JP3368435B2 - 電気的接続装置の製造方法 - Google Patents
電気的接続装置の製造方法Info
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- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/368—Assembling printed circuits with other printed circuits parallel to each other
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- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
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- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路装置や回路基
板などの電気的接続・電気的切断を行なうのに好適な電
気的接続装置を製造する方法に関する。
板などの電気的接続・電気的切断を行なうのに好適な電
気的接続装置を製造する方法に関する。
【０００２】現在、電子計算機の高速化、集積回路装置
の大容量化及び高集積化などに伴って、その実装方法も
大きく変化しつつある。即ち、高密度実装、微細配線、
多層化などが主流となり、小さいスペースで、多数の導
体（導線）と他の装置とを接続することが必要とされる
傾向にあり、しかも、そのような接続に於いても、随
時、離脱可能であることも必要とされることが多い。従
って、このようなニーズに合致する電気的接続装置を実
現させなければならない。
の大容量化及び高集積化などに伴って、その実装方法も
大きく変化しつつある。即ち、高密度実装、微細配線、
多層化などが主流となり、小さいスペースで、多数の導
体（導線）と他の装置とを接続することが必要とされる
傾向にあり、しかも、そのような接続に於いても、随
時、離脱可能であることも必要とされることが多い。従
って、このようなニーズに合致する電気的接続装置を実
現させなければならない。
【０００３】
【従来の技術】一般に、前記の要求を満たす電気的接続
装置としてコネクタが広く知られていて、通常のコネク
タは、金属ばねの弾性に起因する接触圧を利用してピン
の挿入或いは抜去で接続或いは切断を行なうものが多用
されている。
装置としてコネクタが広く知られていて、通常のコネク
タは、金属ばねの弾性に起因する接触圧を利用してピン
の挿入或いは抜去で接続或いは切断を行なうものが多用
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記コネクタに於いて
は、金属ばねに接続ピンを挿入したり、或いは、抜去す
る際に接続点が多くなるほど大きな力が必要であり、そ
の脱着は困難になる。
は、金属ばねに接続ピンを挿入したり、或いは、抜去す
る際に接続点が多くなるほど大きな力が必要であり、そ
の脱着は困難になる。
【０００５】この問題を解消する為、低融点金属を介在
させて接続ピンの挿入及び抜去に必要な力を軽減するこ
とが提案されている。然しながら、その場合、低融点金
属は各接続ピン毎に供給しなければならないから、その
供給を行なうことが煩わしい作業となって、実用的とは
言い難い。
させて接続ピンの挿入及び抜去に必要な力を軽減するこ
とが提案されている。然しながら、その場合、低融点金
属は各接続ピン毎に供給しなければならないから、その
供給を行なうことが煩わしい作業となって、実用的とは
言い難い。
【０００６】また、接続ピンは針状の金属を基板にはん
だ付けやろう付けなどで取り付けるものであって、その
際、接続ピンを基板接合部に位置合わせすることが必要
であり、また、約３００〔℃〕〜５００〔℃〕程度の熱
が加わることから、メタライズ膜とはんだ材や接続ピン
材との間で拡散が起こるので、それを防止する為、基板
側や接続ピン側に多層化したメタライズ膜を形成する必
要がある。
だ付けやろう付けなどで取り付けるものであって、その
際、接続ピンを基板接合部に位置合わせすることが必要
であり、また、約３００〔℃〕〜５００〔℃〕程度の熱
が加わることから、メタライズ膜とはんだ材や接続ピン
材との間で拡散が起こるので、それを防止する為、基板
側や接続ピン側に多層化したメタライズ膜を形成する必
要がある。
【０００７】本発明は、集積回路装置や回路基板の電気
的接続及び電気的切断が容易であると共に高い信頼性を
