ、１９３ｎｍ等の紫外光を使用して結晶性シリコン
の形成をおこなうことができる。この場合は、シリコ
ン、エッチング用のラジカル原料を共に、単一の原料ガ
スにより供給することとなるため、例えば、原料ガス供
給量等の成膜条件が広がり、より実用的な結晶性シリコ
ンの形成方法となる。さらに、上記の実施例において、
多結晶シリコンを得る場合に、励起光の光源として、発
振波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを用いた例
について説明したが、原料ガスを励起できる波長を有す
るものであれば、他のエキシマレーザー（例えばＦ2レ
ーザー、ＡｒＣｌレーザー等）を使用することも可能で
ある。さらに、本発明による効果を得るためには、特に
レーザーを用いる必要はなく、発振波長１７２ｎｍのエ
キシマランプ等を使用することも可能である。また、レ
ーザーの照射方向にあっては、図示するように、基板方
向と平行に位置させる他、基板の上部から垂直に照射す
る構成でも、多結晶シリコンの形成をおこなうことがで
きる。さらに、上記の実施例においては、ガラス基板を
使用する場合について説明したが、本願においては、形
成温度が従来のものより低く設定できるために、単結晶
基板の他、多結晶基板、非晶室基板を使用することも可
能である。さらに、上記の実施例においては、高誘電率
材料として強誘電体であるＰＺＴを使用する例を示して
が、このような強誘電体としては、ＰｂＴｉＯ3 、Ｐｂ
ＺｒＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 も光励起気相成長法により膜層
形成が可能であり、絶縁体層を構成することができる。
さらに、このような材料としては、（Ｂａ，Ｓｒ）Ｔｉ
Ｏ3 系のもの、タンタルを含む有機金属化合物を原料ガ
スとするもの等においても、本願の手法による液晶パネ
ルの製造方法に採用することができる。さらに、強誘電
体とは分類されないものの、高い誘電率を備えたＴａ2
Ｏ5、やＴｉＯ2も本願の手法による液晶パネルの製造方
法に採用することができる。
結晶シリコンを得る場合に、ジシランとジクロルシラン
と水素を組み合わせて第１原料ガスとしたが、形成速度
を問題にしなければ、ジクロルシランに代表されるハロ
ゲン化シランと水素の組み合わせでも、これを励起・分
解してハロゲンラジカルを系内に得て、これにより不純
物、不正配位置シリコン等をエッチングしながら、形成
をおこなうことも可能である。ハロゲン化シランとして
は、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨ2Ｆ2、ＳｉＣｌ4等を使用で
き、これらの励起光としては、波長１５７ｎｍ、１７２
ｎｍ、１９３ｎｍ等の紫外光を使用して結晶性シリコン
の形成をおこなうことができる。この場合は、シリコ
ン、エッチング用のラジカル原料を共に、単一の原料ガ
スにより供給することとなるため、例えば、原料ガス供
給量等の成膜条件が広がり、より実用的な結晶性シリコ
ンの形成方法となる。さらに、上記の実施例において、
多結晶シリコンを得る場合に、励起光の光源として、発
振波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを用いた例
について説明したが、原料ガスを励起できる波長を有す
るものであれば、他のエキシマレーザー（例えばＦ2レ
ーザー、ＡｒＣｌレーザー等）を使用することも可能で
ある。さらに、本発明による効果を得るためには、特に
レーザーを用いる必要はなく、発振波長１７２ｎｍのエ
キシマランプ等を使用することも可能である。また、レ
ーザーの照射方向にあっては、図示するように、基板方
向と平行に位置させる他、基板の上部から垂直に照射す
る構成でも、多結晶シリコンの形成をおこなうことがで
きる。さらに、上記の実施例においては、ガラス基板を
使用する場合について説明したが、本願においては、形
成温度が従来のものより低く設定できるために、単結晶
基板の他、多結晶基板、非晶室基板を使用することも可
能である。さらに、上記の実施例においては、高誘電率
材料として強誘電体であるＰＺＴを使用する例を示して
が、このような強誘電体としては、ＰｂＴｉＯ3 、Ｐｂ
ＺｒＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 も光励起気相成長法により膜層
形成が可能であり、絶縁体層を構成することができる。
さらに、このような材料としては、（Ｂａ，Ｓｒ）Ｔｉ
Ｏ3 系のもの、タンタルを含む有機金属化合物を原料ガ
スとするもの等においても、本願の手法による液晶パネ
ルの製造方法に採用することができる。さらに、強誘電
体とは分類されないものの、高い誘電率を備えたＴａ2
Ｏ5、やＴｉＯ2も本願の手法による液晶パネルの製造方
法に採用することができる。
【００２５】尚、特許請求の範囲の項に図面との対照を
便利にするために符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構成に限定されるものではない。
便利にするために符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構成に限定されるものではない。
【図１】光励起気相成長装置の構成を示す図
【図２】光励起気相成長装置の構成を示す図
【図３】ＴＦＴの要部の構成を示す図
【図４】ＭＩＳ構造のＣ−Ｖ特性を示す図
１ 光励起気相成長装置
３ 成長室
４ サセプタ
５ 基板
６ 加熱機構
７ 原料ガス供給機構
７ａ 第１原料ガス供給機構
７ｂ 第２原料ガス供給機構
７ｃ 酸化性ガス供給機構
９ 励起光
１０ 光源
２１ 半導体層
２２ 絶縁体層
２３ 酸化シリコン層
１０１ 半導体層形成制御手段