有し、しかも、接続ピンが高精度で定位置に且つ高密度
で形成される電気的接続装置を実現させようとする。
的接続及び電気的切断が容易であると共に高い信頼性を
有し、しかも、接続ピンが高精度で定位置に且つ高密度
で形成される電気的接続装置を実現させようとする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の電気的接続装置
では、特に、接続ピンの構造、及び、それを製造する方
法に特徴がある。即ち、本発明に於ける接続ピンは、既
にピン状になっている金属部品を用いるのではなく、集
積回路装置に於ける配線などと同様なドライ・プロセス
で基板に直接形成するものであり、そして、ドライ・プ
ロセスは、ガス中蒸発法並びにガス・デポジション法か
らなっている。
では、特に、接続ピンの構造、及び、それを製造する方
法に特徴がある。即ち、本発明に於ける接続ピンは、既
にピン状になっている金属部品を用いるのではなく、集
積回路装置に於ける配線などと同様なドライ・プロセス
で基板に直接形成するものであり、そして、ドライ・プ
ロセスは、ガス中蒸発法並びにガス・デポジション法か
らなっている。
【０００９】本発明に於いて電気的接続装置に適用する
ガス中蒸発法並びにガス・デポジション法の原理につい
て説明する。
ガス中蒸発法並びにガス・デポジション法の原理につい
て説明する。
【００１０】ガス中蒸発法は、例えばＡｒやＨｅなどの
ガス中で金属を加熱して蒸発させる技術であり、蒸発し
た金属分子は、ガス分子と衝突して冷却され、気相中で
超微粒子となって凝縮する。尚、その場合、雰囲気が不
活性ガスである為、金属超微粒子が酸化されることはな
く、また、ガス圧は例えば２気圧程度である。
ガス中で金属を加熱して蒸発させる技術であり、蒸発し
た金属分子は、ガス分子と衝突して冷却され、気相中で
超微粒子となって凝縮する。尚、その場合、雰囲気が不
活性ガスである為、金属超微粒子が酸化されることはな
く、また、ガス圧は例えば２気圧程度である。
【００１１】このようにして得られた金属超微粒子の粒
径は約５０〔Å〕〜１０００〔Å〕程度であり、ガス中
に浮遊するとエアロゾル状になり、ガス流に依って容易
に搬送することができるのである。このガス中蒸発法を
適用してエアロゾル状にすることができる金属として
は、例えば、銅、金、銀、白金、アルミニウム、ニッケ
ル、モリブデン、タングステンなどを挙げることができ
る。
径は約５０〔Å〕〜１０００〔Å〕程度であり、ガス中
に浮遊するとエアロゾル状になり、ガス流に依って容易
に搬送することができるのである。このガス中蒸発法を
適用してエアロゾル状にすることができる金属として
は、例えば、銅、金、銀、白金、アルミニウム、ニッケ
ル、モリブデン、タングステンなどを挙げることができ
る。
【００１２】さて、ガス・デポジション法であるが、こ
れは、前記のようにして生成されたエアロゾル状の金属
超微粒子をノズルから基板上に高速で噴射させると、そ
の金属超微粒子がもつ運動エネルギの作用のみで金属超
微粒子膜を形成することができるのである。
れは、前記のようにして生成されたエアロゾル状の金属
超微粒子をノズルから基板上に高速で噴射させると、そ
の金属超微粒子がもつ運動エネルギの作用のみで金属超
微粒子膜を形成することができるのである。
【００１３】このガス・デポジション法では、噴射時間
を制御することで堆積させる金属超微粒子の量を変えて
金属微粒子膜の膜厚を任意に選択することが可能であ
り、また、ノズル径を変えることで成膜の範囲、即ち、
面積を変えることができ、更にまた、ノズル自体を移動
したり、或いは、金属微粒子膜を形成する対象物をＸ−
Ｙステッパなどで移動することで、リング状、その他種
々なパターンの金属微粒子膜を容易に作成することがで
きる。
を制御することで堆積させる金属超微粒子の量を変えて
金属微粒子膜の膜厚を任意に選択することが可能であ
り、また、ノズル径を変えることで成膜の範囲、即ち、
面積を変えることができ、更にまた、ノズル自体を移動
したり、或いは、金属微粒子膜を形成する対象物をＸ−
Ｙステッパなどで移動することで、リング状、その他種
々なパターンの金属微粒子膜を容易に作成することがで
きる。
【００１４】本発明では、前記説明したガス中蒸発法と
ガス・デポジション法とを組み合わせることに依り、接
続ピンを形成したい位置にアスペクト比が高い膜、即
ち、ピン状の金属膜を作成することが基本になってい
る。
ガス・デポジション法とを組み合わせることに依り、接
続ピンを形成したい位置にアスペクト比が高い膜、即
ち、ピン状の金属膜を作成することが基本になってい
る。
【００１５】前記したところから、本発明に依る電気的
接続装置の製造方法に於いては、 （１） ガス中蒸発法を適用することに依って作成された金属超
微粒子（例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｎｉ、
Ｍｏ、Ｗなどの金属超微粒子）が含まれるエアロゾルを
搬送しノズルから基板（例えばセラミック基板１或いは
セラミック基板４）に向けて高速で噴射させて金属（金
属超微粒子として用いた金属）を堆積させるガス・デポ
ジション法を適用することに依って円筒状の雌コネクタ
（例えば雌コネクタ３）と円錐状の雄コネクタ（例えば
雄コネクタ６）を形成する工程と、前記ガス・デポジシ
ョン法を適用することに依って前記雌コネクタと雄コネ
クタの先端に軟金属材料からなる結合先端部分を一体的
に形成する工程と、前記雌コネクタと雄コネクタが形成
された少なくとも二枚の基板に於ける各コネクタを結合
させる工程とが含まれてなることを特徴とするか、或い
は、
接続装置の製造方法に於いては、 （１） ガス中蒸発法を適用することに依って作成された金属超
微粒子（例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｎｉ、
Ｍｏ、Ｗなどの金属超微粒子）が含まれるエアロゾルを
搬送しノズルから基板（例えばセラミック基板１或いは
セラミック基板４）に向けて高速で噴射させて金属（金
属超微粒子として用いた金属）を堆積させるガス・デポ
ジション法を適用することに依って円筒状の雌コネクタ
（例えば雌コネクタ３）と円錐状の雄コネクタ（例えば
雄コネクタ６）を形成する工程と、前記ガス・デポジシ
ョン法を適用することに依って前記雌コネクタと雄コネ
クタの先端に軟金属材料からなる結合先端部分を一体的
に形成する工程と、前記雌コネクタと雄コネクタが形成
された少なくとも二枚の基板に於ける各コネクタを結合
させる工程とが含まれてなることを特徴とするか、或い
は、
【００１６】（２）
前記（１）に於いて、軟金属材料がはんだ材料であるこ
とを特徴とするか、或いは、
とを特徴とするか、或いは、
【００１７】（３）ガス中蒸発法を適用することに依って作成された金属超
微粒子が含まれるエアロゾルを搬送しノズルから基板に
向けて高速で噴射させて金属を堆積させるガス・デポジ
ション法を適用することに依って円筒状の雌コネクタと
円錐状の雄コネクタを形成する工程と、前記ガス・デポ
ジション法を適用して形成した前記雌コネクタと雄コネ
クタの先端にはんだペーストをコーティングして結合先
端部分を形成する工程と、前記雌コネクタと雄コネクタ
が形成された少なくとも二枚の基板に於ける各コネクタ
を結合させる 工程とが含まれてなることを特徴とする
か、或いは、
微粒子が含まれるエアロゾルを搬送しノズルから基板に
向けて高速で噴射させて金属を堆積させるガス・デポジ
ション法を適用することに依って円筒状の雌コネクタと
円錐状の雄コネクタを形成する工程と、前記ガス・デポ
ジション法を適用して形成した前記雌コネクタと雄コネ
クタの先端にはんだペーストをコーティングして結合先
端部分を形成する工程と、前記雌コネクタと雄コネクタ
が形成された少なくとも二枚の基板に於ける各コネクタ
を結合させる 工程とが含まれてなることを特徴とする
か、或いは、
【００１８】（４）ガス中蒸発法を適用することに依って作成された金属超
微粒子が含まれるエアロゾルを搬送しノズルから基板に
向けて高速で噴射させて金属を堆積させるガス・デポジ
ション法を適用することに依って円筒状の雌コネクタと
円錐状の雄コネクタを形成する工程と、前記ガス・デポ
ジション法を適用して形成した前記雌コネクタと雄コネ
クタの先端に金属超微粒子を分散懸濁した溶液をコーテ
ィングして結合先端部分を形成する工程と、前記雌コネ
クタと雄コネクタが形成された少なくとも二枚の基板に
於ける各コネクタを結合させる工程とが 含まれてなるこ
とを特徴とする。
微粒子が含まれるエアロゾルを搬送しノズルから基板に
向けて高速で噴射させて金属を堆積させるガス・デポジ
ション法を適用することに依って円筒状の雌コネクタと
円錐状の雄コネクタを形成する工程と、前記ガス・デポ
ジション法を適用して形成した前記雌コネクタと雄コネ
クタの先端に金属超微粒子を分散懸濁した溶液をコーテ
ィングして結合先端部分を形成する工程と、前記雌コネ
クタと雄コネクタが形成された少なくとも二枚の基板に
於ける各コネクタを結合させる工程とが 含まれてなるこ