１０２ 絶縁体層形成制御手段
１０３ 紫外線処理制御手段
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ▲柳▼澤 徹
大阪府大阪市中央区平野町四丁目１番２
号 大阪瓦斯株式会社内
(72)発明者 森川 茂
京都府京都市下京区中堂寺南町17 株式
会社関西新技術研究所内
(72)発明者 高木 剛
京都府京都市下京区中堂寺南町17 株式
会社関西新技術研究所内
(72)発明者 小林 孝
京都府京都市下京区中堂寺南町17 株式
会社関西新技術研究所内
(56)参考文献 特開 平３−280018（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−34718（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1368
G02F 1/1343
Claims (4)
- 【請求項１】 ゲート側絶縁体層（２２ａ）を挟んで、
一方の側面にゲート側シリコン半導体層（２１ａ）を、
他方の側面に金属よりなるゲート電極（２７）を有する
ゲート部（２０１）を備え、 前記ゲート側シリコン半導体層（２１ａ）と電気的に接
続された補助容量側シリコン半導体層（２１ｂ）と、前
記ゲート側絶縁体層（２２ａ）と同時に成形され、且つ
前記補助容量側シリコン半導体層（２１ｂ）に対する補
助容量側絶縁体層（２２ｂ）とを有する補助容量部（２
０２）を備えた液晶パネルの製造方法であって、 前記ゲート側シリコン半導体層（２１ａ）及び前記補助
容量側シリコン半導体層（２１ｂ）を得た後、前記両シ
リコン半導体層（２１ａ）（２１ｂ）の表面に前記ゲー
ト側絶縁体層（２２ａ）及び前記補助容量側絶縁体層
（２２ｂ）を高誘電率材料で形成する前に、前記ゲート
側シリコン半導体層（２１ａ）の表面に酸化シリコン層
（２３）を形成する液晶パネルの製造方法。 - 【請求項２】 前記ゲート側シリコン半導体層（２１
ａ）が、光励起気相成長法によって得られる多結晶シリ
コン層である請求項１記載の液晶パネルの製造方法。 - 【請求項３】 前記ゲート側シリコン半導体層（２１
ａ）の表面に設けられる前記酸化シリコン層（２３）
が、前記ゲート側シリコン半導体層（２１ａ）の表面を
紫外線処理して得られる層である請求項１又は請求項２
記載の液晶パネルの製造方法。 - 【請求項４】 光励起気相成長法による前記ゲート側シ
リコン半導体層（２１ａ）の形成と前記紫外線処理と
を、連続的に単一の真空過程内でおこなう請求項３記載
の液晶パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32483394A JP3380638B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 液晶パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32483394A JP3380638B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 液晶パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08179374A JPH08179374A (ja) | 1996-07-12 |
| JP3380638B2 true JP3380638B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=18170198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32483394A Expired - Fee Related JP3380638B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 液晶パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3380638B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6057038A (en) | 1996-08-02 | 2000-05-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for use in display element, method of manufacturing the same, and apparatus for manufacturing the same |
| JP2002319679A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| CN100426115C (zh) * | 2005-09-09 | 2008-10-15 | 群康科技(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
| KR101515382B1 (ko) | 2008-08-26 | 2015-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
| JP5663651B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP32483394A patent/JP3380638B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08179374A (ja) | 1996-07-12 |
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