とを特徴とする。
【００１９】
【００２０】
【作用】前記手段を採ることに依り、高密度の接続ピン
を高精度で定位置に且つ容易に形成することができ、そ
して、その接続ピンは集積回路装置などに於ける配線と
同様なドライ・プロセスで形成することができ、また、
そのようにして得られた電気的接続装置に於いては、集
積回路装置や回路基板の電気的接続及び電気的切断に大
きな力を要することなく容易に行なうことが可能である
と共に高い信頼性を維持することができる。
を高精度で定位置に且つ容易に形成することができ、そ
して、その接続ピンは集積回路装置などに於ける配線と
同様なドライ・プロセスで形成することができ、また、
そのようにして得られた電気的接続装置に於いては、集
積回路装置や回路基板の電気的接続及び電気的切断に大
きな力を要することなく容易に行なうことが可能である
と共に高い信頼性を維持することができる。
【００２１】
【実施例】図１は本発明の第一実施例を解説する為の電
気的接続装置を表す要部切断側面図であり、以下、図を
参照しつつ詳細に説明する。
気的接続装置を表す要部切断側面図であり、以下、図を
参照しつつ詳細に説明する。
【００２２】（１） スパッタリング法を適用すること
に依り、アルミナ、硼珪酸ガラス、石英ガラスなどを主
成分としたセラミック基板１上にＮｉからなるメタライ
ズ膜２を形成する。
に依り、アルミナ、硼珪酸ガラス、石英ガラスなどを主
成分としたセラミック基板１上にＮｉからなるメタライ
ズ膜２を形成する。
【００２３】（２） ガス・デポジション法を適用する
ことに依り、メタライズ膜２上にＡｕを材料として直径
０．２〔mm〕、穴径７０〔μｍ〕、高さ０．１〔mm〕の
ドーナツ円筒状の雌コネクタ３を形成する。
ことに依り、メタライズ膜２上にＡｕを材料として直径
０．２〔mm〕、穴径７０〔μｍ〕、高さ０．１〔mm〕の
ドーナツ円筒状の雌コネクタ３を形成する。
【００２４】（３） スパッタリング法を適用すること
に依り、セラミック基板１に接続するモジュールに於け
るセラミック基板４上にＮｉからなるメタライズ膜５を
形成する。
に依り、セラミック基板１に接続するモジュールに於け
るセラミック基板４上にＮｉからなるメタライズ膜５を
形成する。
【００２５】（４） ガス・デポジション法を適用する
ことに依り、メタライズ膜５上にＡｕを材料として直径
０．１〔mm〕、高さ０．３〔mm〕の円錐状の雄コネクタ
６を形成する。
ことに依り、メタライズ膜５上にＡｕを材料として直径
０．１〔mm〕、高さ０．３〔mm〕の円錐状の雄コネクタ
６を形成する。
【００２６】（５） 雌コネクタ３及び雄コネクタ６を
衝合し、約１０〔ｇ〕の接触圧力で接続する。
衝合し、約１０〔ｇ〕の接触圧力で接続する。
【００２７】このようにした場合、雌コネクタ３及び雄
コネクタ６の接触抵抗は１〔ｍΩ〕以下となった。尚、
前記工程に於いて、雌コネクタ３を作成する工程及び雄
コネクタ６を作成する工程は同時に進行させること、ま
た、どちらかを先に実施することは任意であり、この点
は、他の実施例に於いても同じである。図２は本発明の
第二実施例を解説する為の電気的接続装置を表す要部切
断側面図であり、以下、図を参照しつつ詳細に説明す
る。
コネクタ６の接触抵抗は１〔ｍΩ〕以下となった。尚、
前記工程に於いて、雌コネクタ３を作成する工程及び雄
コネクタ６を作成する工程は同時に進行させること、ま
た、どちらかを先に実施することは任意であり、この点
は、他の実施例に於いても同じである。図２は本発明の
第二実施例を解説する為の電気的接続装置を表す要部切
断側面図であり、以下、図を参照しつつ詳細に説明す
る。
【００２８】（１） スパッタリング法を適用すること
に依り、ＳｉＯ2 基板、即ち、石英ガラス基板１１上に
Ｎｉからなるメタライズ膜１２を形成する。
に依り、ＳｉＯ2 基板、即ち、石英ガラス基板１１上に
Ｎｉからなるメタライズ膜１２を形成する。
【００２９】（２） ガス・デポジション法を適用する
ことに依り、メタライズ膜１２上にＣｕを材料として直
径０．２〔mm〕、穴径７０〔μｍ〕、高さ０．１〔mm〕
のドーナツ円筒状の雌コネクタ１３を形成してから、引
き続いて、Ａｕを材料として高さのみ１０〔μｍ〕分を
増加させ結合先端部分１３Ａを形成する。尚、このよう
な二層構造にするには、エアロゾル状の金属超微粒子を
噴射するノズルを切り替えることで簡単に実現すること
ができる。
ことに依り、メタライズ膜１２上にＣｕを材料として直
径０．２〔mm〕、穴径７０〔μｍ〕、高さ０．１〔mm〕
のドーナツ円筒状の雌コネクタ１３を形成してから、引
き続いて、Ａｕを材料として高さのみ１０〔μｍ〕分を
増加させ結合先端部分１３Ａを形成する。尚、このよう
な二層構造にするには、エアロゾル状の金属超微粒子を
噴射するノズルを切り替えることで簡単に実現すること
ができる。
【００３０】（３） スパッタリング法を適用すること
に依り、石英ガラス基板１１に接続するモジュールに於
ける石英ガラス基板１４上にＴｉからなるメタライズ膜
１５を形成する。
に依り、石英ガラス基板１１に接続するモジュールに於
ける石英ガラス基板１４上にＴｉからなるメタライズ膜
１５を形成する。
【００３１】（４） ガス・デポジション法を適用する
ことに依り、メタライズ膜１５上にＣｕを材料として直
径０．１〔mm〕、高さ０．３〔mm〕の円錐状の雄コネク
タ１６を形成してから、引き続いて、Ａｕを材料として
高さのみ１０〔μｍ〕分を増加させ、結合先端部分１６
Ａを形成する。
ことに依り、メタライズ膜１５上にＣｕを材料として直
径０．１〔mm〕、高さ０．３〔mm〕の円錐状の雄コネク
タ１６を形成してから、引き続いて、Ａｕを材料として
高さのみ１０〔μｍ〕分を増加させ、結合先端部分１６
Ａを形成する。
【００３２】（５） 雌コネクタ１３及び雄コネクタ１
６を衝合し、約１０〔ｇ〕の接触圧力で接続する。
６を衝合し、約１０〔ｇ〕の接触圧力で接続する。
【００３３】第二実施例に於いても、雌コネクタ１３並
びに雄コネクタ１６の接触抵抗は１〔ｍΩ〕以下となっ
た。
びに雄コネクタ１６の接触抵抗は１〔ｍΩ〕以下となっ
た。
【００３４】図３は本発明の第三実施例を解説する為の
電気的接続装置を表す要部切断側面図であり、以下、図
を参照しつつ詳細に説明する。
電気的接続装置を表す要部切断側面図であり、以下、図
を参照しつつ詳細に説明する。
【００３５】（１） スパッタリング法を適用すること
に依り、Ｓｉ基板２１上にＴｉからなるメタライズ膜２
２を形成する。
に依り、Ｓｉ基板２１上にＴｉからなるメタライズ膜２
２を形成する。
【００３６】（２） ガス・デポジション法を適用する
ことに依り、メタライズ膜２２上にＰｄを材料として直
径０．２〔mm〕、穴径７０〔μｍ〕、高さ０．１〔mm〕
のドーナツ円筒状の雌コネクタ２３を形成してから、引
き続いて、Ｉｎを材料として高さのみ１０〔μｍ〕分を
増加させ、結合先端部分２３Ａを形成する。
ことに依り、メタライズ膜２２上にＰｄを材料として直
径０．２〔mm〕、穴径７０〔μｍ〕、高さ０．１〔mm〕
のドーナツ円筒状の雌コネクタ２３を形成してから、引
き続いて、Ｉｎを材料として高さのみ１０〔μｍ〕分を
増加させ、結合先端部分２３Ａを形成する。
【００３７】（３） スパッタリング法を適用すること
に依り、Ｓｉ基板２１に接続するモジュールに於けるＳ
ｉ基板２４上にＴｉからなるメタライズ膜２５を形成す
る。
に依り、Ｓｉ基板２１に接続するモジュールに於けるＳ
ｉ基板２４上にＴｉからなるメタライズ膜２５を形成す
る。
【００３８】（４） ガス・デポジション法を適用する
ことに依り、メタライズ膜２５上にＰｄを材料として直
径０．１〔mm〕、高さ０．３〔mm〕の円錐状の雄コネク
タ２６を形成してから、引き続いて、Ｉｎを材料として
高さのみ１０〔μｍ〕分を増加させ、結合先端部分２６
Ａを形成する。
ことに依り、メタライズ膜２５上にＰｄを材料として直
径０．１〔mm〕、高さ０．３〔mm〕の円錐状の雄コネク
タ２６を形成してから、引き続いて、Ｉｎを材料として
高さのみ１０〔μｍ〕分を増加させ、結合先端部分２６
Ａを形成する。
【００３９】（５） 雌コネクタ２３及び雄コネクタ２
６を衝合し、Ｎ2 中に於いて、温度を２２０〔℃〕とし
てリフローを行なった。
６を衝合し、Ｎ2 中に於いて、温度を２２０〔℃〕とし
てリフローを行なった。
【００４０】第三実施例に於いても、雌コネクタ２３並
びに雄コネクタ２６の接触抵抗は１〔ｍΩ〕以下となっ
た。
びに雄コネクタ２６の接触抵抗は１〔ｍΩ〕以下となっ
た。
【００４１】図４は本発明の第四実施例を解説する為の
電気的接続装置を表す要部切断側面図であり、以下、図
を参照しつつ詳細に説明する。
電気的接続装置を表す要部切断側面図であり、以下、図
を参照しつつ詳細に説明する。
【００４２】（１） スパッタリング法を適用すること
に依り、Ｓｉ基板３１上にＴｉからなるメタライズ膜３
２を形成する。
に依り、Ｓｉ基板３１上にＴｉからなるメタライズ膜３
２を形成する。
【００４３】（２） ガス・デポジション法を適用する
ことに依り、メタライズ膜３２上にＣｕを材料として直
径０．２〔mm〕、穴径７０〔μｍ〕、高さ０．１〔mm〕
のドーナツ円筒状の雌コネクタ３３を形成する。
ことに依り、メタライズ膜３２上にＣｕを材料として直
径０．２〔mm〕、穴径７０〔μｍ〕、高さ０．１〔mm〕
のドーナツ円筒状の雌コネクタ３３を形成する。
【００４４】（３） スパッタリング法を適用すること
に依り、Ｓｉ基板３１に接続するモジュールに於けるＳ
ｉ基板３４上にＴｉからなるメタライズ膜３５を形成す
る。
に依り、Ｓｉ基板３１に接続するモジュールに於けるＳ
ｉ基板３４上にＴｉからなるメタライズ膜３５を形成す
る。
【００４５】（４） ガス・デポジション法を適用する
ことに依り、メタライズ膜３５上にＣｕを材料として直
径０．１〔mm〕、高さ０．３〔mm〕の円錐状の雄コネク
タ３６を形成する。
ことに依り、メタライズ膜３５上にＣｕを材料として直
径０．１〔mm〕、高さ０．３〔mm〕の円錐状の雄コネク
タ３６を形成する。
【００４６】（５） ディップ・コーティング法を適用
することに依り、雌コネクタ３３及び雄コネクタ３６の
先端をＩｎ−４８〔％〕Ｓｎペースト中に浸漬し、Ｉｎ
−４８〔％〕Ｓｎからなる結合先端部分３３Ａと３６Ａ
を形成する。
することに依り、雌コネクタ３３及び雄コネクタ３６の
先端をＩｎ−４８〔％〕Ｓｎペースト中に浸漬し、Ｉｎ
−４８〔％〕Ｓｎからなる結合先端部分３３Ａと３６Ａ
を形成する。
【００４７】（６） 雌コネクタ３３及び雄コネクタ３
６を衝合し、Ｎ2 中に於いて、温度を１５０〔℃〕とし
てリフローを行なった。
６を衝合し、Ｎ2 中に於いて、温度を１５０〔℃〕とし
てリフローを行なった。
【００４８】第四実施例に於いても、雌コネクタ３３並
びに雄コネクタ３６の接触抵抗は１〔ｍΩ〕以下となっ
た。
びに雄コネクタ３６の接触抵抗は１〔ｍΩ〕以下となっ
た。
【００４９】図５は本発明の第五実施例を解説する為の
電気的接続装置を表す要部切断側面図であり、以下、図
を参照しつつ詳細に説明する。
電気的接続装置を表す要部切断側面図であり、以下、図
を参照しつつ詳細に説明する。
【００５０】（１） スパッタリング法を適用すること
に依り、Ｓｉ基板４１上にＴｉからなるメタライズ膜４
２を形成する。
に依り、Ｓｉ基板４１上にＴｉからなるメタライズ膜４
２を形成する。
【００５１】（２） ガス・デポジション法を適用する
ことに依り、メタライズ膜４２上にＰｔを材料として直
径０．２〔mm〕、穴径７０〔μｍ〕、高さ０．１〔mm〕
のドーナツ円筒状の雌コネクタ４３を形成する。
ことに依り、メタライズ膜４２上にＰｔを材料として直
径０．２〔mm〕、穴径７０〔μｍ〕、高さ０．１〔mm〕
のドーナツ円筒状の雌コネクタ４３を形成する。
【００５２】（３） スパッタリング法を適用すること
に依り、Ｓｉ基板４１に接続するモジュールに於けるＳ
ｉ基板４４上にＴｉからなるメタライズ膜４５を形成す
る。
に依り、Ｓｉ基板４１に接続するモジュールに於けるＳ
ｉ基板４４上にＴｉからなるメタライズ膜４５を形成す
る。
【００５３】（４） ガス・デポジション法を適用する
ことに依り、メタライズ膜４５上にＰｔを材料として直
径０．１〔mm〕、高さ０．３〔mm〕の円錐状の雄コネク
タ４６を形成する。
ことに依り、メタライズ膜４５上にＰｔを材料として直
径０．１〔mm〕、高さ０．３〔mm〕の円錐状の雄コネク
タ４６を形成する。
【００５４】（５） ディップ・コーティング法を適用
することに依り、雌コネクタ４３及び雄コネクタ４６の
先端をテレピネオール中にＡｕ超微粒子を分散して懸濁
させた溶液中に浸漬し、Ａｕからなる結合先端部分４３
Ａと４６Ａを形成する。
することに依り、雌コネクタ４３及び雄コネクタ４６の
先端をテレピネオール中にＡｕ超微粒子を分散して懸濁
させた溶液中に浸漬し、Ａｕからなる結合先端部分４３
Ａと４６Ａを形成する。
【００５５】（６） 雌コネクタ４３及び雄コネクタ４
６を衝合し、Ｎ2 中に於いて、温度を２５０〔℃〕とし
て熱処理を行なった。
６を衝合し、Ｎ2 中に於いて、温度を２５０〔℃〕とし
て熱処理を行なった。
【００５６】第五実施例に於いても、雌コネクタ４３並
びに雄コネクタ４６の接触抵抗は１〔ｍΩ〕以下となっ
た。
びに雄コネクタ４６の接触抵抗は１〔ｍΩ〕以下となっ
た。
【００５７】
【発明の効果】本発明に依る電気的接続装置の製造方法
に於いては、ガス中蒸発法を適用することに依って作成
された金属超微粒子が含まれるエアロゾルを搬送しノズ
ルから基板に向けて高速で噴射させて金属を堆積させる
ガス・デポジション法を適用することに依ってコネクタ
を形成し、コネクタが形成された少なくとも二枚の基板
に於ける各コネクタを結合させる。
に於いては、ガス中蒸発法を適用することに依って作成
された金属超微粒子が含まれるエアロゾルを搬送しノズ
ルから基板に向けて高速で噴射させて金属を堆積させる
ガス・デポジション法を適用することに依ってコネクタ
を形成し、コネクタが形成された少なくとも二枚の基板
に於ける各コネクタを結合させる。
【００５８】前記構成を採ることに依り、高密度の接続
ピンを高精度で定位置に且つ容易に形成することがで
き、そして、その接続ピンは集積回路装置などに於ける
配線と同様なドライ・プロセスで形成することができ、
また、そのようにして得られた電気的接続装置に於いて
は、集積回路装置や回路基板の電気的接続及び電気的切
断に大きな力を要することなく容易に行なうことが可能
であると共に高い信頼性を維持することができる。
ピンを高精度で定位置に且つ容易に形成することがで
き、そして、その接続ピンは集積回路装置などに於ける
配線と同様なドライ・プロセスで形成することができ、
また、そのようにして得られた電気的接続装置に於いて
は、集積回路装置や回路基板の電気的接続及び電気的切
断に大きな力を要することなく容易に行なうことが可能
であると共に高い信頼性を維持することができる。
【図１】本発明の第一実施例を解説する為の電気的接続
装置を表す要部切断側面図である。
装置を表す要部切断側面図である。
【図２】本発明の第二実施例を解説する為の電気的接続
装置を表す要部切断側面図である。
装置を表す要部切断側面図である。
【図３】本発明の第三実施例を解説する為の電気的接続
装置を表す要部切断側面図である。
装置を表す要部切断側面図である。
【図４】本発明の第四実施例を解説する為の電気的接続
装置を表す要部切断側面図である。
装置を表す要部切断側面図である。
【図５】本発明の第五実施例を解説する為の電気的接続
装置を表す要部切断側面図である。
装置を表す要部切断側面図である。
１ セラミック基板
２ メタライズ膜
３ 雌コネクタ
４ セラミック基板
５ メタライズ膜
６ 雄コネクタ
１３Ａ 結合先端部分
１６Ａ 結合先端部分
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−47771（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−24990（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−159070（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−152117（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−117346（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−13734（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−250897（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01R 43/00
H01R 43/16
H01R 43/20
H05K 3/36
H01R 9/09
Claims (4)
- 【請求項１】ガス中蒸発法を適用することに依って作成
された金属超微粒子が含まれるエアロゾルを搬送しノズ
ルから基板に向けて高速で噴射させて金属を堆積させる
ガス・デポジション法を適用することに依って円筒状の
雌コネクタと円錐状の雄コネクタを形成する工程と、前記ガス・デポジション法を適用することに依って前記
雌コネクタと雄コネクタの先端に軟金属材料からなる結
合先端部分を一体的に形成する工程と、 前記雌コネクタと雄コネクタが形成された少なくとも二
枚の基板に於ける各コネクタを結合させる工程と を有す
る電気的接続装置の製造方法。 - 【請求項２】前記軟金属材料がはんだ材料であることを
特徴とする請求項１記載の電気的接続装置の製造方法。 - 【請求項３】ガス中蒸発法を適用することに依って作成
された金属超微粒子が含まれるエアロゾルを搬送しノズ
ルから基板に向けて高速で噴射させて金属を堆積させる
ガス・デポジション法を適用することに依って円筒状の
雌コネクタと円錐状の雄コネクタを形成する工程と、前記ガス・デポジション法を適用して形成した前記雌コ
ネクタと雄コネクタの先端にはんだペーストをコーティ
ングして結合先端部分を形成する工程と、 前記雌コネクタと雄コネクタが形成された少なくとも二
枚の基板に於ける各コネクタを結合させる工程と を有す
る電気的接続装置の製造方法。 - 【請求項４】ガス中蒸発法を適用することに依って作成
された金属超微粒子が含まれるエアロゾルを搬送しノズ
ルから基板に向けて高速で噴射させて金属を堆積させる
ガス・デポジション法を適用することに依って円筒状の
雌コネクタと円錐状の雄コネクタを形成する工程と、前記ガス・デポジション法を適用して形成した前記雌コ
ネクタと雄コネクタの先端に金属超微粒子を分散懸濁し
た溶液をコーティングして結合先端部分を形成する工程
と、 前記雌コネクタと雄コネクタが形成された少なくとも二
枚の基板に於ける各コネクタを結合させる工程と を有す
る電気的接続装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09475893A JP3368435B2 (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 電気的接続装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09475893A JP3368435B2 (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 電気的接続装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310243A JPH06310243A (ja) | 1994-11-04 |
| JP3368435B2 true JP3368435B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=14119006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09475893A Expired - Fee Related JP3368435B2 (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 電気的接続装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3368435B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5342207A (en) * | 1992-12-14 | 1994-08-30 | Hughes Aircraft Company | Electrical interconnection method and apparatus utilizing raised connecting means |
| WO1995032449A1 (fr) * | 1994-05-20 | 1995-11-30 | Seiko Epson Corporation | Structure de portions conductrices de connexion, et affichage a cristaux liquides et imprimante electronique pourvus d'une telle structure |
| JP3587884B2 (ja) * | 1994-07-21 | 2004-11-10 | 富士通株式会社 | 多層回路基板の製造方法 |
| US7628470B2 (en) | 2005-02-07 | 2009-12-08 | Fujifilm Corporation | Liquid ejection head, method of manufacturing same, and image forming apparatus |
| US7599191B2 (en) * | 2005-11-01 | 2009-10-06 | Avx Corporation | Electrochemical low ESR capacitor with connector |
-
1993
- 1993-04-22 JP JP09475893A patent/JP3368435B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06310243A (ja) | 1994-11-04 |
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